CN105552175B - 无封装led闪灯、其驱动芯片及制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种无封装LED闪灯驱动芯片、无封装LED闪灯驱动芯片的制作方法和无封装LED闪灯，其中，所述方法包括：提供形成有P型阱、NMOS源漏、PMOS源漏、引线孔，金属引线的衬底；在所述衬底上形成包括遮光金属层的护层。使用上述方法制作的无封装LED闪灯驱动芯片，既能够不影响终端产品的外观及亮度，又能够有效的解决由于光照导致的驱动芯片漏电流增大的问题。

Description

无封装LED闪灯、其驱动芯片及制作方法
技术领域
本发明涉及半导体芯片制造工艺技术领域，尤其涉及一种无封装LED闪灯驱动芯片、无封装LED闪灯驱动芯片的制作方法和无封装LED闪灯。
背景技术
目前，有一类发光二极管(Lighting Emitting Diode，简称LED)闪灯产品是将几个LED灯和驱动芯片共同封装在透明的环氧树脂内，此类产品的驱动芯片外没有不透明树脂封装。
此类产品的驱动芯片的制作方法，如图1所示，现有技术的无封装LED闪灯的驱动芯片的制作方法，包括：P型阱制作；N型金属氧化物半导体(Negative channel MetalOxide Semiconductor，NMOS)源漏制作；P型金属氧化物半导体(positive channel MetalOxide Semiconductor，PMOS)源漏制作；引线孔制作；金属引线制作；护层制作。如图2所示，现有技术中图1所示制作方法中驱动芯片的护层制作的步骤，包括：护层沉积；护层光刻；护层刻蚀。
此类LED闪灯产品在光照的环境下驱动芯片的漏电流会增大，导致部分驱动芯出现功能异常，由于漏电流增大，表现为LED灯出现关不断的常亮现象。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种无封装LED闪灯驱动芯片、无封装LED闪灯驱动芯片的制作方法和无封装LED闪灯，既能够不影响终端产品的外观及亮度，又能够有效的解决由于光照导致的驱动芯片漏电流增大的问题。
第一方面，本发明提供一种无封装LED闪灯的驱动芯片的制作方法，包括：
提供依次形成有P型阱、N型金属氧化物半导体NMOS源漏、P型金属氧化物半导体PMOS源漏、引线孔，金属引线的衬底；
在所述衬底上形成包括遮光金属层的护层。
可选地，所述在所述衬底上形成包括遮光金属层的护层的步骤，包括：
在所述衬底上形成护层薄膜；
在所述护层薄膜上形成包括开口区的遮光金属层；
在所述开口区的护层薄膜上涂第一光刻胶并使用护层掩模板对所述第一光刻胶进行曝光和显影，形成第一光刻胶完全去除区域；
刻蚀掉所述第一光刻胶完全去除区域的护层薄膜。
可选地，所述在所述护层薄膜上形成包括开口区的遮光金属层的步骤，包括：
在所述护层薄膜上形成遮光金属层薄膜；
在所述遮光金属层薄膜上涂第二光刻胶并使用遮光金属层掩模板对所述第二光刻胶进行曝光和显影，形成第二光刻胶完全保留区域和第二光刻胶完全去除区域；
刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜，剥离光刻胶，形成包括开口区的遮光金属层。
可选地，在所述遮光金属层薄膜上涂第二光刻胶并使用遮光金属层掩模板对所述第二光刻胶进行曝光和显影，形成第二光刻胶完全保留区域和第二光刻胶完全去除区域的步骤中，所述遮光金属层掩模板曝光的图形在压焊点位置，所述遮光金属层与压焊点的间距大于50um。
可选地，所述刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜的步骤，包括：
使用等离子干法蚀刻工艺刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜。
可选地，所述刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜的步骤，包括：
使用湿法蚀刻工艺刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜。
可选地，所述遮光金属层的材料为铝。
第二方面，本发明提供一种无封装LED闪灯的驱动芯片，包括：P型阱、NMOS源漏、PMOS源漏、引线孔，金属引线和护层，所述护层包括遮光金属层。
可选地，所述遮光金属层的材料为铝。
第三方面，本发明提供一种无封装LED闪灯，包括：驱动芯片，所述驱动芯片为权利要求8或9所述的驱动芯片。
由上述技术方案可知，在本发明的无封装LED闪灯驱动芯片、无封装LED闪灯驱动芯片的制作方法和无封装LED闪灯中，通过在驱动芯片制作的过程中，在驱动芯片护层上再增加一层遮光金属层，由于金属的反光作用，所以在加入遮光金属层之后，既能够不影响终端产品的外观及亮度，又能够有效的解决由于光照导致的驱动芯片漏电流增大的问题。
附图说明
图1为现有技术的无封装LED闪灯的驱动芯片的制作方法的流程示意图；
图2为现有技术中图1所示制作方法中驱动芯片的护层制作步骤的流程示意图；
图3为本发明第一实施例提供的无封装LED闪灯的驱动芯片的制作方法的流程示意图；
图4为本发明第二实施例提供的无封装LED闪灯的驱动芯片的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他的实施例，都属于本发明保护的范围。
第一实施例
图3示出了本发明第一实施例提供的无封装LED闪灯的驱动芯片的制作方法的流程示意图，如图1所示，本实施例的无封装LED闪灯的驱动芯片的制作方法如下所述。
301、提供依次形成有P型阱、N型金属氧化物半导体NMOS源漏、P型金属氧化物半导体PMOS源漏、引线孔，金属引线的衬底。
可理解的是，本步骤的依次形成P型阱、NMOS源漏、PMOS源漏、引线孔，金属引线的方法与图1所示现有技术中相应的步骤相同，其细节此处不再赘述。
302、在所述衬底上形成包括遮光金属层的护层。
优选地，本步骤的遮光金属层的材料可以为铝。
本实施例的无封装LED闪灯的驱动芯片的制作方法，通过在现有技术中的驱动芯片护层上再增加一层遮光金属层，由于金属的反光作用，所以在加入遮光金属层之后，既能够不影响终端产品的外观及亮度，又能够有效的解决由于光照导致的驱动芯片漏电流增大的问题。
在具体应用中，前述方法的步骤302可以包括图中未示出的步骤302a-302d：
302a、在所述衬底上形成护层薄膜。
302b、在所述护层薄膜上形成包括开口区的遮光金属层。
在具体应用中，步骤302b可以包括图中未示出的步骤S1-S3：
S1、在所述护层薄膜上形成遮光金属层薄膜。
在具体应用中，本步骤可以使用金属溅射机台(例如：瓦里安铝溅射机台3290)，淀积一层金属(优选：铝)，因不考虑电流承载能力及打线要求，金属(优选：铝)厚度可以远小于金属引线层厚度(例如：3000埃至5000埃)。
S2、在所述遮光金属层薄膜上涂第二光刻胶并使用遮光金属层掩模板对所述第二光刻胶进行曝光和显影，形成第二光刻胶完全保留区域和第二光刻胶完全去除区域。
应说明的是，所述遮光金属层掩模板曝光的图形只有压焊点位置(所述遮光金属层掩模板的图形与护层掩模板的图形类似)，所述遮光金属层与压焊点的间距大于50um，以保证压焊点的焊线不会与所述遮光金属层短路。
S3、刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜，剥离光刻胶，形成包括开口区的遮光金属层。
举例来说，在本步骤中可以使用等离子干法蚀刻工艺刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜，例如所述遮光金属层的材料优选为铝AL时：
2AL+3CL2→2ALCL3or AL2CL6。
举例来说，在本步骤中由于无线宽要求，也可以使用湿法蚀刻工艺刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜，例如所述遮光金属层的材料优选为铝AL时：使用铝AL蚀刻液(80％磷酸+5％硝酸+5％醋酸+10％水)蚀刻。
302c、在所述开口区的护层薄膜上涂第一光刻胶并使用护层掩模板对所述第一光刻胶进行曝光和显影，形成第一光刻胶完全去除区域。
302d、刻蚀掉所述第一光刻胶完全去除区域的护层薄膜。
优选地，本实施例的所述遮光金属层的材料可以为铝，但本实施例不对其进行限定，仅为举例说明，可根据实际需要选择。
本实施例的的无封装LED闪灯的驱动芯片的制作方法，既能够不影响终端产品的外观及亮度，又能够有效的解决由于光照导致的驱动芯片漏电流增大的问题。
第二实施例
图4示出了本发明第二实施例提供的无封装LED闪灯的驱动芯片的制作方法的流程示意图，如图4所示，本实施例的无封装LED闪灯的驱动芯片的制作方法如下所述。
401、提供依次形成有P型阱、NMOS源漏、PMOS源漏、引线孔，金属引线的衬底。
可理解的是，本步骤的依次形成P型阱、NMOS源漏、PMOS源漏、引线孔，金属引线的方法与图1所示现有技术中相应的步骤相同，其细节此处不再赘述。
402、在所述衬底上形成护层薄膜。
403、在所述护层薄膜上形成遮光金属层薄膜。
在具体应用中，本步骤可以使用金属溅射机台(例如：瓦里安铝溅射机台3290)，淀积一层金属(优选：铝)，因不考虑电流承载能力及打线要求，金属(优选：铝)厚度可以远小于金属引线层厚度(例如：3000埃至5000埃)。
404、在所述遮光金属层薄膜上涂第二光刻胶并使用遮光金属层掩模板对所述第二光刻胶进行曝光和显影，形成第二光刻胶完全保留区域和第二光刻胶完全去除区域。
应说明的是，所述遮光金属层掩模板曝光的图形只有压焊点位置(所述遮光金属层掩模板的图形与护层掩模板的图形类似)，所述遮光金属层与压焊点的间距大于50um，以保证压焊点的焊线不会与所述遮光金属层短路。
405、刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜，剥离光刻胶，形成包括开口区的遮光金属层。
举例来说，在本步骤中可以使用等离子干法蚀刻工艺刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜，例如所述遮光金属层的材料优选为铝AL时：
2AL+3CL2→2ALCL3or AL2CL6。
举例来说，在本步骤中由于无线宽要求，也可以使用湿法蚀刻工艺刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜，例如所述遮光金属层的材料优选为铝AL时：使用铝AL蚀刻液(80％磷酸+5％硝酸+5％醋酸+10％水)蚀刻。
406、在所述开口区的护层薄膜上涂第一光刻胶并使用护层掩模板对所述第一光刻胶进行曝光和显影，形成第一光刻胶完全去除区域。
407、刻蚀掉所述第一光刻胶完全去除区域的护层薄膜。
优选地，本实施例的所述遮光金属层的材料可以为铝，但本实施例不对其进行限定，仅为举例说明，可根据实际需要选择。
本实施例的的无封装LED闪灯的驱动芯片的制作方法，既能够不影响终端产品的外观及亮度，又能够有效的解决由于光照导致的驱动芯片漏电流增大的问题。
第三实施例
本发明第三实施例提供的无封装LED闪灯的驱动芯片,包括：P型阱、NMOS源漏、PMOS源漏、引线孔，金属引线和护层，所述护层包括遮光金属层。
优选地，本实施例的所述遮光金属层的材料可以为铝，但本实施例不对其进行限定，仅为举例说明，可根据实际需要选择。
本实施例的无封装LED闪灯的驱动芯片，通过在现有技术中的驱动芯片护层上再增加一层遮光金属层，由于金属的反光作用，所以在加入遮光金属层之后，既能够不影响终端产品的外观及亮度，又能够有效的解决由于光照导致的驱动芯片漏电流增大的问题。
第四实施例
本发明第四实施例提供的无封装LED闪灯，包括：驱动芯片，所述驱动芯片为上述第三实施例所述的驱动芯片。
本实施例的无封装LED闪灯，既能够不影响终端产品的外观及亮度，又能够有效的解决由于光照导致的驱动芯片漏电流增大的问题。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明权利要求所限定的范围。

Claims (6)

1.一种无封装LED闪灯的驱动芯片的制作方法，其特征在于，包括：
提供依次形成有P型阱、N型金属氧化物半导体NMOS源漏、P型金属氧化物半导体PMOS源漏、引线孔，金属引线的衬底；
在所述衬底上形成包括遮光金属层的护层，包括：在所述衬底上形成护层薄膜；在所述护层薄膜上形成包括开口区的遮光金属层；在所述开口区的护层薄膜上涂第一光刻胶并使用护层掩模板对所述第一光刻胶进行曝光和显影，形成第一光刻胶完全去除区域；刻蚀掉所述第一光刻胶完全去除区域的护层薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述护层薄膜上形成包括开口区的遮光金属层的步骤，包括：
在所述护层薄膜上形成遮光金属层薄膜；
在所述遮光金属层薄膜上涂第二光刻胶并使用遮光金属层掩模板对所述第二光刻胶进行曝光和显影，形成第二光刻胶完全保留区域和第二光刻胶完全去除区域；
刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜，剥离光刻胶，形成包括开口区的遮光金属层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述遮光金属层薄膜上涂第二光刻胶并使用遮光金属层掩模板对所述第二光刻胶进行曝光和显影，形成第二光刻胶完全保留区域和第二光刻胶完全去除区域的步骤中，所述遮光金属层掩模板曝光的图形在压焊点位置，所述遮光金属层与压焊点的间距大于50um。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜的步骤，包括：
使用等离子干法蚀刻工艺刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜的步骤，包括：
使用湿法蚀刻工艺刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述遮光金属层的材料为铝。
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