CN106493094A - 一种led芯片的检测方法 - Google Patents

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李浩然
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Abstract

本发明公开了一种LED芯片的检测方法，属于半导体技术领域。所述检测方法包括：提供若干LED芯片；对所述LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的所述LED芯片；对所述LED芯片的外观进行检测，确定外观不良的所述LED芯片；在光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片上点上UV胶；在若干所述LED芯片上放置一块玻璃板；透过所述玻璃板对所述UV胶进行曝光，点上UV胶的所述LED芯片粘附在所述玻璃板上；移开所述玻璃板，完成光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片的挑除。本发明可以大大减少了人工目检的工作量，极大地降低了人工、设备和时间成本，有效提高生产效率。

Description

一种LED芯片的检测方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种LED芯片的检测方法。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。
LED芯片是LED的核心组件。由于LED芯片采用批量生产，因此在制作出LED芯片之后，通常采用分选机从大量LED芯片中挑除不良芯片。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
随着芯片越来越小，分选机受到抓取部件尺寸的限制，抓取不良芯片的难度越来越大，加上分选机无法识别外观不良(如残缺)的芯片等需要挑除的芯片，因此最后人工利用显微镜进行目检的时候，往往有大量芯片需要人为采用吸笔吸除，消耗了大量的人工、设备和时间成本，生产效率低下，而且还存在吸到良好芯片的问题，影响了产品良率。
发明内容
为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种LED芯片的检测方法。所述技术方案如下：
本发明实施例提供了一种LED芯片的检测方法，所述检测方法包括：
提供若干LED芯片；
对所述LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的所述LED芯片；
对所述LED芯片的外观进行检测，确定外观不良的所述LED芯片；
在光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片上点上UV胶；
在若干所述LED芯片上放置一块玻璃板；
透过所述玻璃板对所述UV胶进行曝光，点上UV胶的所述LED芯片粘附在所述玻璃板上；
移开所述玻璃板，完成光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片的挑除。
在本发明实施例一种可能的实现方式中，所述在光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片上点上UV胶，包括：
接收光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片的位置信息；
基于所述位置信息在所述LED芯片上点上UV胶。
在本发明实施例另一种可能的实现方式中，若干所述LED芯片粘附在同一张蓝膜上，各个所述LED芯片的间距大于0。
可选地，所述检测方法还包括：
在所述完成光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片的挑除之后，将所述蓝膜按照设定尺寸进行切割。
优选地，所述检测方法还包括：
对切割后的所述蓝膜上的所述LED芯片进行人工检测。
进一步地，所述对所述LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的所述LED芯片，包括：
使用光电参数测试仪对所述LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的所述LED芯片，并在确定的光电参数不良的所述LED芯片上点上墨水。
在本发明实施例又一种可能的实现方式中，当所述LED芯片为AlGaInP LED芯片时，所述提供若干LED芯片，包括：
在衬底上依次生长缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层；
在所述P型欧姆接触层上形成金属反射层；
将导电基板与所述金属反射层键合；
去除所述N型腐蚀停层、所述缓冲层、以及所述衬底；
在所述N型电流扩展层上设置N型电极，在所述导电基板上设置P型电极。
可选地，所述检测方法还包括：
在所述对所述LED芯片进行光电参数测试之前，在所述N型电流扩展层上开设延伸至所述金属反射层的切割道；
在所述对所述LED芯片进行光电参数测试之后，沿所述切割道劈开所述导电基板，若干所述LED芯片相互独立。
在本发明实施例又一种可能的实现方式中，当所述LED芯片为GaN LED芯片时，所述提供若干LED芯片，包括：
在衬底上依次形成缓冲层、N型层、多量子阱层、P型层；
在所述P型层上开设延伸至所述N型层的凹槽；
在所述P型层上形成透明导电层；
在所述透明导电层上设置P型电极，在所述N型层上设置N型电极。
可选地，所述检测方法还包括：
在所述对所述LED芯片进行光电参数测试之前，在所述N型层上形成延伸至所述衬底的切割道；
沿所述切割道劈开所述衬底，若干所述LED芯片相互独立。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过在光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片上点上UV胶，再在所有LED芯片上一块玻璃板，并透过玻璃板对UV胶进行曝光，使光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片通过UV胶粘附在玻璃板上，只需移开玻璃板，即可实现光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片的挑除，大大减少了人工目检的工作量，极大地降低了人工、设备和时间成本，有效提高生产效率，效率可提升200％以上，而且可以避免人工吸笔吸除造成的吸到良好芯片而影响产品良率的问题，降低损失率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一提供的一种LED芯片的检测方法的流程图；
图2是本发明实施例二提供的另一种LED芯片的检测方法的流程图；
图3是本发明实施例三提供的又一种LED芯片的检测方法的流程图；
图4是本发明实施例四提供的又一种LED芯片的检测方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
实施例一
本发明实施例提供了一种LED芯片的检测方法，适用于所有类型的LED芯片的检测，参见图1，该检测方法包括：
步骤101：提供若干LED芯片。
步骤102：对LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的LED芯片。
可选地，该步骤102可以包括：
使用光电参数测试仪对LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的LED芯片，并在确定的光电参数不良的LED芯片上点上墨水，以方便人工检测时发现光电参数不良的LED芯片。
在实际应用中，光电参数测试仪会测试LED芯片的光电参数，并将LED芯片的光电参数与设定的光电参数进行比较，若LED芯片的光电参数不符合设定的光电参数，则会记下LED芯片的位置信息。
步骤103：对LED芯片的外观进行检测，确定外观不良的LED芯片。
具体地，该步骤103可以包括：
使用自动光学检测设备(英文：Automatic Optic Inspection，简称AOI)对LED芯片的外观进行检测，确定外观不良的LED芯片。
在实际应用中，AOI会对LED芯片的外观进行检测，若LED芯片的外观不良，则会记下LED芯片的位置信息。
步骤104：在光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片上点上紫外(英文：Ultraviolet Rays，简称UV)胶。
具体地，该步骤104可以包括：
点胶机接收光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片的位置信息；
点胶机基于位置信息在LED芯片上点上UV胶。
在实际应用中，点胶机可以通过在光电参数测试仪或AOI上加装点胶装置实现，以降低实现成本。
进一步地，点胶机可以自带空洞点胶功能，对于识别不到的芯片和没有测试数据的芯片进行点胶，方便处理无法识别的芯片、以及只起标识作用的芯片。
需要说明的是，由于点胶是在芯片点上一个液滴，只要芯片的厚度一致，点胶效果即可保证，不会如分选机那样受到芯片表面粗糙度和芯片形状的影响。同时点胶量可以根据芯片大小控制，所以也不会如分选机那样无法处理小尺寸的芯片。
步骤105：在若干LED芯片上放置一块玻璃板。
步骤106：透过玻璃板对UV胶进行曝光，点上UV胶的LED芯片粘附在玻璃板上。
具体地，该步骤106可以包括：
使用UV灯照射UV胶，UV胶产生粘性，将LED芯片粘附在玻璃板上。
需要说明的是，为了获得良好的粘附效果，需要严格控制曝光量，通常为10000～20000mj/cm2，以使LED芯片牢牢粘附在玻璃板上。
步骤107：移开玻璃板，完成光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片的挑除。
本发明实施例通过在光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片上点上UV胶，再在所有LED芯片上一块玻璃板，并透过玻璃板对UV胶进行曝光，使光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片通过UV胶粘附在玻璃板上，只需移开玻璃板，即可实现光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片的挑除，大大减少了人工目检的工作量，极大地降低了人工、设备和时间成本，有效提高生产效率，效率可提升200％以上，而且可以避免人工吸笔吸除造成的吸到良好芯片而影响产品良率的问题，降低损失率。
实施例二
本发明实施例提供了一种LED芯片的检测方法，为实施例一提供的检测方法的一种具体实现，适用于AlGaInP LED正装芯片的检测，参见图2，该检测方法包括：
步骤201：提供若干LED芯片。
具体地，该步骤201可以包括：
在衬底的第一表面上依次生长缓冲层、布拉格反射镜、N型限制层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层；
在P型电流扩展层上形成P型电极；
减薄衬底；
在衬底的第二表面设置N型电极，衬底的第二表面为与衬底的第一表面相反的表面。
可选地，该制作方法还可以包括：
进行退火处理，分别衬底与N型电极、P型电流扩展层与P型电极形成欧姆接触。
步骤202：在P型电流扩展层上开设延伸至缓冲层的切割道。该步骤202为可选步骤。
具体地，该步骤202可以包括：
使用切割机的刀片从P型电流扩展层切到缓冲层，形成切割道。
步骤203：对LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的LED芯片。
具体地，该步骤203可以与实施例一中的步骤102相同，在此不再详述。
步骤204：沿切割道劈开衬底，若干LED芯片相互独立。该步骤204为可选步骤。
具体地，该步骤204可以包括：
使用切割机的刀片切割道劈开衬底，将LED芯片分成独立的个体。
在实际应用中，会将所有LED芯片粘附在同一张蓝膜上，并通过扩膜使各个LED芯片的间距大于0。进一步地，可以通过倒膜将芯片背面粘附在蓝膜上，以在外观检测时芯片正面朝上放置。
步骤205：对LED芯片的外观进行检测，确定外观不良的LED芯片。
具体地，该步骤205可以与实施例一中的步骤103相同，在此不再详述。
步骤206：在光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片上点上UV胶。
具体地，该步骤206可以与实施例一中的步骤104相同，在此不再详述。
步骤207：在若干LED芯片上放置一块玻璃板。
具体地，玻璃板和蓝膜贴合在一起，将LED芯片夹在中间。
步骤208：透过玻璃板对UV胶进行曝光，点上UV胶的LED芯片粘附在玻璃板上。
具体地，该步骤208可以与实施例一中的步骤106相同，在此不再详述。
步骤209：移开玻璃板，完成光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片的挑除。
具体地，该步骤209可以包括：
将玻璃板与蓝膜剥离，剥离时光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片通过UV胶粘附在玻璃板上，从而从蓝膜上去除，实现光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片的挑除。
步骤210：将蓝膜按照设定尺寸进行切割。
在具体实现中，设定尺寸可以按照用户要求进行设定。
步骤211：对切割后的蓝膜上的LED芯片进行人工检测。
可以理解地，人工通过显微镜对LED芯片进行目检，若发现不良芯片，则利用吸笔吸除。人工检测之后，将没有问题的芯片入库保存。
本发明实施例通过在光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片上点上UV胶，再在所有LED芯片上一块玻璃板，并透过玻璃板对UV胶进行曝光，使光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片通过UV胶粘附在玻璃板上，只需移开玻璃板，即可实现光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片的挑除，大大减少了人工目检的工作量，极大地降低了人工、设备和时间成本，有效提高生产效率，效率可提升200％以上，而且可以避免人工吸笔吸除造成的吸到良好芯片而影响产品良率的问题，降低损失率。
实施例三
本发明实施例提供了一种LED芯片的检测方法，为实施例一提供的检测方法的另一种具体实现，适用于AlGaInP LED倒装芯片的检测，参见图3，该检测方法包括：
步骤301：提供若干LED芯片。
具体地，该步骤301可以包括：
在衬底上依次生长缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层；
在P型欧姆接触层上形成金属反射层；
将导电基板与金属反射层键合；
去除N型腐蚀停层、缓冲层、以及衬底；
在N型电流扩展层上设置N型电极，在导电基板上设置P型电极。
可选地，该制作方法还可以包括：
进行退火处理，N型电流扩展层与N型电极、导电基板与P型电极形成欧姆接触。
步骤302：在N型电流扩展层上开设延伸至金属反射层的切割道。该步骤302为可选步骤。
具体地，该步骤302可以包括：
使用切割机的刀片从N型电流扩展层切到金属反射层，形成切割道。
步骤303：对LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的LED芯片。
具体地，该步骤303可以与实施例一中的步骤102相同，在此不再详述。
步骤304：沿切割道劈开导电基板，若干LED芯片相互独立。该步骤304为可选步骤。
具体地，该步骤304可以包括：
使用切割机的刀片切割道劈开导电基板，将LED芯片分成独立的个体。
在实际应用中，会将所有LED芯片粘附在同一张蓝膜上，并通过扩膜使各个LED芯片的间距大于0。进一步地，可以通过倒膜将芯片背面粘附在蓝膜上，以在外观检测时芯片正面朝上放置。
步骤305：对LED芯片的外观进行检测，确定外观不良的LED芯片。
具体地，该步骤305可以与实施例一中的步骤103相同，在此不再详述。
步骤306：在光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片上点上UV胶。
具体地，该步骤206可以与实施例一中的步骤104相同，在此不再详述。
步骤307：在若干LED芯片上放置一块玻璃板。
具体地，该步骤307可以与实施例二中的步骤207相同，在此不再详述。
步骤308：透过玻璃板对UV胶进行曝光，点上UV胶的LED芯片粘附在玻璃板上。
具体地，该步骤308可以与实施例一中的步骤106相同，在此不再详述。
步骤309：移开玻璃板，完成光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片的挑除。
具体地，该步骤309可以与实施例二中的步骤209相同，在此不再详述。
步骤310：将蓝膜按照设定尺寸进行切割。该步骤310为可选步骤。
具体地，该步骤310可以与实施例二中的步骤210相同，在此不再详述。
步骤311：对切割后的蓝膜上的LED芯片进行人工检测。该步骤311为可选步骤。
具体地，该步骤311可以与实施例二中的步骤211相同，在此不再详述。
本发明实施例通过在光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片上点上UV胶，再在所有LED芯片上一块玻璃板，并透过玻璃板对UV胶进行曝光，使光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片通过UV胶粘附在玻璃板上，只需移开玻璃板，即可实现光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片的挑除，大大减少了人工目检的工作量，极大地降低了人工、设备和时间成本，有效提高生产效率，效率可提升200％以上，而且可以避免人工吸笔吸除造成的吸到良好芯片而影响产品良率的问题，降低损失率。
实施例四
本发明实施例提供了一种LED芯片的检测方法，为实施例一提供的检测方法的又一种具体实现，适用于GaN LED芯片的检测，参见图4，该检测方法包括：
步骤401：提供若干LED芯片。
具体地，该步骤401可以包括：
在衬底上依次形成缓冲层、N型层、多量子阱层、P型层；
在P型层上开设延伸至N型层的凹槽；
在P型层上形成透明导电层；
在透明导电层上设置P型电极，在N型层上设置N型电极。
可选地，该制作方法还可以包括：
进行退火处理，N型层与N型电极、透明导电层与P型电极形成欧姆接触。
步骤402：在N型层上形成延伸至衬底的切割道。该步骤402为可选步骤。
具体地，该步骤402可以包括：
采用光刻技术在N型层上形成延伸至衬底的切割道。
步骤403：沿切割道劈开衬底，若干LED芯片相互独立。该步骤403为可选步骤。
具体地，该步骤403可以包括：
采用激光沿切割道在衬底上烧灼出沟道；
采用劈刀沿沟道将衬底劈断，将LED芯片分成独立的个体。
在实际应用中，会将所有LED芯片粘附在同一张蓝膜上，并通过扩膜使各个LED芯片的间距大于0。进一步地，可以通过倒膜将芯片背面粘附在蓝膜上，以在检测时芯片正面朝上放置。
步骤404：对LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的LED芯片。
具体地，该步骤404可以与实施例一中的步骤102相同，在此不再详述。
步骤405：对LED芯片的外观进行检测，确定外观不良的LED芯片。
具体地，该步骤405可以与实施例一中的步骤103相同，在此不再详述。
步骤406：在光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片上点上UV胶。
具体地，该步骤406可以与实施例一中的步骤104相同，在此不再详述。
步骤407：在若干LED芯片上放置一块玻璃板。
具体地，该步骤407可以与实施例二中的步骤207相同，在此不再详述。
步骤408：透过玻璃板对UV胶进行曝光，点上UV胶的LED芯片粘附在玻璃板上。
具体地，该步骤408可以与实施例一中的步骤106相同，在此不再详述。
步骤409：移开玻璃板，完成光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片的挑除。
具体地，该步骤409可以与实施例二中的步骤209相同，在此不再详述。
步骤410：将蓝膜按照设定尺寸进行切割。
具体地，该步骤410可以与实施例二中的步骤210相同，在此不再详述。
步骤411：对切割后的蓝膜上的LED芯片进行人工检测。
具体地，该步骤411可以与实施例二中的步骤211相同，在此不再详述。
本发明实施例通过在光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片上点上UV胶，再在所有LED芯片上一块玻璃板，并透过玻璃板对UV胶进行曝光，使光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片通过UV胶粘附在玻璃板上，只需移开玻璃板，即可实现光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片的挑除，大大减少了人工目检的工作量，极大地降低了人工、设备和时间成本，有效提高生产效率，效率可提升200％以上，而且可以避免人工吸笔吸除造成的吸到良好芯片而影响产品良率的问题，降低损失率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种LED芯片的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：
提供若干LED芯片；
对所述LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的所述LED芯片；
对所述LED芯片的外观进行检测，确定外观不良的所述LED芯片；
在光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片上点上UV胶；
在若干所述LED芯片上放置一块玻璃板；
透过所述玻璃板对所述UV胶进行曝光，点上UV胶的所述LED芯片粘附在所述玻璃板上；
移开所述玻璃板，完成光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片的挑除。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述在光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片上点上UV胶，包括：
接收光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片的位置信息；
基于所述位置信息在所述LED芯片上点上UV胶。
3.根据权利要求1或2所述的检测方法，其特征在于，若干所述LED芯片粘附在同一张蓝膜上，各个所述LED芯片的间距大于0。
4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：
在所述完成光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片的挑除之后，将所述蓝膜按照设定尺寸进行切割。
5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：
对切割后的所述蓝膜上的所述LED芯片进行人工检测。
6.根据权利要求5所述的检测方法，其特征在于，所述对所述LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的所述LED芯片，包括：
使用光电参数测试仪对所述LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的所述LED芯片，并在确定的光电参数不良的所述LED芯片上点上墨水。
7.根据权利要求1或2所述的检测方法，其特征在于，当所述LED芯片为AlGaInP LED芯片时，所述提供若干LED芯片，包括：
在衬底上依次生长缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层；
在所述P型欧姆接触层上形成金属反射层；
将导电基板与所述金属反射层键合；
去除所述N型腐蚀停层、所述缓冲层、以及所述衬底；
在所述N型电流扩展层上设置N型电极，在所述导电基板上设置P型电极。
8.根据权利要求7所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：
在所述对所述LED芯片进行光电参数测试之前，在所述N型电流扩展层上开设延伸至所述金属反射层的切割道；
在所述对所述LED芯片进行光电参数测试之后，沿所述切割道劈开所述导电基板，若干所述LED芯片相互独立。
9.根据权利要求1或2所述的检测方法，其特征在于，当所述LED芯片为GaN LED芯片时，所述提供若干LED芯片，包括：
在衬底上依次形成缓冲层、N型层、多量子阱层、P型层；
在所述P型层上开设延伸至所述N型层的凹槽；
在所述P型层上形成透明导电层；
在所述透明导电层上设置P型电极，在所述N型层上设置N型电极。
10.根据权利要求9所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：
在所述对所述LED芯片进行光电参数测试之前，在所述N型层上形成延伸至所述衬底的切割道；
沿所述切割道劈开所述衬底，若干所述LED芯片相互独立。
CN201610845774.3A 2016-09-23 2016-09-23 一种led芯片的检测方法 Pending CN106493094A (zh)

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