CN113380651A - 半导体晶圆电子坐标图与墨点的识别方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体晶圆电子坐标图与墨点的识别方法，通过对硅片进行拍照，并将测试原始数据转换成与硅片照片同等大小的图片，两张图在制图软件上叠加，从而能快速识别自动设备测试点掉晶粒与人检验手动点掉晶粒之间的差异，操作方法简单方便，识别速度快捷，同时,缺陷数量的统计结果也更准确，可追溯性强。
Description
技术领域
本发明涉及二极管芯片制造领域中的检测部分，具体的，涉及半导体晶圆电子坐标图与墨点的识别方法。
背景技术
半导体被广泛应用到消费电子、计算机及外设、网络通信，汽车电子、led显示屏等领域。晶粒是半导体晶圆的重要组成部分之一，针对贵重的半导体产品，因其单个晶粒的价值比较高，晶粒被点掉越多，损失越大。目前，传统的墨点识别方法检验识别某些缺陷多的硅片时，每片需要花费大概2.5小时，通常传统的识别方法是用硅片参照其测试原始图逐一识别哪些是手动点掉的，哪些是自动设备点掉的，哪些是双方一起点掉的，但由于一片硅片上分布的晶粒众多，且测试原始图呈椭圆细长的形状，不好比对，这样的识别方法，检验时间长，使人眼睛不舒服，并且肉眼计算缺陷晶粒的数量不能保证准确，而且工作效率也不高。
因此，需要发明半导体晶圆电子坐标图与墨点的识别方法，能快速识别自动设备测试点掉晶粒与人检验手动点掉晶粒之间的差异。
发明内容
本发明的目的在于提供半导体晶圆电子坐标图与墨点的识别方法，为了克服自动设备点掉晶粒与手动点掉晶粒之间缺陷统计时间长和缺陷数量统计不准确的不足。
为达到以上目的，提供以下技术方案：
半导体晶圆电子坐标图与墨点的识别方法，包括以下步骤：
a.拍照：将硅片放在无尘纸上，硅片下方标明硅片编码，照相需要在硅片的正上方，硅片照片的电子格式留存；
b.制作EXCEL网格图：打开对应硅片编码的文件，将硅片的测试原始数据使用EXCEL制作出圆形的网格图，并将此网格图转换为图片的格式；
c.使用制图工具，制作对比图:将步骤a中的硅片照片旋转，建立基准，使每行的晶粒水平对齐；
d.叠加图片：在制图软件上将步骤b中的图片格式的网格图与步骤c中的硅片照片重合，通过变形工具调整，先调整基准晶粒重合，使硅片照片的划边线和网格图的划边线重合；
e.数算步骤d中重合图片中墨点网格重合的数量，并将计算结果存储，并合成图片，作为识别和追溯凭证。
优选地，所述步骤b中，硅片的测试原始数据为采用txt文本格式，制作出圆形的网格图时将测试原始数据中的每个“·”、“0”“1”按照原顺序依次复制到excel的表格中，一个数据一个单元格，调整表格尺寸，长宽一致，得到圆形的网格图。
优选地，为了辨识准确，将所述表格中的“·”、“0”“1”分别替换为“蓝色的框”、“红色的框”、“空格”。
优选地，所述步骤e中的结果为：红色的框为自动设备测试去除的缺陷晶粒，黑点是人手动点掉的缺陷晶粒，红色的框带黑点是双方都点掉的缺陷晶粒。
本发明的有益效果为：
本识别方法的有益效果是，将2.5小时左右的检验时间缩短到15分钟内。操作方法简单方便，识别速度快捷。同时,缺陷数量的统计结果也更准确，可追溯性强。
附图说明
图1为本发明中硅片的测试原始数据图；
图2为本发明步骤b中未替换数据的圆形的网格图。
具体实施方式
半导体晶圆电子坐标图与墨点的识别方法，包括以下步骤：
a.拍照：将硅片放在无尘纸上，硅片下方标明硅片编码，照相需要在硅片的正上方，硅片照片的电子格式留存；
b.制作EXCEL网格图：打开对应硅片编码的文件，将硅片的测试原始数据使用EXCEL制作出圆形的网格图，并将此网格图转换为图片的格式；
c.使用制图工具，制作对比图:将步骤a中的硅片照片旋转，建立基准，使每行的晶粒水平对齐；
d.叠加图片：在制图软件上将步骤b中的图片格式的网格图与步骤c中的硅片照片重合，通过变形工具调整，先调整基准晶粒重合，使硅片照片的划边线和网格图的划边线重合；
e.数算步骤d中重合图片中墨点网格重合的数量，并将计算结果存储，并合成图片，作为识别和追溯凭证。
其中，步骤b中，硅片的测试原始数据为采用txt文本格式，其示意图如图1所示，制作出圆形的网格图时将测试原始数据中的每个“·”、“0”“1”按照原顺序依次复制到excel的表格中，一个数据一个单元格，调整表格尺寸，长宽一致，得到圆形的网格图，如图2所示。
其中，为了辨识准确，将表格中的“·”、“0”“1”分别替换为“蓝色的框”、“红色的框”、“空格”。
其中，步骤e中的结果为：红色的框为自动设备测试去除的缺陷晶粒，黑点是人手动点掉的缺陷晶粒，红色的框带黑点是双方都点掉的缺陷晶粒。
其中，制图软件一般选用Photoshop。
实施例1
将硅片放在无尘纸上，硅片下方标明硅片编码，照相需要在硅片的正上方(确保硅片图片变形不会太大)，可稍稍倾斜。注意照片尽量照的清晰一些，不要使硅片正面反射出相机，天棚线条等复杂背景，此要求是为了在处理硅片正面图片时，不会有太多的杂色干扰，照片名称存为Lot-Wafer ID，保存在与Lot-Wafer ID相同的文件夹中。制作excel网格图，打开上面以lot-wafer ID命名的文件夹，将这片硅片的测试原始数据导入excel，制作出圆形的网格图。新建一个word文档，将网格图拷贝到word文档中，在网格图上点击右键，另存为PNG格式的照片，保存在上面文件夹中。打开Photoshop,新建图层1；将名为Lot-Wafer ID的硅片照片拷贝到图层1里，新图片背景要略大于照片尺寸。新建图层2，然后在图层2中画出一个矩形后填充颜色,点击编辑，选择填充，然后选前景色，将不透明度改成50％，点击确定,将图层2中矩形与图层1中硅片照片两行晶粒的位置对齐；旋转图层1中硅片照片，使其与矩形水平线基本对齐。硅片照片与水平线对齐后，删除图层2中矩形。在图层2中打开excel网格图PNG照片，通过变形工具调整，先调整基准晶粒重合，使硅片照片的划边线和EXCEL网格图的划边线重合，保存图片,另存为JPEG格式，数算墨点网格重合数量，红色的框为自动设备测试去除的缺陷晶粒，黑点是人手动点掉的缺陷晶粒，红色的框带黑点是双方都点掉的缺陷晶粒，将统计结果存储，并合成图片。
Claims (4)
1.半导体晶圆电子坐标图与墨点的识别方法，其特征在于，包括以下步骤：
a.拍照：将硅片放在无尘纸上，硅片下方标明硅片编码，照相需要在硅片的正上方，硅片照片的电子格式留存；
b.制作EXCEL网格图：打开对应硅片编码的文件，将硅片的测试原始数据使用EXCEL制作出圆形的网格图，并将此网格图转换为图片的格式；
c.使用制图工具，制作对比图:将步骤a中的硅片照片旋转，建立基准，使每行的晶粒水平对齐；
d.叠加图片：在制图软件上将步骤b中的图片格式的网格图与步骤c中的硅片照片重合，通过变形工具调整，先调整基准晶粒重合，使硅片照片的划边线和网格图的划边线重合；
e.数算步骤d中重合图片中墨点网格重合的数量，并将计算结果存储，并合成图片，作为识别和追溯凭证。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆电子坐标图与墨点的识别方法，其特征在于，所述步骤b中，硅片的测试原始数据为采用txt文本格式，制作出圆形的网格图时将测试原始数据中的每个“·”、“0”“1”按照原顺序依次复制到excel的表格中，一个数据一个单元格，调整表格尺寸，长宽一致，得到圆形的网格图。
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆电子坐标图与墨点的识别方法，其特征在于，为了辨识准确，将所述表格中的“·”、“0”“1”分别替换为“蓝色的框”、“红色的框”、“空格”。
4.根据权利要求1或3所述的半导体晶圆电子坐标图与墨点的识别方法，其特征在于，所述步骤e中的结果为：红色的框为自动设备测试去除的缺陷晶粒，黑点是人手动点掉的缺陷晶粒，红色的框带黑点是双方都点掉的缺陷晶粒。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117170181A (zh) * | 2023-11-01 | 2023-12-05 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 掩膜版清洁方法、装置和计算机可读存储介质 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200905774A (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-01 | King Yuan Electronics Co Ltd | Method for marking wafer, method for marking failed die, method for aligning wafer and wafer test equipment |
| CN104752252A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 表征晶背缺陷的方法 |
| CN108648168A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-10-12 | 北京京仪仪器仪表研究总院有限公司 | Ic晶圆表面缺陷检测方法 |
| CN110137098A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-08-16 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种检视晶圆缺陷的方法及系统 |
| CN111653500A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-11 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 判断晶圆良率损失的方法 |
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2020
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200905774A (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-01 | King Yuan Electronics Co Ltd | Method for marking wafer, method for marking failed die, method for aligning wafer and wafer test equipment |
| CN104752252A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 表征晶背缺陷的方法 |
| CN108648168A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-10-12 | 北京京仪仪器仪表研究总院有限公司 | Ic晶圆表面缺陷检测方法 |
| CN110137098A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-08-16 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种检视晶圆缺陷的方法及系统 |
| CN111653500A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-11 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 判断晶圆良率损失的方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117170181A (zh) * | 2023-11-01 | 2023-12-05 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 掩膜版清洁方法、装置和计算机可读存储介质 |
| CN117170181B (zh) * | 2023-11-01 | 2024-01-26 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 掩膜版清洁方法、装置和计算机可读存储介质 |
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