CN117170181B - 掩膜版清洁方法、装置和计算机可读存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种掩膜版清洁方法、装置和计算机程序产品。掩膜版清洁方法，包括：获取掩膜版的具有相同分辨率的缺陷检测图片和掩膜数据图片，缺陷检测图片具有缺陷颗粒，掩膜数据图片具有图形区与非图形区；将缺陷检测图片和掩膜数据图片进行叠图；当图形区具有缺陷颗粒时，确定掩膜版需要清洁。当缺陷颗粒影响晶圆的成像效果，则需要清洁掩膜版，反之，当缺陷颗粒不影响晶圆的成像效果，则不需要清洁掩膜版。这样使得缺陷颗粒不影响晶圆的成像效果的掩膜版无需清洁，提升芯片的生产效率。

Description

掩膜版清洁方法、装置和计算机可读存储介质

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种掩膜版清洁方法、装置和计算机可读存储介质。

背景技术

掩膜版是半导体光刻生产中不可缺少的一种模具。如果掩膜版上存在缺陷颗粒，在光刻工艺过程中，缺陷颗粒会产生与图案一同成像的风险，导致移转至晶圆上的图形变异，从而影响芯片良率。

掩膜版使用一段时间后需要进行清洁以去除缺陷颗粒，这会导致7~10天的生产延误。因此，提高对掩膜版是否需要清洁的判断能力可以提升芯片的生产效率。

发明内容

基于此，有必要针对现有技术中的掩膜版清洁问题提供一种掩膜版清洁方法、装置和计算机可读存储介质。

为了实现上述目的，一方面，本发明提供了一种掩膜版清洁方法，包括：

获取掩膜版的具有相同分辨率的缺陷检测图片和掩膜数据图片，所述缺陷检测图片具有缺陷颗粒，所述掩膜数据图片具有图形区与非图形区；

将所述缺陷检测图片和所述掩膜数据图片进行叠图；

当所述图形区具有所述缺陷颗粒时，确定所述掩膜版需要清洁。

在其中一个实施例中，所述获取掩膜版的具有相同分辨率的缺陷检测图片和掩膜数据图片，包括：

获取所述掩膜版的所述缺陷检测图片；

获取所述掩膜版的所述掩膜数据图片；

调节所述缺陷检测图片和所述掩膜数据图片的像素尺寸，以使所述缺陷检测图片和所述掩膜数据图片具有相同的像素尺寸。

在其中一个实施例中，获取所述缺陷检测图片和所述掩膜数据图片之后，包括：

统一所述缺陷检测图片与所述掩膜数据图片的坐标系。

在其中一个实施例中，所述掩膜版设有目标图形，

所述获取所述掩膜版的所述缺陷检测图片，包括：

获取所述缺陷检测图片中的目标图形的第一坐标；

所述获取所述掩膜版的所述掩膜数据图片，包括：

获取所述掩膜数据图片中的目标图形的第二坐标；

所述统一所述缺陷检测图片与所述掩膜数据图片的坐标系，包括：

基于所述第一坐标与所述第二坐标，使得所述缺陷检测图片和所述掩膜数据图片处于同一坐标系中。

在其中一个实施例中，所述目标图形包括对位标记。

在其中一个实施例中，所述获取掩膜版的缺陷检测图片，包括：

获取所述缺陷检测图片中的所述缺陷颗粒的尺寸；

获取所述掩膜版的所述缺陷检测图片之后，包括：

当所述缺陷检测图片中具有尺寸大于预设值的所述缺陷颗粒时，确定所述掩膜版需要清洁。

在其中一个实施例中，所述图形区包括透光区与遮光区，所述当所述图形区具有所述缺陷颗粒时，确定所述掩膜版需要清洁，包括：

当所述图形区具有轮廓与所述透光区具有交叠的缺陷颗粒时，确定所述掩膜版需要清洁。

在其中一个实施例中，所述掩膜版包括基板、掩膜图形和保护膜，所述掩膜图形位于所述基板和所述保护膜之间，所述缺陷颗粒包括基板缺陷和保护膜缺陷，所述当所述图形区具有所述缺陷颗粒时，确定所述掩膜版需要清洁，包括：

当所述图形区具有所述基板缺陷，确定所述基板需要清洗；

当所述图形区具有所述保护膜缺陷，确定所述保护膜需要更换。

本发明还提供了一种掩膜版清洁装置，所述装置包括：

获取模块，用于获取掩膜版的具有相同分辨率的缺陷检测图片和掩膜数据图片，所述缺陷检测图片具有缺陷颗粒，所述掩膜数据图片具有图形区与非图形区；

叠图模块，用于将所述缺陷检测图片和所述掩膜数据图片进行叠图；

确定模块，用于当所述图形区具有所述缺陷颗粒时，确定所述掩膜版需要清洁。

本发明还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现前述的方法的步骤。

本发明意想不到的技术效果是：通过对缺陷检测图片和掩膜数据图片进行叠图，可以快速得出缺陷颗粒是否影响到晶圆的成像效果，进而快速判断掩膜版是否需要清洁。这减少了掩膜版无效清洁的可能性，随之降低了掩膜版的清洁成本。同时，避免了由于掩膜版无效清洁而导致芯片的生产时间延长的概率，提升芯片的生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一实施例中提供的掩膜版清洁方法的流程图；

图2为一实施例中提供的掩膜版结构示意图；

图3为一实施例中提供的缺陷检测图片示意图；

图4为一实施例中提供的掩膜数据图片示意图；

图5为一实施例中提供的统一坐标后的缺陷检测图片示意图；

图6为一实施例中提供的统一坐标后的掩膜数据图片示意图；

图7为一实施例中提供的叠图示意图；

图8为一实施例中提供的掩膜版清洁装置示意图。

附图标记说明：掩膜版-100；基板-110；图案-120；保护膜-130；缺陷检测图片-200；缺陷颗粒-210；基板缺陷-211；保护膜缺陷-212；掩膜数据图片-300；图形区-310；透光区-311；遮光区-312；非图形区-320；杂质-400。

实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

本申请提供的掩膜版清洁方法，可以应用于各终端中。终端可以但不限于是各种个人计算机、笔记本电脑、智能手机、平板电脑等。

请参阅图1，本申请提供一种掩膜版清洁方法，包括如下步骤：

步骤S100：获取掩膜版100的具有相同分辨率的缺陷检测图片200和掩膜数据图片300，缺陷检测图片具有缺陷颗粒210，掩膜数据图片300具有图形区310与非图形区320。

步骤S200：将缺陷检测图片200和掩膜数据图片300进行叠图。

步骤S300：当图形区310具有缺陷颗粒210时，确定掩膜版100需要清洁。

请参阅图2，掩膜版100包括基板110、图案120和保护膜130。图案120位于基板110和保护膜130之间。保护膜130用于保护图案120不受污染。

在掩膜版100使用或运输过程中，基板110和保护膜130上会附着灰尘等杂质400。这些杂质400可能会影响掩膜版100的使用。

在步骤S100中，请参阅图3，对掩膜版100进行拍照或者扫描可以获得缺陷检测图片200。缺陷检测图片200展示出缺陷颗粒210。可以理解，缺陷颗粒210为杂质400的拍摄影像。

请参阅图4，掩膜数据图片300包括掩膜版100的图案120相应的设计图片。作为示例，掩膜数据图片300可以为光掩膜数据检视（Job Deck View，JDV）图片。

掩膜数据图片300包括图形区310与非图形区320。图形区310为可成像的区域，非图形区320为不可成像的区域。

缺陷检测图片200和掩膜数据图片300具有相同分辨率。在后续步骤中，可以更精确地判断出缺陷检测图片200上的缺陷颗粒210与掩膜数据图片300的位置关系。

在步骤S200中，请参阅图5至图7，对缺陷检测图片200和掩膜数据图片300进行叠图处理。例如，可以将缺陷检测图片200和掩膜数据图片300放置于同一位置。

在步骤S300中，请参阅图7，叠图处理后，当缺陷颗粒210位于图形区310时，可以认为缺陷颗粒210会影响图形区310在晶圆上的成像效果，从而确定掩膜版100需要清洁。反之，当缺陷颗粒210位于非图形区320，则不需要清洁掩膜版100。作为示例，图7中，缺陷颗粒A位于非图形区320，缺陷颗粒B位于图形区310。

对掩膜版100进行清洁可以包括用碱液清洗等工艺，以去除灰尘等杂质400。

使用掩膜版100对晶圆进行光刻时，晶圆上会形成与图形区310的图案相对应的图案。当缺陷颗粒210位于图形区310时，晶圆上形成的图案会发生变形，影响掩膜版100的光刻效果。此时，掩膜版100需要进行清洁。

反之，当缺陷颗粒210位于非图形区320时，晶圆上形成的图案不会发生变形。可以理解，当缺陷颗粒210不影响掩膜版100的光刻效果，此时，掩膜版100不需要进行清洁。

缺陷颗粒210通常有多个。在一些情况下，部分缺陷颗粒210位于图形区310，部分缺陷颗粒210位于非图形区320。作为示例，此时，当多数缺陷颗粒210位于图形区310时，可以认为掩膜版100需要进行清洁。或者，当任一缺陷颗粒210位于图形区310，可以认为掩膜版100需要进行清洁。

相关技术中，当检测到掩膜版100上具有杂质400时即对掩膜版100进行清洁。而掩膜版100清洁一次需要较长时间，将不影响成像效果的掩膜版100送去清洁，会延长了产品的生产时间，降低了产品的生产效率。

本实施例中，通过将缺陷检测图片200和掩膜数据图片300进行叠图，再判断图形区310是否具有缺陷颗粒210。当图形区310具有缺陷颗粒210时，确定掩膜版100需要清洁。反之，当图形区310不具有缺陷颗粒210时，确定掩膜版100不需要清洁。这减少了出现无效清洁的可能性，随之降低了清洁成本，并且提升芯片的生产效率。

在一个实施例中，步骤S100包括：

步骤S110：获取掩膜版100的缺陷检测图片200。

步骤S120：获取掩膜版100的掩膜数据图片300。

步骤S130：调节缺陷检测图片200和掩膜数据图片300的像素尺寸，以使缺陷检测图片200和掩膜数据图片300具有相同的像素尺寸。

在步骤S110中，对掩膜版100进行拍照或者扫描可以获得缺陷检测图片200。

在步骤S120中，掩膜数据图片300为掩膜版100的图案120相应的设计图片。

在步骤S130中，请参阅图5和图6，统一缺陷检测图片200和掩膜数据图片300的像素尺寸。作为示例，缺陷检测图片200和掩膜数据图片300的像素尺寸可以均为1.6微米×1.6微米至3.0微米×3.0微米。具体的，缺陷检测图片200和掩膜数据图片300的像素尺寸可以均2.3微米×2.3微米。上述数据仅作为示例，在实际实施例中缺陷检测图片200和掩膜数据图片300的像素尺寸并不以上述数据为限。

本实施例中，通过统一缺陷检测图片200和掩膜数据图片300的像素尺寸，可以更精确地判断出缺陷检测图片200上的缺陷颗粒210与掩膜数据图片300的位置关系，即得到缺陷颗粒210是否位于图形区310的结论。

在一个实施例中，获取缺陷检测图片200和掩膜数据图片300之后，包括：

步骤S140：统一缺陷检测图片200与掩膜数据图片300的坐标系。

请参阅图5和图6，为了叠图后可以更清晰区分缺陷颗粒210与掩膜数据图片300的位置关系，可以统一缺陷检测图片200与掩膜数据图片300的坐标系。

具体的，掩膜版100设有目标图形140。作为示例，目标图形140可以包括对位标记。此时，步骤S110包括：

步骤S111：获取缺陷检测图片200中的目标图形的第一坐标。

步骤S120包括：

步骤S121：获取掩膜数据图片300中的目标图形的第二坐标。

同时，步骤S140包括：

步骤S141：基于第一坐标与第二坐标，使得缺陷检测图片200和掩膜数据图片300处于同一坐标系中。

在步骤S111中，在获取缺陷检测图片200中缺陷颗粒210的同时，可以获得目标图形在缺陷检测图片200中的目标图形的第一坐标。

在步骤S121中，获取掩膜数据图片300时，不仅可以获取图形区310和非图形区320，也可以获取目标图形在掩膜数据图片300中的目标图形的第二坐标。

在步骤S141中，可以通过调节第一坐标与第二坐标，统一缺陷检测图片200和掩膜数据图片300坐标系。作为示例，可以以第二坐标为基准，调节第一坐标。例如，第二坐标为（a，b），第一坐标为（c，d），此时，第一坐标的调节值为（a-c，b-d）。

由于掩膜数据图片300通常自带第二坐标，而缺陷检测图片200的第一坐标需要设定，因此可以将第二坐标作为基准，调节第一坐标。当然，也可以以第一坐标作为基准，调节第二坐标。

当然，当缺陷检测图片200和掩膜数据图片300的大小不一致时，也可以先统一缺陷检测图片200和掩膜数据图片300的尺寸，再统一缺陷检测图片200与掩膜数据图片300的坐标。

本实施例中，通过统一缺陷检测图片200与掩膜数据图片300的坐标系，使得叠图后，可以更清晰区分缺陷颗粒210与掩膜数据图片300的位置关系，即得到缺陷颗粒210是否位于图形区310的结论。

在一个实施例中，步骤S110包括：

步骤S112：获取缺陷检测图片200中的缺陷颗粒210的尺寸。

步骤S112之后，包括：

步骤S113：当缺陷检测图片200中具有尺寸大于预设值的缺陷颗粒210时，确定掩膜版100需要清洁。

在步骤S112中，例如，当缺陷颗粒210为圆形时，缺陷颗粒210的尺寸可以为直径。当缺陷颗粒210为矩形时，缺陷颗粒210的尺寸可以为对角线长度或者边长。

在步骤S113中，当缺陷颗粒210的尺寸过大时，缺陷颗粒210会影响掩膜版100透光，掩膜版100即需要清洁。作为示例，预设值可以为20纳米，或者40纳米。上述数据仅作为示例，在实际实施例中预设值并不以上述数据为限。

本实施例中，通过缺陷颗粒210的尺寸，在确认缺陷颗粒210的尺寸大于预设值时，可以认为缺陷颗粒210会影响掩膜版100透光。此时，无需确认缺陷颗粒210是否位于图形区310，可以直接认为掩膜版100即需要清洁。

当然，当缺陷颗粒210有多个时，可以当任一缺陷颗粒210的尺寸大于预设值时，即对掩膜版100进行清洁，也可以当大部分缺陷颗粒210的尺寸大于预设值时，即对掩膜版100进行清洁。

在一个实施例中，图形区310包括透光区311与遮光区312。步骤S300包括：

步骤S310：当图形区310具有轮廓与透光区311具有交叠的缺陷颗粒210时，确定掩膜版100需要清洁。

当缺陷颗粒210位于遮光区312时，缺陷颗粒210不影响图形区310的成像效果。当缺陷颗粒210位于透光区311时，缺陷颗粒210可能会遮挡光线，妨碍图形区310的成像。因此，可以通过判断缺陷颗粒210是否位于透光区311，从而得出掩膜版100是否需要清洁的结论。

缺陷颗粒210的轮廓可以为缺陷颗粒210的边缘，也可以为缺陷颗粒210的外接图形的边缘。

缺陷颗粒210位于透光区311可以为缺陷颗粒210的轮廓与透光区311具有交叠，即缺陷颗粒210可以全部位于透光区311，也可以部分位于透光区311，部分位于遮光区312。

作为示例，请参阅图7，缺陷颗粒C全部位于遮光区312，即缺陷颗粒C的直径小于图案线宽。此时，缺陷颗粒C不影响图形区310的成像。缺陷颗粒D的轮廓大部分位于透光区311，此时，缺陷颗粒D影响图形区310的成像。缺陷颗粒E大部分位于遮光区312，但是缺陷颗粒E的直径大于图案线宽，缺陷颗粒E小部分轮廓与透光区311具有交叠，此时，缺陷颗粒E可能影响图形区310的成像。

本实施例中，在确认缺陷颗粒210位于图形区310后，还可以继续判断缺陷颗粒的轮廓是否与透光区311具有交叠。当缺陷颗粒210完全位于遮光区312，认为缺陷颗粒210不影响图形区310的成像，可以不清洁掩膜版100，避免该掩膜版100被无效清洁，进而提升芯片的生产效率。

在一个实施例中，掩膜版100包括基板110、图案120和保护膜130。此时，缺陷颗粒210包括基板缺陷211和保护膜缺陷212。同时，步骤S300包括：

步骤S330：当图形区310具有基板缺陷211，确定基板110需要清洗。

步骤S340：当图形区310具有保护膜缺陷212，确定保护膜130需要更换。

在步骤S中，请参阅图1和图5，基板110可以包括石英基板等硬质基板。当图形区310具有基板缺陷211，可以对基板110进行碱洗等清洗工艺。

在步骤S340中，请参阅图1和图5，保护膜130通常为较软的薄膜。当图形区310具有保护膜缺陷212时，若对保护膜130进行清洗，可能会损坏保护膜130。因此，可以更换新的保护膜130。

本实施例中，进一步区分基板缺陷211与保护膜缺陷212，并对二者进行不同的清洁操作。

应该理解的是，虽然图1的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

基于同样的发明构思，请参阅图8，本申请提供一种掩膜版清洁装置，包括：

获取模块，用于获取掩膜版100的具有相同分辨率的缺陷检测图片200和掩膜数据图片300，缺陷检测图片200具有缺陷颗粒210，掩膜数据图片300具有图形区310与非图形区320。

叠图模块，用于将缺陷检测图片200和掩膜数据图片300进行叠图。

确定模块，用于当图形区310具有缺陷颗粒210时，确定掩膜版100需要清洁。

在一个实施例中，获取模块用于获取掩膜版100的缺陷检测图片200、获取掩膜版100的掩膜数据图片300，以及调节缺陷检测图片200和掩膜数据图片300的像素尺寸以使缺陷检测图片200和掩膜数据图片300具有相同的像素尺寸。

在一个实施例中，获取模块用于统一缺陷检测图片200与掩膜数据图片300的坐标系。具体的，获取模块用于获取缺陷检测图片200中的目标图形的第一坐标、获取掩膜数据图片300中的目标图形的第二坐标以及基于第一坐标与第二坐标，使得缺陷检测图片200和掩膜数据图片300处于同一坐标系中。

在一个实施例中，获取模块还用于获取缺陷检测图片200中的缺陷颗粒210的尺寸以及当缺陷检测图片200中具有尺寸大于预设值的缺陷颗粒210时，确定掩膜版100需要清洁。

在一个实施例中，确定模块用于当图形区310具有轮廓与透光区311具有交叠的缺陷颗粒210时，确定掩膜版100需要清洁。

在一个实施例中，确定模块还用于当图形区310具有基板缺陷211，确定基板110需要清洗以及当图形区310具有保护膜缺陷212，确定保护膜130需要更换。

关于掩膜版清洁装置的具体限定可以参见上文中对于掩膜版清洁方法的限定，在此不再赘述。上述掩膜版清洁装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述各方例中的步骤。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。

本发明意想不到的技术效果是：首先，通过对缺陷检测图片200和掩膜数据图片300进行叠图，可以快速得出缺陷颗粒210是否影响到晶圆的成像效果，进而快速判断掩膜版100是否需要清洁。

其次，当图形区310具有缺陷颗粒210时，确定掩膜版100需要清洁。反之，当图形区310不具有缺陷颗粒210时，确定掩膜版100不需要清洁。这减少了掩膜版100无效清洁的可能性，随之降低了掩膜版100的清洁成本。

同时，还可以避免由于掩膜版100无效清洁而导致芯片的生产时间延长的概率，提升芯片的生产效率。

上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种掩膜版清洁方法，其特征在于，包括：

获取掩膜版的具有相同分辨率的缺陷检测图片和掩膜数据图片，所述缺陷检测图片具有缺陷颗粒，所述掩膜数据图片具有图形区与非图形区；

将所述缺陷检测图片和所述掩膜数据图片进行叠图；

当所述图形区具有所述缺陷颗粒时，确定所述掩膜版需要清洁；

所述获取掩膜版的具有相同分辨率的缺陷检测图片和掩膜数据图片，包括：

获取所述掩膜版的所述缺陷检测图片；

获取所述掩膜版的所述掩膜数据图片，所述掩膜数据图片为所述掩膜版的图案相应的设计图片；

调节所述缺陷检测图片和所述掩膜数据图片的像素尺寸，以使所述缺陷检测图片和所述掩膜数据图片具有相同的像素尺寸；

获取所述缺陷检测图片和所述掩膜数据图片之后，包括：

统一所述缺陷检测图片与所述掩膜数据图片的坐标系；

所述掩膜版设有目标图形，所述获取所述掩膜版的所述缺陷检测图片，包括：

获取所述缺陷检测图片中的目标图形的第一坐标；

所述获取所述掩膜版的所述掩膜数据图片，包括：

获取所述掩膜数据图片中的目标图形的第二坐标；

所述统一所述缺陷检测图片与所述掩膜数据图片的坐标系，包括：

基于所述第一坐标与所述第二坐标，使得所述缺陷检测图片和所述掩膜数据图片处于同一坐标系中；

所述获取所述掩膜版的所述缺陷检测图片，包括：

对所述掩膜版进行拍照或者扫描获得所述缺陷检测图片。

2.根据权利要求1所述的掩膜版清洁方法，其特征在于，对所述掩膜版进行清洁包括用碱液清洗。

3.根据权利要求1所述的掩膜版清洁方法，其特征在于，所述缺陷检测图片和所述掩膜数据图片的像素尺寸均为1.6微米×1.6微米至3.0微米×3.0微米。

4.根据权利要求1所述的掩膜版清洁方法，其特征在于，所述基于所述第一坐标与所述第二坐标，使得所述缺陷检测图片和所述掩膜数据图片处于同一坐标系中，包括：

以所述第二坐标为基准，调节所述第一坐标。

5.根据权利要求1所述的掩膜版清洁方法，其特征在于，所述目标图形包括对位标记。

6.根据权利要求1所述的掩膜版清洁方法，其特征在于，所述获取所述掩膜版的所述缺陷检测图片，包括：

获取所述缺陷检测图片中的缺陷颗粒的尺寸；

获取所述掩膜版的所述缺陷检测图片之后，包括：

当所述缺陷检测图片中具有尺寸大于预设值的所述缺陷颗粒时，确定所述掩膜版需要清洁。

7.根据权利要求1所述的掩膜版清洁方法，其特征在于，所述图形区包括透光区与遮光区，

所述当所述图形区具有所述缺陷颗粒时，确定所述掩膜版需要清洁，包括：

当所述图形区具有轮廓与所述透光区具有交叠的缺陷颗粒时，确定所述掩膜版需要清洁。

8.根据权利要求1所述的掩膜版清洁方法，其特征在于，所述掩膜版包括基板、掩膜图形和保护膜，所述掩膜图形位于所述基板和所述保护膜之间，所述缺陷颗粒包括基板缺陷和保护膜缺陷，所述当所述图形区具有所述缺陷颗粒时，确定所述掩膜版需要清洁，包括：

当所述图形区具有所述基板缺陷，确定所述基板需要清洗；

当所述图形区具有所述保护膜缺陷，确定所述保护膜需要更换。

9.一种掩膜版清洁装置，其特征在于，所述装置包括：

获取模块，用于获取掩膜版的具有相同分辨率的缺陷检测图片和掩膜数据图片，所述缺陷检测图片具有缺陷颗粒，所述掩膜数据图片具有图形区与非图形区；

叠图模块，用于将所述缺陷检测图片和所述掩膜数据图片进行叠图；

确定模块，用于当所述图形区具有所述缺陷颗粒时，确定所述掩膜版需要清洁；

所述获取模块还用于获取所述掩膜版的缺陷检测图片、获取所述掩膜版的掩膜数据图片，以及调节所述缺陷检测图片和所述掩膜数据图片的像素尺寸以使所述缺陷检测图片和所述掩膜数据图片具有相同的像素尺寸；

所述获取模块还用于统一所述缺陷检测图片与所述掩膜数据图片的坐标系，所述获取模块用于获取所述缺陷检测图片中的目标图形的第一坐标、获取所述掩膜数据图片中的目标图形的第二坐标以及基于所述第一坐标与所述第二坐标，使得所述缺陷检测图片和所述掩膜数据图片处于同一坐标系中。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至8中任一项所述的方法的步骤。