JP2002072455A - レチクルの修正方法 - Google Patents
レチクルの修正方法Info
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
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- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31777—Lithography by projection
- H01J2237/31791—Scattering mask
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターン断面の垂直性を確保できるように黒
欠陥を修正することができるレチクルの修正方法を提供
すること。 【解決手段】 レチクルパターン検査装置でパターン検
査を行う。レチクル検査装置では、レチクルパターンを
何らかの手段で座標データとして置き換え、その座標デ
ータとＣＡＤ座標データとの差分処理よりパターン欠陥
を抽出する。レチクルをパターン欠的修正装置内に搬送
し、レチクル上の黒欠陥のみを抽出し、例えば、レチク
ルパターン検査時に得た欠陥座標データと欠陥装置内の
座標とを相対させて、加工サイズを定義する。黒欠陥部
に隣接するＣＡＤ上のパターンエッジに沿ってＦＩＢ誘
導成膜物を成膜する。成膜厚さは、エッジだれが生じる
深さと同等以上であることが好ましい。黒欠陥修正加工
を行う。
欠陥を修正することができるレチクルの修正方法を提供
すること。 【解決手段】 レチクルパターン検査装置でパターン検
査を行う。レチクル検査装置では、レチクルパターンを
何らかの手段で座標データとして置き換え、その座標デ
ータとＣＡＤ座標データとの差分処理よりパターン欠陥
を抽出する。レチクルをパターン欠的修正装置内に搬送
し、レチクル上の黒欠陥のみを抽出し、例えば、レチク
ルパターン検査時に得た欠陥座標データと欠陥装置内の
座標とを相対させて、加工サイズを定義する。黒欠陥部
に隣接するＣＡＤ上のパターンエッジに沿ってＦＩＢ誘
導成膜物を成膜する。成膜厚さは、エッジだれが生じる
深さと同等以上であることが好ましい。黒欠陥修正加工
を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線縮小投影に
よるリソグラフィーに用いられるレチクルの修正方法に
関する。
よるリソグラフィーに用いられるレチクルの修正方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子の製造プ
ロセスにおいて、半導体基板上に微細な回路パターンを
形成するリソグラフイー工程がある。半導体素子の性能
は、その素子の中にどれだけ多くの回路を設けたかでほ
ぼ決まり、それは基板上に形成する回路のパターンサイ
ズに大きく左右される。
ロセスにおいて、半導体基板上に微細な回路パターンを
形成するリソグラフイー工程がある。半導体素子の性能
は、その素子の中にどれだけ多くの回路を設けたかでほ
ぼ決まり、それは基板上に形成する回路のパターンサイ
ズに大きく左右される。
【０００３】近年の半導体集積回路製造技術の発展には
目覚ましいものがあり、半導体素子の微細化、高集積化
の傾向も著しい。半導体基板上に集積回路パターンを形
成する方法としては、これまで紫外光を用いたフォトリ
ソグラフイー法が一般的である。
目覚ましいものがあり、半導体素子の微細化、高集積化
の傾向も著しい。半導体基板上に集積回路パターンを形
成する方法としては、これまで紫外光を用いたフォトリ
ソグラフイー法が一般的である。
【０００４】しかしながら、回路パターンのより一層の
微細化が進むにてれて、光の解像限界が懸念され始め、
電子線やイオンビームなどの荷電ビームやＸ線を用いた
より高解像なリソグラフィー技術が検討されている。
微細化が進むにてれて、光の解像限界が懸念され始め、
電子線やイオンビームなどの荷電ビームやＸ線を用いた
より高解像なリソグラフィー技術が検討されている。
【０００５】特に、線幅０．１μｍルール以降の微細パ
ターン形成技術の開発が活発化している。その中で、メ
モリ量産対応も可能なスループットを有するＥＢ（電子
ビーム）縮小投影露光法が注目されている。いわゆる、
ＰＲＥＶＡＩＬあるいはＳＣＡＬＰＥＬと呼ばれる技術
であり、最近、線幅０．１μｍルール以下のデバイス作
製に対応する量産対応機（ＥＢステッパー）の製品化が
なされている。
ターン形成技術の開発が活発化している。その中で、メ
モリ量産対応も可能なスループットを有するＥＢ（電子
ビーム）縮小投影露光法が注目されている。いわゆる、
ＰＲＥＶＡＩＬあるいはＳＣＡＬＰＥＬと呼ばれる技術
であり、最近、線幅０．１μｍルール以下のデバイス作
製に対応する量産対応機（ＥＢステッパー）の製品化が
なされている。
【０００６】これらのＥＢ露光技術は、従来の可変整形
などのような単純な基本図形アパーチャを持ち、それら
のパターンの重ね合わせで所望のパターンを形成してい
く、いわゆる直描技術の延長とは異なり、光ステッパー
と同様に、所望のパターンの拡大パターンをそのまま縮
小投影露光するところに大きな特緻がある。このため、
転写方法を採用することにより、量産性（スループッ
ト）を格段に向上させることができる。
などのような単純な基本図形アパーチャを持ち、それら
のパターンの重ね合わせで所望のパターンを形成してい
く、いわゆる直描技術の延長とは異なり、光ステッパー
と同様に、所望のパターンの拡大パターンをそのまま縮
小投影露光するところに大きな特緻がある。このため、
転写方法を採用することにより、量産性（スループッ
ト）を格段に向上させることができる。
【０００７】ＥＢステッパーあるいはＰＲＥＶＡＩＬで
主に使われるレチクルは、いわゆる散乱ステンシル型レ
チクルである。散乱ステンシル型レチクルとは、電子散
乱体となるメンブレンとそのメンブレンの保持構造とで
基本構造を構成しており、パターン転写部は開口となっ
ている。すなわち、電子線を透過させたい部分は開口と
し、透過させない部分はメンブレン材料でもある電子散
乱体で構成して電子を散乱させる。ちなみに、電子散乱
体にて散乱された電子は、散乱制限アパーチャにてカッ
トされ、ウエハ面上に届く電子は開口を透過した電子の
みということになる。
主に使われるレチクルは、いわゆる散乱ステンシル型レ
チクルである。散乱ステンシル型レチクルとは、電子散
乱体となるメンブレンとそのメンブレンの保持構造とで
基本構造を構成しており、パターン転写部は開口となっ
ている。すなわち、電子線を透過させたい部分は開口と
し、透過させない部分はメンブレン材料でもある電子散
乱体で構成して電子を散乱させる。ちなみに、電子散乱
体にて散乱された電子は、散乱制限アパーチャにてカッ
トされ、ウエハ面上に届く電子は開口を透過した電子の
みということになる。
【０００８】このステンシル型レチクルを作製する時に
は、必ずパターン欠陥が生じてしまう。すなわち、必要
な電子線散乱体パターンに欠けがある欠陥（白欠陥）
や、不必要な電子線散乱体が残ってしまう欠陥（黒欠
陥）が生じる。一般的に、白欠陥は、メンブレンヘのパ
ターン転写の際のレジストパターン描画時のエラーに起
因することが多いと推定されており、レジストエッチン
グマスクが欠けた部分がそのまま白欠陥となってしま
う。
は、必ずパターン欠陥が生じてしまう。すなわち、必要
な電子線散乱体パターンに欠けがある欠陥（白欠陥）
や、不必要な電子線散乱体が残ってしまう欠陥（黒欠
陥）が生じる。一般的に、白欠陥は、メンブレンヘのパ
ターン転写の際のレジストパターン描画時のエラーに起
因することが多いと推定されており、レジストエッチン
グマスクが欠けた部分がそのまま白欠陥となってしま
う。
【０００９】一方、黒欠陥は、レジストパターニング後
にゴミなどが付着して、不必要な部分に電子線散乱体が
残ってしまう時に発生する。すなわち、レジストパター
ンの抜け部分上にゴミなどが付着してエッチングマスク
になってしまったときあるいはレジスト描画時のエラー
発生時に生じる。
にゴミなどが付着して、不必要な部分に電子線散乱体が
残ってしまう時に発生する。すなわち、レジストパター
ンの抜け部分上にゴミなどが付着してエッチングマスク
になってしまったときあるいはレジスト描画時のエラー
発生時に生じる。
【００１０】これらのパターン欠陥については、まずパ
ターン検査する装置と、この欠陥部分を修正加工する装
置とが必要になる。パターン欠陥の修正方法にはいくつ
かの提案があるが、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用い
た加工が最有力である。例えば、黒欠陥の修正であれ
ば、数ｎｍφに絞り込んだＧａ−ＦＩＢにてエッチング
加工する方法が望ましい。このとき、再付着防止または
加工性向上を目的としてエンハンストガスを、適時導入
しながらＧａ−ＦＩＢによりエッチングすることが望ま
しいとされている。また、白欠陥の修正は、材料ガスを
白欠陥部位近傍に適当量送り込みながら、やはりＧａ−
ＦＩＢを照射して、ＦＩＢ誘導成膜で行うのが良いとさ
れている。
ターン検査する装置と、この欠陥部分を修正加工する装
置とが必要になる。パターン欠陥の修正方法にはいくつ
かの提案があるが、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用い
た加工が最有力である。例えば、黒欠陥の修正であれ
ば、数ｎｍφに絞り込んだＧａ−ＦＩＢにてエッチング
加工する方法が望ましい。このとき、再付着防止または
加工性向上を目的としてエンハンストガスを、適時導入
しながらＧａ−ＦＩＢによりエッチングすることが望ま
しいとされている。また、白欠陥の修正は、材料ガスを
白欠陥部位近傍に適当量送り込みながら、やはりＧａ−
ＦＩＢを照射して、ＦＩＢ誘導成膜で行うのが良いとさ
れている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レチク
ルパターンの断面は、できる限り垂直に加工されていな
ければならず、その側壁傾斜角は９０°±０．５°以内
と規定されている。黒欠陥を修正のためにＦＩＢでエッ
チング加工すると、加工部のパターンエッジも若干エッ
チングされてしまい、上記規格を満足することができな
い。
ルパターンの断面は、できる限り垂直に加工されていな
ければならず、その側壁傾斜角は９０°±０．５°以内
と規定されている。黒欠陥を修正のためにＦＩＢでエッ
チング加工すると、加工部のパターンエッジも若干エッ
チングされてしまい、上記規格を満足することができな
い。
【００１２】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、パターン断面の垂直性を確保できるように黒欠陥
を修正することができるレチクルの修正方法を提供する
ことを目的とする。
あり、パターン断面の垂直性を確保できるように黒欠陥
を修正することができるレチクルの修正方法を提供する
ことを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、電子線散乱体
のみから構成されたパターン転写部と、前記電子線散乱
体の保持構造とを有し、電子線縮小投影露光時に用いる
レチクルに発生した欠陥を修正する方法であって、黒欠
陥の位置を検出する工程と、前記黒欠陥の位置近傍に選
択的に成膜物を形成する工程と、前記成膜物をマスクと
して前記黒欠陥を修正する工程と、を具備することを特
徴とするレチクルの修正方法を提供する。
のみから構成されたパターン転写部と、前記電子線散乱
体の保持構造とを有し、電子線縮小投影露光時に用いる
レチクルに発生した欠陥を修正する方法であって、黒欠
陥の位置を検出する工程と、前記黒欠陥の位置近傍に選
択的に成膜物を形成する工程と、前記成膜物をマスクと
して前記黒欠陥を修正する工程と、を具備することを特
徴とするレチクルの修正方法を提供する。
【００１４】この方法によれば、パターン断面の垂直性
を確保できるように黒欠陥を修正することができ、従来
より高精度でしかも安定して黒欠陥修正加工を行うこと
が可能となる。
を確保できるように黒欠陥を修正することができ、従来
より高精度でしかも安定して黒欠陥修正加工を行うこと
が可能となる。
【００１５】本発明の方法においては、前記成膜物は、
電子吸収量が比較的少ない物質で構成されることが好ま
しい。この方法によれば、欠陥修正後のレチクルに高加
速電子線を照射しても、電子が吸収されず、発熱をも防
止することができる。また、エッチング耐性が高いこと
が当然必要とされる。特に、成膜物は、炭素及び珪素か
らなる群より選ばれた少なくとも一つを主成分とする材
料で構成されていることが好ましい。
電子吸収量が比較的少ない物質で構成されることが好ま
しい。この方法によれば、欠陥修正後のレチクルに高加
速電子線を照射しても、電子が吸収されず、発熱をも防
止することができる。また、エッチング耐性が高いこと
が当然必要とされる。特に、成膜物は、炭素及び珪素か
らなる群より選ばれた少なくとも一つを主成分とする材
料で構成されていることが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発
明の一実施の形態に係るレチクルの修正方法を説明する
ための図である。本発明の方法では、電子散乱体である
シリコンメンブレン１１に黒欠陥部１２が形成された場
合、その黒欠陥部近傍のシリコンメンブレン１１のエッ
ジ部におけるＦＩＢ照射をマスクするように、成膜物１
３を形成する。これにより、黒欠陥修正の際のＦＩＢに
よるシリコンメンブレン１１の損傷を防止することがで
き、パターン断面の垂直性を確保することが可能とな
る。なお、このシリコンメンブレンは、厚さ０．５〜３
μｍ前後で構成している。
て、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発
明の一実施の形態に係るレチクルの修正方法を説明する
ための図である。本発明の方法では、電子散乱体である
シリコンメンブレン１１に黒欠陥部１２が形成された場
合、その黒欠陥部近傍のシリコンメンブレン１１のエッ
ジ部におけるＦＩＢ照射をマスクするように、成膜物１
３を形成する。これにより、黒欠陥修正の際のＦＩＢに
よるシリコンメンブレン１１の損傷を防止することがで
き、パターン断面の垂直性を確保することが可能とな
る。なお、このシリコンメンブレンは、厚さ０．５〜３
μｍ前後で構成している。
【００１７】次に、本発明の修正方法の詳細について説
明する。図２（ａ）は、シリコンメンブレン１１をＦＩ
Ｂミリング法でエッチングした際の断面ＳＩＭ像を示す
図であり、図２（ｂ）は、シリコンメンブレン１１をＦ
ＩＢガスアシストエッチング法で加工した際の断面ＳＩ
Ｍ像を示す図である。加示サイズは、ともに約０．３μ
ｍである。図２から分かるように、集束イオンビームを
図１における上方より入射させたときに、ビーム入射側
でパターンエッジのだれが大きい。
明する。図２（ａ）は、シリコンメンブレン１１をＦＩ
Ｂミリング法でエッチングした際の断面ＳＩＭ像を示す
図であり、図２（ｂ）は、シリコンメンブレン１１をＦ
ＩＢガスアシストエッチング法で加工した際の断面ＳＩ
Ｍ像を示す図である。加示サイズは、ともに約０．３μ
ｍである。図２から分かるように、集束イオンビームを
図１における上方より入射させたときに、ビーム入射側
でパターンエッジのだれが大きい。
【００１８】このパターンエッジだれについては、いく
つかの対処案がある。例えば、本発明者は、パターンエ
ッジ部のみに対して、パターンエッジだれを解消させら
れる分だけチルトさせてＦＩＢを補正しながら加工する
方法を提案している（特願平１０−２８０４９６号）。
この内容はすべてここに含めておく。
つかの対処案がある。例えば、本発明者は、パターンエ
ッジ部のみに対して、パターンエッジだれを解消させら
れる分だけチルトさせてＦＩＢを補正しながら加工する
方法を提案している（特願平１０−２８０４９６号）。
この内容はすべてここに含めておく。
【００１９】しかしながら、この方法では、パターンサ
イズが非常に細かい部分、特にコンタクトホールパター
ンなどでビーム入射方向をチルトさせると、目的補正加
工部の反対側のパターンエッジ部にＦＩＢがかかってし
まい、反対側のパターンエッジが増大することになる。
イズが非常に細かい部分、特にコンタクトホールパター
ンなどでビーム入射方向をチルトさせると、目的補正加
工部の反対側のパターンエッジ部にＦＩＢがかかってし
まい、反対側のパターンエッジが増大することになる。
【００２０】本発明の修正方法では、いかなるパターン
形状であっても、ＦＩＢエッチング部のパターン断面が
規格を満たすことができる。ＦＩＢエッチング時のパタ
ーンエッジだれは、ＦＩＢのビーム形状を反映して発現
する。本発明者は鋭意研究の結果、電子散乱体からなる
パターンエッジ部にエッチングマスクを配置することに
より、いかなるパターン形状であっても、ＦＩＢエッチ
ング部のパターン断面が規格を満たすことができること
を見出した。このエッチングマスクの形成は、ＦＩＢ誘
導成膜法やＥＢ誘導成膜法などの選択的成膜法により行
うことが好ましい。
形状であっても、ＦＩＢエッチング部のパターン断面が
規格を満たすことができる。ＦＩＢエッチング時のパタ
ーンエッジだれは、ＦＩＢのビーム形状を反映して発現
する。本発明者は鋭意研究の結果、電子散乱体からなる
パターンエッジ部にエッチングマスクを配置することに
より、いかなるパターン形状であっても、ＦＩＢエッチ
ング部のパターン断面が規格を満たすことができること
を見出した。このエッチングマスクの形成は、ＦＩＢ誘
導成膜法やＥＢ誘導成膜法などの選択的成膜法により行
うことが好ましい。
【００２１】しかしながら、エッチングマスクとなる選
択的成膜物が重金属を多く含む場合、パターン欠陥修正
加工後には必ず重金属を多く含有する物質が電子散乱体
表面に残ってしまう。残っている厚さにも依存するが、
重金属を含有する膜は高加速電子線に照射されると、電
子を吸収してしまい、結果として多くの発熱をもたらす
ことになる。
択的成膜物が重金属を多く含む場合、パターン欠陥修正
加工後には必ず重金属を多く含有する物質が電子散乱体
表面に残ってしまう。残っている厚さにも依存するが、
重金属を含有する膜は高加速電子線に照射されると、電
子を吸収してしまい、結果として多くの発熱をもたらす
ことになる。
【００２２】熱的抵抗体となるシリコンメンブレンは、
大容量の熱エネルギーは伝達できず、重金属含有物を中
心に位置歪を発生してしまう可能性が大きいため、回避
しなければならない。選択的成膜物用の好ましい材料と
しては、比較的軽元素で電子線を吸収し難い物質であ
り、例えば、珪素、炭素などが好ましい。これにより、
欠陥修正後のレチクルに高加速電子線を照射しても、電
子が吸収されず、発熱をも防止することができる。ま
た、金属は若干量であれば含有しても良い。ただし、選
択的成膜物中に適度に分散していることが必要である。
もし、分散度が足りず、金属原子が固まっていると、そ
の部分は電子をよく吸収し、発熱による歪が発生するこ
とになる。
大容量の熱エネルギーは伝達できず、重金属含有物を中
心に位置歪を発生してしまう可能性が大きいため、回避
しなければならない。選択的成膜物用の好ましい材料と
しては、比較的軽元素で電子線を吸収し難い物質であ
り、例えば、珪素、炭素などが好ましい。これにより、
欠陥修正後のレチクルに高加速電子線を照射しても、電
子が吸収されず、発熱をも防止することができる。ま
た、金属は若干量であれば含有しても良い。ただし、選
択的成膜物中に適度に分散していることが必要である。
もし、分散度が足りず、金属原子が固まっていると、そ
の部分は電子をよく吸収し、発熱による歪が発生するこ
とになる。
【００２３】上記のような理由から、エッチングマスク
を目的とした選択的成膜物には、炭素あるいは珪素を主
成分とする材料を用いることが好ましい。これらの選択
的成膜物を得ることができる材料ガスとしては、オルガ
ノシラン化合物を用いることができる。具体的には、テ
トラメチルシラン、トリメチルエチルシラン、８メチル
８エチルシランなどを挙げることがでさる。さらに、加
水分解材がハロゲン原子であるハロシラン化合物類、加
水分解材がカルボキシ材であるカルボキシシラン化合物
類、加水分解材がケトオキシム材であるケトオキシムシ
ラン化合物類、もしくは加水分解材がアルコキシ材であ
るアルコキシシラン化合物類などを用いることができ
る。この中で特に好ましくはアルコキシシラン化合物類
である。
を目的とした選択的成膜物には、炭素あるいは珪素を主
成分とする材料を用いることが好ましい。これらの選択
的成膜物を得ることができる材料ガスとしては、オルガ
ノシラン化合物を用いることができる。具体的には、テ
トラメチルシラン、トリメチルエチルシラン、８メチル
８エチルシランなどを挙げることがでさる。さらに、加
水分解材がハロゲン原子であるハロシラン化合物類、加
水分解材がカルボキシ材であるカルボキシシラン化合物
類、加水分解材がケトオキシム材であるケトオキシムシ
ラン化合物類、もしくは加水分解材がアルコキシ材であ
るアルコキシシラン化合物類などを用いることができ
る。この中で特に好ましくはアルコキシシラン化合物類
である。
【００２４】具体的な化合物としては、８メチル８メト
キシシラン、８メチル８エトキシシラン、８エチル８メ
トキシシラン、８エチル８エトキシシラン、フェニルメ
チル８メトキシシラン、フェニルメチル８エトキシシラ
ン、γ−クロロプロピルメチル８メトキシシラン、γ−
クロロプロピルメチル８エトキシシラン、γ−メタクリ
ロキシプロピルメチル８メトキシシラン、γ−メタクリ
ロキシプロピルメチル８エトキシシラン、γ−メルカプ
トプロピルメチル８メトキシシラン、γ−メルカブトプ
ロピルメチル８エトキシシラン、γ−アミノプロピルメ
チル８メトキシシラン、γ−アミノプロピルメチル８エ
トキシシラン、メチルビニル８メトキシシラン、メチル
ビニル８エトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメ
チル８メトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチ
ル８エトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチ
ルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、
メチルトリブトキシシラン、メチルトリス（２−メトキ
シエトキシ）シラン、エチルトリメトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、
エチルトリブトキシシラン、エチルトリス（２−メトキ
シエトキシ）シラン、プロピルトリメトキシシラン、プ
ロピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラ
ン、ブチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシ
シラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ビニルトリメト
キシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス
（２−メトキシエトキシ）シラン、フェニルトリメトキ
シシラン、フェニルトリエトキシシラン、γ−クロロプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリエ
トキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリ
メトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルト
リエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキ
シシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピル
トリエトキシシラン、クロロメチルトリメトキシシラ
ン、クロロメチルトリエトキシシラン、Ｎ−β−アミノ
エチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−
β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、
γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、（３，
４−エポキシシクロへキシルメチル）トリメトキシシラ
ン、（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）トリエ
トキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル
エチル）トリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシ
シクロヘキシルエチル）トリエトキシシラン、テトラメ
トキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキ
シシラン、テトラブトキシシラン、１，１−ビス（トリ
メトキシシリル）エタン、１，１−ビス（トリエトキシ
シリル）エタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）
エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エタン、
１，３−ビス（トリメトキシシリル）プロパン、１，３
−ビス（トリエトキシシリル）プロパン、２，２−ビス
（トリメトキシシリル）プロパン、２，２−ビス（トリ
エトキシシリル）プロパンなどが挙げられる。
キシシラン、８メチル８エトキシシラン、８エチル８メ
トキシシラン、８エチル８エトキシシラン、フェニルメ
チル８メトキシシラン、フェニルメチル８エトキシシラ
ン、γ−クロロプロピルメチル８メトキシシラン、γ−
クロロプロピルメチル８エトキシシラン、γ−メタクリ
ロキシプロピルメチル８メトキシシラン、γ−メタクリ
ロキシプロピルメチル８エトキシシラン、γ−メルカプ
トプロピルメチル８メトキシシラン、γ−メルカブトプ
ロピルメチル８エトキシシラン、γ−アミノプロピルメ
チル８メトキシシラン、γ−アミノプロピルメチル８エ
トキシシラン、メチルビニル８メトキシシラン、メチル
ビニル８エトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメ
チル８メトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチ
ル８エトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチ
ルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、
メチルトリブトキシシラン、メチルトリス（２−メトキ
シエトキシ）シラン、エチルトリメトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、
エチルトリブトキシシラン、エチルトリス（２−メトキ
シエトキシ）シラン、プロピルトリメトキシシラン、プ
ロピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラ
ン、ブチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシ
シラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ビニルトリメト
キシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス
（２−メトキシエトキシ）シラン、フェニルトリメトキ
シシラン、フェニルトリエトキシシラン、γ−クロロプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリエ
トキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリ
メトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルト
リエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキ
シシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピル
トリエトキシシラン、クロロメチルトリメトキシシラ
ン、クロロメチルトリエトキシシラン、Ｎ−β−アミノ
エチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−
β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、
γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、（３，
４−エポキシシクロへキシルメチル）トリメトキシシラ
ン、（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）トリエ
トキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル
エチル）トリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシ
シクロヘキシルエチル）トリエトキシシラン、テトラメ
トキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキ
シシラン、テトラブトキシシラン、１，１−ビス（トリ
メトキシシリル）エタン、１，１−ビス（トリエトキシ
シリル）エタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）
エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エタン、
１，３−ビス（トリメトキシシリル）プロパン、１，３
−ビス（トリエトキシシリル）プロパン、２，２−ビス
（トリメトキシシリル）プロパン、２，２−ビス（トリ
エトキシシリル）プロパンなどが挙げられる。
【００２５】また、炭素化合物を選択的に成膜する場合
には、ベンゼン環を主格子としたナフタレン、ビフェニ
レン、アセナフチレン、フルオレン、フェナレン、フェ
ナントレン、アントラセン、フルオランテン、アセフェ
ナントリレン、アセアントリレン、トリフェニレン、ピ
レン、クリセン、ナフタセン、プレイアデン、ピセン、
ペリレン、ペンタフェン、ペンタセンなどの縮合多環炭
化水素類やオルト縮合およびペリ縮合した多環炭化水素
類などが材料ガスとして有効である。また、これらのガ
スと別配管で有機金属ガスを供給して上記シリコン類成
膜物あるいはカーボン成膜物中に適度な量の金属原子を
混合させても良い。
には、ベンゼン環を主格子としたナフタレン、ビフェニ
レン、アセナフチレン、フルオレン、フェナレン、フェ
ナントレン、アントラセン、フルオランテン、アセフェ
ナントリレン、アセアントリレン、トリフェニレン、ピ
レン、クリセン、ナフタセン、プレイアデン、ピセン、
ペリレン、ペンタフェン、ペンタセンなどの縮合多環炭
化水素類やオルト縮合およびペリ縮合した多環炭化水素
類などが材料ガスとして有効である。また、これらのガ
スと別配管で有機金属ガスを供給して上記シリコン類成
膜物あるいはカーボン成膜物中に適度な量の金属原子を
混合させても良い。
【００２６】また、選択的成膜物は、その組成によって
ＦＩＢエッチング終了後の処理が異なる。例えば、選択
的成膜物のほとんどが珪素あるいは炭素などの軽元素か
ら構成されている場合、隣接部のＦＩＢエッチング終了
後に、その選択的成膜物が残留したとしても、必ずしも
剥離する必要はない。これは、下地である電子散乱体の
電子散乱能を低下させることはなく、また電子吸収によ
る発熱も下地と同程度であり、問題ないからである。
ＦＩＢエッチング終了後の処理が異なる。例えば、選択
的成膜物のほとんどが珪素あるいは炭素などの軽元素か
ら構成されている場合、隣接部のＦＩＢエッチング終了
後に、その選択的成膜物が残留したとしても、必ずしも
剥離する必要はない。これは、下地である電子散乱体の
電子散乱能を低下させることはなく、また電子吸収によ
る発熱も下地と同程度であり、問題ないからである。
【００２７】一方、選択的成膜物の多くが金属原子であ
った場合、隣接部のＦＩＢエッチング終了後に該金属含
有膜を剥離するか、あるいは金属原子の除去をしなけれ
ばならない。金属含有膜はフッ素系、塩素系、臭素系な
どの腐食性ガス下でなければ除去は難しい。しかしなが
ら、これらの腐食性ガスは、シリコンメンブレン自身を
も腐食し易いため、選択的エッチングを施す必要があ
る。この処理は、工数がかかるため、量産時には適さな
い。
った場合、隣接部のＦＩＢエッチング終了後に該金属含
有膜を剥離するか、あるいは金属原子の除去をしなけれ
ばならない。金属含有膜はフッ素系、塩素系、臭素系な
どの腐食性ガス下でなければ除去は難しい。しかしなが
ら、これらの腐食性ガスは、シリコンメンブレン自身を
も腐食し易いため、選択的エッチングを施す必要があ
る。この処理は、工数がかかるため、量産時には適さな
い。
【００２８】上述した本発明に係るレチクルの修正方法
のプロセスを説明する。第１ステップとして、レチクル
パターン検査装置でパターン検査を行う。レチクル検査
装置では、レチクルパターンを何らかの手段で座標デー
タとして置き換え、その座標データとＣＡＤ座標データ
との差分処理よりパターン欠陥を抽出する。
のプロセスを説明する。第１ステップとして、レチクル
パターン検査装置でパターン検査を行う。レチクル検査
装置では、レチクルパターンを何らかの手段で座標デー
タとして置き換え、その座標データとＣＡＤ座標データ
との差分処理よりパターン欠陥を抽出する。
【００２９】第２ステップとして、レチクルをパターン
欠的修正装置内に搬送し、レチクル上の黒欠陥のみを抽
出し、例えば、レチクルパターン検査時に得た欠陥座標
データと欠陥装置内の座標とを相対させて、加工サイズ
を定義する。
欠的修正装置内に搬送し、レチクル上の黒欠陥のみを抽
出し、例えば、レチクルパターン検査時に得た欠陥座標
データと欠陥装置内の座標とを相対させて、加工サイズ
を定義する。
【００３０】第３ステップとして、黒欠陥部に隣接する
ＣＡＤ上のパターンエッジに沿ってＦＩＢ誘導成膜物を
成膜する。成膜範囲は、パターンエッジ面では欠陥部長
さの１．５倍以上、奥行きは０．１μｍ以上とするのが
好ましい。成膜厚さは、エッジだれが生じる深さと同等
以上であることが好ましい。
ＣＡＤ上のパターンエッジに沿ってＦＩＢ誘導成膜物を
成膜する。成膜範囲は、パターンエッジ面では欠陥部長
さの１．５倍以上、奥行きは０．１μｍ以上とするのが
好ましい。成膜厚さは、エッジだれが生じる深さと同等
以上であることが好ましい。
【００３１】第４ステップとして、黒欠陥修正加工を行
う。第５ステップとして、必要に応じて、黒欠陥修正加
工部のサイズ、形状などを評価、検証する。第６ステッ
プとして、必要に応じて、適当なレチクル洗浄を行った
後、ＥＢステッパー内のレチクルカセットにセットす
る。
う。第５ステップとして、必要に応じて、黒欠陥修正加
工部のサイズ、形状などを評価、検証する。第６ステッ
プとして、必要に応じて、適当なレチクル洗浄を行った
後、ＥＢステッパー内のレチクルカセットにセットす
る。
【００３２】次に、本発明の効果を明確にするための実
施例について説明する。４インチのシリコンウエハから
なるレチクル基板上に、１．１３×１．１３ｍｍ角を一
つの露光エリアとして、１００×４２×２ヶ所の露光フ
ィールドを有するレチクルブランクスを作製した。その
ブランクス上に電子線直描にてエッチングマスクとなる
レジストパターンを形成した後、ＩＣＰ−ＲＩＥ法で２
μｍ厚のシリコンメンブレンにパターン転写をして、レ
チクルパターンを完成した。
施例について説明する。４インチのシリコンウエハから
なるレチクル基板上に、１．１３×１．１３ｍｍ角を一
つの露光エリアとして、１００×４２×２ヶ所の露光フ
ィールドを有するレチクルブランクスを作製した。その
ブランクス上に電子線直描にてエッチングマスクとなる
レジストパターンを形成した後、ＩＣＰ−ＲＩＥ法で２
μｍ厚のシリコンメンブレンにパターン転写をして、レ
チクルパターンを完成した。
【００３３】その後、レチクルパターン検査装置で加工
後のレチクルパターンの透過ＳＥＭ像を得て、このＳＥ
Ｍ像から得られた座標データとＣＡＤ座標データとの差
分処理を行い、パターン欠陥を検出した。また、パター
ン検査装置では、透過ＳＥＭ像とともに反射ＳＥＭ像も
得て、それらを光学的に重ね合わせ処理をすることによ
り、加工パターンの側壁傾斜角が８９〜９１°からずれ
ている部分も検出した。この検査の結果、ある一つの露
光エリアについて見ると、パターン側壁傾斜角について
の欠陥は検出されなかったが、パターン欠陥検査では黒
欠陥が検出された。
後のレチクルパターンの透過ＳＥＭ像を得て、このＳＥ
Ｍ像から得られた座標データとＣＡＤ座標データとの差
分処理を行い、パターン欠陥を検出した。また、パター
ン検査装置では、透過ＳＥＭ像とともに反射ＳＥＭ像も
得て、それらを光学的に重ね合わせ処理をすることによ
り、加工パターンの側壁傾斜角が８９〜９１°からずれ
ている部分も検出した。この検査の結果、ある一つの露
光エリアについて見ると、パターン側壁傾斜角について
の欠陥は検出されなかったが、パターン欠陥検査では黒
欠陥が検出された。
【００３４】上記レチクルをレチクルパターン欠陥検査
装置内に搬送し、黒欠陥部を直上ＳＩＭ像で確認した。
レチクル検査装置で得た黒欠陥部の座標データは、この
欠陥修正装置に転送されており、この座標データによ
り、黒欠陥修正加工部を指定することができる。
装置内に搬送し、黒欠陥部を直上ＳＩＭ像で確認した。
レチクル検査装置で得た黒欠陥部の座標データは、この
欠陥修正装置に転送されており、この座標データによ
り、黒欠陥修正加工部を指定することができる。
【００３５】座標データで指定された黒欠陥部サイズ
は、０．１５μｍ×０．１５μｍであり、その黒欠陥部
に接する電子散乱体部に、長さ０．２４μｍ×奥行き
０．１５μｍの範囲でＦＩＢ誘導成膜を行った。このと
き、材料ガスはテトラメチルシランとし、温度調節機能
つきマスフローコントローラで流量０．１ｓｃｃｍ一定
となるように流量制御した。
は、０．１５μｍ×０．１５μｍであり、その黒欠陥部
に接する電子散乱体部に、長さ０．２４μｍ×奥行き
０．１５μｍの範囲でＦＩＢ誘導成膜を行った。このと
き、材料ガスはテトラメチルシランとし、温度調節機能
つきマスフローコントローラで流量０．１ｓｃｃｍ一定
となるように流量制御した。
【００３６】ＦＩＢビームの電流量は、下地のシリコン
メンブレン部へのＧａイオン打ち込みを低減させるため
１０ｐＡとした。このような低電流ビームでスキャンさ
せた誘導膜は、６０％がシリコン、２０％が炭素、２０
％弱が水素で構成されており、成膜厚は約０．２μｍと
した。
メンブレン部へのＧａイオン打ち込みを低減させるため
１０ｐＡとした。このような低電流ビームでスキャンさ
せた誘導膜は、６０％がシリコン、２０％が炭素、２０
％弱が水素で構成されており、成膜厚は約０．２μｍと
した。
【００３７】その後、黒欠陥部分をＦＩＢミリング法で
エッチングした。このとき、ＦＩＢビーム電流量は、１
０ｐＡと低電流にして、ビーム形状をできるだけシャー
プにするようにした。黒欠陥部のエッチングは約１分２
０秒ほどで完了した。
エッチングした。このとき、ＦＩＢビーム電流量は、１
０ｐＡと低電流にして、ビーム形状をできるだけシャー
プにするようにした。黒欠陥部のエッチングは約１分２
０秒ほどで完了した。
【００３８】パターン欠陥修正を終了したレチクルは、
再度レチクルパターン検査装置で欠陥検査し、ＥＢステ
ッパーに搭載した後に露光評価を行った。このとき使用
したレジストは、化学増幅ネガ型レジストのＮＥＢ−２
２（住友化学製、商品名）を厚さ０．３５μｍで用い
た。そして、このレジストを用いてゲートレイヤをウエ
ハ上に転写露光した。露光パターンについては、現像処
理後に測長ＳＥＭでパターン検査を行った。その結果、
特に白欠陥修正加工部分も目標精度内のパターンＣＤ値
で露光されていることが確認された。
再度レチクルパターン検査装置で欠陥検査し、ＥＢステ
ッパーに搭載した後に露光評価を行った。このとき使用
したレジストは、化学増幅ネガ型レジストのＮＥＢ−２
２（住友化学製、商品名）を厚さ０．３５μｍで用い
た。そして、このレジストを用いてゲートレイヤをウエ
ハ上に転写露光した。露光パターンについては、現像処
理後に測長ＳＥＭでパターン検査を行った。その結果、
特に白欠陥修正加工部分も目標精度内のパターンＣＤ値
で露光されていることが確認された。
【００３９】本発明は上記実施の形態に限定されず、種
々変更して実施することが可能である。例えば、上記実
施の形態において記載した寸法や材質などには限定され
ず、本発明を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施する
ことが可能である。
々変更して実施することが可能である。例えば、上記実
施の形態において記載した寸法や材質などには限定され
ず、本発明を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施する
ことが可能である。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
子線散乱体に発生した黒欠陥の位置を検出し、黒欠陥の
位置近傍に選択的に成膜物を形成し、成膜物をマスクと
して黒欠陥を修正するので、パターン断面の垂直性を確
保できるように黒欠陥を修正することができ、従来より
高精度でしかも安定して黒欠陥修正加工を行うことが可
能となる。
子線散乱体に発生した黒欠陥の位置を検出し、黒欠陥の
位置近傍に選択的に成膜物を形成し、成膜物をマスクと
して黒欠陥を修正するので、パターン断面の垂直性を確
保できるように黒欠陥を修正することができ、従来より
高精度でしかも安定して黒欠陥修正加工を行うことが可
能となる。
【図１】本発明の一実施の形態に係るレチクルの修正方
法を説明するための図である。
法を説明するための図である。
【図２】（ａ）は、ＦＩＢミリング法で厚さ２μｍのシ
リコンメンブレンを加工した際の断面ＳＩＭ像を示す図
であり、（ｂ）は、ＦＩＢガスアシストエッチング法で
厚さ２μｍのシリコンメンブレンを加工した際の断面Ｓ
ＩＭ像を示す図である。
リコンメンブレンを加工した際の断面ＳＩＭ像を示す図
であり、（ｂ）は、ＦＩＢガスアシストエッチング法で
厚さ２μｍのシリコンメンブレンを加工した際の断面Ｓ
ＩＭ像を示す図である。
１１…シリコンメンブレン、１２…黒欠陥部、１３…成
膜物。
膜物。
Claims (3)
- 【請求項１】 電子線散乱体のみから構成されたパター
ン転写部と、前記電子線散乱体の保持構造とを有し、電
子線縮小投影露光時に用いるレチクルに発生した欠陥を
修正する方法であって、 黒欠陥の位置を検出する工程と、 前記黒欠陥の位置近傍に選択的に成膜物を形成する工程
と、 前記成膜物をマスクとして前記黒欠陥を修正する工程
と、を具備することを特徴とするレチクルの修正方法。 - 【請求項２】 前記成膜物は、電子吸収量が比較的少な
い物質で構成されることを特徴とする請求項１記載のレ
チクルの修正方法。 - 【請求項３】 前記成膜物は、炭素及び珪素からなる群
より選ばれた少なくとも一つを主成分とする材料で構成
されていることを特徴とする請求項１記載のレチクルの
修正方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000260585A JP2002072455A (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | レチクルの修正方法 |
| US09/944,045 US20020024011A1 (en) | 2000-08-30 | 2001-08-30 | Method for correcting opaque defects in reticles for charged-particle-beam microlithography, and reticles produced using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000260585A JP2002072455A (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | レチクルの修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002072455A true JP2002072455A (ja) | 2002-03-12 |
Family
ID=18748572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000260585A Pending JP2002072455A (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | レチクルの修正方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020024011A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002072455A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008035662A1 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond electron source and method for manufacturing the same |
| JP2012063699A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Toppan Printing Co Ltd | 透過型フォトマスクの製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003156418A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 分析用試料の作製方法および分析方法並びにその分析用試料 |
| US7473496B2 (en) * | 2004-11-04 | 2009-01-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for repairing opaque defects in photolithography masks |
| DE102013203995B4 (de) * | 2013-03-08 | 2020-03-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Schützen eines Substrats während einer Bearbeitung mit einem Teilchenstrahl |
| CN106569387B (zh) * | 2015-10-09 | 2021-03-23 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 光罩及其修复方法 |
| US11183390B2 (en) * | 2017-08-15 | 2021-11-23 | Nokomis, Inc. | Method of enhancing a DLC coated surface for enhanced multipaction resistance |
| CN117170181B (zh) * | 2023-11-01 | 2024-01-26 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 掩膜版清洁方法、装置和计算机可读存储介质 |
-
2000
- 2000-08-30 JP JP2000260585A patent/JP2002072455A/ja active Pending
-
2001
- 2001-08-30 US US09/944,045 patent/US20020024011A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008035662A1 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond electron source and method for manufacturing the same |
| JP2008210775A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-09-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド電子源及びその製造方法 |
| JP2012063699A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Toppan Printing Co Ltd | 透過型フォトマスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020024011A1 (en) | 2002-02-28 |
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