JPH08272079A - パターンの検査方法及び検査装置 - Google Patents
パターンの検査方法及び検査装置Info
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- JPH08272079A JPH08272079A JP7076688A JP7668895A JPH08272079A JP H08272079 A JPH08272079 A JP H08272079A JP 7076688 A JP7076688 A JP 7076688A JP 7668895 A JP7668895 A JP 7668895A JP H08272079 A JPH08272079 A JP H08272079A
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フォトマスク上の欠陥、異物を検査する方法お
よび装置において、マスクパターンの周期性を利用し、
チップ内の繰り返しパターンの１周期あるいはそれ以上
を基準に、その周囲のパターンを同一周期ごと比較検査
する。 【構成】検査領域を繰り返しパターンからなる領域２０
１とする。２０１のパターンは図２（ｂ）のようになっ
ており、パターン２０５を１周期とする繰り返しパター
ンで構成されている。まず基準とする１周期のパターン
２０５をレンズを介して画像入力し、２値化し記憶させ
る。次に、検査を行う開始パターン２０６が前記レンズ
下にくるようにステージが移動し、このパターンを画像
入力し最初に記憶させていた基準パターン２０５と比較
し、その差を観察する。 【効果】１チップレチクルの検査を単独で実施でき、同
チップ内のクロムパターンを基準にするため擬似欠陥を
大幅に減少でき、検査時間を短縮できる。
よび装置において、マスクパターンの周期性を利用し、
チップ内の繰り返しパターンの１周期あるいはそれ以上
を基準に、その周囲のパターンを同一周期ごと比較検査
する。 【構成】検査領域を繰り返しパターンからなる領域２０
１とする。２０１のパターンは図２（ｂ）のようになっ
ており、パターン２０５を１周期とする繰り返しパター
ンで構成されている。まず基準とする１周期のパターン
２０５をレンズを介して画像入力し、２値化し記憶させ
る。次に、検査を行う開始パターン２０６が前記レンズ
下にくるようにステージが移動し、このパターンを画像
入力し最初に記憶させていた基準パターン２０５と比較
し、その差を観察する。 【効果】１チップレチクルの検査を単独で実施でき、同
チップ内のクロムパターンを基準にするため擬似欠陥を
大幅に減少でき、検査時間を短縮できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、検査技術、特に半導体
装置の製造におけるフォトマスクやウェハー上のパター
ン欠陥、異物の検査方法及び検査装置に関する。
装置の製造におけるフォトマスクやウェハー上のパター
ン欠陥、異物の検査方法及び検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造におけるフォトマスク
の異物検査について株式会社工業調査会発行、電子材料
１９８２年別冊（２１７頁）に記載されている、従来の
マスク検査装置の概略を図６に示す。検査を行なうフォ
トマスク６０１、６０２がステージ６０３上におかれ、
前記フォトマスク６０１、６０２に対して対物レンズ６
０４、６０５がそれぞれ設置されており、前記対物レン
ズ６０４、６０５は一定の距離Ｌを有し、前記フォトマ
スク６０１、６０２の各チップ内の同一ポイントを観察
できるようにセットされている。光源６０６、６０７
は、それぞれ前記対物レンズ６０４、６０５と対応する
位置にあり、前記フォトマスク６０１、６０２の下面か
らそれぞれ照射し、前記光源６０６の照射光を前記対物
レンズ６０４で、前記光源６０７からの照射光を前記対
物レンズ６０５で受光する。この時、前記フォトマスク
のクロムパターン部分は暗視野に、ガラス部分は明視野
になる。ここで得られた情報はＣＣＤセンサー６０８、
６０９から画像入力回路に取り込まれる。前記対物レン
ズ６０４で取り込んだ画像を基準にし、前記対物レンズ
６０５から取り込んだ画像と比較することでお互いの画
像の違いをみる。前記レンズ６０４から取り込んだ基準
となるパターンと、前記レンズ６０５から取り込んだ比
較するパターンとのクロムパターンが同じであれば、欠
陥あるいは異物は前記フォトマスク６０１、６０２に無
いと判断し、差異が観察されたときは、前記フォトマス
ク６０１、６０２上のどちらかに欠陥あるいは異物が存
在していると判断する。ここで、前記対物レンズ６０
４、６０５、前記光源６０６、６０７により取り込まれ
た画像を重ね合わせて比較するため、検査を行うフォト
マスクは２チップレチクルあるいは同一の工程に使用す
るフォトマスク２枚を使用することに限られてしまう。
また、他の方法としてはＣＡＤデータと実際に形成され
ているパターンとを比較することにより、異物などを検
出するものである。
の異物検査について株式会社工業調査会発行、電子材料
１９８２年別冊（２１７頁）に記載されている、従来の
マスク検査装置の概略を図６に示す。検査を行なうフォ
トマスク６０１、６０２がステージ６０３上におかれ、
前記フォトマスク６０１、６０２に対して対物レンズ６
０４、６０５がそれぞれ設置されており、前記対物レン
ズ６０４、６０５は一定の距離Ｌを有し、前記フォトマ
スク６０１、６０２の各チップ内の同一ポイントを観察
できるようにセットされている。光源６０６、６０７
は、それぞれ前記対物レンズ６０４、６０５と対応する
位置にあり、前記フォトマスク６０１、６０２の下面か
らそれぞれ照射し、前記光源６０６の照射光を前記対物
レンズ６０４で、前記光源６０７からの照射光を前記対
物レンズ６０５で受光する。この時、前記フォトマスク
のクロムパターン部分は暗視野に、ガラス部分は明視野
になる。ここで得られた情報はＣＣＤセンサー６０８、
６０９から画像入力回路に取り込まれる。前記対物レン
ズ６０４で取り込んだ画像を基準にし、前記対物レンズ
６０５から取り込んだ画像と比較することでお互いの画
像の違いをみる。前記レンズ６０４から取り込んだ基準
となるパターンと、前記レンズ６０５から取り込んだ比
較するパターンとのクロムパターンが同じであれば、欠
陥あるいは異物は前記フォトマスク６０１、６０２に無
いと判断し、差異が観察されたときは、前記フォトマス
ク６０１、６０２上のどちらかに欠陥あるいは異物が存
在していると判断する。ここで、前記対物レンズ６０
４、６０５、前記光源６０６、６０７により取り込まれ
た画像を重ね合わせて比較するため、検査を行うフォト
マスクは２チップレチクルあるいは同一の工程に使用す
るフォトマスク２枚を使用することに限られてしまう。
また、他の方法としてはＣＡＤデータと実際に形成され
ているパターンとを比較することにより、異物などを検
出するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
従来技術では、チップ間のパターンを利用する前者の方
法の場合、転写領域内に単一のパターン領域しかないフ
ォトマスクなどには適用できず、いいかえれば２チップ
レチクルあるいはそれ以上のものでなければ適用できな
い。１チップレチクルを検査する場合は２枚用意しなけ
ればならず、コストや納期の面で不都合を生じてしま
う。また２枚のフォトマスクが全く同一の精度で作成さ
れる保障はなく、あるいは検査装置のステッピング精度
の影響により検査しない領域が生じてしまい、スループ
ット、検出感度に悪影響を与える。
従来技術では、チップ間のパターンを利用する前者の方
法の場合、転写領域内に単一のパターン領域しかないフ
ォトマスクなどには適用できず、いいかえれば２チップ
レチクルあるいはそれ以上のものでなければ適用できな
い。１チップレチクルを検査する場合は２枚用意しなけ
ればならず、コストや納期の面で不都合を生じてしま
う。また２枚のフォトマスクが全く同一の精度で作成さ
れる保障はなく、あるいは検査装置のステッピング精度
の影響により検査しない領域が生じてしまい、スループ
ット、検出感度に悪影響を与える。
【０００４】また設計データと実際のパターンを比較す
る後者の方式の場合、設計データの厳密な幾何学パター
ンと、実際のパターンとでは輪郭、角部に差異を生じる
ため擬似欠陥を多く生じてしまう。
る後者の方式の場合、設計データの厳密な幾何学パター
ンと、実際のパターンとでは輪郭、角部に差異を生じる
ため擬似欠陥を多く生じてしまう。
【０００５】このように従来技術では、検査対象となる
フォトマスクが限定される、擬似欠陥が多く検査工程の
スループットが低下する、あるいは擬似欠陥を低減する
には検査感度を低くしなければならないという問題があ
った。
フォトマスクが限定される、擬似欠陥が多く検査工程の
スループットが低下する、あるいは擬似欠陥を低減する
には検査感度を低くしなければならないという問題があ
った。
【０００６】そこで、本発明はこのような課題を解決す
るものであり、その目的とするところは、実際のマスク
パターン同士の比較のため擬似欠陥が大幅に減少しスル
ープットが大幅に向上し、検査できるフォトマスクの範
囲を広げることにより、精度のよい検出機能を保ちつ
つ、微細な欠陥を高速に検出する検査技術を提供するこ
とにある。
るものであり、その目的とするところは、実際のマスク
パターン同士の比較のため擬似欠陥が大幅に減少しスル
ープットが大幅に向上し、検査できるフォトマスクの範
囲を広げることにより、精度のよい検出機能を保ちつ
つ、微細な欠陥を高速に検出する検査技術を提供するこ
とにある。
【０００７】
（１）本発明のパターンの検査方法は、周期的パターン
を１周期以上２値化させ、基準パターンとして記憶させ
た後、前記周期パターンの存在するパターン領域を走査
し基準パターンと同周期ずつ比較することを特徴とす
る。
を１周期以上２値化させ、基準パターンとして記憶させ
た後、前記周期パターンの存在するパターン領域を走査
し基準パターンと同周期ずつ比較することを特徴とす
る。
【０００８】（２）本発明のパターンの検査方法は、課
題を解決するための手段１において２周期以上を基準パ
ターンとして記憶する場合、１周期分の隣合うパターン
の端が数１０μｍずつ重なるようにして画像認識するこ
とで、基準パターンとして記憶することを特徴とする。
題を解決するための手段１において２周期以上を基準パ
ターンとして記憶する場合、１周期分の隣合うパターン
の端が数１０μｍずつ重なるようにして画像認識するこ
とで、基準パターンとして記憶することを特徴とする。
【０００９】（３）本発明のパターンの査方法は、基準
パターンと前記基準パターンの存在するパターン領域を
前記基準パターンと同周期ずつ比較する場合、比較対象
パターンの隣合うパターン端どおしを数１０μｍ重なる
ようにステップさせて検査を行うことを特徴とする。
パターンと前記基準パターンの存在するパターン領域を
前記基準パターンと同周期ずつ比較する場合、比較対象
パターンの隣合うパターン端どおしを数１０μｍ重なる
ようにステップさせて検査を行うことを特徴とする。
【００１０】（４）本発明のパターンの検査方法は、被
検査対象パターンを画像認識するときに、設計時のルー
ルに合わせてパターン角の丸みをとり角付けし、ＣＡＤ
データより得たパターン情報と比較することを特徴とす
る。
検査対象パターンを画像認識するときに、設計時のルー
ルに合わせてパターン角の丸みをとり角付けし、ＣＡＤ
データより得たパターン情報と比較することを特徴とす
る。
【００１１】（５）本発明のパターンの検査方法は、前
記基準パターンと同周期分のＣＡＤデータをとりこみこ
れを基準パターンとして、これと比較することを特徴と
する。
記基準パターンと同周期分のＣＡＤデータをとりこみこ
れを基準パターンとして、これと比較することを特徴と
する。
【００１２】（６）本発明の検査装置は、発明を解決す
るための手段１または問題を解決するための手段２また
は問題を解決するための手段３において、被検査パター
ン内の周期的パターン領域から周期性を有するパターン
を抽出するパターン抽出手段と、前記パターン抽出手段
により抽出されたパターンを基準パターンとして記憶す
るメモリーと前記周期的パターン領域のパターンと前記
基準パターンとを比較する比較手段とを有することを特
徴とする。
るための手段１または問題を解決するための手段２また
は問題を解決するための手段３において、被検査パター
ン内の周期的パターン領域から周期性を有するパターン
を抽出するパターン抽出手段と、前記パターン抽出手段
により抽出されたパターンを基準パターンとして記憶す
るメモリーと前記周期的パターン領域のパターンと前記
基準パターンとを比較する比較手段とを有することを特
徴とする。
【００１３】（７）本発明の検査装置は、前記基準パタ
ーンメモリーがＣＡＤデータより得られたパターンを保
持することを特徴とする。
ーンメモリーがＣＡＤデータより得られたパターンを保
持することを特徴とする。
【００１４】（８）本発明の検査装置は、問題を解決す
るための手段４または問題を解決するための手段５にお
いて、前記比較手段が前記基準パターンとして前記被検
査パターンの前記周期パターン領域内及び領域外のパタ
ーン比較を行うことを特徴とする。
るための手段４または問題を解決するための手段５にお
いて、前記比較手段が前記基準パターンとして前記被検
査パターンの前記周期パターン領域内及び領域外のパタ
ーン比較を行うことを特徴とする。
【００１５】
【実施例】ここではフォトマスクの欠陥検査を例として
説明する。本発明のフォトマスク検査装置を図１に示
す。ステージ１０１上に検査を行うフォトマスク１０２
をのせ、レンズ１０３によりフォトマスク１０２上を走
査しその領域をＣＣＤセンサー１０４で２値化し画像入
力部へ取り込んでいく。ここで、本発明のフォトマスク
検査方法のフローチャートを図５に示す。フォトマスク
１０２の構成は図２（ａ）のようになっている。セル領
域２０１は、メモリーＩＣ、ロジックＩＣとも繰り返し
パターンで構成されている。またフォトマスク１０２に
は、検査時、確認時に原点とするためのパターン２０４
を有している。フォトマスク１０２をステージ１０１に
のせ、原点としてパターン２０４を指定する。光源１０
７にはキセノンランプを使用している。次に検査を行う
フォトマスク１０２上の領域を指定する。ここでは繰り
返しパターン領域である領域２０１とする。原点２０４
及びパターン領域２０１内の中の２点、例えば左下と右
下を指定することで検査領域が確定される。例えばパタ
ーン領域２０１のパターンは図２（ｂ）のようになって
おり、パターン２０５を１周期とする繰り返しパターン
で構成されている。検査を行うときのステージ１０１の
移動ピッチ、および各検査ポイントでの走査範囲を指定
する。基準とする１周期のパターン２０５をレンズ１０
３を介して画像入力し、２値化し記憶させる。次に、検
査を行う開始パターン２０６が前記レンズ下にくるよう
にステージ１０１が移動し、このパターンを画像入力し
最初に記憶させていた基準パターン２０５と比較し、そ
の差を観察する。差が生じていない場合は、欠陥または
異物はないと判断し次のパターン領域２０７を検査する
ためステージ１０１を移動させるが、差があると判断し
た場合（以後ＮＧと記載）は、パターン領域２０６内に
欠陥または異物があるとしてこの座標を記憶したのち次
の検査領域２０７へ移動する。これを順次繰り返してい
く。
説明する。本発明のフォトマスク検査装置を図１に示
す。ステージ１０１上に検査を行うフォトマスク１０２
をのせ、レンズ１０３によりフォトマスク１０２上を走
査しその領域をＣＣＤセンサー１０４で２値化し画像入
力部へ取り込んでいく。ここで、本発明のフォトマスク
検査方法のフローチャートを図５に示す。フォトマスク
１０２の構成は図２（ａ）のようになっている。セル領
域２０１は、メモリーＩＣ、ロジックＩＣとも繰り返し
パターンで構成されている。またフォトマスク１０２に
は、検査時、確認時に原点とするためのパターン２０４
を有している。フォトマスク１０２をステージ１０１に
のせ、原点としてパターン２０４を指定する。光源１０
７にはキセノンランプを使用している。次に検査を行う
フォトマスク１０２上の領域を指定する。ここでは繰り
返しパターン領域である領域２０１とする。原点２０４
及びパターン領域２０１内の中の２点、例えば左下と右
下を指定することで検査領域が確定される。例えばパタ
ーン領域２０１のパターンは図２（ｂ）のようになって
おり、パターン２０５を１周期とする繰り返しパターン
で構成されている。検査を行うときのステージ１０１の
移動ピッチ、および各検査ポイントでの走査範囲を指定
する。基準とする１周期のパターン２０５をレンズ１０
３を介して画像入力し、２値化し記憶させる。次に、検
査を行う開始パターン２０６が前記レンズ下にくるよう
にステージ１０１が移動し、このパターンを画像入力し
最初に記憶させていた基準パターン２０５と比較し、そ
の差を観察する。差が生じていない場合は、欠陥または
異物はないと判断し次のパターン領域２０７を検査する
ためステージ１０１を移動させるが、差があると判断し
た場合（以後ＮＧと記載）は、パターン領域２０６内に
欠陥または異物があるとしてこの座標を記憶したのち次
の検査領域２０７へ移動する。これを順次繰り返してい
く。
【００１６】このとき、検査ステージ１０１の移動ピッ
チの精度誤差がのってきた場合、図３（ａ）に示す不具
合が生じる。ちょうど比較パターンどおしの隣接部に異
物３０１が存在する場合、入力したステップピッチに対
して、本来検査パターン領域３０２と３０３が接して検
査を実施されなければならいところを、検査ステージ１
０１に移動精度誤差が加わり、異物３０１をまたいでし
まい異物として検出する事ができなくなってしまう。そ
こで図３（ｂ）に示す方法でこれを回避する。１つのパ
ターンとして画像認識する領域を、入力したステップピ
ッチに対してＸ、Ｙ方向ともに２０μｍのオフセットを
加えた大きさに設定し（検査領域３０４、検査領域３０
５）、ステージのステップピッチは入力値どおりに検査
を実施する。こうすることで隣接するパターン端に重な
る領域３０６ができ、異物３０１を見落とす可能性がな
くなる。
チの精度誤差がのってきた場合、図３（ａ）に示す不具
合が生じる。ちょうど比較パターンどおしの隣接部に異
物３０１が存在する場合、入力したステップピッチに対
して、本来検査パターン領域３０２と３０３が接して検
査を実施されなければならいところを、検査ステージ１
０１に移動精度誤差が加わり、異物３０１をまたいでし
まい異物として検出する事ができなくなってしまう。そ
こで図３（ｂ）に示す方法でこれを回避する。１つのパ
ターンとして画像認識する領域を、入力したステップピ
ッチに対してＸ、Ｙ方向ともに２０μｍのオフセットを
加えた大きさに設定し（検査領域３０４、検査領域３０
５）、ステージのステップピッチは入力値どおりに検査
を実施する。こうすることで隣接するパターン端に重な
る領域３０６ができ、異物３０１を見落とす可能性がな
くなる。
【００１７】次に基準とするパターン領域を繰り返し１
周期分ではなく数周期にわたる領域２０８を適用する場
合を述べる（図２（ｃ））。前記対物レンズ１０３の照
射領域内１１２に一度に取り込む前記基準パターン領域
２０８が納まる場合は、前記方法と同様に検査を実施し
ていく。この領域をはみ出す場合は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
ーを光源に用い、ステージ１０１を移動させ、前記基準
パターン領域２０８をスキャンさせその反射光を取り込
むことで前記フォトマスク上のパターンを認識する。そ
の後は前記方法と同様にして、前記基準パターン領域２
０８を基準とし、同周期パターン２０９から順次比較検
査を行っていく。このときも上記方法と同様に比較検査
する領域に対して、ステージのステップピッチを−２０
μｍオフセットをかけた状態で検査を実施していく。
周期分ではなく数周期にわたる領域２０８を適用する場
合を述べる（図２（ｃ））。前記対物レンズ１０３の照
射領域内１１２に一度に取り込む前記基準パターン領域
２０８が納まる場合は、前記方法と同様に検査を実施し
ていく。この領域をはみ出す場合は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
ーを光源に用い、ステージ１０１を移動させ、前記基準
パターン領域２０８をスキャンさせその反射光を取り込
むことで前記フォトマスク上のパターンを認識する。そ
の後は前記方法と同様にして、前記基準パターン領域２
０８を基準とし、同周期パターン２０９から順次比較検
査を行っていく。このときも上記方法と同様に比較検査
する領域に対して、ステージのステップピッチを−２０
μｍオフセットをかけた状態で検査を実施していく。
【００１８】次に、ＣＡＤデータとパターンを比較する
場合について述べる。設計時の最小パターン寸法を測定
時装置に入力する。ＣＡＤデータに対して、実際のパタ
ーンはパターン角部で丸み４０２がついてしまう。この
現象のため、ＣＡＤデータと比較すると欠陥と認識して
しまうことが多い。対象パターンを画像認識したとき、
パターン角の丸み４０２に対して、この丸み４０２に近
い円を作ったとき半径４０１が設計最小パターン寸法の
１．７５倍未満の時は直角の角４０３であると判断さ
せ、設計最小パターン寸法の１．７５倍以上の場合は、
４５度のパターン４０４であると判断させることで、実
際のＣＡＤデータに近づけた図形処理を施し比較検査を
実行していく（図４）。
場合について述べる。設計時の最小パターン寸法を測定
時装置に入力する。ＣＡＤデータに対して、実際のパタ
ーンはパターン角部で丸み４０２がついてしまう。この
現象のため、ＣＡＤデータと比較すると欠陥と認識して
しまうことが多い。対象パターンを画像認識したとき、
パターン角の丸み４０２に対して、この丸み４０２に近
い円を作ったとき半径４０１が設計最小パターン寸法の
１．７５倍未満の時は直角の角４０３であると判断さ
せ、設計最小パターン寸法の１．７５倍以上の場合は、
４５度のパターン４０４であると判断させることで、実
際のＣＡＤデータに近づけた図形処理を施し比較検査を
実行していく（図４）。
【００１９】ここで２つの場合が考えられる。まず１つ
は、検査した結果、すべての検査対象領域がＮＧであっ
た場合である。この時は、基準としたパターン２０５に
なんらかの欠陥または異物があると判断する。そして基
準とする１周期分のパターンを基準パターン２０５とは
別の領域、例えばパターン２０６から取り込みこれを基
準として、再度前記検査フローと同様に続ける。あるい
は、ＮＧであるとの判断が例えば５周期連続で続いた場
合に、基準とするパターンをパターン２０５から別のパ
ターンである２０６に変更して再度最初から検査を行っ
ていくように設定し、欠陥検査を実行すると、５周期以
上ＮＧの判定が続かない限り比較検査を続けていく。２
つめは、部分的に欠陥または異物の存在する領域を抽出
した場合である。この場合は、検査結果の通り、ＮＧと
して抽出された領域に欠陥または異物が存在すると判断
する。
は、検査した結果、すべての検査対象領域がＮＧであっ
た場合である。この時は、基準としたパターン２０５に
なんらかの欠陥または異物があると判断する。そして基
準とする１周期分のパターンを基準パターン２０５とは
別の領域、例えばパターン２０６から取り込みこれを基
準として、再度前記検査フローと同様に続ける。あるい
は、ＮＧであるとの判断が例えば５周期連続で続いた場
合に、基準とするパターンをパターン２０５から別のパ
ターンである２０６に変更して再度最初から検査を行っ
ていくように設定し、欠陥検査を実行すると、５周期以
上ＮＧの判定が続かない限り比較検査を続けていく。２
つめは、部分的に欠陥または異物の存在する領域を抽出
した場合である。この場合は、検査結果の通り、ＮＧと
して抽出された領域に欠陥または異物が存在すると判断
する。
【００２０】検査領域２０１の検査が終了したならば、
抽出された欠陥、異物が本物か擬似であるかの確認を行
う。検査開始時に指定しておいた原点２０４を座標
（０，０）とし欠陥を抽出した領域の座標をそれぞれ記
憶しているので、順次この座標を呼び出しオペレータの
目視により、擬似であるかどうかの確認を行う。本物の
欠陥あるいは異物であると判断したときはこの位置を確
定し、致命欠陥になる場合は、フォトマスク１０２をつ
くりなおさなければならない。
抽出された欠陥、異物が本物か擬似であるかの確認を行
う。検査開始時に指定しておいた原点２０４を座標
（０，０）とし欠陥を抽出した領域の座標をそれぞれ記
憶しているので、順次この座標を呼び出しオペレータの
目視により、擬似であるかどうかの確認を行う。本物の
欠陥あるいは異物であると判断したときはこの位置を確
定し、致命欠陥になる場合は、フォトマスク１０２をつ
くりなおさなければならない。
【００２１】以上、本発明の一実施例を述べたが、これ
以外に １）クロム以外、例えばモリブデン等の金属をマスクパ
ターンとして使用しているフォトマスクに適用する ２）光源に、Ｈｅ−Ｎｅ、キセノン以外の光、たとえば
タングステンダイオード等を使用する ３）ペリクルを装着したフォトマスクに適用する ４）フォトマスク以外に、ウェハー上のパターンに適用
する ５）比較検査時重なり合う領域を２０μｍ以上または以
下にする ６）パターン角丸みの半径のしきい値を最小パターン寸
法の１．７５倍以外の値にする 場合についても、本実施例と同様な効果が得られること
は言うまでもない。
以外に １）クロム以外、例えばモリブデン等の金属をマスクパ
ターンとして使用しているフォトマスクに適用する ２）光源に、Ｈｅ−Ｎｅ、キセノン以外の光、たとえば
タングステンダイオード等を使用する ３）ペリクルを装着したフォトマスクに適用する ４）フォトマスク以外に、ウェハー上のパターンに適用
する ５）比較検査時重なり合う領域を２０μｍ以上または以
下にする ６）パターン角丸みの半径のしきい値を最小パターン寸
法の１．７５倍以外の値にする 場合についても、本実施例と同様な効果が得られること
は言うまでもない。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば （１）周期的パターンを１周期以上２値化させ、基準パ
ターンとして記憶させた後、前記周期パターンの存在す
るパターン領域を走査し基準パターンと同周期ずつ比較
する検査方法を有する。
ターンとして記憶させた後、前記周期パターンの存在す
るパターン領域を走査し基準パターンと同周期ずつ比較
する検査方法を有する。
【００２３】（２）課題を解決するための手段１におい
て２周期以上を基準パターンとして記憶する場合、１周
期分の隣合うパターンの端が数１０μｍずつ重なるよう
にして画像認識することで、基準パターンとして記憶す
る検査方法を有する。
て２周期以上を基準パターンとして記憶する場合、１周
期分の隣合うパターンの端が数１０μｍずつ重なるよう
にして画像認識することで、基準パターンとして記憶す
る検査方法を有する。
【００２４】（３）基準パターンと前記基準パターンの
存在するパターン領域を前記基準パターンと同周期ずつ
比較する場合、比較対象パターンの隣合うパターン端ど
うしを数１０μｍ重なるようにステップさせて検査を行
う検査方法を有する。
存在するパターン領域を前記基準パターンと同周期ずつ
比較する場合、比較対象パターンの隣合うパターン端ど
うしを数１０μｍ重なるようにステップさせて検査を行
う検査方法を有する。
【００２５】（４）被検査対象パターンを画像認識する
ときに、設計時のルールに合わせてパターン角の丸みを
とり角付けし、ＣＡＤデータより得たパターン情報と比
較する検査方法を有する。
ときに、設計時のルールに合わせてパターン角の丸みを
とり角付けし、ＣＡＤデータより得たパターン情報と比
較する検査方法を有する。
【００２６】（５）前記基準パターンと同周期分のＣＡ
Ｄデータをとりこみこれを基準パターンとして、これと
比較する検査方法を有する。
Ｄデータをとりこみこれを基準パターンとして、これと
比較する検査方法を有する。
【００２７】（６）発明の効果１または発明の効果２ま
たは発明の効果３において、被検査パターン内の周期的
パターン領域から周期性を有するパターンを抽出するパ
ターン抽出手段と、前記パターン抽出手段により抽出さ
れたパターンを基準パターンとして記憶するメモリーと
前記周期的パターン領域のパターンと前記基準パターン
とを比較する比較手段とを有する。
たは発明の効果３において、被検査パターン内の周期的
パターン領域から周期性を有するパターンを抽出するパ
ターン抽出手段と、前記パターン抽出手段により抽出さ
れたパターンを基準パターンとして記憶するメモリーと
前記周期的パターン領域のパターンと前記基準パターン
とを比較する比較手段とを有する。
【００２８】（７）検査装置において、前記基準パター
ンメモリーがＣＡＤデータより得られたパターンを保持
する機能を有する。
ンメモリーがＣＡＤデータより得られたパターンを保持
する機能を有する。
【００２９】（８）発明の効果４または発明の効果５の
検査装置において、前記比較手段が前記基準パターンと
して前記被検査パターンの前記周期パターン領域内及び
領域外のパターン比較を行う機能を有する。
検査装置において、前記比較手段が前記基準パターンと
して前記被検査パターンの前記周期パターン領域内及び
領域外のパターン比較を行う機能を有する。
【００３０】ことにより、実際のマスクパターン同士の
比較が行え、また一回で取り込む領域を広くできる為、
擬似欠陥が大幅に減少し、精度の良い検出機能を提供で
き、検査工程のスループットを大幅に向上できる、かつ
１枚のフォトマスクに対しての検査を実施できるため検
査対象となるフォトマスクの範囲が大きくなるという効
果を有する。
比較が行え、また一回で取り込む領域を広くできる為、
擬似欠陥が大幅に減少し、精度の良い検出機能を提供で
き、検査工程のスループットを大幅に向上できる、かつ
１枚のフォトマスクに対しての検査を実施できるため検
査対象となるフォトマスクの範囲が大きくなるという効
果を有する。
【図１】本発明のフォトマスク検査装置を示す図であ
る。
る。
【図２】図２（ａ）はマスクの構成、図２（ｂ）（ｃ）
は繰り返しパターンの概要を示す図である。
は繰り返しパターンの概要を示す図である。
【図３】本発明のフォトマスクの検査方法を示す図であ
る。
る。
【図４】本発明のフォトマスクの検査方法を示す図であ
る。
る。
【図５】本発明のフォトマスクの検査方法のフローチャ
ートを示す図である。
ートを示す図である。
【図６】従来のフォトマスクの検査装置を示す図であ
る。
る。
１０１検査ステージ １０２フォトマスク １０３レンズ １０４ＣＣＤセンサー １０５ＣＣＤカメラ １０６レンズ １０７光源 １０８ミラー ２０１セル領域 ２０２周辺回路 ２０３周辺回路 ２０４基準パターン ２０５比較検査領域 ２０６比較検査領域 ２０７比較検査領域 ２０８比較検査領域 ２０９比較検査領域 ３０１異物 ３０２比較検査領域 ３０３比較検査領域 ３０４比較検査領域 ３０５比較検査領域 ４０１半径 ４０２角の丸み ４０３パターン角 ４０４パターン角 ６０１フォトマスク ６０２フォトマスク ６０３ステージ ６０４レンズ ６０５レンズ ６０６光源 ６０７光源 ６０８画像入力回路 ６０９画像入力回路 ６１０ＣＣＤカメラ ６１１検査領域
Claims (8)
- 【請求項１】周期的パターンを１周期以上２値化させ、
基準パターンとして記憶させた後、前記周期パターンの
存在するパターン領域を走査し基準パターンと同周期ず
つ比較することを特徴とするパターンの検査方法。 - 【請求項２】２周期以上を基準パターンとして記憶する
場合、１周期分の隣合うパターンの端が数１０μｍずつ
重なるようにして画像認識することで、基準パターンと
して記憶することを特徴とする請求項１記載のパターン
の検査方法。 - 【請求項３】基準パターンと前記基準パターンの存在す
るパターン領域を前記基準パターンと同周期ずつ比較す
る場合、比較対象パターンの隣合うパターン端どおしを
数１０μｍ重なるようにステップさせて検査を行うこと
を特徴とする請求項１記載のパターンの検査方法。 - 【請求項４】被検査対象パターンを画像認識するとき
に、設計時のルールに合わせてパターン角の丸みをとり
角付けし、ＣＡＤデータより得たパターン情報と比較す
ることを特徴とするパターンの検査方法。 - 【請求項５】前記基準パターンと同周期分のＣＡＤデー
タをとりこみこれを基準パターンとして、これと比較す
ることを特徴とする請求項１または請求項２または請求
項３記載のパターンの検査方法。 - 【請求項６】被検査パターン内の周期的パターン領域か
ら周期性を有するパターンを抽出するパターン抽出手段
と、前記パターン抽出手段により抽出されたパターンを
基準パターンとして記憶するメモリーと前記周期的パタ
ーン領域のパターンと前記基準パターンとを比較する比
較手段とを有することを特徴とする請求項１または請求
項２または請求項３記載の検査装置。 - 【請求項７】前記基準パターンメモリーは、ＣＡＤデー
タより得られたパターンを保持することを特徴とする請
求項４記載の検査装置。 - 【請求項８】前記比較手段は、前記基準パターンとして
前記被検査パターンの前記周期パターン領域内及び領域
外のパターン比較を行うことを特徴とする請求項４また
は請求項５記載の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7076688A JPH08272079A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | パターンの検査方法及び検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7076688A JPH08272079A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | パターンの検査方法及び検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08272079A true JPH08272079A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13612407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7076688A Pending JPH08272079A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | パターンの検査方法及び検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08272079A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010029893A (ko) * | 1999-09-24 | 2001-04-16 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 포토 마스크, 반도체 장치, 및 포토 마스크를 이용한 노광방법 |
| EP1617373A1 (en) * | 2004-07-13 | 2006-01-18 | International Business Machines Corporation | Optical surface inspection |
| JP2008045887A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 検査装置 |
| US7499582B2 (en) | 2003-06-30 | 2009-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for inspecting a defect in a photomask, method for manufacturing a semiconductor device and method for producing a photomask |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP7076688A patent/JPH08272079A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010029893A (ko) * | 1999-09-24 | 2001-04-16 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 포토 마스크, 반도체 장치, 및 포토 마스크를 이용한 노광방법 |
| US7499582B2 (en) | 2003-06-30 | 2009-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for inspecting a defect in a photomask, method for manufacturing a semiconductor device and method for producing a photomask |
| EP1617373A1 (en) * | 2004-07-13 | 2006-01-18 | International Business Machines Corporation | Optical surface inspection |
| JP2008045887A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 検査装置 |
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