JP2003078170A - 回路素子の検査方法及びその検査構造、回路素子内蔵基板及びその製造方法、並びに電気回路装置及びその製造方法 - Google Patents
回路素子の検査方法及びその検査構造、回路素子内蔵基板及びその製造方法、並びに電気回路装置及びその製造方法Info
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- JP2003078170A JP2003078170A JP2001268950A JP2001268950A JP2003078170A JP 2003078170 A JP2003078170 A JP 2003078170A JP 2001268950 A JP2001268950 A JP 2001268950A JP 2001268950 A JP2001268950 A JP 2001268950A JP 2003078170 A JP2003078170 A JP 2003078170A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光素子を多大な製造コストを要すること
なくモジュール化することが可能で、しかもその搬送や
基体への実装も容易であるという特長を保持しながら、
この発光素子の製造段階において回路素子を検査する方
法及びその検査構造、回路素子内蔵基板及びその製造方
法、並びに電気回路装置及びその製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 絶縁材４５に発光素子２２を埋設した
状態で、この発光素子２２に接続した配線３ａ、３ｂを
検査用端子１、２まで延設し、この検査用端子１、２に
プロービング端子５ａ、５ａを接触して、この発光素子
２２の製造段階でそれぞれの発光素子２２の点灯検査を
行う。これにより発光素子２２の製造段階で各発光素子
２２の特性の情報が得られ、特性を均一化できると共
に、不良品については製造を中止して無駄を省くことが
できる。
なくモジュール化することが可能で、しかもその搬送や
基体への実装も容易であるという特長を保持しながら、
この発光素子の製造段階において回路素子を検査する方
法及びその検査構造、回路素子内蔵基板及びその製造方
法、並びに電気回路装置及びその製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 絶縁材４５に発光素子２２を埋設した
状態で、この発光素子２２に接続した配線３ａ、３ｂを
検査用端子１、２まで延設し、この検査用端子１、２に
プロービング端子５ａ、５ａを接触して、この発光素子
２２の製造段階でそれぞれの発光素子２２の点灯検査を
行う。これにより発光素子２２の製造段階で各発光素子
２２の特性の情報が得られ、特性を均一化できると共
に、不良品については製造を中止して無駄を省くことが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば画像表示装
置等に用いられる発光素子等の検査に好適な回路素子の
検査方法及び検査構造、回路素子内蔵基板及びその製造
方法、並びに電気回路装置及びその製造方法に関するも
のである。
置等に用いられる発光素子等の検査に好適な回路素子の
検査方法及び検査構造、回路素子内蔵基板及びその製造
方法、並びに電気回路装置及びその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光素子として、これまでサファ
イア基板上に全面に低温バッファ層、Ｓｉをドープした
ＧａＮからなるｎ側コンタクト層を形成し、その上にＳ
ｉをドープしたＧａＮからなるｎ側クラッド層、Ｓｉを
ドープしたＩｎＧａＮからなる活性層、Ｍｇをドープし
たＡｌＧａＮからなるｐ側クラッド層と、Ｍｇをドープ
したＧａＮよりなるｐ側コンタクト層などを積層した素
子が知られている。このような構造を有し市販されてい
る製品として、４５０ｎｍから５３０ｎｍを含む青色、
緑色ＬＥＤ（Light Emitting Diode）が量産されてい
る。
イア基板上に全面に低温バッファ層、Ｓｉをドープした
ＧａＮからなるｎ側コンタクト層を形成し、その上にＳ
ｉをドープしたＧａＮからなるｎ側クラッド層、Ｓｉを
ドープしたＩｎＧａＮからなる活性層、Ｍｇをドープし
たＡｌＧａＮからなるｐ側クラッド層と、Ｍｇをドープ
したＧａＮよりなるｐ側コンタクト層などを積層した素
子が知られている。このような構造を有し市販されてい
る製品として、４５０ｎｍから５３０ｎｍを含む青色、
緑色ＬＥＤ（Light Emitting Diode）が量産されてい
る。
【０００３】また、窒化ガリウムを成長させようとする
場合、サファイア基板が使用されることが多く、通常は
Ｃ面を主面とするサファイア基板が使用され、主面上に
形成される窒化ガリウム層の表面もＣ面を有し、必然的
に基板主面と平行な面に形成される活性層やそれを挟む
クラッド層もＣ面に平行な面に延在される。このように
基板主面を基準に各結晶層を積層した構造の半導体発光
素子では、基板主面の平滑性を生かして電極形成などに
必要な平滑性が得られている。
場合、サファイア基板が使用されることが多く、通常は
Ｃ面を主面とするサファイア基板が使用され、主面上に
形成される窒化ガリウム層の表面もＣ面を有し、必然的
に基板主面と平行な面に形成される活性層やそれを挟む
クラッド層もＣ面に平行な面に延在される。このように
基板主面を基準に各結晶層を積層した構造の半導体発光
素子では、基板主面の平滑性を生かして電極形成などに
必要な平滑性が得られている。
【０００４】ところが、サファイア基板と成長させる窒
化ガリウムの間の格子不整合による結晶欠陥の発生、微
細なチップの切り出しが難しい、製造コストが大きく、
生産性が悪い等の問題があった。
化ガリウムの間の格子不整合による結晶欠陥の発生、微
細なチップの切り出しが難しい、製造コストが大きく、
生産性が悪い等の問題があった。
【０００５】
【発明に至る経過】本出願人は、このような問題を解決
すべく、結晶性も良好で素子の微細化が可能であり、製
造コストを抑制しつつモジュール化が可能であり、搬送
や基体への実装も容易な表示素子及びその製造方法を特
願２００１−１４４５９２等において既に提起した。
すべく、結晶性も良好で素子の微細化が可能であり、製
造コストを抑制しつつモジュール化が可能であり、搬送
や基体への実装も容易な表示素子及びその製造方法を特
願２００１−１４４５９２等において既に提起した。
【０００６】この表示素子（以下、先願発明と称す
る。）は、例えば図３０に示す構造からなっている。即
ち、例えば中央部の発光ダイオード２２を例にとれば、
その電極パッド１６、４９や第二基板６０上の電極層５
７に対応して、これらを電気的に接続するために、チッ
プを被覆していた絶縁層５９に開口部（ビアホール）６
５、６６、６７、６８、６９、７０を形成し、さらに配
線６３、６４、７１が形成されている。
る。）は、例えば図３０に示す構造からなっている。即
ち、例えば中央部の発光ダイオード２２を例にとれば、
その電極パッド１６、４９や第二基板６０上の電極層５
７に対応して、これらを電気的に接続するために、チッ
プを被覆していた絶縁層５９に開口部（ビアホール）６
５、６６、６７、６８、６９、７０を形成し、さらに配
線６３、６４、７１が形成されている。
【０００７】その製造方法は、図１５に示すように、基
板主面をＣ＋面とするサファイア基板３０上に、まず５
００℃の低温でＡｌＮまたはＧａＮのいずれかのバッフ
ァ層を形成する。その後１０００℃に昇温してシリコン
ドープのＧａＮ層３１を形成する。次に、ＳｉＯ2又は
ＳｉＮを用いたマスク層を全面に厚さ１００〜５００ｎ
ｍの範囲で形成し、フォトリソグラフィーとフッ酸系エ
ッチャントを用いて１０μｍ程度の円形状のマスク３２
を形成する。
板主面をＣ＋面とするサファイア基板３０上に、まず５
００℃の低温でＡｌＮまたはＧａＮのいずれかのバッフ
ァ層を形成する。その後１０００℃に昇温してシリコン
ドープのＧａＮ層３１を形成する。次に、ＳｉＯ2又は
ＳｉＮを用いたマスク層を全面に厚さ１００〜５００ｎ
ｍの範囲で形成し、フォトリソグラフィーとフッ酸系エ
ッチャントを用いて１０μｍ程度の円形状のマスク３２
を形成する。
【０００８】次いで、図１６に示すようにＧａＮ層３１
を約半分の厚さにエッチングする。その結果、マスク３
２の形状部分とその他の部分とで段差３９のあるシリコ
ンドープのＧａＮ層３１が形成される。
を約半分の厚さにエッチングする。その結果、マスク３
２の形状部分とその他の部分とで段差３９のあるシリコ
ンドープのＧａＮ層３１が形成される。
【０００９】次いで図１７に示すように、マスク３２を
除去してもう一度結晶成長を行うが、このときは１００
０℃程度に成長温度を上昇し、シリコンドープのＧａＮ
層３３を成長する。シリコンドープのＧａＮ層３３はマ
スク跡の凸状部のＧａＮ層３１上に成長し、やがて基板
主面に対して傾斜したＳ面によって周囲が囲まれた六角
錐形状となる。この場合、時間をかけるだけ、六角錐形
状のＧａＮ層３３が大きく成長するが、成長してもＧａ
Ｎ層３３同士が干渉せず、かつ素子間の分離のためのマ
ージンを確保するために、ＧａＮ層３１のピッチは十分
に離しておく。
除去してもう一度結晶成長を行うが、このときは１００
０℃程度に成長温度を上昇し、シリコンドープのＧａＮ
層３３を成長する。シリコンドープのＧａＮ層３３はマ
スク跡の凸状部のＧａＮ層３１上に成長し、やがて基板
主面に対して傾斜したＳ面によって周囲が囲まれた六角
錐形状となる。この場合、時間をかけるだけ、六角錐形
状のＧａＮ層３３が大きく成長するが、成長してもＧａ
Ｎ層３３同士が干渉せず、かつ素子間の分離のためのマ
ージンを確保するために、ＧａＮ層３１のピッチは十分
に離しておく。
【００１０】六角錐の大きさが例えば幅１５〜２０μｍ
程度（一辺が７．５〜１５μｍ程度）になった時、高さ
は六画錐としてその一辺の１．６倍程度（即ち１０〜１
６μｍ程度）になる。六角錐の大きさを幅１０μｍ程度
とすることも可能である。
程度（一辺が７．５〜１５μｍ程度）になった時、高さ
は六画錐としてその一辺の１．６倍程度（即ち１０〜１
６μｍ程度）になる。六角錐の大きさを幅１０μｍ程度
とすることも可能である。
【００１１】次いで、成長温度を低減し、図１８に示す
ように、ＩｎＧａＮ層３４を成長する。その後、成長温
度を上昇し、ＩｎＧａＮ層３４上にマグネシウムドープ
のＧａＮ層３５を成長する。その際のＩｎＧａＮ層３４
の厚さは０．５ｎｍから３ｎｍ程度である。更に活性層
を（Ａｌ）ＧａＮ／ＩｎＧａＮの量子井戸層や多重量子
井戸層などにすることもあり、ガイド層として機能する
ＧａＮ又はＩｎＧａＮを用いて多重構造とすることもあ
る。その場合はＩｎＧａＮ上の層にはＡｌＧａＮ層を成
長することが望ましい。
ように、ＩｎＧａＮ層３４を成長する。その後、成長温
度を上昇し、ＩｎＧａＮ層３４上にマグネシウムドープ
のＧａＮ層３５を成長する。その際のＩｎＧａＮ層３４
の厚さは０．５ｎｍから３ｎｍ程度である。更に活性層
を（Ａｌ）ＧａＮ／ＩｎＧａＮの量子井戸層や多重量子
井戸層などにすることもあり、ガイド層として機能する
ＧａＮ又はＩｎＧａＮを用いて多重構造とすることもあ
る。その場合はＩｎＧａＮ上の層にはＡｌＧａＮ層を成
長することが望ましい。
【００１２】次いで図１９に示すように、六角錐状に成
長した最表層にＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ又はＮｉ（Ｐｄ）／Ｐ
ｔ／Ａｕを蒸着することによりｐ電極３７が形成され
る。また、活性層であるＩｎＧａＮ層３４及びｐ型クラ
ッド層であるＧａＮ層３５の一部を基板に近い側で除去
してＧａＮ層３３の一部を露出させ、除去した基板に近
い部分にＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ電極を蒸着してｎ電極
を形成することもある。
長した最表層にＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ又はＮｉ（Ｐｄ）／Ｐ
ｔ／Ａｕを蒸着することによりｐ電極３７が形成され
る。また、活性層であるＩｎＧａＮ層３４及びｐ型クラ
ッド層であるＧａＮ層３５の一部を基板に近い側で除去
してＧａＮ層３３の一部を露出させ、除去した基板に近
い部分にＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ電極を蒸着してｎ電極
を形成することもある。
【００１３】図２０は、上記の製造工程で製造された一
つの発光素子（以下、発光ダイオードと称することがあ
る。）２２の拡大図を示す。図示の如く、その構成はＣ
＋面を基板主面とするサファイア基板３０上に結晶層と
してのシリコンドープのＧａＮ層３３を有している。こ
のシリコンドープのＧａＮ層３３は基板主面とは傾斜し
てなるＳ面を有しており、このＳ面に平行に延在してな
る形状で活性層であるＩｎＧａＮ層３４が形成され、更
にそのＩｎＧａＮ層３４上にクラッド層としてマグネシ
ウムドープのＧａＮ層３５が形成されている。ｐ電極３
７はマグネシウムドープのＧａＮ層３５の上面に形成さ
れている。
つの発光素子（以下、発光ダイオードと称することがあ
る。）２２の拡大図を示す。図示の如く、その構成はＣ
＋面を基板主面とするサファイア基板３０上に結晶層と
してのシリコンドープのＧａＮ層３３を有している。こ
のシリコンドープのＧａＮ層３３は基板主面とは傾斜し
てなるＳ面を有しており、このＳ面に平行に延在してな
る形状で活性層であるＩｎＧａＮ層３４が形成され、更
にそのＩｎＧａＮ層３４上にクラッド層としてマグネシ
ウムドープのＧａＮ層３５が形成されている。ｐ電極３
７はマグネシウムドープのＧａＮ層３５の上面に形成さ
れている。
【００１４】この発光ダイオード２２のみの断面図であ
る図２１（ａ）及びその平面図である（ｂ）に示すよう
に、下地成長層としてのＧａＮ層３１上に選択成長さ
れ、ピラミッド型の六角錐形状にＧａＮ層３３が形成さ
れている。そしてこのＧａＮ層３３の傾斜したＳ面の部
分はダブルへテロ構造のクラッドとして機能する。更に
ＧａＮ層３３の傾斜したＳ面を覆うように活性層である
ＩｎＧａＮ層３４が形成されており、その外側にマグネ
シウムドープのＧａＮ層３５が形成される。このマグネ
シウムドープのＧａＮ層３４もクラッドとして機能す
る。
る図２１（ａ）及びその平面図である（ｂ）に示すよう
に、下地成長層としてのＧａＮ層３１上に選択成長さ
れ、ピラミッド型の六角錐形状にＧａＮ層３３が形成さ
れている。そしてこのＧａＮ層３３の傾斜したＳ面の部
分はダブルへテロ構造のクラッドとして機能する。更に
ＧａＮ層３３の傾斜したＳ面を覆うように活性層である
ＩｎＧａＮ層３４が形成されており、その外側にマグネ
シウムドープのＧａＮ層３５が形成される。このマグネ
シウムドープのＧａＮ層３４もクラッドとして機能す
る。
【００１５】この発光素子２２はＧａＮ系の発光ダイオ
ードであり、このようなＧａＮ系の発光ダイオードで
は、基板を透過するレーザ照射によってレーザアブレー
ションが生じ、ＧａＮの窒素が気化する現象にともなっ
てサファイア基板とＧａＮ系の成長層との間の界面で膜
剥がれが生じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有
している。
ードであり、このようなＧａＮ系の発光ダイオードで
は、基板を透過するレーザ照射によってレーザアブレー
ションが生じ、ＧａＮの窒素が気化する現象にともなっ
てサファイア基板とＧａＮ系の成長層との間の界面で膜
剥がれが生じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有
している。
【００１６】これらの発光素子２２はサファイア基板３
０上に密に形成され、図示省略した転写工程により樹脂
２３上に離間して転写され、これらにアノード側のｐ電
極を形成後に、模式的に示す図２２、２３のようにチッ
プ化される。
０上に密に形成され、図示省略した転写工程により樹脂
２３上に離間して転写され、これらにアノード側のｐ電
極を形成後に、模式的に示す図２２、２３のようにチッ
プ化される。
【００１７】即ち、図２３に示すように、樹脂チップ２
４は略平板上でその主たる面が略正方形状とされる。こ
の樹脂チップ２４の形状は樹脂２３を固めて形成された
形状であり、具体的には未硬化の樹脂を各素子２２を含
むように全面に塗布し、これを硬化した後、図１に示し
たダイシングライン６をダイシング等で切断することで
得られる形状である。
４は略平板上でその主たる面が略正方形状とされる。こ
の樹脂チップ２４の形状は樹脂２３を固めて形成された
形状であり、具体的には未硬化の樹脂を各素子２２を含
むように全面に塗布し、これを硬化した後、図１に示し
たダイシングライン６をダイシング等で切断することで
得られる形状である。
【００１８】略平板状の樹脂２３の表面側と裏面側には
それぞれ電極パッド２６、２７（後述する発光ダイオー
ドの電極パッド１６、４９に相当する。）が形成され
る。これら電極パッド２６、２７の形成は全面に電極パ
ッド２６、２７の材料となる金属層や多結晶シリコン層
などの導電層を形成し、フォトリソグラフィー技術によ
り所要の電極形状にパターニングすることで形成され
る。これら電極パッド２６、２７は発光素子である素子
２２のｐ電極とｎ電極にそれぞれ接続するように形成さ
れており、必要な場合には樹脂２３にビアホールなどが
形成される。
それぞれ電極パッド２６、２７（後述する発光ダイオー
ドの電極パッド１６、４９に相当する。）が形成され
る。これら電極パッド２６、２７の形成は全面に電極パ
ッド２６、２７の材料となる金属層や多結晶シリコン層
などの導電層を形成し、フォトリソグラフィー技術によ
り所要の電極形状にパターニングすることで形成され
る。これら電極パッド２６、２７は発光素子である素子
２２のｐ電極とｎ電極にそれぞれ接続するように形成さ
れており、必要な場合には樹脂２３にビアホールなどが
形成される。
【００１９】ここで電極パッド２６、２７は樹脂チップ
２４の表面側と裏面側にそれぞれ形成されているが、一
方の面に両方の電極パッドを形成することも可能であ
る。電極パッド２６、２７の位置がずれているのは、最
終的な配線形成時に上側からコンタクトをとっても重な
らないようにするためである。電極パッド２６、２７の
形状も正方形に限定されず他の形状としてもよい。
２４の表面側と裏面側にそれぞれ形成されているが、一
方の面に両方の電極パッドを形成することも可能であ
る。電極パッド２６、２７の位置がずれているのは、最
終的な配線形成時に上側からコンタクトをとっても重な
らないようにするためである。電極パッド２６、２７の
形状も正方形に限定されず他の形状としてもよい。
【００２０】このような樹脂形成チップ２４を構成する
ことで、素子２２の周りが樹脂２３で被覆され、平坦化
によって精度良く電極パッド２６、２７を形成できると
共に、素子２２に比べて広い領域に電極パッド２６、２
７を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で
進める場合には取り扱いが容易になる。即ち、後述する
ように、最終的な配線が第二転写工程の後に行われるた
め、比較的大き目のサイズの電極パッド２６、２７を利
用した配線を行うことで、配線不良が未然に防止され
る。
ことで、素子２２の周りが樹脂２３で被覆され、平坦化
によって精度良く電極パッド２６、２７を形成できると
共に、素子２２に比べて広い領域に電極パッド２６、２
７を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で
進める場合には取り扱いが容易になる。即ち、後述する
ように、最終的な配線が第二転写工程の後に行われるた
め、比較的大き目のサイズの電極パッド２６、２７を利
用した配線を行うことで、配線不良が未然に防止され
る。
【００２１】次に、図２４から図３０までを参照しなが
ら、前記工程を経て作製された図１９の状態の発光素子
２２の配列方法を説明する。図２４に示すように、第一
基板３０の主面上には複数の発光ダイオード２２がマト
リクス状に形成されている。発光ダイオード２２の大き
さは約２０μｍ程度とすることができる。第一基板３０
の構成材料としてはサファイア基板などのように発光ダ
イオード２２に照射するレーザの波長の透過率の高い材
料が用いられる。
ら、前記工程を経て作製された図１９の状態の発光素子
２２の配列方法を説明する。図２４に示すように、第一
基板３０の主面上には複数の発光ダイオード２２がマト
リクス状に形成されている。発光ダイオード２２の大き
さは約２０μｍ程度とすることができる。第一基板３０
の構成材料としてはサファイア基板などのように発光ダ
イオード２２に照射するレーザの波長の透過率の高い材
料が用いられる。
【００２２】発光ダイオード２２にはｐ電極までは形成
されているが最終的な配線は未だなされておらず、素子
間分離の溝４２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオ
ード２２は分離できる状態にある。この溝４２ｇの形成
は例えば反応性イオンエッチングで行う。このような第
一基板３０を一時保持用部材４３に対峙させて図２４に
示すように選択的な転写を行う。
されているが最終的な配線は未だなされておらず、素子
間分離の溝４２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオ
ード２２は分離できる状態にある。この溝４２ｇの形成
は例えば反応性イオンエッチングで行う。このような第
一基板３０を一時保持用部材４３に対峙させて図２４に
示すように選択的な転写を行う。
【００２３】一時保持用部材４３の第一基板３０に対峙
する面には剥離層４４と接着剤層４５が２層になって形
成されている。一時保持用部材４３としては、ガラス基
板、石英ガラス基板、プラスチック基板などを用いるこ
とができ、一時保持用部材４３上の剥離層４４として
は、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例
えばポリビニルアルコール：ＰＶＡ）、ポリイミドなど
を用いることができる。
する面には剥離層４４と接着剤層４５が２層になって形
成されている。一時保持用部材４３としては、ガラス基
板、石英ガラス基板、プラスチック基板などを用いるこ
とができ、一時保持用部材４３上の剥離層４４として
は、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例
えばポリビニルアルコール：ＰＶＡ）、ポリイミドなど
を用いることができる。
【００２４】また一時保持用部材４３の接着剤層４５と
しては紫外線（ＵＶ）硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、
熱可塑性接着剤のいずれかを用いることができる。一例
としては、一時保持用部材４３として石英ガラス基板を
用い、剥離層４４としてポリイミド膜５μｍを形成後、
接着剤層４５としてのＵＶ硬化型接着剤を約２０μｍ厚
で塗布する。
しては紫外線（ＵＶ）硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、
熱可塑性接着剤のいずれかを用いることができる。一例
としては、一時保持用部材４３として石英ガラス基板を
用い、剥離層４４としてポリイミド膜５μｍを形成後、
接着剤層４５としてのＵＶ硬化型接着剤を約２０μｍ厚
で塗布する。
【００２５】一時保持用部材４３の接着剤層４５は、硬
化した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するように
調整され、未硬化領域４５ｙに選択転写すべき発光ダイ
オード２２が位置するように位置合わせされる。硬化し
た領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するような調整
は、図示してはいないが、例えばＵＶ硬化型接着剤を露
光機にて選択的に２００μｍピッチでＵＶ露光し、発光
ダイオード２２を転写するところは未硬化でそれ以外は
硬化させてある状態にすればよい。
化した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するように
調整され、未硬化領域４５ｙに選択転写すべき発光ダイ
オード２２が位置するように位置合わせされる。硬化し
た領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するような調整
は、図示してはいないが、例えばＵＶ硬化型接着剤を露
光機にて選択的に２００μｍピッチでＵＶ露光し、発光
ダイオード２２を転写するところは未硬化でそれ以外は
硬化させてある状態にすればよい。
【００２６】このようなアライメントの後、転写対象位
置の発光ダイオード２２に対し、図２４に示すようにレ
ーザ光４６を第一基板３０の裏面から照射し、その発光
ダイオード２２を第一基板３０からレーザアブレーショ
ンを利用して剥離する。ＧａＮ系の発光ダイオード２２
はサファイアとの界面で金属のＧａと窒素に分解するこ
とから、比較的簡単に剥離できる。照射するレーザ光４
６としてはエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザなどが
用いられる。
置の発光ダイオード２２に対し、図２４に示すようにレ
ーザ光４６を第一基板３０の裏面から照射し、その発光
ダイオード２２を第一基板３０からレーザアブレーショ
ンを利用して剥離する。ＧａＮ系の発光ダイオード２２
はサファイアとの界面で金属のＧａと窒素に分解するこ
とから、比較的簡単に剥離できる。照射するレーザ光４
６としてはエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザなどが
用いられる。
【００２７】このレーザアブレーションを利用した剥離
によって、選択照射にかかる発光ダイオード２２はＧａ
Ｎ層と第一基板３０の界面で分離し、図２５に示すよう
に、反対側の接着剤層４５にｐ電極部分を突き刺すよう
にして転写される。他のレーザが照射されない領域の発
光ダイオード２２については、対応する接着剤層４５の
部分が硬化した領域４５ｓであり、レーザも照射されて
いないために、一時保持用部材４３側に転写されること
はない。
によって、選択照射にかかる発光ダイオード２２はＧａ
Ｎ層と第一基板３０の界面で分離し、図２５に示すよう
に、反対側の接着剤層４５にｐ電極部分を突き刺すよう
にして転写される。他のレーザが照射されない領域の発
光ダイオード２２については、対応する接着剤層４５の
部分が硬化した領域４５ｓであり、レーザも照射されて
いないために、一時保持用部材４３側に転写されること
はない。
【００２８】なお、図２４では１つの発光ダイオード２
２だけが選択的にレーザ照射されているが、ｎピッチ分
だけ離間した領域においても同様に発光ダイオード２２
はレーザ照射されているものとする。このような選択的
な転写によって、図２５に示すように、発光ダイオード
２２が第一基板３０上に配列されている時よりも更に離
間して一時保持用部材４３上に配列される。
２だけが選択的にレーザ照射されているが、ｎピッチ分
だけ離間した領域においても同様に発光ダイオード２２
はレーザ照射されているものとする。このような選択的
な転写によって、図２５に示すように、発光ダイオード
２２が第一基板３０上に配列されている時よりも更に離
間して一時保持用部材４３上に配列される。
【００２９】発光ダイオード２２は一時保持用部材４３
の接着剤層４５に保持された状態で、発光ダイオード２
２の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、
発光ダイオード２２の裏面には樹脂（接着剤）がないよ
うに除去、洗浄されているため、図２５に示すように電
極パッド２７を形成すれば、電極パッド２７は発光ダイ
オード２２の裏面と電気的に接続される。
の接着剤層４５に保持された状態で、発光ダイオード２
２の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、
発光ダイオード２２の裏面には樹脂（接着剤）がないよ
うに除去、洗浄されているため、図２５に示すように電
極パッド２７を形成すれば、電極パッド２７は発光ダイ
オード２２の裏面と電気的に接続される。
【００３０】接着剤層４５は例えば酸素プラズマで接着
剤用樹脂をエッチング、ＵＶオゾン照射にて洗浄する。
かつ、レーザにてＧａＮ系発光ダイオードをサファイア
基板からなる第一基板３０から剥離したときには、その
剥離面にＧａが析出しているため、そのＧａをエッチン
グすることが必要であり、ＮａＯＨ水溶液もしくは希硝
酸で行うことになる。その後、電極パッド２７をパター
ニングする。
剤用樹脂をエッチング、ＵＶオゾン照射にて洗浄する。
かつ、レーザにてＧａＮ系発光ダイオードをサファイア
基板からなる第一基板３０から剥離したときには、その
剥離面にＧａが析出しているため、そのＧａをエッチン
グすることが必要であり、ＮａＯＨ水溶液もしくは希硝
酸で行うことになる。その後、電極パッド２７をパター
ニングする。
【００３１】このときのカソード側の電極パッドは約６
０μｍ角とすることができる。電極パッド２７としては
透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）若しくはＴｉ／Ａｌ
／Ｐｔ／Ａｕなどの材料を用いる。透明電極の場合は発
光ダイオードの裏面を大きく覆っても発光をさえぎるこ
とがないので、パターニング精度が粗く、図２２、２３
に示したように大きな電極形成ができ、パターニングプ
ロセスが容易になる。
０μｍ角とすることができる。電極パッド２７としては
透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）若しくはＴｉ／Ａｌ
／Ｐｔ／Ａｕなどの材料を用いる。透明電極の場合は発
光ダイオードの裏面を大きく覆っても発光をさえぎるこ
とがないので、パターニング精度が粗く、図２２、２３
に示したように大きな電極形成ができ、パターニングプ
ロセスが容易になる。
【００３２】上記電極パッド１６の形成の後、ダイシン
グプロセスにより発光ダイオード２２毎に硬化した接着
剤層４５を分断し、図２２及び図２３のように各発光ダ
イオード２２に対応した樹脂形成チップとする。そのダ
イシングプロセスは、機械的手段を用いたダイシング、
或いはレーザビームを用いたレーザダイシングにより行
う。ダイシングによる切り込み幅は画像表示装置の画素
内の接着剤層４５で覆われた発光ダイオード２２の大き
さに依存するが、例えば２０μｍ以下の幅の狭い切り込
みが必要なときには、上記レーザビームを用いたレーザ
による加工を行うことが必要である。レーザビームとし
ては、エキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガス
レーザ等を用いることができる。
グプロセスにより発光ダイオード２２毎に硬化した接着
剤層４５を分断し、図２２及び図２３のように各発光ダ
イオード２２に対応した樹脂形成チップとする。そのダ
イシングプロセスは、機械的手段を用いたダイシング、
或いはレーザビームを用いたレーザダイシングにより行
う。ダイシングによる切り込み幅は画像表示装置の画素
内の接着剤層４５で覆われた発光ダイオード２２の大き
さに依存するが、例えば２０μｍ以下の幅の狭い切り込
みが必要なときには、上記レーザビームを用いたレーザ
による加工を行うことが必要である。レーザビームとし
ては、エキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガス
レーザ等を用いることができる。
【００３３】図２６は一時保持用部材４４から発光ダイ
オード２２を第二の一時保持用部材４７に転写して、ア
ノード電極（ｐ電極）側のビアホール５０を形成した
後、アノード側電極パッド２６を形成し、樹脂からなる
接着剤層４５を樹脂チップ２４にダイシングした状態を
示している。
オード２２を第二の一時保持用部材４７に転写して、ア
ノード電極（ｐ電極）側のビアホール５０を形成した
後、アノード側電極パッド２６を形成し、樹脂からなる
接着剤層４５を樹脂チップ２４にダイシングした状態を
示している。
【００３４】このダイシングの結果、素子分離溝５１が
形成され、発光ダイオード２２は素子ごとに区分けされ
たものになる。素子分離溝５１はマトリクス状の各発光
ダイオード２２を分離するため、平面パターンとしては
縦横に延長された複数の平行線からなる。素子分離溝５
１の底部では第二の一時保持用部材４７の表面が臨む。
第二の一時保持用部材４７は、例えばプラスチック基板
にＵＶ粘着材が塗布してある、いわゆるダイシングシー
トであり、ＵＶが照射されると粘着力が低下するものを
利用できる。
形成され、発光ダイオード２２は素子ごとに区分けされ
たものになる。素子分離溝５１はマトリクス状の各発光
ダイオード２２を分離するため、平面パターンとしては
縦横に延長された複数の平行線からなる。素子分離溝５
１の底部では第二の一時保持用部材４７の表面が臨む。
第二の一時保持用部材４７は、例えばプラスチック基板
にＵＶ粘着材が塗布してある、いわゆるダイシングシー
トであり、ＵＶが照射されると粘着力が低下するものを
利用できる。
【００３５】このプロセスの例として、接着剤層４５の
表面を酸素プラズマで発光ダイオード２２の表面が露出
してくるまでエッチングする。ビアホール５０の形成
は、やはりエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸
ガスレーザなどを用いて行う。このとき、ビアホールは
約３〜７μｍの径を開けることになる。アノード側電極
パッドはＮｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成する。ダイシング
プロセスは上記の通り、レーザビームを用いたダイシン
グにより行う。その切り込み幅は画像表示装置の画素内
の樹脂からなる接着剤層３５で覆われた発光ダイオード
２２の大きさに依存する。一例として、エキシマレーザ
にて幅約４０μｍの溝加工を行いチップの形状を形成す
る。
表面を酸素プラズマで発光ダイオード２２の表面が露出
してくるまでエッチングする。ビアホール５０の形成
は、やはりエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸
ガスレーザなどを用いて行う。このとき、ビアホールは
約３〜７μｍの径を開けることになる。アノード側電極
パッドはＮｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成する。ダイシング
プロセスは上記の通り、レーザビームを用いたダイシン
グにより行う。その切り込み幅は画像表示装置の画素内
の樹脂からなる接着剤層３５で覆われた発光ダイオード
２２の大きさに依存する。一例として、エキシマレーザ
にて幅約４０μｍの溝加工を行いチップの形状を形成す
る。
【００３６】次に、図２７に示すように機械的手段を用
いて発光ダイオード２２（樹脂チップ２４）が第二の一
時保持用部材３７から剥離される。このとき、第二の一
時保持用部材４７上には剥離層４８が形成されている。
この剥離層４８は例えばフッ素コート、シリコーン樹
脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、ポリイミドなどを
用いて形成することができる。このような剥離層４８を
形成した一時保持部材４７の裏面から例えばＹＡＧ第３
高調波レーザを照射する。これにより、例えば剥離層４
８としてポリイミドを用いた場合は、ポリイミドと石英
基板の界面でポリイミドのアブレーションにより剥離が
発生して、各発光ダイオード２２は第二の一時保持部材
４７から上記機械的手段により容易に剥離可能となる。
いて発光ダイオード２２（樹脂チップ２４）が第二の一
時保持用部材３７から剥離される。このとき、第二の一
時保持用部材４７上には剥離層４８が形成されている。
この剥離層４８は例えばフッ素コート、シリコーン樹
脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、ポリイミドなどを
用いて形成することができる。このような剥離層４８を
形成した一時保持部材４７の裏面から例えばＹＡＧ第３
高調波レーザを照射する。これにより、例えば剥離層４
８としてポリイミドを用いた場合は、ポリイミドと石英
基板の界面でポリイミドのアブレーションにより剥離が
発生して、各発光ダイオード２２は第二の一時保持部材
４７から上記機械的手段により容易に剥離可能となる。
【００３７】図２７は、第二の一時保持用部材４７上に
配列している発光ダイオード２２を吸着装置５３でピッ
クアップする状態を示した図である。このときの吸着孔
５５は画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口
していて、発光ダイオード２２を多数個、一括で吸着で
きるようになっている。このときの開口径は、例えば約
φ１００μｍで６００μｍピッチのマトリクス状に開口
されて、一括で約３００個を吸着できる。
配列している発光ダイオード２２を吸着装置５３でピッ
クアップする状態を示した図である。このときの吸着孔
５５は画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口
していて、発光ダイオード２２を多数個、一括で吸着で
きるようになっている。このときの開口径は、例えば約
φ１００μｍで６００μｍピッチのマトリクス状に開口
されて、一括で約３００個を吸着できる。
【００３８】この吸着孔５５の部材は例えば、Ｎｉ電鋳
により作製したもの、もしくはステンレス（ＳＵＳ）な
どの金属板５２をエッチングで穴加工したものが使用さ
れ、金属板５２の吸着孔５５の奥には、吸着チャンバ５
４が形成されており、この吸着チャンバ５４を負圧に制
御することで発光ダイオード２２の吸着が可能になる。
発光ダイオード２２はこの段階では接着剤層４５で覆わ
れており、その上面は略平坦化されており、このために
吸着装置５３による選択的な吸着を容易に進めることが
できる。
により作製したもの、もしくはステンレス（ＳＵＳ）な
どの金属板５２をエッチングで穴加工したものが使用さ
れ、金属板５２の吸着孔５５の奥には、吸着チャンバ５
４が形成されており、この吸着チャンバ５４を負圧に制
御することで発光ダイオード２２の吸着が可能になる。
発光ダイオード２２はこの段階では接着剤層４５で覆わ
れており、その上面は略平坦化されており、このために
吸着装置５３による選択的な吸着を容易に進めることが
できる。
【００３９】図２８は発光ダイオード２２を第二基板６
０に転写するところを示した図である。第二基板６０に
装着する際に第二基板６０に予め接着剤層５６が塗布さ
れており、その発光ダイオード２２下面の接着剤層５６
を硬化させ、発光ダイオード２２を第二基板６０に固着
して配列させることができる。この装着時には、吸着装
置５３の吸着チャンバ５４が圧力の高い状態となり、吸
着装置５３と発光ダイオード２２との吸着による結合が
解除され、発光ダイオード２２は第二基板６０側に転写
される。接着剤層５６はＵＶ硬化型接着剤、熱硬化性接
着剤、熱可塑性接着剤などによって構成することができ
る。
０に転写するところを示した図である。第二基板６０に
装着する際に第二基板６０に予め接着剤層５６が塗布さ
れており、その発光ダイオード２２下面の接着剤層５６
を硬化させ、発光ダイオード２２を第二基板６０に固着
して配列させることができる。この装着時には、吸着装
置５３の吸着チャンバ５４が圧力の高い状態となり、吸
着装置５３と発光ダイオード２２との吸着による結合が
解除され、発光ダイオード２２は第二基板６０側に転写
される。接着剤層５６はＵＶ硬化型接着剤、熱硬化性接
着剤、熱可塑性接着剤などによって構成することができ
る。
【００４０】発光ダイオード２２が配置される位置は、
一時保持用部材４３、４７上での配列よりも離間したも
のとなる。そのとき接着剤層５６の樹脂を硬化させるエ
ネルギーは第二基板６０の裏面から矢印で示すように供
給される。ＵＶ硬化型接着剤の場合はＵＶ照射装置に
て、熱硬化性接着剤の場合はレーザにて発光ダイオード
２２の下面のみ硬化させ、熱可塑性接着剤場合は、同様
にレーザ照射にて接着剤を溶融させて接着を行う。
一時保持用部材４３、４７上での配列よりも離間したも
のとなる。そのとき接着剤層５６の樹脂を硬化させるエ
ネルギーは第二基板６０の裏面から矢印で示すように供
給される。ＵＶ硬化型接着剤の場合はＵＶ照射装置に
て、熱硬化性接着剤の場合はレーザにて発光ダイオード
２２の下面のみ硬化させ、熱可塑性接着剤場合は、同様
にレーザ照射にて接着剤を溶融させて接着を行う。
【００４１】また、第二基板６０上にシャドウマスクと
しても機能する電極層５７を配設し、特に電極層５７の
画面側の表面、即ちこの表示装置を見る人がいる側の面
に黒クロム層５８を形成する。このようにすることで画
像のコントラストを向上させることができると共に、黒
クロム層５８でのエネルギー吸収率を高くして、選択的
に照射されるビーム７３によって接着剤層５６が早く硬
化するようにすることができる。この転写時のＵＶ照射
としては、ＵＶ硬化型接着剤の場合は約１０００ｍＪ／
ｃｍ2を照射する。
しても機能する電極層５７を配設し、特に電極層５７の
画面側の表面、即ちこの表示装置を見る人がいる側の面
に黒クロム層５８を形成する。このようにすることで画
像のコントラストを向上させることができると共に、黒
クロム層５８でのエネルギー吸収率を高くして、選択的
に照射されるビーム７３によって接着剤層５６が早く硬
化するようにすることができる。この転写時のＵＶ照射
としては、ＵＶ硬化型接着剤の場合は約１０００ｍＪ／
ｃｍ2を照射する。
【００４２】図２９はＲ、Ｇ、Ｂの３色の発光ダイオー
ド２２、６１、６２を第二基板６０に配列させ絶縁層５
９を塗布した状態を示す図である。図２８で用いた吸着
装置５３をそのまま使用して、第二基板６０にマウント
する位置をその色の位置にずらすだけでマウントする
と、画素としてのピッチは一定のまま３色からなる画素
を形成できる。絶縁層５９としては透明エポキシ接着
剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミドなどを用いることが
できる。３色の発光ダイオード２２、６１、６２は必ず
しも同じ形状でなくともよい。
ド２２、６１、６２を第二基板６０に配列させ絶縁層５
９を塗布した状態を示す図である。図２８で用いた吸着
装置５３をそのまま使用して、第二基板６０にマウント
する位置をその色の位置にずらすだけでマウントする
と、画素としてのピッチは一定のまま３色からなる画素
を形成できる。絶縁層５９としては透明エポキシ接着
剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミドなどを用いることが
できる。３色の発光ダイオード２２、６１、６２は必ず
しも同じ形状でなくともよい。
【００４３】図２９では赤色の発光ダイオード６１が六
角錐のＧａＮ層を有しない構造とされ、他の発光ダイオ
ード２２、６２とその形状が異なっているが、この段階
では各発光ダイオード２２、６１、６２は既に樹脂チッ
プとして樹脂４３で覆われており、素子構造の違いにも
かかわらず同一の取り扱いが実現される。
角錐のＧａＮ層を有しない構造とされ、他の発光ダイオ
ード２２、６２とその形状が異なっているが、この段階
では各発光ダイオード２２、６１、６２は既に樹脂チッ
プとして樹脂４３で覆われており、素子構造の違いにも
かかわらず同一の取り扱いが実現される。
【００４４】次に、図３０に示すように、発光ダイオー
ド２２の電極パッド２６、２７や第二基板６０上の電極
層５７に対応して、これらを電気的に接続するために開
口部（ビアホール）６５、６６、６７、６８、６９、７
０を形成し、さらに配線を形成する。この開口部の形成
も例えばレーザビームを用いて行う。
ド２２の電極パッド２６、２７や第二基板６０上の電極
層５７に対応して、これらを電気的に接続するために開
口部（ビアホール）６５、６６、６７、６８、６９、７
０を形成し、さらに配線を形成する。この開口部の形成
も例えばレーザビームを用いて行う。
【００４５】このときに形成する開口部即ちビアホール
は、発光ダイオード２２、６１、６２の電極パッド２
６、２７の面積を大きくしているので、ビアホール形状
は大きく、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに
直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成でき
る。例えば、このビアホールは約６０μｍ角の電極パッ
ド１６、４９に対し、約φ２０μｍのものを形成でき
る。また、ビアホールの深さは配線基板と接続するも
の、アノード電極と接続するもの、カソード電極と接続
するものの３種類の深さがあるので、形成に当たっては
例えばレーザのパルス数でこれを制御し、最適な深さを
開口する。
は、発光ダイオード２２、６１、６２の電極パッド２
６、２７の面積を大きくしているので、ビアホール形状
は大きく、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに
直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成でき
る。例えば、このビアホールは約６０μｍ角の電極パッ
ド１６、４９に対し、約φ２０μｍのものを形成でき
る。また、ビアホールの深さは配線基板と接続するも
の、アノード電極と接続するもの、カソード電極と接続
するものの３種類の深さがあるので、形成に当たっては
例えばレーザのパルス数でこれを制御し、最適な深さを
開口する。
【００４６】絶縁層５９に開口部６５、６６、６７、６
８、６９、７０を形成した後、発光ダイオード２２、６
１、６２のアノード、カソードの電極パッドと第二基板
６０の配線用の電極層５７を接続する配線６３、６４、
７１を形成する。その後、保護層を配線上に形成し、画
像表示装置のパネルは完成する。このときの保護層は図
２９の絶縁層５９と同様、透明エポキシ接着剤などの材
料が使用できる。この保護層は加熱硬化し配線を完全に
覆う。この後、パネル端部の配線からドライバーＩＣを
接続して駆動パネルを製作することになる。
８、６９、７０を形成した後、発光ダイオード２２、６
１、６２のアノード、カソードの電極パッドと第二基板
６０の配線用の電極層５７を接続する配線６３、６４、
７１を形成する。その後、保護層を配線上に形成し、画
像表示装置のパネルは完成する。このときの保護層は図
２９の絶縁層５９と同様、透明エポキシ接着剤などの材
料が使用できる。この保護層は加熱硬化し配線を完全に
覆う。この後、パネル端部の配線からドライバーＩＣを
接続して駆動パネルを製作することになる。
【００４７】上述のような発光素子の配列方法において
は、図２５に示したように、一時保持用部材４３に発光
ダイオード２２を保持させた時点で既に、素子間の距離
が大きくされ、その広がった間隔を利用して比較的サイ
ズの大きい電極パッド２６、２７などを設けることが可
能となる。それら比較的サイズの大きな電極パッド２
６、２７を利用した配線が行われるために、素子サイズ
に比較して最終的な装置のサイズが著しく大きな場合で
あっても容易に配線を形成できる。
は、図２５に示したように、一時保持用部材４３に発光
ダイオード２２を保持させた時点で既に、素子間の距離
が大きくされ、その広がった間隔を利用して比較的サイ
ズの大きい電極パッド２６、２７などを設けることが可
能となる。それら比較的サイズの大きな電極パッド２
６、２７を利用した配線が行われるために、素子サイズ
に比較して最終的な装置のサイズが著しく大きな場合で
あっても容易に配線を形成できる。
【００４８】また、本例の発光素子の配列方法では、発
光ダイオード２２の周囲が硬化した接着剤層４５で被覆
され、平坦化によって精度良く電極パッド２６、２７を
形成できるとともに素子に比べて広い領域に電極パッド
２６、２７を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸
着治具で進める場合には取り扱いが容易になる。
光ダイオード２２の周囲が硬化した接着剤層４５で被覆
され、平坦化によって精度良く電極パッド２６、２７を
形成できるとともに素子に比べて広い領域に電極パッド
２６、２７を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸
着治具で進める場合には取り扱いが容易になる。
【００４９】上記したように、先願発明は、発光素子を
絶縁性材料に埋め込むことにより、取り扱い易い大きさ
に再形成しモジュール化しているので、製造コストを抑
えながら、ハンドリング性を確保することができる。例
えば、表示素子の搬送なども容易であり、このモジュー
ル化された表示素子の表面に発光素子の駆動電極が引き
出し形成されているので、基体上に形成された電源線や
信号線などを簡単にこれら駆動電極と接続することがで
き、基体への実装も極めて容易である。
絶縁性材料に埋め込むことにより、取り扱い易い大きさ
に再形成しモジュール化しているので、製造コストを抑
えながら、ハンドリング性を確保することができる。例
えば、表示素子の搬送なども容易であり、このモジュー
ル化された表示素子の表面に発光素子の駆動電極が引き
出し形成されているので、基体上に形成された電源線や
信号線などを簡単にこれら駆動電極と接続することがで
き、基体への実装も極めて容易である。
【００５０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、先願発
明は、上記した如き特長を有しているが、なお改善すべ
き問題点が存在することが判明した。
明は、上記した如き特長を有しているが、なお改善すべ
き問題点が存在することが判明した。
【００５１】即ち、先願発明による発光素子が絶縁層に
埋設された状態では特性の検査はできない設計、構造で
あるため、その状態での点灯検査が行えず、ＬＥＤの輝
度バラツキや絶縁材に埋設状態においてはパッド電極の
不良の有無等の情報が得られなかった。そのため製品化
後に点灯しない又は輝度が不均一な場合は製品を廃棄せ
ざるを得ず、歩留りを低下させる結果を招いていた。
埋設された状態では特性の検査はできない設計、構造で
あるため、その状態での点灯検査が行えず、ＬＥＤの輝
度バラツキや絶縁材に埋設状態においてはパッド電極の
不良の有無等の情報が得られなかった。そのため製品化
後に点灯しない又は輝度が不均一な場合は製品を廃棄せ
ざるを得ず、歩留りを低下させる結果を招いていた。
【００５２】そこで、本発明の目的は、先願発明の特長
を保持しながら、回路素子の製品化以前の状態での回路
素子の検査方法及びその検査構造、回路素子内蔵基板及
びその製造方法、並びに電気回路装置及びその製造方法
を提供することにある。
を保持しながら、回路素子の製品化以前の状態での回路
素子の検査方法及びその検査構造、回路素子内蔵基板及
びその製造方法、並びに電気回路装置及びその製造方法
を提供することにある。
【００５３】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、絶縁材
に回路素子を埋設した状態でこの回路素子の電極に接続
した配線を検査用端子まで延設し、前記検査用端子を介
して前記回路素子の特性を検査する、回路素子の検査方
法（以下、本発明の検査方法と称する。）に係るもので
ある。
に回路素子を埋設した状態でこの回路素子の電極に接続
した配線を検査用端子まで延設し、前記検査用端子を介
して前記回路素子の特性を検査する、回路素子の検査方
法（以下、本発明の検査方法と称する。）に係るもので
ある。
【００５４】本発明の検査方法によれば、絶縁材に回路
素子を埋設した状態で、この回路素子の電極に接続した
配線を検査用端子まで延設し、この検査用端子を介して
検査するので、半製品の如き状態で検査することによ
り、製品化以前の段階で回路素子の特性の情報が得ら
れ、特性の均一化された回路素子を選択することができ
る。
素子を埋設した状態で、この回路素子の電極に接続した
配線を検査用端子まで延設し、この検査用端子を介して
検査するので、半製品の如き状態で検査することによ
り、製品化以前の段階で回路素子の特性の情報が得ら
れ、特性の均一化された回路素子を選択することができ
る。
【００５５】また、本発明は、絶縁材に回路素子が埋設
された状態でこの回路素子の電極に接続した配線が前記
回路素子特性検査用端子まで延設されている、回路素子
の検査構造（以下、本発明の検査構造と称する。）に係
るものである。
された状態でこの回路素子の電極に接続した配線が前記
回路素子特性検査用端子まで延設されている、回路素子
の検査構造（以下、本発明の検査構造と称する。）に係
るものである。
【００５６】本発明の検査構造によれば、上記した本発
明の検査方法に基づく構造であるので、本発明の検査方
法と同様の効果が奏せられる検査構造を提供することが
できる。
明の検査方法に基づく構造であるので、本発明の検査方
法と同様の効果が奏せられる検査構造を提供することが
できる。
【００５７】また、本発明は、上記した検査構造が基板
上に設けられている、回路素子内蔵基板（以下、本発明
の回路素子内蔵基板と称する。）に係るものである。
上に設けられている、回路素子内蔵基板（以下、本発明
の回路素子内蔵基板と称する。）に係るものである。
【００５８】本発明の回路素子の内蔵基板によれば、上
記した本発明の検査構造が基板上に設けられているの
で、本発明の検査方法によって十分に特性検査された回
路素子が内蔵され、本発明の検査方法と同様な効果が奏
せられる回路素子内蔵基板を提供することができる。
記した本発明の検査構造が基板上に設けられているの
で、本発明の検査方法によって十分に特性検査された回
路素子が内蔵され、本発明の検査方法と同様な効果が奏
せられる回路素子内蔵基板を提供することができる。
【００５９】また、本発明は、上記した回路素子内蔵基
板を製造するに際し、回路素子を絶縁材に埋設させる工
程と、前記回路素子の埋設面とは反対側の前記絶縁材面
を第１保持用部材に接着する工程と、前記第１保持用部
材から、前記回路素子を埋設した前記絶縁材を分離した
後に、前記回路素子の一方の電極の取り出し用配線を設
け、かつこの配線を一方の検査用端子まで延設する工程
と、前記回路素子の他方の電極に取り出し用配線を設
け、かつこの配線を他方の検査用端子まで延設する工程
とを有する、回路素子内蔵基板の製造方法（以下、本発
明の回路素子内蔵基板の製造方法と称する。）に係るも
のである。
板を製造するに際し、回路素子を絶縁材に埋設させる工
程と、前記回路素子の埋設面とは反対側の前記絶縁材面
を第１保持用部材に接着する工程と、前記第１保持用部
材から、前記回路素子を埋設した前記絶縁材を分離した
後に、前記回路素子の一方の電極の取り出し用配線を設
け、かつこの配線を一方の検査用端子まで延設する工程
と、前記回路素子の他方の電極に取り出し用配線を設
け、かつこの配線を他方の検査用端子まで延設する工程
とを有する、回路素子内蔵基板の製造方法（以下、本発
明の回路素子内蔵基板の製造方法と称する。）に係るも
のである。
【００６０】本発明の回路素子内蔵基板の製造方法によ
れば、上記した本発明の検査構造を有する回路素子内蔵
基板が得られるので、それと同様の効果が奏せられる再
現性の良い回路素子内蔵基板の製造方法を提供すること
ができる。
れば、上記した本発明の検査構造を有する回路素子内蔵
基板が得られるので、それと同様の効果が奏せられる再
現性の良い回路素子内蔵基板の製造方法を提供すること
ができる。
【００６１】また、本発明は、回路素子が絶縁材に埋設
され、前記回路素子の電極に接続した配線が前記絶縁材
の側端にまで延設されてここに露呈しており、前記配線
が更に配線回路基板に接続されている電気回路装置（以
下、本発明の電気回路装置と称する。）に係るものであ
る。
され、前記回路素子の電極に接続した配線が前記絶縁材
の側端にまで延設されてここに露呈しており、前記配線
が更に配線回路基板に接続されている電気回路装置（以
下、本発明の電気回路装置と称する。）に係るものであ
る。
【００６２】本発明の電気回路装置によれば、回路素子
が上記した本発明の検査構造に基づいて形成されるの
で、上記した本発明の検査方法によって十分に特性を検
査することができ、同様の効果が奏せられる回路素子を
有する電気回路装置を提供することができる。
が上記した本発明の検査構造に基づいて形成されるの
で、上記した本発明の検査方法によって十分に特性を検
査することができ、同様の効果が奏せられる回路素子を
有する電気回路装置を提供することができる。
【００６３】また、本発明は、上記した本発明の検査構
造の回路素子を有する電気回路装置を製造するに際し、
上記した検査構造の製造方法によって回路素子内蔵基板
を得る工程と、前記検査用端子を介して前記回路素子の
特性を検査する工程と、前記検査後に、前記電極と前記
検査用端子との間を切断して、前記回路素子を埋設した
前記絶縁材をチップ化する工程と、前記チップを配線回
路基板に固定する工程と、前記配線を前記配線回路基板
に接続する工程とを有する、電気回路装置の製造方法
（以下、本発明の電気回路装置の製造方法と称する。）
に係るものである。
造の回路素子を有する電気回路装置を製造するに際し、
上記した検査構造の製造方法によって回路素子内蔵基板
を得る工程と、前記検査用端子を介して前記回路素子の
特性を検査する工程と、前記検査後に、前記電極と前記
検査用端子との間を切断して、前記回路素子を埋設した
前記絶縁材をチップ化する工程と、前記チップを配線回
路基板に固定する工程と、前記配線を前記配線回路基板
に接続する工程とを有する、電気回路装置の製造方法
（以下、本発明の電気回路装置の製造方法と称する。）
に係るものである。
【００６４】本発明の電気回路装置の製造方法によれ
ば、上記した検査構造の回路素子が上記した検査方法に
より特性の検査後に、チップ化されて配線回路基板に接
続されるので、上記検査方法と同様の効果が奏せられる
再現性の良い電気回路装置の製造方法を提供することが
できる。
ば、上記した検査構造の回路素子が上記した検査方法に
より特性の検査後に、チップ化されて配線回路基板に接
続されるので、上記検査方法と同様の効果が奏せられる
再現性の良い電気回路装置の製造方法を提供することが
できる。
【００６５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を説明する。
態を説明する。
【００６６】上記した本発明の検査方法、検査構造、回
路素子内蔵基板、回路素子内蔵基板の製造方法、電気回
路装置及び電気回路装置の製造方法においては、前記絶
縁材上に、前記回路素子を埋設した側の面に前記回路素
子の一方の電極の取り出し用配線を設け、他方側の面に
前記回路素子の他方の電極の取り出し用配線を設け、更
にこれらの取り出し用配線を前記絶縁材の端部の前記検
査用端子まで延設し、前記検査用端子にプロービング端
子を接触して検査することが望ましい。
路素子内蔵基板、回路素子内蔵基板の製造方法、電気回
路装置及び電気回路装置の製造方法においては、前記絶
縁材上に、前記回路素子を埋設した側の面に前記回路素
子の一方の電極の取り出し用配線を設け、他方側の面に
前記回路素子の他方の電極の取り出し用配線を設け、更
にこれらの取り出し用配線を前記絶縁材の端部の前記検
査用端子まで延設し、前記検査用端子にプロービング端
子を接触して検査することが望ましい。
【００６７】そして、前記検査後に、前記電極と前記検
査用端子との間を切断して、前記回路素子を埋設した前
記絶縁材をチップ化することが望ましい。
査用端子との間を切断して、前記回路素子を埋設した前
記絶縁材をチップ化することが望ましい。
【００６８】この場合、前記検査用端子の正極及び負極
を前記絶縁材の同一側縁に設けてもよく、前記検査用端
子の正極及び負極を前記絶縁材の異なる側縁にそれぞれ
設けてもよい。
を前記絶縁材の同一側縁に設けてもよく、前記検査用端
子の正極及び負極を前記絶縁材の異なる側縁にそれぞれ
設けてもよい。
【００６９】そして、前記検査用端子の正極及び負極を
同一側縁に設ける場合は、前記一方の電極に接続した配
線と、前記他方の電極に接続した配線とを同一の絶縁材
に設けることが望ましい。
同一側縁に設ける場合は、前記一方の電極に接続した配
線と、前記他方の電極に接続した配線とを同一の絶縁材
に設けることが望ましい。
【００７０】また、前記検査用端子の正極と負極とを異
なる側縁に設ける場合は、前記一方の電極に接続した配
線と、前記他方の電極に接続した配線上に絶縁層を形成
し、この絶縁層上に前記検査用端子を設けることが望ま
しい。
なる側縁に設ける場合は、前記一方の電極に接続した配
線と、前記他方の電極に接続した配線上に絶縁層を形成
し、この絶縁層上に前記検査用端子を設けることが望ま
しい。
【００７１】そして、回路素子を基体から転写し、前記
絶縁材に埋設した前記回路素子の特性を検査することが
望ましい。
絶縁材に埋設した前記回路素子の特性を検査することが
望ましい。
【００７２】この場合、前記転写前に、前記回路素子を
埋設した前記絶縁材を前記基体に保持させることが望ま
しい。
埋設した前記絶縁材を前記基体に保持させることが望ま
しい。
【００７３】そして、前記回路素子の特性をライン毎又
は／及び個別に検査し、発光素子である回路素子の点灯
検査を行うことができる。
は／及び個別に検査し、発光素子である回路素子の点灯
検査を行うことができる。
【００７４】これにより、前記絶縁材上に設けた絶縁層
を介して、前記配線が前記回路配線基板に導かれている
画像表示装置又は光源装置に用いられる前記発光素子の
点灯検査を良好に行うことができる。
を介して、前記配線が前記回路配線基板に導かれている
画像表示装置又は光源装置に用いられる前記発光素子の
点灯検査を良好に行うことができる。
【００７５】上記した本発明の好ましい実施の形態を具
体的に説明する。
体的に説明する。
【００７６】図１（ａ）は実施の形態１、図１（ｂ）は
実施の形態２を示し、いずれも延設配線及び検査用端子
の模式図を示す。これらの図においてチップ領域２４Ａ
は、既述した図２２及び図２３の樹脂チップ２４として
切り出す前の状態を示している。なお、これらの図にお
いて電極パッド１６（既述の２７に対応）、電極パッド
４９（既述の２６に対応）の形状は図２２及び図２３と
同一形状に図示している。また、実施の形態２とことわ
り書きがない限り、実施の形態１の例として説明する。
実施の形態２を示し、いずれも延設配線及び検査用端子
の模式図を示す。これらの図においてチップ領域２４Ａ
は、既述した図２２及び図２３の樹脂チップ２４として
切り出す前の状態を示している。なお、これらの図にお
いて電極パッド１６（既述の２７に対応）、電極パッド
４９（既述の２６に対応）の形状は図２２及び図２３と
同一形状に図示している。また、実施の形態２とことわ
り書きがない限り、実施の形態１の例として説明する。
【００７７】実施の形態１は図１（ａ）に示すように、
検査用端子（＋）１及び検査用端子（−）２を絶縁材の
同一側縁に設けた例であり、各チップ領域２４Ａに形成
した電極パッド４９から配線３ｂを、電極パッド１６か
ら配線３ａをそれぞれ延設し、延設配線が検査用端子１
又は２まで導かれている。チップ領域には電極パッド１
６、４９が接続される発光素子（以下、発光ダイオード
と称することがある。）が存在しているが、図示省略し
ている。図１（ｂ）も同様。
検査用端子（＋）１及び検査用端子（−）２を絶縁材の
同一側縁に設けた例であり、各チップ領域２４Ａに形成
した電極パッド４９から配線３ｂを、電極パッド１６か
ら配線３ａをそれぞれ延設し、延設配線が検査用端子１
又は２まで導かれている。チップ領域には電極パッド１
６、４９が接続される発光素子（以下、発光ダイオード
と称することがある。）が存在しているが、図示省略し
ている。図１（ｂ）も同様。
【００７８】また、実施の形態２は図１（ｂ）に示すよ
うに、検査用端子（＋）１及び検査用端子（−）２を絶
縁材の異なる側縁に設けた例であり、図１（ａ）と同様
に各チップ領域２４Ａに形成した電極パッド４９から配
線３ｂを、電極パッド１６から配線３ａを夫々延設し、
延設配線が検査用端子１又は２まで導かれている。
うに、検査用端子（＋）１及び検査用端子（−）２を絶
縁材の異なる側縁に設けた例であり、図１（ａ）と同様
に各チップ領域２４Ａに形成した電極パッド４９から配
線３ｂを、電極パッド１６から配線３ａを夫々延設し、
延設配線が検査用端子１又は２まで導かれている。
【００７９】これらの製造工程を以下に説明するが、既
述した先願発明の製造工程と同一の工程（図２以前の工
程）は省略した。即ち、図２６以降の工程に対応する製
造工程で本実施の形態を説明する。
述した先願発明の製造工程と同一の工程（図２以前の工
程）は省略した。即ち、図２６以降の工程に対応する製
造工程で本実施の形態を説明する。
【００８０】即ち、先願発明における図１６〜２０の工
程を経て作製された発光ダイオード２２が、図２５に示
すように選択的なレーザ照射によって一時保持用部材４
３の接着材層４５に保持された状態を図２は示してい
る。
程を経て作製された発光ダイオード２２が、図２５に示
すように選択的なレーザ照射によって一時保持用部材４
３の接着材層４５に保持された状態を図２は示してい
る。
【００８１】図２に示すように、発光ダイオード２２が
第１の一時保持用部材４３の接着剤層４５に保持され、
発光ダイオード２２の裏面はｎ電極側（カソード電極
側）であるため、その裏面には樹脂（接着剤）がないよ
うに除去、洗浄されており、この面にカソード側のｎ電
極パッド１６を形成し、更にこの電極パッド１６から配
線３ａを延設して不図示の検査用端子へ導く。
第１の一時保持用部材４３の接着剤層４５に保持され、
発光ダイオード２２の裏面はｎ電極側（カソード電極
側）であるため、その裏面には樹脂（接着剤）がないよ
うに除去、洗浄されており、この面にカソード側のｎ電
極パッド１６を形成し、更にこの電極パッド１６から配
線３ａを延設して不図示の検査用端子へ導く。
【００８２】接着剤層４５の洗浄は先願発明と同様（図
２５参照）に、例えば酸素プラズマで接着剤用樹脂をエ
ッチング、ＵＶオゾン照射にて洗浄する。かつ、レーザ
にてＧａＮ系発光ダイオードをサファイア基板からなる
第一基板３０から剥離したときには、その剥離面にＧａ
が析出しているため、そのＧａをエッチングすることが
必要であり、ＮａＯＨ水溶液若しくは希硝酸で行う。
２５参照）に、例えば酸素プラズマで接着剤用樹脂をエ
ッチング、ＵＶオゾン照射にて洗浄する。かつ、レーザ
にてＧａＮ系発光ダイオードをサファイア基板からなる
第一基板３０から剥離したときには、その剥離面にＧａ
が析出しているため、そのＧａをエッチングすることが
必要であり、ＮａＯＨ水溶液若しくは希硝酸で行う。
【００８３】カソード側の電極パッドは約６０μｍ角と
することができる。電極パッド１６としては透明電極
（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）若しくはＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／
Ａｕなどの材料を用いる。透明電極は発光ダイオードの
発光をさえぎることがないので、パターニング精度が粗
く、大きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容
易になる
することができる。電極パッド１６としては透明電極
（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）若しくはＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／
Ａｕなどの材料を用いる。透明電極は発光ダイオードの
発光をさえぎることがないので、パターニング精度が粗
く、大きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容
易になる
【００８４】延設配線３ａを形成後、この面を図３に示
すように、接着剤層４８を介して第２の一時保持用部材
４７に接着する。続いて図４に示すように、この反対側
面の第１の一時保持用部材４３を分離する。
すように、接着剤層４８を介して第２の一時保持用部材
４７に接着する。続いて図４に示すように、この反対側
面の第１の一時保持用部材４３を分離する。
【００８５】図５は、一時保持用部材４３の剥離層４４
から発光ダイオード２２を剥離して第二の一時保持用部
材４７に転写し、アノード電極（ｐ電極）側のビアホー
ル５０を形成すると共に、カソード側の延設配線３ａを
第２の一時保持用部材４７の端部に露出させ、検査用端
子（−）２を形成した状態を示している。
から発光ダイオード２２を剥離して第二の一時保持用部
材４７に転写し、アノード電極（ｐ電極）側のビアホー
ル５０を形成すると共に、カソード側の延設配線３ａを
第２の一時保持用部材４７の端部に露出させ、検査用端
子（−）２を形成した状態を示している。
【００８６】次に、図６に示すように、ビアホール５０
上にアノード側のｐ電極パッド４９を形成し、更にこの
電極パッド４９の延設配線３ｂを設け、これを第２の一
時保持用部材４７の端部へ導き、この端部に検査用端子
（＋）１を形成する。
上にアノード側のｐ電極パッド４９を形成し、更にこの
電極パッド４９の延設配線３ｂを設け、これを第２の一
時保持用部材４７の端部へ導き、この端部に検査用端子
（＋）１を形成する。
【００８７】本実施の形態の発光ダイオード２２は、製
造過程のこの段階でそれぞれの点灯検査を行うものであ
り、図７はこの検査状態を示している。即ち、一方の検
査用端子１にプロービングパッドの端子５ａが、他方の
検査用端子２にプロービング端子５ｂを接触して検査が
行われる。これにより発光ダイオード２２をライン毎に
検査することができる。
造過程のこの段階でそれぞれの点灯検査を行うものであ
り、図７はこの検査状態を示している。即ち、一方の検
査用端子１にプロービングパッドの端子５ａが、他方の
検査用端子２にプロービング端子５ｂを接触して検査が
行われる。これにより発光ダイオード２２をライン毎に
検査することができる。
【００８８】上記のように図７（図１（ａ）のVII−VII
線断面相当）は実施の形態１を示すが、実施の形態２は
図８（図１（ｂ）のVIII−VIII線断面相当）のようにな
る。
線断面相当）は実施の形態１を示すが、実施の形態２は
図８（図１（ｂ）のVIII−VIII線断面相当）のようにな
る。
【００８９】即ち、実施の形態２は、前記例のように図
２の工程ではカソード側のｎ電極パッド１６は形成され
ず、図６の工程においてアノード側のｐ電極パッド４９
及びその延設配線３ｂを形成後、図８（ａ）に示すよう
に、絶縁材層４５の端部の検査用端子１の領域以外を絶
縁材層１０で被覆し、更に発光ダイオード２２に接続す
るスルーホール８を設けて、これにＮｉ、Ｐｔ又はＡｕ
等を埋め込んでカソード側のｎ電極パッド１６Ａを形成
し、これに延設配線３ａを施し、その端部に検査用端子
２を形成する。
２の工程ではカソード側のｎ電極パッド１６は形成され
ず、図６の工程においてアノード側のｐ電極パッド４９
及びその延設配線３ｂを形成後、図８（ａ）に示すよう
に、絶縁材層４５の端部の検査用端子１の領域以外を絶
縁材層１０で被覆し、更に発光ダイオード２２に接続す
るスルーホール８を設けて、これにＮｉ、Ｐｔ又はＡｕ
等を埋め込んでカソード側のｎ電極パッド１６Ａを形成
し、これに延設配線３ａを施し、その端部に検査用端子
２を形成する。
【００９０】このように実施の形態２は、それぞれの電
極パッドからの延設配線を異なる層に設けることによ
り、図１（ｂ）における配線の交差部７において、正極
と負極の配線が図８（ｂ）に示すように隔設されるた
め、発光ダイオード２２を個別に検査することができ
る。しかし、層を異ならせなくても、上記した図７のよ
うな構成でも絶縁材層４５を挟んで配線することでも可
能である。
極パッドからの延設配線を異なる層に設けることによ
り、図１（ｂ）における配線の交差部７において、正極
と負極の配線が図８（ｂ）に示すように隔設されるた
め、発光ダイオード２２を個別に検査することができ
る。しかし、層を異ならせなくても、上記した図７のよ
うな構成でも絶縁材層４５を挟んで配線することでも可
能である。
【００９１】これらの検査により、３色ＬＥＤ（発光ダ
イオード）パネルの製造段階で輝度のばらつきの情報を
収集でき、輝度を均一化するための選択データを得るこ
とができると共に、検査時に点灯しなかった場合は、製
造を中止することにより、その発光ダイオード２２のそ
の後のボンディング等の無駄な製造工程が省ける。
イオード）パネルの製造段階で輝度のばらつきの情報を
収集でき、輝度を均一化するための選択データを得るこ
とができると共に、検査時に点灯しなかった場合は、製
造を中止することにより、その発光ダイオード２２のそ
の後のボンディング等の無駄な製造工程が省ける。
【００９２】図９は、発光ダイオード２２を素子ごとに
区分けするために、第２の一時保持用部材４７を残し、
ダイシングによって素子分離溝５１を設けた状態を示
し、図１（ａ）、（ｂ）に示したダイシングライン６に
沿ってダイシングされる。従って、延設配線３ａ、３ｂ
もこのダイシングによって同時に切断され、延設配線３
ａ、３ｂを切断する特別のプロセスも必要ではない。第
二の一時保持用部材４７は、例えばプラスチック基板に
ＵＶ粘着材が塗布された、いわゆるダイシングシートで
あり、ＵＶが照射されると粘着力が低下するものを利用
できる。
区分けするために、第２の一時保持用部材４７を残し、
ダイシングによって素子分離溝５１を設けた状態を示
し、図１（ａ）、（ｂ）に示したダイシングライン６に
沿ってダイシングされる。従って、延設配線３ａ、３ｂ
もこのダイシングによって同時に切断され、延設配線３
ａ、３ｂを切断する特別のプロセスも必要ではない。第
二の一時保持用部材４７は、例えばプラスチック基板に
ＵＶ粘着材が塗布された、いわゆるダイシングシートで
あり、ＵＶが照射されると粘着力が低下するものを利用
できる。
【００９３】このダイシングプロセスにより発光ダイオ
ード２２毎に硬化した接着剤層４５を分断し、図２２、
２３に示したような各発光ダイオード２２に対応した樹
脂チップ２４Ａが形成され、上記した延設配線３ａ、３
ｂも同時に切断され、延設配線の切断面が端部に露出す
る。ダイシングプロセスは、機械的手段を用いたダイシ
ング、或いはレーザビームを用いたレーザダイシングに
より行い、ダイシングによる切り込み幅を、例えば２０
μｍ以下の狭い幅に切り込みが必要なときには、先願発
明と同様に、上記レーザビームを用いたレーザによる加
工を行うことが必要でありレーザビームとしては、エキ
シマレーザ、光調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ等を
用いることができる。
ード２２毎に硬化した接着剤層４５を分断し、図２２、
２３に示したような各発光ダイオード２２に対応した樹
脂チップ２４Ａが形成され、上記した延設配線３ａ、３
ｂも同時に切断され、延設配線の切断面が端部に露出す
る。ダイシングプロセスは、機械的手段を用いたダイシ
ング、或いはレーザビームを用いたレーザダイシングに
より行い、ダイシングによる切り込み幅を、例えば２０
μｍ以下の狭い幅に切り込みが必要なときには、先願発
明と同様に、上記レーザビームを用いたレーザによる加
工を行うことが必要でありレーザビームとしては、エキ
シマレーザ、光調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ等を
用いることができる。
【００９４】上記したプロセスは、接着剤層４５の表面
を酸素プラズマで発光ダイオード２２の表面が露出して
くるまでエッチングし、ビアホール５０の形成は、やは
りエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレー
ザなどを用いて行うのがよい。このとき、ビアホールは
約３〜７μｍの径を開けることになる。アノード側電極
パッドはＮｉ、Ｐｔ又はＡｕなどで形成する。また、ダ
イシングは、例えばエキシマレーザにて幅約４０μｍの
溝加工を行いチップ２４Ａを形成する。
を酸素プラズマで発光ダイオード２２の表面が露出して
くるまでエッチングし、ビアホール５０の形成は、やは
りエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレー
ザなどを用いて行うのがよい。このとき、ビアホールは
約３〜７μｍの径を開けることになる。アノード側電極
パッドはＮｉ、Ｐｔ又はＡｕなどで形成する。また、ダ
イシングは、例えばエキシマレーザにて幅約４０μｍの
溝加工を行いチップ２４Ａを形成する。
【００９５】次に、図１０に示すように、機械的手段を
用いて、発光ダイオード２２を埋設した樹脂チップ２４
Ａを第二の一時保持用部材４７から剥離する。第二の一
時保持用部材４７上の剥離層４８は例えばフッ素コー
ト、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、
ポリイミドなどを用いて形成することができる。そし
て、剥離層４８を形成した一時保持部材４７の裏面から
例えばＹＡＧ第３高調波レーザを照射する。これによ
り、例えば剥離層４８としてポリイミドを形成した場合
では、ポリイミドと石英基板の界面でポリイミドのアブ
レーションにより剥離が発生して、各発光ダイオード２
２は第二の一時保持部材４７から上記機械的手段により
容易に剥離可能となる。
用いて、発光ダイオード２２を埋設した樹脂チップ２４
Ａを第二の一時保持用部材４７から剥離する。第二の一
時保持用部材４７上の剥離層４８は例えばフッ素コー
ト、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、
ポリイミドなどを用いて形成することができる。そし
て、剥離層４８を形成した一時保持部材４７の裏面から
例えばＹＡＧ第３高調波レーザを照射する。これによ
り、例えば剥離層４８としてポリイミドを形成した場合
では、ポリイミドと石英基板の界面でポリイミドのアブ
レーションにより剥離が発生して、各発光ダイオード２
２は第二の一時保持部材４７から上記機械的手段により
容易に剥離可能となる。
【００９６】図１０は、第二の一時保持用部材４７上に
配列した発光ダイオード２２を吸着装置５３でピックア
ップする状態を示す図である。このときの吸着孔５５が
画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口してい
るため、発光ダイオード２２を多数個、一括で吸着でき
る。この開口径は、例えば約φ１００μｍで６００μｍ
ピッチのマトリクス状に開口され、一度に約３００個を
吸着できる。
配列した発光ダイオード２２を吸着装置５３でピックア
ップする状態を示す図である。このときの吸着孔５５が
画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口してい
るため、発光ダイオード２２を多数個、一括で吸着でき
る。この開口径は、例えば約φ１００μｍで６００μｍ
ピッチのマトリクス状に開口され、一度に約３００個を
吸着できる。
【００９７】この吸着孔５５の部材は例えば、Ｎｉ電鋳
により作製したもの、若しくはステンレス（ＳＵＳ）な
どの金属板５２をエッチングで穴加工したものを使用す
る。金属板５２の吸着孔４５の奥には、吸着チャンバ５
４が形成されており、この吸着チャンバ５４を負圧に制
御することで発光ダイオード２２の吸着が可能である。
発光ダイオード２２はこの段階では接着剤層４５で覆わ
れており、その上面は略平坦化されているため、吸着装
置５３による選択的な吸着を容易に進めることができ
る。
により作製したもの、若しくはステンレス（ＳＵＳ）な
どの金属板５２をエッチングで穴加工したものを使用す
る。金属板５２の吸着孔４５の奥には、吸着チャンバ５
４が形成されており、この吸着チャンバ５４を負圧に制
御することで発光ダイオード２２の吸着が可能である。
発光ダイオード２２はこの段階では接着剤層４５で覆わ
れており、その上面は略平坦化されているため、吸着装
置５３による選択的な吸着を容易に進めることができ
る。
【００９８】図１１は発光ダイオード２２を第二基板６
０に転写する状態を示す図である。第二基板６０に装着
する際には第二基板６０に予め接着剤層５６を塗布して
おき、その発光ダイオード２２下面の接着剤層５６を硬
化させ、発光ダイオード２２を第二基板６０に固着す
る。この装着時には、吸着装置５３の吸着チャンバ５４
が圧力の高い状態となり、吸着装置５３と発光ダイオー
ド２２との吸着による結合が解除され、発光ダイオード
２２は第二基板６０側に転写される。接着剤層５６はＵ
Ｖ硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤等を
用いることができる。
０に転写する状態を示す図である。第二基板６０に装着
する際には第二基板６０に予め接着剤層５６を塗布して
おき、その発光ダイオード２２下面の接着剤層５６を硬
化させ、発光ダイオード２２を第二基板６０に固着す
る。この装着時には、吸着装置５３の吸着チャンバ５４
が圧力の高い状態となり、吸着装置５３と発光ダイオー
ド２２との吸着による結合が解除され、発光ダイオード
２２は第二基板６０側に転写される。接着剤層５６はＵ
Ｖ硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤等を
用いることができる。
【００９９】発光ダイオード２２を配置する位置は、一
時保持用部材４３、４７上での配列よりも離間した位置
にする。そのとき接着剤層５６の樹脂を硬化させるエネ
ルギーは第二基板６０の裏面から供給する。ＵＶ硬化型
接着剤の場合はＵＶ照射装置にて、熱硬化性接着剤の場
合はレーザにて発光ダイオード２２の下面のみ硬化さ
せ、熱可塑性接着剤の場合は、同様にレーザ照射にて接
着剤を溶融させて接着を行う。
時保持用部材４３、４７上での配列よりも離間した位置
にする。そのとき接着剤層５６の樹脂を硬化させるエネ
ルギーは第二基板６０の裏面から供給する。ＵＶ硬化型
接着剤の場合はＵＶ照射装置にて、熱硬化性接着剤の場
合はレーザにて発光ダイオード２２の下面のみ硬化さ
せ、熱可塑性接着剤の場合は、同様にレーザ照射にて接
着剤を溶融させて接着を行う。
【０１００】また、第二基板６０上にシャドウマスクと
しても機能する電極層５７を配設し、特に電極層５７の
画面側の表面、即ちこの表示装置を見る人がいる側の面
に黒クロム層５８を形成する。これにより画像のコント
ラストを向上させることができると共に、黒クロム層５
８でのエネルギー吸収率を高くして、選択的に照射する
ビーム７３によって接着剤層５６を早く硬化することが
できる。この転写時のＵＶ照射としては、ＵＶ硬化型接
着剤の場合は約１０００ｍＪ／ｃｍ2を照射するのがよ
い。
しても機能する電極層５７を配設し、特に電極層５７の
画面側の表面、即ちこの表示装置を見る人がいる側の面
に黒クロム層５８を形成する。これにより画像のコント
ラストを向上させることができると共に、黒クロム層５
８でのエネルギー吸収率を高くして、選択的に照射する
ビーム７３によって接着剤層５６を早く硬化することが
できる。この転写時のＵＶ照射としては、ＵＶ硬化型接
着剤の場合は約１０００ｍＪ／ｃｍ2を照射するのがよ
い。
【０１０１】図１２はＲ、Ｇ、Ｂの３色の発光ダイオー
ド２２、６１、６２を第二基板６０に配列し、絶縁層５
９を塗布した状態を示す図である。この場合、上記した
吸着装置５３を使用して、第二基板６０にマウントする
位置をその色の位置にずらすだけでマウントすると、画
素としてのピッチは一定のまま３色からなる画素を形成
できる。絶縁層５９としては透明エポキシ接着剤、ＵＶ
硬化型接着剤、ポリイミドなどを用いることができる。
３色の発光ダイオード２２、６１、６２は必ずしも同じ
形状でなくともよい。
ド２２、６１、６２を第二基板６０に配列し、絶縁層５
９を塗布した状態を示す図である。この場合、上記した
吸着装置５３を使用して、第二基板６０にマウントする
位置をその色の位置にずらすだけでマウントすると、画
素としてのピッチは一定のまま３色からなる画素を形成
できる。絶縁層５９としては透明エポキシ接着剤、ＵＶ
硬化型接着剤、ポリイミドなどを用いることができる。
３色の発光ダイオード２２、６１、６２は必ずしも同じ
形状でなくともよい。
【０１０２】図１２では赤色の発光ダイオード６１が六
角錐のＧａＮ層を有しない構造であり、他の発光ダイオ
ード２２、６２とその形状が異なっているが、この段階
では各発光ダイオード２２、６１、６２を既に樹脂形成
チップとして樹脂４３で覆われているものの、素子構造
の違いにもかかわらず同一の取り扱いが実現できる。
角錐のＧａＮ層を有しない構造であり、他の発光ダイオ
ード２２、６２とその形状が異なっているが、この段階
では各発光ダイオード２２、６１、６２を既に樹脂形成
チップとして樹脂４３で覆われているものの、素子構造
の違いにもかかわらず同一の取り扱いが実現できる。
【０１０３】次に、図１３に示すように、発光ダイオー
ド２２の電極パッド１６、４９や第二基板６０上の電極
層５７に対応して、これらを電気的に接続するために開
口部（ビアホール）６５、６６、６７、６８、６９、７
０を形成し、さらに配線を形成する。この開口部の形成
も例えばレーザビームを用いて行う。
ド２２の電極パッド１６、４９や第二基板６０上の電極
層５７に対応して、これらを電気的に接続するために開
口部（ビアホール）６５、６６、６７、６８、６９、７
０を形成し、さらに配線を形成する。この開口部の形成
も例えばレーザビームを用いて行う。
【０１０４】この開口部（即ちビアホール）は、発光ダ
イオード２２、６１、６２の電極パッド１６、４９の面
積を大きくしているので、ビアホール形状は大きく、ビ
アホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形成する
ビアホールに比べて粗い精度で形成できる。例えば、こ
のビアホールは約６０μｍ角の電極パッド１６、４９に
対し、約φ２０μｍのものを形成できる。また、ビアホ
ールの深さは配線基板と接続するもの、アノード電極と
接続するもの、カソード電極と接続するものの３種類の
深さがあるので、形成に当たっては例えばレーザのパル
ス数でこれを制御し、最適な深さを開口する。
イオード２２、６１、６２の電極パッド１６、４９の面
積を大きくしているので、ビアホール形状は大きく、ビ
アホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形成する
ビアホールに比べて粗い精度で形成できる。例えば、こ
のビアホールは約６０μｍ角の電極パッド１６、４９に
対し、約φ２０μｍのものを形成できる。また、ビアホ
ールの深さは配線基板と接続するもの、アノード電極と
接続するもの、カソード電極と接続するものの３種類の
深さがあるので、形成に当たっては例えばレーザのパル
ス数でこれを制御し、最適な深さを開口する。
【０１０５】絶縁層５９に開口部６５、６６、６７、６
８、６９、７０を形成した後、発光ダイオード１６、６
１、６２のアノード、カソードの電極パッドと第二基板
６０の配線用の電極層５７を接続する配線６３、６４、
７１を形成する。その後、保護層を配線上に形成し、画
像表示装置のパネルが完成する。この保護層は図２９の
絶縁層５９と同様、透明エポキシ接着剤などの材料が使
用できる。この保護層を加熱硬化し配線を完全に覆う
が、これにより、各発光ダイオード２２が製品化前に点
灯検査されているため、良好な発光ダイオード２２を内
蔵したパネル端部の配線からドライバーＩＣを接続して
良好な駆動パネルを製作することができる。
８、６９、７０を形成した後、発光ダイオード１６、６
１、６２のアノード、カソードの電極パッドと第二基板
６０の配線用の電極層５７を接続する配線６３、６４、
７１を形成する。その後、保護層を配線上に形成し、画
像表示装置のパネルが完成する。この保護層は図２９の
絶縁層５９と同様、透明エポキシ接着剤などの材料が使
用できる。この保護層を加熱硬化し配線を完全に覆う
が、これにより、各発光ダイオード２２が製品化前に点
灯検査されているため、良好な発光ダイオード２２を内
蔵したパネル端部の配線からドライバーＩＣを接続して
良好な駆動パネルを製作することができる。
【０１０６】図１４は実施の形態２の例であり、検査用
端子の正極及び負極を絶縁材の異なる側縁に設けて点灯
検査（図８参照）を行った発光ダイオード２２の場合で
あり、上記した図１３とは一部分が異なる。即ち、図８
のような構成を基に上記と同様の製造工程において、実
施の形態２に対応する工程で製造されるため、図１３に
おける絶縁層１０の上に、更に絶縁層５９が設けられて
電極パッド１６Ａが被覆され、この電極１６Ａをスルー
ホール１１を介して外部へ引き出し、配線７１に接続さ
れることが異なるが、図１３と同様に機能する。
端子の正極及び負極を絶縁材の異なる側縁に設けて点灯
検査（図８参照）を行った発光ダイオード２２の場合で
あり、上記した図１３とは一部分が異なる。即ち、図８
のような構成を基に上記と同様の製造工程において、実
施の形態２に対応する工程で製造されるため、図１３に
おける絶縁層１０の上に、更に絶縁層５９が設けられて
電極パッド１６Ａが被覆され、この電極１６Ａをスルー
ホール１１を介して外部へ引き出し、配線７１に接続さ
れることが異なるが、図１３と同様に機能する。
【０１０７】上述したような発光素子の配列方法によ
り、先願発明と同様に一時保持用部材４３に発光ダイオ
ード２２を保持させた時点で既に、素子間の距離が大き
くされ、その広がった間隔を利用して比較的サイズの大
きい電極パッド１６、４９などを設けることが可能とな
る。それら比較的サイズの大きな電極パッド１６、４９
を利用した配線が行われるために、素子サイズに比較し
て最終的な装置のサイズが著しく大きな場合であっても
容易に配線を形成できる。
り、先願発明と同様に一時保持用部材４３に発光ダイオ
ード２２を保持させた時点で既に、素子間の距離が大き
くされ、その広がった間隔を利用して比較的サイズの大
きい電極パッド１６、４９などを設けることが可能とな
る。それら比較的サイズの大きな電極パッド１６、４９
を利用した配線が行われるために、素子サイズに比較し
て最終的な装置のサイズが著しく大きな場合であっても
容易に配線を形成できる。
【０１０８】また、本実施の形態の発光素子の配列方法
では、発光ダイオード２２の周囲が硬化した接着剤層４
５で被覆され、平坦化によって精度良く電極パッド１
６、４９を形成できると共に、素子に比べて広い領域に
電極パッド１６、４９を延在でき、次の第二転写工程で
の転写を吸着治具で進める場合には取り扱いが容易にな
る。
では、発光ダイオード２２の周囲が硬化した接着剤層４
５で被覆され、平坦化によって精度良く電極パッド１
６、４９を形成できると共に、素子に比べて広い領域に
電極パッド１６、４９を延在でき、次の第二転写工程で
の転写を吸着治具で進める場合には取り扱いが容易にな
る。
【０１０９】本実施の形態によれば、発光ダイオード２
２の製造段階でアノード側及びカソード側の配線１６、
４９に延設配線３ａ、３ｂを設け、これを検査用端子
１、２へ導き、製品化前に点灯検査ができるので、３色
ＬＥＤパネルを作製する前に各ＬＥＤの輝度ばらつきの
情報を収集でき、均一な輝度の画面にするためのＬＥＤ
選択のデータにできると共に、点灯しなかった場合は製
造を中止して、不良品はボンディング等のその後の無駄
な工程を省くことができる。また、延設した配線は、そ
の後の必須なダイシング工程で同時に切断するので特別
なプロセスも必要でない。
２の製造段階でアノード側及びカソード側の配線１６、
４９に延設配線３ａ、３ｂを設け、これを検査用端子
１、２へ導き、製品化前に点灯検査ができるので、３色
ＬＥＤパネルを作製する前に各ＬＥＤの輝度ばらつきの
情報を収集でき、均一な輝度の画面にするためのＬＥＤ
選択のデータにできると共に、点灯しなかった場合は製
造を中止して、不良品はボンディング等のその後の無駄
な工程を省くことができる。また、延設した配線は、そ
の後の必須なダイシング工程で同時に切断するので特別
なプロセスも必要でない。
【０１１０】上記した本発明の実施の形態は、本発明の
技術的思想に基づいて変形することができる。
技術的思想に基づいて変形することができる。
【０１１１】例えば、実施の形態の回路素子は発光ダイ
オードの例としたが、それ以外に、液晶制御素子、光電
変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイ
オード素子、半導体レーザ、抵抗素子、スイッチング素
子、微小磁気素子、微小光学素子等にも適用することが
できる。また、素子２２の大きさとしては、実施の形態
以外の大きさにすることもできる。
オードの例としたが、それ以外に、液晶制御素子、光電
変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイ
オード素子、半導体レーザ、抵抗素子、スイッチング素
子、微小磁気素子、微小光学素子等にも適用することが
できる。また、素子２２の大きさとしては、実施の形態
以外の大きさにすることもできる。
【０１１２】また、検査用端子１及び２の形状や設置場
所、配線の延設方法、積層構造、製造プロセス等も実施
の形態以外の適宜に実施することも可能である。
所、配線の延設方法、積層構造、製造プロセス等も実施
の形態以外の適宜に実施することも可能である。
【０１１３】
【発明の作用効果】上述した如く、本発明の回路素子の
検査方法及びその検査構造、回路素子内蔵基板及びその
製造方法、並びに電気回路装置及びその製造方法は、絶
縁材に回路素子を埋設した状態で、この回路素子の電極
に接続した配線を検査用端子まで延設し、この検査用端
子を介して検査するので、半製品の如き状態でこの検査
をすることにより、製品化以前の段階で回路素子の特性
の情報が得られ、特性の均一化された回路素子を選択す
ることができる。
検査方法及びその検査構造、回路素子内蔵基板及びその
製造方法、並びに電気回路装置及びその製造方法は、絶
縁材に回路素子を埋設した状態で、この回路素子の電極
に接続した配線を検査用端子まで延設し、この検査用端
子を介して検査するので、半製品の如き状態でこの検査
をすることにより、製品化以前の段階で回路素子の特性
の情報が得られ、特性の均一化された回路素子を選択す
ることができる。
【図１】本発明の実施の形態による検査用端子形成の一
例を示す模式図であり、（ａ）は実施の形態１、（ｂ）
は実施の形態２である。
例を示す模式図であり、（ａ）は実施の形態１、（ｂ）
は実施の形態２である。
【図２】同、実施の形態１による回路素子内蔵基板の製
造工程の一工程を示す概略図である。
造工程の一工程を示す概略図である。
【図３】同、実施の形態１による回路素子内蔵基板の製
造工程の他の一工程を示す概略図である。
造工程の他の一工程を示す概略図である。
【図４】同、実施の形態１による回路素子内蔵基板の製
造工程の他の一工程を示す概略図である。
造工程の他の一工程を示す概略図である。
【図５】同、実施の形態１による回路素子内蔵基板の製
造工程の他の一工程を示す概略図である。
造工程の他の一工程を示す概略図である。
【図６】同、実施の形態１による回路素子内蔵基板の製
造工程の他の一工程を示す概略図である。
造工程の他の一工程を示す概略図である。
【図７】同、実施の形態１による回路素子内蔵基板の製
造工程の他の一工程を示す概略図である。
造工程の他の一工程を示す概略図である。
【図８】同、実施の形態２による回路素子内蔵基板の製
造工程の一工程を示す概略図である。
造工程の一工程を示す概略図である。
【図９】同、実施の形態１による回路素子内蔵基板の製
造工程の一工程を示す概略図である。
造工程の一工程を示す概略図である。
【図１０】同、実施の形態１による回路素子内蔵基板の
製造工程の一工程を示す概略図である。
製造工程の一工程を示す概略図である。
【図１１】同、実施の形態１による電気回路装置の製造
工程の一工程を示す概略図である。
工程の一工程を示す概略図である。
【図１２】同、実施の形態１による電気回路装置の製造
工程の他の一工程を示す概略図である。
工程の他の一工程を示す概略図である。
【図１３】同、実施の形態１による電気回路装置の製造
工程の更に他の一工程を示す概略図である。
工程の更に他の一工程を示す概略図である。
【図１４】同、実施の形態２による電気回路装置の製造
工程の一工程を示す概略図である。
工程の一工程を示す概略図である。
【図１５】先願発明による回路素子内蔵基板の製造工程
の一工程を示す概略図である。
の一工程を示す概略図である。
【図１６】同、回路素子内蔵基板の製造工程の他の一工
程を示す概略図である。
程を示す概略図である。
【図１７】同、回路素子内蔵基板の製造工程の他の一工
程を示す概略図である。
程を示す概略図である。
【図１８】同、回路素子内蔵基板の製造工程の他の一工
程を示す概略図である。
程を示す概略図である。
【図１９】同、回路素子内蔵基板の製造工程の他の一工
程を示す概略図である。
程を示す概略図である。
【図２０】図１９の一部分の拡大図である。
【図２１】図２０の詳細図であり、（ａ）は一部分の断
面図、（ｂ）は平面図である。
面図、（ｂ）は平面図である。
【図２２】先願発明による回路素子内蔵基板の製造段階
における状態を模式的に示した斜視図である。
における状態を模式的に示した斜視図である。
【図２３】図２２の平面図である。
【図２４】先願発明による回路素子の内蔵基板の製造工
程の一工程を示す概略図である。
程の一工程を示す概略図である。
【図２５】先願発明による回路素子の内蔵基板の製造工
程の一工程を示す概略図である。
程の一工程を示す概略図である。
【図２６】先願発明による回路素子の内蔵基板の製造工
程の一工程を示す概略図である。
程の一工程を示す概略図である。
【図２７】先願発明による回路素子の内蔵基板の製造工
程の一工程を示す概略図である。
程の一工程を示す概略図である。
【図２８】先願発明による回路素子の内蔵基板の製造工
程の一工程を示す概略図である。
程の一工程を示す概略図である。
【図２９】先願発明による回路素子の内蔵基板の製造工
程の一工程を示す概略図である。
程の一工程を示す概略図である。
【図３０】先願発明による回路素子の内蔵基板の製造工
程の更に他の一工程を示す概略図である。
程の更に他の一工程を示す概略図である。
【符号の説明】
１…検査用端子（＋）、２…検査用端子（−）、３ａ、
３ｂ…延設配線、５ａ、５ｂ…プロービング端子、６…
ダイシングライン、７…交差部、８、１１…スルーホー
ル、９…配線、１０、４５、４８…接着剤層（絶縁材
層）、１６、１６Ａ、２６、２７、４９…電極パッド、
２２、６１、６２…素子（発光ダイオード）、２３…樹
脂、２４、２４Ａ…樹脂チップ、３０…サファイア基板
（第１基板）、３１、３３…ＧａＮ層、３２…マスク、
３４…ＩｎＧａＮ層、３５…ＭａＧａＮ層、３７ｐ電
極、４２ｇ…溝、４３…第１保持用部材、４４…剥離
層、４５ｓ…硬化領域、４５ｙ…未硬化領域、４６、７
３…レーザ光、４７…第２保持用部材、５３…吸着装
置、５９…絶縁層、６０…第２基板
３ｂ…延設配線、５ａ、５ｂ…プロービング端子、６…
ダイシングライン、７…交差部、８、１１…スルーホー
ル、９…配線、１０、４５、４８…接着剤層（絶縁材
層）、１６、１６Ａ、２６、２７、４９…電極パッド、
２２、６１、６２…素子（発光ダイオード）、２３…樹
脂、２４、２４Ａ…樹脂チップ、３０…サファイア基板
（第１基板）、３１、３３…ＧａＮ層、３２…マスク、
３４…ＩｎＧａＮ層、３５…ＭａＧａＮ層、３７ｐ電
極、４２ｇ…溝、４３…第１保持用部材、４４…剥離
層、４５ｓ…硬化領域、４５ｙ…未硬化領域、４６、７
３…レーザ光、４７…第２保持用部材、５３…吸着装
置、５９…絶縁層、６０…第２基板
Claims (52)
- 【請求項１】 絶縁材に回路素子を埋設した状態でこの
回路素子の電極に接続した配線を検査用端子まで延設
し、前記検査用端子を介して前記回路素子の特性を検査
する、回路素子の検査方法。 - 【請求項２】 前記絶縁材上に、前記回路素子を埋設し
た側の面に前記回路素子の一方の電極の取り出し用配線
を設け、他方側の面に前記回路素子の他方の電極の取り
出し用配線を設け、更にこれらの取り出し用配線を前記
絶縁材の端部の前記検査用端子まで延設する、請求項１
に記載した回路素子の検査方法。 - 【請求項３】 前記検査用端子にプロービング端子を接
触して検査する、請求項１に記載した回路素子の検査方
法。 - 【請求項４】 前記検査後に、前記電極と前記検査用端
子との間を切断して、前記回路素子を埋設した前記絶縁
材をチップ化する、請求項１に記載した回路素子の検査
方法。 - 【請求項５】 前記検査用端子の正極及び負極を前記絶
縁材の同一側縁に設ける、請求項１に記載した回路素子
の検査方法。 - 【請求項６】 前記検査用端子の正極及び負極を前記絶
縁材の異なる側縁にそれぞれ設ける、請求項１に記載し
た回路素子の検査方法。 - 【請求項７】 前記一方の電極に接続した配線と、前記
他方の電極に接続した配線とを同一の絶縁材に設ける、
請求項５に記載した回路素子の検査方法。 - 【請求項８】 前記一方の電極に接続した配線と、前記
他方の電極に接続した配線上に絶縁層を形成し、この絶
縁層上に前記検査用端子を設ける、請求項６に記載した
回路素子の検査方法。 - 【請求項９】 基体から転写し、前記絶縁材に埋設した
前記回路素子の特性を検査する、請求項１に記載した回
路素子の検査方法。 - 【請求項１０】 前記転写前に、前記回路素子を埋設し
た前記絶縁材を前記基体に保持させる、請求項９に記載
した回路素子の検査方法。 - 【請求項１１】 前記回路素子の特性をライン毎又は／
及び個別に検査する、請求項７又は８のいずれか１項に
記載した回路素子の検査方法。 - 【請求項１２】 前記回路素子を発光素子とし、この発
光素子の点灯検査を行う、請求項１に記載した回路素子
の検査方法。 - 【請求項１３】 画像表示装置又は光源装置に用いられ
る前記発光素子の点灯検査を行う、請求項１に記載した
回路素子の検査方法。 - 【請求項１４】 絶縁材に回路素子が埋設された状態
で、この回路素子の電極に接続した配線が前記回路素子
特性検査用端子まで延設されている、回路素子の検査構
造。 - 【請求項１５】 前記絶縁材上に、前記回路素子を埋設
した側の面に前記回路素子の一方の電極の取り出し用配
線が設けられ、他方側の面に前記回路素子の他方の電極
の取り出し用配線が設けられ、更にこれらの取り出し用
配線が前記絶縁材の端部の前記検査用端子まで延設され
る、請求項１４に記載した回路素子の検査構造。 - 【請求項１６】 前記検査用端子にプロービング端子が
接触して検査される、請求項１４に記載した回路素子の
検査構造。 - 【請求項１７】 前記検査後に、前記電極と前記検査用
端子との間が切断されて、前記回路素子を埋設した前記
絶縁材がチップ化される、請求項１４に記載した回路素
子の検査構造。 - 【請求項１８】 前記検査用端子の正極及び負極が前記
絶縁材の同一側縁に設けられる、請求項１４に記載した
回路素子の検査構造。 - 【請求項１９】 前記検査用端子の正極及び負極が前記
絶縁材の異なる側縁にそれぞれ設けられる、請求項１４
に記載した回路素子の検査構造。 - 【請求項２０】 前記一方の電極に接続した配線と、前
記他方の電極に接続した配線とが同一の絶縁材に設けら
れる、請求項１８に記載した回路素子の検査構造。 - 【請求項２１】 前記一方の電極に接続した配線と、前
記他方の電極に接続した配線上に絶縁層が形成され、こ
の絶縁層上に前記検査用端子が設けられる、請求項１９
に記載した回路素子の検査構造。 - 【請求項２２】 基体から転写され、前記絶縁材に埋設
した前記回路素子の特性が検査される、請求項１４に記
載した回路素子の検査構造。 - 【請求項２３】 前記転写前に、前記回路素子を埋設し
た前記絶縁材が前記基体に保持される、請求項２２に記
載した回路素子の検査構造。 - 【請求項２４】 前記回路素子の特性がライン毎又は／
及び個別に検査される、請求項２０又は２１のいずれか
１項に記載した回路素子の検査構造。 - 【請求項２５】 前記回路素子が発光素子であり、この
発光素子の点灯検査が行われる、請求項１４に記載した
回路素子の検査構造。 - 【請求項２６】 画像表示装置又は光源装置に用いられ
る前記発光素子の点灯検査が行われる、請求項１４に記
載した回路素子の検査構造。 - 【請求項２７】 請求項１４〜２６のいずれか１項に記
載した検査構造が基板上に設けられている、回路素子内
蔵基板。 - 【請求項２８】 請求項２７に記載した回路素子内蔵基
板を製造するに際し、 回路素子を絶縁材に埋設させる工程と、 前記回路素子の埋設面とは反対側の前記絶縁材面を第１
保持用部材に接着する工程と、 前記第１保持用部材から、前記回路素子を埋設した前記
絶縁材を分離した後に、前記回路素子の一方の電極の取
り出し用配線を設け、かつこの配線を一方の検査用端子
まで延設する工程と、 前記回路素子の他方の電極に取り出し用配線を設け、か
つこの配線を他方の検査用端子まで延設する工程とを有
する、回路素子内蔵基板の製造方法。 - 【請求項２９】 前記絶縁材上に、前記回路素子を埋設
した側の面に前記回路素子の一方の電極の取り出し用配
線を設け、他方側の面に前記回路素子の他方の電極の取
り出し用配線を設け、更にこれらの取り出し用配線を前
記絶縁材の端部の前記検査用端子まで延設する、請求項
２７に記載した回路素子内蔵基板の製造方法。 - 【請求項３０】 前記検査用端子の正極及び負極を前記
絶縁材の同一側縁に設ける、請求項２７に記載した回路
素子内蔵基板の製造方法。 - 【請求項３１】 前記検査用端子の正極及び負極を前記
絶縁材の異なる側縁にそれぞれ設ける、請求項２７に記
載した回路素子内蔵基板の製造方法。 - 【請求項３２】 前記一方の電極に接続した配線と、前
記他方の電極に接続した配線とを同一の絶縁材に設け
る、請求項３０に記載した回路素子内蔵基板の製造方
法。 - 【請求項３３】 前記一方の電極に接続した配線と、前
記他方の電極に接続した配線上に絶縁層を形成し、この
絶縁層上に前記検査用端子を設ける、請求項３１に記載
した回路素子内蔵基板の製造方法。 - 【請求項３４】 基体から転写し、前記絶縁材に埋設し
た前記回路素子を得る、請求項２７に記載した回路素子
内蔵基板の製造方法。 - 【請求項３５】 前記転写前に、前記回路素子を埋設し
た前記絶縁材を前記基体に保持させる、請求項３４に記
載した回路素子内蔵基板の製造方法。 - 【請求項３６】 回路素子が絶縁材に埋設され、前記回
路素子の電極に接続した配線が前記絶縁材の側端にまで
延設されてここに露呈しており、前記配線が更に配線回
路基板に接続されている、電気回路装置。 - 【請求項３７】 前記絶縁材上に、前記回路素子を埋設
した側の面に前記回路素子の一方の電極の取り出し用配
線が設けられ、他方側の面に前記回路素子の他方の電極
の取り出し用配線が設けられている、請求項３６に記載
した電気回路装置。 - 【請求項３８】 前記一方の電極に接続した配線と、前
記他方の電極に接続した配線とが同一の絶縁材に設けら
れる、請求項３７に記載した電気回路装置。 - 【請求項３９】 前記一方の電極に接続した配線と、前
記他方の電極に接続した配線上に絶縁層が形成され、こ
の絶縁層上に前記検査用端子が設けられる、請求項３７
に記載した電気回路装置。 - 【請求項４０】 前記回路素子が発光素子である、請求
項３６に記載した電気回路装置。 - 【請求項４１】 画像表示装置又は光源装置に用いられ
る、請求項４０に記載した電気回路装置。 - 【請求項４２】 前記絶縁材上に設けた絶縁層を介して
前記配線が前記配線回路基板に導かれている、請求項３
６に記載した電気回路装置。 - 【請求項４３】 請求項３６〜４２のいずれか１項に記
載した電気回路装置を製造するに際し、 請求項２７〜３５のいずれか１項に記載した製造方法に
よって回路素子内蔵基板を得る工程と、 前記検査用端子を介して前記回路素子の特性を検査する
工程と、 前記検査後に、前記電極と前記検査用端子との間を切断
して、前記回路素子を埋設した前記絶縁材をチップ化す
る工程と、 前記チップを前記配線回路基板に固定する工程と、 前記配線を前記配線回路基板に接続する工程とを有す
る、電気回路装置の製造方法。 - 【請求項４４】 前記検査用端子にプロービング端子を
接触して検査する、請求項４３に記載した電気回路装置
の製造方法。 - 【請求項４５】 前記検査後に、前記電極と前記検査用
端子との間を切断して、前記回路素子を埋設した前記絶
縁材をチップ化する、請求項４３に記載した電気回路装
置の製造方法。 - 【請求項４６】 前記検査用端子の正極及び負極を前記
絶縁材の同一側縁に設ける、請求項４３に記載した電気
回路装置の製造方法。 - 【請求項４７】 前記検査用端子の正極及び負極を前記
絶縁材の異なる側縁にそれぞれ設ける、請求項４３に記
載した電気回路装置の製造方法。 - 【請求項４８】 基体から転写し、前記絶縁材に埋設し
た前記回路素子の特性を検査する、請求項４３に記載し
た電気回路装置の製造方法。 - 【請求項４９】 前記転写前に、前記回路素子を埋設し
た前記絶縁材を前記基体に保持させる、請求項４８に記
載した電気回路装置の製造方法。 - 【請求項５０】 前記回路素子の特性をライン毎又は／
及び個別に検査する、請求項４３に記載した電気回路装
置の製造方法。 - 【請求項５１】 前記回路素子を発光素子とし、この発
光素子の点灯検査を行う、請求項４３に記載した電気回
路装置の製造方法。 - 【請求項５２】 画像表示装置又は光源装置を製造す
る、請求項４３に記載した電気回路装置の製造方法。
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