JP4848606B2 - 素子の位置決め方法、素子の取り出し方法、素子の転写方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光素子などの素子を転写する際に適用可能な素子の位置決め方法、素子の取り出し方法、素子の転写方法に関するものであり、さらには、この転写方法を応用して微細加工された素子をより広い領域に転写する素子の配列方法および画像表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、電子機器等においては、微細な素子、電子部品、電子デバイス、さらにはそれらをプラスチックのような絶縁体に埋め込んだ電子部品等を多数配列することにより構成されたものが広く用いられている。例えば、発光素子をマトリクス状に配列して画像表示装置に組み上げる場合には、従来、液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）やプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）のように基板上に直接素子を形成するか、あるいは発光ダイオードディスプレイ（ＬＥＤディスプレイ）のように単体のＬＥＤパッケージを配列することが行われている。
【０００３】
ここで、ＬＣＤ、ＰＤＰの如き画像表示装置においては、素子分離ができないために、製造プロセスの当初から各素子はその画像表示装置の画素ピッチだけ間隔を空けて形成することが通常行われている。
【０００４】
一方、ＬＥＤディスプレイの場合には、ＬＥＤチップをダイシング後に取り出し、個別にワイヤーボンドもしくはフリップチップによるバンプ接続により外部電極に接続し、パッケージ化されることが行われている。この場合、パッケージ化の前もしくは後に画像表示装置としての画素ピッチに配列されるが、この画素ピッチは素子形成時の素子のピッチとは無関係とされる。
【０００５】
発光素子であるＬＥＤ（発光ダイオード）は高価である為、１枚のウエハから数多くのＬＥＤチップを製造することによりＬＥＤを用いた画像表示装置を低コストにできる。すなわち、ＬＥＤチップの大きさを従来約３００μｍ角のものを数十μｍ角のＬＥＤチップにして、それを接続して画像表示装置を製造すれば画像表示装置の価格を下げることができる。
【０００６】
そこで各素子を集積度高く形成し、各素子を広い領域に転写などによって離間させながら移動させ、画像表示装置などの比較的大きな表示装置を構成する技術が有り、例えば、図２７(a)に示すようにベース基板２０１上の接着層２０２に素子２０３を配置し、図２７(b)に示すように吸着ヘッド２０４を用いて素子２０３を取り出し、他の基板２０５の接着層２０６上に置くことにより転写を行う技術がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、転写技術により画像表示装置を製造する場合、素子が確実に転写される必要がある。また、効率的な転写、精度の良い転写も要求される。
【０００８】
しかしながら、近年、素子が非常に微細化しているため、上述のような方法を用いた場合、吸着ヘッド装置の機械的な位置決め精度のみに依存すると、転写した素子の位置ずれが生じたり、また、素子が吸着ヘッドに吸着されなかったり、転写途中で吸着ヘッドから素子落ちたりするという問題がある。
【０００９】
そこで、最近では、図２８に示すように吸着ヘッド２０４で素子２０３を吸着する際にカメラ２０７と光源２０８とを用いて位置決めを行っている。そして、カメラを用いて吸着ヘッドに素子を吸着する際の位置決めを行う場合、ベース基板２０１越しにカメラ２０７を配して素子２０３と吸着ヘッド２０４とを撮像して各々の位置を確認する方法と、吸着ヘッド２０４に近い位置にカメラ２０７を配して素子２０３と吸着ヘッド２０４とを撮像して各々の位置を確認する方法がある。しかしながら、いずれの方法においても、撮像するには光源が必要となり、撮像対象が小さいため光源の良好な配置位置がない場合や、また、吸着ヘッド周りにはスペースが少ないため光源を配置することができず、カメラを用いた素子の位置決めが行えない場合もある。
【００１０】
また、カメラの大きさには限界があり、素子と吸着ヘッドとを同時に認識するためには所定の光量が必要となるが、上述した方法では反射光を用いているため、カメラに入射する光量が少なくなり、素子と吸着ヘッドとを同時に認識することが困難、または不可能となるため、精度良く素子を転写することが困難であるという問題がある。
【００１１】
そして、これらの問題は、素子の取り出し、転写を行う場合に限らず、チップ部品の取り出し、転写を行う場合にも同様に生じている。
【００１２】
さらに、複数の素子又はチップ部品を一度にピックアップしようとした場合には、上述した問題は顕著となる。
【００１３】
したがって、上述したような吸着ヘッドを用いて素子の転写を行う際に、簡便且つ精度良く転写を行うことが可能な素子の位置決め方法、素子の取り出し方法、素子の転写方法、及びこれらを応用して微細加工された素子をより広い領域に転写する素子の配列方法および画像表示装置の製造方法などは未だ確立されていないのが現状である。
【００１４】
そこで、本発明は、かかる従来の実情に鑑みて創案されたされたものであり、効率的且つ精度良く素子を転写することが可能な素子の位置決め方法、素子の取り出し方法、及び素子の転写方法を提供することを目的とし、さらには、これらを応用した素子の配列方法、画像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
以上の目的を達成する本発明に係る素子の位置決め方法は、取り出しヘッドを用いて基板上に設置された素子を取り出す際の上記素子の位置決め方法であって、内部に光源を備えるとともに、当該内部に上記素子を吸引するために上記基板の方向に貫通する孔を有する取り出しヘッドを用い、上記光源により上記孔を通して上記素子に照射光を照射して光学パターンを形成する工程と、上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記素子の位置決めを行う工程と、を備える。
【００１６】
以上のような本発明に係る素子の位置決め方法では、取り出しヘッド内に光源を配し、この光源で孔を通して素子を照射し、その際に形成された光学パターンと取り出しヘッドの像とを撮像手段で撮像し、画像処理手段により画像処理して比較することにより素子が適正な位置にあるか否かを判断する。
【００１７】
すなわち、この素子の位置決め方法では、素子に対して素子の正面から光を照射することにより、照射光を素子に対して均一に照射し、均一な光学パターンを形成する。これにより、部分的に不明瞭な光学パターンが形成されるようなことがなく、明瞭な状態で素子が画像認識される。
【００１８】
また、この素子の位置決め方法では、至近距離から照射光を当てるため、十分な光量の照射光を素子に照射するため、明瞭な状態で素子が画像認識される。
【００１９】
そして、この素子の取り出し方法では、直接光ではないが、比較的直接光に近い透過光及び散乱光を利用するため、光量の損失が非常に少なく、十分な光量の照射光を素子に照射することができ、明瞭な状態で素子が画像認識される。
【００２０】
また、以上の目的を達成する本発明に係る素子の取り出し方法は、取り出しヘッドを用いて基板上に設置された素子を取り出す際の素子の取り出し方法であって、内部に光源を備えるとともに、当該内部に上記素子を吸引するために上記基板の方向に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、上記光源により上記吸引孔を通して上記素子に照射光を照射して光学パターンを形成する工程と、上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記素子の位置決めを行う工程と、上記素子の位置決めを行った後に上記素子を吸着保持する工程とを備える。
【００２１】
以上のような本発明に係る素子の取り出し方法では、上述した素子の位置決め方法により素子を位置決めした後に素子を吸着するため、素子は正しい位置に吸着保持される。
【００２２】
また、以上の目的を達成する本発明に係る素子の転写方法は、第一の基板上に配列された素子を第二の基板上に転写する素子の転写方法であって、上記素子を取り出しヘッドに移す取り出し工程と、上記取り出しヘッドに取り出された上記素子を上記第二の基板上に実装する実装工程とを有し、上記取り出し工程は、内部に光源を備えるとともに、当該内部に上記素子を吸引するために上記第一の基板の方向に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、上記光源により上記吸引孔を通して上記素子に照射光を照射して光学パターンを形成する工程と、上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記素子の位置決めを行う工程と、上記素子の位置決めを行った後に上記素子を吸着保持する工程とを備える。
【００２３】
以上のような本発明に係る素子の転写方法は、上述した素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法を用いて素子の転写を行うため、素子の位置ずれが防止され、素子の転写が正確に行われる。
【００２４】
また、以上の目的を達成する本発明に係る素子の配列方法は、第一の基板上に配列された複数の素子を第二の基板上に再配列する素子の配列方法において、上記第一の基板上で上記素子が配列された状態よりは離間した状態となるように上記素子を転写して第一の一時保持用部材に該素子を保持させる第一転写工程と、上記第一の一時保持用部材に保持された上記素子を樹脂で固める工程と、上記樹脂をダイシングして素子毎に分離する工程と、上記第一の一時保持用部材に保持され樹脂で固められた上記素子をさらに離間して上記第二の基板上に転写する第二転写工程とを有し、上記第二転写工程は、上記素子を取り出しヘッドに移す取り出し工程と、上記取り出しヘッドに取り出された上記素子を上記第二の基板上に実装する実装工程とを有し、上記取り出し工程が、内部に光源を備えるとともに、当該内部に上記素子を吸引するために上記第一の基板の方向に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、上記光源により上記吸引孔を通して上記素子に照射光を照射して光学パターンを形成する工程と、上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記素子の位置決めを行う工程と、上記素子の位置決めを行った後に上記素子を吸着保持する工程とを備える。
【００２５】
以上のような本発明に係る素子の配列方法においては、上記転写方法を用いることにより素子の転写が効率的且つ確実に行われるので、素子間の距離を大きくする拡大転写を円滑に実施することができる。
【００２６】
また、以上の目的を達成する本発明に係る画像表示装置の製造方法は、発光素子をマトリクス状に配置した画像表示装置の製造方法において、上記第一の基板上で上記発光素子が配列された状態よりは離間した状態となるように上記発光素子を転写して第一の一時保持用部材に該発光素子を保持させる第一転写工程と、上記第一の一時保持用部材に保持された上記発光素子を樹脂で固める工程と、上記樹脂をダイシングして発光素子毎に分離する工程と、上記第一の一時保持用部材に保持され樹脂で固められた上記発光素子をさらに離間して上記第二の基板上に転写する第二転写工程とを有し、上記第二転写工程は、上記発光素子を取り出しヘッドに移す取り出し工程と、上記取り出しヘッドに取り出された上記発光素子を上記第二の基板上に実装する実装工程とを有し、上記取り出し工程が、内部に光源を備えるとともに、当該内部に上記素子を吸引するために上記第一の基板の方向に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、上記光源により上記吸引孔を通して上記素子に照射光を照射して光学パターンを形成する工程と、上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記発光素子の位置決めを行う工程と、上記発光素子の位置決めを行った後に上記発光素子を吸着保持する工程とを備える。
【００２７】
以上のような本発明に係る画像表示装置の製造方法によれば、上記転写方法、配列方法によって発光素子がマトリクス状に配置され、画像表示部分が構成される。したがって、密な状態すなわち集積度を高くして微細加工を施して作製された発光素子を、効率よく離間して再配置することができ、生産性が大幅に改善される。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した素子の位置決め方法、素子の取り出し方法、素子の転写方法、素子の配列方法、及び画像表示装置の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２９】
先ず、基本となる素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法について説明する。ここでは、図１に示すような、供給源となるベース基板１上に接着層２を形成し、この上に配列形成した樹脂形成チップ３を取り出す場合について説明する。本発明を適用してベース基板１上に配列形成された樹脂形成チップ３を取り出すには、まず、図１に示すように、樹脂形成チップ３を挟んで一方に真空吸着ヘッド４を配し、反対側に撮像装置であるカメラ、例えばＣＣＤカメラ５を配置する。
【００３０】
ここで、ＣＣＤカメラ５は、真空吸着ヘッド４の吸引孔の中心とＣＣＤカメラ５のレンズの中心とが一直線上に並ぶように配される。また、樹脂形成チップ３が配列形成されたベース基板１は、ＸＹステージ６上に保持されている。ベース基板１は、ＸＹステージ６をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させることにより、所望の位置に移動させることができ、これにより、樹脂形成チップ３の位置を所望の位置に制御することが可能とされている。
【００３１】
ベース基板１は、特に限定されるものではなく、樹脂形成チップ３との組み合わせ等を考慮して任意の材料のものを用いることができるが、本発明の趣旨より光透過性を有する材料を用いる。また、Ｎａイオンの影響を考慮する場合には、無アルカリガラス、サファイヤ、石英等を用いることが好ましい。
【００３２】
接着層２は、樹脂形成チップ３を配列形成する際に樹脂形成チップ３を接着固定することができ、また、後に樹脂形成チップ３をベース基板１から取り出す際には、再度樹脂形成チップ３を剥離することが可能とされる層である。ベース基板１上に接着層２を形成し、当該接着層２上に樹脂形成チップ３を配列形成することにより、樹脂形成チップ３を簡単に取り出すことができる。このような接着層２は、例えば、熱可塑性樹脂や熱剥離材料からなるシート等が好適である。ここで、熱可塑性樹脂を用いた場合には、接着層２を加熱することにより、熱可塑性樹脂が可塑化し、これにより接着層２と樹脂形成チップ３との接着力が低減し、樹脂形成チップ３を容易に剥離することができる。また、熱剥離材料とは、加熱することによる発泡ないし膨張処理でその粘着力を低減でき、被着体を簡単に剥離することが可能なものを意味する。すなわち、これらの熱剥離材料は、加熱することにより当該材料中に含有された発泡剤や膨張剤が発泡、若しくは膨張し、粘着面積を減少させて接着力を失わせるものである。具体的には、例えば、特公昭５０−１３８７８号公報、特公昭５１−２４５３４号公昭、特開昭５６−６１４６８号公報、特開昭５６−６１４６９号公報、特開昭６０−２５２６８１号公報等に記載されるような、基材上に発泡を含有した粘着層を設けた加熱剥離型粘着シートや、特開２０００−２４８２４０号公報に記載されるような、熱膨張性微小球を含有して、加熱により膨張する熱膨張性層の少なくとも片面に非熱膨張性の粘着層を有する加熱剥離型粘着シートや、特開２０００−１６９８０８号公報に記載されるような、基材の少なくとも一方の面に 熱膨張性微小球を含む熱膨張性層と粘着物質を含む粘着層が設けられた熱剥離型粘着シートであり、基材が耐熱性及び伸縮性を有する熱剥離型粘着シート等を好適に用いることができる。
【００３３】
さらに、接着層２は、ベース基板１上に剥離層を形成し、さらに当該剥離層上に粘着層を形成した構成としても良い。この剥離層は例えばフッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いて作製することができる。そして、粘着層には、例えばＵＶが照射されると粘着力が低下するＵＶ粘着材を使用することができる。接着層２をこのような構成とした場合には、ベース基板１の裏面から例えばエキシマレーザを照射する。これにより、例えばベース基板１として石英基板を用い、ポリイミドを用いて接着層２を形成した場合では、ポリイミドと石英基板の界面でポリイミドのアブレーションにより剥離が発生して樹脂形成チップ３を剥離することが可能となる。
【００３４】
なお、接着層２は、上記のものに限定されるものではなく、上述したように樹脂形成チップ３を配列形成する際には、樹脂形成チップ３を接着固定することができ、また、後に樹脂形成チップ３をベース基板１から取り出す際には、再度樹脂形成チップ３を剥離することが可能であれば良い。
【００３５】
樹脂形成チップ３は、例えば発光素子等の素子をプラスチック等の光透過性の絶縁体樹脂に埋め込んでチップ化したものである。この樹脂形成チップ３について図２及び図３を参照して説明する。樹脂形成チップ３は、離間して配置されている素子１０１の周りを樹脂で固めたものであり、このような樹脂形成チップ３は、後述するように、素子の転写を行う際に一時保持用部材から第二基板に素子を転写する場合に使用できるものである。
【００３６】
樹脂形成チップ３は略平板上でその主たる面が略正方形状とされる。この樹脂形成チップ３の形状は樹脂１０２を固めて形成された形状であり、具体的には未硬化の樹脂１０２を各素子１０１を含むように全面に塗布し、これを硬化した後で縁の部分をダイシング等で切断することで得られる形状である。
【００３７】
ここで、素子１０１は、特に限定されるものではなく、任意の素子を用いることができ、例示するならば、発光素子、液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子などを挙げることができる。
【００３８】
また、略平板状の樹脂の表面側と裏面側にはそれぞれ電極パッド１０３と電極１０４とが形成される。これら電極パッド１０３，１０４の形成は全面に電極パッド１０３，１０４の材料となる金属層や多結晶シリコン層などの導電層を形成し、フォトリソグラフィー技術により所要の電極形状に光学パターンニングすることで形成される。これら電極パッド１０３，１０４は発光素子である素子１０１のｐ電極とｎ電極にそれぞれ接続するように形成されており、必要な場合には樹脂１０２にビアホールなどが形成される。
【００３９】
ここで電極パッド１０３，１０４は樹脂形成チップ３の表面側と裏面側にそれぞれ形成されているが、一方の面に両方の電極パッドを形成することも可能であり、例えば薄膜トランジスタの場合ではソース、ゲート、ドレインの３つの電極があるため、電極パッドを３つ或いはそれ以上形成しても良い。電極パッド１０３，１０４の位置が平板上ずれているのは、最終的な配線形成時に上側からコンタクトをとっても重ならないようにするためである。電極パッド１０３，１０４の形状も正方形に限定されず他の形状としても良い。
【００４０】
このような樹脂形成チップ３を構成することで、素子１０１の周りが樹脂１０２で被覆され平坦化によって精度良く電極パッド１０３，１０４を形成できるとともに素子１０１に比べて広い領域に電極パッド１０３，１０４を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進める場合には取り扱いが容易になる。後述するように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、比較的大き目のサイズの電極パッド１０３，１０４を利用した配線を行うことで、配線不良が未然に防止される。
【００４１】
以上のような樹脂形成チップ３としては、例えばＬＩＰ１０５（LED in Plastic）を用いることができる。以下においては、樹脂形成チップ３として、光透過性を有する樹脂で素子を固め、その表面側と裏面側に電極パッドを形成したＬＩＰ１０５を用いた場合について説明する。
【００４２】
ここで、ＬＩＰ１０５における絶縁体の部分は光透過性を有するため、外部から光が照射された場合には、光を透過させる。一方、樹脂形成チップ３において、素子及び電極パッドは、光透過性を有さないため、素子及び電極パッドの部分に照射された光は、反射されることとなる。すなわち、このＬＩＰ１０５においては、樹脂の部分に照射された光は、透過するが、素子及び電極パッドの部分に照射された光は、透過することがない。
【００４３】
真空吸着ヘッド４は、その底面において樹脂形成チップ３、すなわちＬＩＰ１０５を吸着保持するものであり、底部の略中心部に吸引孔７を備える。また、内部には、吸引孔７の近傍に光源８が配されており、吸引孔７を通して光源８から発せられた照射光１０６が外部に照射されるようになっている。ここで、吸引孔７の形状は特に限定されるものではなく、例えば円状とすることができる。また、光源８は、十分な光量でＬＩＰ１０５を照射することができるものであれば特に限定されるものではなく、種々のものを用いることができる。また、光源８は、十分な光量でＬＩＰ１０５を照射することができるものであれば良く、消費電力も例えば数Ｗ程度のもので十分である。このような光源８としては、例えば発光素子やハロゲンランプ等が好適である。
【００４４】
次に、取り出しヘッドである真空吸着ヘッド４をＬＩＰ１０５から所定の間隔だけ離間した位置に移動させて固定する。このとき、真空吸着ヘッド４においては、吸引は開始せず、したがって、この状態では、ＬＩＰ１０５が真空吸着ヘッド４に吸着されることはない。
【００４５】
次に、真空吸着ヘッド４を固定した状態で当該真空吸着ヘッド４内の光源８を点灯させる。これにより、光源８から発せられた照射光１０６は、吸引孔７を通して外部に照射され、吸引孔７に対向して配されているＬＩＰ１０５を照射する。
【００４６】
ここで、このＬＩＰ１０５においては、樹脂１０２が光透過性を有するため、ＬＩＰ１０５に照射された照射光１０６は基本的にＬＩＰ１０５を透過し、さらにベース基板１を透過することとなる。そして、ＬＩＰ１０５及びベース基板１を透過した透過光１０７は、ＣＣＤカメラ５に到達し、データとして取り込まれる。しかしながら、ＬＩＰ１０５に照射された照射光１０６のうち、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４の部分に照射された光は、電極パッド１０３，１０４が光透過性を有さないため、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４より反射される。すなわち、光源８から吸引孔７を通してＬＩＰ１０５に照射された照射光１０６のうち、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４の部分に照射された光はＣＣＤカメラ５に到達することがない。したがって、ＬＩＰ１０５において、電極パッド１０３，１０４が存在しない位置に照射された照射光１０６は、透過光１０７としてＣＣＤカメラ５に到達するが、素子及び電極パッド１０３，１０４が存在する位置に照射された照射光１０６は、透過光１０７としてＣＣＤカメラ５に到達することがない。これにより、ＣＣＤカメラ５には、透過光１０７が認識される部分と認識されない部分が存在することとなり、この透過光１０７の有無により光学パターン、すなわち素子１０１及び電極パッド１０３，１０４により形成された陰影が撮像される。そして、この光学パターンが認識される位置が、現在の素子１０１及び電極パッド１０３，１０４の位置である。
【００４７】
また、ＣＣＤカメラ５では、この光学パターンの他に、真空吸着ヘッド４が通常の像として撮像されている。これにより、本発明においては、上述した光学パターンの位置と真空吸着ヘッド４の像とを同時に撮像することができる。そして、この光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とを図示しない画像処理装置により画像処理し、お互いの位置関係を比較することにより、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４と真空吸着ヘッド４との位置関係、すなわちＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあるか否かを判断することが可能となる。
【００４８】
そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４と、真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあると判断された場合には、すなわち、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあると判断された場合には、次工程として真空吸着ヘッド４において吸引を開始する。
【００４９】
そして、吸引を開始するとともに、ＬＩＰ１０５とベース基板１との接着力を低減させる。ここで、ＬＩＰ１０５とベース基板１との接着力を低減させるには、例えば、ＬＩＰ１０５をベース基板１に配列する接着層２として熱可塑性樹脂を用いた場合には、この状態でベース基板１の裏面、すなわち、ＬＩＰ１０５を配列した側と反対側からレーザ光をＬＩＰ１０５に対応した位置の接着層２に照射することにより、接着層２を加熱して可塑化させ、ＬＩＰ１０５との接着力を低減させることができる。
【００５０】
次に、図４に示すようにＬＩＰ１０５を真空吸着ヘッド４により吸着保持し、図５に示すように真空吸着ヘッド４を引き上げることによりＬＩＰ１０５をベース基板１から取り出す。
【００５１】
ここで、接着層２のＬＩＰ１０５との接着力は、完全になくす必要はなく、接着層２のＬＩＰ１０５との接着力が後述する真空吸着ヘッド４におけるＬＩＰ１０５を吸引する吸引力よりも小とされれば良い。すなわち、接着層２のＬＩＰ１０５との接着力を、真空吸着ヘッド４の吸引力よりも小とすることにより、ＬＩＰ１０５をベース基板１から真空吸着ヘッド４上に取り出すことができる。
【００５２】
以上により、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係とされた状態でＬＩＰ１０５をベース基板１から精度良く取り出すことができる。
【００５３】
また、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４と、真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にないと判断された場合には、すなわち、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にないと判断された場合には、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になるように、すなわち素子１０１及び電極パッド１０３，１０４と、真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になるようにＬＩＰ１０５の位置を調整する。そして、ＬＩＰ１０５はＸＹステージ６に載置されているため、ＬＩＰ１０５の位置は、ＸＹステージ６をＸ軸方向もしくはＹ軸方向のいずれかの方向において移動させる、又はＸ軸方向とＹ軸方向との両方向において移動させることにより、所望の位置に調整することできる。
【００５４】
そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４と、真空吸着ヘッド４との位置関係を確認しながらＬＩＰ１０５の位置を調整し、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４と、真空吸着ヘッド４とが、すなわちＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になったと判断された状態でＸＹステージ６によるＬＩＰ１０５の位置調整を終了し、固定する。
【００５５】
そして、次工程として真空吸着ヘッド４において吸引を開始するとともに、ＬＩＰ１０５とベース基板１との接着力を低減させる。次に、図４に示すようにＬＩＰ１０５を真空吸着ヘッド４により吸着保持し、図５に示すように真空吸着ヘッド４を引き上げることによりＬＩＰ１０５をベース基板１から取り出す。
【００５６】
以上により、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係とされた状態でＬＩＰ１０５をベース基板１から精度良く取り出すことができる。
【００５７】
なお、素子１０１は電極パッド１０３，１０４よりも小さく、当該素子により形成される光学パターンは、電極パッド１０３，１０４により形成される光学パターンよりも小さなものとなる。したがって、光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とを比較する際には、光学パターンが大きく判断し易い電極パッド１０３，１０４の光学パターンと真空吸着ヘッド４の像との位置関係を比較することが好ましい。
【００５８】
また、この光源８から吸引孔７を通してＬＩＰ１０５に照射された照射光１０６のうち、ＬＩＰ１０５における真空吸着ヘッド４に対向する主面の外周部１０８に当たった光はＬＩＰ１０５の内部に入射することはなく散乱し、散乱光１０９となる。そして、この散乱光１０９は、上述した透過光１０７と同様にベース基板１を透過する。そして、この散乱光１０９は、透過光１０７よりも光量が少なく、透過光１０７よりも暗くなっており、透過光１０７と散乱光１０９との間には明るさの差が生じている。これにより、ＣＣＤカメラ５には、透過光１０７と散乱光１０９との光量の差、すなわち明るさの差により上記と同様に、光学パターン、すなわちＬＩＰ１０５における真空吸着ヘッド４に対向する主面の外周部１０８により形成された陰影が撮像される。そして、この光学パターンが認識される位置が、現在のＬＩＰ１０５の外周部１０８の位置である。
【００５９】
また、ＣＣＤカメラ５では、この光学パターンの他に、真空吸着ヘッド４が通常の像として撮像されている。これにより、本発明においては、上述した光学パターンの位置と真空吸着ヘッド４の像とを同時に撮像することができる。そして、この光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とを図示しない画像処理装置により画像処理し、お互いの位置関係を比較することにより、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４との位置関係、すなわちＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあるか否かを判断することが可能となる。
【００６０】
そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、ＬＩＰ１０５の外周部１０８と、真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあると判断された場合には、すなわち、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあると判断された場合には、次工程として真空吸着ヘッド４において吸引を開始する。そして、図４に示すようにＬＩＰ１０５を真空吸着ヘッド４により吸着保持し、図５に示すように真空吸着ヘッド４を引き上げることによりＬＩＰ１０５をベース基板１から取り出す。これにより、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係とされた状態でＬＩＰ１０５をベース基板１から精度良く取り出すことができる。
【００６１】
また、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、ＬＩＰ１０５の外周部１０８と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にないと判断された場合には、すなわち、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にないと判断された場合には、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になるように、すなわちＬＩＰ１０５の外周部１０８と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になるようにＬＩＰ１０５の位置を調整する。そして、ＬＩＰ１０５はＸＹステージ６に載置されているため、ＬＩＰ１０５の位置は、ＸＹステージ６をＸ軸方向もしくはＹ軸方向のいずれかの方向において移動させる、又はＸ軸方向とＹ軸方向との両方向において移動させることにより、所望の位置に調整することできる。
【００６２】
そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、ＬＩＰ１０５の外周部１０８と真空吸着ヘッド４との位置関係を確認しながらＬＩＰ１０５の位置を調整し、ＬＩＰ１０５の外周部１０８真空吸着ヘッド４とが、すなわちＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になったと判断された状態でＸＹステージ６によるＬＩＰ１０５の位置調整を終了し、固定する。
【００６３】
そして、次工程として真空吸着ヘッド４において吸引を開始する。そして、図４に示すようにＬＩＰ１０５を真空吸着ヘッド４により吸着保持し、図５に示すように真空吸着ヘッド４を引き上げることによりＬＩＰ１０５をベース基板１から取り出す。これにより、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係とされた状態でＬＩＰ１０５をベース基板１から精度良く取り出すことができる。
【００６４】
以上のような本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、真空吸着ヘッド４内に光源８を配し、この光源８で吸引孔７を通してＬＩＰ１０５を照射し、その際にＬＩＰ１０５の外周部１０８、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４により形成された光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とをＣＣＤカメラ５で撮像し、図示しない画像処理装置により画像処理し、比較することによりＬＩＰ１０５が適正な位置にあるか否かを判断する。
【００６５】
すなわち、この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、ＬＩＰ１０５に対してＬＩＰ１０５の正面から光を照射することにより、照射光１０６をＬＩＰ１０５に対して均一に照射することができ、均一な光学パターンを形成することができる。これにより、部分的に不明瞭な光学パターンが形成されるようなことがなく、明瞭な状態で素子１０１及び電極パッド１０３，１０４を画像認識することが可能とされている。
【００６６】
また、この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、至近距離から照射光を当てるため、十分な光量の照射光をＬＩＰ１０５に照射することができ、明瞭な状態で素子１０１及び電極パッド１０３，１０４を画像認識することが可能とされている。
【００６７】
そして、この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、直接光ではないが、比較的直接光に近い透過光１０７及び散乱光１０９を利用しているため、光量の損失が非常に少なく、十分な光量の照射光をＬＩＰ１０５に照射することができ、明瞭な状態で素子１０１及び電極パッド１０３，１０４を画像認識することが可能とされている。
【００６８】
これにより、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４の位置、すなわちＬＩＰ１０５の位置を確実に把握することが可能とされるため、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４との位置合わせも精度良く、正確に行うことが可能となり、簡便且つ精度良くＬＩＰ１０５をベース基板１から取り出すことができる。
【００６９】
また、ＬＩＰ１０５の樹脂１０２と電極パッド１０３，１０４との正常な位置関係が例えば図６に示すように対照的なものである場合、ダイシングによりＬＩＰ１０５を形成する際に、ＬＩＰ１０５の外形と電極パッド１０３，１０４との位置がずれてしまい、例えば図７に示すようにＬＩＰ１０５の樹脂部分が大きくなってしまっている場合には、電極パッドの位置のみでＬＩＰ１０５を取り出し、図８に示すように他の基板１１０等に実装した場合、大きく切り取られた部分の樹脂２２が隣接する他の素子１１１等に接触して、うまく実装できない場合等の不具合が生じる。すなわち、電極パッド１０３，１０４の位置のみを基準としてＬＩＰ１０５の取り出しを行った場合には、ＬＩＰ１０５の外縁部の位置を把握することができないため、上述したような不具合が生じる虞がある。
【００７０】
しかしながら、この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、電極パッド１０３，１０４の位置と共に、ＬＩＰ１０５の外縁部の位置も予め確認してＬＩＰ１０５を取り出すため、上述したような不具合が生じる虞が無く、効率的な且つ確実なＬＩＰ１０５の取り出しを行うことが可能である。
【００７１】
また、この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法は、上述したように樹脂１０２が光透過性を有する場合に好適であるが、樹脂２２が透明体である場合により好適である。光透過性を有する樹脂が透明体の場合には、可視光を９０％以上透過させるため十分な光量の透過光１０７を得ることができ、上述した光学パターンをより明瞭な状態で得ることが可能となる。これにより、より確実にＬＩＰ１０５の位置を把握することが可能とされるため、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４との位置合わせも精度良く、正確に行うことが可能となり、より精度良くＬＩＰ１０５をベース基板１から取り出すことができる。
【００７２】
そして、上述したように樹脂１０２を用いたＬＩＰ１０５の取り出しを行う場合には、真空吸着ヘッド４の構成材料としては、ＳＵＳ材、そのなかでもＳＰ材が好適である。これらの材料は適度な弾性を有するため、真空吸着ヘッド４の構成材料としてこれらの材料を用いた場合には、取り出しの際にＬＩＰ１０５を傷つける虞がないからである。
【００７３】
また、図９に示す真空吸着ヘッド４の吸引孔７の長さＬは、例えば真空吸着ヘッド４に吸着される面の大きさが２００μｍ×２００μｍ程度である場合には、４５μｍ程度とすることが好ましい。吸引孔７の長さＬを長くしすぎた場合には、散乱光１０９が少なくなり、ＬＩＰ１０５の外周部１０８により形成される光学パターンを良好な状態で得ることができなくなり、ＬＩＰ１０５の位置決めの精度に支障を来す虞がある。また、吸引孔７の長さＬを短くしすぎた場合には、散乱光１０９が多くなりすぎ、逆に透過光１０７が少なくなりすぎるため、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４形成される光学パターンを良好な状態で得ることができなくなり、ＬＩＰ１０５の位置決めに支障を来す虞がある。
【００７４】
また、図９に示す真空吸着ヘッド４の吸引孔７の孔径φは、例えば真空吸着ヘッド４に吸着される面の大きさが２００μｍ×２００μｍ程度であり、吸引孔７が円状である場合には、７０μｍ程度とすることが好ましい。吸引孔７の孔径φを小さくしすぎた場合、散乱光１０９が少なくなり、ＬＩＰ１０５の外周部１０８により形成される光学パターンを良好な状態で得ることができなくなり、ＬＩＰ１０５の位置あわせの精度に支障を来す虞がある。また、吸引孔７の孔径φを大きくしすぎた場合、散乱光１０９が多くなりすぎ、逆に透過光１０７が少なくなりすぎるため、素子及び電極パッドにより形成される光学パターンを良好な状態で得ることができなくなり、ＬＩＰ１０５の位置あわせに支障を来す虞がある。
【００７５】
そして、ＣＣＤカメラ５は、カラーカメラである必要はなく、モノクロカメラを用いることができる。この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、上述した光学パターンを撮像する際、光学パターンのデータは、２値化して処理すれば良く、モノクロカメラで十分対応することができ、簡易且つ安価な方法であるといえる。
【００７６】
なお、上記において、ＬＩＰ１０５を真空吸着ヘッド４により吸着保持する際には、光源８は点灯したままでも良く、また、消灯しても良い。
【００７７】
また、上記においては、樹脂形成チップ３として、光透過性を有する樹脂で素子を固め、その表面側と裏面側に電極パッド１０３，１０４を形成したＬＩＰ１０５を用いた場合について説明したが、本発明は、光透過性を有さない素子、もしくはチップに適用することも可能である。
【００７８】
以下では、本発明をシリコンベアーチップであるアクティブ素子の取り出しに適用した場合について説明する。なお、上記と同じ部材については、同じ符号を付すことで詳細な説明は省略する。
【００７９】
本発明を適用してシリコンベアーチップを取り出すには、ＬＩＰ１０５を取り出す場合と同様に、まず、図１０に示すように、シリコンベアーチップ１２１を挟んで一方に真空吸着ヘッド４を配し、反対側に撮像装置であるカメラ、例えばＣＣＤカメラ５を配置する。
【００８０】
次に、取り出しヘッドである真空吸着ヘッド４をシリコンベアーチップ１２１から所定の間隔だけ離間した位置に移動させて固定する。このとき、真空吸着ヘッド４においては、吸引は開始せず、したがって、この状態では、シリコンベアーチップ１２１が真空吸着ヘッド４に吸着されることはない。
【００８１】
次に、真空吸着ヘッド４を固定した状態で当該真空吸着ヘッド４内の光源８を点灯させる。これにより、光源８から発せられた照射光１０６は、吸引孔７を通して外部に照射され、吸引孔７に対向して配されているシリコンベアーチップ１２１を照射する。
【００８２】
ここで、シリコンベアーチップ１２１は、光透過性を有さないため、シリコンベアーチップ１２１に照射された照射光１０６はシリコンベアーチップ１２１により反射される。すなわち、光源８から吸引孔７を通してシリコンベアーチップ１２１に照射された照射光１０６のうち、シリコンベアーチップ１２１に照射され、反射した光はＣＣＤカメラ５に到達することがない。
【００８３】
しかしながら、この光源８から吸引孔７を通してシリコンベアーチップ１２１に照射された照射光１０６のうち、シリコンベアーチップ１２１における真空吸着ヘッド４に対向する主面の外周部１２２に当たった光は散乱し、散乱光１０９となる。そして、この散乱光１０９は、ベース基板１を透過し、ＣＣＤカメラ５に到達する。
【００８４】
そして、この散乱光１０９は、上述したような透過光１０７よりは光量が少なく、透過光１０７よりも暗くなっているが、シリコンベアーチップ１２１が位置する部分の裏面、すなわちＣＣＤカメラ５側では、照射光１０６は反射されているため透過光１０７が存在せず、散乱光１０９の存在する部分よりもさらに暗くなっている。したがって、シリコンベアーチップ１２１の裏面、すなわちＣＣＤカメラ５側では、シリコンベアーチップ１２１の位置する部分と、他の部分では、光量の差、すなわち、明るさの差が生じている。これにより、ＣＣＤカメラ５には、シリコンベアーチップ１２１の位置する部分と、他の部分では、光量の差により上記と同様に、光学パターン、すなわちシリコンベアーチップ１２１おける真空吸着ヘッド４に対向する主面の外周部１２２により形成された陰影が撮像される。そして、この光学パターンが認識される位置が、現在のシリコンベアーチップ１２１の外周部１２２の位置である。
【００８５】
また、ＣＣＤカメラ５では、この光学パターンの他に、真空吸着ヘッド４が通常の像として撮像されている。これにより、本発明においては、上述した光学パターンの位置と真空吸着ヘッド４の像とを同時に撮像することができる。そして、この光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とを図示しない画像処理装置により画像処理し、お互いの位置関係を比較することにより、シリコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４との位置関係、すなわちシリコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあるか否かを判断することが可能となる。
【００８６】
そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、シリコンベアーチップ１２１の外周部１２２と、真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあると判断された場合には、すなわち、シリコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあると判断された場合には、次工程として真空吸着ヘッド４において吸引を開始する。そして、吸引を開始するとともに、シリコンベアーチップ１２１とベース基板１との接着力を低減させる。
【００８７】
次に、図１１に示すようにシリコンベアーチップ１２１を真空吸着ヘッド４により吸着保持し、図１２に示すように真空吸着ヘッド４を引き上げることによりシリコンベアーチップ１２１をベース基板１から取り出す。以上により、シリコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係とされた状態でシリコンベアーチップ１２１をベース基板１から精度良く取り出すことができる。
【００８８】
また、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、シリコンベアーチップ１２１の外周部１２２と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にないと判断された場合には、すなわち、シリコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にないと判断された場合には、シリコンベアーチップ１２１とが所定の位置関係になるように、すなわちシリコンベアーチップ１２１の外周部１２２と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になるようにシリコンベアーチップ１２１の位置を調整する。そして、シリコンベアーチップ１２１はＸステージに載置されているため、シリコンベアーチップ１２１の位置は、ＸＹステージ６をＸ軸方向もしくはＹ軸方向のいずれかの方向において移動させる、又はＸ軸方向とＹ軸方向との両方向において移動させることにより、所望の位置に調整することできる。
【００８９】
そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、シリコンベアーチップ１２１の外周部１２２と真空吸着ヘッド４との位置関係を確認しながらシリコンベアーチップ１２１の位置を調整し、シリコンベアーチップ１２１の外周部１２２真空吸着ヘッド４とが、すなわちシリコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になったと判断された状態でＸＹステージ６によるシリコンベアーチップ１２１の位置調整を終了し、固定する。
【００９０】
そして、次工程として真空吸着ヘッド４において吸引を開始する。そして、図１１に示すようにシリコンベアーチップ１２１を真空吸着ヘッド４により吸着保持し、図１２に示すように真空吸着ヘッド４を引き上げることによりシリコンベアーチップ１２１をベース基板１から取り出す。これにより、シリコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係とされた状態でシリコンベアーチップ１２１をベース基板１から精度良く取り出すことができる。
【００９１】
以上のような本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、真空吸着ヘッド４内に光源８を配し、この光源８で吸引孔７を通してシリコンベアーチップ１２１を照射し、その際にシリコンベアーチップ１２１の外周部１２２により形成された光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とをＣＣＤカメラ５で撮像し、図示しない画像処理装置により画像処理して比較することによりシリコンベアーチップ１２１が適正な位置にあるか否かを判断する。
【００９２】
すなわち、この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、シリコンベアーチップ１２１に対してシリコンベアーチップ１２１の正面から光を照射することにより、照射光１０６をシリコンベアーチップ１２１に対して均一に照射することができ、均一な光学パターンを形成することができる。これにより、部分的に不明瞭な光学パターンが形成されるようなことがなく、明瞭な状態でシリコンベアーチップ１２１の外周部１２２を画像認識することが可能とされている。
【００９３】
また、この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、至近距離から照射光を当てるため、十分な光量の照射光をシリコンベアーチップ１２１に照射することができ、明瞭な状態でシリコンベアーチップ１２１の外周部１２２を画像認識することが可能とされている。
【００９４】
そして、この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、直接光ではないが、比較的直接光に近い散乱光１０９を利用しているため、光量の損失が非常に少なく、十分な光量の照射光をシリコンベアーチップ１２１に照射することができ、明瞭な状態でシリコンベアーチップ１２１の外周部１２２を画像認識することが可能とされている。
【００９５】
これにより、シリコンベアーチップ１２１の外周部１２２の位置、すなわちＬＩＰ１０５の位置を確実に把握することが可能とされるため、シリコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４との位置合わせも精度良く、正確に行うことが可能となり、簡便且つ精度良くシリコンベアーチップ１２１をベース基板１から取り出すことができる。
【００９６】
そして、上述したような樹脂を用いたシリコンベアーチップ１２１の取り出しを行う場合には、真空吸着ヘッド４の構成材料としては、例えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂が好適である。これらの材料は適度な弾性を有するため、真空吸着ヘッド４の構成材料としてこれらの材料を用いた場合には、取り出しの際にシリコンベアーチップ１２１を傷つける虞がないからである。
【００９７】
また、図９に示す真空吸着ヘッド４の吸引孔７の長さＬは、例えば真空吸着ヘッド４に吸着される面の大きさが５００μｍ×３００μｍ程度である場合には、１５０μｍ程度以上とすることが好ましい。吸引孔７の長さＬを長くしすぎた場合、散乱光１０９が少なくなり、シリコンベアーチップ１２１の外周部１２２により形成される光学パターンを良好な状態で得ることができなくなり、シリコンベアーチップ１２１の位置あわせの精度に支障を来す虞がある。
【００９８】
また、図９に示す真空吸着ヘッド４の吸引孔７の孔径φは、例えば真空吸着ヘッド４に吸着される面の大きさが５００μｍ×３００μｍ程度であり、吸引孔７が円状である場合には、７０μｍ程度以上とすることが好ましい。吸引孔７の孔径φを小さくしすぎた場合、散乱光１０９が少なくなり、シリコンベアーチップ１２１ の外周部１２２により形成される光学パターンを良好な状態で得ることができなくなり、シリコンベアーチップ１２１の位置あわせの精度に支障を来す虞がある。
【００９９】
なお、ＣＣＤカメラ５は、上記と同様にモノクロカメラを用いることができ、また、シリコンベアーチップ１２１ を真空吸着ヘッド４により吸着保持する際には、光源８は点灯したままでも良く、また、消灯しても良い。
【０１００】
また、上記の例においては、撮像装置、すなわちＣＣＤカメラ５を素子に対して真空吸着ヘッド４と反対側に配した場合について説明したが、本発明においては、撮像装置、すなわち、ＣＣＤカメラ５を素子に対して真空吸着ヘッド４側に配しても良い。この場合、上述した透過光１０７や散乱光１０９を用いることはできないが、素子の主面で反射した反射光を用いて上記と同様に素子の位置を認識し、素子の位置決めを行うことが可能である。従来の方法の場合は、素子に対して、十分な光量の照射光を照射することができなかったため、反射光の光量が非常に少なく、素子の位置を明確に認識することができなかったが、本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、上述したように十分な光量の照射光を均一に素子に照射することが可能とされているため、上述した透過光１０７や散乱光１０９よりも多少は光量が減少するものの、素子の位置を認識するに十分な光量の反射光を得ることができる。したがって、上述した例と同様に、反射光により形成される光学パターンを撮像装置により撮像し、画像処理することにより、上記と同様にして簡便且つ精度良く素子の位置決めを行い、基板から取り出すことができる。
【０１０１】
また、本発明は、上述したシリコンベアーチップ１２１以外にも、種々のチップのそり出しに適用することが可能であり、例えば携帯電子機器等に広く用いられている０６０３チップ等の取り出しにも適用することができる。また、上記においては、チップ形状のものについて説明したが、本発明は、素子単体についても広く適用できる。
【０１０２】
そして、上記においては、真空吸着ヘッド４が単体の場合について説明したが、真空吸着ヘッド４は、複数が一体とされて一度に複数の素子を一括して取り出すようにされても良い。すなわち、真空吸着ヘッドは、例えば、図１３に示すように６個の吸引孔７が備え、その内部に単体の真空吸着ヘッド４に用いるものよりも大きく、光量の多い光源８を備えて構成されたものとしても良い。この真空吸着ヘッドの場合は、上述した方法で一度に６個の素子を一括して取り出すことができるものである。また、この場合、図示しないＣＣＤカメラは、図示しない素子を挟んで真空吸着ヘッドの反対側に１個だけ配置し、各吸引孔７に対応した位置に移動させて用いても良く、また、６個のＣＣＤカメラをそれぞれ各吸引孔７に対応した位置に配し、移動させずに用いても良い。
【０１０３】
次に、上記素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法の応用例として、二段階拡大転写法による素子の転写方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法について説明する。
【０１０４】
本例の素子の転写方法、素子の配列方法および画像表示装置の製造方法は、高集積度をもって第一基板上に作製された素子を第一基板上で素子が配列された状態よりは離間した状態となるように一時保持用部材に転写し、次いで一時保持用部材に保持された前記素子をさらに離間して第二基板上に転写する二段階の拡大転写を行う。なお、本例では転写を２段階としているが、素子を離間して配置する拡大度に応じて転写を三段階やそれ以上の多段階とすることもできる。
【０１０５】
図１４はそれぞれ二段階拡大転写法の基本的な工程を示す図である。まず、図１４の(a)に示す第一基板１０上に、例えば発光素子のような素子１２を密に形成する。素子を密に形成することで、各基板当たりに生成される素子の数を多くすることができ、製品コストを下げることができる。第一基板１０は例えば半導体ウエハ、ガラス基板、石英ガラス基板、サファイヤ基板、プラスチック基板などの種々素子形成可能な基板であるが、各素子１２は第一基板１０上に直接形成したものであっても良く、他の基板上で形成されたものを配列したものであっても良い。
【０１０６】
次に図１４の(b)に示すように、第一基板１０から各素子１２が図中破線で示す第一の一時保持用部材１１に転写され、この第一の一時保持用部材１１の上に各素子１２が保持される。ここで隣接する素子１２は離間され、図示のようにマトリクス状に配される。すなわち素子１２はｘ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方向に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写される。このとき離間される距離は、特に限定されず、一例として後続の工程での樹脂部形成や電極パッドの形成を考慮した距離とすることができる。第一の一時保持用部材１１上に第一基板１０から転写した際に第一基板１０上の全部の素子が離間されて転写されるようにすることができる。この場合には、第一の一時保持用部材１１のサイズはマトリクス状に配された素子１２の数（ｘ方向、ｙ方向にそれぞれ）に離間した距離を乗じたサイズ以上であれば良い。また、第一の一時保持用部材１１上に第一基板１０上の一部の素子が離間されて転写されるようにすることも可能である。
【０１０７】
このような第一転写工程の後、図１４の(c)に示すように、第一の一時保持用部材１１上に存在する素子１２は離間されていることから、素子１２毎に素子周りの樹脂の被覆と電極パッドの形成が行われる。素子周りの樹脂の被覆は電極パッドを形成し易くし、次の第二転写工程での取り扱いを容易にするなどのために形成される。電極パッドの形成は、後述するように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、その際に配線不良が生じないように比較的大き目のサイズに形成されるものである。なお、図１４の(c)には電極パッドは図示していない。各素子１２の周りを樹脂１３が覆うことで樹脂形成チップ１４が形成される。素子１２は平面上、樹脂形成チップ１４の略中央に位置するが、一方の辺や角側に偏った位置に存在するものであっても良い。
【０１０８】
次に、図１４の(d)に示すように、第二転写工程が行われる。この第二転写工程では第一の一時保持用部材１１上でマトリクス状に配される素子１２が樹脂形成チップ１４ごとに更に離間するように第二基板１５上に転写される。
【０１０９】
この第二転写工程に上述した素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法を応用するが、これについては後ほど詳述する。
【０１１０】
第二転写工程においても、隣接する素子１２は樹脂形成チップ１４ごと離間され、図示のようにマトリクス状に配される。すなわち素子１２はｘ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方向に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写される。第二転写工程によって配置された素子の位置が画像表示装置などの最終製品の画素に対応する位置であるとすると、当初の素子１２間のピッチの略整数倍が第二転写工程によって配置された素子１２のピッチとなる。ここで第一基板１０から第一の一時保持用部材１１での離間したピッチの拡大率をｎとし、第一の一時保持用部材１１から第二基板１５での離間したピッチの拡大率をｍとすると、略整数倍の値ＥはＥ＝ｎｘｍであらわされる。
【０１１１】
第二基板１５上に樹脂形成チップ１４ごと離間された各素子１２には、配線が施される。この時、先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。この配線は例えば素子１２が発光ダイオードなどの発光素子の場合には、ｐ電極、ｎ電極への配線を含み、液晶制御素子の場合は、選択信号線、電圧線や、配向電極膜などの配線等を含む。
【０１１２】
図１４に示した二段階拡大転写法においては、第一転写後の離間したスペースを利用して電極パッドや樹脂固めなどを行うことができ、そして第二転写後に配線が施されるが、先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。したがって、画像表示装置の歩留まりを向上させることができる。また、本例の二段階拡大転写法においては、素子間の距離を離間する工程が２工程であり、このような素子間の距離を離間する複数工程の拡大転写を行うことで、実際は転写回数が減ることになる。すなわち、例えば、ここで第一基板１０から第一の一時保持用部材１１での離間したピッチの拡大率を２（ｎ＝２）とし、第一の一時保持用部材１１から第二基板１５での離間したピッチの拡大率を２（ｍ＝２）とすると、仮に一度の転写で拡大した範囲に転写しようとしたときでは、最終拡大率が２×２の４倍で、その二乗の１６回の転写すなわち第一基板のアライメントを１６回行う必要が生ずるが、本例の二段階拡大転写法では、アライメントの回数は第一転写工程での拡大率２の二乗の４回と第二転写工程での拡大率２の二乗の４回を単純に加えただけの計８回で済むことになる。即ち、同じ転写倍率を意図する場合においては、（ｎ＋ｍ）２＝ｎ２＋２ｎｍ＋ｍ２であることから、必ず２ｎｍ回だけ転写回数を減らすことができることになる。したがって、製造工程も回数分だけ時間や経費の節約となり、特に拡大率の大きい場合に有益となる。
【０１１３】
なお、図１４に示した二段階拡大転写法においては、素子１２を例えば発光素子としているが、これに限定されず、他の素子例えば液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部分、これらの組み合わせなどであっても良い。
【０１１４】
上記第二転写工程においては、樹脂形成チップとして取り扱われ、一時保持用部材上から第二基板に転写されるが、この樹脂形成チップは上記において図２及び図３を用いて説明した樹脂形成チップ３と同様なため、樹脂形成チップ２０として図１５及び図１６に示すのみにとどめ、詳細な説明は省略する。
【０１１５】
次に、図１７に本例の二段階拡大転写法で使用される素子の一例としての発光素子の構造を示す。図１７の（ａ）が素子断面図であり、図１７の（ｂ）が平面図である。この発光素子はＧａＮ系の発光ダイオードであり、たとえばサファイヤ基板上に結晶成長される素子である。このようなＧａＮ系の発光ダイオードでは、基板を透過するレーザ照射によってレーザアブレーションが生じ、ＧａＮの窒素が気化する現象にともなってサファイヤ基板とＧａＮ系の成長層の間の界面で膜剥がれが生じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有している。
【０１１６】
まず、その構造については、ＧａＮ系半導体層からなる下地成長層３１上に選択成長された六角錐形状のＧａＮ層３２が形成されている。なお、下地成長層３１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状のＧａＮ層３２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ法などによって形成される。このＧａＮ層３２は、成長時に使用されるサファイヤ基板の主面をＣ面とした場合にＳ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長層であり、シリコンをドープさせた領域である。このＧａＮ層３２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造のクラッドとして機能する。ＧａＮ層３２の傾斜したＳ面を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層３３が形成されており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層３４が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層３４もクラッドとして機能する。
【０１１７】
このような発光ダイオードには、ｐ電極３５とｎ電極３６が形成されている。ｐ電極３５はマグネシウムドープのＧａＮ層３４上に形成されるＮｉ／Ｐｔ／ＡｕまたはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料を蒸着して形成される。ｎ電極３６は前述の図示しない絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料を蒸着して形成される。なお、図１９に示すように下地成長層３１の裏面側からｎ電極取り出しを行う場合は、ｎ電極３６の形成は下地成長層３１の表面側には不要となる。
【０１１８】
このような構造のＧａＮ系の発光ダイオードは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザアブレーションよって比較的簡単にサファイヤ基板から剥離することができ、レーザビームを選択的に照射することで選択的な剥離が実現される。なお、ＧａＮ系の発光ダイオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成される構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角錐構造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光素子や化合物半導体素子などであっても良い。
【０１１９】
次に、図１８から図２６までを参照しながら、本発明を適用した発光素子の転写方法、発光素子の配列方法の具体的手法について説明する。発光素子は図１７に示したＧａＮ系の発光ダイオードを用いている。
【０１２０】
先ず、図１８に示すように、第一基板４１の主面上には複数の発光ダイオード４２がマトリクス状に形成されている。発光ダイオード４２の大きさは約２０μｍ程度とすることができる。第一基板４１の構成材料としてはサファイヤ基板などのように光ダイオード４２に照射するレーザの波長の透過率の高い材料が用いられる。発光ダイオード４２にはｐ電極などまでは形成されているが最終的な配線は未だなされておらず、素子間分離の溝４２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオード４２は分離できる状態にある。この溝４２ｇの形成は例えば反応性イオンエッチングで行う。このような第一基板４１を第一の一時保持用部材４３に対峙させて図１９に示すように選択的な転写を行う。
【０１２１】
第一の一時保持用部材４３の第一基板４１に対峙する面には剥離層４４と接着剤層４５が２層になって形成されている。ここで第一の一時保持用部材４３の例としては、ガラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板などを用いることができ、第一の一時保持用部材４３上の剥離層４４の例としては、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばポリビニルアルコール：ＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いることができる。また第一の一時保持用部材４３の接着剤層４５としては紫外線（ＵＶ）硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤のいずれかからなる層を用いることができる。一例としては、第一の一時保持用部材４３として石英ガラス基板を用い、剥離層４４としてポリイミド膜４μｍを形成後、接着剤層４５としてのＵＶ硬化型接着剤を約２０μｍ厚で塗布する。
【０１２２】
第一の一時保持用部材４３の接着剤層４５は、硬化した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するように調整され、未硬化領域４５ｙに選択転写にかかる発光ダイオード４２が位置するように位置合わせされる。硬化した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するような調整は、例えばＵＶ硬化型接着剤を露光機にて選択的に２００μｍピッチでＵＶ露光し、発光ダイオード４２を転写するところは未硬化でそれ以外は硬化させてある状態にすれば良い。このようなアライメントの後、転写対象位置の発光ダイオード４２に対しレーザを第一基板４１の裏面から照射し、当該発光ダイオード４２を第一基板４１からレーザアブレーションを利用して剥離する。ＧａＮ系の発光ダイオード４２はサファイヤとの界面で金属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離できる。照射するレーザとしてはエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザなどが用いられる。
【０１２３】
このレーザアブレーションを利用した剥離によって、選択照射にかかる発光ダイオード４２はＧａＮ層と第一基板４１の界面で分離し、反対側の接着剤層４５にｐ電極部分を突き刺すようにして転写される。他のレーザが照射されない領域の発光ダイオード４２については、対応する接着剤層４５の部分が硬化した領域ｓであり、レーザも照射されていないために第一の一時保持用部材４３側に転写されることはない。なお、図１８では１つの発光ダイオード４２だけが選択的にレーザ照射されているが、ｎピッチ分だけ離間した領域においても同様に発光ダイオード４２はレーザ照射されているものとする。このような選択的な転写によっては発光ダイオード４２第一基板４１上に配列されている時よりも離間して第一の一時保持用部材４３上に配列される。
【０１２４】
発光ダイオード４２は第一の一時保持用部材４３の接着剤層４５に保持された状態で、発光ダイオード４２の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、発光ダイオード４２の裏面には樹脂（接着剤）がないように除去、洗浄されているため、図１９に示すように電極パッド４６を形成すれば、電極パッド４６は発光ダイオード４２の裏面と電気的に接続される。
【０１２５】
接着剤層４５の洗浄の例としては酸素プラズマで接着剤用樹脂をエッチング、ＵＶオゾン照射にて洗浄する。かつ、レーザにてＧａＮ系発光ダイオードをサファイヤ基板からなる第一基板４１から剥離したときには、その剥離面にＧａが析出しているため、そのＧａをエッチングすることが必要であり、ＮａＯＨ水溶液もしくは希硝酸で行うことになる。その後、電極パッド４６をパターニングする。このときのカソード側の電極パッドは約６０μｍ角とすることができる。電極パッド４６としては透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）もしくはＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの材料を用いる。透明電極の場合は発光ダイオードの裏面を大きく覆っても発光をさえぎることがないので、パターニング精度が粗く、大きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易になる。
【０１２６】
図２０は第一の一時保持用部材４３から発光ダイオード４２を第二の一時保持用部材４７に転写して、アノード電極（ｐ電極）側のビアホール５０を形成した後、アノード側電極パッド４９を形成し、樹脂からなる接着剤層４５をダイシングした状態を示している。このダイシングの結果、素子分離溝５１が形成され、発光ダイオード４２は素子ごとに区分けされたものになる。素子分離溝５１はマトリクス状の各発光ダイオード４２を分離するため、平面光学パターンとしては縦横に延長された複数の平行線からなる。素子分離溝５１の底部では第二の一時保持用部材４７の表面が臨む。
【０１２７】
また、第二の一時保持用部材４７上には剥離層４８が形成される。この剥離層４８は例えばフッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いて作製することができる。第二の一時保持用部材４７は、一例としてプラスチック基板にＵＶ粘着材が塗布してある、いわゆるダイシングシートであり、ＵＶが照射されると粘着力が低下するものを利用できる。
【０１２８】
第一の一時保持用部材４３から第二の一時保持用部材４７への転写に際しては、このような剥離層４４を形成した一時保持部材４３の裏面からエキシマレーザを照射する。これにより、例えば剥離層４４としてポリイミドを形成した場合では、ポリイミドと石英基板の界面でポリイミドのアブレーションにより剥離が発生して、各発光ダイオード４２は第二の一時保持部材４７側に転写される。
【０１２９】
また、アノード側電極パッド４９を形成するに際しては、接着剤層４５の表面を酸素プラズマで発光ダイオード４２の表面が露出してくるまでエッチングする。まずビアホール５０の形成はエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザを用いることができる。このとき、ビアホールは約３〜７μｍの径を開けることになる。アノード側電極パッドはＮｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成する。ダイシングプロセスは通常のブレードを用いたダイシング、２０μｍ以下の幅の狭い切り込みが必要なときには上記レーザを用いたレーザによる加工を行う。その切り込み幅は画像表示装置の画素内の樹脂からなる接着剤層４５で覆われた発光ダイオード４２の大きさに依存する。
【０１３０】
次に、発光ダイオード４２を第二の一時保持用部材４７から第二基板６０に転写する。発光ダイオード４２転写に際しては、まず、機械的手段を用いて発光ダイオード４２が第二の一時保持用部材４７から取り出される。図２１は、第二の一時保持用部材４７上に配列している発光ダイオード４２を真空吸着ヘッド８１でピックアップするところを示した図である。そして、この発光ダイオード４２の取り出しに、上述した素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法を応用する。
【０１３１】
ここで、発光ダイオード４２を第二の一時保持用部材４７から取り出すには、図２１に示すような真空吸着ヘッド８１を用いる。真空吸着ヘッド８１は、金属板５２と吸引装置５３とを備えて構成されており、金属板５２の表面には、複数の吸着孔５５が形成されている。このときの吸着孔５５は画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口していて、発光ダイオード４２を多数個、一括で吸着できるようになっている。このときの開口径は、例えば約φ４５μｍで６００μｍピッチのマトリクス状に開口されて、一括で約３００個を吸着できる。このときの吸着孔５５の部材は例えば、ＳＵＳ材などの金属板５２をエッチングで穴加工したものが使用され、金属板５２の吸着孔５５の奥には、吸着チャンバ５４が形成されており、この吸着チャンバ５４を負圧に制御することで発光ダイオード４２の吸着が可能になる。また、吸着チャンバの奥には、光源８２が配置されており、吸着孔５５を通して樹脂形成チップ（発光ダイオード４２及び接着剤層４５）に光を照射できるようにされている。発光ダイオード４２はこの段階で樹脂からなる接着剤層４５で覆われており、その上面は略平坦化されており、このために吸着装置５３による選択的な吸着を容易に進めることができる。
【０１３２】
このような真空吸着ヘッド８１を用いて発光ダイオード４２を第二の一時保持用部材４７から取り出すには、まず、図２１に示すように、発光ダイオード４２を挟んで一方に真空吸着ヘッド８１を配し、反対側に撮像装置であるＣＣＤカメラ８３を配置する。
【０１３３】
ここで、ＣＣＤカメラ８３は、真空吸着ヘッド８１の吸引孔５５の中心とＣＣＤカメラ８３のレンズの中心とが一直線上に並ぶように配置する。また、樹脂形成チップが配列形成された第二の一時保持用部材４７は、ＸＹステージ８４上に保持する。第二の一時保持用部材４７は、ＸＹステージ８４をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させることにより、所望の位置に移動させることができ、これにより、樹脂形成チップの位置を所望の位置に制御することが可能とされている。
【０１３４】
次に、真空吸着ヘッド８１を樹脂形成チップから所定の間隔だけ離間した位置に移動させて固定する。このとき、真空吸着ヘッド８１においては、吸引はまだ開始しない。
【０１３５】
そして、真空吸着ヘッド８１を固定した状態で当該真空吸着ヘッド８１内の光源８２を点灯させる。これにより、光源８から発せられた照射光は、吸引孔５５を通して外部に照射され、吸引孔５５に対向して配されている樹脂形成チップを照射する。
【０１３６】
次に、光源８２から光を照射することにより形成された光学パターンと真空吸着ヘッド８１の像とをＣＣＤカメラ８３で撮像し、画像処理装置により画像処理し、お互いの位置関係を比較することにより、樹脂形成チップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係にあるか否かを判断する。
【０１３７】
そして、樹脂形成チップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係にあると判断された場合には、次工程として真空吸着ヘッド８１において吸引を開始する。また、吸引を開始するとともに、樹脂形成チップと第二の一時保持用部材４７との接着力を低減させる。
【０１３８】
次に、図２２に示すように樹脂形成チップ真空吸着ヘッド８１により吸着保持し、図２３に示すように真空吸着ヘッド８１を引き上げることにより樹脂形成チップを第二の一時保持用部材４７から取り出す。
【０１３９】
また、樹脂形成チップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係にないと判断された場合には、樹脂形成チップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係になるようにＸＹステージ８４を移動させることにより樹脂形成チップの位置を調整する。そして、樹脂形成チップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係になったと判断された状態でＸＹステージ８４による樹脂形成チップの位置調整を終了し、固定する。以上により、樹脂形成チップの位置決めが完了する。
【０１４０】
次に、次工程として真空吸着ヘッド８１において吸引を開始するとともに、樹脂形成チップと第二の一時保持用部材４７との接着力を低減させる。そして、図２２に示すように樹脂形成チップ真空吸着ヘッド８１により吸着保持し、図２３に示すように真空吸着ヘッド８１を引き上げることにより樹脂形成チップを第二の一時保持用部材４７から取り出す。以上により、発光ダイオード４２を真空吸着ヘッド８１と所定の位置関係とされた状態で第二の一時保持用部材４７から精度良く取り出すことができる。
【０１４１】
そして、真空吸着ヘッド８１に取り出した発光ダイオード４２を第二基板６０に実装する。すなわち、図２４に示すように第二基板６０にあらかじめ接着剤層５６を塗布しておき、その発光ダイオード４２下面の接着剤層５６を硬化させ、発光ダイオード４２を第二基板６０に固着して配列させる。この装着時には、真空吸着ヘッド８１の吸着チャンバ５４が圧力の高い状態となり、真空吸着ヘッド８１と発光ダイオード４２との吸着による結合状態は解放される。ここで、接着剤層５６は熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤などによって構成されている。
【０１４２】
発光ダイオード４２が配置される位置は、一時保持用部材４３、４７上での配列よりも離間したものとなる。そのとき接着剤層５６の樹脂を硬化させるエネルギー（レーザ光７３）は、図２４に示すように第二基板６０の裏面から供給される。このとき、第二基板６０の裏面からレーザ光７３を照射し、転写する樹脂形成チップ（発光ダイオード４２及び接着剤層４５）に対応する部分の接着剤層５６のみを加熱する。これにより、接着剤層５６が熱可塑性接着剤の場合には、その部分の接着剤層５６が軟化し、その後、冷却硬化することにより樹脂形成チップが第二基板６０上に固着される。同様に、接着剤層５６が熱硬化性接着剤の場合にも、レーザ光７３が照射された部分の接着剤層５６のみが硬化して、樹脂形成チップが第二基板６０上に固着される。
【０１４３】
また、第二基板６０上にシャドウマスクとしても機能する電極層５７を配設し、この電極層５７をレーザ光７３を照射することにより加熱し、間接的に接着剤層５６を加熱するようにしてもよい。特に、電極層５７の画面側の表面すなわち当該画像表示装置を見る人がいる側の面に黒クロム層５８を形成すれば、画像のコントラストを向上させることができると共に、黒クロム層５８でのエネルギー吸収率を高くして、選択的に照射されるレーザ光７３によって接着剤層５６を効率的に加熱するようにすることができる。
【０１４４】
図２５はＲＧＢの３色の発光ダイオード４２、６１、６２を第二基板６０に配列させ絶縁層５９を塗布した状態を示す図である。上述した方法により、第二基板６０にマウントする位置をその色の位置にずらしてマウントすると、画素としてのピッチは一定のまま３色からなる画素を形成できる。絶縁層５９としては透明エポキシ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミドなどを用いることができる。３色の発光ダイオード４２、６１、６２は必ずしも同じ形状でなくとも良い。図２５では赤色の発光ダイオード６１が六角錐のＧａＮ層を有しない構造とされ、他の発光ダイオード４２、６２とその形状が異なっているが、この段階では各発光ダイオード４２、６１、６２は既に樹脂形成チップとして樹脂からなる接着剤層４５で覆われており、素子構造の違いにもかかわらず同一の取り扱いが実現される。
【０１４５】
図２６は配線形成工程を示す図である。絶縁層５９に開口部６５、６６、６７、６８、６９、７０を形成し、発光ダイオード４２、６１、６２のアノード、カソードの電極パッドと第二基板６０の配線用の電極層５７を接続する配線６３、６４、７１を形成した図である。このときに形成する開口部すなわちビアホールは発光ダイオード４２、６１、６２の電極パッド４６、４９の面積を大きくしているのでビアホール形状は大きく、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。このときのビアホールは約６０μｍ角の電極パッド４６、４９に対し、約φ２０μｍのものを形成できる。また、ビアホールの深さは配線基板と接続するもの、アノード電極と接続するもの、カソード電極と接続するものの３種類の深さがあるのでレーザのパルス数で制御し、最適な深さを開口する。その後、保護層を配線上に形成し、画像表示装置のパネルは完成する。このときの保護層は図２２の絶縁層５９と同様、透明エポキシ接着剤などの材料が使用できる。この保護層は加熱硬化し配線を完全に覆う。この後、パネル端部の配線からドライバーＩＣを接続して駆動パネルを製作することになる。
【０１４６】
上述のような発光素子の配列方法においては、第一の一時保持用部材４３に発光ダイオード４２を保持させた時点で既に、素子間の距離が大きくされ、その広がった間隔を利用して比較的サイズの電極パッド４６、４９などを設けることが可能となる。それら比較的サイズの大きな電極パッド４６、４９を利用した配線が行われるために、素子サイズに比較して最終的な装置のサイズが著しく大きな場合であっても容易に配線を形成できる。
【０１４７】
また、本例の発光素子の配列方法では、発光素子の周囲が硬化した接着剤層４５で被覆され平坦化によって精度良く電極パッド４６，４９を形成できる。また、発光ダイオード４２の第一の一時保持用部材４３への転写には、ＧａＮ系材料がサファイヤとの界面で金属のＧａと窒素に分解することを利用して、比較的簡単に剥離でき、確実に転写される。
【０１４８】
さらに、発光ダイオード４２の第二基板への転写（第二転写工程）では、発光ダイオード４２を真空吸着ヘッド８１に取り出す際に、真空吸着ヘッド８１内に内蔵した光源８２より樹脂形成チップに光を照射することにより形成された、光学パターンと真空吸着ヘッド８１の像とをＣＣＤカメラ８３で撮像し、画像処理装置により画像処理し、お互いの位置関係を比較することにより、樹脂形成チップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係にあるか否かを判断する。そして、樹脂形成チップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係にない場合は、樹脂形成チップの位置を所定の位置に調整した後、発光ダイオード４２を吸引、保持する。これにより、発光ダイオード４２を所定の位置に精度良く位置決めをすることができ、正常な状態で発光ダイオード４２を真空吸着ヘッド８１に取り出すことが可能である。
【０１４９】
【発明の効果】
以上のような本発明に係る素子の位置決め方法によれば、素子の位置を確実に把握することが可能とされるため、取り出しヘッドに対して精度良く、正確に素子の位置決めを行うことが可能となる。
【０１５２】
以上のような本発明に係る素子の取り出し方法では、上述した素子の位置決め方法により素子を位置決めした後に素子を吸着するため、素子を正しい位置に吸着保持することができ、精度良く素子を取り出すことができる。
【０１５４】
以上のような本発明に係る素子の転写方法は、上述した素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法を用いて素子の転写を行うため、素子の位置ずれを防止することが可能とされ、素子の転写を正確に行うことができる。
【０１５６】
以上のような本発明に係る素子の配列方法では、上記転写方法を用いることにより素子の転写が効率的且つ確実に行うことができるので、素子間の距離を大きくする拡大転写を円滑に実施することができる。
【０１５８】
以上のような本発明に係る画像表示装置の製造方法によれば、密な状態すなわち集積度を高くして微細加工を施して作成された発光素子を、上記素子の位置決め方法、素子の取り出し方法、素子の転写方法及び素子の配列方法を応用して正確に離間して再配置することができ、したがって精度の高い画像表示装置を生産性良く製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図である。
【図２】樹脂形成チップの概略斜視図である。
【図３】樹脂形成チップの概略平面図である。
【図４】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図である。
【図５】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図である。
【図６】正常な樹脂形成チップの概略平面図である。
【図７】ダイシング不良が生じた正常な樹脂形成チップの概略平面図である。
【図８】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図である。
【図９】真空吸着ヘッドの概略断面図である。
【図１０】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図である。
【図１１】発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図である。
【図１２】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図である。
【図１３】本発明を適用し、複数の吸引孔を備えて構成された真空吸着ヘッドの一例を示す概略斜視図である。
【図１４】素子の配列方法を示す模式図である。
【図１５】樹脂形成チップの概略斜視図である。
【図１６】樹脂形成チップの概略平面図である。
【図１７】発光素子の一例を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図１８】第１転写工程を示す概略断面図である。
【図１９】電極パッド形成工程を示す概略断面図である。
【図２０】第２の一時保持用部材への転写後の電極パッド形成工程を示す概略断面図である。
【図２１】第２転写工程を示す概略断面図である。
【図２２】第２転写工程を示す概略断面図である。
【図２３】第２転写工程を示す概略断面図である。
【図２４】第２転写工程を示す概略断面図である。
【図２５】絶縁層の形成工程を示す概略断面図である。
【図２６】配線形成工程を示す概略断面図である。
【図２７】従来の素子の転写方法を示す概略断面図である。
【図２８】従来の素子の位置決め方法を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１ ベース基板
２ 接着層
３ 樹脂形成チップ
４ 真空吸着ヘッド
５ ＣＣＤカメラ
６ ＸＹステージ
７ 吸引孔
８ 光源
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光素子などの素子を転写する際に適用可能な素子の位置決め方法、素子の取り出し方法、素子の転写方法に関するものであり、さらには、この転写方法を応用して微細加工された素子をより広い領域に転写する素子の配列方法および画像表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、電子機器等においては、微細な素子、電子部品、電子デバイス、さらにはそれらをプラスチックのような絶縁体に埋め込んだ電子部品等を多数配列することにより構成されたものが広く用いられている。例えば、発光素子をマトリクス状に配列して画像表示装置に組み上げる場合には、従来、液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）やプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）のように基板上に直接素子を形成するか、あるいは発光ダイオードディスプレイ（ＬＥＤディスプレイ）のように単体のＬＥＤパッケージを配列することが行われている。
【０００３】
ここで、ＬＣＤ、ＰＤＰの如き画像表示装置においては、素子分離ができないために、製造プロセスの当初から各素子はその画像表示装置の画素ピッチだけ間隔を空けて形成することが通常行われている。
【０００４】
一方、ＬＥＤディスプレイの場合には、ＬＥＤチップをダイシング後に取り出し、個別にワイヤーボンドもしくはフリップチップによるバンプ接続により外部電極に接続し、パッケージ化されることが行われている。この場合、パッケージ化の前もしくは後に画像表示装置としての画素ピッチに配列されるが、この画素ピッチは素子形成時の素子のピッチとは無関係とされる。
【０００５】
発光素子であるＬＥＤ（発光ダイオード）は高価である為、１枚のウエハから数多くのＬＥＤチップを製造することによりＬＥＤを用いた画像表示装置を低コストにできる。すなわち、ＬＥＤチップの大きさを従来約３００μｍ角のものを数十μｍ角のＬＥＤチップにして、それを接続して画像表示装置を製造すれば画像表示装置の価格を下げることができる。
【０００６】
そこで各素子を集積度高く形成し、各素子を広い領域に転写などによって離間させながら移動させ、画像表示装置などの比較的大きな表示装置を構成する技術が有り、例えば、図２７(a)に示すようにベース基板２０１上の接着層２０２に素子２０３を配置し、図２７(b)に示すように吸着ヘッド２０４を用いて素子２０３を取り出し、他の基板２０５の接着層２０６上に置くことにより転写を行う技術がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、転写技術により画像表示装置を製造する場合、素子が確実に転写される必要がある。また、効率的な転写、精度の良い転写も要求される。
【０００８】
しかしながら、近年、素子が非常に微細化しているため、上述のような方法を用いた場合、吸着ヘッド装置の機械的な位置決め精度のみに依存すると、転写した素子の位置ずれが生じたり、また、素子が吸着ヘッドに吸着されなかったり、転写途中で吸着ヘッドから素子落ちたりするという問題がある。
【０００９】
そこで、最近では、図２８に示すように吸着ヘッド２０４で素子２０３を吸着する際にカメラ２０７と光源２０８とを用いて位置決めを行っている。そして、カメラを用いて吸着ヘッドに素子を吸着する際の位置決めを行う場合、ベース基板２０１越しにカメラ２０７を配して素子２０３と吸着ヘッド２０４とを撮像して各々の位置を確認する方法と、吸着ヘッド２０４に近い位置にカメラ２０７を配して素子２０３と吸着ヘッド２０４とを撮像して各々の位置を確認する方法がある。しかしながら、いずれの方法においても、撮像するには光源が必要となり、撮像対象が小さいため光源の良好な配置位置がない場合や、また、吸着ヘッド周りにはスペースが少ないため光源を配置することができず、カメラを用いた素子の位置決めが行えない場合もある。
【００１０】
また、カメラの大きさには限界があり、素子と吸着ヘッドとを同時に認識するためには所定の光量が必要となるが、上述した方法では反射光を用いているため、カメラに入射する光量が少なくなり、素子と吸着ヘッドとを同時に認識することが困難、または不可能となるため、精度良く素子を転写することが困難であるという問題がある。
【００１１】
そして、これらの問題は、素子の取り出し、転写を行う場合に限らず、チップ部品の取り出し、転写を行う場合にも同様に生じている。
【００１２】
さらに、複数の素子又はチップ部品を一度にピックアップしようとした場合には、上述した問題は顕著となる。
【００１３】
したがって、上述したような吸着ヘッドを用いて素子の転写を行う際に、簡便且つ精度良く転写を行うことが可能な素子の位置決め方法、素子の取り出し方法、素子の転写方法、及びこれらを応用して微細加工された素子をより広い領域に転写する素子の配列方法および画像表示装置の製造方法などは未だ確立されていないのが現状である。
【００１４】
そこで、本発明は、かかる従来の実情に鑑みて創案されたされたものであり、効率的且つ精度良く素子を転写することが可能な素子の位置決め方法、素子の取り出し方法、及び素子の転写方法を提供することを目的とし、さらには、これらを応用した素子の配列方法、画像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
以上の目的を達成する本発明に係る素子の位置決め方法は、取り出しヘッドを用いて基板上に設置された素子を取り出す際の上記素子の位置決め方法であって、内部に光源を備えるとともに、当該内部に上記素子を吸引するために上記基板の方向に貫通する孔を有する取り出しヘッドを用い、上記光源により上記孔を通して上記素子に照射光を照射して光学パターンを形成する工程と、上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記素子の位置決めを行う工程と、を備える。
【００１６】
以上のような本発明に係る素子の位置決め方法では、取り出しヘッド内に光源を配し、この光源で孔を通して素子を照射し、その際に形成された光学パターンと取り出しヘッドの像とを撮像手段で撮像し、画像処理手段により画像処理して比較することにより素子が適正な位置にあるか否かを判断する。
【００１７】
すなわち、この素子の位置決め方法では、素子に対して素子の正面から光を照射することにより、照射光を素子に対して均一に照射し、均一な光学パターンを形成する。これにより、部分的に不明瞭な光学パターンが形成されるようなことがなく、明瞭な状態で素子が画像認識される。
【００１８】
また、この素子の位置決め方法では、至近距離から照射光を当てるため、十分な光量の照射光を素子に照射するため、明瞭な状態で素子が画像認識される。
【００１９】
そして、この素子の取り出し方法では、直接光ではないが、比較的直接光に近い透過光及び散乱光を利用するため、光量の損失が非常に少なく、十分な光量の照射光を素子に照射することができ、明瞭な状態で素子が画像認識される。
【００２０】
また、以上の目的を達成する本発明に係る素子の取り出し方法は、取り出しヘッドを用いて基板上に設置された素子を取り出す際の素子の取り出し方法であって、内部に光源を備えるとともに、当該内部に上記素子を吸引するために上記基板の方向に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、上記光源により上記吸引孔を通して上記素子に照射光を照射して光学パターンを形成する工程と、上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記素子の位置決めを行う工程と、上記素子の位置決めを行った後に上記素子を吸着保持する工程とを備える。
【００２１】
以上のような本発明に係る素子の取り出し方法では、上述した素子の位置決め方法により素子を位置決めした後に素子を吸着するため、素子は正しい位置に吸着保持される。
【００２２】
また、以上の目的を達成する本発明に係る素子の転写方法は、第一の基板上に配列された素子を第二の基板上に転写する素子の転写方法であって、上記素子を取り出しヘッドに移す取り出し工程と、上記取り出しヘッドに取り出された上記素子を上記第二の基板上に実装する実装工程とを有し、上記取り出し工程は、内部に光源を備えるとともに、当該内部に上記素子を吸引するために上記第一の基板の方向に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、上記光源により上記吸引孔を通して上記素子に照射光を照射して光学パターンを形成する工程と、上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記素子の位置決めを行う工程と、上記素子の位置決めを行った後に上記素子を吸着保持する工程とを備える。
【００２３】
以上のような本発明に係る素子の転写方法は、上述した素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法を用いて素子の転写を行うため、素子の位置ずれが防止され、素子の転写が正確に行われる。
【００２４】
また、以上の目的を達成する本発明に係る素子の配列方法は、第一の基板上に配列された複数の素子を第二の基板上に再配列する素子の配列方法において、上記第一の基板上で上記素子が配列された状態よりは離間した状態となるように上記素子を転写して第一の一時保持用部材に該素子を保持させる第一転写工程と、上記第一の一時保持用部材に保持された上記素子を樹脂で固める工程と、上記樹脂をダイシングして素子毎に分離する工程と、上記第一の一時保持用部材に保持され樹脂で固められた上記素子をさらに離間して上記第二の基板上に転写する第二転写工程とを有し、上記第二転写工程は、上記素子を取り出しヘッドに移す取り出し工程と、上記取り出しヘッドに取り出された上記素子を上記第二の基板上に実装する実装工程とを有し、上記取り出し工程が、内部に光源を備えるとともに、当該内部に上記素子を吸引するために上記第一の基板の方向に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、上記光源により上記吸引孔を通して上記素子に照射光を照射して光学パターンを形成する工程と、上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記素子の位置決めを行う工程と、上記素子の位置決めを行った後に上記素子を吸着保持する工程とを備える。
【００２５】
以上のような本発明に係る素子の配列方法においては、上記転写方法を用いることにより素子の転写が効率的且つ確実に行われるので、素子間の距離を大きくする拡大転写を円滑に実施することができる。
【００２６】
また、以上の目的を達成する本発明に係る画像表示装置の製造方法は、発光素子をマトリクス状に配置した画像表示装置の製造方法において、上記第一の基板上で上記発光素子が配列された状態よりは離間した状態となるように上記発光素子を転写して第一の一時保持用部材に該発光素子を保持させる第一転写工程と、上記第一の一時保持用部材に保持された上記発光素子を樹脂で固める工程と、上記樹脂をダイシングして発光素子毎に分離する工程と、上記第一の一時保持用部材に保持され樹脂で固められた上記発光素子をさらに離間して上記第二の基板上に転写する第二転写工程とを有し、上記第二転写工程は、上記発光素子を取り出しヘッドに移す取り出し工程と、上記取り出しヘッドに取り出された上記発光素子を上記第二の基板上に実装する実装工程とを有し、上記取り出し工程が、内部に光源を備えるとともに、当該内部に上記素子を吸引するために上記第一の基板の方向に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、上記光源により上記吸引孔を通して上記素子に照射光を照射して光学パターンを形成する工程と、上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記発光素子の位置決めを行う工程と、上記発光素子の位置決めを行った後に上記発光素子を吸着保持する工程とを備える。
【００２７】
以上のような本発明に係る画像表示装置の製造方法によれば、上記転写方法、配列方法によって発光素子がマトリクス状に配置され、画像表示部分が構成される。したがって、密な状態すなわち集積度を高くして微細加工を施して作製された発光素子を、効率よく離間して再配置することができ、生産性が大幅に改善される。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した素子の位置決め方法、素子の取り出し方法、素子の転写方法、素子の配列方法、及び画像表示装置の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２９】
先ず、基本となる素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法について説明する。ここでは、図１に示すような、供給源となるベース基板１上に接着層２を形成し、この上に配列形成した樹脂形成チップ３を取り出す場合について説明する。本発明を適用してベース基板１上に配列形成された樹脂形成チップ３を取り出すには、まず、図１に示すように、樹脂形成チップ３を挟んで一方に真空吸着ヘッド４を配し、反対側に撮像装置であるカメラ、例えばＣＣＤカメラ５を配置する。
【００３０】
ここで、ＣＣＤカメラ５は、真空吸着ヘッド４の吸引孔の中心とＣＣＤカメラ５のレンズの中心とが一直線上に並ぶように配される。また、樹脂形成チップ３が配列形成されたベース基板１は、ＸＹステージ６上に保持されている。ベース基板１は、ＸＹステージ６をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させることにより、所望の位置に移動させることができ、これにより、樹脂形成チップ３の位置を所望の位置に制御することが可能とされている。
【００３１】
ベース基板１は、特に限定されるものではなく、樹脂形成チップ３との組み合わせ等を考慮して任意の材料のものを用いることができるが、本発明の趣旨より光透過性を有する材料を用いる。また、Ｎａイオンの影響を考慮する場合には、無アルカリガラス、サファイヤ、石英等を用いることが好ましい。
【００３２】
接着層２は、樹脂形成チップ３を配列形成する際に樹脂形成チップ３を接着固定することができ、また、後に樹脂形成チップ３をベース基板１から取り出す際には、再度樹脂形成チップ３を剥離することが可能とされる層である。ベース基板１上に接着層２を形成し、当該接着層２上に樹脂形成チップ３を配列形成することにより、樹脂形成チップ３を簡単に取り出すことができる。このような接着層２は、例えば、熱可塑性樹脂や熱剥離材料からなるシート等が好適である。ここで、熱可塑性樹脂を用いた場合には、接着層２を加熱することにより、熱可塑性樹脂が可塑化し、これにより接着層２と樹脂形成チップ３との接着力が低減し、樹脂形成チップ３を容易に剥離することができる。また、熱剥離材料とは、加熱することによる発泡ないし膨張処理でその粘着力を低減でき、被着体を簡単に剥離することが可能なものを意味する。すなわち、これらの熱剥離材料は、加熱することにより当該材料中に含有された発泡剤や膨張剤が発泡、若しくは膨張し、粘着面積を減少させて接着力を失わせるものである。具体的には、例えば、特公昭５０−１３８７８号公報、特公昭５１−２４５３４号公昭、特開昭５６−６１４６８号公報、特開昭５６−６１４６９号公報、特開昭６０−２５２６８１号公報等に記載されるような、基材上に発泡を含有した粘着層を設けた加熱剥離型粘着シートや、特開２０００−２４８２４０号公報に記載されるような、熱膨張性微小球を含有して、加熱により膨張する熱膨張性層の少なくとも片面に非熱膨張性の粘着層を有する加熱剥離型粘着シートや、特開２０００−１６９８０８号公報に記載されるような、基材の少なくとも一方の面に 熱膨張性微小球を含む熱膨張性層と粘着物質を含む粘着層が設けられた熱剥離型粘着シートであり、基材が耐熱性及び伸縮性を有する熱剥離型粘着シート等を好適に用いることができる。
【００３３】
さらに、接着層２は、ベース基板１上に剥離層を形成し、さらに当該剥離層上に粘着層を形成した構成としても良い。この剥離層は例えばフッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いて作製することができる。そして、粘着層には、例えばＵＶが照射されると粘着力が低下するＵＶ粘着材を使用することができる。接着層２をこのような構成とした場合には、ベース基板１の裏面から例えばエキシマレーザを照射する。これにより、例えばベース基板１として石英基板を用い、ポリイミドを用いて接着層２を形成した場合では、ポリイミドと石英基板の界面でポリイミドのアブレーションにより剥離が発生して樹脂形成チップ３を剥離することが可能となる。
【００３４】
なお、接着層２は、上記のものに限定されるものではなく、上述したように樹脂形成チップ３を配列形成する際には、樹脂形成チップ３を接着固定することができ、また、後に樹脂形成チップ３をベース基板１から取り出す際には、再度樹脂形成チップ３を剥離することが可能であれば良い。
【００３５】
樹脂形成チップ３は、例えば発光素子等の素子をプラスチック等の光透過性の絶縁体樹脂に埋め込んでチップ化したものである。この樹脂形成チップ３について図２及び図３を参照して説明する。樹脂形成チップ３は、離間して配置されている素子１０１の周りを樹脂で固めたものであり、このような樹脂形成チップ３は、後述するように、素子の転写を行う際に一時保持用部材から第二基板に素子を転写する場合に使用できるものである。
【００３６】
樹脂形成チップ３は略平板上でその主たる面が略正方形状とされる。この樹脂形成チップ３の形状は樹脂１０２を固めて形成された形状であり、具体的には未硬化の樹脂１０２を各素子１０１を含むように全面に塗布し、これを硬化した後で縁の部分をダイシング等で切断することで得られる形状である。
【００３７】
ここで、素子１０１は、特に限定されるものではなく、任意の素子を用いることができ、例示するならば、発光素子、液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子などを挙げることができる。
【００３８】
また、略平板状の樹脂の表面側と裏面側にはそれぞれ電極パッド１０３と電極１０４とが形成される。これら電極パッド１０３，１０４の形成は全面に電極パッド１０３，１０４の材料となる金属層や多結晶シリコン層などの導電層を形成し、フォトリソグラフィー技術により所要の電極形状に光学パターンニングすることで形成される。これら電極パッド１０３，１０４は発光素子である素子１０１のｐ電極とｎ電極にそれぞれ接続するように形成されており、必要な場合には樹脂１０２にビアホールなどが形成される。
【００３９】
ここで電極パッド１０３，１０４は樹脂形成チップ３の表面側と裏面側にそれぞれ形成されているが、一方の面に両方の電極パッドを形成することも可能であり、例えば薄膜トランジスタの場合ではソース、ゲート、ドレインの３つの電極があるため、電極パッドを３つ或いはそれ以上形成しても良い。電極パッド１０３，１０４の位置が平板上ずれているのは、最終的な配線形成時に上側からコンタクトをとっても重ならないようにするためである。電極パッド１０３，１０４の形状も正方形に限定されず他の形状としても良い。
【００４０】
このような樹脂形成チップ３を構成することで、素子１０１の周りが樹脂１０２で被覆され平坦化によって精度良く電極パッド１０３，１０４を形成できるとともに素子１０１に比べて広い領域に電極パッド１０３，１０４を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進める場合には取り扱いが容易になる。後述するように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、比較的大き目のサイズの電極パッド１０３，１０４を利用した配線を行うことで、配線不良が未然に防止される。
【００４１】
以上のような樹脂形成チップ３としては、例えばＬＩＰ１０５（LED in Plastic）を用いることができる。以下においては、樹脂形成チップ３として、光透過性を有する樹脂で素子を固め、その表面側と裏面側に電極パッドを形成したＬＩＰ１０５を用いた場合について説明する。
【００４２】
ここで、ＬＩＰ１０５における絶縁体の部分は光透過性を有するため、外部から光が照射された場合には、光を透過させる。一方、樹脂形成チップ３において、素子及び電極パッドは、光透過性を有さないため、素子及び電極パッドの部分に照射された光は、反射されることとなる。すなわち、このＬＩＰ１０５においては、樹脂の部分に照射された光は、透過するが、素子及び電極パッドの部分に照射された光は、透過することがない。
【００４３】
真空吸着ヘッド４は、その底面において樹脂形成チップ３、すなわちＬＩＰ１０５を吸着保持するものであり、底部の略中心部に吸引孔７を備える。また、内部には、吸引孔７の近傍に光源８が配されており、吸引孔７を通して光源８から発せられた照射光１０６が外部に照射されるようになっている。ここで、吸引孔７の形状は特に限定されるものではなく、例えば円状とすることができる。また、光源８は、十分な光量でＬＩＰ１０５を照射することができるものであれば特に限定されるものではなく、種々のものを用いることができる。また、光源８は、十分な光量でＬＩＰ１０５を照射することができるものであれば良く、消費電力も例えば数Ｗ程度のもので十分である。このような光源８としては、例えば発光素子やハロゲンランプ等が好適である。
【００４４】
次に、取り出しヘッドである真空吸着ヘッド４をＬＩＰ１０５から所定の間隔だけ離間した位置に移動させて固定する。このとき、真空吸着ヘッド４においては、吸引は開始せず、したがって、この状態では、ＬＩＰ１０５が真空吸着ヘッド４に吸着されることはない。
【００４５】
次に、真空吸着ヘッド４を固定した状態で当該真空吸着ヘッド４内の光源８を点灯させる。これにより、光源８から発せられた照射光１０６は、吸引孔７を通して外部に照射され、吸引孔７に対向して配されているＬＩＰ１０５を照射する。
【００４６】
ここで、このＬＩＰ１０５においては、樹脂１０２が光透過性を有するため、ＬＩＰ１０５に照射された照射光１０６は基本的にＬＩＰ１０５を透過し、さらにベース基板１を透過することとなる。そして、ＬＩＰ１０５及びベース基板１を透過した透過光１０７は、ＣＣＤカメラ５に到達し、データとして取り込まれる。しかしながら、ＬＩＰ１０５に照射された照射光１０６のうち、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４の部分に照射された光は、電極パッド１０３，１０４が光透過性を有さないため、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４より反射される。すなわち、光源８から吸引孔７を通してＬＩＰ１０５に照射された照射光１０６のうち、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４の部分に照射された光はＣＣＤカメラ５に到達することがない。したがって、ＬＩＰ１０５において、電極パッド１０３，１０４が存在しない位置に照射された照射光１０６は、透過光１０７としてＣＣＤカメラ５に到達するが、素子及び電極パッド１０３，１０４が存在する位置に照射された照射光１０６は、透過光１０７としてＣＣＤカメラ５に到達することがない。これにより、ＣＣＤカメラ５には、透過光１０７が認識される部分と認識されない部分が存在することとなり、この透過光１０７の有無により光学パターン、すなわち素子１０１及び電極パッド１０３，１０４により形成された陰影が撮像される。そして、この光学パターンが認識される位置が、現在の素子１０１及び電極パッド１０３，１０４の位置である。
【００４７】
また、ＣＣＤカメラ５では、この光学パターンの他に、真空吸着ヘッド４が通常の像として撮像されている。これにより、本発明においては、上述した光学パターンの位置と真空吸着ヘッド４の像とを同時に撮像することができる。そして、この光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とを図示しない画像処理装置により画像処理し、お互いの位置関係を比較することにより、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４と真空吸着ヘッド４との位置関係、すなわちＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあるか否かを判断することが可能となる。
【００４８】
そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４と、真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあると判断された場合には、すなわち、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあると判断された場合には、次工程として真空吸着ヘッド４において吸引を開始する。
【００４９】
そして、吸引を開始するとともに、ＬＩＰ１０５とベース基板１との接着力を低減させる。ここで、ＬＩＰ１０５とベース基板１との接着力を低減させるには、例えば、ＬＩＰ１０５をベース基板１に配列する接着層２として熱可塑性樹脂を用いた場合には、この状態でベース基板１の裏面、すなわち、ＬＩＰ１０５を配列した側と反対側からレーザ光をＬＩＰ１０５に対応した位置の接着層２に照射することにより、接着層２を加熱して可塑化させ、ＬＩＰ１０５との接着力を低減させることができる。
【００５０】
次に、図４に示すようにＬＩＰ１０５を真空吸着ヘッド４により吸着保持し、図５に示すように真空吸着ヘッド４を引き上げることによりＬＩＰ１０５をベース基板１から取り出す。
【００５１】
ここで、接着層２のＬＩＰ１０５との接着力は、完全になくす必要はなく、接着層２のＬＩＰ１０５との接着力が後述する真空吸着ヘッド４におけるＬＩＰ１０５を吸引する吸引力よりも小とされれば良い。すなわち、接着層２のＬＩＰ１０５との接着力を、真空吸着ヘッド４の吸引力よりも小とすることにより、ＬＩＰ１０５をベース基板１から真空吸着ヘッド４上に取り出すことができる。
【００５２】
以上により、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係とされた状態でＬＩＰ１０５をベース基板１から精度良く取り出すことができる。
【００５３】
また、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４と、真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にないと判断された場合には、すなわち、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にないと判断された場合には、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になるように、すなわち素子１０１及び電極パッド１０３，１０４と、真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になるようにＬＩＰ１０５の位置を調整する。そして、ＬＩＰ１０５はＸＹステージ６に載置されているため、ＬＩＰ１０５の位置は、ＸＹステージ６をＸ軸方向もしくはＹ軸方向のいずれかの方向において移動させる、又はＸ軸方向とＹ軸方向との両方向において移動させることにより、所望の位置に調整することできる。
【００５４】
そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４と、真空吸着ヘッド４との位置関係を確認しながらＬＩＰ１０５の位置を調整し、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４と、真空吸着ヘッド４とが、すなわちＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になったと判断された状態でＸＹステージ６によるＬＩＰ１０５の位置調整を終了し、固定する。
【００５５】
そして、次工程として真空吸着ヘッド４において吸引を開始するとともに、ＬＩＰ１０５とベース基板１との接着力を低減させる。次に、図４に示すようにＬＩＰ１０５を真空吸着ヘッド４により吸着保持し、図５に示すように真空吸着ヘッド４を引き上げることによりＬＩＰ１０５をベース基板１から取り出す。
【００５６】
以上により、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係とされた状態でＬＩＰ１０５をベース基板１から精度良く取り出すことができる。
【００５７】
なお、素子１０１は電極パッド１０３，１０４よりも小さく、当該素子により形成される光学パターンは、電極パッド１０３，１０４により形成される光学パターンよりも小さなものとなる。したがって、光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とを比較する際には、光学パターンが大きく判断し易い電極パッド１０３，１０４の光学パターンと真空吸着ヘッド４の像との位置関係を比較することが好ましい。
【００５８】
また、この光源８から吸引孔７を通してＬＩＰ１０５に照射された照射光１０６のうち、ＬＩＰ１０５における真空吸着ヘッド４に対向する主面の外周部１０８に当たった光はＬＩＰ１０５の内部に入射することはなく散乱し、散乱光１０９となる。そして、この散乱光１０９は、上述した透過光１０７と同様にベース基板１を透過する。そして、この散乱光１０９は、透過光１０７よりも光量が少なく、透過光１０７よりも暗くなっており、透過光１０７と散乱光１０９との間には明るさの差が生じている。これにより、ＣＣＤカメラ５には、透過光１０７と散乱光１０９との光量の差、すなわち明るさの差により上記と同様に、光学パターン、すなわちＬＩＰ１０５における真空吸着ヘッド４に対向する主面の外周部１０８により形成された陰影が撮像される。そして、この光学パターンが認識される位置が、現在のＬＩＰ１０５の外周部１０８の位置である。
【００５９】
また、ＣＣＤカメラ５では、この光学パターンの他に、真空吸着ヘッド４が通常の像として撮像されている。これにより、本発明においては、上述した光学パターンの位置と真空吸着ヘッド４の像とを同時に撮像することができる。そして、この光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とを図示しない画像処理装置により画像処理し、お互いの位置関係を比較することにより、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４との位置関係、すなわちＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあるか否かを判断することが可能となる。
【００６０】
そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、ＬＩＰ１０５の外周部１０８と、真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあると判断された場合には、すなわち、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあると判断された場合には、次工程として真空吸着ヘッド４において吸引を開始する。そして、図４に示すようにＬＩＰ１０５を真空吸着ヘッド４により吸着保持し、図５に示すように真空吸着ヘッド４を引き上げることによりＬＩＰ１０５をベース基板１から取り出す。これにより、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係とされた状態でＬＩＰ１０５をベース基板１から精度良く取り出すことができる。
【００６１】
また、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、ＬＩＰ１０５の外周部１０８と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にないと判断された場合には、すなわち、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にないと判断された場合には、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になるように、すなわちＬＩＰ１０５の外周部１０８と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になるようにＬＩＰ１０５の位置を調整する。そして、ＬＩＰ１０５はＸＹステージ６に載置されているため、ＬＩＰ１０５の位置は、ＸＹステージ６をＸ軸方向もしくはＹ軸方向のいずれかの方向において移動させる、又はＸ軸方向とＹ軸方向との両方向において移動させることにより、所望の位置に調整することできる。
【００６２】
そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、ＬＩＰ１０５の外周部１０８と真空吸着ヘッド４との位置関係を確認しながらＬＩＰ１０５の位置を調整し、ＬＩＰ１０５の外周部１０８真空吸着ヘッド４とが、すなわちＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になったと判断された状態でＸＹステージ６によるＬＩＰ１０５の位置調整を終了し、固定する。
【００６３】
そして、次工程として真空吸着ヘッド４において吸引を開始する。そして、図４に示すようにＬＩＰ１０５を真空吸着ヘッド４により吸着保持し、図５に示すように真空吸着ヘッド４を引き上げることによりＬＩＰ１０５をベース基板１から取り出す。これにより、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係とされた状態でＬＩＰ１０５をベース基板１から精度良く取り出すことができる。
【００６４】
以上のような本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、真空吸着ヘッド４内に光源８を配し、この光源８で吸引孔７を通してＬＩＰ１０５を照射し、その際にＬＩＰ１０５の外周部１０８、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４により形成された光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とをＣＣＤカメラ５で撮像し、図示しない画像処理装置により画像処理し、比較することによりＬＩＰ１０５が適正な位置にあるか否かを判断する。
【００６５】
すなわち、この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、ＬＩＰ１０５に対してＬＩＰ１０５の正面から光を照射することにより、照射光１０６をＬＩＰ１０５に対して均一に照射することができ、均一な光学パターンを形成することができる。これにより、部分的に不明瞭な光学パターンが形成されるようなことがなく、明瞭な状態で素子１０１及び電極パッド１０３，１０４を画像認識することが可能とされている。
【００６６】
また、この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、至近距離から照射光を当てるため、十分な光量の照射光をＬＩＰ１０５に照射することができ、明瞭な状態で素子１０１及び電極パッド１０３，１０４を画像認識することが可能とされている。
【００６７】
そして、この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、直接光ではないが、比較的直接光に近い透過光１０７及び散乱光１０９を利用しているため、光量の損失が非常に少なく、十分な光量の照射光をＬＩＰ１０５に照射することができ、明瞭な状態で素子１０１及び電極パッド１０３，１０４を画像認識することが可能とされている。
【００６８】
これにより、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４の位置、すなわちＬＩＰ１０５の位置を確実に把握することが可能とされるため、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４との位置合わせも精度良く、正確に行うことが可能となり、簡便且つ精度良くＬＩＰ１０５をベース基板１から取り出すことができる。
【００６９】
また、ＬＩＰ１０５の樹脂１０２と電極パッド１０３，１０４との正常な位置関係が例えば図６に示すように対照的なものである場合、ダイシングによりＬＩＰ１０５を形成する際に、ＬＩＰ１０５の外形と電極パッド１０３，１０４との位置がずれてしまい、例えば図７に示すようにＬＩＰ１０５の樹脂部分が大きくなってしまっている場合には、電極パッドの位置のみでＬＩＰ１０５を取り出し、図８に示すように他の基板１１０等に実装した場合、大きく切り取られた部分の樹脂２２が隣接する他の素子１１１等に接触して、うまく実装できない場合等の不具合が生じる。すなわち、電極パッド１０３，１０４の位置のみを基準としてＬＩＰ１０５の取り出しを行った場合には、ＬＩＰ１０５の外縁部の位置を把握することができないため、上述したような不具合が生じる虞がある。
【００７０】
しかしながら、この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、電極パッド１０３，１０４の位置と共に、ＬＩＰ１０５の外縁部の位置も予め確認してＬＩＰ１０５を取り出すため、上述したような不具合が生じる虞が無く、効率的な且つ確実なＬＩＰ１０５の取り出しを行うことが可能である。
【００７１】
また、この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法は、上述したように樹脂１０２が光透過性を有する場合に好適であるが、樹脂２２が透明体である場合により好適である。光透過性を有する樹脂が透明体の場合には、可視光を９０％以上透過させるため十分な光量の透過光１０７を得ることができ、上述した光学パターンをより明瞭な状態で得ることが可能となる。これにより、より確実にＬＩＰ１０５の位置を把握することが可能とされるため、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４との位置合わせも精度良く、正確に行うことが可能となり、より精度良くＬＩＰ１０５をベース基板１から取り出すことができる。
【００７２】
そして、上述したように樹脂１０２を用いたＬＩＰ１０５の取り出しを行う場合には、真空吸着ヘッド４の構成材料としては、ＳＵＳ材、そのなかでもＳＰ材が好適である。これらの材料は適度な弾性を有するため、真空吸着ヘッド４の構成材料としてこれらの材料を用いた場合には、取り出しの際にＬＩＰ１０５を傷つける虞がないからである。
【００７３】
また、図９に示す真空吸着ヘッド４の吸引孔７の長さＬは、例えば真空吸着ヘッド４に吸着される面の大きさが２００μｍ×２００μｍ程度である場合には、４５μｍ程度とすることが好ましい。吸引孔７の長さＬを長くしすぎた場合には、散乱光１０９が少なくなり、ＬＩＰ１０５の外周部１０８により形成される光学パターンを良好な状態で得ることができなくなり、ＬＩＰ１０５の位置決めの精度に支障を来す虞がある。また、吸引孔７の長さＬを短くしすぎた場合には、散乱光１０９が多くなりすぎ、逆に透過光１０７が少なくなりすぎるため、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４形成される光学パターンを良好な状態で得ることができなくなり、ＬＩＰ１０５の位置決めに支障を来す虞がある。
【００７４】
また、図９に示す真空吸着ヘッド４の吸引孔７の孔径φは、例えば真空吸着ヘッド４に吸着される面の大きさが２００μｍ×２００μｍ程度であり、吸引孔７が円状である場合には、７０μｍ程度とすることが好ましい。吸引孔７の孔径φを小さくしすぎた場合、散乱光１０９が少なくなり、ＬＩＰ１０５の外周部１０８により形成される光学パターンを良好な状態で得ることができなくなり、ＬＩＰ１０５の位置あわせの精度に支障を来す虞がある。また、吸引孔７の孔径φを大きくしすぎた場合、散乱光１０９が多くなりすぎ、逆に透過光１０７が少なくなりすぎるため、素子及び電極パッドにより形成される光学パターンを良好な状態で得ることができなくなり、ＬＩＰ１０５の位置あわせに支障を来す虞がある。
【００７５】
そして、ＣＣＤカメラ５は、カラーカメラである必要はなく、モノクロカメラを用いることができる。この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、上述した光学パターンを撮像する際、光学パターンのデータは、２値化して処理すれば良く、モノクロカメラで十分対応することができ、簡易且つ安価な方法であるといえる。
【００７６】
なお、上記において、ＬＩＰ１０５を真空吸着ヘッド４により吸着保持する際には、光源８は点灯したままでも良く、また、消灯しても良い。
【００７７】
また、上記においては、樹脂形成チップ３として、光透過性を有する樹脂で素子を固め、その表面側と裏面側に電極パッド１０３，１０４を形成したＬＩＰ１０５を用いた場合について説明したが、本発明は、光透過性を有さない素子、もしくはチップに適用することも可能である。
【００７８】
以下では、本発明をシリコンベアーチップであるアクティブ素子の取り出しに適用した場合について説明する。なお、上記と同じ部材については、同じ符号を付すことで詳細な説明は省略する。
【００７９】
本発明を適用してシリコンベアーチップを取り出すには、ＬＩＰ１０５を取り出す場合と同様に、まず、図１０に示すように、シリコンベアーチップ１２１を挟んで一方に真空吸着ヘッド４を配し、反対側に撮像装置であるカメラ、例えばＣＣＤカメラ５を配置する。
【００８０】
次に、取り出しヘッドである真空吸着ヘッド４をシリコンベアーチップ１２１から所定の間隔だけ離間した位置に移動させて固定する。このとき、真空吸着ヘッド４においては、吸引は開始せず、したがって、この状態では、シリコンベアーチップ１２１が真空吸着ヘッド４に吸着されることはない。
【００８１】
次に、真空吸着ヘッド４を固定した状態で当該真空吸着ヘッド４内の光源８を点灯させる。これにより、光源８から発せられた照射光１０６は、吸引孔７を通して外部に照射され、吸引孔７に対向して配されているシリコンベアーチップ１２１を照射する。
【００８２】
ここで、シリコンベアーチップ１２１は、光透過性を有さないため、シリコンベアーチップ１２１に照射された照射光１０６はシリコンベアーチップ１２１により反射される。すなわち、光源８から吸引孔７を通してシリコンベアーチップ１２１に照射された照射光１０６のうち、シリコンベアーチップ１２１に照射され、反射した光はＣＣＤカメラ５に到達することがない。
【００８３】
しかしながら、この光源８から吸引孔７を通してシリコンベアーチップ１２１に照射された照射光１０６のうち、シリコンベアーチップ１２１における真空吸着ヘッド４に対向する主面の外周部１２２に当たった光は散乱し、散乱光１０９となる。そして、この散乱光１０９は、ベース基板１を透過し、ＣＣＤカメラ５に到達する。
【００８４】
そして、この散乱光１０９は、上述したような透過光１０７よりは光量が少なく、透過光１０７よりも暗くなっているが、シリコンベアーチップ１２１が位置する部分の裏面、すなわちＣＣＤカメラ５側では、照射光１０６は反射されているため透過光１０７が存在せず、散乱光１０９の存在する部分よりもさらに暗くなっている。したがって、シリコンベアーチップ１２１の裏面、すなわちＣＣＤカメラ５側では、シリコンベアーチップ１２１の位置する部分と、他の部分では、光量の差、すなわち、明るさの差が生じている。これにより、ＣＣＤカメラ５には、シリコンベアーチップ１２１の位置する部分と、他の部分では、光量の差により上記と同様に、光学パターン、すなわちシリコンベアーチップ１２１おける真空吸着ヘッド４に対向する主面の外周部１２２により形成された陰影が撮像される。そして、この光学パターンが認識される位置が、現在のシリコンベアーチップ１２１の外周部１２２の位置である。
【００８５】
また、ＣＣＤカメラ５では、この光学パターンの他に、真空吸着ヘッド４が通常の像として撮像されている。これにより、本発明においては、上述した光学パターンの位置と真空吸着ヘッド４の像とを同時に撮像することができる。そして、この光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とを図示しない画像処理装置により画像処理し、お互いの位置関係を比較することにより、シリコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４との位置関係、すなわちシリコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあるか否かを判断することが可能となる。
【００８６】
そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、シリコンベアーチップ１２１の外周部１２２と、真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあると判断された場合には、すなわち、シリコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあると判断された場合には、次工程として真空吸着ヘッド４において吸引を開始する。そして、吸引を開始するとともに、シリコンベアーチップ１２１とベース基板１との接着力を低減させる。
【００８７】
次に、図１１に示すようにシリコンベアーチップ１２１を真空吸着ヘッド４により吸着保持し、図１２に示すように真空吸着ヘッド４を引き上げることによりシリコンベアーチップ１２１をベース基板１から取り出す。以上により、シリコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係とされた状態でシリコンベアーチップ１２１をベース基板１から精度良く取り出すことができる。
【００８８】
また、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、シリコンベアーチップ１２１の外周部１２２と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にないと判断された場合には、すなわち、シリコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にないと判断された場合には、シリコンベアーチップ１２１とが所定の位置関係になるように、すなわちシリコンベアーチップ１２１の外周部１２２と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になるようにシリコンベアーチップ１２１の位置を調整する。そして、シリコンベアーチップ１２１はＸステージに載置されているため、シリコンベアーチップ１２１の位置は、ＸＹステージ６をＸ軸方向もしくはＹ軸方向のいずれかの方向において移動させる、又はＸ軸方向とＹ軸方向との両方向において移動させることにより、所望の位置に調整することできる。
【００８９】
そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とから、シリコンベアーチップ１２１の外周部１２２と真空吸着ヘッド４との位置関係を確認しながらシリコンベアーチップ１２１の位置を調整し、シリコンベアーチップ１２１の外周部１２２真空吸着ヘッド４とが、すなわちシリコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になったと判断された状態でＸＹステージ６によるシリコンベアーチップ１２１の位置調整を終了し、固定する。
【００９０】
そして、次工程として真空吸着ヘッド４において吸引を開始する。そして、図１１に示すようにシリコンベアーチップ１２１を真空吸着ヘッド４により吸着保持し、図１２に示すように真空吸着ヘッド４を引き上げることによりシリコンベアーチップ１２１をベース基板１から取り出す。これにより、シリコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係とされた状態でシリコンベアーチップ１２１をベース基板１から精度良く取り出すことができる。
【００９１】
以上のような本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、真空吸着ヘッド４内に光源８を配し、この光源８で吸引孔７を通してシリコンベアーチップ１２１を照射し、その際にシリコンベアーチップ１２１の外周部１２２により形成された光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とをＣＣＤカメラ５で撮像し、図示しない画像処理装置により画像処理して比較することによりシリコンベアーチップ１２１が適正な位置にあるか否かを判断する。
【００９２】
すなわち、この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、シリコンベアーチップ１２１に対してシリコンベアーチップ１２１の正面から光を照射することにより、照射光１０６をシリコンベアーチップ１２１に対して均一に照射することができ、均一な光学パターンを形成することができる。これにより、部分的に不明瞭な光学パターンが形成されるようなことがなく、明瞭な状態でシリコンベアーチップ１２１の外周部１２２を画像認識することが可能とされている。
【００９３】
また、この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、至近距離から照射光を当てるため、十分な光量の照射光をシリコンベアーチップ１２１に照射することができ、明瞭な状態でシリコンベアーチップ１２１の外周部１２２を画像認識することが可能とされている。
【００９４】
そして、この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、直接光ではないが、比較的直接光に近い散乱光１０９を利用しているため、光量の損失が非常に少なく、十分な光量の照射光をシリコンベアーチップ１２１に照射することができ、明瞭な状態でシリコンベアーチップ１２１の外周部１２２を画像認識することが可能とされている。
【００９５】
これにより、シリコンベアーチップ１２１の外周部１２２の位置、すなわちＬＩＰ１０５の位置を確実に把握することが可能とされるため、シリコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４との位置合わせも精度良く、正確に行うことが可能となり、簡便且つ精度良くシリコンベアーチップ１２１をベース基板１から取り出すことができる。
【００９６】
そして、上述したような樹脂を用いたシリコンベアーチップ１２１の取り出しを行う場合には、真空吸着ヘッド４の構成材料としては、例えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂が好適である。これらの材料は適度な弾性を有するため、真空吸着ヘッド４の構成材料としてこれらの材料を用いた場合には、取り出しの際にシリコンベアーチップ１２１を傷つける虞がないからである。
【００９７】
また、図９に示す真空吸着ヘッド４の吸引孔７の長さＬは、例えば真空吸着ヘッド４に吸着される面の大きさが５００μｍ×３００μｍ程度である場合には、１５０μｍ程度以上とすることが好ましい。吸引孔７の長さＬを長くしすぎた場合、散乱光１０９が少なくなり、シリコンベアーチップ１２１の外周部１２２により形成される光学パターンを良好な状態で得ることができなくなり、シリコンベアーチップ１２１の位置あわせの精度に支障を来す虞がある。
【００９８】
また、図９に示す真空吸着ヘッド４の吸引孔７の孔径φは、例えば真空吸着ヘッド４に吸着される面の大きさが５００μｍ×３００μｍ程度であり、吸引孔７が円状である場合には、７０μｍ程度以上とすることが好ましい。吸引孔７の孔径φを小さくしすぎた場合、散乱光１０９が少なくなり、シリコンベアーチップ１２１ の外周部１２２により形成される光学パターンを良好な状態で得ることができなくなり、シリコンベアーチップ１２１の位置あわせの精度に支障を来す虞がある。
【００９９】
なお、ＣＣＤカメラ５は、上記と同様にモノクロカメラを用いることができ、また、シリコンベアーチップ１２１ を真空吸着ヘッド４により吸着保持する際には、光源８は点灯したままでも良く、また、消灯しても良い。
【０１００】
また、上記の例においては、撮像装置、すなわちＣＣＤカメラ５を素子に対して真空吸着ヘッド４と反対側に配した場合について説明したが、本発明においては、撮像装置、すなわち、ＣＣＤカメラ５を素子に対して真空吸着ヘッド４側に配しても良い。この場合、上述した透過光１０７や散乱光１０９を用いることはできないが、素子の主面で反射した反射光を用いて上記と同様に素子の位置を認識し、素子の位置決めを行うことが可能である。従来の方法の場合は、素子に対して、十分な光量の照射光を照射することができなかったため、反射光の光量が非常に少なく、素子の位置を明確に認識することができなかったが、本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法では、上述したように十分な光量の照射光を均一に素子に照射することが可能とされているため、上述した透過光１０７や散乱光１０９よりも多少は光量が減少するものの、素子の位置を認識するに十分な光量の反射光を得ることができる。したがって、上述した例と同様に、反射光により形成される光学パターンを撮像装置により撮像し、画像処理することにより、上記と同様にして簡便且つ精度良く素子の位置決めを行い、基板から取り出すことができる。
【０１０１】
また、本発明は、上述したシリコンベアーチップ１２１以外にも、種々のチップのそり出しに適用することが可能であり、例えば携帯電子機器等に広く用いられている０６０３チップ等の取り出しにも適用することができる。また、上記においては、チップ形状のものについて説明したが、本発明は、素子単体についても広く適用できる。
【０１０２】
そして、上記においては、真空吸着ヘッド４が単体の場合について説明したが、真空吸着ヘッド４は、複数が一体とされて一度に複数の素子を一括して取り出すようにされても良い。すなわち、真空吸着ヘッドは、例えば、図１３に示すように６個の吸引孔７が備え、その内部に単体の真空吸着ヘッド４に用いるものよりも大きく、光量の多い光源８を備えて構成されたものとしても良い。この真空吸着ヘッドの場合は、上述した方法で一度に６個の素子を一括して取り出すことができるものである。また、この場合、図示しないＣＣＤカメラは、図示しない素子を挟んで真空吸着ヘッドの反対側に１個だけ配置し、各吸引孔７に対応した位置に移動させて用いても良く、また、６個のＣＣＤカメラをそれぞれ各吸引孔７に対応した位置に配し、移動させずに用いても良い。
【０１０３】
次に、上記素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法の応用例として、二段階拡大転写法による素子の転写方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法について説明する。
【０１０４】
本例の素子の転写方法、素子の配列方法および画像表示装置の製造方法は、高集積度をもって第一基板上に作製された素子を第一基板上で素子が配列された状態よりは離間した状態となるように一時保持用部材に転写し、次いで一時保持用部材に保持された前記素子をさらに離間して第二基板上に転写する二段階の拡大転写を行う。なお、本例では転写を２段階としているが、素子を離間して配置する拡大度に応じて転写を三段階やそれ以上の多段階とすることもできる。
【０１０５】
図１４はそれぞれ二段階拡大転写法の基本的な工程を示す図である。まず、図１４の(a)に示す第一基板１０上に、例えば発光素子のような素子１２を密に形成する。素子を密に形成することで、各基板当たりに生成される素子の数を多くすることができ、製品コストを下げることができる。第一基板１０は例えば半導体ウエハ、ガラス基板、石英ガラス基板、サファイヤ基板、プラスチック基板などの種々素子形成可能な基板であるが、各素子１２は第一基板１０上に直接形成したものであっても良く、他の基板上で形成されたものを配列したものであっても良い。
【０１０６】
次に図１４の(b)に示すように、第一基板１０から各素子１２が図中破線で示す第一の一時保持用部材１１に転写され、この第一の一時保持用部材１１の上に各素子１２が保持される。ここで隣接する素子１２は離間され、図示のようにマトリクス状に配される。すなわち素子１２はｘ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方向に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写される。このとき離間される距離は、特に限定されず、一例として後続の工程での樹脂部形成や電極パッドの形成を考慮した距離とすることができる。第一の一時保持用部材１１上に第一基板１０から転写した際に第一基板１０上の全部の素子が離間されて転写されるようにすることができる。この場合には、第一の一時保持用部材１１のサイズはマトリクス状に配された素子１２の数（ｘ方向、ｙ方向にそれぞれ）に離間した距離を乗じたサイズ以上であれば良い。また、第一の一時保持用部材１１上に第一基板１０上の一部の素子が離間されて転写されるようにすることも可能である。
【０１０７】
このような第一転写工程の後、図１４の(c)に示すように、第一の一時保持用部材１１上に存在する素子１２は離間されていることから、素子１２毎に素子周りの樹脂の被覆と電極パッドの形成が行われる。素子周りの樹脂の被覆は電極パッドを形成し易くし、次の第二転写工程での取り扱いを容易にするなどのために形成される。電極パッドの形成は、後述するように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、その際に配線不良が生じないように比較的大き目のサイズに形成されるものである。なお、図１４の(c)には電極パッドは図示していない。各素子１２の周りを樹脂１３が覆うことで樹脂形成チップ１４が形成される。素子１２は平面上、樹脂形成チップ１４の略中央に位置するが、一方の辺や角側に偏った位置に存在するものであっても良い。
【０１０８】
次に、図１４の(d)に示すように、第二転写工程が行われる。この第二転写工程では第一の一時保持用部材１１上でマトリクス状に配される素子１２が樹脂形成チップ１４ごとに更に離間するように第二基板１５上に転写される。
【０１０９】
この第二転写工程に上述した素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法を応用するが、これについては後ほど詳述する。
【０１１０】
第二転写工程においても、隣接する素子１２は樹脂形成チップ１４ごと離間され、図示のようにマトリクス状に配される。すなわち素子１２はｘ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方向に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写される。第二転写工程によって配置された素子の位置が画像表示装置などの最終製品の画素に対応する位置であるとすると、当初の素子１２間のピッチの略整数倍が第二転写工程によって配置された素子１２のピッチとなる。ここで第一基板１０から第一の一時保持用部材１１での離間したピッチの拡大率をｎとし、第一の一時保持用部材１１から第二基板１５での離間したピッチの拡大率をｍとすると、略整数倍の値ＥはＥ＝ｎｘｍであらわされる。
【０１１１】
第二基板１５上に樹脂形成チップ１４ごと離間された各素子１２には、配線が施される。この時、先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。この配線は例えば素子１２が発光ダイオードなどの発光素子の場合には、ｐ電極、ｎ電極への配線を含み、液晶制御素子の場合は、選択信号線、電圧線や、配向電極膜などの配線等を含む。
【０１１２】
図１４に示した二段階拡大転写法においては、第一転写後の離間したスペースを利用して電極パッドや樹脂固めなどを行うことができ、そして第二転写後に配線が施されるが、先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。したがって、画像表示装置の歩留まりを向上させることができる。また、本例の二段階拡大転写法においては、素子間の距離を離間する工程が２工程であり、このような素子間の距離を離間する複数工程の拡大転写を行うことで、実際は転写回数が減ることになる。すなわち、例えば、ここで第一基板１０から第一の一時保持用部材１１での離間したピッチの拡大率を２（ｎ＝２）とし、第一の一時保持用部材１１から第二基板１５での離間したピッチの拡大率を２（ｍ＝２）とすると、仮に一度の転写で拡大した範囲に転写しようとしたときでは、最終拡大率が２×２の４倍で、その二乗の１６回の転写すなわち第一基板のアライメントを１６回行う必要が生ずるが、本例の二段階拡大転写法では、アライメントの回数は第一転写工程での拡大率２の二乗の４回と第二転写工程での拡大率２の二乗の４回を単純に加えただけの計８回で済むことになる。即ち、同じ転写倍率を意図する場合においては、（ｎ＋ｍ）２＝ｎ２＋２ｎｍ＋ｍ２であることから、必ず２ｎｍ回だけ転写回数を減らすことができることになる。したがって、製造工程も回数分だけ時間や経費の節約となり、特に拡大率の大きい場合に有益となる。
【０１１３】
なお、図１４に示した二段階拡大転写法においては、素子１２を例えば発光素子としているが、これに限定されず、他の素子例えば液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部分、これらの組み合わせなどであっても良い。
【０１１４】
上記第二転写工程においては、樹脂形成チップとして取り扱われ、一時保持用部材上から第二基板に転写されるが、この樹脂形成チップは上記において図２及び図３を用いて説明した樹脂形成チップ３と同様なため、樹脂形成チップ２０として図１５及び図１６に示すのみにとどめ、詳細な説明は省略する。
【０１１５】
次に、図１７に本例の二段階拡大転写法で使用される素子の一例としての発光素子の構造を示す。図１７の（ａ）が素子断面図であり、図１７の（ｂ）が平面図である。この発光素子はＧａＮ系の発光ダイオードであり、たとえばサファイヤ基板上に結晶成長される素子である。このようなＧａＮ系の発光ダイオードでは、基板を透過するレーザ照射によってレーザアブレーションが生じ、ＧａＮの窒素が気化する現象にともなってサファイヤ基板とＧａＮ系の成長層の間の界面で膜剥がれが生じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有している。
【０１１６】
まず、その構造については、ＧａＮ系半導体層からなる下地成長層３１上に選択成長された六角錐形状のＧａＮ層３２が形成されている。なお、下地成長層３１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状のＧａＮ層３２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ法などによって形成される。このＧａＮ層３２は、成長時に使用されるサファイヤ基板の主面をＣ面とした場合にＳ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長層であり、シリコンをドープさせた領域である。このＧａＮ層３２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造のクラッドとして機能する。ＧａＮ層３２の傾斜したＳ面を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層３３が形成されており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層３４が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層３４もクラッドとして機能する。
【０１１７】
このような発光ダイオードには、ｐ電極３５とｎ電極３６が形成されている。ｐ電極３５はマグネシウムドープのＧａＮ層３４上に形成されるＮｉ／Ｐｔ／ＡｕまたはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料を蒸着して形成される。ｎ電極３６は前述の図示しない絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料を蒸着して形成される。なお、図１９に示すように下地成長層３１の裏面側からｎ電極取り出しを行う場合は、ｎ電極３６の形成は下地成長層３１の表面側には不要となる。
【０１１８】
このような構造のＧａＮ系の発光ダイオードは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザアブレーションよって比較的簡単にサファイヤ基板から剥離することができ、レーザビームを選択的に照射することで選択的な剥離が実現される。なお、ＧａＮ系の発光ダイオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成される構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角錐構造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光素子や化合物半導体素子などであっても良い。
【０１１９】
次に、図１８から図２６までを参照しながら、本発明を適用した発光素子の転写方法、発光素子の配列方法の具体的手法について説明する。発光素子は図１７に示したＧａＮ系の発光ダイオードを用いている。
【０１２０】
先ず、図１８に示すように、第一基板４１の主面上には複数の発光ダイオード４２がマトリクス状に形成されている。発光ダイオード４２の大きさは約２０μｍ程度とすることができる。第一基板４１の構成材料としてはサファイヤ基板などのように光ダイオード４２に照射するレーザの波長の透過率の高い材料が用いられる。発光ダイオード４２にはｐ電極などまでは形成されているが最終的な配線は未だなされておらず、素子間分離の溝４２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオード４２は分離できる状態にある。この溝４２ｇの形成は例えば反応性イオンエッチングで行う。このような第一基板４１を第一の一時保持用部材４３に対峙させて図１９に示すように選択的な転写を行う。
【０１２１】
第一の一時保持用部材４３の第一基板４１に対峙する面には剥離層４４と接着剤層４５が２層になって形成されている。ここで第一の一時保持用部材４３の例としては、ガラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板などを用いることができ、第一の一時保持用部材４３上の剥離層４４の例としては、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばポリビニルアルコール：ＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いることができる。また第一の一時保持用部材４３の接着剤層４５としては紫外線（ＵＶ）硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤のいずれかからなる層を用いることができる。一例としては、第一の一時保持用部材４３として石英ガラス基板を用い、剥離層４４としてポリイミド膜４μｍを形成後、接着剤層４５としてのＵＶ硬化型接着剤を約２０μｍ厚で塗布する。
【０１２２】
第一の一時保持用部材４３の接着剤層４５は、硬化した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するように調整され、未硬化領域４５ｙに選択転写にかかる発光ダイオード４２が位置するように位置合わせされる。硬化した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するような調整は、例えばＵＶ硬化型接着剤を露光機にて選択的に２００μｍピッチでＵＶ露光し、発光ダイオード４２を転写するところは未硬化でそれ以外は硬化させてある状態にすれば良い。このようなアライメントの後、転写対象位置の発光ダイオード４２に対しレーザを第一基板４１の裏面から照射し、当該発光ダイオード４２を第一基板４１からレーザアブレーションを利用して剥離する。ＧａＮ系の発光ダイオード４２はサファイヤとの界面で金属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離できる。照射するレーザとしてはエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザなどが用いられる。
【０１２３】
このレーザアブレーションを利用した剥離によって、選択照射にかかる発光ダイオード４２はＧａＮ層と第一基板４１の界面で分離し、反対側の接着剤層４５にｐ電極部分を突き刺すようにして転写される。他のレーザが照射されない領域の発光ダイオード４２については、対応する接着剤層４５の部分が硬化した領域ｓであり、レーザも照射されていないために第一の一時保持用部材４３側に転写されることはない。なお、図１８では１つの発光ダイオード４２だけが選択的にレーザ照射されているが、ｎピッチ分だけ離間した領域においても同様に発光ダイオード４２はレーザ照射されているものとする。このような選択的な転写によっては発光ダイオード４２第一基板４１上に配列されている時よりも離間して第一の一時保持用部材４３上に配列される。
【０１２４】
発光ダイオード４２は第一の一時保持用部材４３の接着剤層４５に保持された状態で、発光ダイオード４２の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、発光ダイオード４２の裏面には樹脂（接着剤）がないように除去、洗浄されているため、図１９に示すように電極パッド４６を形成すれば、電極パッド４６は発光ダイオード４２の裏面と電気的に接続される。
【０１２５】
接着剤層４５の洗浄の例としては酸素プラズマで接着剤用樹脂をエッチング、ＵＶオゾン照射にて洗浄する。かつ、レーザにてＧａＮ系発光ダイオードをサファイヤ基板からなる第一基板４１から剥離したときには、その剥離面にＧａが析出しているため、そのＧａをエッチングすることが必要であり、ＮａＯＨ水溶液もしくは希硝酸で行うことになる。その後、電極パッド４６をパターニングする。このときのカソード側の電極パッドは約６０μｍ角とすることができる。電極パッド４６としては透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）もしくはＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの材料を用いる。透明電極の場合は発光ダイオードの裏面を大きく覆っても発光をさえぎることがないので、パターニング精度が粗く、大きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易になる。
【０１２６】
図２０は第一の一時保持用部材４３から発光ダイオード４２を第二の一時保持用部材４７に転写して、アノード電極（ｐ電極）側のビアホール５０を形成した後、アノード側電極パッド４９を形成し、樹脂からなる接着剤層４５をダイシングした状態を示している。このダイシングの結果、素子分離溝５１が形成され、発光ダイオード４２は素子ごとに区分けされたものになる。素子分離溝５１はマトリクス状の各発光ダイオード４２を分離するため、平面光学パターンとしては縦横に延長された複数の平行線からなる。素子分離溝５１の底部では第二の一時保持用部材４７の表面が臨む。
【０１２７】
また、第二の一時保持用部材４７上には剥離層４８が形成される。この剥離層４８は例えばフッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いて作製することができる。第二の一時保持用部材４７は、一例としてプラスチック基板にＵＶ粘着材が塗布してある、いわゆるダイシングシートであり、ＵＶが照射されると粘着力が低下するものを利用できる。
【０１２８】
第一の一時保持用部材４３から第二の一時保持用部材４７への転写に際しては、このような剥離層４４を形成した一時保持部材４３の裏面からエキシマレーザを照射する。これにより、例えば剥離層４４としてポリイミドを形成した場合では、ポリイミドと石英基板の界面でポリイミドのアブレーションにより剥離が発生して、各発光ダイオード４２は第二の一時保持部材４７側に転写される。
【０１２９】
また、アノード側電極パッド４９を形成するに際しては、接着剤層４５の表面を酸素プラズマで発光ダイオード４２の表面が露出してくるまでエッチングする。まずビアホール５０の形成はエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザを用いることができる。このとき、ビアホールは約３〜７μｍの径を開けることになる。アノード側電極パッドはＮｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成する。ダイシングプロセスは通常のブレードを用いたダイシング、２０μｍ以下の幅の狭い切り込みが必要なときには上記レーザを用いたレーザによる加工を行う。その切り込み幅は画像表示装置の画素内の樹脂からなる接着剤層４５で覆われた発光ダイオード４２の大きさに依存する。
【０１３０】
次に、発光ダイオード４２を第二の一時保持用部材４７から第二基板６０に転写する。発光ダイオード４２転写に際しては、まず、機械的手段を用いて発光ダイオード４２が第二の一時保持用部材４７から取り出される。図２１は、第二の一時保持用部材４７上に配列している発光ダイオード４２を真空吸着ヘッド８１でピックアップするところを示した図である。そして、この発光ダイオード４２の取り出しに、上述した素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法を応用する。
【０１３１】
ここで、発光ダイオード４２を第二の一時保持用部材４７から取り出すには、図２１に示すような真空吸着ヘッド８１を用いる。真空吸着ヘッド８１は、金属板５２と吸引装置５３とを備えて構成されており、金属板５２の表面には、複数の吸着孔５５が形成されている。このときの吸着孔５５は画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口していて、発光ダイオード４２を多数個、一括で吸着できるようになっている。このときの開口径は、例えば約φ４５μｍで６００μｍピッチのマトリクス状に開口されて、一括で約３００個を吸着できる。このときの吸着孔５５の部材は例えば、ＳＵＳ材などの金属板５２をエッチングで穴加工したものが使用され、金属板５２の吸着孔５５の奥には、吸着チャンバ５４が形成されており、この吸着チャンバ５４を負圧に制御することで発光ダイオード４２の吸着が可能になる。また、吸着チャンバの奥には、光源８２が配置されており、吸着孔５５を通して樹脂形成チップ（発光ダイオード４２及び接着剤層４５）に光を照射できるようにされている。発光ダイオード４２はこの段階で樹脂からなる接着剤層４５で覆われており、その上面は略平坦化されており、このために吸着装置５３による選択的な吸着を容易に進めることができる。
【０１３２】
このような真空吸着ヘッド８１を用いて発光ダイオード４２を第二の一時保持用部材４７から取り出すには、まず、図２１に示すように、発光ダイオード４２を挟んで一方に真空吸着ヘッド８１を配し、反対側に撮像装置であるＣＣＤカメラ８３を配置する。
【０１３３】
ここで、ＣＣＤカメラ８３は、真空吸着ヘッド８１の吸引孔５５の中心とＣＣＤカメラ８３のレンズの中心とが一直線上に並ぶように配置する。また、樹脂形成チップが配列形成された第二の一時保持用部材４７は、ＸＹステージ８４上に保持する。第二の一時保持用部材４７は、ＸＹステージ８４をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させることにより、所望の位置に移動させることができ、これにより、樹脂形成チップの位置を所望の位置に制御することが可能とされている。
【０１３４】
次に、真空吸着ヘッド８１を樹脂形成チップから所定の間隔だけ離間した位置に移動させて固定する。このとき、真空吸着ヘッド８１においては、吸引はまだ開始しない。
【０１３５】
そして、真空吸着ヘッド８１を固定した状態で当該真空吸着ヘッド８１内の光源８２を点灯させる。これにより、光源８から発せられた照射光は、吸引孔５５を通して外部に照射され、吸引孔５５に対向して配されている樹脂形成チップを照射する。
【０１３６】
次に、光源８２から光を照射することにより形成された光学パターンと真空吸着ヘッド８１の像とをＣＣＤカメラ８３で撮像し、画像処理装置により画像処理し、お互いの位置関係を比較することにより、樹脂形成チップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係にあるか否かを判断する。
【０１３７】
そして、樹脂形成チップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係にあると判断された場合には、次工程として真空吸着ヘッド８１において吸引を開始する。また、吸引を開始するとともに、樹脂形成チップと第二の一時保持用部材４７との接着力を低減させる。
【０１３８】
次に、図２２に示すように樹脂形成チップ真空吸着ヘッド８１により吸着保持し、図２３に示すように真空吸着ヘッド８１を引き上げることにより樹脂形成チップを第二の一時保持用部材４７から取り出す。
【０１３９】
また、樹脂形成チップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係にないと判断された場合には、樹脂形成チップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係になるようにＸＹステージ８４を移動させることにより樹脂形成チップの位置を調整する。そして、樹脂形成チップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係になったと判断された状態でＸＹステージ８４による樹脂形成チップの位置調整を終了し、固定する。以上により、樹脂形成チップの位置決めが完了する。
【０１４０】
次に、次工程として真空吸着ヘッド８１において吸引を開始するとともに、樹脂形成チップと第二の一時保持用部材４７との接着力を低減させる。そして、図２２に示すように樹脂形成チップ真空吸着ヘッド８１により吸着保持し、図２３に示すように真空吸着ヘッド８１を引き上げることにより樹脂形成チップを第二の一時保持用部材４７から取り出す。以上により、発光ダイオード４２を真空吸着ヘッド８１と所定の位置関係とされた状態で第二の一時保持用部材４７から精度良く取り出すことができる。
【０１４１】
そして、真空吸着ヘッド８１に取り出した発光ダイオード４２を第二基板６０に実装する。すなわち、図２４に示すように第二基板６０にあらかじめ接着剤層５６を塗布しておき、その発光ダイオード４２下面の接着剤層５６を硬化させ、発光ダイオード４２を第二基板６０に固着して配列させる。この装着時には、真空吸着ヘッド８１の吸着チャンバ５４が圧力の高い状態となり、真空吸着ヘッド８１と発光ダイオード４２との吸着による結合状態は解放される。ここで、接着剤層５６は熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤などによって構成されている。
【０１４２】
発光ダイオード４２が配置される位置は、一時保持用部材４３、４７上での配列よりも離間したものとなる。そのとき接着剤層５６の樹脂を硬化させるエネルギー（レーザ光７３）は、図２４に示すように第二基板６０の裏面から供給される。このとき、第二基板６０の裏面からレーザ光７３を照射し、転写する樹脂形成チップ（発光ダイオード４２及び接着剤層４５）に対応する部分の接着剤層５６のみを加熱する。これにより、接着剤層５６が熱可塑性接着剤の場合には、その部分の接着剤層５６が軟化し、その後、冷却硬化することにより樹脂形成チップが第二基板６０上に固着される。同様に、接着剤層５６が熱硬化性接着剤の場合にも、レーザ光７３が照射された部分の接着剤層５６のみが硬化して、樹脂形成チップが第二基板６０上に固着される。
【０１４３】
また、第二基板６０上にシャドウマスクとしても機能する電極層５７を配設し、この電極層５７をレーザ光７３を照射することにより加熱し、間接的に接着剤層５６を加熱するようにしてもよい。特に、電極層５７の画面側の表面すなわち当該画像表示装置を見る人がいる側の面に黒クロム層５８を形成すれば、画像のコントラストを向上させることができると共に、黒クロム層５８でのエネルギー吸収率を高くして、選択的に照射されるレーザ光７３によって接着剤層５６を効率的に加熱するようにすることができる。
【０１４４】
図２５はＲＧＢの３色の発光ダイオード４２、６１、６２を第二基板６０に配列させ絶縁層５９を塗布した状態を示す図である。上述した方法により、第二基板６０にマウントする位置をその色の位置にずらしてマウントすると、画素としてのピッチは一定のまま３色からなる画素を形成できる。絶縁層５９としては透明エポキシ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミドなどを用いることができる。３色の発光ダイオード４２、６１、６２は必ずしも同じ形状でなくとも良い。図２５では赤色の発光ダイオード６１が六角錐のＧａＮ層を有しない構造とされ、他の発光ダイオード４２、６２とその形状が異なっているが、この段階では各発光ダイオード４２、６１、６２は既に樹脂形成チップとして樹脂からなる接着剤層４５で覆われており、素子構造の違いにもかかわらず同一の取り扱いが実現される。
【０１４５】
図２６は配線形成工程を示す図である。絶縁層５９に開口部６５、６６、６７、６８、６９、７０を形成し、発光ダイオード４２、６１、６２のアノード、カソードの電極パッドと第二基板６０の配線用の電極層５７を接続する配線６３、６４、７１を形成した図である。このときに形成する開口部すなわちビアホールは発光ダイオード４２、６１、６２の電極パッド４６、４９の面積を大きくしているのでビアホール形状は大きく、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。このときのビアホールは約６０μｍ角の電極パッド４６、４９に対し、約φ２０μｍのものを形成できる。また、ビアホールの深さは配線基板と接続するもの、アノード電極と接続するもの、カソード電極と接続するものの３種類の深さがあるのでレーザのパルス数で制御し、最適な深さを開口する。その後、保護層を配線上に形成し、画像表示装置のパネルは完成する。このときの保護層は図２２の絶縁層５９と同様、透明エポキシ接着剤などの材料が使用できる。この保護層は加熱硬化し配線を完全に覆う。この後、パネル端部の配線からドライバーＩＣを接続して駆動パネルを製作することになる。
【０１４６】
上述のような発光素子の配列方法においては、第一の一時保持用部材４３に発光ダイオード４２を保持させた時点で既に、素子間の距離が大きくされ、その広がった間隔を利用して比較的サイズの電極パッド４６、４９などを設けることが可能となる。それら比較的サイズの大きな電極パッド４６、４９を利用した配線が行われるために、素子サイズに比較して最終的な装置のサイズが著しく大きな場合であっても容易に配線を形成できる。
【０１４７】
また、本例の発光素子の配列方法では、発光素子の周囲が硬化した接着剤層４５で被覆され平坦化によって精度良く電極パッド４６，４９を形成できる。また、発光ダイオード４２の第一の一時保持用部材４３への転写には、ＧａＮ系材料がサファイヤとの界面で金属のＧａと窒素に分解することを利用して、比較的簡単に剥離でき、確実に転写される。
【０１４８】
さらに、発光ダイオード４２の第二基板への転写（第二転写工程）では、発光ダイオード４２を真空吸着ヘッド８１に取り出す際に、真空吸着ヘッド８１内に内蔵した光源８２より樹脂形成チップに光を照射することにより形成された、光学パターンと真空吸着ヘッド８１の像とをＣＣＤカメラ８３で撮像し、画像処理装置により画像処理し、お互いの位置関係を比較することにより、樹脂形成チップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係にあるか否かを判断する。そして、樹脂形成チップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係にない場合は、樹脂形成チップの位置を所定の位置に調整した後、発光ダイオード４２を吸引、保持する。これにより、発光ダイオード４２を所定の位置に精度良く位置決めをすることができ、正常な状態で発光ダイオード４２を真空吸着ヘッド８１に取り出すことが可能である。
【０１４９】
【発明の効果】
以上のような本発明に係る素子の位置決め方法によれば、素子の位置を確実に把握することが可能とされるため、取り出しヘッドに対して精度良く、正確に素子の位置決めを行うことが可能となる。
【０１５２】
以上のような本発明に係る素子の取り出し方法では、上述した素子の位置決め方法により素子を位置決めした後に素子を吸着するため、素子を正しい位置に吸着保持することができ、精度良く素子を取り出すことができる。
【０１５４】
以上のような本発明に係る素子の転写方法は、上述した素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法を用いて素子の転写を行うため、素子の位置ずれを防止することが可能とされ、素子の転写を正確に行うことができる。
【０１５６】
以上のような本発明に係る素子の配列方法では、上記転写方法を用いることにより素子の転写が効率的且つ確実に行うことができるので、素子間の距離を大きくする拡大転写を円滑に実施することができる。
【０１５８】
以上のような本発明に係る画像表示装置の製造方法によれば、密な状態すなわち集積度を高くして微細加工を施して作成された発光素子を、上記素子の位置決め方法、素子の取り出し方法、素子の転写方法及び素子の配列方法を応用して正確に離間して再配置することができ、したがって精度の高い画像表示装置を生産性良く製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図である。
【図２】樹脂形成チップの概略斜視図である。
【図３】樹脂形成チップの概略平面図である。
【図４】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図である。
【図５】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図である。
【図６】正常な樹脂形成チップの概略平面図である。
【図７】ダイシング不良が生じた正常な樹脂形成チップの概略平面図である。
【図８】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図である。
【図９】真空吸着ヘッドの概略断面図である。
【図１０】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図である。
【図１１】発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図である。
【図１２】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図である。
【図１３】本発明を適用し、複数の吸引孔を備えて構成された真空吸着ヘッドの一例を示す概略斜視図である。
【図１４】素子の配列方法を示す模式図である。
【図１５】樹脂形成チップの概略斜視図である。
【図１６】樹脂形成チップの概略平面図である。
【図１７】発光素子の一例を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図１８】第１転写工程を示す概略断面図である。
【図１９】電極パッド形成工程を示す概略断面図である。
【図２０】第２の一時保持用部材への転写後の電極パッド形成工程を示す概略断面図である。
【図２１】第２転写工程を示す概略断面図である。
【図２２】第２転写工程を示す概略断面図である。
【図２３】第２転写工程を示す概略断面図である。
【図２４】第２転写工程を示す概略断面図である。
【図２５】絶縁層の形成工程を示す概略断面図である。
【図２６】配線形成工程を示す概略断面図である。
【図２７】従来の素子の転写方法を示す概略断面図である。
【図２８】従来の素子の位置決め方法を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１ ベース基板
２ 接着層
３ 樹脂形成チップ
４ 真空吸着ヘッド
５ ＣＣＤカメラ
６ ＸＹステージ
７ 吸引孔
８ 光源
Claims (26)
- 取り出しヘッドを用いて基板上に設置された素子を取り出す際の上記素子の位置決め方法であって、
内部に光源を備えるとともに、当該内部に上記素子を吸引するために上記基板の方向に貫通する孔を有する取り出しヘッドを用い、上記光源により上記孔を通して上記素子に照射光を照射して光学パターンを形成する工程と、
上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、
上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、
上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記素子の位置決めを行う工程と
を備える
素子の位置決め方法。 - 上記撮像手段を上記素子に対して上記取り出しヘッドと反対側に配する請求項１記載の素子の位置決め方法。
- 上記光学パターンは、上記素子の上記取り出しヘッドに対向する主面の外周部に上記照射光が照射されて生じた散乱光により形成される請求項１記載の素子の位置決め方法。
- 上記光学パターンは、上記照射光が上記素子を透過した透過光により形成される請求項１記載の素子の位置決め方法。
- 上記光学パターンは、上記素子の上記取り出しヘッドに対向する主面の外周部に上記照射光が照射されて生じた散乱光と、上記照射光が上記素子を透過した透過光とにより形成される請求項１記載の素子の位置決め方法。
- 撮像手段を上記素子に対して上記取り出しヘッドと同じ側に配する請求項１記載の素子の位置決め方法。
- 上記光学パターンは、上記照射光が上記素子で反射した反射光により形成される請求項１記載の素子の位置決め方法。
- 上記素子は、絶縁性物質に埋め込まれている請求項１記載の素子の位置決め方法。
- 上記絶縁性物質は、光透過性を有する請求項１記載の素子の位置決め方法。
- 上記素子は、アクティブ素子である請求項１記載の素子の位置決め方法。
- 取り出しヘッドを用いて基板上に設置された素子を取り出す際の素子の取り出し方法であって、
内部に光源を備えるとともに、当該内部に上記素子を吸引するために上記基板の方向に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、上記光源により上記吸引孔を通して上記素子に照射光を照射して光学パターンを形成する工程と、
上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、
上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、
上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記素子の位置決めを行う工程と、
上記素子の位置決めを行った後に上記素子を吸着保持する工程と
を備える
素子の取り出し方法。 - 上記撮像手段を上記素子に対して上記取り出しヘッドと反対側に配する請求項１１記載の素子の取り出し方法。
- 上記光学パターンは、上記素子の上記取り出しヘッドに対向する主面の外周部に上記照射光が照射されて生じた散乱光により形成される請求項１１記載の素子の取り出し方法。
- 上記光学パターンは、上記照射光が上記素子を透過した透過光により形成される請求項１１記載の素子の取り出し方法。
- 上記光学パターンは、上記素子の上記取り出しヘッドに対向する主面の外周部に上記照射光が照射されて生じた散乱光と、上記照射光が上記素子を透過した透過光とにより形成される請求項１１記載の素子の取り出し方法。
- 撮像手段を上記素子に対して上記取り出しヘッドと同じ側に配する請求項１１記載の素子の取り出し方法。
- 上記光学パターンは、上記照射光が上記素子で反射した反射光により形成される請求項１１記載の素子の取り出し方法。
- 上記素子は、絶縁性物質に埋め込まれている請求項１１記載の素子の取り出し方法。
- 上記絶縁性物質は、光透過性を有する請求項１１記載の素子の取り出し方法。
- 上記素子は、アクティブ素子である請求項１１記載の素子の取り出し方法。
- 第一の基板上に配列された素子を第二の基板上に転写する素子の転写方法であって、
上記素子を取り出しヘッドに移す取り出し工程と、
上記取り出しヘッドに取り出された上記素子を上記第二の基板上に実装する実装工程と
を有し、
上記取り出し工程は、
内部に光源を備えるとともに、当該内部に上記素子を吸引するために上記第一の基板の方向に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、上記光源により上記吸引孔を通して上記素子に照射光を照射して光学パターンを形成する工程と、
上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、
上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、
上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記素子の位置決めを行う工程と、
上記素子の位置決めを行った後に上記素子を吸着保持する工程と
を備える
素子の転写方法。 - 第一の基板上に配列された複数の素子を第二の基板上に再配列する素子の配列方法において、
上記第一の基板上で上記素子が配列された状態よりは離間した状態となるように上記素子を転写して第一の一時保持用部材に該素子を保持させる第一転写工程と、
上記第一の一時保持用部材に保持された上記素子を樹脂で固める工程と、
上記樹脂をダイシングして素子毎に分離する工程と、
上記第一の一時保持用部材に保持され樹脂で固められた上記素子をさらに離間して上記第二の基板上に転写する第二転写工程と
を有し、
上記第二転写工程は、
上記素子を取り出しヘッドに移す取り出し工程と、
上記取り出しヘッドに取り出された上記素子を上記第二の基板上に実装する実装工程と
を有し、
上記取り出し工程が、
内部に光源を備えるとともに、当該内部に上記素子を吸引するために上記第一の基板の方向に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、上記光源により上記吸引孔を通して上記素子に照射光を照射して光学パターンを形成する工程と、
上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、
上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、
上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記素子の位置決めを行う工程と、
上記素子の位置決めを行った後に上記素子を吸着保持する工程と
を備える
素子の配列方法。 - 上記第一転写工程で離間させる距離が上記第一の基板上に配列された素子のピッチの略整数倍になっており且つ上記第二転写工程で離間させる距離が上記第一転写工程で上記一時保持用部材に配列させた素子のピッチの略整数倍になっている請求項２２記載の素子の配列方法。
- 上記素子は窒化物半導体を用いた半導体素子である請求項２２記載の素子の配列方法。
- 上記素子は発光素子、液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部分である請求項２２記載の素子の配列方法。
- 発光素子をマトリクス状に配置した画像表示装置の製造方法において、
上記第一の基板上で上記発光素子が配列された状態よりは離間した状態となるように上記発光素子を転写して第一の一時保持用部材に該発光素子を保持させる第一転写工程と、
上記第一の一時保持用部材に保持された上記発光素子を樹脂で固める工程と、
上記樹脂をダイシングして発光素子毎に分離する工程と、
上記第一の一時保持用部材に保持され樹脂で固められた上記発光素子をさらに離間して上記第二の基板上に転写する第二転写工程と
を有し、
上記第二転写工程は、
上記発光素子を取り出しヘッドに移す取り出し工程と、
上記取り出しヘッドに取り出された上記発光素子を上記第二の基板上に実装する実装工程と
を有し、
上記取り出し工程が、
内部に光源を備えるとともに、当該内部に上記素子を吸引するために上記第一の基板の方向に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、上記光源により上記吸引孔を通して上記素子に照射光を照射して光学パターンを形成する工程と、
上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、
上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、
上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記発光素子の位置決めを行う工程と、
上記発光素子の位置決めを行った後に上記発光素子を吸着保持する工程と
を備える
画像表示装置の製造方法。
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