JP2002344028A

JP2002344028A - 素子の転写方法及び画像表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP2002344028A
Application number: JP2001145969A
Authority: JP
Inventors: Katsuhiro Tomota; 勝寛友田; Toyoji Ohata; 豊治大畑; Masato Doi; 正人土居
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-05-16
Filing date: 2001-05-16
Publication date: 2002-11-29
Anticipated expiration: 2021-05-16
Also published as: JP4701537B2

Abstract

(57)【要約】【課題】素子本来の機能や形状を制限することなく素
子を位置決め可能とし、高速且つ安価な転写を実現す
る。【解決手段】第一基板上に配列された素子を第二基板
上に転写する際に、第一基板上の素子が形成されていな
い領域に位置合わせ用のアライメントマークを形成して
おき、このアライメントマークを位置合わせの基準とし
て素子を第二基板上に転写する。例えば、アライメント
マークを基準として第一基板とマスクの位置合わせし、
レーザアブレーションを行えば、確実に転写対象となる
素子のみが基板から剥離され、第二基板上に転写され
る。このとき、個々の素子の位置決めをする必要はな
い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子な
どの素子を転写する素子の転写方法に関するものであ
り、さらには、この転写方法を応用して微細加工された
素子をより広い領域に転写する素子の配列方法、および
画像表示装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】各種製品の小型化、高機能化に伴い、そ
れを構成する内部素子の小型化、高集積化が急速に進ん
でいる。それに伴い、実装技術においても、微細な素子
の取り扱い、あるいは超並列実装などの点で変革が求め
られている。例えば、数百万個の微細な（例えば３００
μｍ角の）液晶素子を各画素とし、それをひとつづつ並
べてディスプレイ装置として組み上げる研究が行われて
いるが、従来の実装技術では素子が小さすぎるため取り
扱いが困難であるし、また素子の数が多いために膨大な
実装コストを要し現実的ではない。

【０００３】そこで各素子を集積度高く形成し、各素子
を広い領域に転写などによって離間させながら移動さ
せ、画像表示装置などの比較的大きな表示装置を構成す
る技術が開発されており、例えば米国特許５４３８２４
１号に記載される薄膜転写法や、特開平１１-１４２８
７８号に記載される表示用トランジスタアレイパネルの
形成方法などの技術が知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述のような転写技術
により画像表示装置を製造する場合、転写対象となる素
子のみが選択的に、且つ確実に転写される必要がある。
また、効率的な転写、精度の良い転写も要求される。

【０００５】例えば、第一基板上に並べて形成された複
数の素子を第二基板上に転写する場合、第一基板上にお
いて転写対象となる素子の位置を正確に把握し、これを
確実に第二基板上に転写する必要がある。これを実現す
るためには、各素子の中にアライメントマークを形成す
るか、若しくは各素子の形状自体をアライメントマーク
として各素子の位置決めして転写することが考えられ
る。

【０００６】しかしながら、前記方法のうち、素子の中
に形成されたアライメントマークを用いる場合には、各
素子の中に本来の機能には不必要なアライメントマーク
を形成しなければならず、その大きさの分だけ素子を形
成する際に有効に使われる面積が小さくなるため製作コ
ストが増大し、また素子自体も大型化するため製品の小
型化が妨げられるという問題が生ずる。一方、各素子の
形状自体をアライメントマークとする場合には、素子の
形状が制約されるために素子本来の機能を設計する際に
制約が生じ、設計に要するコストが増大する。

【０００７】また、いずれの場合においても各素子の大
きさが小さくなるほど個々の認識が困難になり、位置決
めに高価な装置を必要とする。特に、各素子の大きさが
１００μｍ程度以下になると、個々の素子を認識して転
写する方法は現実的でない。さらに、大量の素子を個別
に転写する場合、個々の素子のアライメントマークある
いは形状を認識しながら転写を行うと、極めて時間を要
する工程となり、生産性を大きく損ない製造コストも著
しく増大する。

【０００８】本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、素子本来の機能や形状を制限するこ
となく素子を位置決め可能とし、高速且つ安価に素子を
転写することが可能な素子の転写方法を提供することを
目的とする。また、本発明は、例えば１００μｍ以下の
微細な素子でも容易に精度良く転写することが可能な素
子の転写方法を提供することを目的とする。さらには、
基板上の素子のうち転写対象となる素子のみを確実に転
写することができ、効率的且つ精度良く素子を拡大転写
することが可能な素子の配列方法、画像表示装置の製造
方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の素子の転写方法は、第一基板上に配列さ
れた素子を第二基板上に転写する転写方法において、上
記第一基板上の素子が形成されていない領域に位置合わ
せ用のアライメントマークを形成し、当該アライメント
マークを位置合わせの基準として素子を第二基板上に転
写することを特徴とする。

【００１０】上記転写方法においては、上記アライメン
トマークを基準として各素子の転写が行われるので、精
度の高い転写が実現される。このとき、各素子にアライ
メントマークを形成する必要がなく、各素子は本来の機
能に必要な大きさで済む。また、転写の際に各素子の形
状を認識する必要がなく、各素子の形状に制約が生ずる
こともない。さらに、アライメントマークの大きさには
制約がなく、これを基準にすれば個々の検出が困難な微
細な素子であっても容易に転写される。

【００１１】また、本発明の素子の配列方法は、第一基
板上に配列された複数の素子を第二基板上に配列する素
子の配列方法において、前記第一基板上で前記素子が配
列された状態よりは離間した状態となるように前記素子
を転写して一時保持用部材に該素子を保持させる第一転
写工程と、前記一時保持用部材に保持された前記素子を
さらに離間して前記第二基板上に転写する第二転写工程
を有し、上記第一転写工程においては、上記第一基板上
の素子が形成されていない領域に位置合わせ用のアライ
メントマークを形成し、当該アライメントマークを位置
合わせの基準として素子を一時保持用部材上に転写する
ことを特徴とするものである。上記配列方法において
は、上記転写方法の利点をそのままに、素子の転写が効
率的且つ確実に行われるので、素子間の距離を大きくす
る拡大転写を円滑に実施することができる。

【００１２】さらに、本発明の画像表示装置の製造方法
は、発光素子をマトリクス状に配置した画像表示装置の
製造方法において、第一基板上で発光素子が配列された
状態よりは離間した状態となるように前記発光素子を転
写して一時保持用部材に前記発光素子を保持させる第一
転写工程と、前記一時保持用部材に保持された前記発光
素子をさらに離間して第二基板上に転写する第二転写工
程と、前記各発光素子に接続させる配線を形成する配線
形成工程とを有し、上記第一転写工程においては、上記
第一基板上の発光素子が形成されていない領域に位置合
わせ用のアライメントマークを形成し、当該アライメン
トマークを位置合わせの基準として発光素子を一時保持
用部材上に転写することを特徴とするものである。

【００１３】上記画像表示装置の製造方法によれば、上
記転写方法、配列方法によって発光素子がマトリクス状
に配置され、画像表示部分が構成される。すなわち、密
な状態すなわち集積度を高くして微細加工を施して作成
された発光素子を、効率よく、且つ精度良く離間して再
配置することができ、生産性が大幅に改善され製造コス
トも削減される。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した素子の転
写方法、及び素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
について、図面を参照しながら詳細に説明する。先ず、
基本となる素子の転写方法について詳述する。ここで
は、サファイア基板（第一基板）上のＧａＮ発光素子
を、紫外線（ＵＶ）硬化性接着剤を塗布した第二基板に
離間して転写し固定する場合を例にして説明する。

【００１５】転写に際しては、先ず、素子が形成された
第一基板と、ＵＶ硬化性接着剤を塗布した第二基板とを
用意する。第一基板としては、例えばサファイア基板を
用い、この上に例えばＧａＮ系の発光層を結晶成長させ
る。選択成長により素子を形成する場合には、サファイ
ア基板上に選択的に成長したＧａＮ系の発光層がそのま
ま素子として使用される。このとき、サファイア基板の
不要部分（素子が成長形成されない領域）にも例えば十
字のパターンを成長させ、これをアライメントマークと
する。ＧａＮ系の発光層を全面に成長させる場合には、
成長後、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）など
の手法により発光層をエッチングし、各素子に分離す
る。この各素子に分離する工程において、同じく素子が
形成されない領域の発光層に十字のパターンをエッチン
グし、これをアライメントマークとする。

【００１６】図１は、素子が形成された第一基板の一例
を示すものである。図示の通り、第一基板（サファイア
基板）１上には、所定形状（ここでは矩形状）のＧａＮ
系発光層が素子２として配列形成されている。素子２は
図１（ｂ）に示すようにマトリクス状に配列されてお
り、本例ではその配列数は１２個×９個である。また、
上記第一基板１の素子２が形成されない領域には、十字
のパターンがアライメントマーク３として形成されてい
る。このアライメントマーク３は、上記選択成長により
形成した場合には、ＧａＮ系発光層が十字形状に成長し
たパターンとして、また全面成長及びエッチングにより
形成した場合には、ＧａＮ系発光層が十字形状にエッチ
ングされずに残ったパターンとして形成されている。い
ずれの場合にも、上記アライメントマーク３は、第一基
板１の裏面側から透過して観察したときに、そのエッジ
をはっきりと認識することができる。一方、第二基板に
は、第一基板１と同様に例えばサファイア基板を用い、
この上にＵＶ硬化性接着剤を例えばスピンコートなどに
より塗布しておくが、ここでは図示は省略する。

【００１７】上記第一基板１上の素子２を第二基板上に
転写するには、レーザ照射によるレーザアブレーション
を利用する。レーザアブレーションは、レーザ光を吸収
した物質の急激な体積増加を利用して剥離する方法であ
る。例えば、一般に、高分子物質は紫外光の吸収効率が
高く、紫外線レーザを照射することで効率的にアブレー
ションを起こすことが知られている。素子２がＧａＮ系
材料などの窒化物半導体からなる半導体素子である場
合、レーザ光の照射によって素子２と第一基板１の界面
でＧａＮ系材料に含まれる窒素がガス化し、素子２は第
一基板１から分離される。

【００１８】本例では、転写対象となる素子２に対応し
て開口部を形成したマスクを用い、第一基板１の裏面側
からこのマスクを介してレーザ光を照射し、転写対象と
なる素子にのみ上記のレーザアブレーションを起こし、
第一基板１から剥離して第二基板上に転写し、第二基板
上のＵＶ硬化性接着剤を硬化してこれを固定する。

【００１９】図２は、用いるマスクの一例を示すもので
ある。マスク４は、第一基板１との最初の位置合わせ
（原点出し）のためのアライメントマーク５と、第一基
板１上の転写対象となる素子２にのみ選択的にエキシマ
レーザを照射するための開口部６とを有する。本例は、
横方向に４倍に転写、縦方向に３倍に転写する場合のマ
スクの例である。第一基板１上の図中破線で囲まれる１
２個の素子２が、マスク４の開口部６のうち図中左上の
開口部６Ａを通過するエキシマレーザによって１つずつ
第一基板１から選択的に剥離される。

【００２０】上記マスク４を用いて第一基板１上の素子
２を第二基板上に転写するには、実施に際しては、例え
ばこれらの相対位置を調整し、レーザ照射と紫外線照射
を同時に行う転写装置を用いる。転写装置は、例えば図
３に示すように、第一基板１をセットする第一ステージ
１１、第二基板７をセットする第二ステージ１２、マス
ク４をセットするマスクステージ１３を備え、さらには
エキシマレーザを照射する光学系及びＵＶ照射手段を備
える。

【００２１】ここで、第一ステージ１１は、ＧａＮ系発
光層からなる素子２が形成された面が図中下向きになる
ようにして上記第一基板１を真空吸着し、これを固定す
るものである。第二ステージ１２は、第二基板７のＵＶ
硬化性接着剤形成面が図中上向きになるようにして真空
吸着し、これを保持するものであり、上記第一ステージ
１１に固定された第一基板１との相対位置（ｘ，ｙ方
向）及び距離（ｚ方向）を変更する位置調整機構を有す
る。マスクステージ１３は、マスク４を真空吸着して保
持するものであり、やはり上記第一ステージ１１に固定
された第一基板１との相対位置（ｘ，ｙ方向）及び距離
（ｚ方向）を変更する位置調整機構を有する。

【００２２】エキシマレーザを照射する光学系は、レー
ザ光源（図示は省略する。）からのエキシマレーザの向
きを変更する反射ミラー１４、マスクパターンを縮小投
影するレンズ群１５、アライメントマークを検出するた
めのマーク検出機構１６、このマーク検出機構１６に対
応して設置されるハーフミラー１７とから構成される。
この光学系により、マスク４のマスクパターンに応じて
エキシマレーザが第一基板１の裏面側から素子２に照射
される。また、上記マーク検出機構１６により、上記第
一基板１上のアライメントマークと上記マスク４のアラ
イメントマークとを検出し、第一基板１とマスク４の最
初の位置合わせ（原点出し）を行う。

【００２３】上記転写装置を用いて第一基板１上の素子
２を第二基板７上に転写するが、以下、その手順につい
て説明する。転写に際しては、先ず、マスク４をマスク
ステージ１３にセットし、第一基板１、第二基板７を第
一ステージ１１、第二ステージ１２にそれぞれセットす
る。そして、第二ステージ１２を調整して、第一基板１
と第二基板７の相対位置（ｘ，ｙ，ｚ方向）を調整す
る。

【００２４】次に、第一基板１とマスク４との位置合わ
せを行う。このとき、マスク４に形成された開口部６に
よって第一基板１から剥離される素子２が決まるので、
これらを高精度に位置合わせする必要がある。例えば、
マスク４の開口部６の位置が転写されるべき素子２の位
置とずれている場合、他の素子２が不用意に剥離された
り、複数の素子２が剥離されるなどの不都合が生ずる。
そこで、上記第一基板1上に形成されたアライメントマ
ーク３と、マスク４に形成されたアライメントマーク５
をマーク検出機構１６によって検出しながら、これらが
一致するように第一基板１とマスク４を高精度に位置合
わせする。第一基板１とマスク４の位置合わせは、この
とき一度だけ行えばよく、以下の工程はこの位置を基準
（原点）として行う。

【００２５】上記位置合わせの後、これを原点として、
１）マスクステージの移動、２）エキシマレーザの照射
による素子の剥離、３）ＵＶ照射による第二基板上のＵ
Ｖ硬化性接着剤の硬化（剥離された素子の保持）、４）
第二基板の交換（移動）という一連の工程を繰り返し行
い、第一基板に配列された全ての素子を複数の第二基板
上、あるいは第二基板の異なる領域上に離間して転写す
る。

【００２６】これら一連の工程を図４を参照して説明す
る。図４に示すように、第一基板１上の素子２を第二基
板７上に拡大転写するには、第一基板１上に配列される
素子２のうち転写対象となる素子２のみにエキシマレー
ザを照射し、これを剥離するとともに、第二基板7上の
ＵＶ硬化性接着剤層８にＵＶ光を照射してこれを硬化
し、転写された素子２を固定する。図４（ａ）は、第１
のステップとして第一基板１上の素子２Ａのみを選択的
に転写する工程を示している。先の転写装置において、
アライメントマークを用いて正確に第一基板１とマスク
４の位置合わせを行っているので、この第１のステップ
では、マスク４の開口部６を通過したエキシマレーザ
は、転写対象となる素子２Ａにのみ照射される。その結
果、第一基板１と素子２Ａの界面でレーザアブレーショ
ンが起こり、素子２Ａが第一基板１から剥離されて第二
基板７上に転写される。

【００２７】第２のステップでは、図４（ｂ）に示すよ
うに、マスク４を素子１つ分だけ移動し、レーザアブレ
ーションによる転写を行う。このマスク４の移動は、上
記最初の位置合わせ（原点出し）位置を基準にして機械
的に行う。また、このとき第二基板７は、新たな基板に
交換する。あるいは、第二基板７として第一基板１より
も面積の大きなものを用い、第１のステップとは異なる
領域を第一基板１と対向させる。この第２のステップで
転写されるのは、図４（ｂ）に示す通り、隣接する素子
２Ｂである。

【００２８】次いで、図４（ｃ）に示す第３のステッ
プ、図４（ｄ）に示す第４のステップを行う。これら第
３のステップや第４のステップにおいても、先の第２の
ステップと同様、マスク４を素子１つ分ずつ移動し、レ
ーザアブレーションによる転写を繰り返す。第３のステ
ップで転写されるのは素子２Ｃ、第４のステップで転写
されるのは素子２Ｄである。以下、行を変えて同様のス
テップを繰り返す。

【００２９】図１に示す第一基板１では、第一基板１上
の図中破線で囲まれる１２個の素子２が、マスク４の開
口部６のうち図中左上の開口部６Ａを通過するエキシマ
レーザによって１つずつ第一基板１から選択的に剥離さ
れ、第二基板７上に転写される。この一連の操作を示す
ものが図５である。図５（Ａ）に示すように第一基板１
とマスク４の最初の位置合わせを行って素子２Ａを転写
した後、図５（Ｂ）〜図５（Ｄ）に示すように、マスク
４を素子１つ分ずつ移動して素子２Ｂ、素子２Ｃ、素子
２Ｄを順次転写する。次に、マスク４を図中下方に一行
分ずらし、同様の転写を繰り返す。図５（Ｅ）〜図５
（Ｈ）に示すステップでは、それぞれ素子２Ｅ、２Ｆ、
２Ｇ、２Ｈが転写される。以下、同様のマスク４の移動
を行い、図５（Ｉ）〜図５（Ｌ）に示すステップで、素
子２Ｉ、素子２Ｊ、素子２Ｋ、素子２Ｌの転写を行う。
以上により、横方向に４倍、縦方向に３倍の拡大転写が
行われる。

【００３０】以上が本発明の基本的な転写方法の一例で
あるが、かかる転写方法によれば、各素子２にアライメ
ントマークを形成する必要がないため、各素子２は本来
の機能に必要な大きさで済み、材料を有効利用すること
ができ、素子を形成する際の製作コストを低減すること
ができる。また、素子２の小型化により、それを用いる
製品自体の省資源化及び小型化を実現することができ
る。例えば、図６に示すように、各素子２の中にアライ
メントマークＭＫを形成すると、有効に使える面積は斜
線領域に限られる。

【００３１】また、本発明の転写方法では、転写の際に
各素子２の形状を認識する必要がないため、各素子２の
形状に制約が生ずることはない。したがって、素子２の
設計コストを低減することができる。例えば、図７に示
すように、各素子２に切り込みＫＫを入れ、素子２の形
状自体を検出し、すなわち上記切り込みＫＫをアライメ
ントマークとして利用し転写を行う場合には、素子２の
形状に制約が生ずる。

【００３２】さらに、本発明の転写方法では、アライメ
ントマーク３がアライメントに必要な大きさをもってい
れば良いので、通常の装置では検出が困難な１００μｍ
以下の極めて小さな素子であっても個々に転写すること
が可能である。また、大量の素子２を個別に転写する場
合にも、個々の素子２の位置決めをせずに実施すること
が可能であるため、転写速度を向上し製作コストを低減
することができる。

【００３３】なお、上記の例では、十字形状のアライメ
ントマーク３を素子２とは別に形成しているが、図８に
示すように、素子の配列自体をアライメントマークとし
て利用することも可能である。例えば、４つの素子
Ｓ_１、Ｓ_２、Ｓ_３、Ｓ_４を図８に示すように配置したと
きに、これらの素子のエッジで囲まれる領域（図中斜線
領域）は、十字形状となる。そこで、この領域（素子Ｓ
_１、Ｓ_２、Ｓ_３、Ｓ_４のエッジ）をアライメントマーク
として使用する。この場合、アライメントマークを別途
形成する必要がなく、工程をさらに簡略化することがで
きる。

【００３４】次に、上記転写方法の応用例として、二段
階拡大転写法による素子の配列方法及び画像表示装置の
製造方法について説明する。本例では、先ず、高集積度
をもって第一基板上に作成された素子を第一基板上で素
子が配列された状態よりは離間した状態となるように一
時保持用部材に転写し、次いで一時保持用部材に保持さ
れた前記素子をさらに離間して第二基板上に転写する二
段階の拡大転写を行う。なお、本例では転写を２段階と
しているが、素子を離間して配置する拡大度に応じて転
写を三段階やそれ以上の多段階とすることもできる。

【００３５】図９は二段階拡大転写法の基本的な工程を
示す図である。まず、図９の(a)に示す第一基板２０上
に、例えば発光素子のような素子２２を密に形成する。
素子を密に形成することで、各基板当たりに生成される
素子の数を多くすることができ、製品コストを下げるこ
とができる。第一基板２０は例えば半導体ウエハ、ガラ
ス基板、石英ガラス基板、サファイア基板、プラスチッ
ク基板などの種々素子形成可能な基板であるが、各素子
２２は第一基板２０上に直接形成したものであっても良
く、他の基板上で形成されたものを配列したものであっ
ても良い。

【００３６】次に図９の(b)に示すように、第一基板２
０から各素子２２が図中破線で示す一時保持用部材２１
に転写され、この一時保持用部材２１の上に各素子２２
が保持される。ここで隣接する素子２２は離間され、図
示のようにマトリクス状に配される。すなわち素子２２
はｘ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写され
るが、ｘ方向に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広
げるように転写される。このとき離間される距離は、特
に限定されず、一例として後続の工程での樹脂部形成や
電極パッドの形成を考慮した距離とすることができる。
一時保持用部材２１上に第一基板２０から転写した際に
第一基板２０上の全部の素子が離間されて転写されるよ
うにすることができる。この場合には、一時保持用部材
２１のサイズはマトリクス状に配された素子１２の数
（ｘ方向、ｙ方向にそれぞれ）に離間した距離を乗じた
サイズ以上であれば良い。また、一時保持用部材２１上
に第一基板２０上の一部の素子が離間されて転写される
ようにすることも可能である。

【００３７】このような第一転写工程の後、図９の(c)
に示すように、一時保持用部材２１上に存在する素子２
２は離間されていることから、各素子２２毎に素子周り
の樹脂の被覆と電極パッドの形成が行われる。素子周り
の樹脂の被覆は電極パッドを形成し易くし、次の第二転
写工程での取り扱いを容易にするなどのために形成され
る。電極パッドの形成は、後述するように、最終的な配
線が続く第二転写工程の後に行われるため、その際に配
線不良が生じないように比較的大き目のサイズに形成さ
れるものである。なお、図９の(c)には電極パッドは図
示していない。各素子２２の周りを樹脂２３が覆うこと
で樹脂形成チップ２４（本発明の表示素子に相当す
る。）が形成される。素子２２は平面上、樹脂形成チッ
プ２４の略中央に位置するが、一方の辺や角側に偏った
位置に存在するものであっても良い。

【００３８】次に、図９の(d)に示すように、第二転写
工程が行われる。この第二転写工程では一時保持用部材
２１上でマトリクス状に配される素子２２が樹脂形成チ
ップ２４ごと更に離間するように第二基板２５上に転写
される。

【００３９】第二転写工程においても、隣接する素子２
２は樹脂形成チップ２４ごと離間され、図示のようにマ
トリクス状に配される。すなわち素子２２はｘ方向にも
それぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方向
に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転
写される。第二転写工程のよって配置された素子の位置
が画像表示装置などの最終製品の画素に対応する位置で
あるとすると、当初の素子２２間のピッチの略整数倍が
第二転写工程によって配置された素子２２のピッチとな
る。ここで第一基板２０から一時保持用部材２１での離
間したピッチの拡大率をｎとし、一時保持用部材２１か
ら第二基板２５での離間したピッチの拡大率をｍとする
と、略整数倍の値ＥはＥ＝ｎｘｍであらわされる。拡大
率ｎ、ｍはそれぞれ整数であっても良く、整数でなくと
もＥが整数となる組み合わせ（例えばｎ＝2.4でｍ＝5）
であれば良い。

【００４０】第二基板２５上に樹脂形成チップ２４ごと
離間された各素子２２には、配線が施される。この時、
先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑
えながらの配線がなされる。この配線は例えば素子２２
が発光ダイオードなどの発光素子の場合には、ｐ電極、
ｎ電極への配線を含み、液晶制御素子の場合は、選択信
号線、電圧線や、配向電極膜などの配線等を含む。

【００４１】図９に示した二段階拡大転写法において
は、第一転写後の離間したスペースを利用して電極パッ
ドや樹脂固めなどを行うことができ、そして第二転写後
に配線が施されるが、先に形成した電極パッド等を利用
して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。従っ
て、画像表示装置の歩留まりを向上させることができ
る。また、本例の二段階拡大転写法においては、素子間
の距離を離間する工程が２工程であり、このような素子
間の距離を離間する複数工程の拡大転写を行うことで、
実際は転写回数が減ることになる。すなわち、例えば、
ここで第一基板２０から一時保持用部材２１での離間し
たピッチの拡大率を２（ｎ＝２）とし、一時保持用部材
２１から第二基板２５での離間したピッチの拡大率を２
（ｍ＝２）とすると、仮に一度の転写で拡大した範囲に
転写しようとしたときでは、最終拡大率が２×２の４倍
で、その二乗の１６回の転写すなわち第一基板のアライ
メントを１６回行う必要が生ずるが、本例の二段階拡大
転写法では、アライメントの回数は第一転写工程での拡
大率２の二乗の４回と第二転写工程での拡大率２の二乗
の４回を単純に加えただけの計８回で済むことになる。
即ち、同じ転写倍率を意図する場合においては、（ｎ＋
ｍ）^２＝ｎ^２＋２ｎｍ＋ｍ^２であることから、必ず２ｎ
ｍ回だけ転写回数を減らすことができることになる。従
って、製造工程も回数分だけ時間や経費の節約となり、
特に拡大率の大きい場合に有益となる。

【００４２】次に、上記二段階拡大転写法において表示
素子として用いられる樹脂形成チップ２４について説明
する。図１０及び図１１に示すように、樹脂形成チップ
２４は略平板上でその主たる面が略正方形状とされる。
この樹脂形成チップ２４の形状は樹脂２３を固めて形成
された形状であり、具体的には未硬化の樹脂を各素子２
２を含むように全面に塗布し、これを硬化した後で縁の
部分をダイシング等で切断することで得られる形状であ
る。

【００４３】略平板状の樹脂２３の表面側と裏面側には
それぞれ電極パッド２６，２７が形成される。これら電
極パッド２６，２７の形成は全面に電極パッド２６，２
７の材料となる金属層や多結晶シリコン層などの導電層
を形成し、フォトリソグラフィー技術により所要の電極
形状にパターンニングすることで形成される。これら電
極パッド２６，２７は発光素子である素子２２のｐ電極
とｎ電極にそれぞれ接続するように形成されており、必
要な場合には樹脂２３にビアホールなどが形成される。

【００４４】ここで電極パッド２６，２７は樹脂形成チ
ップ２４の表面側と裏面側にそれぞれ形成されている
が、一方の面に両方の電極パッドを形成することも可能
である。電極パッド２６，２７の位置が平板上ずれてい
るのは、最終的な配線形成時に上側からコンタクトをと
っても重ならないようにするためである。電極パッド２
６，２７の形状も正方形に限定されず他の形状としても
良い。

【００４５】このような樹脂形成チップ２４を構成する
ことで、素子２２の周りが樹脂２３で被覆され平坦化に
よって精度良く電極パッド２６，２７を形成できるとと
もに素子２２に比べて広い領域に電極パッド２６，２７
を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進
める場合には取り扱いが容易になる。後述するように、
最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、
比較的大き目のサイズの電極パッド２６，２７を利用し
た配線を行うことで、配線不良が未然に防止される。

【００４６】上記素子２２はＧａＮ系の発光ダイオード
であり、たとえばサファイア基板上に結晶成長される素
子である。このようなＧａＮ系の発光ダイオードでは、
基板を透過するレーザ照射によってレーザアブレーショ
ンが生じ、ＧａＮの窒素が気化する現象にともなってサ
ファイア基板とＧａＮ系の成長層の間の界面で膜剥がれ
が生じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有してい
る。

【００４７】その構造については、図１２（ａ）及び
（ｂ）に示すように、ＧａＮ系半導体層からなる下地成
長層３１上に選択成長された六角錐形状のＧａＮ層３２
が形成されている。なお、下地成長層３１上には図示し
ない絶縁膜が存在し、六角錐形状のＧａＮ層３２はその
絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ法などによって形成
される。このＧａＮ層３２は、成長時に使用されるサフ
ァイア基板の主面をＣ面とした場合にＳ面（１−１０１
面）で覆われたピラミッド型の成長層であり、シリコン
をドープさせた領域である。このＧａＮ層３２の傾斜し
たＳ面の部分はダブルへテロ構造のクラッドとして機能
する。ＧａＮ層３２の傾斜したＳ面を覆うように活性層
であるＩｎＧａＮ層３３が形成されており、その外側に
マグネシウムドープのＧａＮ層３４が形成される。この
マグネシウムドープのＧａＮ層３４もクラッドとして機
能する。

【００４８】このような発光ダイオードには、上記電極
パッド２６，２７と接続されるｐ電極３５とｎ電極３６
が形成されている。ｐ電極３５はマグネシウムドープの
ＧａＮ層３４上に形成されるＮｉ／Ｐｔ／ＡｕまたはＮ
ｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料を蒸着して形成
される。ｎ電極３６は前述の図示しない絶縁膜を開口し
た部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料を蒸着
して形成される。なお、下地成長層３１の裏面側からｎ
電極取り出しを行う場合は、ｎ電極３６の形成は下地成
長層３１の表面側には不要となる。

【００４９】このような構造のＧａＮ系の発光ダイオー
ドは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザアブ
レーションよって比較的簡単にサファイア基板から剥離
することができ、レーザビームを選択的に照射すること
で選択的な剥離が実現される。なお、ＧａＮ系の発光ダ
イオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成される
構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角錐構
造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光素子
や化合物半導体素子などであっても良い。

【００５０】次に、図１３から図１９までを参照しなが
ら、図９に示す発光素子の配列方法の具体的手法につい
て説明する。先ず、図１３に示すように、第一基板４１
の主面上には複数の発光ダイオード４２がマトリクス状
に形成されている。発光ダイオード４２の大きさは約２
０μｍ程度とすることができる。第一基板４１の構成材
料としてはサファイア基板などのように光ダイオード４
２に照射するレーザの波長の透過率の高い材料が用いら
れる。発光ダイオード４２にはｐ電極などまでは形成さ
れているが最終的な配線は未だなされておらず、素子間
分離の溝４２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオー
ド４２は分離できる状態にある。この溝４２ｇの形成は
例えば反応性イオンエッチングで行う。また、上記第一
基板４１の発光ダイオード４２が形成されていない領域
には、配列される発光ダイオード４２の位置合わせの基
準となるアライメントマーク４０が形成されている。こ
のアライメントマーク４０は、例えば十字形状のパター
ンとして形成される。このような第一基板４１を一時保
持用部材４３に対峙させて図１３に示すように選択的な
転写を行う。

【００５１】一時保持用部材４３の第一基板４１に対峙
する面には剥離層４４と接着剤層４５が２層になって形
成されている。ここで一時保持用部材４３の例として
は、ガラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板な
どを用いることができ、一時保持用部材４３上の剥離層
４４の例としては、フッ素コート、シリコーン樹脂、水
溶性接着剤（例えばポリビニルアルコール：ＰＶＡ）、
ポリイミドなどを用いることができる。また一時保持用
部材４３の接着剤層４５としては紫外線（ＵＶ）硬化型
接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤のいずれかか
らなる層を用いることができる。一例としては、一時保
持用部材４３として石英ガラス基板を用い、剥離層４４
としてポリイミド膜４μｍを形成後、接着剤層４５とし
てのＵＶ硬化型接着剤を約２０μｍ厚で塗布する。

【００５２】一時保持用部材４３の接着剤層４５は、硬
化した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するように
調整され、未硬化領域４５ｙに選択転写にかかる発光ダ
イオード４２が位置するように位置合わせされる。硬化
した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するような調
整は、例えばＵＶ硬化型接着剤を露光機にて選択的に２
００μｍピッチでＵＶ露光し、発光ダイオード４２を転
写するところは未硬化でそれ以外は硬化させてある状態
にすればよい。このようなアライメントの後、転写対象
位置の発光ダイオード４２に対しレーザを第一基板４１
の裏面から照射し、当該発光ダイオード４２を第一基板
４１からレーザアブレーションを利用して剥離する。Ｇ
ａＮ系の発光ダイオード４２はサファイアとの界面で金
属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離
できる。照射するレーザとしてはエキシマレーザ、高調
波ＹＡＧレーザなどが用いられる。

【００５３】このとき、上記アライメントマーク４０を
発光ダイオード４２の位置決めの基準としてレーザ照射
を行い、転写対象となる発光ダイオード４２のみをレー
ザアブレーションにより剥離し、一時保持用部材４３上
に転写する。具体的には、上記アライメントマーク４０
とレーザを選択的に照射するためのマスク（図示は省略
する。）に設けられたアライメントマークとを用い、第
一基板４１とマスクとの最初の位置合わせ（原点出し）
をし、順次発光ダイオード４２にレーザ光を照射してこ
れを剥離する。この場合の転写方法は、先の図４あるい
は図５に示すプロセスと同様である。また、本例では、
図１４に示すように、上記アライメントマーク４０もレ
ーザアブレーションにより剥離し一時保持用部材４３上
に転写する。これは、後の転写工程においてもアライメ
ントマークとして利用するためである。

【００５４】このレーザアブレーションを利用した剥離
によって、選択照射にかかる発光ダイオード４２はＧａ
Ｎ層と第一基板４１の界面で分離し、反対側の接着剤層
４５にｐ電極部分を突き刺すようにして転写される。他
のレーザが照射されない領域の発光ダイオード４２につ
いては、対応する接着剤層４５の部分が硬化した領域ｓ
であり、レーザも照射されていないために、一時保持用
部材４３側に転写されることはない。なお、図１３では
１つの発光ダイオード４２だけが選択的にレーザ照射さ
れているが、ｎピッチ分だけ離間した領域においても同
様に発光ダイオード４２はレーザ照射されているものと
する。このような選択的な転写によっては発光ダイオー
ド４２第一基板４１上に配列されている時よりも離間し
て一時保持用部材４３上に配列される。

【００５５】発光ダイオード４２は一時保持用部材４３
の接着剤層４５に保持された状態で、発光ダイオード４
２の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、
発光ダイオード４２の裏面には樹脂（接着剤）がないよ
うに除去、洗浄されているため、図１４に示すように電
極パッド４６を形成すれば、電極パッド４６は発光ダイ
オード４２の裏面と電気的に接続される。

【００５６】接着剤層４５の洗浄の例としては酸素プラ
ズマで接着剤用樹脂をエッチング、ＵＶオゾン照射にて
洗浄する。かつ、レーザにてＧａＮ系発光ダイオードを
サファイア基板からなる第一基板４１から剥離したとき
には、その剥離面にＧａが析出しているため、そのＧａ
をエッチングすることが必要であり、ＮａＯＨ水溶液も
しくは希硝酸で行うことになる。その後、電極パッド４
６をパターニングする。このときのカソード側の電極パ
ッドは約６０μｍ角とすることができる。電極パッド４
６としては透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）もしくは
Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの材料を用いる。透明電極
の場合は発光ダイオードの裏面を大きく覆っても発光を
さえぎることがないので、パターニング精度が粗く、大
きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易にな
る。

【００５７】上記電極パッド４６の形成の後、ダイシン
グプロセスにより発光ダイオード４２毎に硬化した接着
剤層４５を分断し、各発光ダイオード４２に対応した樹
脂形成チップとする。ここで、ダイシングプロセスは、
機械的手段を用いたダイシング、あるいはレーザビーム
を用いたレーザダイシングにより行う。ダイシングによ
る切り込み幅は画像表示装置の画素内の接着剤層４５で
覆われた発光ダイオード４２の大きさに依存するが、例
えば２０μｍ以下の幅の狭い切り込みが必要なときに
は、上記レーザビームを用いたレーザによる加工を行う
ことが必要である。このとき、レーザビームとしては、
エキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ
などを用いることができる。

【００５８】図１５は一時保持用部材４４から発光ダイ
オード４２及びアライメントマーク４０を第二の一時保
持用部材４７に転写し、発光ダイオード４２のアノード
電極（ｐ電極）側のビアホール５０を形成した後、アノ
ード側電極パッド４９を形成し、樹脂からなる接着剤層
４５をダイシングした状態を示している。このダイシン
グの結果、素子分離溝５１が形成され、発光ダイオード
４２は素子ごとに区分けされたものになる。素子分離溝
５１はマトリクス状の各発光ダイオード４２を分離する
ため、平面パターンとしては縦横に延長された複数の平
行線からなる。素子分離溝５１の底部では第二の一時保
持用部材４７の表面が臨む。第二の一時保持用部材４７
は、一例としてプラスチック基板にＵＶ粘着材が塗布し
てある、いわゆるダイシングシートであり、ＵＶが照射
されると粘着力が低下するものを利用できる。

【００５９】このプロセスの例として、接着剤層４５の
表面を酸素プラズマで発光ダイオード４２の表面が露出
してくるまでエッチングする。ビアホール５０の形成
は、やはりエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸
ガスレーザなどを用いて行う。このとき、ビアホールは
約３〜７μｍの径を開けることになる。アノード側電極
パッドはＮｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成する。ダイシング
プロセスは上記の通り、レーザビームを用いたダイシン
グにより行う。その切り込み幅は画像表示装置の画素内
の樹脂からなる接着剤層４５で覆われた発光ダイオード
４２の大きさに依存する。一例として、エキシマレーザ
にて幅約４０μｍの溝加工を行い、チップの形状を形成
する。

【００６０】次に、機械的手段を用いて発光ダイオード
４２が第二の一時保持用部材４７から剥離される。この
とき、第二の一時保持用部材４７上には剥離層４８が形
成されている。この剥離層４８は例えばフッ素コート、
シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、ポリ
イミドなどを用いて作成することができる。このような
剥離層４８を形成した一時保持部材４７の裏面から例え
ばＹＡＧ第３高調波レーザを照射する。これにより、例
えば剥離層４８としてポリイミドを形成した場合では、
ポリイミドと石英基板の界面でポリイミドのアブレーシ
ョンにより剥離が発生して、各発光ダイオード４２は第
二の一時保持部材４７から上記機械的手段により容易に
剥離可能となる。

【００６１】図１６は、第二の一時保持用部材４７上に
配列している発光ダイオード４２を吸着装置５３でピッ
クアップするところを示した図である。このときの吸着
孔５５は画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開
口していて、発光ダイオード４２を多数個、一括で吸着
できるようになっている。このときの開口径は、例えば
約φ１００μｍで６００μｍピッチのマトリクス状に開
口されて、一括で約３００個を吸着できる。このときの
吸着孔５５の部材は例えば、Ｎｉ電鋳により作製したも
の、もしくはステンレス（ＳＵＳ）などの金属板５２を
エッチングで穴加工したものが使用され、金属板５２の
吸着孔５５の奥には、吸着チャンバ５４が形成されてお
り、この吸着チャンバ５４を負圧に制御することで発光
ダイオード４２の吸着が可能になる。発光ダイオード４
２はこの段階で樹脂４３で覆われており、その上面は略
平坦化されており、このために吸着装置５３による選択
的な吸着を容易に進めることができる。

【００６２】本例では、第二の一時保持用部材４７上に
転写された発光ダイオード４２と上記吸着装置５３の位
置合わせにも、上記アライメントマーク４０を用いる。
上記アライメントマーク４０は、上記発光ダイオード４
２と同時に第二の一時保持用部材４７上に転写されたも
のであるので、相対位置精度は第一基板４１上での状態
が維持されている。そこで、このアライメントマーク４
０を位置決めの基準として上記吸着装置５３の最初の位
置決めを行えば、正確な転写を行うことが可能である。

【００６３】図１７は発光ダイオード４２を第二基板６
０に転写するところを示した図である。第二基板６０に
装着する際に第二基板６０にあらかじめ接着剤層５６が
塗布されており、その発光ダイオード４２下面の接着剤
層５６を硬化させ、発光ダイオード４２を第二基板６０
に固着して配列させることができる。この装着時には、
吸着装置５３の吸着チャンバ５４が圧力の高い状態とな
り、吸着装置５３と発光ダイオード４２との吸着による
結合状態は解放される。接着剤層５６はＵＶ硬化型接着
剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤などによって構成
することができる。発光ダイオード４２が配置される位
置は、一時保持用部材４３、４７上での配列よりも離間
したものとなる。そのとき接着剤層５６の樹脂を硬化さ
せるエネルギーは第二基板６０の裏面から供給される。
ＵＶ硬化型接着剤の場合はＵＶ照射装置にて、熱硬化性
接着剤の場合はレーザにて発光ダイオード４２の下面の
み硬化させ、熱可塑性接着剤場合は、同様にレーザ照射
にて接着剤を溶融させ接着を行う。

【００６４】また、第二基板６０上にシャドウマスクと
しても機能する電極層５７を配設し、特に電極層５７の
画面側の表面すなわち当該表示装置を見る人がいる側の
面に黒クロム層５８を形成する。このようにすることで
画像のコントラストを向上させることができると共に、
黒クロム層５８でのエネルギー吸収率を高くして、選択
的に照射されるビーム７３によって接着剤層５６が早く
硬化するようにすることができる。この転写時のＵＶ照
射としては、ＵＶ硬化型接着剤の場合は約1000mJ/cm²を
照射する。

【００６５】図１８はＲＧＢの３色の発光ダイオード４
２、６１、６２を第二基板６０に配列させ絶縁層５９を
塗布した状態を示す図である。図１６および図１７で用
いた吸着装置５３をそのまま使用して、第二基板６０に
マウントする位置をその色の位置にずらすだけでマウン
トすると、画素としてのピッチは一定のまま３色からな
る画素を形成できる。絶縁層５９としては透明エポキシ
接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミドなどを用いるこ
とができる。３色の発光ダイオード４２、６１、６２は
必ずしも同じ形状でなくとも良い。図１８では赤色の発
光ダイオード６１が六角錐のＧａＮ層を有しない構造と
され、他の発光ダイオード４２、６２とその形状が異な
っているが、この段階では各発光ダイオード４２、６
１、６２は既に樹脂形成チップとして樹脂４３で覆われ
ており、素子構造の違いにもかかわらず同一の取り扱い
が実現される。

【００６６】次に、図１９に示すように、発光ダイオー
ド４２の電極パッド４６，４９や第二基板６０上の電極
層５７に対応して、これらを電気的に接続するために開
口部（ビアホール）６５、６６、６７、６８、６９、７
０を形成し、さらに配線を形成する。この開口部の形成
も例えばレーザビームを用いて行う。

【００６７】このときに形成する開口部すなわちビアホ
ールは、発光ダイオード４２、６１、６２の電極パッド
４６、４９の面積を大きくしているので、ビアホール形
状は大きく、ビアホールの位置精度も各発光ダイオード
に直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成でき
る。例えば、このときのビアホールは約６０μｍ角の電
極パッド４６、４９に対し、約φ２０μｍのものを形成
できる。また、ビアホールＨの深さは配線基板と接続す
るもの、アノード電極と接続するもの、カソード電極と
接続するものの３種類の深さがあるので、形成に当たっ
ては例えばレーザのパルス数でこれを制御し、最適な深
さを開口する。

【００６８】絶縁層５９に開口部６５、６６、６７、６
８、６９、７０を形成した後、発光ダイオード４２、６
１、６２のアノード、カソードの電極パッドと第二基板
６０の配線用の電極層５７を接続する配線６３、６４、
７１を形成する。その後、保護層を配線上に形成し、画
像表示装置のパネルは完成する。このときの保護層は図
１８の絶縁層５９と同様、透明エポキシ接着剤などの材
料が使用できる。この保護層は加熱硬化し配線を完全に
覆う。この後、パネル端部の配線からドライバーＩＣを
接続して駆動パネルを製作することになる。

【００６９】上述のような発光素子の配列方法において
は、一時保持用部材４３に発光ダイオード４２を保持さ
せた時点で既に、素子間の距離が大きくされ、その広が
った間隔を利用して比較的サイズの電極パッド４６、４
９などを設けることが可能となる。それら比較的サイズ
の大きな電極パッド４６、４９を利用した配線が行われ
るために、素子サイズに比較して最終的な装置のサイズ
が著しく大きな場合であっても容易に配線を形成でき
る。また、本例の発光素子の配列方法では、発光ダイオ
ード４２の周囲が硬化した接着剤層４５で被覆され平坦
化によって精度良く電極パッド４６，４９を形成できる
とともに素子に比べて広い領域に電極パッド４６，４９
を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進
める場合には取り扱いが容易になる。

【００７０】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の転写方法によれば、素子の位置決めを素子本来の機
能や形状を制限することなく安価に且つ高速に行うこと
ができ、微細な素子を容易に転写することが可能であ
る。

【００７１】また、本発明の素子の配列方法によれば、
上記転写方法の利点をそのまま生かして素子の転写を効
率的、確実に行うことができ、素子間の距離を大きくす
る拡大転写を円滑に実施することが可能である。同様
に、本発明の画像表示装置の製造方法によれば、密な状
態すなわち集積度を高くして微細加工を施して作成され
た発光素子を、効率よく離間して再配置することがで
き、したがって精度の高い画像表示装置を生産性良く製
造することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】素子及びアライメントマークを形成した第一基
板の一例を示すものであり、（ａ）は概略断面図、
（ｂ）は概略平面図である。

【図２】マスクの一例を示す概略平面図である。

【図３】転写装置の位置構成例を示す模式図である。

【図４】転写プロセスの一例を示す概略断面図である。

【図５】マスクの移動操作を操作順に示す模式的な平面
図である。

【図６】各素子にアライメントマークを形成した状態を
示す模式的な平面図である。

【図７】各素子の形状自体をアライメントマークとして
利用した例を示す模式的な平面図である。

【図８】素子の配列自体をアライメントマークとして利
用する例を示す模式的な平面図である。

【図９】素子の配列方法を示す模式図である。

【図１０】樹脂形成チップの概略斜視図である。

【図１１】樹脂形成チップの概略平面図である。

【図１２】発光素子の一例を示す図であって、（ａ）は
断面図、（ｂ）は平面図である。

【図１３】第一転写工程を示す概略断面図である。

【図１４】電極パッド形成工程を示す概略断面図であ
る。

【図１５】第二の一時保持用部材への転写後の電極パッ
ド形成工程及びダイシング工程を示す概略断面図であ
る。

【図１６】吸着工程を示す概略断面図である。

【図１７】第二転写工程を示す概略断面図である。

【図１８】絶縁層の形成工程を示す概略断面図である。

【図１９】ビアホール形成及び配線形成工程を示す概略
断面図である。

【符号の説明】

１第一基板２素子３アライメントマーク４マスク７第二基板８ＵＶ硬化性接着剤層１１第一ステージ１２第二ステージ１３マスクステージ１６マーク検出機構４０アライメントマーク４１第一基板４２発光ダイオード４３一時保持用部材４７第二の一時保持用部材５３吸着装置６０第二基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者土居正人東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内Ｆターム(参考） 5C094 AA43 BA03 BA26 CA19 GB01 5F041 CA04 CA40 CA46 CA65 CA82 CA92 DA13 DA20 FF06 5G435 AA17 CC09 KK05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第一基板上に配列された素子を第二基板
上に転写する転写方法において、上記第一基板上の素子
が形成されていない領域に位置合わせ用のアライメント
マークを形成し、当該アライメントマークを位置合わせ
の基準として素子を第二基板上に転写することを特徴と
する素子の転写方法。
【請求項２】上記アライメントマークを上記第一基板
上に配列される全ての素子の位置合わせの基準とするこ
とを特徴とする請求項１記載の素子の転写方法。
【請求項３】上記アライメントマークを位置合わせの
基準として第一基板上に配列される素子のうち転写対象
となる素子のみを選択的に第二基板上に転写することを
特徴とする請求項１記載の素子の転写方法。
【請求項４】上記素子を第一基板上での配列間隔より
も離間して第二基板上に転写することを特徴とする請求
項１記載の素子の転写方法。
【請求項５】上記アライメントマークは、上記素子の
形成と同時に第一基板上に形成することを特徴とする請
求項１記載の素子の転写方法。
【請求項６】上記アライメントマークを第二基板上に
転写し、第二基板上に転写された素子の位置合わせの基
準とすることを特徴とする請求項１記載の素子の転写方
法。
【請求項７】転写対象となる素子に対応して開口部を
形成したマスクを用い、第一基板の裏面側から当該マス
クを介してレーザ光を照射し、転写対象となる素子を第
一基板から剥離して第二基板上に転写することを特徴と
する請求項１記載の素子の転写方法。
【請求項８】上記アライメントマークを基準として上
記第一基板とマスクの位置合わせを行うことを特徴とす
る請求項７記載の素子の転写方法。
【請求項９】上記第一基板のアライメントマークと位
置合わせするためのアライメントマークが上記マスクに
形成されていることを特徴とする請求項８記載の素子の
転写方法。
【請求項１０】上記アライメントマーク同士を位置合
わせして第一基板とマスクの位置合わせした後、これを
原点として上記マスクを順次移動し、転写対象となる素
子を順次第二基板上に転写することを特徴とする請求項
９記載の素子の転写方法。
【請求項１１】上記素子は窒化物半導体を用いた半導
体素子であることを特徴とする請求項７記載の素子の転
写方法。
【請求項１２】第一基板上に配列された複数の素子を
第二基板上に配列する素子の配列方法において、前記第
一基板上で前記素子が配列された状態よりは離間した状
態となるように前記素子を転写して一時保持用部材に該
素子を保持させる第一転写工程と、前記一時保持用部材
に保持された前記素子をさらに離間して前記第二基板上
に転写する第二転写工程を有し、上記第一転写工程にお
いては、上記第一基板上の素子が形成されていない領域
に位置合わせ用のアライメントマークを形成し、当該ア
ライメントマークを位置合わせの基準として素子を一時
保持用部材上に転写することを特徴とする素子の配列方
法。
【請求項１３】上記第一転写工程において上記第一基
板上のアライメントマークを一時保持用部材に転写し、
第二転写工程において当該アライメントマークを位置合
わせの基準として素子を第二基板上に転写することを特
徴とする請求項１２記載の素子の配列方法。
【請求項１４】発光素子をマトリクス状に配置した画
像表示装置の製造方法において、第一基板上で発光素子
が配列された状態よりは離間した状態となるように前記
発光素子を転写して一時保持用部材に前記発光素子を保
持させる第一転写工程と、前記一時保持用部材に保持さ
れた前記発光素子をさらに離間して第二基板上に転写す
る第二転写工程と、前記各発光素子に接続させる配線を
形成する配線形成工程とを有し、上記第一転写工程にお
いては、上記第一基板上の発光素子が形成されていない
領域に位置合わせ用のアライメントマークを形成し、当
該アライメントマークを位置合わせの基準として発光素
子を一時保持用部材上に転写することを特徴とする画像
表示装置の製造方法。
【請求項１５】上記第一転写工程において上記第一基
板上のアライメントマークを一時保持用部材に転写し、
第二転写工程において当該アライメントマークを位置合
わせの基準として発光素子を第二基板上に転写すること
を特徴とする請求項１４記載の画像表示装置の製造方
法。