JP2021015972A - フリップチップｖｃｓｅｌ用ウェハ検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】迅速で効率的且つ信頼性が高く、温度制御機能を有すると共に低コストで、ウェハ検査の困難性を解決する、検査装置を提供する。【解決手段】複数の発光部を有するウェハを検査するためのフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置１であって、真空チャンバ１５に、ウェハ検査用キャリア１０と、可撓性導電層１１とを備える。ウェハ検査用キャリアは、第１の面を有する。第１の面上には複数の検査部が配置される。第１の面上に着脱可能に配置された可撓性導電層は、垂直方向に導電性を有し水平方向に絶縁される。可撓性導電層上に複数の発光部を備える被検査ウェハＤＵＴが配置され、被検査ウェハの検査中、各発光部は、可撓性導電層を介して、複数の検査部のうちの一つと垂直方向に電気的に接続される。【選択図】図１Ａ

Description

関連出願の相互参照

本願は、２０１９年７月９日に出願された台湾特許出願第１０８１２４１１６号に対する優先権を主張するものであり、当該特許出願の内容全体を参照により本願に援用する。

本発明は検査装置に関連し、特にウェハ上の複数の発光部を検査する検査装置に関連する。

レーザ技術の発展に伴い、データの読み書き、通信、光発光、距離測定、種々の物体の検知等の様々な用途に、レーザダイオードが幅広く用いられている。通常、レーザダイオードの販売前には、レーザダイオードの品質を確保するため、検査時に発光ダイオードを発光させ、発光ダイオードの種々の光学パラメータが正常であるか検査する必要がある。一般に、レーザダイオードは半導体製造技術を用いて製造される。基本的に、レーザダイオードには、エッジ発光型と面発光型の２種類がある。近年、面発光型レーザダイオードの構造や特徴が市場のニーズに合致していることから、面発光型レーザダイオードの生産量が多くなっている。「フリップチップ」は半導体の構造の一つであり、エピタキシャル層の反転面上に外部回路が作製され、パッキング時に電気接続とともにダイアタッチも同時に行うことができることから、従来のワイヤボンディングと比べてコストと時間が削減できる。

将来的には、フリップチップ面発光型レーザダイオードが、市場においてより安価で且つ広く用いられる電気光学素子となることが期待されている。しかしながら、検査とスクリーニングの実施はあらゆる半導体の製造において必要であり、また、レーザダイオードの特性には温度が大きく関連している。そのため、従来の非フリップチップ型のレーザダイオードと異なり、信頼性が高く、且つ効率的な、フリップチップ型レーザダイオードの大量生産のための枠組みは未だ提示されていない。したがって、本発明の目的は、迅速で効率的且つ信頼性が高く、温度制御機能を有すると共に低コストであることで、上記のようなウェハ検査の困難性を解決する、検査の枠組みを提供することである。

本発明は、ウェハ検査装置であって、複数の検査部がウェハ検査用キャリア上に配置され、被検査ウェハ上の複数の発光部を前記複数の検査部と直接電気的に接続することができ、そのことで、前記被検査ウェハの発光面への接触が不要な、ウェハ検査装置を提供する。また、前記ウェハ検査用キャリア上にはさらに可撓性導電層が配置され、当該可撓性導電層は異なる種類の発光部の表面に密着することができ、そのことで、前記複数の発光部の表面が不均一であることに起因する電気接続上の問題が回避できる。したがって、本発明のフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置は、前記被検査ウェハ上の前記複数の発光部をより効率良く検出することができる。

本発明は、複数の発光部を有する被検査ウェハを検査するためのフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置を開示する。前記フリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置は、ウェハ検査用キャリアと、可撓性導電層とを備える。前記ウェハ検査用キャリアは第１の面を有し、複数の検査部が前記第１の面上に配置される。前記可撓性導電層は、前記第１の面上に着脱可能に配置されても良く、垂直方向に導電性を有し水平方向に絶縁される。前記被検査ウェハの検査中、前記被検査ウェハは前記可撓性導電層上に配置され、各発光部は、前記可撓性導電層を介して、前記複数の検査部のうちの一つと垂直方向に電気的に接続される。

一実施形態においては、前記複数の検査部はそれぞれ第１の導電素子と第２の導電素子とを有し、前記複数の検査部は第２のマトリックスに従って配置されても良い。前記第２のマトリックスの同じ列における前記複数の検査部のうち、隣接する検査部の前記第１の導電素子同士は電気的に接続される。前記第２のマトリックスの同じ行における前記複数の検査部のうち、隣接する検査部の前記第２の導電素子同士は電気的に接続される。また、各検査部は、前記複数の発光部のうちの一つに対応しても良い。各検査部の前記第１の導電素子は、前記可撓性導電層を介して、対応する発光部の第１の接触パッドと電気的に接続され、各検査部の前記第２の導電素子は、前記可撓性導電層を介して、対応する発光部の第２の接触パッドと電気的に接続される。加えて、前記フリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置は、さらに温度制御部を備えても良い。前記温度制御部は、前記第１の面とは反対側の、前記ウェハ検査用キャリアの第２の面に隣接する。前記温度制御部は、前記ウェハ検査用キャリアの温度を上昇または低下させるように構成される。さらに、前記可撓性導電層は優れた熱伝導性を有する。

一実施形態においては、前記ウェハ検査用キャリアは、さらに複数の吸引孔を備えても良い。前記複数の吸引孔は第１のマトリックスに従って配置され、前記複数の吸引孔の一端は前記第１の面に露出する。また、前記可撓性導電層は、複数のビアを備えても良い。前記複数のビアは前記第１のマトリックスに従って配置され、各ビアは前記複数の吸引孔のうちの一つに対応する。加えて、前記フリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置は、さらに吸引モジュールを備えても良い。前記吸引モジュールは前記複数の吸引孔と接続され、吸引コマンドに従って前記吸引孔を通してガスを吸引する。さらに、前記フリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置は、さらに真空チャンバと、加圧モジュールとを備えても良い。少なくとも前記ウェハ検査用キャリアと前記可撓性導電層が前記真空チャンバ内の収容空間内に配置され、前記加圧モジュールは、前記収容空間内を加圧し、前記収容空間内の圧力を１気圧より高くするよう構成される。

一実施形態においては、前記フリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置は、さらに光学検出モジュールと、水平移動モジュールと、処理モジュールとを備えても良い。前記光学検出モジュールは、光線を受け、検出結果を生成するための受光部を有しても良い。前記水平移動モジュールは、移動コマンドに従い前記ウェハ検査用キャリアを移動させることで、前記複数の検査部のうちの一つを前記光学検出モジュールの前記受光部と位置揃えしても良い。前記処理モジュールは、前記ウェハ検査用キャリア、前記光学検出モジュール、及び前記水平移動モジュールと電気的に接続されることで、前記移動コマンドを生成し、前記検出結果を受け取るための検出工程を実行しても良い。また、前記被検査ウェハの非発光面は、前記被検査ウェハの検査中、前記可撓性導電層と接触しても良い。

本発明はさらに、被検査ウェハを検査するための別のフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置を開示する。前記被検査ウェハは、複数の発光部を備える。前記フリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置は、ウェハ検査用キャリアと、可撓性導電層とを備える。前記ウェハ検査用キャリアは、第１の面と、複数の吸引孔とを有する。前記第１の面上には複数の検査部が配置され、各検査部は第１の導電素子と第２の導電素子とを備える。各吸引孔の一端は前記第１の面に露出する。前記複数の検査部は第１のパターンに従って配置され、前記複数の吸引孔は第２のパターンに従って配置される。前記可撓性導電層は、前記第１の面上に着脱可能に配置されても良く、垂直方向に導電性を有し水平方向に絶縁される。前記可撓性導電層は、複数のビアを備える。前記複数のビアは前記第２のパターンに従って配置され、各ビアは前記複数の吸引孔のうちの一つに対応する。各吸引孔と隣接する前記第１の導電素子または前記第２の導電素子との間には少なくとも第１の間隔が存在し、各吸引孔と別の隣接する吸引孔との間には少なくとも第２の間隔が存在し、前記第１の間隔は前記第２の間隔以下である。

上記に基づき、本発明において提供されるフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置は、前記被検査ウェハの発光面に接触せずに、前記被検査ウェハ上のダイを大量に且つ直接的に検出することを可能にする。加えて、本発明において提供されるフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置は前記可撓性導電層を備え、前記複数の発光部は前記可撓性導電層を介して前記複数の検査部と電気的に接続されても良く、そのことで接触不良の問題を解消することができる。さらに、本発明において提供される前記温度制御部装置は、前記ウェハ検査用キャリア上の前記被検査ウェハが所定の温度で動作することを可能にしても良い。

本発明の実施形態に則ったフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置の機能ブロック図である。

本発明の実施形態に則ったフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置の断面フレームワーク図である。

本発明の実施形態に則ったウェハ検査用キャリアの上面図である。

本発明の実施形態に則った検査部の一部の上面図である。

本発明の実施形態に則った検査部の一部の機能ブロック図である。

本発明の別の実施形態に則ったウェハ検査用キャリアの上面図である。

本発明の別の実施形態に則ったウェハ検査用キャリアの上面図である。

図５Ａにおける実施形態に則った検査部の一部の上面図である。

本発明の別の実施形態に則ったフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置のフレームワーク図である。

本発明の別の実施形態に則ったウェハ検査用キャリアの上面図である。

本発明の別の実施形態に則ったウェハ検査用キャリアの上面図である。

以下では、本発明の特徴、目的、及び機能についてさらに開示する。しかしながら、以下に開示するのは本発明の可能な実施形態のうちのほんの少数であって、本発明の範囲はこれらの実施形態に限定されない。すなわち、本発明の請求項に基づいてなされる等価な変更や修正も本発明の対象である。本発明の精神と範囲を逸脱しないものは、本発明の更なる実施可能性を示すものと理解されるべきである。

図１Ａを参照する。図１Ａは、本発明の実施形態に則ったフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置の機能ブロック図である。図１Ａに示すように、フリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置は、被検査ウェハＤＵＴに対して検査を行うよう構成される。被検査ウェハＤＵＴは、複数の発光部（図示せず）を備える。被検査ウェハＤＵＴ上には、ウェハダイシングされていない、複数のダイが存在しても良い。各ダイは、一つの発光部であっても良く、複数の発光部を備えても良い。例えば、当該発光部は、垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）のようなフリップチップ型レーザダイオードであっても良い。換言すれば、本実施形態における発光部は、発光面に向けて光線を出射しても良く、発光面とは反対側の発光部の面は、駆動信号を受けるための接触パッドを備えても良い。

レーザダイオードを例にとると、発光部は実際には少なくとも２つの接触パッドを有する。当該２つの接触パッドは、それぞれレーザダイオードのアノードとカソードであっても良い。また、被検査ウェハＤＵＴは、上面と下面とを規定しても良い。当該上面は、被検査ウェハＤＵＴ上の発光部の発光面であっても良い。当該下面は、発光面とは反対側の面であり、当該下面は各発光部の各接触パッドを露出させても良い。当業者は発光面の意味を理解するであろう。すなわち、本実施形態は、発光部が発光面からのみ光線を出射することに限定しない。一例においては、発光部は、光線の大部分を発光面から出射する一方で、被検査ウェハＤＵＴの下面側からも光線が視認可能な状態で、発光面に加えて各側面からも光線を漏らしても良い。

フリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置１は、ウェハ検査用キャリア１０、可撓性導電層１１、光学検出モジュール１２、温度制御部１３、水平移動モジュール１４、真空チャンバ１５、処理モジュール１６、加圧モジュール１７、及び吸引モジュール１８を備えても良い。処理モジュール１６は、ウェハ検査用キャリア１０、光学検出モジュール１２、温度制御部１３、水平移動モジュール１４、加圧モジュール１７、及び吸引モジュール１８と電気的に接続される。ウェハ検査用キャリア１０は、被検査ウェハＤＵＴに対する検出工程を行うため、可撓性導電層１１及び被検査ウェハＤＵＴを担持するよう構成される。ここで、ウェハ検査用キャリア１０はキャリアステージ（図１Ａにおいては図示せず）上に配置されても良く、ウェハ検査用キャリア１０の一方側の面（第１の面）が、可撓性導電層１１に接触するために用いられても良い。可撓性導電層１１は、必ずしもウェハ検査用キャリア１０上に固定される必要はない。例えば、可撓性導電層１１は、第１の面上に着脱可能に配置されても良い。実際には、可撓性導電層１１は可撓性絶縁材料からなり、多数の金属線が、当該絶縁材料を垂直に貫通する状態で当該絶縁材料の内部に配置されても良い。従って、可撓性導電層１１は垂直方向に導電性を有し、一方で水平方向には絶縁されても良い。当業者は以下のことを理解するであろう。すなわち、被検査ウェハＤＵＴが可撓性導電層１１上に配置されると、被検査ウェハＤＵＴの各箇所は、可撓性導電層１１を介して、ウェハ検査用キャリア１０直下の対応する箇所に電気的に接続されても良い。また、被検査ウェハＤＵＴをウェハ検査用キャリア１０の第１の面上に直接載置する場合とは異なり、被検査ウェハＤＵＴは、場合によっては被検査ウェハＤＵＴの表面が粗いために、ウェハ検査用キャリア１０の第１の面に密着しないことがある。本実施形態における可撓性導電層１１が硬質な素材ではないため、被検査ウェハＤＵＴの表面が粗い場合でも、ウェハ検査用キャリア１０は、可撓性導電層１１を介して、より効率良く被検査ウェハＤＵＴと接触することができる。

被検査ウェハＤＵＴが可撓性導電層１１上に正しく位置決めされると、可撓性導電層１１が既にウェハ検査用キャリア１０上に配置されているため、被検査ウェハＤＵＴもウェハ検査用キャリア１０により担持される。処理モジュール１６は、水平移動モジュール１４を駆動し、被検査ウェハＤＵＴの個々の異なる検出領域に応じて被検査ウェハＤＵＴの位置揃え及びキャリブレーションを実行しても良い。すなわち、処理モジュール１６は、移動コマンドを生成するために水平移動モジュール１４と電気的に接続されても良く、水平移動モジュール１４は、ウェハ検査用キャリア１０上に担持される被検査ウェハＤＵＴも共に移動させるように、キャリアステージを移動コマンドに基づき移動させ、キャリアステージを介してウェハ検査用キャリア１０を駆動しても良い。

一例においては、フリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置１が被検査ウェハＤＵＴ上の特定の発光部を検査しようとする場合、水平移動モジュール１４は、キャリアステージを移動させることで、被検査ウェハＤＵＴ上の当該特定の発光部が光学検出モジュール１２に対して位置揃えされるよう、キャリアステージにウェハ検査用キャリア１０及び被検査ウェハＤＵＴを移動させる必要がある場合がある。より好ましくは、被検査ウェハＤＵＴ上の当該特定の発光部は、光学検出モジュール１２の受光部（図示せず）に対して位置揃えされても良い。そうすることで、被検査ウェハＤＵＴ上の当該特定の発光部が駆動または点灯されると、当該特定の発光部から出射された光線は受光部に対して垂直に入射し、そのことで光の拡散による検出結果への悪影響が回避されても良い。実際の例において、光学検出モジュール１２は、被検査ウェハＤＵＴ上の発光部から出射される光線を受け、デジタルな検出結果を生成するために用いられる積分球であっても良い。従って、光学検出モジュール１２から提供される検出結果に基づいて、処理モジュール１６は、発光部が正確に且つ安定して光線を出射するか否かを分析し、そのことで発光部が正常に機能するか検出することができる。

一方で、本実施形態は、水平移動モジュール１４がキャリアステージを駆動する手段を限定しない。例えば、水平移動モジュール１４は軌道を備えても良く、キャリアステージは、水平移動モジュール１４がキャリアステージを引く又は押すことができるように当該軌道上に固定されても良い。被検査ウェハＤＵＴはウェハ検査用キャリア１０上に載置されるため、水平移動モジュール１４が処理モジュール１６からの移動コマンドに従ってキャリアステージを移動させると、被検査ウェハＤＵＴを、ウェハ検査用キャリア１０及びキャリアステージとともに確実に移動させることができる。検出工程においては、本実施形態における水平移動モジュール１４は、キャリアステージ及びウェハ検査用キャリア１０を水平方向に移動させるだけで良く、垂直方向に移動させる必要がない場合があり、当該水平方向は被検査ウェハＤＵＴの発光面と概ね平行であっても良い。当業者は以下のことを理解するであろう。すなわち、キャリアステージ及びウェハ検査用キャリア１０を垂直に移動させる必要がない場合、光学検出モジュール１２は、光路の焦点を再度合わせたり、光路を調整したりする工程を回避することができる場合がある。

また、ウェハ検査用キャリア１０は、キャリアステージの一方の面に配置され、他方側の面は温度制御部１３との接触に用いられても良い。換言すれば、温度制御部１３と被検査ウェハＤＵＴとはお互いにウェハ検査用キャリア１０の反対側に配置されても良い。すなわち、ウェハ検査用キャリア１０の他方側の面（第２の面）が温度制御部１３に近接しても良い。例えば、ウェハ検査用キャリア１０の第１の面は被検査ウェハＤＵＴと接触する一方、ウェハ検査用キャリア１０の第２の面はキャリアステージと接触する。ここで、温度制御部１３は、処理モジュール１６と電気的に接続され、処理モジュール１６により制御されても良い。加えて、温度制御部１３は抵抗またはアクティブ型のユニットを有する加熱装置によって加熱されても良く、また、熱電クーラによって冷却されても良い。加熱・冷却の方法は種々あり、例えば、そのような加熱・冷却に液体や気体を用いても良いが、本実施形態はそれを限定しない。当業者には以下のことが分かるであろう。すなわち、温度制御部１３はウェハ検査用キャリア１０の第２の面と接触するため、温度制御部１３が加熱または冷却を行うと、ウェハ検査用キャリア１０の温度を熱伝導により調整することができる。そのため、ウェハ検査用キャリア１０の第１の面に横方向に接触する可撓性導電層１１及び被検査ウェハＤＵＴの温度も、熱伝導により変化させることができる。

実際には、本実施形態における温度制御部１３は、被検査ウェハＤＵＴの温度を制御しても良い。例えば、処理モジュール１６は、温度検出器（図示せず）を用いて被検査ウェハＤＵＴの温度を検出しても良い。検出された被検査ウェハＤＵＴの温度が高すぎる場合、処理モジュール１６は、温度制御部１３（例えば上述の熱電クーラ）を作動させ、冷却を行っても良い。逆に、検出された被検査ウェハＤＵＴの温度が低すぎる場合には、処理モジュール１６は、温度制御部１３（例えば上述の抵抗またはアクティブ型のユニットを有する加熱装置）を作動させ、加熱を行っても良い。当該温度検出器は、キャリアステージ上に配置されても良いが、本実施形態はそれを限定しない。従って、温度制御部１３及びキャリアステージによる熱伝導により、キャリアステージ、キャリアステージ上のウェハ検査用キャリア１０、可撓性導電層１１、及び被検査ウェハＤＵＴを一定の温度に保つことができる。実際の動作においては、被検査ウェハＤＵＴ上の各発光部の光電子特性を異なる温度下にて検出することが必要な場合がしばしばあり、その場合、処理モジュール１６は、多数の異なる温度が保たれるよう温度制御部１３を設定しても良い。例えば、処理モジュール１６は、２５℃、５０℃、及び７０℃の各温度が保たれるよう温度制御部１３を設定しても良い。

加えて、フリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置１は、さらに真空チャンバ１５と、加圧モジュール１７と、吸引モジュール１８とを備えても良い。真空チャンバは、ウェハ検査用キャリア１０、可撓性導電層１１、温度制御部１３、及び被検査ウェハＤＵＴを収容するように構成されても良い。図１Ａ及び図１Ｂを参照する。図１Ｂは、本発明の実施形態に則ったフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置の断面フレームワーク図である。図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、ウェハ検査用キャリア１０、可撓性導電層１１、温度制御部１３、キャリアステージ１９、及び被検査ウェハＤＵＴが、真空チャンバ１５（例えばその収容空間内）に収容されても良い。加圧モジュール１７は、真空チャンバ１５の収容空間内のガス圧を上昇させるために用いられる。一例においては、加圧モジュール１７を収容空間内に配置する代わりに、加圧モジュール１７を真空チャンバ１５の収容空間に複数のガス管で接続することもできる。吸引モジュール１８は、被検査ウェハＤＵＴと可撓性導電層１１との間の空気を吸引するよう構成される。より好ましくは、吸引モジュール１８は、被検査ウェハＤＵＴと可撓性導電層１１との間の空気を、略真空状態まで吸引する。代わりに、吸引モジュール１８も、収容空間内に配置する代わりに、被検査ウェハＤＵＴと可撓性導電層１１との間の位置と複数のガス管で接続することもできる。一例においては、可撓性導電層１１と、加圧モジュール１７と、吸引モジュール１８とを連携させることで、フリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置１は、ウェハ検査用キャリア１０が可撓性導電層１１を介してより効率よく被検査ウェハＤＵＴと接触するよう、被検査ウェハＤＵＴを可撓性導電層１１により密着するように押し付けても良い。

実際の動作例において、真空チャンバ１５が存在しない場合、通常の環境気圧は理論上およそ１気圧である。吸引モジュール１８が被検査ウェハＤＵＴと可撓性導電層１１との間の空気を略真空状態まで吸引する場合、被検査ウェハＤＵＴと可撓性導電層１１との間の圧力と外部圧力との間の圧力差は１気圧になることは既知である。すなわち、被検査ウェハＤＵＴは、可撓性導電層１１に向けて１．０３３６ｋｇｗ／ｃｍ^２の圧力を受ける場合がある。可撓性導電層１１の導通抵抗は当該圧力と関係しており、圧力が十分でない場合、検出精度に影響が出るほど導通抵抗が高くなる可能性がある。可撓性導電層１１はそれでも被検査ウェハＤＵＴと密着する場合もあるが、検出が行われる状況によっては、特に大電流を用いて検出を行う場合には、導通抵抗を許容範囲内まで下げるために加圧する必要があり、そのことで正確な検出結果を得ることができる。

上述のように真空チャンバ１５がある場合には、加圧モジュール１７は、真空チャンバ１５内の圧力を環境気圧より高くなるように加圧しても良い。例えば、加圧モジュール１７は、収容空間内の圧力を１気圧より高くしても良い。例えば、加圧モジュール１７が真空チャンバ１５内の圧力が５気圧になるまで加圧を行う場合、この時吸引モジュール１８が被検査ウェハＤＵＴと可撓性導電層１１との間の空気を略真空状態まで吸引すると、被検査ウェハＤＵＴと可撓性導電層１１との間の圧力と外部圧力との間の圧力差は５気圧になることは既知である。すなわち、被検査ウェハＤＵＴは、可撓性導電層１１に向けて５．１６７ｋｇｗ／ｃｍ^２の圧力を受ける場合がある。被検査ウェハＤＵＴが可撓性導電層１１により密着するようにすることで、ウェハ検査用キャリア１０が、可撓性導電層１１を介して、より効率よく被検査ウェハＤＵＴと接触できることは明らかである。実際には、加圧モジュール１７による加圧の度合は自由に調整可能である。例えば、技術者は複数の異なる加圧コマンドを設定しても良い。被検査ウェハＤＵＴの表面があまり滑らかでない場合、被検査ウェハＤＵＴに対してかかる１立方センチメートル当たりの圧力も上昇するよう、加圧モジュール１７による加圧の度合を加圧コマンドに従って上昇させても良い。他方、被検査ウェハＤＵＴの表面がより滑らかな場合、被検査ウェハＤＵＴに対してかかる１立方センチメートル当たりの圧力も低下するよう、加圧モジュール１７による加圧の度合を加圧コマンドに従って低下させても良い。加圧モジュール１７による加圧の度合が可撓性導電層１１の導通抵抗にも関連していることは確かである。当業者には以下のことが分かるであろう。すなわち、被検査ウェハＤＵＴが可撓性導電層１１上にただ軽く置かれるだけの場合には、被検査ウェハＤＵＴが可撓性導電層１１と電気的に接続されていても、被検査ウェハＤＵＴと可撓性導電層１１との間の導通抵抗は比較的高いままである。可撓性導電層１１の導通抵抗を低下させるために、加圧モジュール１７は、可撓性導電層１１上の被検査ウェハＤＵＴを加圧すべく、適切な圧力を加えるべきである。

また、吸引モジュール１８は、処理モジュール１６の吸引コマンドに従う。吸引モジュール１８は、吸引コマンドを受けガスの吸引を始めると、被検査ウェハＤＵＴと可撓性導電層１１との間の空気を略真空状態まで吸引し、そのことで被検査ウェハＤＵＴが可撓性導電層１１及びウェハ検査用キャリア１０に付着することを可能にする。従って、吸引モジュール１８は、ウェハ検査用キャリア１０の移動時における被検査ウェハＤＵＴの不必要なズレや揺れを防ぐことができる。実際の例において、フリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置１が検出状態にある間、吸引モジュール１８は、被検査ウェハＤＵＴが可撓性導電層１１及びウェハ検査用キャリア１０上に堅固に吸着されるように、ガスの吸引を継続するべきである。逆に、フリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置１が検出状態にない時、吸引モジュール１８は、技術者が被検査ウェハＤＵＴの取り替えや調整を行えるよう、ガスの吸引を停止する。

ウェハ検査用キャリアの構造を分かりやすく説明するため、ウェハ検査用キャリアを他の図面にも示す。図２及び図３Ａを参照する。図２は、本発明の実施形態に則ったウェハ検査用キャリアの上面図であり、図３Ａは、本発明の実施形態に則った検査部の一部の上面図である。図２及び図３Ａに示されるように、ウェハ検査用キャリア２は、複数の検査部２００を有する第１の面２０を有しても良い。一例においては、ウェハ検査用キャリア２は板状であり、キャリアステージ上に配置されても良い。被検査ウェハＤＵＴを担持している状態では、ウェハ検査用キャリア２の第１の面２０が被検査ウェハＤＵＴの下面に対向し、複数の検査部２００が複数の発光部に対応しても良い。実際には、被検査ウェハＤＵＴに応じてウェハ検査用キャリア２を替えても良い。例えば、被検査ウェハに応じて異なるウェハ検査用キャリアを選択しても良いし、被検査ウェハに応じて新たなウェハ検査用キャリアを設計しても良い。

一例においては、各検査部２００は一つの発光部に対応する。簡潔に言えば、被検査ウェハＤＵＴ上の複数の発光部が第２のマトリックスに従って配置される場合、ウェハ検査用キャリア２の複数の検査部も第２のマトリックスに従って配置される。本発明は、検査部と発光部との間に一対一の対応関係があることを限定しない。別の例においては、被検査ウェハ上の全ての発光部ではなく、一部の発光部をサンプリングするため、複数の検査部は一つの領域における一部の発光部にのみ対応しても良い。

例示のために、ウェハ検査用キャリア２における複数の検査部２００が第２のマトリックスに従って配置されるとき、図３Ａに示すように、検査部２００ａ、検査部２００ｂ、検査部２００ｃ、及び検査部２００ｄが存在する。検査部２００ａと検査部２００ｂとは第２のマトリックスにおける同じ行にあり、検査部２００ｃと検査部２００ｄとは第２のマトリックスにおける同じ行にあり、検査部２００ａと検査部２００ｃとは第２のマトリックスにおける同じ列にあり、検査部２００ｂと検査部２００ｄとは第２のマトリックスにおける同じ列にあっても良い。従って、検査部２００ａ、検査部２００ｂ、検査部２００ｃ、検査部２００ｄは２×２のマトリックスに従って配置される。

実際には、複数の検査部２００は多数のマトリックスに従って配置されても良い。例えば図２において、複数の検査部２００は、一つの５×１１のマトリックス、二つの３×５のマトリックス、四つの２×１のマトリックス、及び四つの１×１のマトリックスに分割されても良い。すなわち、各マトリックスにおける各検査部２００が被検査ウェハ上の発光部に対応していれば、本実施形態の範囲に含まれる。見方を変えれば、複数の検査部２００は必ずしもマトリックスに従って配置される必要はなく、一または複数のパターンに従って配置されても良い。同様に、パターンにおける各検査部２００が発光部に対応していれば、本実施形態の範囲に含まれる。なお、検査部２００の少数が被検査ウェハ上の発光部に対応していなくても、それら発光部に対応していない検査部が検出工程における誤作動や損傷の原因とならない限り、またはそれら発光部に対応していない検査部２００を簡単にバイパスすることができる限り、それらも本実施形態の範囲に含まれる単純なバリエーションに過ぎない。

図３Ａにおける検査部２００ａに示されるように、検査部２００ａは、導電素子２０２ａ（第１の導電素子）及び導電素子２０４ａ（第２の導電素子）を備えても良い。導電素子２０２ａと導電素子２０４ａとは、被検査ウェハＤＵＴ上の同一の発光部の２つの接触パッドのそれぞれに対応しても良い。例えば、導電素子２０２ａは接触パッドのうちのカソードに対応し、導電素子２０４ａは接触パッドのうちのアノードに対応しても良い。従って、検査部２００ａの駆動時には、駆動電流が検査部２０２ａを通り可撓性導電層（図３Ａには図示せず）を介して発光部の対応するカソードに流れ、検査部２０４ａは、発光部のアノードを出た駆動電流を可撓性導電層を介して受け、そのことで完全な電流回路が形成されても良い。本実施形態は、検査部における導電素子が、発光部における接触パッドと対応関係を有することを示すに過ぎない。一方で、検査部が一つの発光部に対応し、２つの導電素子が異なる接触パッドに対応する限り、導電素子２０２ａはアノードの接触パッドに対応しても良く、導電素子２０４ａはカソードの接触パッドに対応しても良い。本実施形態は、第１の導電素子と第２の導電素子とがそれぞれカソードに対応するか、アノードに対応するかについては限定しない。

一例においては、同じマトリックス内において、同じ列の検査部の第１の導電素子同士は相互に電気的に接続され、同じマトリックス内において、同じ行の検査部の第２の導電素子は相互に電気的に接続される。換言すれば、検査部２００ａと検査部２００ｃとは前記第２のマトリックスの同じ列に位置しているため、検査部２００ａの導電素子２０２ａと検査部２００ｃの導電素子２０２ｃとは相互に電気的に接続されても良い。また、検査部２００ａと検査部２００ｂとは前記第２のマトリックスの同じ行に位置しているため、検査部２００ａの導電素子２０４ａと検査部２００ｂの導電素子２０４ｂとは相互に電気的に接続されても良い。同様に、検査部２００ｂの導電素子２０２ｂと検査部２００ｄの導電素子２０２ｄとは相互に電気的に接続されても良く、検査部２００ｃの導電素子２０４ｃと検査部２００ｄの導電素子２０４ｄとは相互に電気的に接続されても良い。

実際には、検出工程において、検査部２００ａ、検査部２００ｂ、検査部２００ｃ、及び検査部２００ｄは、所定のシーケンスに従って駆動されても良い。例示のために、図３Ａ及び図３Ｂの両方を参照する。図３Ｂは、本発明の実施形態に則った検査部の一部の機能ブロック図である。図３Ａ及び図３Ｂに示されるように、ウェハ検査用キャリア２は、さらに第１の駆動回路２０６と第２の駆動回路２０８とを備えても良い。第１の駆動回路２０６は複数の第１の接続ポート（図示せず）を備え、第１の接続ポートはそれぞれ検査部の列のうち一つと電気的に接続されても良い。第２の駆動回路２０８は複数の第２の接続ポート（図示せず）を備え、第２の接続ポートはそれぞれ検査部の行のうち一つと電気的に接続されても良い。

例えば図３Ｂにおいて、第１の駆動回路２０６の第１の接続ポートの一方（または第１の接続ポートの一つ）は、検査部２００ａ及び検査部２００ｃと接続されても良く、特に導電素子２０２ａ及び導電素子２０２ｃと電気的に接続されても良い。一方で、第１の駆動回路２０６の第１の接続ポートの他方（または第１の接続ポートの別の一つ）は、検査部２００ｂ及び検査部２００ｄと接続されても良く、特に導電素子２０２ｂ及び導電素子２０２ｄと電気的に接続されても良い。他方で、第２の駆動回路２０８の第２の接続ポートの一方（または第２の接続ポートの一つ）は、検査部２００ａ及び検査部２００ｂと接続されても良く、特に導電素子２０４ａ及び導電素子２０４ｂと電気的に接続されても良い。一方で、第２の駆動回路２０６の第２の接続ポートの他方（または第２の接続ポートの別の一つ）は、検査部２００ｃ及び検査部２００ｄと接続されても良く、特に導電素子２０４ｃ及び検査部２０４ｄに電気的に接続されても良い。

本実施形態は、第１の駆動回路２０６及び第２の駆動回路２０８が第１の面２０上に配置されるか否かについて限定しない。一実施形態においては、第１の面２０の反対側（即ち第２の面）に載置される被検査ウェハＤＵＴを妨げないよう、第１の駆動回路２０６及び第２の駆動回路２０８は第１の面２０上に配置されても良い。また、第１の駆動回路２０６と第２の駆動回路２０８とは二つの別々の物理回路であっても良く、実際には一つのチップにまとめられても良い。一例においては、フリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置が図１Ａに示されるように吸引モジュール１８をさらに備える場合、吸引モジュール１８が吸引コマンドを受けガスの吸引を開始すると、被検査ウェハＤＵＴはウェハ検査用キャリア２上に吸着される。別の例においては、第１の面２０上に気密構造（図示せず）が配置されても良い。例えば、可撓性導電層１１と第１の面２０との間に安定した気密状態が存在しても良い。そのため、被検査ウェハＤＵＴが可撓性導電層１１及び第１の面２０上に載置されると、吸引モジュール１８は、被検査ウェハＤＵＴと可撓性導電層１１との間のガスをうまく吸引し、そのことで負圧環境を形成し、被検査ウェハＤＵＴを可撓性導電層１１及び第１の面２０に向けて押しても良い。

実際の動作例において、ウェハ検査用キャリア２による検査部２００ａに対応する発光部の検出時には、まず検査部２００ａに対応する発光部が正しい位置に置かれるようにする必要がある。一例においては、光学検出モジュールは固定されており、ウェハ検査用キャリア２のみを水平移動モジュールにより水平方向に移動させても良い。ここで、処理モジュールは、検査部２００ａに対応する発光部を光学検出モジュールの受光部の直下に移動させるよう水平移動モジュールを制御するため、デフォルトの連携パラメータに基づいて移動コマンドを出力しても良い。次に、処理モジュールは、第１の駆動回路２０６を制御し、第１の接続ポートの一方と導電素子２０２ａ及び導電素子２０２ｃに対して駆動信号を出力しても良い。また、処理モジュールは、同時に第２の駆動回路２０８を制御し、第２の接続ポートの一方と導電素子２０４ａ及び導電素子２０４ｂに対して駆動信号を出力しても良い。ここで、導電素子２０２ａと導電素子２０４ａとが同時に導通状態になるため、検査部２００ａに対応する発光部が駆動され、光線を出射する。光学検出モジュールの受光部は、当該発光部から出射された光線を受けると、処理モジュールが以降の評価を行うための検出結果を出力する。ここでは、他の各検査部、例えば検査部２００ｃ及び検査部２００ｂ、の二つの導電素子は同時には導電状態にならないため、処理モジュールが誤って検査部２００ｃ及び検査部２００ｂに対応する発光部を駆動することはなく、検出結果に対する干渉は発生しない。

ウェハ検査用キャリア２が検査部２００ｂに対応する発光部に対して引き続き検出を行う際には、同様に、処理モジュールは、検査部２００ｂに対応する発光部を光学検出モジュールの受光部の直下に移動させるよう水平移動モジュールを制御するため、デフォルトの連携パラメータに基づいて移動コマンドを出力しても良い。当業者には以下のことが分かるであろう。すなわち、光学検出モジュールを動かない状態に保ったままウェハ検査用キャリア２のみを水平に移動させる場合、光学検出モジュールから発光部への距離も一定に保つべきであり、そのことで光路を再調整するための時間を節約することができる。次に、処理モジュールは、第１の駆動回路２０６を制御し、第１の接続ポートの他方と導電素子２０２ｂ及び導電素子２０２ｄに対して駆動信号を出力しても良く、処理モジュールは、同時に第２の駆動回路２０８を制御し、第２の接続ポートの一方と導電素子２０４ａ及び導電素子２０４ｂに対して駆動信号を出力しても良い。ここで、導電素子２０２ｂと導電素子２０４ｂとが同時に導通状態になるため、検査部２００ｂに対応する発光部が駆動され、光線を出射する。同様に、光学検出モジュールの受光部は、当該発光部から出射された光線を受けると、処理モジュールが以降の評価を行うための検出結果を出力する。

加えて、検査ポートに対応する発光部を素早く正しい位置に置けるようにし、以降の評価を容易にするため、ウェハ検査用キャリアはさらに位置決め部を備える。図４を参照する。図４は、本発明の別の実施形態に則ったウェハ検査用キャリアの上面図である。図４に示されるように、直前の実施形態同様、本実施形態におけるウェハ検査用キャリア４も第１の面４０（例えば図４から見た面）を有し、第１の面４０は複数の検査部４００を備える。直前の実施形態とは異なり、第１の面４０は、さらに位置決め部４０ａを備えても良い。位置決め部４０ａは特徴的な外観を有しており、当該外観は被検査ウェハＤＵＴの位置決め構造と関係している。実際には、被検査ウェハＤＵＴの製造が完了すると、通常、被検査ウェハＤＵＴには切り欠きが前もって切られ、当該切り欠きが被検査ウェハＤＵＴの位置決め構造となる。第１の面４０の位置決め部４０ａの外観は、被検査ウェハＤＵＴの位置決め構造を位置決め部４０ａと位置揃えできるように被検査ウェハＤＵＴの位置決め構造と相似形であっても良く、そのことで被検査ウェハＤＵＴを第１の面４０ａ上の正しい位置に載置することが容易になる。本実施形態は位置決め部４０ａの数を限定しない。被検査ウェハＤＵＴ上に複数の位置決め構造が事前にデザインされる場合、ウェハ検査用キャリア４上にも同数の位置決め部４０ａがデザインされても良い。また、本実施形態は位置決め部４０ａの外観を限定しない。位置決め部４０ａの外観は、それが被検査ウェハＤＵＴの位置決め構造に対する正確な位置揃えを容易にするものである限り、本実施形態の位置決め部４０ａの範囲に含まれる。一例においては、第１の面４０上に配置される可撓性導電層（図４には図示せず）も位置決め部を備えても良い。可撓性導電層を事前に第１の面４０上の正しい位置に位置揃えできるため、被検査ウェハＤＵＴについても、可撓性導電層の位置決め部を介して、正しい位置に素早く位置合わせすることができる。

また、吸引モジュールがより効率的にガスを吸引できるようにするため、一例においては、ウェハ検査用キャリアの第１の面は一または複数の吸引孔を備えても良い。図５Ａは、本発明の別の実施形態に則ったウェハ検査用キャリアの上面図であり、図５Ｂは、図５Ａの実施形態に則った検査部の一部の上面図である。図５Ａ及び図５Ｂに示されるように、直前の実施形態同様、ウェハ検査用キャリア５も第１の面５０（例えば図５Ａから見た面）を有し、第１の面５０は複数の検査部５００を備え、これら複数の検査部５００は、第２のマトリックスまたは第１のパターンに従って配置されても良い。直前の実施形態と異なり、第１の面５０は、さらに複数の吸引孔５０６を備える。これら複数の吸引孔５０６は第１のマトリックスまたは第２のパターンに従って配置されても良く、吸引孔５０６の一端が第１の面５０に露出する。

実際には、吸引孔５０６の数は、検査部５００の数と同じであっても良い。すなわち、各検査部５００内に、対応する吸引孔５０６が構成されても良い。図５Ｂの例に示されるように、第１の面５０上の検査部５００ａはいずれも、導電素子５０２ａ及び導電素子５０４を備え、さらに吸引孔５０６ａを備えても良い。従って、第２のマトリックスは第１のマトリックスと同一となり、第１のパターンは第２のパターンに類似する。吸引孔５０６は検査部５００内にあるため、第２のパターンの長さ及び幅（または面積）は第１のパターンよりわずかに小さくても良い。

本実施形態は、吸引孔５０６ａが検査部５００ａ内に位置すること、および吸引孔５０６ａの外観を限定しない。一例においては、吸引孔５０６ａは導電素子５０２ａ及び導電素子５０４ａに対して対称性を有しても良い。すなわち、吸引孔５０６ａの中心は、導電素子５０２ａと導電素子５０４ａとの対称軸上に位置しても良い。このことにより、吸引孔５０６ａがガスをより均一に吸引し、各接触パッドが可撓性導電層を介してより均一に導電素子５０２ａと導電素子５０４ａとを押すことを可能にし、一方の導電素子に局所的に押圧力がかかることを防ぐという有利な効果が得られる。加えて、第１の面に露出する吸引孔５０６ａの外観は円形、矩形、または他の適切な形状であっても良く、本実施形態はその形状を限定しない。実際には、吸引孔５０６ａの開口の一端が第１の面５０上にあり、他端は吸引モジュールと接続される。ここで、本実施形態は、吸引孔５０６ａの開口の他端がウェハ検査用キャリア５のどの面にあるか限定しない。例えば、吸引孔５０６ａの開口の他端はウェハ検査用キャリア５の第２の面上に位置しても良く、当該第２の面は単に第１の面の反対側の面であっても良い。従って、吸引孔５０６ａは上下方向を接続するビアであっても良く、ウェハ検査用キャリア５の第２の面を介して吸引モジュールと接続される。別の例として、吸引孔５０６ａの開口の他端はウェハ検査用キャリア５の一つの側面上に位置しても良く、当該側面は第１の面でも第２の面でもない。従って、吸引孔５０６ａは第１の面５０から垂直にウェハ検査用キャリア５に入る一方で、ウェハ検査用キャリア５の内部では水平型のビアであり、ウェハ検査用キャリア５の側面を介して吸引モジュールと接続されても良い。

また、吸引孔５０６はそれぞれが吸引モジュールと接続されても良いし、いくつかの吸引孔５０６がウェハ検査用キャリア５内で相互に接続されることで、吸引モジュールと接続される開口がまとめられても良いが、本実施形態はこのことを限定しない。さらに、本実施形態は、第１の面において露出する各吸引孔５０６の面積を限定しない。例えば、第１の面内における検査部５００ａの吸引孔５０６ａの面積の割合は、第１の面内における導電素子５０２ａまたは導電素子５０４ａの面積の割合と概ね同じであっても良い。

被検査ウェハＤＵＴがどのようにウェハ検査用キャリア上に吸着されるかをさらに明確に示すために、図６を参照する。図６は、本発明の別の実施形態に則ったフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置のフレームワーク図である。図６に示すように、被検査ウェハＤＵＴ、ウェハ検査用キャリア６０、可撓性導電層６１、温度制御部６３、及びキャリアステージ６９が全て真空チャンバ６５内の収容空間内に構成され、可撓性導電層６１と温度制御部６３とがウェハ検査用キャリア６０の両側にそれぞれ構成されるものとする。具体的には、被検査ウェハＤＵＴは可撓性導電層６１上に載置され、可撓性導電層６１はウェハ検査用キャリア６０上に載置され、ウェハ検査用キャリア６０はキャリアステージ６９上に載置される。したがって、被検査ウェハＤＵＴと、可撓性導電層６１と、ウェハ検査用キャリア６０と、キャリアステージ６９とが順次パッケージされた構造である。ここで、ウェハ検査用キャリア６０は複数の接続吸引孔６００を備え、可撓性導電層６１も複数のビア６１０を備えても良い。吸引孔６００はそれぞれ一つのビア６１０に対応しても良い。換言すれば、吸引孔６００の配置は概ねビア６１０の配置と同じである（例えば、共に第２のパターンに従った配置である）。上述のように、各吸引孔６００はウェハ検査用キャリア６０内を垂直に通り、キャリアステージ６９上の吸引パイプ６９０に対応しても良い。キャリアステージ６９内の吸引パイプ６９０は水平に延設され、キャリアステージ６９の側面に露出し、そして別のパイプ６９２を介して真空チャンバ６５外の吸引モジュール（図示せず）に接続されても良い。真空チャンバ６５の上側表面は被検査ウェハＤＵＴの発光面に近接しても良く、当該上側表面は透明材料で構成されても良い。従って、被検査ウェハＤＵＴの検出中には、被検査ウェハＤＵＴ上の各発光部から出射される光線が真空チャンバ６５を透過しても良い。また、上記の光学検出モジュールは、真空チャンバ６５の上に配置され、各発光部から出射される光線を検出しても良い。

図５Ａに戻り、図５Ａは、吸引孔５０６の数が検査部５００の数と同じでも良く、各検査部５００は一つの吸引孔５０６に対応しても良いことを示している。しかしながら、実際には、吸引モジュールの効率が良好である限り、また、ウェハ検査用キャリア５の構造強度のため、吸引孔の数は検査部の数より少なくても良い。図５Ａ及び図７の両方を参照する。図７は、本発明の別の実施形態に則ったウェハ検査用キャリアの上面図である。図５Ａ及び図７に示されるように、直前の実施形態同様、本実施形態におけるウェハ検査用キャリア７も、第１の面７０（例えば図７から見た面）を有し、第１の面には複数の検査部７００が配置されても良い。複数の検査部７００は、第２のマトリックスまたは第１のパターンに従って配置されても良い。第１の面７０も複数の吸引孔７０６を備えても良く、これら複数の吸引孔７０６は第１のマトリックスまたは第２のパターンに従って配置されても良い。直前の実施形態と異なり、第１の面７０上の吸引孔７０６は比較的数が少ない。すなわち、各検査部７００が一つの対応する吸引孔７０６を有するわけではなく、吸引孔７０６は、検査部７００間に列方向に介在するように構成される。従って、第２のマトリックスは第１のマトリックスより大きくなり、第１のパターンの面積は第２のパターンの面積より大きくなる。

本実施形態は吸引孔の数を限定しない。図７及び図８を参照する。図８は、本発明の別の実施形態に則ったウェハ検査用キャリアの上面図である。図７及び図８に示されるように、直前の実施形態同様、ウェハ検査用キャリア８は第１の面８０（例えば図８から見た面）を有する。第１の面上には複数の検査部８００が配置されており、これら複数の検査部８００は第２のマトリックスまたは第１のパターンに従って配置されても良い。第１の面８０も複数の吸引孔８０６を備え、これら複数の吸引孔８０６は第１のマトリックスまたは第２のパターンに従って配置されても良い。直前の実施形態と異なり、第１の面８０上の吸引孔８０６の数は大幅に少なく、吸引孔８０６は、検査部８００間に列方向及び行方向に介在するように構成される。第２のマトリックスが第１のマトリックスより大きくなり、第１のパターンの面積が第２のパターンの面積より大きくなるのは確かである。

実際には、図５Ａ、図７、及び図８に示される吸引孔は、第１の面の周縁領域内に配置されても良い。また、吸引効率を良好に保つために、被検査ウェハＤＵＴは、第１の面上に載置された状態において、それらの吸引孔を覆うべきである。これは、吸引モジュールによるガスの吸引の開始後、各吸引孔が被検査ウェハＤＵＴと第１の面の間においてそのガス吸引機能を発揮できるようにするためである。加えて、各吸引孔と隣接する第１の導電素子または第２の導電素子との間には少なくとも第１の間隔が存在し、各吸引孔と別の隣接する吸引孔との間には少なくとも第２の間隔が存在し、第１の間隔は第２の間隔以下である。例えば図５Ａ及び図５Ｂにおいて、導電素子５０２ａ及び導電素子５０４ａのそれぞれから吸引孔５０６ａへの距離は概ね同じであり、これが第１の間隔と定義される。一方で、隣接する吸引孔５０６間の間隔が第２の間隔と定義される。実際には、第２の間隔は第１の間隔より大きくても良い。より明確な例として、図８に示すように、隣接する吸引孔８０６間には少なくとも一つの検査部８００全体分の間隔があり、当該間隔が、同じ検査部８００内の導電素子から吸引孔への間隔より大きいことは明らかである。

一例においては、被検査ウェハＤＵＴ上の各ダイが小さければ、対応する検査部８００の大きさもまた小さくなる。ここで、第１の間隔は０．２−０．４ｍｍの範囲内であっても良く、実際には第２の間隔と第１の間隔との間の差はこれより大きくても良い。第１の間隔が０．２５ｍｍであるとすると、構造強度、並びにガス吸引及び冷却の効率のために、第２の間隔は第１の間隔の倍、すなわち０．５ｍｍであっても良い。別の例において、被検査ウェハＤＵＴ上の各ダイが大きければ、対応する検査部８００の大きさもまた大きくなる。ここで、第１の間隔は０．５−２０ｍｍの範囲内であり、実際には第２の間隔と第１の間隔との間の差はこれより小さくても良い。第１の間隔が０．５ｍｍであるとすると、構造強度、並びにガス吸引及び冷却の効率のために、第２の間隔は第１の間隔そのもの、すなわち０．５ｍｍであっても良い。

一例においては、吸引孔と第１の面の周縁領域との間には第３の間隔が存在し、第１の間隔は第３の間隔以下である。例えば、図８においては、吸引孔８０６から第１の間隔８０の周縁領域までの間隔が第３の間隔と定義される。当該第３の間隔は、同じ検査部８００の導電素子から吸引孔への間隔以上である。従って、第１の面８０の周縁領域が吸引孔８０６に近すぎることによって発生し得る、吸引孔８０６からのガス漏れや第１の面８０の不十分な構造強度などの問題を回避することができる。

要約すると、本発明において提供されるフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置は、被検査ウェハの発光面に接触せずに、被検査ウェハ上のダイを大量に且つ直接検出することを可能にする。加えて、本発明において提供されるフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置は可撓性導電層を備え、発光部は可撓性導電層を介して検査部と電気的に接続されても良く、そのことで接触不良の問題を解消することができる。さらに、本発明において提供される温度制御部装置は、ウェハ検査用キャリア上の被検査ウェハが所定の温度で動作することを可能にしても良い。

Claims (13)

1. 複数の発光部を有する被検査ウェハを検査するためのフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置であって、
   第１の面を有するウェハ検査用キャリアであって、複数の検査部が前記第１の面に配置されるウェハ検査用キャリアと、
   前記第１の面上に着脱可能に配置される可撓性導電層であって、垂直方向に導電性を有し水平方向に絶縁された可撓性導電層と、を備え、
   前記被検査ウェハは前記可撓性導電層上に配置され、前記被検査ウェハの検査中、各発光部は、前記可撓性導電層を介して、前記複数の検査部のうちの一つと垂直方向に電気的に接続され、
   前記ウェハ検査用キャリアは第１のマトリックスに従って配置された複数の吸引孔をさらに備え、前記複数の吸引孔の一端は前記第１の面に露出し、
   前記可撓性導電層は前記第１のマトリックスに従って配置された複数のビアを備え、各ビアは前記複数の吸引孔のうちの一つに対応する、ことを特徴とするフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置。
2. 各検査部は第１の導電素子と第２の導電素子とを有し、前記複数の検査部は第２のマトリックスに従って配置され、前記第２のマトリックスの同じ列における前記複数の検査部のうち、隣接する検査部の前記第１の導電素子同士は電気的に接続され、前記第２のマトリックスの同じ行における前記複数の検査部のうち、隣接する検査部の前記第２の導電素子同士は電気的に接続される、請求項１に記載のフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置。
3. 各検査部は前記複数の発光部のうちの一つに対応し、各検査部の前記第１の導電素子は、前記可撓性導電層を介して、対応する発光部の第１の接触パッドと電気的に接続され、一方で、各検査部の前記第２の導電素子は、前記可撓性導電層を介して、対応する発光部の第２の接触パッドと電気的に接続される、請求項２に記載のフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置。
4. さらに吸引モジュールを備え、当該吸引モジュールは前記複数の吸引孔と接続され、吸引コマンドに従って前記複数の吸引孔を通してガスを吸引する、請求項１に記載のフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置。
5. さらに真空チャンバと、加圧モジュールとを備え、少なくとも前記ウェハ検査用キャリアと前記可撓性導電層が前記真空チャンバ内の収容空間内に配置され、前記加圧モジュールは、前記収容空間内を加圧し、前記収容空間内の圧力を１気圧より高くするよう構成される、請求項４に記載のフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置。
6. さらに温度制御部を備え、当該温度制御部は、前記第１の面とは反対側の、前記ウェハ検査用キャリアの第２の面に隣接し、前記ウェハ検査用キャリアの温度を上昇または低下させるように構成される、請求項１に記載のフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置。
7. 光線を受け、検出結果を生成するための受光部を有する光学検出モジュールと、
   移動コマンドに従い前記ウェハ検査用キャリアを移動させることで、前記複数の検査部のうちの一つを前記光学検出モジュールの前記受光部と位置揃えする、水平移動モジュールと、
   前記ウェハ検査用キャリア、前記光学検出モジュール、及び前記水平移動モジュールと電気的に接続されることで、前記移動コマンドを生成し、前記検出結果を受け取るための検出工程を実行する処理モジュールと、をさらに備える、請求項１に記載のフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置。
8. 前記被検査ウェハの非発光面は、前記被検査ウェハの検査中、前記可撓性導電層と接触する、請求項１に記載のフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置。
9. 複数の発光部を有する被検査ウェハを検査するためのフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置であって、
   第１の面と、それぞれの一端が前記第１の面に露出する複数の吸引孔とを有するウェハ検査用キャリアであって、前記第１の面上に複数の検査部が配置され、各検査部が第１の導電素子と第２の導電素子とを備え、前記複数の検査部は第１のパターンに従って配置され、前記複数の吸引孔は第２のパターンに従って配置されるウェハ検査用キャリアと、
   前記第１の面上に着脱可能に配置される可撓性導電層であって、垂直方向に導電性を有し水平方向に絶縁された可撓性導電層と、を備え、
   前記可撓性導電層は前記第２のパターンに従って配置された複数のビアを備え、各ビアは前記複数の吸引孔のうちの一つに対応し、
   各吸引孔と隣接する前記第１の導電素子または前記第２の導電素子との間には少なくとも第１の間隔が存在し、各吸引孔と別の隣接する吸引孔との間には少なくとも第２の間隔が存在し、前記第１の間隔は前記第２の間隔以下であり、
   前記複数の吸引孔のうちの一つの中心は、前記第１の導電素子と前記第２の導電素子との対称軸上に位置する、ことを特徴とするフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置。
10. 前記複数の吸引孔は前記第１の面の周縁領域内に配置され、前記複数の吸引孔と前記第１の面の前記周縁領域との間には第３の間隔が存在し、前記第１の間隔は前記第３の間隔以下である、請求項９に記載のフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置。
11. 前記被検査ウェハは、前記被検査ウェハの非発光面に接触する前記可撓性導電層上に配置され、前記被検査ウェハの検査中、前記複数の吸引孔は、前記非発光面の周縁領域内に対応するように配置される、請求項９に記載のフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置。
12. 前記第１のパターンは第２のマトリックスであり、前記第２のマトリックスの同じ列における前記複数の検査部のうち、隣接する検査部の前記第１の導電素子同士は電気的に接続され、一方で、前記第２のマトリックスの同じ行における前記複数の検査部のうち、隣接する検査部の前記第２の導電素子同士は電気的に接続される、請求項９に記載のフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置。
13. さらに温度制御部を備え、当該温度制御部は、前記第１の面とは反対側の、前記ウェハ検査用キャリアの第２の面に隣接し、前記ウェハ検査用キャリアの温度を上昇または低下させるよう構成される、請求項９に記載のフリップチップＶＣＳＥＬ用ウェハ検査装置。

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