TWM561908U - 晶粒功能檢測裝置 - Google Patents

Abstract

一種晶粒功能檢測裝置，係用以檢測一晶圓上的複數晶粒。各晶粒包括一電路本體以及與電路本體電性連接的一饋電部。檢測裝置包括一檢測板以及一導通部。檢測板疊置於晶圓上。檢測板具有複數貫孔，以經由貫孔分別顯露此些晶粒。導通部設置於檢測板上而接觸饋電部。導通部接收一電源輸入，而將電源供應之電力傳送至晶粒。

Description

晶粒功能檢測裝置

本創作是關於一種檢測裝置，特別是一種可用以測試晶粒功能的檢測裝置。

在各式晶粒製程中，為了維持產品品質的穩定，須對晶粒進行缺陷檢測，以根據檢測之結果來分析造成這些缺陷之根本原因，之後才能進一步藉由製程參數的調整來避免或減少缺陷的產生，以達到提升製程良率以及可靠度之目的。

在習知檢測的技術步驟上，常將切割後之晶粒黏附於膠膜上以便批次性的檢測以及於製程步驟間移動。然而，此種檢測方式需要先將晶粒自晶圓上切割下來還要再黏著於膠膜上，增加了檢測時間以及成本。

有鑑於此，本創作提出一種晶粒功能檢測裝置。

本創作一或多個實施例提供一種晶粒功能檢測裝置，係用以檢測一晶圓上的複數晶粒。各晶粒包括一電路本體以及與電路本體電性連接的一饋電部。檢測裝置包括一檢測板以及一導通部。檢測板疊置於晶圓上。檢測板具有複數貫孔，以經由貫孔分別顯露此些晶粒。導通部設置於檢測板上而接觸饋電部。導通部接收一電源輸入，而將電源供應之電力傳送至晶粒。

在本創作一或多個實施例中，導通部包括複數組電極導通區域及一組電源供應線路。電源供應線路位於檢測板遠離於晶圓之一側並接收電源輸入。電極導通區域電性連接電源供應線路且位於檢測板的相鄰於晶圓之一側，各組電極導通區域一對一接觸各晶粒之饋電部。

在本創作一或多個實施例中，電源供應線路以指叉狀分佈，貫孔排列為複數行並交錯排列於指叉狀分佈之複數指間區域中。

在本創作一或多個實施例中，電源供應線路為雷射蝕刻線路。

在本創作一或多個實施例中，各組電極導通區域包含一正極導通區域與一負極導通區域。正極導通區域與負極導通區域分別設置於貫孔的二側。

在本創作一或多個實施例中，各組電極導通區域包含一正極導通區域與一負極導通區域。正極導通區域與負極導通區域設置於貫孔的同一側。

在本創作一或多個實施例中，正極導通區域及負極導通區域為異方向性導電膠膜或電鍍層。

在本創作一或多個實施例中，晶粒為複數發光元件、複數微流體電子元件或複數微機電電子元件。

在本創作一或多個實施例中，晶粒功能檢測裝置更包含一光學檢測單元。光學檢測單元透過貫孔擷取包含晶粒之一影像，以根據影像判斷晶粒之功能。

在本創作一或多個實施例中，晶粒功能檢測裝置更包含一雷射設備。晶粒功能檢測裝置輸出一雷射光至功能非為正常的一異常晶粒，以標記異常的晶粒。

透過以上所揭示之一或多個實施例所述的晶粒功能檢測裝置，在晶粒尚未從晶圓上切割下來的情況下，能夠透過肉眼或儀器一次性地辨識複數晶粒受電力驅動後是否能夠正常作動，進而對複數晶粒進行篩選，無須在晶粒從晶圓切割下來後再逐一進行檢測。因此，可以節省晶粒功能檢測所需的時間與成本。在一些實施例中，可以透過光學檢測單元而有效率地根據所擷取的影像，判斷晶粒是否正常作動，進而達成快速篩檢的目的。並且，還可以利用雷射設備所輸出的雷射光對異常的晶粒進行標記，因此後續篩選時可以透過標記的有無快速分類正常晶粒與異常晶粒。

請參閱圖1至圖4，圖1為本創作一實施例所適用的晶圓的示意圖，圖2至圖4揭示本創作一實施例的晶粒功能檢測裝置。

如圖1及圖3所示，晶粒功能檢測裝置100係用以檢測晶圓9上的複數晶粒91。各晶粒91包括電路本體911以及與電路本體911電性連接的饋電部912。如圖2所示，晶粒功能檢測裝置100包括檢測板20以及設置於檢測板20上的導通部30。在此實施例中，檢測板20的形狀係對應晶圓9的形狀而概呈圓形，但本創作並不以此為限，其亦可以是正方形、長方型、其他幾何形狀或不規則形。另外，為了方便說明，圖式中僅繪示出具有四個晶粒的晶圓及具有四個貫孔21的晶粒功能檢測裝置100，但本創作並不以此為限。

如圖3及圖4所示，檢測板20係用以疊置於晶圓9上。檢測板20具有複數貫孔21，以經由貫孔21分別顯露晶粒91。導通部30接觸饋電部912，導通部30並與一電源單元40電性連接而接收電源輸入，而將電源供應之電力傳送至晶粒91。藉此，正常晶粒91可受電力驅動而正常作動，而異常晶粒91受電力驅動後無法正常作動，因而使用者或是作業人員可以確認晶粒91是否正常作動。在本實施例中，電源單元40是位於檢測板20上的一側，但並不以此為限。電源單元40亦可以獨立於檢測板20，而於需要使用時電性連接檢測板20上的供電埠而達成前述電源供應。

藉此，根據本創作一或多個實施例的晶粒功能檢測裝置100，在晶粒91尚未從晶圓9上切割下來的情況下，能夠透過肉眼或儀器一次性地辨識複數晶粒91受電力驅動後是否能夠正常作動，進而對複數晶粒91進行篩選，無須在晶粒91從晶圓9切割下來後再逐一收集並檢測。因此，可以節省晶粒91功能檢測所需的時間與成本。需要說明的是，在本實施例中，晶粒91係為發光元件，例如發光二極體或是微米級發光二極體，但並不以此為限。在其他實施例中，晶粒91亦可以是微機電（MEMS）電子元件或是用於生醫應用的微流體電子元件（如生物晶片）。因此，更增加本創作之應用層面。

請參閱圖5至圖6，圖5為本創作一實施例的晶粒功能檢測裝置的使用狀態示意圖（三）。圖6為本創作一實施例的晶粒功能檢測裝置的仰視示意圖。

於一實施例中，如圖5至圖6所示，導通部30包括複數組電極導通區域31及一組電源供應線路32。檢測板20具有遠離晶圓9的第一側20a、面向晶圓9的第二側20b以及導電孔20c。電源供應線路32位於檢測板20的第一側20a並接收電源輸入。各組電極導通區域31經由導電孔20c電性連接電源供應線路32且位於檢測板20的第二側20b。導電孔20c中係充填有導電材料或者導電孔20c的孔壁係塗佈導電物質，因而使得電極導通區域31可以經由導電孔20c電性連接電源供應線路32。各組電極導通區域31一對一接觸各晶粒91之饋電部912。藉此，電力可以透過電源供應線路32以及電極導通區域31分別供應至各晶粒91的饋電部912，進而供使用者或是作業人員確認晶粒91是否正常作動。

請參閱圖5，在本創作一或多個實施例中，電源供應線路32係以指叉狀分佈，貫孔21排列為複數行並交錯排列於指叉狀分佈之複數指間區域32a中。具體而言，電源供應線路32可進一步包括連接正極導通區域311的正極線路321以及連接負極導通區域312的負極線路322。正極線路321係呈指叉狀分佈，負極線路322亦呈現指叉狀分佈，而貫孔21則交錯排列於指間區域32a中。據此，晶粒功能檢測裝置100上的複數貫孔21可以分別對應位於晶圓9上的複數晶粒91，並且各晶粒91的饋電部912可以藉由指叉狀的電源供應線路32而分別與對應的導通部30達成電性連接，因而可以檢測晶圓9上的晶粒91功能是否正常。

請繼續參閱圖6，在一實施例中，各組電極導通區域31包含一正極導通區域311與一負極導通區域312，而正極導通區域311與負極導通區域312分別設置於貫孔21的二側。換句話說，在此，正極導通區域311與負極導通區域312係對應設置於貫孔21的相對二側，而分別用以接觸位於各晶粒91相對二側的正極饋電部912與負極饋電部912，但本創作並不以此為限。請參閱圖7，在另一實施例中，正極導通區域311與負極導通區域312設置於貫孔21的同一側，而分別用以接觸位於各晶粒91同一側的正極饋電部912與負極饋電部912。也就是說，對應晶粒91的饋電部912的配置方式不同，電極導通區域31的正極導通區域311與負極導通區域312亦有不同的配置方式。

在本創作一或多個實施例中，電源供應線路32為雷射蝕刻線路。進一步言，檢測板20是先在介電材質的板材（例如，但不限於塑膠板）的第一側20a上鍍上導電材料後，再以雷射蝕刻的方式，將鍍層蝕刻成特定圖樣並經由導電孔20c電性連接電極導通區域31以作為電源供應線路32。在另一些實施例中，也可以使用導線製作電源供應線路32。

在本創作一或多個實施例中，正極導通區域311及負極導通區域312為異方向性導電膠膜（anisotropic conductive film, ACF）或電鍍層。進一步言，檢測板20是先在介電材質的板材（例如，但不限於塑膠板）的第二側20b上鍍上導電材料後，再以雷射或其他蝕刻方式，蝕刻出電極導通區域31，電極導通區域31再經由導電孔20c與電源供應線路32達成電性連接。或者，在另一些實施例中，也可以直接利用異方向性導電膠膜貼附於檢測板20的第二側20b上，再與電源供應線路32電性連接。

請參閱圖8，為本創作再一實施例的晶粒功能檢測裝置的示意圖。如圖8所示，在本創作一或多個實施例中，晶粒功能檢測裝置100更包含光學檢測單元50。光學檢測單元50透過貫孔21擷取包含晶粒91之影像，以根據影像判斷晶粒91之功能。舉例來說，光學檢測單元50可以是照相機，其可具有感光耦合元件（Charge-coupled Device, CCD），但並不以此為限，光學檢測單元50亦可以是攝影機而記錄包含晶粒91之影像的資訊。如此，可以透過光學檢測單元50而有效率地根據所擷取的影像，判斷晶粒91是否正常作動，進而達成快速篩檢的目的。

請參閱圖9，為本創作還一實施例的晶粒功能檢測裝置的示意圖。如圖9所示，在本創作一或多個實施例中，晶粒功能檢測裝置100更包含一雷射設備60。雷射設備60輸出雷射光至功能非為正常的異常晶粒91，以標記該異常的晶粒91（如圖9所示）。也就是說，當電力透過電源供應線路32以及電極導通區域31供應至晶粒91的饋電部912之後，可以儀器或是肉眼辨識晶粒91是否能夠正常驅動，並且利用雷射設備60所輸出的雷射光對異常的晶粒91進行標記，因此後續篩選時可以透過標記的有無快速分類正常晶粒91與異常晶粒91。於一或多個實施例中，雷射設備60可以根據光學檢測單元50所擷取的影像標記異常晶粒91，或者雷射設備60亦可以根據操作者的控制標記異常晶粒91。

在一實施例中，可以雷射設備60切割晶粒91，並且僅將正常的晶粒91切割下來。在此實施例中，可不需標記異常的晶粒91。

透過以上所揭示之一或多個實施例所述的晶粒功能檢測裝置，在晶粒尚未從晶圓上切割下來的情況下，能夠透過肉眼或儀器一次性地辨識複數晶粒受電力驅動後是否能夠正常作動，進而對複數晶粒進行篩選，無須在晶粒從晶圓切割下來後再逐一進行檢測。因此，可以節省晶粒功能檢測所需的時間與成本。在一些實施例中，可以透過光學檢測單元而有效率地根據所擷取的影像，判斷晶粒是否正常作動，進而達成快速篩檢的目的。並且，還可以利用雷射設備所輸出的雷射光對異常的晶粒進行標記，因此後續篩選時可以透過標記的有無快速分類正常晶粒與異常晶粒。

100‧‧‧晶粒功能檢測裝置
20‧‧‧檢測板
20a‧‧‧第一側
20b‧‧‧第二側
20c‧‧‧導電孔
21‧‧‧貫孔
30‧‧‧導通部
31‧‧‧電極導通區域
311‧‧‧正極導通區域
312‧‧‧負極導通區域
32‧‧‧電源供應線路
32a‧‧‧指間區域
321‧‧‧正極線路
322‧‧‧負極線路
40‧‧‧電源單元
50‧‧‧光學檢測單元
60‧‧‧雷射設備
9‧‧‧晶圓
91‧‧‧晶粒
911‧‧‧電路本體
912‧‧‧饋電部

圖1為本創作一實施例所適用的晶圓的示意圖。 圖2為本創作一實施例的晶粒功能檢測裝置的結構示意圖。 圖3為本創作一實施例的晶粒功能檢測裝置的使用狀態示意圖（一）。 圖4為本創作一實施例的晶粒功能檢測裝置的使用狀態示意圖（二）。 圖5為本創作一實施例的晶粒功能檢測裝置的使用狀態示意圖（三）。 圖6為本創作一實施例的晶粒功能檢測裝置的仰視示意圖。 圖7為本創作另一實施例的晶粒功能檢測裝置的仰視示意圖。 圖8為本創作再一實施例的晶粒功能檢測裝置的使用狀態示意圖。 圖9為本創作還一實施例的晶粒功能檢測裝置的使用狀態示意圖。

Claims (10)

1. 一種晶粒功能檢測裝置，用以檢測一晶圓上的複數晶粒，各該晶粒包括一電路本體以及與該電路本體電性連接的一饋電部，該檢測裝置包括： 一檢測板，疊置於該晶圓上，該檢測板具有複數貫孔，以經由該些貫孔分別顯露該些晶粒；以及 一導通部，設置於該檢測板上而接觸該些饋電部，該導通部接收一電源的輸入，而將該電源供應之電力傳送至該些晶粒。
2. 如請求項1所述的晶粒功能檢測裝置，其中該導通部包括複數組電極導通區域及一組電源供應線路，該組電源供應線路位於該檢測板遠離於該晶圓之一側並接收該電源輸入，該些組電極導通區域電性連接該組電源供應線路且位於該檢測板的相鄰於該晶圓之一側，各該組電極導通區域一對一接觸各該晶粒之該饋電部。
3. 如請求項2所述的晶粒功能檢測裝置，其中該組電源供應線路以指叉狀分佈，該些貫孔排列為複數行並交錯排列於該指叉狀分佈之複數指間區域中。
4. 如請求項2所述的晶粒功能檢測裝置，其中該些組電源供應線路為雷射蝕刻線路。
5. 如請求項2所述的晶粒功能檢測裝置，其中各該組電極導通區域包含一正極導通區域與一負極導通區域，該正極導通區域與該負極導通區域分別設置於該貫孔的二側。
6. 如請求項2所述的晶粒功能檢測裝置，其中各該組電極導通區域包含一正極導通區域與一負極導通區域，該正極導通區域與該負極導通區域設置於該貫孔的同一側。
7. 如請求項5或6所述的晶粒功能檢測裝置，其中該些正極導通區域及該些負極導通區域為異方向性導電膠膜或電鍍層。
8. 如請求項1所述的晶粒功能檢測裝置，其中該些晶粒為複數發光元件、複數微流體電子元件或複數微機電電子元件。
9. 如請求項1所述的晶粒功能檢測裝置，更包含一光學檢測單元，透過該些貫孔擷取包含該些晶粒之一影像，以根據該影像判斷該些晶粒之功能。
10. 如請求項9所述的晶粒功能檢測裝置，更包含一雷射設備，輸出一雷射光至功能非為正常的一異常晶粒，以標記該異常晶粒。