KR20220045052A - 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치 및 방법 - Google Patents

마이크로 발광 다이오드의 검출 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220045052A
KR20220045052A KR1020227009802A KR20227009802A KR20220045052A KR 20220045052 A KR20220045052 A KR 20220045052A KR 1020227009802 A KR1020227009802 A KR 1020227009802A KR 20227009802 A KR20227009802 A KR 20227009802A KR 20220045052 A KR20220045052 A KR 20220045052A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
light emitting
micro light
emitting diode
adhesive layer
Prior art date
Application number
KR1020227009802A
Other languages
English (en)
Inventor
지에 시아
Original Assignee
청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디. filed Critical 청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디.
Publication of KR20220045052A publication Critical patent/KR20220045052A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2832—Specific tests of electronic circuits not provided for elsewhere
    • G01R31/2836—Fault-finding or characterising
    • G01R31/2844—Fault-finding or characterising using test interfaces, e.g. adapters, test boxes, switches, PIN drivers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2825—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere in household appliances or professional audio/video equipment
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2832—Specific tests of electronic circuits not provided for elsewhere
    • G01R31/2836—Fault-finding or characterising
    • G01R31/2837—Characterising or performance testing, e.g. of frequency response
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2832—Specific tests of electronic circuits not provided for elsewhere
    • G01R31/2836—Fault-finding or characterising
    • G01R31/2843—In-circuit-testing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
    • G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

마이크로 발광 다이오드(20)의 검출 장치 및 방법에 있어서, 검출 장치는 원시 기판(10) 상에 설치된 마이크로 발광 다이오드(20)에 대해 검출하기 위한 것으로, 원시 기판(10)과 멀리 떨어진 마이크로 발광 다이오드(20)의 저부에 전극 영역 및 비 전극 영역(23)이 포함되고, 전극 영역에 제1 접촉점(21)과 제2 접촉점(22)이 설치되는 바, 검출 장치는, 검출 기판(30)과 검출 회로를 포함하며, 검출 기판(30) 상에는 접착층(40)이 설치되고, 접착층(40)은 테스트 시 원시 기판(10)에 접착되기 위한 것이며; 검출 회로는 접착층(40) 상에 설치된 전극 그룹을 포함하고, 전극 그룹은 제1 전극(50) 및 제2 전극(60)을 포함하며, 제1 전극(50)은 테스트 시 마이크로 발광 다이오드(20)의 제1 접촉점(21)과 접촉하고, 제2 전극(60)은 테스트 시 마이크로 발광 다이오드(20)의 제2 접촉점(22)과 접촉하기 위한 것이다. 해당 마이크로 발광 다이오드(20)의 검출 장치 및 방법은, 마이크로 발광 다이오드 디스플레이의 복구 난이도를 감소할 수 있다.

Description

마이크로 발광 다이오드의 검출 장치 및 방법
본 개시는 디스플레이 기술분야에 관한 것으로, 특히 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치 및 방법에 관한 것이다.
마이크로 발광 다이오드 디스플레이는 고밀도 및 미소 사이즈의 LED 어레이를 원시 기판에 집적하여 영상 디스플레이를 구현하는 디스플레이로서, 고품질, 슬림한 본체 및 에너지 소비가 낮은 등 장점으로 인해 널리 사용되며, 디스플레이 장치의 주류를 이룬다.
마이크로 발광 다이오드 디스플레이의 제조 과정에서는, 일반적으로 먼저 분자 에피택시(molecular epitaxy)를 통해 원시 기판(예: 사파이어 기판) 상에 복수의 마이크로 발광 다이오드를 성장시켜야 하고, 이러한 마이크로 발광 다이오드는 micro-LED 어레이를 형성할 수 있으며; 그 다음 다시 레이저 박리 기술을 통해 원시 기판에서 마이크로 발광 다이오드를 박리하고, 이송 트랜스퍼 프린트 헤더를 사용하여 마이크로 발광 다이오드를 접수 기판 상의 미리 정해진 위치로 이송하고 접수 기판과 바인딩한다.
그러나, 마이크로 발광 다이오드는 원시 기판에서 박리될 때 파손되기 쉬우므로, 마이크로 발광 다이오드 디스플레이의 휘도는 생산이 완료된 후 테스트해야 하고, 마이크로 발광 다이오드 표시 불량이 발견되기만 하면, 마이크로 발광 다이오드를 복구해야 하지만; 이 때 마이크로 발광 다이오드 디스플레이의 제조 공정이 이미 완료되어 마이크로 발광 다이오드의 복구 난이도가 증가된다.
본 개시의 실시예는, 마이크로 발광 다이오드 디스플레이의 복구 난이도를 감소할 수 있는 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치 및 방법을 제공한다.
상술한 목적을 이루기 위하여, 본 개시의 실시예는 아래와 같은 기술방안을 사용한다.
본 개시의 실시예의 일 측면에는 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치를 제공하는 바, 원시 기판 상에 설치된 마이크로 발광 다이오드에 대해 검출하고, 상기 원시 기판과 멀리 떨어진 상기 마이크로 발광 다이오드의 저부에 전극 영역 및 비 전극 영역이 포함되며, 상기 전극 영역에 제1 접촉점과 제2 접촉점이 설치되는 바; 상기 검출 장치는 검출 기판과 검출 회로를 포함하고, 여기서, 상기 검출 기판 상에 접착층이 설치되며, 상기 접착층은 테스트 시 상기 마이크로 발광 다이오드의 비 전극 영역과 접착하기 위한 것이고; 상기 검출 회로는 상기 접착층 상에 설치된 전극 그룹을 포함하며, 상기 전극 그룹은 제1 전극과 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 테스트 시 상기 마이크로 발광 다이오드의 제1 접촉점과 접촉하며, 상기 제2 전극은 테스트 시 상기 마이크로 발광 다이오드의 제2 접촉점과 접촉하기 위한 것이다.
일 실시 방안에서, 상기 접착층은 연성 접착층이고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 모두 연성 전극이며; 테스트 시 상기 마이크로 발광 다이오드는 상기 연성 접착층에 삽입되고, 상기 제1 접촉점은 상기 제1 전극에 삽입되며, 상기 제2 접촉점은 상기 제2 전극에 삽입된다.
일 실시 방안에서, 상기 접착층에는 함몰 영역이 설치되고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상기 함몰 영역 내에 설치된다.
일 실시 방안에서, 상기 검출 회로는 복수의 전극 그룹을 포함하고, 각각의 전극 그룹은 평행되게 마주하여 설치된 바 형태의 제1 전극과 바 형태의 제2 전극을 포함하며; 복수의 전극 그룹 중의 각각의 제1 전극은 서로 평행되고, 복수의 전극 그룹 중의 각각의 제2 전극은 서로 평행된다.
일 실시 방안에서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 교대로 이격되게 분포된다.
일 실시 방안에서, 상기 제2 전극 입력부와 상기 제1 전극 입력부는 상기 접착층의 양측에 마주하여 설치된다.
일 실시 방안에서, 상기 검출 장치는 각각의 상기 제1 전극의 제1 단에 위치하고 각각의 상기 제1 전극의 제1 단에 연결되는 제1 전극 입력부, 및 각각의 상기 제2 전극의 제1 단에 위치하고 각각의 상기 제2 전극의 제1 단에 연결되는 제2 전극 입력부를 더 포함하고; 상기 제2 전극 입력부와 제1 전극 입력부는 마주하여 설치된다.
일 실시 방안에서, 상기 제2 전극 입력부와 상기 제1 전극 입력부는 상기 접착층의 양측에 마주하여 설치된다.
일 실시 방안에서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 탄성을 구비한 금속 트레이스이다.
일 실시 방안에서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 금속형 탄소 나노 튜브막으로 제조된다.
일 실시 방안에서, 상기 제1 전극은 P 전극(Positive Electrode, 양극)이고, 상기 제2 전극은 N 전극(Negative Electrode, 음극)이다.
일 실시 방안에서, 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극은 탄성을 구비한 금속 트레이스 또는 금속형 탄소 나노 튜브막으로 형성된다.
일 실시 방안에서, 상기 마이크로 발광 다이오드 일측에 위치한 상기 비 전극 영역과 상기 접착층의 결합력은 상기 마이크로 발광 다이오드 타측과 트랜스퍼 프린트 헤더 사이의 결합력보다 작다.
일 실시 방안에서, 상기 검출 기판은 경질 기판이다.
일 실시 방안에서, 상기 접착층은 아크릴류 본딩 접착층이다.
일 실시 방안에서, 상기 검출 회로는 상기 검출 기판과 멀리 떨어진 상기 접착층의 일측에 설치된다.
본 개시의 실시예의 다른 측면에서 마이크로 발광 다이오드의 검출 방법을 제공하는 바, 마이크로 발광 다이오드가 설치된 원시 기판을 검출 기판의 접착층 상측에 배치하고, 상기 마이크로 발광 다이오드의 제1 접촉점과 상기 접착층 상에 설치된 제1 전극을 마주하여 설치하며, 상기 마이크로 발광 다이오드의 제2 접촉점과 상기 접착층 상에 설치된 제2 전극을 마주하게 설치하는 단계; 원시 기판을 아래로 눌러, 상기 제1 접촉점과 상기 제1 전극이 접촉하고, 상기 제2 접촉점과 상기 제2 전극이 접촉하며, 상기 마이크로 발광 다이오드의 비 전극 영역과 상기 접착층이 접착되도록 하는 단계; 상기 원시 기판을 박리하여, 상기 원시 기판과 상기 마이크로 발광 다이오드를 분리시키는 단계; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 대해 검출 전압을 인가하고, 상기 마이크로 발광 다이오드의 발광 휘도를 관찰하는 단계를 포함한다.
일 실시 방안에서, 상기 마이크로 발광 다이오드의 검출 방법은, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 검출 전압을 인가하여 검출하는 과정에, 광전식 감지기를 사용하여 상기 마이크로 발광 다이오드의 발광 휘도를 검출하고, 불량 마이크로 발광 다이오드의 분포도를 생성하는 단계; 및 상술한 불량 마이크로 발광 다이오드의 분포도를 기초로, 트랜스퍼 프린트 헤더를 사용하여 합격한 마이크로 발광 다이오드를 이송하는 단계를 더 포함한다.
관련 기술과 비교할 때, 본 개시의 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치 및 방법은, 아래와 같은 장점이 있다.
본 개시에 따른 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치 및 방법에 있어서, 검출 기판을 포함하고, 검출 기판 상에 접착층이 설치되고, 접착층 상에 제1 전극과 제2 전극이 설치되며, 마이크로 발광 다이오드의 제1 접촉점은 제1 전극과 전기적으로 연결될 수 있고, 마이크로 발광 다이오드의 제2 접촉점은 제2 전극과 전기적으로 연결될 수 있으며, 마이크로 발광 다이오드가 설치된 비 전극 영역이 접착층에 접착된 후, 원시 기판을 마이크로 발광 다이오드로부터 박리하고, 제1 전극과 제2 전극에 검출 전압을 인가하고, 마이크로 발광 다이오드의 발광 휘도를 관찰한다.
본 개시에 따른 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치 및 방법은, 마이크로 발광 다이오드를 접수 기판에 이송하기 전에 상술한 검출 장치를 사용하여 마이크로 발광 다이오드에 대해 검출하고, 트랜스퍼 프린트 헤더를 사용하여 합격한 마이크로 발광 다이오드를 접수 기판으로 이송하고 바운딩함으로써, 디스플레이 불량의 마이크로 발광 다이오드를 접수 기판 상으로 이송하는 것을 방지하고, 마이크로 발광 다이오드 디스플레이의 복구 난이도를 감소할 수 있다.
위에서 설명한 본 개시가 해결하는 기술문제, 기술방안을 구성하는 기술특징 및 이러한 기술방안의 기술특징에 따른 유익한 효과 외에, 본 개시에 따른 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치 및 방법이 해결할 수 있는 기타 기술문제, 기술방안이 포함한 기타 기술특징 및 이러한 기술특징에 따른 유익한 효과는 구체적인 구현 형태에서 더욱 상세하게 설명될 것이다.
도 1은 관련 기술 중의 원시 기판 상에 성장된 마이크로 발광 다이오드의 도면이다.
도 2는 본 개시의 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치의 구조도 1이다.
도 3은 본 개시의 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치의 구조도 2이다.
도 4는 본 개시의 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드와 검출 회로의 연결을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 개시의 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드의 검출 방법의 흐름도이다.
본 개시의 상술한 목적, 특징과 장점을 더욱 명확하고 이해하기 쉽도록 하기 위하여, 아래에는 본 개시의 실시예의 첨부 도면을 결합하여, 본 개시의 실시예 중의 기술방안에 대해 명확하고 완전하게 설명한다. 분명한 것은, 설명된 실시예는 단지 본 개시의 일부분 실시예일 뿐이며, 전부의 실시예는 아니다.
도 1에 도시된 바와 같이, 관련 기술에서 원시 기판(10)은 사파이어 기판, 실리콘 기판, 카보런덤 기판 또는 질화 갈륨 기판을 선택할 수 있으며, 원시 기판(10) 상에는 하나의 마이크로 발광 다이오드(20)가 설치되거나, 또는, 원시 기판(10) 상에는 복수의 마이크로 발광 다이오드(20)가 설치되고; 예를 들어, 사파이어 기판 상에 복수의 마이크로 발광 다이오드(20)를 설치할 수 있고, 복수의 마이크로 발광 다이오드(20)는 Micro-LED 어레이를 형성할 수 있다. 제작 완료된 복수의 마이크로 발광 다이오드(20)를 접수 기판에 용이하게 이송하기 위하여, 복수의 마이크로 발광 다이오드(20)를 복수의 영역으로 분할하거나 구획하여, 원활하게 이송되도록 할 수 있다.
여기서, 원시 기판(10)에 멀리 떨어진 마이크로 발광 다이오드(20)의 저부에는 전극 영역 및 비 전극 영역(23)이 설치되어 있고, 전극 영역은 제1 접촉점(21) 및 제2 접촉점(22)을 포함하고, 제1 접촉점(21)과 제2 접촉점(22)의 제조 재질은 니켈, 몰리브덴, 알루미늄, 금, 백금 및 티타늄 등 금속 중의 하나 또는 복수의 조합일 수 있고; 마이크로 발광 다이오드(20)는 접수 기판에 바운딩된 후 마이크로 발광 다이오드 디스플레이를 형성하고, 제작 완료된 마이크로 발광 다이오드 디스플레이에 대해 검출해야 하며, 마이크로 발광 다이오드의 디스플레이 불량이 발견되기만 하면, 마이크로 발광 다이오드에 대해 복구해야 하지만; 이때 마이크로 발광 다이오드 디스플레이의 제조 공정이 이미 완료되었기에, 마이크로 발광 다이오드 디스플레이의 검출 난이도를 증가한다.
도 2, 도 3과 도 4에 도시된 바와 같이, 본 개시의 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치는, 원시 기판(10) 상에 설치된 마이크로 발광 다이오드(20)에 대해 검출하기 위한 것이고; 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치는 검출 기판(30) 및 검출 회로를 포함하며, 여기서, 검출 기판(30)은 경질 기판이고, 유리 기판을 사용하여 제조될 수 있다. 마이크로 발광 다이오드의 제1 접촉점(21), 제2 접촉점(22) 및 비 전극 영역(23)이 검출 기판(30) 상에 안정적으로 연결되도록 확보하기 위하여, 원시 기판(10)을 향하는 검출 기판(30)의 일측 표면에는 접착층(40)이 설치되고, 유리 기판 상에는 아크릴류 본딩 접착층이 설치될 수 있으며; 예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트 수지를 임시 본딩 접착제로 하여 유리 기판의 표면 상에 설치할 수 있고, 검출 회로는 검출 기판과 멀리 떨어진 접착층(40)의 일측에 설치된다.
여기서, 검출 회로는 적어도 한 세트의 전극 그룹을 포함하고, 각 세트의 전극 그룹에는 제1 전극(50)과 제2 전극(60)이 포함되고, 제1 전극(50)과 제2 전극(60)은 접착층(40) 상에 설치된 검출 포인트일 수 있으며, 마이크로 발광 다이오드(20)의 제1 접촉점(21)은 한 검출 포인트에 연결되고, 제2 접촉점(22)은 다른 검출 포인트에 연결되며, 제1 접촉점(21)과 제2 접촉점(22)에 연결된 검출 포인트에 대해 검출 전압을 인가하여, 발광 다이오드의 발광 휘도에 대해 검출할 수 있다.
원시 기판(10) 상에 복수의 마이크로 발광 다이오드(20)가 설치되어 있고, 복수의 마이크로 발광 다이오드(20)가 어레이 형태로 원시 기판(10)에 분포되기에; 일차적으로 복수의 마이크로 발광 다이오드(20)에 대해 검출할 수 있도록 하기 위하여, 각각의 전극 그룹 중의 제1 전극(50)과 제2 전극(60)을 평행되게 마주하여 설치하되, 제1 전극(50)과 제2 전극(60)이 모두 긴 바 형태의 전극일 수 있으며, 제1 전극(50)과 제2 전극(60)을 행 또는 열에 따라 검출 기판(30) 상에 이격되게 설치할 수 있다. 복수의 마이크로 발광 다이오드(20)의 원시 기판(10) 상에서의 분포 상황에 따라, 검출 기판(30) 상에 복수의 세트의 전극 그룹을 설치할 수 있고, 복수의 세트의 전극 그룹 중의 제1 전극(50)은 서로 평행되게 설치되며, 복수의 세트의 전극 그룹 중의 제2 전극(60)은 서로 평행되게 설치된다.
예를 들면, 복수의 제1 전극(50)은 행에 따라 접착층(40) 상에 분포될 수 있고, 동시에, 복수의 제2 전극(60)도 행에 따라 접착층(40) 상에 분포될 수 있으며; 제1 전극(50)과 제2 전극(60)은 교대로 이격되어 분포되고, 제1 전극(50)과 제2 전극(60) 사이의 간격은 제1 접촉점(21)과 제2 접촉점(22)의 간격에 따라 조정될 수 있다. 또한, 복수의 제1 전극(50)은 열을 따라 분포될 수 있고, 복수의 제2 전극(60)도 열을 따라 분포될 수 있다.
마이크로 발광 다이오드(20)에 대해 검출해야 할 때, 먼저 마이크로 발광 다이오드가 설치된 원시 기판을 검출 기판의 상측으로 이송하고, 제1 접촉점(21)을 제1 전극(50)에 연결하며, 제2 접촉점(22)을 제2 전극(60)에 연결하고, 마이크로 발광 다이오드(20)의 비 전극 영역(23)(제1 접촉점(21)과 제2 접촉점(22) 사이의 영역을 포함)을 접착층(40)에 접착시키고; 이어서 제1 전극(50)과 제2 전극(60)의 일단에 검출 전압을 인가하고, 마이크로 발광 다이오드의 발광 휘도를 관찰하면서 그 손상 여부를 판단하며, 마이크로 발광 다이오드의 휘도가 정상적이면, 트랜스퍼 프린트 헤더를 사용하여 접수 기판으로 이송하여 계속하여 제작할 수 있으며, 디스플레이 불량인 마이크로 발광 다이오드를 접수 기판에 이송하는 것을 방지하여, 마이크로 발광 디스플레이의 복구 난이도를 감소할 수 있다.
상술한 실시예의 기초 상에서, 접착층(40)은 연성 접착층이고, 제1 전극(50)과 제2 전극(60)은 모두 연성 전극이며; 테스트 시 마이크로 발광 다이오드(20)를 연성 접착층(40)에 삽입하고, 제1 접촉점(21)을 제1 전극(50)에 삽입하며, 제2 접촉점(22)을 제2 전극(60)에 삽입한다.
구체적으로, 상술한 제1 전극(50)과 제2 전극(60)은 검출 기판(30)과 멀리 떨어진 접착층(40)의 표면 상에 형성되고, 제1 전극(50)과 제2 전극(60)은 모두 연성 전극일 수 있으며, 즉 제1 전극(50)과 제2 전극(60)은 일정한 변형 능력을 가진다. 접착층(40)은 연성 접착층이고, 제1 접촉점(21)과 제2 접촉점(22)이 접착층(40)을 향하여 눌려질 때, 제1 접촉점(21)과 제2 접촉점(22)이 각각 제1 전극(50) 및 제2 전극(60)과 접촉하도록 제1 전극(50)과 제2 전극(60)은 제1 접촉점(21)과 제2 접촉점(22)을 따라 접착층(40) 내부로 꺼져 들어갈 수 있다. 또한, 제1 접촉점(21)과 제2 접촉점(22)이 접착층(40)으로 꺼져 들어감에 따라, 원시 기판(10)과 멀리 떨어진 마이크로 발광 다이오드(20) 저부의 비 전극 영역(23)은 접착층(40)에 접착되도록 할 수 있으며, 마이크로 발광 다이오드(20)를 접착층(40) 상에 안정적으로 연결시켜, 제1 전극(50)과 제1 접촉점(21) 및 제2 전극(60)과 제2 접촉점(22)의 전기적 연결의 안정성을 증가할 수 있다.
일 실시 방안에서, 마이크로 발광 다이오드(20)에 설치된 접촉점의 크기에 따라 접착층(40)에 함몰 영역을 설치할 수 있으며, 제1 전극(50)과 제2 전극(60)을 함몰 영역 내에 설치하고, 제1 접촉점(21)과 제2 접촉점(22)을 각각 함몰 영역 내에 설치하여, 제1 접촉점(21)과 제1 전극(50)이 접촉되고, 제2 접촉점(22)과 제2 전극(60)이 접촉되도록 한다. 제1 접촉점(21)과 제2 접촉점(22)이 함몰 영역 내에 설치된 후, 마이크로 발광 다이오드의 비 전극 영역(23)은 접착층(40)의 표면에 접착될 수 있다. 본 실시예의 바람직한 방안은, 유연한 접착층(40) 상에 유연한 제1 전극(50)과 제2 전극(60)이 배치됨으로써, 다양한 형태의 마이크로 발광 다이오드(20)의 접촉점을 연결하는데 편리하도록 할 수 있으며, 마이크로 발광 다이오드(20)가 검출 기판(30) 상에 안정적으로 연결되도록 하고, 양자 사이에 좋은 도전성을 가지도록 하며, 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치의 안정성을 향상시킬 수 있다.
상술한 실시예의 기초 상에서, 복수의 제1 전극(50)의 제1 단은 접착층(40)의 일측으로 모여서 제1 전극 입력부(51)를 이루고, 제1 전극(50)의 제2 단은 상대측까지 연장될 수 있으며; 제2 전극(60)의 제1 단은 접착층(40)의 일측에 모여서 제2 전극 입력부(61)를 이루고, 제2 전극(60)의 제2 단은 제1 전극 입력부(51)로 연장되며, 제1 전극 입력부(51)와 제2 전극 입력부(61)는 각각 접착층(40)의 양측에 위치하여, 각각의 제1 전극(50)과 각각의 제2 전극(60)에 대해 검출 전압을 편리하게 인가하도록 한다.
본 실시예의 접착층(40) 상에는 탄성을 구비한 금속 트레이스가 설치되어 제1 전극(50)과 제2 전극(60)을 형성한다. 구체적으로, 접착층(40)은 원시 기판(10)을 향한 검출 기판(30)의 전체 저면에 포설되고, 접착층(40)은 일정한 두께를 가지며, 일정한 유동성이 있는 접착제를 사용하여 제작되고, 외력의 작용 하에 변형될 수 있으며; 제1 접촉점(21)과 제2 접촉점(22)을 검출 기판(30)에 연결한 후, 제1 접촉점(21), 제2 접촉점(22)이 위치한 원시 기판(10)을 향해 일정한 압력을 인가하여, 제1 접촉점(21), 제2 접촉점(22)이 제1 전극(50) 및 제2 전극(60)을 향해 눌려질 때, 제1 전극(50)과 제2 전극(60)은 접착층(40) 내부로 꺼져 들어감으로써, 제1 접촉점(21)이 제1 전극(50)에 연결되고, 제2 접촉점(22)이 제2 전극(60)에 연결되는 동시에, 원시 기판(10)과 멀리 떨어진 마이크로 발광 다이오드(20)의 저부 상의 비 전극 영역(23)이 접착층(40)에 접착되도록 한다.
제1 전극(50)과 제2 전극(60)은 일정한 연신률을 가지고, 연신성이 좋은 금속 재질을 사용하여 제작될 수 있으며, 예를 들면, 알루미늄, 구리 등이 있고; 접착층(40)의 표면을 따라 횡향으로 복수의 금속 트레이스를 설치할 수 있으며, 복수의 금속 트레이스는 이격되어 설치되고, 복수의 금속 트레이스는 제1 전극(50)과 제2 전극(60)을 형성하며, 여기서, 부분 복수의 금속 트레이스의 일단은 모여서 제1 전극 입력부(51)를 이루고, 타단은 횡향으로 연장되며; 나머지 부분의 제1 전극 입력부(51)와 멀리 떨어진 복수의 금속 트레이스의 일단은 모여서 제2 전극 입력부(61)를 이루고, 타단은 제1 전극 입력부(51)를 향해 연장된다.
상술한 제1 전극(50)은 P 전극이고, 제2 전극(60)은 N 전극이며, 접착층(40)의 양측에서 각각 P 전극 입력단과 N 전극 입력단을 형성하고, P 전극 입력단과 N 전극 입력단에 검출 전압을 인가할 수 있으며, 검출 전압은 각각 제1 전극(50)과 제2 전극(60)을 통해 마이크로 발광 다이오드(20)의 제1 접촉점(21)과 제2 접촉점(22)에 전송되어 마이크로 발광 다이오드(20)에 대해 검출한다.
본 실시예는, 또한 접착층(40) 상에 금속형 탄소 나노 튜브막을 형성하여 제1 전극(50)과 제2 전극(60)을 형성할 수 있다. 구체적으로, 마이크로 발광 다이오드(20)에 인접한 접착층(40)의 저면 상의 표면에 화학 침적을 통해 금속형 탄소 나노 튜브막을 형성하고, 식각을 거쳐 행 형태로 접착층(40) 상에 분포된 제1 전극(50)과 제2 전극(60)을 형성하며, 접착층(40)의 일측에 제1 전극 입력부(51)를 형성하여, 복수의 제1 전극(50)이 제1 전극 입력부(51)에 연결되도록 할 수 있고; 마찬가지로, 접착층(40)의 타측에 제2 전극 입력부(61)를 형성하여, 복수의 제2 전극(60)의 일단이 제2 전극 입력부(61)에 연결되도록 할 수 있다.
본 실시예는, 마이크로 발광 다이오드(20) 일측에 위치한 비 전극 영역(23)과 접착층(40)의 결합력은 마이크로 발광 다이오드(20)의 타측과 트랜스퍼 프린트 헤더 사이의 결합력보다 작다. 구체적으로, 마이크로 발광 다이오드(20)를 검출 기판(30)에 연결하고 검출 완료 후, 검출에 합격한 마이크로 발광 다이오드(20)를 트랜스퍼 프린트 헤더를 이용하여 접수 기판의 소정의 위치에 이송하여 바운딩할 수 있으며, 마이크로 발광 다이오드(20)와 검출 기판(30)을 분리시켜야 하고, 마이크로 발광 다이오드(20)의 비 전극 영역(23)과 접착층(40) 사이에 형성된 결합력(접착력)이 접촉점과 멀리 떨어진 마이크로 발광 다이오드(20)의 일측과 트랜스퍼 프린트 헤더 사이에 형성된 흡착력보다 작도록 할 수 있으며, 트랜스퍼 프린트 헤더에 외력을 인가하여, 마이크로 발광 다이오드(20)와 접착층(40)을 분리시켜, 마이크로 발광 다이오드(20)가 트랜스퍼 프린트 헤더에 흡착되어 이송되도록 할 수 있으며, 예를 들어 접수 기판에 이송한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상술한 실시예를 기초로 하여 본 개시는 마이크로 발광 다이오드의 검출 방법을 더 제공하는 바, 아래의 단계를 포함한다.
단계 a, 마이크로 발광 다이오드(20)가 설치된 원시 기판을 검출 기판(30)의 접착층(40) 상측에 배치하고, 마이크로 발광 다이오드(20)의 제1 접촉점(21)과 접착층(40) 상에 설치된 제1 전극(50)이 서로 마주하게 설치하며, 마이크로 발광 다이오드(20)의 제2 접촉점(22)과 접착층(40) 상에 설치된 제2 전극(60)이 서로 마주하게 설치한다. 구체적으로, 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치를 사용하여 원시 기판(10) 상에 형성된 마이크로 발광 다이오드(20)에 대해 검출할 때, 먼저 원시 기판(10)을 검출 기판(30)의 상측에 이송하고, 검출 기판(30)에는 접착층(40)이 설치되어 있고, 접착층(40) 상에는 제1 전극(50)과 제2 전극(60)이 분포되어 있어, 마이크로 발광 다이오드(20)의 제1 접촉점(21)과 제1 전극(50)이 마주하도록 설치하고, 제2 접촉점(22)과 제2 전극(60)이 마주하도록 설치한다.
단계 b, 원시 기판(10)을 아래로 눌러, 제1 접촉점(21)과 제1 전극(50)이 접촉하고, 제2 접촉점(22)과 제2 전극(60)이 접촉하며, 마이크로 발광 다이오드(20)의 비 전극 영역(23)이 접착층(40)에 접착하도록 한다. 구체적으로, 제1 접촉점(21)과 제2 접촉점(22)을 각각 제1 전극(50) 및 제2 전극(60)과 정렬시킨 후, 원시 기판(10)을 아래로 눌러, 제1 접촉점(21)과 제1 전극(50)이 접촉하여 전기적으로 도통되고, 제2 접촉점(22)과 제2 전극(60)이 접촉하여 전기적으로 도통되며, 동시에, 원시 기판(10)과 멀리 떨어진 마이크로 발광 다이오드(20)의 저부의 비 전극 영역(23)이 접착층(40) 상에 접착되도록 하고, 마이크로 발광 다이오드(20)를 접착층(40) 상에 고정하여, 원시 기판(10)과 마이크로 발광 다이오드(20)를 박리할 때, 마이크로 발광 다이오드(20)와 접착층(40)의 연결이 견고하지 않아 마이크로 발광 다이오드(20)가 손상되는 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
단계 c, 원시 기판(10)을 박리하여, 원시 기판(10)과 마이크로 발광 다이오드(20)가 분리되도록 하고; 구체적으로, 레이저 박리 기술을 사용하여 원시 기판(10)과 마이크로 발광 다이오드(20)를 박리하여, 원시 기판(10)과 마이크로 발광 다이오드(20)를 분리시킨다. 마이크로 발광 다이오드(20)의 손상은 주로 원시 기판(10)과 마이크로 발광 다이오드(20)를 박리하는 과정에 발생하기에, 본 실시예는 박리 후의 마이크로 발광 다이오드(20)에 대해 검출하여, 마이크로 발광 다이오드(20)에 대한 검출의 정확성을 향상시킬 수 있다.
단계 d, 제1 전극(50) 및 제2 전극(60)에 대해 검출 전압을 인가하고, 마이크로 발광 다이오드(20)의 발광 휘도를 관찰한다. 구체적으로, 박리 후의 마이크로 발광 다이오드(20)의 발광 휘도를 검출할 때, 접착층(40) 양측에 위치한 제1 전극 입력부(51)와 제2 전극 입력부(61)에 대해 검출 전압을 인가하여, 마이크로 발광 다이오드(20)의 발광 휘도를 관찰하고, 마이크로 발광 다이오드(20)의 합격 여부를 판단하며, 합격하면 트랜스퍼 프린트 헤더를 사용하여 접수 기판의 소정 위치에 이송하고, 마이크로 발광 다이오드(20)와 접수 기판을 바운딩하여 마이크로 발광 다이오드 디스플레이를 제작한다.
상술한 실시예의 기초 상에서, 마이크로 발광 다이오드(20)에 대한 복구 효율과 마이크로 발광 다이오드(20)의 이송 효율을 향상시키기 위하여, 본 실시예는, 제1 전극(50)과 제2 전극(60)에 검출 전압을 인가하여 검출하는 과정에, 광전식 감지기를 사용하여 각각의 마이크로 발광 다이오드(20)의 광학 성능을 검출하고 불량 마이크로 발광 다이오드의 분포도를 기록할 수 있으며; 트랜스퍼 프린트 헤더는 상술한 불량 마이크로 발광 다이오드(20)의 분포도를 사용하여, 합격한 마이크로 발광 다이오드(20)를 이송한다.
구체적으로, 마이크로 발광 다이오드(20)의 발광 휘도를 판단하는 과정에서, 단순하게 검출 인원에 의존하여 점등 여부, 또는 정상 발광 세기를 식별하는데 일정한 판단 오차가 있기에, 손상이 적은 마이크로 발광 다이오드(20)에 대해서는 상술한 현상으로 직관적으로 판단할 수 없으므로 광전식 검출 감지기를 사용하여 마이크로 발광 다이오드(20)에 대해 검출하고, 검출된 광선의 파장 등 광학적 성능으로 마이크로 발광 다이오드(20)의 손상 정도에 대해 판단하고 기록해야 한다.
손상된 마이크로 발광 다이오드(20)에 대해 복구하고, 합격한 마이크로 발광 다이오드(20)를 이송하기 위하여, 상술한 검출 기록을 이용하여 불량 마이크로 발광 다이오드(20)의 분포도를 작성하여, 대응되는 손상 정도를 표기할 수 있고; 검출 인원은 상술한 불량 마이크로 발광 다이오드(20)의 분포도에 따라 상응한 영역을 합리적으로 구분하고, 트랜스퍼 프린트 헤더를 사용하여 구분된 마이크로 발광 다이오드(20) 어레이를 이송하여, 마이크로 발광 다이오드(20)의 이송 효율을 향상시킨다. 또한, 검출 인원은 마이크로 발광 다이오드(20)의 손상 정도에 따라 복구 필요 여부를 판단하여, 복구 원가를 절약하고 복구 효율을 향상시킨다.
본 개시의 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드의 검출 방법은, 마이크로 발광 다이오드를 접수 기판에 이송하기 전에 상술한 검출 장치를 사용하여 검출하고, 트랜스퍼 프린트 헤더를 사용하여 합격한 마이크로 발광 다이오드를 접수 기판으로 이송하고 바운딩함으로써, 디스플레이 불량인 마이크로 발광 다이오드를 접수 기판으로 이송하는 것을 효과적으로 방지하고, 마이크로 발광 디스플레이의 복구 난이도를 감소할 수 있다.

Claims (18)

  1. 원시 기판 상에 설치된 마이크로 발광 다이오드에 대해 검출하되, 상기 원시 기판과 멀리 떨어진 상기 마이크로 발광 다이오드의 저부에 전극 영역 및 비 전극 영역이 포함되고, 상기 전극 영역에 제1 접촉점과 제2 접촉점이 설치되는 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치에 있어서,
    상기 검출 장치는 검출 기판 및 검출 회로를 포함하며,
    상기 검출 기판 상에는 접착층이 설치되고, 상기 접착층은 테스트 시 상기 마이크로 발광 다이오드의 비 전극 영역에 접착되기 위한 것이며;
    상기 검출 회로는 상기 접착층 상에 설치된 전극 그룹을 포함하고, 상기 전극 그룹은 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 전극은 테스트 시 상기 마이크로 발광 다이오드의 제1 접촉점과 접촉하고, 상기 제2 전극은 테스트 시 상기 마이크로 발광 다이오드의 제2 접촉점과 접촉하기 위한 것인 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접착층은 연성 접착층이고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 모두 연성 전극인 검출 장치.
  3. 제1항에 있어서, 테스트 시, 상기 마이크로 발광 다이오드는 상기 연성 접착층에 삽입되고, 상기 제1 접촉점은 상기 제1 전극에 삽입되며, 상기 제2 접촉점은 상기 제2 전극에 삽입되는 검출 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 접착층에는 함몰 영역이 설치되고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상기 함몰 영역 내에 설치되는 검출 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 검출 회로는 복수의 전극 그룹을 포함하고, 각각의 전극 그룹은 평행되게 마주하여 설치된 바 형태의 제1 전극과 바 형태의 제2 전극을 포함하며;
    복수의 전극 그룹 중의 각각의 제1 전극은 서로 평행되고, 복수의 전극 그룹 중의 각각의 제2 전극은 서로 평행되는 검출 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 교대로 이격되게 분포되는 검출 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 검출 장치는 각각의 상기 제1 전극의 제1 단에 위치하고 각각의 상기 제1 전극의 제1 단에 연결되는 제1 전극 입력부, 및 각각의 상기 제2 전극의 제1 단에 위치하고 각각의 상기 제2 전극의 제1 단에 연결되는 제2 전극 입력부를 더 포함하고;
    상기 제2 전극 입력부와 상기 제1 전극 입력부는 마주하여 설치되는 검출 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2 전극 입력부와 상기 제1 전극 입력부는 상기 접착층의 양측에 마주하여 설치되는 검출 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 탄성을 구비한 금속 트레이스인 검출 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 금속형 탄소 나노 튜브막으로 제조되는 검출 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극인 검출 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극은 탄성을 구비한 금속 트레이스 또는 금속형 탄소 나노 튜브막으로 형성되는 검출 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 마이크로 발광 다이오드 일측에 위치한 상기 비 전극 영역과 상기 접착층의 결합력은 상기 마이크로 발광 다이오드 타측과 트랜스퍼 프린트 헤더 사이의 결합력보다 작은 검출 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 검출 기판은 경질 기판인 검출 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 접착층은 아크릴류 본딩 접착층인 검출 장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 검출 회로는 상기 검출 기판과 멀리 떨어진 상기 접착층의 일측에 설치되는 검출 장치.
  17. 마이크로 발광 다이오드의 검출 방법에 있어서,
    마이크로 발광 다이오드가 설치된 원시 기판을 검출 기판의 접착층 상측에 배치하고, 상기 마이크로 발광 다이오드의 제1 접촉점과 상기 접착층 상에 설치된 제1 전극을 마주하여 설치하며, 상기 마이크로 발광 다이오드의 제2 접촉점과 상기 접착층 상에 설치된 제2 전극을 마주하게 설치하는 단계;
    원시 기판을 아래로 눌러, 상기 제1 접촉점과 상기 제1 전극이 접촉하고, 상기 제2 접촉점과 상기 제2 전극이 접촉하며, 상기 마이크로 발광 다이오드의 비 전극 영역과 상기 접착층이 접착되도록 하는 단계;
    상기 원시 기판을 박리하여, 상기 원시 기판과 상기 마이크로 발광 다이오드를 분리시키는 단계; 및
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 대해 검출 전압을 인가하고, 상기 마이크로 발광 다이오드의 발광 휘도를 관찰하는 단계를 포함하는 마이크로 발광 다이오드의 검출 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 마이크로 발광 다이오드의 검출 방법은,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 검출 전압을 인가하여 검출하는 과정에, 광전식 감지기를 사용하여 상기 마이크로 발광 다이오드의 발광 휘도를 검출하고, 불량 마이크로 발광 다이오드의 분포도를 생성하는 단계; 및
    상술한 불량 마이크로 발광 다이오드의 분포도를 기초로, 트랜스퍼 프린트 헤더를 사용하여 합격한 마이크로 발광 다이오드를 이송하는 단계를 더 포함하는 검출 방법.
KR1020227009802A 2019-10-12 2020-06-10 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치 및 방법 KR20220045052A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910969021.7A CN112649711B (zh) 2019-10-12 2019-10-12 微发光二极管的检测装置及方法
CN201910969021.7 2019-10-12
PCT/CN2020/095334 WO2021068539A1 (zh) 2019-10-12 2020-06-10 微发光二极管的检测装置及方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220045052A true KR20220045052A (ko) 2022-04-12

Family

ID=75343304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227009802A KR20220045052A (ko) 2019-10-12 2020-06-10 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치 및 방법

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20220045052A (ko)
CN (1) CN112649711B (ko)
WO (1) WO2021068539A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113284991A (zh) * 2021-07-09 2021-08-20 苏州芯聚半导体有限公司 微led芯片及其封装方法、电子装置
WO2023032036A1 (ja) * 2021-08-31 2023-03-09 信越エンジニアリング株式会社 通電検査装置及び通電検査方法
CN113782480A (zh) * 2021-09-08 2021-12-10 上海天马微电子有限公司 一种基板及微发光二极管的转移方法
CN116705639A (zh) * 2023-06-27 2023-09-05 惠科股份有限公司 微发光二极管组件及其检测方法、微显示基板

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3500834B2 (ja) * 1996-02-29 2004-02-23 株式会社デンソー 半導体試験装置
JP2007101373A (ja) * 2005-10-05 2007-04-19 Renesas Technology Corp プローブシート接着ホルダ、プローブカード、半導体検査装置および半導体装置の製造方法
CN201408245Y (zh) * 2009-04-08 2010-02-17 扬州扬杰电子科技有限公司 贴片式二极管的检测装置
JP5377279B2 (ja) * 2009-12-28 2013-12-25 株式会社ジャパンディスプレイ 静電容量型入力装置および入力機能付き電気光学装置
CN103558538B (zh) * 2013-07-31 2016-08-10 深圳清华大学研究院 发光二极管测试装置
US9737710B2 (en) * 2014-06-30 2017-08-22 Long-Sheng Fan Methods and apparatuses for configuring artificial retina devices
US9842782B2 (en) * 2016-03-25 2017-12-12 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Intermediate structure for transfer, method for preparing micro-device for transfer, and method for processing array of semiconductor device
CN107170773B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
US10901027B2 (en) * 2017-07-12 2021-01-26 Facebook Technologies, Llc Substrate for mounting light emitting diodes with testing capabilities
CN109920812B (zh) * 2017-12-13 2022-05-06 群创光电股份有限公司 电子装置及其制造方法
US20190181122A1 (en) * 2017-12-13 2019-06-13 Innolux Corporation Electronic device and method of manufacturing the same
TWI636267B (zh) * 2018-02-12 2018-09-21 友達光電股份有限公司 發光二極體的檢測方法
CN108987426B (zh) * 2018-07-23 2020-09-29 上海天马微电子有限公司 一种柔性led显示面板及电子设备
CN109377922B (zh) * 2018-09-26 2022-03-08 京东方科技集团股份有限公司 用于微发光二极管基板的线路检测治具及方法
CN208795818U (zh) * 2018-09-28 2019-04-26 王建珍 一种电子二极管的检测装置
CN110265348B (zh) * 2019-06-17 2021-07-20 上海天马微电子有限公司 一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN112649711B (zh) 2022-04-15
CN112649711A (zh) 2021-04-13
WO2021068539A1 (zh) 2021-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20220045052A (ko) 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치 및 방법
US9842782B2 (en) Intermediate structure for transfer, method for preparing micro-device for transfer, and method for processing array of semiconductor device
CN109920754B (zh) 一种巨量转印头、转印设备及发光二极管芯片的转移方法
JP6630357B2 (ja) マイクロ発光ダイオードの修復方法、製造方法、装置及び電子機器
CN110828364A (zh) 巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置
US8034639B2 (en) Method for manufacturing solar cell module
CN105518877A (zh) 微发光二极管的预排除方法、制造方法、装置和电子设备
US20100034455A1 (en) Solar battery module evaluation apparatus, solar battery module evaluating method, and solar battery module manufacturing method
US20190285805A1 (en) Detection method for electronic devices
CN110911436B (zh) 一种驱动背板、发光二极管的转移装置及转移方法
TWI723417B (zh) 微型發光二極體顯示器的製造方法
CN111201593B (zh) 一种led检测装置和方法
CN111969097B (zh) Led芯片测试治具、方法、系统及测试治具的制作方法
CN112750714B (zh) Led芯片检测方法
CN111929571B (zh) Led芯片测试治具、测试方法及测试系统
CN110676368B (zh) 检测装置的制造方法与检测方法
JP2019140400A (ja) マイクロ発光ダイオードの事前排除方法、製造方法、装置及び電子機器
CN111834389A (zh) 一种μLED显示器件检测及修复方法
US11227970B1 (en) Light emitting diodes manufacture and assembly
CN209266356U (zh) 晶粒功能检测装置
KR102479762B1 (ko) 전기 소자용 기판 및 그 제조 방법
JPH09246599A (ja) 半導体素子の電気光学特性測定装置
TWI723899B (zh) 微晶片轉移方法及電子模組
CN112054105A (zh) 微型发光二极管显示器的制造方法
US20140173886A1 (en) Method for manufacturing light-emitting diode light bar

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal