JP2010258052A - 面発光型半導体レーザ素子のバーンイン方法およびそのプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】面発光型半導体レーザ素子のバーンイン方法は、面発光型半導体レーザ素子に熱的負荷を与えるためのストレス電流を印加するステップ(ステップS104)と、ストレス電流を印加した面発光型半導体レーザ素子に測定電流を印加し、面発光型半導体レーザ素子の光量を測定するステップ(ステップS105)と、測定された結果に基づき面発光型半導体レーザ素子の合否判定を行うステップと(ステップS106)を有する。ストレス電流は、面発光型半導体レーザ素子から出射される光量が増加から低下に変化するときの駆動電流(サーマルロールオーバの駆動電流)よりも大きく、面発光型半導体レーザ素子が故障するときの故障電流よりも小さい。
【選択図】図7
Description
請求項2において、前記負荷電流は、面発光型半導体レーザ素子から出射される光量が増加から低下に変化するときの駆動電流よりも大きく、面発光型半導体レーザ素子が過電流により故障するときの故障電流よりも小さい。
請求項3において、前記負荷電流は、面発光型半導体レーザ素子がレーザ発振できる最大駆動電流より大きく、面発光型半導体レーザ素子が過電流により故障するときの故障電流より小さい。
請求項4において、面発光型半導体レーザ素子は、室温付近の環境温度に置かれる。
請求項5において、バーンイン方法はさらに、複数の面発光型半導体レーザ素子が形成されたウエハを室温付近の環境温度で支持部材上に取り付けるステップと、ウエハ上の複数の面発光型半導体レーザ素子の各々について前記負荷電流の印加と前記動作特性の測定を実行するステップとを有する。
請求項6において、バーンイン方法はさらに、単一の面発光型半導体レーザ素子を実装した面発光型半導体レーザ装置を室温付近の環境温度で支持部材上に複数取り付けるステップと、前記複数の面発光型半導体レーザ装置の各々について前記負荷電流の印加と前記動作特性の測定を実行するステップとを有する。
請求項7において、前記動作特性を測定するステップは、面発光型半導体レーザ素子に測定電流を印加した状態で面発光型半導体レーザ素子の光出力特性を測定する。
請求項8において、前記動作特性を測定するステップは、前記負荷電流を面発光型半導体レーザ素子に印加している間の動作電圧を測定し、前記合否判定を行うステップは、前記動作電圧がしきい値より小さいとき合格と判定し、しきい値以上であるとき不良と判定する。
請求項9において、ウエハ上の複数の面発光型半導体レーザ素子の各々について、前記負荷電流の印加と前記動作特性の測定を交互に連続的に行う。
請求項10において、面発光型半導体レーザ素子に熱的負荷を与える負荷手段と、前記負荷手段により負荷を与えられた面発光型半導体レーザ素子の動作特性を測定する測定手段と、前記負荷手段および前記測定手段を制御する制御手段とを備えたバーンイン装置が実行するプログラムであって、前記負荷手段により第1の面発光型半導体レーザ素子に負荷電流を印加させ、前記測定手段により第1の面発光型半導体レーザ素子に動作特性を測定させている間に、第2の面発光型半導体レーザ素子に前記負荷手段により負荷電流を印加させる。
請求項11において、前記測定手段は、面発光型半導体レーザ素子の光量を測定する移動可能な光量測定ユニットを含んでおり、前記負荷手段により第1の面発光型半導体レーザ素子に負荷電流が印加されている間に、光量測定ユニットを第1の面発光型半導体レーザ素子の光量を測定することができる位置に移動させる。
請求項12において、前記負荷手段は、面発光型半導体レーザ素子が発振しない負荷電流を印加する。
請求項3によれば、面発光型半導体レーザ素子を外部加熱してバーンインする方法と比較して、バーンインによる処理時間を更に短くすることができる。
請求項4によれば、面発光型半導体レーザ素子を高温にする加熱手段を有する場合と比較して低コストのバーンイン方法を提供することができる。
請求項5によれば、ウエハレベルの低コストのバーンイン方法を提供することができる。
請求項6、7によれば、面発光型半導体レーザ素子のバーンインと動作特性の測定を効率良く行うことができる。
請求項8によれば、面発光型半導体レーザ素子の光出力特性を測定する場合と比較して、バーンインによる処理時間を短縮することができる。
請求項9によれば、ウエハ上の複数の面発光型半導体レーザ素子のバーンイン処理時間を更に短縮することができる。
請求項10、11によれば、面発光型半導体レーザ素子を外部加熱してバーンインするプログラムと比較して、バーンイン処理時間を短縮することができる。
請求項12によれば、面発光型半導体レーザ素子にレーザが発振するストレス電流を印加する場合と比較して、光量の測定精度の低下を防止することができる。
凹部状のモールド樹脂380と、モールド樹脂380の開口部を封止するように接着剤372で平板ガラス370が樹脂380に固定される。モジュールの内部にはVCSEL310が固定され、樹脂380の両側面からリードフレーム390、392が突出している。リードフレーム390、392は、ボンディングワイヤまたはその他の接続手段によってVCSEL310のp側およびn側電極にそれぞれ電気的に接続される。平板ガラス370と樹脂380によって形成された内部空間は、空気または窒素等の不燃ガスが充填される。
450の電極は、ボンディングワイヤによってフレキシブル基板440の配線パターンに接続されている。フレキシブル基板440の端部は、キャップ410より外部にまで延在し、外部引き出し電極460が形成されている。
200、200A、200B:バーンインシステム
210:電流源
212:ストレス用電源
214:測定用電源
220:電流駆動部
230、230A、230B:p側プローブピン
240、240A、240B:n側プローブピン
300A、300B、300C:モジュール
R:サーマルロールオーバ
Claims (12)
- 面発光型半導体レーザ素子に熱的負荷を与えるための負荷電流を印加するステップと、
前記負荷電流を印加した面発光型半導体レーザ素子の動作特性を測定するステップと、
前記測定結果に基づき面発光型半導体レーザ素子の合否判定を行うステップと、
を有する面発光型半導体レーザ素子のバーンイン方法。 - 前記負荷電流は、面発光型半導体レーザ素子から出射される光量が増加から低下に変化するときの駆動電流よりも大きく、面発光型半導体レーザ素子が過電流により故障するときの故障電流よりも小さい、請求項1に記載のバーンイン方法。
- 前記負荷電流は、面発光型半導体レーザ素子がレーザ発振できる最大駆動電流より大きく、面発光型半導体レーザ素子が過電流により故障するときの故障電流より小さい、請求項1に記載のバーンイン方法。
- 面発光型半導体レーザ素子は、室温付近の環境温度に置かれる、請求項1ないし3いずれか1つに記載のバーンイン方法。
- バーンイン方法はさらに、
複数の面発光型半導体レーザ素子が形成されたウエハを室温付近の環境温度で支持部材上に取り付けるステップと、
ウエハ上の複数の面発光型半導体レーザ素子の各々について前記負荷電流の印加と前記動作特性の測定を実行するステップと、
を有する請求項1ないし4いずれか1つに記載のバーンイン方法。 - バーンイン方法はさらに、
単一の面発光型半導体レーザ素子を実装した面発光型半導体レーザ装置を室温付近の環境温度で支持部材上に複数取り付けるステップと、
前記複数の面発光型半導体レーザ装置の各々について前記負荷電流の印加と前記動作特性の測定を実行するステップと、
を有する請求項1ないし5いずれか1つに記載のバーンイン方法。 - 前記動作特性を測定するステップは、面発光型半導体レーザ素子に測定電流を印加した状態で面発光型半導体レーザ素子の光出力特性を測定する、請求項1ないし6いずれか1つ記載のバーンイン方法。
- 前記動作特性を測定するステップは、前記負荷電流を面発光型半導体レーザ素子に印加している間の動作電圧を測定し、前記合否判定を行うステップは、前記動作電圧がしきい値より小さいとき合格と判定し、しきい値以上であるとき不良と判定する、請求項1に記載のバーンイン方法。
- ウエハ上の複数の面発光型半導体レーザ素子の各々について、前記負荷電流の印加と前記動作特性の測定を交互に連続的に行う、請求項5に記載のバーンイン方法。
- 面発光型半導体レーザ素子に熱的負荷を与える負荷手段と、前記負荷手段により負荷を与えられた面発光型半導体レーザ素子の動作特性を測定する測定手段と、前記負荷手段および前記測定手段を制御する制御手段とを備えたバーンイン装置が実行するプログラムであって、
前記負荷手段により第1の面発光型半導体レーザ素子に負荷電流を印加させ、
前記測定手段により第1の面発光型半導体レーザ素子に動作特性を測定させている間に、第2の面発光型半導体レーザ素子に前記負荷手段により負荷電流を印加させる、
プログラム。 - 前記測定手段は、面発光型半導体レーザ素子の光量を測定する移動可能な光量測定ユニットを含んでおり、
前記負荷手段により第1の面発光型半導体レーザ素子に負荷電流が印加されている間に、光量測定ユニットを第1の面発光型半導体レーザ素子の光量を測定することができる位置に移動させる、請求項10に記載のプログラム。 - 前記負荷手段は、面発光型半導体レーザ素子が発振しない負荷電流を印加する、請求項10または11に記載のプログラム。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015505163A (ja) * | 2011-12-20 | 2015-02-16 | 西安炬光科技有限公司 | 伝導冷却型高出力半導体レーザーおよびその製造方法 |
JP2017130509A (ja) * | 2016-01-19 | 2017-07-27 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子および該素子構成を含むウェハにおける品質管理方法 |
JP2018207008A (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-27 | 住友電気工業株式会社 | 面発光半導体レーザを作製する方法 |
JP2021015972A (ja) * | 2019-07-09 | 2021-02-12 | 致茂電子股▲分▼有限公司Chroma Ate Inc. | フリップチップvcsel用ウェハ検査装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4645655B2 (ja) * | 2008-02-04 | 2011-03-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 光伝送モジュール |
US8759859B2 (en) * | 2012-03-08 | 2014-06-24 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Light-emitting element, self-scanning light-emitting element array, optical writing head, and image forming apparatus |
US10203366B2 (en) * | 2016-06-30 | 2019-02-12 | Mellanox Technologies, Ltd. | Transducer reliability testing |
DE102019107138A1 (de) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren und vorrichtung zum elektrischen kontaktieren von bauelementen in einem halbleiterwafer |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08111443A (ja) * | 1994-10-07 | 1996-04-30 | Ricoh Co Ltd | 半導体素子の信頼性評価方法及び装置 |
JP2005510044A (ja) * | 2001-08-13 | 2005-04-14 | フィニザー コーポレイション | 電子デバイスのウェハレベルバーンインを実施する方法 |
JP2005259885A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Seiko Epson Corp | 光素子ウェハおよびその製造方法、光素子ウェハのバーンイン装置、ならびに光素子ウェハのバーンイン方法 |
JP2008227463A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-09-25 | Seiko Epson Corp | 発光素子の検査方法および検査装置、ならびにバーンイン方法およびバーンイン装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06232227A (ja) | 1993-02-04 | 1994-08-19 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US5600257A (en) * | 1995-08-09 | 1997-02-04 | International Business Machines Corporation | Semiconductor wafer test and burn-in |
US6137305A (en) * | 1998-10-26 | 2000-10-24 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for testing laser bars |
US6259264B1 (en) * | 1999-08-30 | 2001-07-10 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. | Apparatus and method for testing semiconductor laser chips |
US7564882B2 (en) * | 2004-07-30 | 2009-07-21 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Integrated circuit having on-chip laser burn-in circuit |
WO2007002297A2 (en) * | 2005-06-24 | 2007-01-04 | Crafts Douglas E | Temporary planar electrical contact device and method using vertically-compressible nanotube contact structures |
US8178364B2 (en) * | 2005-10-31 | 2012-05-15 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Testing method of surface-emitting laser device and testing device thereof |
US7268570B1 (en) * | 2006-06-27 | 2007-09-11 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for customized burn-in of cores on a multicore microprocessor integrated circuit chip |
US8294484B1 (en) * | 2007-05-31 | 2012-10-23 | Finisar Corporation | Pulse voltage age acceleration of a laser for determining reliability |
US7795896B2 (en) * | 2008-08-13 | 2010-09-14 | Finisar Corporation | High-power optical burn-in |
JP2010151794A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-07-08 | Panasonic Corp | 電子部品試験装置 |
US8446161B2 (en) * | 2009-03-17 | 2013-05-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of self monitoring and self repair for a semiconductor IC |
US8384405B2 (en) * | 2011-04-20 | 2013-02-26 | Tdk Corporation | Method for performing burn-in test |
-
2009
- 2009-04-22 JP JP2009103549A patent/JP5428485B2/ja active Active
- 2009-10-26 US US12/605,414 patent/US8624614B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08111443A (ja) * | 1994-10-07 | 1996-04-30 | Ricoh Co Ltd | 半導体素子の信頼性評価方法及び装置 |
JP2005510044A (ja) * | 2001-08-13 | 2005-04-14 | フィニザー コーポレイション | 電子デバイスのウェハレベルバーンインを実施する方法 |
JP2005259885A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Seiko Epson Corp | 光素子ウェハおよびその製造方法、光素子ウェハのバーンイン装置、ならびに光素子ウェハのバーンイン方法 |
JP2008227463A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-09-25 | Seiko Epson Corp | 発光素子の検査方法および検査装置、ならびにバーンイン方法およびバーンイン装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015505163A (ja) * | 2011-12-20 | 2015-02-16 | 西安炬光科技有限公司 | 伝導冷却型高出力半導体レーザーおよびその製造方法 |
JP2017130509A (ja) * | 2016-01-19 | 2017-07-27 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子および該素子構成を含むウェハにおける品質管理方法 |
JP2018207008A (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-27 | 住友電気工業株式会社 | 面発光半導体レーザを作製する方法 |
JP2021121025A (ja) * | 2017-06-07 | 2021-08-19 | 住友電気工業株式会社 | バーンイン装置 |
JP2021015972A (ja) * | 2019-07-09 | 2021-02-12 | 致茂電子股▲分▼有限公司Chroma Ate Inc. | フリップチップvcsel用ウェハ検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5428485B2 (ja) | 2014-02-26 |
US8624614B2 (en) | 2014-01-07 |
US20100273278A1 (en) | 2010-10-28 |
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