CN108172590A - 微led阵列器件及其检测方法 - Google Patents
微led阵列器件及其检测方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108172590A CN108172590A CN201711432965.8A CN201711432965A CN108172590A CN 108172590 A CN108172590 A CN 108172590A CN 201711432965 A CN201711432965 A CN 201711432965A CN 108172590 A CN108172590 A CN 108172590A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- micro
- array device
- led
- led array
- backboard
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 14
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 4
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 claims description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
本申请公开了一种微LED阵列器件及其检测方法，其中，微LED阵列器件包括背板以及与所述背板物理压合连接的光敏胶板；所述光敏胶板上涂有活性反应剂的光敏胶，所述背板上每个区域的LED与所述光敏胶板上每个区域的电极一一对应，从而在微LED阵列器件通电时，若检测到所述微LED阵列器件的光敏胶板上某一个区域的光敏胶不发光，则确定该区域所对应背板上的LED是坏点，不需要打掉整个Micro LED，从而可以大大降低检测坏点成本。
Description
技术领域
本申请涉及LED显示技术领域，尤其涉及一种微LED阵列器件及其检测方法。
背景技术
Micro LED是将发光二极管(Light Emitting Diode,LED)微缩化和矩阵化的产品，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外LED显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。它的优势在于既继承了无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，又具有自发光无需背光源的特性，体积小、轻薄，还能轻易实现节能的效果。
但是目前却存在着检测成本以及缺陷修复的成本相当高的瓶颈，现有技术中，普遍将阴极与LED封装完毕后,点亮检测,若Micro LED出现坏点,直接打掉整个Micro LED，这种检测坏点的方法存在物料浪费的现象,大大增加了Micro LED的制造成本。因此，有必要对Micro LED的坏点检测和修复进行改进。
发明内容
本申请提供一种微LED阵列器件及其检测方法，目的在于有效地降低微LED阵列器件的检测成本。
本申请提供一种微LED阵列器件，包括：背板以及与所述背板物理压合连接的光敏胶板；所述光敏胶板上涂有活性反应剂的光敏胶；
所述背板上划分有多个区域，每个区域设置有一个LED；
所述光敏胶板划分有多个区域，每个区域设置有一个电极；
所述背板上的划分的区域与所述光敏胶板上划分的区域一一对应，每个LED对应一个电极。
可选地，所述背板与所述光敏胶板之间形成欧姆接触。
可选地，所述多个区域均匀分布。
可选地，所述电极包括探针阴极电极。
可选地，所述活性反应剂包括在光照后能够使得所述光敏胶失去粘性的任一种反应剂。
本申请还提供一种微LED阵列器件的检测方法，包括：
在微LED阵列器件通电时，若检测到所述微LED阵列器件的光敏胶板上某一个区域的光敏胶不发光，则确定该区域所对应背板上的LED是坏点。
可选地，所述方法还包括：
垂直于所述背板的方向揭起所述光敏胶板，不发光区域的光敏胶由于保持粘性从而将对应区域的坏点LED粘贴下来；
根据粘贴下来的坏点位置，在背板上对应的坏点位置修补LED。
可选地，所述方法还包括：
在所述微LED阵列器件通电时，若检测到所述微LED阵列器件的光敏胶板上所有区域的光敏胶都发光，则确定所述微LED阵列器件不存在LED坏点。
本申请的微LED阵列器件包括背板以及与所述背板物理压合连接的光敏胶板；所述光敏胶板上涂有活性反应剂的光敏胶，所述活性反应剂在光照后能够使得所述光敏胶失去粘性；所述背板上每个区域的LED与所述光敏胶板上每个区域的电极一一对应，从而在微LED阵列器件通电时，若检测到所述微LED阵列器件的光敏胶板上某一个区域的光敏胶不发光，则确定该区域所对应背板上的LED是坏点，由于坏点区域的光敏胶不发光，则光敏胶依然保持粘性，从而可以将对应区域的坏点LED粘贴下来；并根据粘贴下来的坏点位置，在背板上对应的坏点位置修补LED，因此，使用本申请的检测方法检测到LED坏点时，不需要打掉整个Micro LED，只需要在坏点位置修补LED即可，从而可以大大降低微LED阵列器件检测和修复成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的微LED阵列器件的部分结构的俯视图；
图2为本申请微LED阵列器件中背板的俯视图；
图3为本申请微LED阵列器件中光敏胶板的俯视图；
图4为本申请另一实施例提供的微LED阵列器件的检测方法流程图；
图5为一种微LED阵列器件的检测结果示意图；
图6为另一种微LED阵列器件的检测结果示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请各实施例中的附图，对本申请各实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请各实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请各实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义，“多种”一般包含至少两种，但是不排除包含至少一种的情况。
应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的商品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种商品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的商品或者系统中还存在另外的相同要素。
图1为本申请一实施例提供的微LED阵列器件的部分结构示意图。如图1所示，包括：
背板以及与所述背板物理压合连接的光敏胶板；所述背板与所述光敏胶板之间形成欧姆接触；
所述光敏胶板上涂有活性反应剂的光敏胶；所述活性反应剂包括在光照后能够使得所述光敏胶失去粘性的任一种反应剂，其中，活性反应剂在光照后，发生交联，限制了光敏胶内分子链的运动,提高了光敏胶的Tg温度,从而造成了粘性的降低，这里的Tg温度是指光敏胶中的聚合物由硬变软的转变温度。
图2为本申请微LED阵列器件中背板的俯视图，如图2所示：
其中，所述背板上划分有多个区域，多个区域均匀分布，每个区域设置有一个LED；
图3为本申请微LED阵列器件中光敏胶板的俯视图，如图3所示：
所述光敏胶板划分有多个区域，多个区域均匀分布，每个区域设置有一个电极；所述电极包括探针阴极电极，如图3所示的小圆形区域为探针阴极电极。
如图1所示，所述背板上的划分的区域与所述光敏胶板上划分的区域一一对应，每个LED对应一个电极，光敏胶板上的每个阴极电极可以与对应的背板上的LED接触。
基于上述图1所示的微LED阵列器件，本申请还提供一种微LED阵列器件的检测方法，利用微LED阵列器件中光敏胶板上涂有的活性反应剂，在光照后，发生交联，限制了光敏胶内分子链的运动，可以大大降低光敏胶的粘性这个特点，实现微LED阵列器件的检测和修复成本的降低。
图4为本申请另一实施例提供的微LED阵列器件的检测方法流程图，如图4所示，包括：
101、点亮微LED阵列器件；
也就是说，在给微LED阵列器件通电。
102、若检测到微LED阵列器件的光敏胶板上所有区域的光敏胶都发光，则确定该微LED阵列器件不存在LED坏点。
图5为一种微LED阵列器件的检测结果示意图，如图5所示，由于微LED阵列器件的背板上的LED是与光敏胶板上的阴极电极是接触的，当微LED阵列器件通电时，如果背板上的LED不存在坏点的话，说明每个LED与阴极电极是通电状态，此时光敏胶板上所有区域的光敏胶都发光。此时，光敏胶见光会失去粘性，揭开光敏胶板，也不会把LED粘下来。
103、若检测到微LED阵列器件的光敏胶板上某一个区域的光敏胶不发光，则确定该区域所对应背板上的LED是坏点。
图6为另一种微LED阵列器件的检测结果示意图，如图6所示，由于微LED阵列器件的背板上的LED是与光敏胶板上的阴极电极是接触的，当微LED阵列器件通电时，如果背板上的某一个LED是坏点的话，说明这个坏点LED与阴极电极是不通电状态，此时该坏点LED对应区域的的光敏胶是不会发光。
当检测到微LED阵列器件的背板上存在LED坏点时，可以垂直于背板的方向揭起光敏胶板，因此坏点区域的光敏胶不发光，因此不发光区域的光敏胶上的活性反应剂没有接受到光照，因此也没有限制了光敏胶内分子链的运动，从而保持了该坏点区域的光敏胶的粘性，因此在揭开光敏胶板时，就会把对应区域的坏点LED粘贴下来，后续根据粘下来的坏点位置，在背板上定向修补LED即可。
本申请的微LED阵列器件包括背板以及与所述背板物理压合连接的光敏胶板；所述光敏胶板上涂有活性反应剂的光敏胶，所述活性反应剂在光照后能够使得所述光敏胶失去粘性；所述背板上每个区域的LED与所述光敏胶板上每个区域的电极一一对应，从而在微LED阵列器件通电时，若检测到所述微LED阵列器件的光敏胶板上某一个区域的光敏胶不发光，则确定该区域所对应背板上的LED是坏点，由于坏点区域的光敏胶不发光，则光敏胶依然保持粘性，从而可以将对应区域的坏点LED粘贴下来；并根据粘贴下来的坏点位置，在背板上对应的坏点位置修补LED，因此，使用本申请的检测方法检测到LED坏点时，不需要打掉整个Micro LED，只需要在坏点位置修补LED即可，从而可以大大降低微LED阵列器件检测和修复成本。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (8)
1.一种微LED阵列器件，其特征在于，包括：背板以及与所述背板物理压合连接的光敏胶板；所述光敏胶板上涂有活性反应剂的光敏胶；
所述背板上划分有多个区域，每个区域设置有一个LED；
所述光敏胶板划分有多个区域，每个区域设置有一个电极；
所述背板上的划分的区域与所述光敏胶板上划分的区域一一对应，每个LED对应一个电极。
2.根据权利要求1所述的微LED阵列器件，其特征在于，所述背板与所述光敏胶板之间形成欧姆接触。
3.根据权利要求1所述的微LED阵列器件，其特征在于，所述多个区域均匀分布。
4.根据权利要求1所述的微LED阵列器件，其特征在于，所述电极包括探针阴极电极。
5.根据权利要求1所述的微LED阵列器件，其特征在于，所述活性反应剂包括在光照后能够使得所述光敏胶失去粘性的任一种反应剂。
6.一种微LED阵列器件的检测方法，其特征在于，包括：
在微LED阵列器件通电时，若检测到所述微LED阵列器件的光敏胶板上某一个区域的光敏胶不发光，则确定该区域所对应背板上的LED是坏点。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，包括：
垂直于所述背板的方向揭起所述光敏胶板，不发光区域的光敏胶由于保持粘性从而将对应区域的坏点LED粘贴下来；
根据粘贴下来的坏点位置，在背板上对应的坏点位置修补LED。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，包括：
在所述微LED阵列器件通电时，若检测到所述微LED阵列器件的光敏胶板上所有区域的光敏胶都发光，则确定所述微LED阵列器件不存在LED坏点。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711432965.8A CN108172590B (zh) | 2017-12-26 | 2017-12-26 | 微led阵列器件及其检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711432965.8A CN108172590B (zh) | 2017-12-26 | 2017-12-26 | 微led阵列器件及其检测方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108172590A true CN108172590A (zh) | 2018-06-15 |
| CN108172590B CN108172590B (zh) | 2020-10-09 |
Family
ID=62521038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711432965.8A Active CN108172590B (zh) | 2017-12-26 | 2017-12-26 | 微led阵列器件及其检测方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108172590B (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109148506A (zh) * | 2018-08-24 | 2019-01-04 | 上海天马微电子有限公司 | Micro LED转移方法及显示面板、显示装置 |
| CN109887461A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及显示方法 |
| CN110265348A (zh) * | 2019-06-17 | 2019-09-20 | 上海天马微电子有限公司 | 一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备 |
| CN111128813A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-05-08 | 福州大学 | 一种μLED巨量转移方法 |
| TWI715150B (zh) * | 2019-08-14 | 2021-01-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 噴射元件、微型發光二極體檢修設備及檢修方法 |
| CN112951874A (zh) * | 2021-04-08 | 2021-06-11 | 长沙安牧泉智能科技有限公司 | 一种提高micro-led柔性与互连可靠性的方法 |
| CN113301718A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-08-24 | 淮南师范学院 | 一种微型电子元件焊接装置及其检修方法 |
| WO2022099993A1 (zh) * | 2020-11-11 | 2022-05-19 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种显示背板的检测方法及其检测结构 |
| WO2023108545A1 (en) * | 2021-12-16 | 2023-06-22 | Jade Bird Display (Shanghai) | Method for constructing defect detection model of micro led array panel, apparatures for dectectig pixel defect and devices |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140267683A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | LuxVue Technology Corporation | Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test |
| CN106493094A (zh) * | 2016-09-23 | 2017-03-15 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种led芯片的检测方法 |
| CN106890802A (zh) * | 2017-02-08 | 2017-06-27 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 一种led圆片挑坏点分选方法 |
| CN107321639A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-11-07 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管芯片的筛选方法 |
-
2017
- 2017-12-26 CN CN201711432965.8A patent/CN108172590B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140267683A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | LuxVue Technology Corporation | Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test |
| CN106493094A (zh) * | 2016-09-23 | 2017-03-15 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种led芯片的检测方法 |
| CN106890802A (zh) * | 2017-02-08 | 2017-06-27 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 一种led圆片挑坏点分选方法 |
| CN107321639A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-11-07 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管芯片的筛选方法 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109148506A (zh) * | 2018-08-24 | 2019-01-04 | 上海天马微电子有限公司 | Micro LED转移方法及显示面板、显示装置 |
| US10741739B2 (en) | 2018-08-24 | 2020-08-11 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Micro LED transferring method, micro LED display panel and micro LED display device |
| CN109887461A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及显示方法 |
| WO2020199826A1 (zh) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及显示方法 |
| CN110265348A (zh) * | 2019-06-17 | 2019-09-20 | 上海天马微电子有限公司 | 一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备 |
| US11668742B2 (en) | 2019-08-14 | 2023-06-06 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Injection device, micro light emitting diode inspection and repairing equipment and inspection and repairing method |
| TWI715150B (zh) * | 2019-08-14 | 2021-01-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 噴射元件、微型發光二極體檢修設備及檢修方法 |
| CN111128813A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-05-08 | 福州大学 | 一种μLED巨量转移方法 |
| CN111128813B (zh) * | 2020-01-20 | 2022-10-28 | 福州大学 | 一种μLED巨量转移方法 |
| WO2022099993A1 (zh) * | 2020-11-11 | 2022-05-19 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种显示背板的检测方法及其检测结构 |
| CN112951874A (zh) * | 2021-04-08 | 2021-06-11 | 长沙安牧泉智能科技有限公司 | 一种提高micro-led柔性与互连可靠性的方法 |
| CN113301718A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-08-24 | 淮南师范学院 | 一种微型电子元件焊接装置及其检修方法 |
| WO2023108545A1 (en) * | 2021-12-16 | 2023-06-22 | Jade Bird Display (Shanghai) | Method for constructing defect detection model of micro led array panel, apparatures for dectectig pixel defect and devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108172590B (zh) | 2020-10-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108172590A (zh) | 微led阵列器件及其检测方法 | |
| CN106935190B (zh) | 一种有机发光显示面板、有机发光显示装置、有机发光显示面板的驱动方法 | |
| US10244589B2 (en) | Micro LED display panel | |
| WO2018126513A1 (zh) | 微发光二极管显示面板及其修复方法 | |
| US10388826B2 (en) | Method and device for repairing semiconductor chips | |
| US20190148415A1 (en) | Method for making micro led display panel and pixel driving circuit of same | |
| CN106887212A (zh) | 一种oled显示装置及其亮度调节方法 | |
| CN105023522A (zh) | 显示面板及其修补方法 | |
| TW200711197A (en) | Electro-optical device and image forming device | |
| KR102033774B1 (ko) | 통합형 광원을 구비한 픽업 툴 | |
| CN110288940B (zh) | 显示装置及其操作方法 | |
| CN110264951B (zh) | 一种有机电致发光显示面板、显示装置和检测方法 | |
| JP2013541885A5 (zh) | ||
| US10362651B2 (en) | Micro lighting device | |
| US7547115B2 (en) | Package structure for light emitting diode and applications of the same | |
| US20120217877A1 (en) | Lighting Apparatus Using PN Junction Light-Emitting Element and Dimming Method Thereof | |
| CN110707015B (zh) | 一种检测基板及其制作方法、检测方法 | |
| CN109001206B (zh) | 一种基于图像识别的水果缺陷检测方法以及检测系统 | |
| CN207661559U (zh) | 一种面板灯 | |
| CN103165038A (zh) | 一种led显示屏及其制作方法 | |
| CN110400820A (zh) | 电子装置 | |
| CN108155207B (zh) | 显示装置 | |
| CN206441724U (zh) | 二次光学处理的csp led灯 | |
| US20220352440A1 (en) | Target transferring structure and manufacturing method thereof, and light-emitting diode fixing method | |
| CN106251801A (zh) | 一种rgb可调节彩色发光装置驱动系统及方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |