CN110400820A - 电子装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电子装置，包括至少第一发光二极管、第二发光二极管及控制电路。所述第一发光二极管及所述第二发光二极管以串联方式耦接。所述控制电路耦接于所述第一发光二极管及所述第二发光二极管，用以在第一模式下致能所述第一发光二极管及所述第二发光二极管的其中之一，及在第二模式下致能所述第一发光二极管及所述第二发光二极管。

Description

电子装置

技术领域

本发明关于一种电子装置，尤其关于电子装置的控制电路可根据操作模式，致能两个发光二极管的其中之一，或致能两个发光二极管的电子装置。

背景技术

在主动矩阵发光二极管的应用中，每个可独立调光的区域可设计为包括多个发光二极管，举例来说，一区域可包括两个晶体管及一电容(2T1C)，用以控制两个发光二极管。其中，两个发光二极管是一起被致能或一起被失能。当两个发光二极管被致能，区域的状态为亮态，当两个发光二极管被失能，区域的状态为暗态。为了提高局部调光的对比程度，区域及区域间的距离会尽量减少，但这将造成两个区域之间的发光干扰。或者为了要增加发光二极管的生命周期(life time)时，可以在特定画面底下降低特定群组的发光二极管发光的数目。

图1是现有技术中，两个区域之间发生发光干扰的示意图。图1为具有发光二极管的侧面示意图及对应的发光强度图。如图1所示，区域z1包括发光二极管111及112，区域z2包括发光二极管121及122，发光二极管111，112，121及122可形成于基板S1。当发光二极管111及112被致能，发光强度的波形图会具有曲线c11及c12，分别对应于发光二极管111及112的发光强度。其中，图1的波形图的坐标，直轴为发光强度，横轴对应于水平位置。如图1可见，曲线c12位于区域z2的部分(曲线部分c122)，将会对于区域z2造成影响。当区域z2的发光二极管121及122被失能时，区域z2应该为暗态，且理想上应是越暗越好，然而，曲线部分c122将对于区域z2造成发光干扰，使区域z2过亮，从而不利于视觉上的对比程度，造成工程问题。

发明内容

本发明提供一种电子装置，包括第一群组及第二群组。所述第一群组包括至少第一发光二极管、第二发光二极管及第一控制电路。所述第一发光二极管及所述第二发光二极管以串联方式耦接。所述第一控制电路耦接于所述第一发光二极管及所述第二发光二极管，用以在第一模式下致能所述第一发光二极管及所述第二发光二极管的其中之一，及在第二模式下致能所述第一发光二极管及所述第二发光二极管。

附图说明

图1是现有技术中，两个区域之间发生发光干扰的示意图。

图2是实施例的电子装置的示意图。

图3及图4是不同实施例中，图2的第一控制电路的驱动开关及发光二极管的耦接图。

图5是实施例中，图2的电子装置使用图3的耦接方式的示意图。

图6是实施例中，图2的电子装置使用图4的耦接方式的示意图。

图7是另一实施例中，图2的电子装置使用图3的耦接方式的示意图。

图8是另一实施例中，图2的电子装置还包括第三群组的示意图。

图9是实施例中，图8的电子装置基于图5的设计示意图。

图10是实施例中，图8的电子装置基于图6的设计示意图。

图11是实施例中，图8的电子装置基于图7的设计示意图。

图12是实施例中，图5至图7及图9至图11的驱动开关的电路图。

附图标记说明：S1-基板；111、112、121、122、d11、d12、d21、d22、d31、d32-发光二极管；z1、z2-区域；c11、c12-曲线；c122-曲线部分；100-电子装置；G1-第一群组；G2-第二群组；G3-第三群组；DL1-第一信号线；DL2-第二信号线；DL3-第三信号线；C1-第一控制电路；C2-第二控制电路；C3-第三控制电路；Tdri、Tdri1、Tdri2、Tdri3-驱动开关；T11、T21、T31-第一开关；T12、T22、T32-第二开关；T13、T23、T33-第三开关；Vdd-第一参考电压；Vss-第二参考电压；Cst-电容；n12-节点。

具体实施方式

图2是实施例的电子装置100的示意图。电子装置100可包括第一群组G1及第二群组G2。第一群组G1可包括至少两个发光二极管，发光二极管d11(第一发光二极管)及发光二极管d12(第二发光二极管)，及第一控制电路C1。发光二极管d11及发光二极管d12可如图2以串联方式耦接。第一控制电路C1可耦接于所述发光二极管d11及发光二极管d12之间。第一控制电路C1可用以在第一模式下致能发光二极管d11及发光二极管d12的其中之一，及在第二模式下致能发光二极管d11及发光二极管d12。图2的发光二极管d11及发光二极管d12的任一个发光二极管也可换成多个串接的发光二极管，也就是说，当致能发光二极管d11及发光二极管d12的其中之一时，可为致能多个发光二极管且失能另多个发光二极管。本文提到的群组，可为相同电流路径上的发光二极管及其相关的控制电路所形成的组合，下文提到的群组也是如此定义。图2中，控制电路C1及控制电路C2仅标示出部分的连接关系，关于第一控制电路C1及第二控制电路C2的详细描述请见下文。

如图2，第一群组G1可相邻于第二群组G2。在第一模式下，第一群组G1为亮态且第二群组G2为暗态，也就是说，发光二极管d11及发光二极管d12只有其中之一被致能，第二群组G2内的发光二极管都被失能。在第二模式下，第一群组G1及第二群组G2都为亮态。根据实施例，由于第一模式下，发光二极管d11及发光二极管d12只有其中之一被致能，不会全都发光，也就是在第一模式下被致能的第一发光二级管数量会小于在第二模式下被致能的第一发光二级管数量，故可降低第一群组G1对于第二群组G2的发光干扰。在一实施例中，一个群组为亮态的意思可以是：在该群组中至少有一个LED会发出光线；一个群组为暗态的意思可以是：在该群组中，没有LED会发出光线。于另一个实施例中，暗态可以有些微的亮度，举例来说，只要亮态的亮度跟暗态的亮度的对比实质上大于800：1以上即可。本文并不特别限制亮态与暗态的灰阶，只要两个相邻群组之间的亮度(灰阶电压)差异足够使亮度相对较高群组的其中一个发光二极管亮度降低，则两个相邻群组中亮度较高的群组就是本文中处于亮态的群组，而亮度较低的群组则是本文中处于暗态的群组。

如图2的实施例，电子装置100还包括第一信号线DL1及第二信号线DL2，第二群组G2还包括第二控制电路C2、发光二极管d21(第三发光二极管)及发光二极管d22(第四发光二极管)。发光二极管d21及发光二极管d22以串联方式耦接。第一信号线DL1耦接第一群组G1。第二信号线DL2耦接第二群组G2。在本文中，信号线可以是数据线或其他用于传递信号的相关线路，本文并不特别限制。

在第一模式中，第一信号线DL1接收第一电压V1，第二信号线DL2接收第二电压V2，第二控制电路C2失能发光二极管d21及发光二极管d22。在第二模式中，第一信号线DL1及第二信号线DL2都接收第一电压V1，及第二控制电路C2致能发光二极管d21及发光二极管d22的至少之一。

根据实施例，第一控制电路C1可包括驱动开关Tdri1，以p型晶体管或n型晶体管组成，下文将描述。

图3及图4是不同实施例中，图2的第一控制电路C1的驱动开关Tdri及发光二极管d21及d22的耦接图。

如图3，发光二极管d11包括正极及负极，发光二极管d12包括正极及负极。驱动开关Tdri1包括第一端用以接收第一参考电压Vdd，控制端及第二端耦接于发光二极管d11的正极。发光二极管d12的负极耦接于第二参考电压Vss。图3的情况中，驱动开关Tdri可为p型晶体管或n型晶体管。

如图4，发光二极管d11包括正极及负极，发光二极管d12包括正极及负极。发光二极管d11的正极用以接收第一参考电压Vdd。驱动开关Tdri可包括第一端耦接于发光二极管d12的负极，控制端及第二端用以接收第二参考电压Vss。图4的情况中，驱动开关Tdri可为p型晶体管。

图5是实施例中，图2的电子装置100使用图3的耦接方式的示意图。第一控制电路C1可包括驱动开关Tdri1，第一开关T11及第二开关T12。驱动开关Tdri1包括控制端、第一端及第二端，其中驱动开关Tdri1的第一端及第二端可以串联方式耦接于发光二极管d11及发光二极管d12，其串联方式可如图3的方式。第一开关T11可耦接于驱动开关Tdri1的控制端及第一信号线DL1之间。第二开关T12可包括第一端耦接于发光二极管d11及发光二极管d12之间，控制端耦接于第一信号线DL1，及第二端耦接于第二信号线DL2。如图5，驱动开关Tdri1的第一端及控制端之间可耦接电容Cst。图5只是示意，为了达到足够的驱动电流，驱动开关Tdri1可用多个晶体管以并联方式耦接而组成，也就是将多个晶体管的第一端互相耦接，控制端互相耦接，及第二端互相耦接，以形成驱动开关Tdri1。图5的架构中，从第一参考电压Vdd往第二参考电压Vss的路径，会先通过驱动开关Tdri1，再通过发光二极管d11及d12，故可称下侧(downside)结构。根据实施例，因适于功函数匹配，图5的发光二极管可为有机发光二极管(OLED)。图5所示的驱动开关Tdri1及Tdri2可对应于图3的驱动开关Tdri。

表1是图5的电子装置的操作表。由于电子装置100可具有矩阵结构，因此，表1是用以介绍第一群组G1对应于相邻的第二群组G2的状态的操作方式。可根据表1及图5推估矩阵结构的其他群组的操作方式。

(表1)

如表1，图5中，可根据第一群组G1及第二群组G2的亮态及暗态，有情况PD1至PD4四种情况，其中情况PD1可对应于上述的第一模式，情况PD2可对应于上述的第二模式。本文表格提到的「致能」是指「致能状态」(enable status)，且致能可以是从致能状态维持为致能状态，或是从失能状态转变为致能状态，并不是限于由失能状态被转为致能状态，只要晶体管当时的状态处于致能状态即可，后文的表格也是如此。同样的，本文表个提到的「失能」是指「失能状态」(disable status)，且失能可以是失能状态持续维持在失能状态，或是由致能状态被转为失能状态，本文并不特别限制，只要晶体管当时的状态是处于失能状态即可。后文的表格也是如此。

如图5，现以第一参考电压Vdd为10伏特，第二参考电压Vss为-5伏特，第一电压V1为7伏特，第二电压V2为10伏特，且图5的晶体管及二极管的门坎电压(Vt)为-3伏特为例说明。在情况PD1下，第一信号线DL1接收第一电压V1，即7伏特，第二信号线DL2接收第二电压V2，即10伏特。因此，第二开关T12导通，使发光二极管d12的正极具有10伏特。如表1，第一开关T11被导通，此时，因驱动开关Tdri1的栅源(gate-source)电压足够，驱动开关Tdri1可导通，但发光二极管d11两端的电压不足够，因此实质上无电流流过。也就是说，驱动开关Tdri1虽导通，但无电流流过。因此，在情况PD1下，只致能发光二极管d12，可降低第一群组G1的光对于第二群组G2的发光干扰。图5的开关可用p型晶体管形成。

图6是实施例中，图2的电子装置100使用图4的耦接方式的示意图。第一控制电路C1可包括驱动开关Tdri1，第一开关T11及第二开关T12。驱动开关Tdri1的第一端及第二端可以串联方式耦接于发光二极管d11及发光二极管d12，其串联方式可如图4的方式。如图6，驱动开关Tdri1的第一端及控制端之间可耦接电容Cst。第一开关T11可耦接于驱动开关Tdri1的控制端及第一信号线DL1之间。第二开关T12可包括第一端耦接于发光二极管d11及发光二极管d12之间，控制端耦接于第一信号线DL1，及第二端耦接于第二信号线DL2。图6只是示意，为了达到足够的驱动电流，如上述，驱动开关Tdri1可用多个晶体管以并联方式耦接而组成。图6的架构中，从第一参考电压Vdd往第二参考电压Vss的路径，会先通过发光二极管d11及d12，再通过驱动开关Tdri1，故可称上侧(upside)结构。图6所示的驱动开关Tdri1及Tdri2可对应于图4的驱动开关Tdri。

表2是图6的电子装置的操作表。由于电子装置100可具有矩阵结构，因此，表2是用以介绍第一群组G1对应于相邻的第二群组G2的状态的操作方式。可根据表2及图6推估矩阵结构的其他群组的操作方式。

(表2)

如表2，图6中，可根据第一群组G1及第二群组G2的亮态及暗态，有情况PU1至PU4四种情况，其中情况PU1可对应于上述的第一模式，情况PU2可对应于上述的第二模式。

如图6，现以第一参考电压Vdd为14伏特，第二参考电压Vss为-5伏特，第一电压V1为5伏特，第二电压V2为13伏特，且图5的晶体管及二极管的门坎电压(Vt)为-3伏特为例说明。在情况PU1下，第一信号线DL1接收第一电压V1，即5伏特，第二信号线DL2接收第二电压V2，即13伏特。因此，第二开关T12可导通，使发光二极管d12的正极具有13伏特的电压。此时，考虑发光二极管d12的跨电压(可为3伏特)，可得发光二极管d12的负极的电压为10伏特。如表2，第一开关T11被导通，因此驱动开关Tdri1的控制端由第一信号线DL1得到第一电压V1(5伏特)，故驱动开关Tdri1可导通，电流可流过发光二极管d12及驱动开关Tdri1。由于发光二极管d12的正极具有13伏特的电压，所以发光二极管d11的负极的电压为13伏特，又发光二极管d11的正极的电压为14伏特，故发光二极管d11两端的电压不足门坎电压，因此，发光二极管d11不会发光。因此，在情况PU1下，可只致能发光二极管d12，故可降低第一群组G1的光对于第二群组G2的发光干扰。图5的开关可用p型晶体管形成。

图7是另一实施例中，图2的电子装置100使用图3的耦接方式的示意图。第一控制电路C1可包括驱动开关Tdri1，第一开关T11及第二开关T12。驱动开关Tdri1的第一端及第二端可以串联方式耦接于发光二极管d11及发光二极管d12，其串联方式可如图3的方式。如图7，驱动开关Tdri1的第二端及控制端之间可耦接电容Cst。第一开关T11可耦接于驱动开关Tdri1的控制端及第一信号线DL1之间。第二开关T12可包括第一端耦接于发光二极管d11及发光二极管d12之间，第二端耦接于第一信号线DL1，及控制端耦接于第二信号线DL2。图7只是示意，为了达到足够的驱动电流，如上述，驱动开关Tdri1可用多个晶体管以并联方式耦接而组成。

表3是图7的电子装置的操作表。由于电子装置100可具有矩阵结构，因此，表3是用以介绍第一群组G1对应于相邻的第二群组G2的状态的操作方式。可根据表3及图7推估矩阵结构的其他群组的操作方式。

(表3)

如图7，现以第一参考电压Vdd为15伏特，第二参考电压Vss为-3伏特，第一电压V1为10伏特，第二电压V2为5伏特，且图5的晶体管及二极管的门坎电压(Vt)为3伏特为例说明。表3的情况PN1可对应于上述的第一模式，情况PN2可对应于上述的第二模式。图7的驱动开关Tdri1及第一开关T11可用n型晶体管形成，第二开关T12可用p型晶体管形成。在情况PN1下，第一信号线DL1接收第一电压V1(10伏特)，第二信号线DL2接收第二电压V2(5伏特)。因此，第二开关T12可导通，使发光二极管d12的正极，也就是发光二极管d11的负极，具有10伏特的电压。如表3，第一开关T11被导通，驱动开关Tdri1的控制端可具有第一电压V1(10伏特)。因此，驱动开关Tdri1的栅源电压不足以导通驱动开关Tdri1，使到达稳态后，驱动开关Tdri1为关断，且没有电流流过发光二极管d11。但，发光二极管d12两端的电压足以致能发光二极管d12，因此，在情况PN1下，可只致能发光二极管d12，故可降低第一群组G1的光对于第二群组G2的发光干扰。

图8是另一实施例中，图2的电子装置100还包括第三群组G3的示意图。第三群组G3可相邻于第一群组G1，第一群组G1可设置于第三群组G3及第二群组G2之间。在上述的第一模式下，第一群组G1为亮态，且第二群组G2及第三群组G3的至少之一为暗态。在上述的第二模式下，第一群组G1，第二群组G2及第三群组G3都是亮态。

如图8，电子装置100还包括第三信号线DL3，第三群组G3包括发光二极管d31(第五发光二级管)、发光二极管d32(第六发光二极管)及第三控制单元C3，其中发光二极管d32以串联方式耦接于发光二极管d31；第三控制单元C3是用以控制发光二极管d31及d32。在上述第一模式下，第一信号线DL1接收第一电压V1，第二信号线V2及第三信号线DL3的至少之一接收第二电压V2。在第二模式下，第一信号线DL1，第二信号线DL2及第三信号线DL3都接收第一电压V1。在图8中，第一控制单元C1、第二控制单元C2以及第三控制单元C3仅标示出部分的连接关系，关于第一控制单元C1、第二控制单元C2以及第三控制单元C3的详细描述，请见下文。

图9是实施例中，图8的电子装置100基于图5的电路的设计示意图。图9及图5相同的部分不再叙述。比较图9及图5，图9的第一群组G1更多了第三开关T13，包括第一端耦接于第三信号线DL3，控制端耦接于第一信号线DL1，及第二端耦接于发光二极管d11及发光二极管d12之间。由于电子装置100具有矩阵结构，第二群组G2及第三群组G3的电路结构可如第一群组G1，不另叙述。

表4是图9的电子装置的操作表。由于电子装置100可具有矩阵结构，因此，表4是用以介绍第一群组G1对应于相邻的第二群组G2及第三群组G3的状态的操作方式。可根据表4及图9推估矩阵结构的其他群组的操作方式。表4中，情况PD31至PD38是以第三群组G3、第一群组G1及第一群组G2的亮态及暗态的八种组合予以定义。表4的情况PD31、情况PD32及情况PD34可对应于上述的第一模式，情况PD33可对应于上述的第二模式。

(表4)

图9及表4中，现以第一参考电压Vdd为10伏特，第二参考电压Vss为-5伏特，第一电压V1为7伏特，第二电压V2为10伏特，且图9的晶体管及二极管的门坎电压(Vt)为-3伏特，所有开关都是用p型晶体管形成，为例说明。为了处理发光干扰的问题，以下将说明第一群组G1为亮态，但第二群组G2及第三群组G3至少之一为暗态的情况，也就是表4的情况PD31、情况PD32及情况PD34。

情况PD31下，第一信号线DL1及第三信号线DL3接收第一电压V1(例如7伏特)，第二信号线DL2接收第二电压V2(例如10伏特)。由于第一开关T11为导通，驱动开关Tdri1的控制端接收第一电压V1。第二开关T12及第三开关T13的控制端接收7伏特，因第二开关T12的第二端接收10伏特，达到门坎电压，故第二开关T12可导通。第三开关T13的第一端由第三信号线DL3接收7伏特，未达到门坎电压，故第三开关T13可关断。相似于图5及表1的情况PD1，发光二极管d12的正极具有10伏特。此时，因驱动开关Tdri1的栅源电压足够，驱动开关Tdri1可导通，但发光二极管d11两端的电压不足够，因此实质上无电流流过。也就是说，驱动开关Tdri1虽导通，但无电流流过。因此，在情况PD31下，可只致能发光二极管d12，发光二极管d11为失能。因此可降低第一群组G1的光对于第二群组G2的干扰或是在特定画面底下降低特定群组的发光二极管发光的数目，而增加发光二极管的生命周期(life time)或降低功耗时。

情况PD32下，第一信号线DL1接收第一电压V1(7伏特)，第二信号线DL2及第三信号线DL3接收第二电压V2(10伏特)。由于第一开关T11为导通，驱动开关Tdri1的控制端接收第一电压V1。第二开关T12及第三开关T13的控制端接收7伏特，因第二开关T12的第二端及第三开关T13的第一端接收10伏特，达到门坎电压，故第二开关T12及第三开关T13可导通。发光二极管d12的正极具有10伏特。此时，因驱动开关Tdri1的栅源电压足够，驱动开关Tdri1可导通，但发光二极管d11两端的电压不足够，因此实质上无电流流过。也就是说，驱动开关Tdri1虽导通，但无电流流过。因此，在情况PD32下，可只致能发光二极管d12，发光二极管d11为失能。因此可降低第一群组G1的光对于第二群组G2及第三群组G3的干扰或是在特定画面底下降低特定群组的发光二极管发光的数目而增加发光二极管的生命周期(lifetime)或降低功耗时。

情况PD34的开关操作的原理相似于情况PD31，但第二开关T12及第三开关T13的状态可互换，也就是第三开关T13可导通，第二开关T12可关断，且可致能发光二极管d12及失能发光二极管d11，故可降低第一群组G1的光对于第三群组G3的干扰。

图10是实施例中，图8的电子装置100基于图6的电路的设计示意图。图10及图6相同的部分不再叙述。比较图10及图6，图10的第一群组G1更多了第三开关T13，包括第一端耦接于第三信号线DL3，控制端耦接于第一信号线DL1，及第二端耦接于发光二极管d11及发光二极管d12之间。由于电子装置100具有矩阵结构，第二群组G2及第三群组G3的电路结构可如第一群组G1，不另叙述。

表5是图10的电子装置的操作表。由于电子装置100可具有矩阵结构，因此，表5是用以介绍第一群组G1对应于相邻的第二群组G2及第三群组G3的状态的操作方式。可根据表5及图10推估矩阵结构的其他群组的操作方式。表5中，情况PU31至PU38是以第三群组G3、第一群组G1及第一群组G2的亮态及暗态的八种组合予以定义。表5的情况PU31、情况PU32及情况PU34可对应于上述的第一模式，情况PU33可对应于上述的第二模式。

(表5)

图10及表5中，现以第一参考电压Vdd为14伏特，第二参考电压Vss为-5伏特，第一电压V1为5伏特，第二电压V2为13伏特，且图10的晶体管及二极管的门坎电压(Vt)为-3伏特，所有开关都是用p型晶体管形成，为例说明。为了处理发光干扰的问题，以下将说明第一群组G1为亮态，但第二群组G2及第三群组G3至少之一为暗态的情况，也就是表5的情况PU31、情况PU32及情况PU34。

情况PU31下，第一信号线DL1及第三信号线DL3接收第一电压V1(例如5伏特)，第二信号线DL2接收第二电压V2(例如14伏特)。由于第一开关T11为导通，驱动开关Tdri1的控制端接收第一电压V1。第二开关T12及第三开关T13的控制端接收5伏特，因第二开关T12的第二端接收14伏特，达到门坎电压，故第二开关T12可导通。第三开关T13的第一端由第三信号线DL3接收5伏特，未达到门坎电压，故第三开关T13可关断。相似于图6及表2的情况PU1，发光二极管d12的正极具有14伏特，负极可具有11伏特。此时，因驱动开关Tdri1的栅源电压足够，驱动开关Tdri1可导通，但发光二极管d11两端的电压不足够，因此实质上无电流流过发光二极管d11。也就是说，在情况PU31下，可只致能发光二极管d12，发光二极管d11为失能。因此可降低第一群组G1的光对于第二群组G2的干扰或是在特定画面底下降低特定群组的发光二极管发光的数目，从而增加发光二极管的生命周期(life time)或降低功耗时。

情况PU32下，第一信号线DL1接收第一电压V1(5伏特)，第二信号线DL2及第三信号线DL3接收第二电压V2(14伏特)。由于第一开关T11为导通，驱动开关Tdri1的控制端接收第一电压V1。第二开关T12及第三开关T13的控制端接收5伏特，因第二开关T12的第二端及第三开关T13的第一端接收14伏特，达到门坎电压，故第二开关T12及第三开关T13可导通。发光二极管d12的正极具有11伏特。此时，因驱动开关Tdri1的栅源电压足够，驱动开关Tdri1可导通，但发光二极管d11两端的电压不足够，因此实质上无电流流过。也就是说，在情况PU32下，可只致能发光二极管d12，发光二极管d11为失能。因此可降低第一群组G1的光对于第二群组G2及第三群组G3的干扰。

情况PU34的开关操作的原理相似于情况PU31，但第二开关T12及第三开关T13的状态可互换，也就是第三开关T13可导通，第二开关T12可关断，且可致能发光二极管d12及失能发光二极管d11，故可降低第一群组G1的光对于第三群组G3的干扰。

图11是实施例中，图8的电子装置100基于图7的电路的设计示意图。

图11及图7相同的部分不再叙述。比较图11及图7，图11的第一群组G1更多了不同配置的第二开关T12及第三开关T13，第二开关T12包括第一端耦接于发光二极管d11及发光二极管d12之间，控制端耦接于第二信号线DL2，及第二端耦接于第一信号线DL1。第三开关T13包括第一端耦接于第一信号线DL1，第二端耦接于发光二极管d11及发光二极管d12之间，控制端耦接于第三信号线DL3。由于电子装置100具有矩阵结构，第二群组G2及第三群组G3的电路结构可如第一群组G1，不另叙述。

表6是图11的电子装置的操作表。由于电子装置100可具有矩阵结构，因此，表6是用以介绍第一群组G1对应于相邻的第二群组G2及第三群组G3的状态的操作方式。可根据表6及图11推估矩阵结构的其他群组的操作方式。表6中，情况PN31至PN38是以第三群组G3、第一群组G1及第一群组G2的亮态及暗态的八种组合予以定义。表6的情况PN31、情况PN32及情况PN34可对应于上述的第一模式，情况PN33可对应于上述的第二模式。

(表6)

图11及表6中，现以第一参考电压Vdd为15伏特，第二参考电压Vss为-3伏特，第一电压V1为10伏特，第二电压V2为5伏特，且图10的晶体管及二极管的门坎电压(Vt)为3伏特，驱动开关Tdri1及第一开关T11用n型晶体管形成，且第二开关T12及第三开关T13用p型晶体管形成，为例说明。为了处理发光干扰的问题，以下将说明第一群组G1为亮态，但第二群组G2及第三群组G3至少之一为暗态的情况，也就是表6的情况PN31、情况PN32及情况PN34。

情况PN31下，第一信号线DL1及第三信号线DL3接收第一电压V1(10伏特)，第二信号线DL2接收第二电压V2(5伏特)。因此，第二开关T12可导通，第三开关T13可关断，使发光二极管d12的正极，也就是发光二极管d11的负极，具有10伏特的电压。因第一开关T11导通，驱动开关Tdri1的控制端可具有第一电压V1(10伏特)。因此，驱动开关Tdri1的栅源电压不足以导通驱动开关Tdri1，使得到达稳态后，驱动开关Tdri1为关断，且没有电流流过发光二极管d11。但，发光二极管d12两端的电压足以致能发光二极管d12，因此，在情况PN31下，可只致能发光二极管d12，故可降低第一群组G1的光对于第二群组G2的干扰。

情况PN32下，第一信号线DL1接收第一电压V1(10伏特)，第二信号线DL2及第三信号线DL3接收第二电压V2(5伏特)。由于第一开关T11为导通，驱动开关Tdri1的控制端接收第一电压V1。第二开关T12及第三开关T13的控制端接收第二电压V2(5伏特)，因第二开关T12的第二端及第三开关T13的第一端接收10伏特，使得第二开关T2及第三开关T3达到门坎电压，故第二开关T12及第三开关T13可导通。发光二极管d12的正极具有10伏特。此时，因驱动开关Tdri1的栅源电压不足以导通驱动开关Tdri1，使得驱动开关Tdri1为关断，且没有电流流过发光二极管d11。也就是说，在情况PU32下，可只致能发光二极管d12，发光二极管d11为失能。因此可降低第一群组G1的光对于第二群组G2及第三群组G3的干扰。

情况PN34的开关操作的原理可相似于情况PN31，但第二开关T12及第三开关T13的状态可互换，也就是第三开关T13可导通，第二开关T12可关断，且可致能发光二极管d12及失能发光二极管d11，故可降低第一群组G1的光对于第三群组G3的干扰。

图12是实施例中，图5至图7及图9至图11的驱动开关Tdri1的电路图。图12所示的驱动开关Tdri1可用p型晶体管或n型晶体管形成，根据实施例，可用多个驱动开关Tdri1用并联方式耦接而形成，并联方式如前述。如图12所示，图5至图7及图9至图11的驱动开关Tdri1可用四端组件形成。举例来说，可用双栅晶体管，其中第一栅极可为上述的驱动开关Tdri1的控制端，第二栅极可对应到晶体管的背沟道(back channel)。如图12，可将第二栅极耦接到图5至图7及图9至图11所示的电容Cst，从而形成补偿路径，以补偿流经驱动开关Tdri1的电流变化对于节点n12的电压，及驱动开关Tdri1的晶体管的源栅(source-gate)电压的影响。

总结来说，使用实施例提供的电子装置，可解决两个相邻的群组分别为亮态及暗态时，亮态的群组对暗态的群组造成的发光干扰或是在特定画面底下降低特定群组的发光二极管发光的数目，而增加发光二极管的生命周期(life time)或降低功耗时。上述的实施例也提供了可避免三个相邻的群组免于发光干扰或是在特定画面底下降低特定群组的发光二极管发光的数目时的解法。上述图中，每群组的两个发光二极管虽表示为上下方向的串联方式耦接，这只是示意，根据实施例，也可在电路布局时将同群组的两个发光二极管以左右方向排列，并以实施例的布线方式耦接。上述每个群组可对应于一个或多个像素。每个群组的组件可形成于同一基板，故可用半导体制程制造。图中所述的晶体管，可为薄膜晶体管。根据实施例，所述的电子装置可适用于有机发光二极管、微发光二极管(microLED)、软性显示屏等。上述的发光二极管发出的光可作为液晶显示屏的背光，藉由配合液晶显示的像素的灰阶，每个群组可被设定为亮态或暗态，且可用实施例的解法避免发光干扰。因此，显示效果及对比度可被有效改善。

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明的实施例间可混合搭配使用，亦可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

第一群组，包括：

第一发光二极管及第二发光二极管，其中所述第一发光二极管及所述第二发光二极管以串联方式耦接；及

第一控制电路，耦接于所述第一发光二极管及所述第二发光二极管之间，用以在第一模式下致能所述第一发光二极管及所述第二发光二极管的其中之一，及在第二模式下致能所述第一发光二极管及所述第二发光二极管；及

第一信号线，耦接于所述第一群组，且该第一模式下被致能的第一发光二级管数量小于该第二模式下被致能的第一发光二级管数量。

2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于：

所述电子装置还包括：

第二群组，所述第二群组邻近于所述第一群组；

第二信号线，耦接于所述第二群组；

所述第二群组包括第二控制电路、第三发光二极管及第四发光二极管；

所述第三发光二极管及所述第四发光二极管以串联方式耦接；

在所述第一模式中，所述第一信号线接收第一电压，所述第二信号线接收第二电压，及所述第二控制电路失能所述第三发光二极管及所述第四发光二极管；及

在所述第二模式中，所述第一信号线及所述第二信号线接收所述第一电压，及所述第二控制电路致能所述第三发光二极管及所述第四发光二极管，且在所述第一模式下，所述第一群组为亮态且所述第二群组为暗态，及在所述第二模式下，所述第一群组及所述第二群组为亮态。

3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一控制电路包括驱动开关，所述驱动开关以p型晶体管组成。

4.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于：

所述第一发光二极管包括正极及负极；

所述第二发光二极管包括正极及负极；

所述驱动开关包括第一端、第二端以及控制端，其中所述驱动开关的所述第一端用以接收第一参考电压，及所述驱动开关的所述第二端耦接于所述第一发光二极管的所述正极；及

所述第二发光二极管的所述负极用以接收第二参考电压。

5.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于：

所述第一发光二极管包括正极及负极；

所述第二发光二极管包括正极及负极；

所述第一发光二极管的所述正极用以接收第一参考电压；及

所述驱动开关包括第一端、第二端以及控制端，其中所述驱动开关的所述第一端耦接于所述第二发光二极管的所述负极，及所述驱动开关的所述第二端用以接收第二参考电压。

6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于：

所述电子装置还包括第二信号线；

所述第一控制电路包括：

驱动开关，其中所述驱动开关以串联方式耦接于所述第一发光二极管及所述第二发光二极管；

第一开关，耦接于所述驱动开关的控制端及所述第一信号线之间；及

第二开关，包括第一端、第二端以及控制端，其中所述第二开关的所述第一端耦接于所述第一发光二极管及所述第二发光二极管之间，所述第二开关的所述控制端耦接于所述第一信号线，及所述第二开关的所述第二端耦接于所述第二信号线。

7.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置还包括：

第三群组；

其中所述第三群组相邻于所述第一群组，所述第一群组设置于第三群组及所述第二群组之间，在所述第一模式下，所述第一群组为亮态，且所述第二群组及所述第三群组至少之一为暗态，及在所述第二模式下，所述第一群组，所述第二群组及所述第三群组为亮态。

8.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于：

所述电子装置还包括第三信号线，所述第三信号线耦接于所述第三群组；

所述第三群组包括第五发光二极管、第六发光二极管和第三控制单元，所述第六发光二极管以串联方式耦接于所述第五发光二极管，第三控制单元用以控制所述第五发光二极管及所述第六发光二极管；

所述第一模式下，所述第一信号线接收第一电压，所述第二信号线及所述第三信号线的至少之一接收第二电压；及

所述第二模式下，所述第一信号线、所述第二信号线及所述第三信号线接收所述第一电压。

9.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述第一控制电路包括驱动开关，所述驱动开关以p型晶体管组成。

10.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于：

所述电子装置还包括第三信号线，所述第三信号线耦接所述第三群组；

所述第三群组还包括第五发光二极管、第六发光二极管和第三控制单元，所述第六发光二极管以串联方式耦接于所述第五发光二极管，第三控制单元用以控制所述第五发光二极管及所述第六发光二极管；

所述第一控制电路包括：

驱动开关，其中所述驱动开关以串联方式耦接于所述第一发光二极管及所述第二发光二极管；

第一开关，耦接于所述驱动开关的控制端及所述第一信号线之间；

第二开关，包括第一端、第二端以及控制端，其中所述第二开关的所述第一端耦接于所述第一发光二极管及所述第二发光二极管之间，所述第二开关的所述控制端耦接于所述第一信号线，及所述第二开关的所述第二端耦接于所述第二信号线；及

第三开关，包括第一端、第二端以及控制端，其中所述第三开关的所述第一端耦接于所述第三信号线，所述第三开关的所述控制端耦接于所述第一信号线，及所述第三开关的所述第二端耦接于所述第一发光二极管及所述第二发光二极管之间。