CN106504701B - Amoled像素驱动电路及像素驱动方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路，采用6T1C结构，其中第六薄膜晶体管(T6)的栅极与漏极短接，均接入电源正电压(VDD)，形成二极管，将第六薄膜晶体管(T6)源极输出的电压即电源正电压(VDD)与第六薄膜晶体管(T6)阈值电压的差值作为参考信号电压，在驱动发光阶段写入第一节点(A)，以完成对第四薄膜晶体管(T4)即驱动薄膜晶体管阈值电压漂移的补偿，无需单独设置参考信号电压，该AMOLED像素驱动电路应用于显示面板时，参考信号电压的输入点的数量增加，能够降低参考信号在传输过程中的损耗，保证阈值电压补偿效果，同时减少面板内部的布线数量，降低制程中可能的短路几率，可有效提升面板良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit，IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。
传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C，即两个薄膜晶体管加一个电容的结构，将电压转换为电流。其中一个薄膜晶体管为开关薄膜晶体管，用于控制数据信号的进入，另一个薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管，用于控制通过有机发光二极管的电流，因此驱动薄膜晶体管的阈值电压的重要性便十分明显，阈值电压的正向或负向漂移都有会使得在相同数据信号下有不同的电流通过有机发光二极管。然而，目前由低温多晶硅或氧化物半导体制作的薄膜晶体管因光照、源漏电极电压应力作用等因素，在使用过程中均会发生阈值电压漂移现象。阈值电压的漂移会导致通过有机发光二极管的电流不稳定，面板产生亮度不均的问题。传统的2T1C电路中，驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移无法通过调节得到改善，因此需要使用添加新的薄膜晶体管或新的信号的方式来减弱甚至消除阈值电压漂移带来的影响，这种新的像素电路被称为像素补偿电路。常用的像素补偿电路中通常会用到参考信号线或初始化信号线，其作用是为补偿电路提供固定电压值。
请参阅图1，为现有的一种利用参考信号对阈值电压进行补偿的5T1C结构的AMOLED像素驱动电路，包括第一薄膜晶体管T10、第二薄膜晶体管T20、第三薄膜晶体管T30、第四薄膜晶体管T40、第五薄膜晶体管T50、第一电容C10、及有机发光二极管D10。第一薄膜晶体管T10的栅极接入扫描信号Scan，源极接入数据信号Data，漏极电性连接第一节点A’；第二薄膜晶体管T20的栅极接入发光信号Emit，源极接入参考信号电压Vsus，漏极电性连接第一节点A’；第三薄膜晶体管T30的栅极接入扫描信号Scan，源极电性连接第三节点C’，漏极电性连接第二节点B’；第四薄膜晶体管T40的栅极电性连接第二节点B’，源极电性连接有机发光二极管D10的阳极，漏极电性连接第三节点C’；第五薄膜晶体管T50的栅极接入发光信号Emit，源极接入电源正电压VDD，漏极电性连接第三节点C’；第一电容C10的一端电性连接第一节点A’，另一端电性连接第二节点B’；有机发光二极管D10的阳极电性连接第四薄膜晶体管T40的源极，阴极接入电源负电压VSS。
图2为对应于图1所示电路的时序图，该AMOLED像素驱动电路的工作过程按照时序依次分为两个阶段：编程阶段10、及驱动发光阶段20。在编程阶段10，扫描信号Scan提供高电位，第一、及第三薄膜晶体管T10、T30打开，发光信号Emit提供低电位，第二、及第五薄膜晶体管T20、T50关闭，数据信号Data提供的电压写入第一节点A’，由于此时第四薄膜晶体管T40的栅极和漏极短接，第四薄膜晶体管T40的栅极电压即第二节点B’的电压为Vth+VOLED+VSS，其中Vth为第四薄膜晶体管T40即驱动薄膜晶体管的阈值电压，VOLED为有机发光二极管D10的阈值电压，第四薄膜晶体管T40的源极电压为VOLED+VSS；在驱动发光阶段20，扫描信号Scan提供低电位，第一、及第三薄膜晶体管T10、T30关闭，发光信号Emit提供高电位，第二、及第五薄膜晶体管T20、T50打开，第一节点A’写入参考信号电压Vsus，为保证第一电容C10两端电压差不变，第二节点B’也即第四薄膜晶体管T40的栅极的电压变为Vth+VOLED+VSS-Vdata+Vsus，Vdata为数据信号Data提供的电压，第四薄膜晶体管T40的源极电压变为VOLED+VSS+ΔV，ΔV为数据信号Data对第四薄膜晶体管T40的源极的电压产生的影响，第四薄膜晶体管T40导通，有机发光二极管D10发光，计算流经有机发光二极管D10的电流的公式为：
I＝1/2Cox(μW/L)(Vgs－Vth)2 (1)
其中I为流经有机发光二极管D10的电流、μ为驱动薄膜晶体管的载流子迁移率、W和L分别为驱动薄膜晶体管的沟道的宽度和长度、Vgs为驱动薄膜晶体管的栅极与源极之间的电压、Vth为驱动薄膜晶体管的阈值电压也即第四薄膜晶体管T40的阈值电压。
而Vgs＝Vth+VOLED+VSS-Vdata+Vsus-VOLED-VSS-ΔV
＝Vth-Vdata+Vsus-ΔV (2)
将(2)式代入(1)式得：
I＝1/2Cox(μW/L)(Vth-Vdata+Vsus-ΔV－Vth)2
＝1/2Cox(μW/L)(Vsus-Vdata-ΔV)2
可见流过有机发光二极管D10的电流与第四薄膜晶体管T40的阈值电压、有机发光二极管D10的阈值电压、及电源负电压VSS均无关，完成对阈值电压漂移的补偿。
通常在电路版图设计时，参考信号线或初始化信号线上的信号通过外围的集成电路(integrated circuit，IC)或柔性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)提供，提供参考信号或初始化信号的输入点通常位于面板的四个角，并且通常以单纯横向或纵向的连线方式进入面内，这种连线方式可能造成参考信号或初始化信号在导线传输过程中的损耗，亦即，面板中央所接收到的参考信号或初始化信号值会小于面板边缘所接收到的对应信号，且导线的阻抗越大差异值越大，会影响面板的补偿效果；同时，这种布线方式增加了面板中的走线数量，容易引起导线间的短路，导致整个面板失去补偿效果。
发明内容
本发明的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路，能够在补偿阈值电压漂移的同时，减少参考信号在面板传输过程中的损耗，使面板边缘的补偿效果与面板中央的补偿效果保持一致，减少面板内部的布线，降低制程中可能的短路几率，提高面板良率。
本发明的另一目的在于提供一种AMOLED像素驱动方法，能够对阈值电压的漂移进行有效补偿，同时减少参考信号在面板传输过程中的损耗，使面板边缘的补偿效果与面板中央的补偿效果保持一致，提高面板良率。
为实现上述目的，本发明首先提供一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容、及有机发光二极管；
第一薄膜晶体管的栅极接入扫描信号，源极接入数据信号，漏极电性连接第一节点；
第二薄膜晶体管的栅极接入发光信号，源极电性连接第六薄膜晶体管的源极，漏极电性连接第一节点；
第三薄膜晶体管的栅极接入扫描信号，源极电性连接第三节点，漏极电性连接第二节点；
第四薄膜晶体管的栅极电性连接第二节点，源极电性连接有机发光二极管的阳极，漏极电性连接第三节点；
第五薄膜晶体管的栅极接入发光信号，源极接入电源正电压，漏极电性连接第三节点；
第六薄膜晶体管的栅极与漏极短接，均接入电源正电压，源极电性连接第二薄膜晶体管的源极；
第一电容的一端电性连接第一节点，另一端电性连接第二节点；
有机发光二极管的阳极电性连接第四薄膜晶体管的源极，阴极接入电源负电压。
所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、及第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
所述扫描信号、及发光信号均通过外部时序控制器提供。
所述AMOLED像素驱动电路的驱动时序依次包括：编程阶段、及驱动发光阶段；
在所述编程阶段，所述扫描信号提供高电位，所述发光信号提供低电位；
在所述驱动发光阶段，所述扫描信号提供低电位，所述发光信号提供高电位，所述第六薄膜晶体管向第一节点提供参考信号电压VDD-Vth6，其中VDD为电源正电压，Vth6为第六薄膜晶体管的阈值电压。
第六薄膜晶体管的沟道宽长比越小，其阈值电压越大。
本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路；
所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容、及有机发光二极管；
第一薄膜晶体管的栅极接入扫描信号，源极接入数据信号，漏极电性连接第一节点；
第二薄膜晶体管的栅极接入发光信号，源极电性连接第六薄膜晶体管的源极，漏极电性连接第一节点；
第三薄膜晶体管的栅极接入扫描信号，源极电性连接第三节点，漏极电性连接第二节点；
第四薄膜晶体管的栅极电性连接第二节点，源极电性连接有机发光二极管的阳极，漏极电性连接第三节点；
第五薄膜晶体管的栅极接入发光信号，源极接入电源正电压，漏极电性连接第三节点；
第六薄膜晶体管的栅极与漏极短接，均接入电源正电压，源极电性连接第二薄膜晶体管的源极；
第一电容的一端电性连接第一节点，另一端电性连接第二节点；
有机发光二极管的阳极电性连接第四薄膜晶体管的源极，阴极接入电源负电压；
步骤2、进入编程阶段；
所述扫描信号提供高电位，第一、及第三薄膜晶体管打开，所述发光信号提供低电位，第二、及第五薄膜晶体管关闭，第一节点写入数据信号提供的电压，导通的第三薄膜晶体管短接第四薄膜晶体管的栅极与漏极，第二节点即第四薄膜晶体管的栅极的电压达到Vth4+VOLED+VSS，其中Vth4为第四薄膜晶体管的阈值电压，VOLED为有机发光二极管的阈值电压，VSS为电源负电压，第四薄膜晶体管的源极电压达到VOLED+VSS；
步骤3、进入驱动发光阶段；
所述扫描信号提供低电位，第一、及第三薄膜晶体管关闭，所述发光信号提供高电位，第二、及第五薄膜晶体管打开，第六薄膜晶体管向第一节点提供参考信号电压VDD-Vth6，其中VDD为电源正电压，Vth6为第六薄膜晶体管的阈值电压；为保证第一电容两端电压差不变，第二节点的电压变为Vth4+VOLED+VSS-Vdata+VDD-Vth6，其中Vdata为数据信号提供的电压，第四薄膜晶体管的源极电压变为VOLED+VSS+ΔV，ΔV为数据信号提供的电压对第四薄膜晶体管的源极电压产生的影响，第四薄膜晶体管导通，有机发光二极管发光，且流经有机发光二极管的电流与所述第四薄膜晶体管的阈值电压、有机发光二极管的阈值电压、及电源负电压均无关。
所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、及第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
所述扫描信号、及发光信号均通过外部时序控制器提供。
本发明的有益效果：本发明提供的一种AMOLED像素驱动电路，采用6T1C结构，其中第六薄膜晶体管的栅极与漏极短接，均接入电源正电压，形成二极管，将第六薄膜晶体管源极输出的电压即电源正电压与第六薄膜晶体管阈值电压的差值作为参考信号电压，在驱动发光阶段写入第一节点，以完成对第四薄膜晶体管即驱动薄膜晶体管阈值电压漂移的补偿，无需单独设置参考信号电压，该AMOLED像素驱动电路应用于显示面板时，参考信号电压的输入点的数量增加，能够降低参考信号在传输过程中的损耗，保证阈值电压补偿效果，同时减少面板内部的布线数量，降低制程中可能的短路几率，可有效提升面板良率。本发明提供的一种AMOLED像素驱动方法，能够对阈值电压的漂移进行有效补偿，同时减少参考信号在面板传输过程中的损耗，使面板边缘的补偿效果与面板中央的补偿效果保持一致，提高面板良率。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为一种现有的5T1C的AMOLED像素驱动电路的电路图；
图2为图1所示的AMOLED像素驱动电路的时序图；
图3为本发明的AMOLED像素驱动电路的电路图；
图4为本发明的AMOLED像素驱动电路的时序图；
图5为本发明的AMOLED像素驱动方法的步骤2的示意图；
图6为本发明的AMOLED像素驱动方法的步骤3的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图3及图4，本发明提供一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第一电容C1、及有机发光二极管D1。
第一薄膜晶体管T1的栅极接入扫描信号Scan，源极接入数据信号Data，漏极电性连接第一节点A；第二薄膜晶体管T2的栅极接入发光信号Emit，源极电性连接第六薄膜晶体管T6的源极，漏极电性连接第一节点A；第三薄膜晶体管T3的栅极接入扫描信号Scan，源极电性连接第三节点C，漏极电性连接第二节点B；第四薄膜晶体管T4的栅极电性连接第二节点B，源极电性连接有机发光二极管D1的阳极，漏极电性连接第三节点C，该第四薄膜晶体管T4为驱动薄膜晶体管，用于驱动机发光二极管D1；第五薄膜晶体管T5的栅极接入发光信号Emit，源极接入电源正电压VDD，漏极电性连接第三节点C；第六薄膜晶体管T6的栅极与漏极短接，均接入电源正电压VDD，源极电性连接第二薄膜晶体管T2的源极；第一电容C1的一端电性连接第一节点A，另一端电性连接第二节点B；有机发光二极管D1的阳极电性连接第四薄膜晶体管T4的源极，阴极接入电源负电压VSS。
具体地，所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、及第六薄膜晶体管T6均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
具体地，所述扫描信号Scan、及发光信号Emit均通过外部时序控制器提供。
具体地，所述AMOLED像素驱动电路的驱动时序依次包括：编程阶段1、及驱动发光阶段2。
进一步地，在所述编程阶段1，所述扫描信号Scan提供高电位，所述发光信号Emit提供低电位；在所述驱动发光阶段2，所述扫描信号Scan提供低电位，所述发光信号Emit提供高电位。
请结合图1及图2，本发明的AMOLED像素驱动电路的工作过程如下：
在编程阶段1，所述扫描信号Scan提供高电位，第一、及第三薄膜晶体管T1、T3打开，所述发光信号Emit提供低电位，第二、及第五薄膜晶体管T2、T5关闭，第一节点A写入数据信号Data提供的电压，导通的第三薄膜晶体管T3短接第四薄膜晶体管T4的栅极与漏极，第二节点B也即第四薄膜晶体管T4的栅极的电压达到Vth4+VOLED+VSS，其中Vth4为第四薄膜晶体管T4的阈值电压，VOLED为有机发光二极管D1的阈值电压，VSS为电源负电压，第四薄膜晶体管T4的源极电压达到VOLED+VSS。
在驱动发光阶段2，所述扫描信号Scan提供低电位，第一、及第三薄膜晶体管T1、T3关闭，所述发光信号Emit提供高电位，第二、及第五薄膜晶体管T2、T5打开，第六薄膜晶体管T6向第一节点A也即第一电容C1的一端提供参考信号电压VDD-Vth6，其中VDD为电源正电压，Vth6为第六薄膜晶体管T6的阈值电压，为保证第一电容C1两端电压差不变，第二节点B也即第四薄膜晶体管T4的栅极的电压变为Vth4+VOLED+VSS-Vdata+VDD-Vth6，其中Vdata为数据信号Data提供的电压，第四薄膜晶体管T4的源极电压变为VOLED+VSS+ΔV，ΔV为数据信号Data提供的电压对第四薄膜晶体管T4的源极电压产生的影响，第四薄膜晶体管T4导通，有机发光二极管D1发光。
进一步地，已知计算流经有机发光二极管D1的电流的公式为：
I＝1/2Cox(μW/L)(Vgs－Vth)2 (3)
其中I为流经有机发光二极管D1的电流、μ为驱动薄膜晶体管的载流子迁移率、W和L分别为驱动薄膜晶体管的沟道的宽度和长度、Vgs为驱动薄膜晶体管的栅极与源极之间的电压、Vth为驱动薄膜晶体管的阈值电压也即第四薄膜晶体管T4的阈值电压Vth4；
而Vgs＝Vth4+VOLED+VSS-Vdata+VDD-Vth6-VOLED-VSS-ΔV
＝Vth4-Vdata+VDD-Vth6-ΔV (4)
将(4)式代入(3)式得：
I＝1/2Cox(μW/L)(Vth4-Vdata+VDD-Vth6-ΔV－Vth4)2
＝1/2Cox(μW/L)(VDD-Vth6-Vdata-ΔV)2
可见流经有机发光二极管D1的电流与所述第四薄膜晶体管T4的阈值电压、有机发光二极管D1的阈值电压、及电源负电压VSS均无关，保证了流过有机发光二极管D1的电流的稳定性，能够保证有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。
值得注意的是，所述第六薄膜晶体管T6的栅极与漏极短接，均接入电源正电压VDD，形成二极管，电源正电压VDD经过第六薄膜晶体管T6后会产生电压降，该电压降为第六薄膜晶体管T6的阈值电压，因此第六薄膜晶体管T6源极输出的电压值为VDD-Vth6，始终小于电源正电压VDD，可将其作为参考信号电压在驱动发光阶段写入第一节点A，以完成对第四薄膜晶体管T4即驱动薄膜晶体管阈值电压漂移的补偿，无需单独设置参考信号电压。该AMOLED像素驱动电路应用于显示面板时，参考信号电压的输入点的数量增加，能够降低参考信号在传输过程中的损耗，保证阈值电压补偿效果，同时减少面板内部的布线数量，降低制程中可能的短路几率，可有效提升面板良率。
进一步地，可通过改变电源正电压VDD的大小，或改变第六薄膜晶体管T6的阈值电压来调节第六薄膜晶体管T6源极输出的电压即参考信号电压。更进一步地，可通过改变第六薄膜晶体管T6的沟道宽长比的途径来改变第六薄膜晶体管T6的阈值电压，第六薄膜晶体管T6的沟道宽长比越小，其阈值电压越大。
请结合图3至图6，基于上述AMOLED像素驱动电路，本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路。
所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第一电容C1、及有机发光二极管D1。
第一薄膜晶体管T1的栅极接入扫描信号Scan，源极接入数据信号Data，漏极电性连接第一节点A；第二薄膜晶体管T2的栅极接入发光信号Emit，源极电性连接第六薄膜晶体管T6的源极，漏极电性连接第一节点A；第三薄膜晶体管T3的栅极接入扫描信号Scan，源极电性连接第三节点C，漏极电性连接第二节点B；第四薄膜晶体管T4的栅极电性连接第二节点B，源极电性连接有机发光二极管D1的阳极，漏极电性连接第三节点C，该第四薄膜晶体管T4为驱动薄膜晶体管，用于驱动机发光二极管D1；第五薄膜晶体管T5的栅极接入发光信号Emit，源极接入电源正电压VDD，漏极电性连接第三节点C；第六薄膜晶体管T6的栅极与漏极短接，均接入电源正电压VDD，源极电性连接第二薄膜晶体管T2的源极；第一电容C1的一端电性连接第一节点A，另一端电性连接第二节点B；有机发光二极管D1的阳极电性连接第四薄膜晶体管T4的源极，阴极接入电源负电压VSS。
具体地，所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、及第六薄膜晶体管T6均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
具体地，所述扫描信号Scan、及发光信号Emit均通过外部时序控制器提供。
步骤2、进入编程阶段1。
结合图4及图5，所述扫描信号Scan提供高电位，第一、及第三薄膜晶体管T1、T3打开，所述发光信号Emit提供低电位，第二、及第五薄膜晶体管T2、T5关闭，第一节点A写入数据信号Data提供的电压，导通的第三薄膜晶体管T3短接第四薄膜晶体管T4的栅极与漏极，第二节点B也即第四薄膜晶体管T4的栅极的电压达到Vth4+VOLED+VSS，其中Vth4为第四薄膜晶体管T4的阈值电压，VOLED为有机发光二极管D1的阈值电压，VSS为电源负电压，第四薄膜晶体管T4的源极电压达到VOLED+VSS。
步骤3、进入驱动发光阶段2。
结合图4及图6，所述扫描信号Scan提供低电位，第一、及第三薄膜晶体管T1、T3关闭，所述发光信号Emit提供高电位，第二、及第五薄膜晶体管T2、T5打开，第六薄膜晶体管T6向第一节点A也即第一电容C1的一端提供参考信号电压VDD-Vth6，其中VDD为电源正电压，Vth6为第六薄膜晶体管T6的阈值电压，为保证第一电容C1两端电压差不变，第二节点B也即第四薄膜晶体管T4的栅极的电压变为Vth4+VOLED+VSS-Vdata+VDD-Vth6，其中Vdata为数据信号Data提供的电压，第四薄膜晶体管T4的源极电压变为VOLED+VSS+ΔV，ΔV为数据信号Data提供的电压对第四薄膜晶体管T4的源极电压产生的影响，第四薄膜晶体管T4导通，有机发光二极管D1发光。
进一步地，已知计算流经有机发光二极管D1的电流的公式为：
I＝1/2Cox(μW/L)(Vgs－Vth)2 (3)
其中I为流经有机发光二极管D1的电流、μ为驱动薄膜晶体管的载流子迁移率、W和L分别为驱动薄膜晶体管的沟道的宽度和长度、Vgs为驱动薄膜晶体管的栅极与源极之间的电压、Vth为驱动薄膜晶体管的阈值电压也即第四薄膜晶体管T4的阈值电压Vth4；
而Vgs＝Vth4+VOLED+VSS-Vdata+VDD-Vth6-VOLED-VSS-ΔV
＝Vth4-Vdata+VDD-Vth6-ΔV (4)
将(4)式代入(3)式得：
I＝1/2Cox(μW/L)(Vth4-Vdata+VDD-Vth6-ΔV－Vth4)2
＝1/2Cox(μW/L)(VDD-Vth6-Vdata-ΔV)2
可见流经有机发光二极管D1的电流与所述第四薄膜晶体管T4的阈值电压、有机发光二极管D1的阈值电压、及电源负电压VSS均无关，保证了流过有机发光二极管D1的电流的稳定性，能够保证有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。
值得注意的是，所述第六薄膜晶体管T6的栅极与漏极短接，均接入电源正电压VDD，形成二极管，电源正电压VDD经过第六薄膜晶体管T6后会产生电压降，该电压降为第六薄膜晶体管T6的阈值电压，因此第六薄膜晶体管T6源极输出的电压值为VDD-Vth6，始终小于电源正电压VDD，可将其作为参考信号电压在驱动发光阶段写入第一节点A，以完成对第四薄膜晶体管T4即驱动薄膜晶体管阈值电压漂移的补偿，无需单独设置参考信号电压。所述AMOLED像素驱动电路应用于显示面板时，参考信号电压的输入点的数量增加，能够降低参考信号在传输过程中的损耗，保证阈值电压补偿效果，同时减少面板内部的布线数量，降低制程中可能的短路几率，可有效提升面板良率。
进一步地，可通过改变电源正电压VDD的大小，或改变第六薄膜晶体管T6的阈值电压来调节第六薄膜晶体管T6源极输出的电压即参考信号电压。更进一步地，可通过改变第六薄膜晶体管T6的沟道宽长比的途径来改变第六薄膜晶体管T6的阈值电压，第六薄膜晶体管T6的沟道宽长比越小，其阈值电压越大。
综上所述，本发明的AMOLED像素驱动电路，采用6T1C结构，其中第六薄膜晶体管的栅极与漏极短接，均接入电源正电压，形成二极管，将第六薄膜晶体管源极输出的电压即电源正电压与第六薄膜晶体管阈值电压的差值作为参考信号电压，在驱动发光阶段写入第一节点，以完成对第四薄膜晶体管即驱动薄膜晶体管阈值电压漂移的补偿，无需单独设置参考信号电压，该AMOLED像素驱动电路应用于显示面板时，参考信号电压的输入点的数量增加，能够降低参考信号在传输过程中的损耗，保证阈值电压补偿效果，同时减少面板内部的布线数量，降低制程中可能的短路几率，可有效提升面板良率。本发明提供的一种AMOLED像素驱动方法，能够对阈值电压的漂移进行有效补偿，同时减少参考信号在面板传输过程中的损耗，使面板边缘的补偿效果与面板中央的补偿效果保持一致，提高面板良率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
Claims (3)
1.一种AMOLED像素驱动方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路；
所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第一电容(C1)、及有机发光二极管(D1)；
第一薄膜晶体管(T1)的栅极接入扫描信号(Scan)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接第一节点(A)；
第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入发光信号(Emit)，源极电性连接第六薄膜晶体管(T6)的源极，漏极电性连接第一节点(A)；
第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入扫描信号(Scan)，源极电性连接第三节点(C)，漏极电性连接第二节点(B)；
第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接第二节点(B)，源极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极，漏极电性连接第三节点(C)；
第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入发光信号(Emit)，源极接入电源正电压(VDD)，漏极电性连接第三节点(C)；
第六薄膜晶体管(T6)的栅极与漏极短接，均接入电源正电压(VDD)，源极电性连接第二薄膜晶体管(T2)的源极；
第一电容(C1)的一端电性连接第一节点(A)，另一端电性连接第二节点(B)；
有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第四薄膜晶体管(T4)的源极，阴极接入电源负电压(VSS)；
步骤2、进入编程阶段(1)；
所述扫描信号(Scan)提供高电位，第一、及第三薄膜晶体管(T1、T3)打开，所述发光信号(Emit)提供低电位，第二、及第五薄膜晶体管(T2、T5)关闭，第一节点(A)写入数据信号(Data)提供的电压，导通的第三薄膜晶体管(T3)短接第四薄膜晶体管(T4)的栅极与漏极，第二节点(B)即第四薄膜晶体管(T4)的栅极的电压达到Vth4+VOLED+VSS，其中Vth4为第四薄膜晶体管(T4)的阈值电压，VOLED为有机发光二极管(D1)的阈值电压，VSS为电源负电压，第四薄膜晶体管(T4)的源极电压达到VOLED+VSS；
步骤3、进入驱动发光阶段(2)；
所述扫描信号(Scan)提供低电位，第一、及第三薄膜晶体管(T1、T3)关闭，所述发光信号(Emit)提供高电位，第二、及第五薄膜晶体管(T2、T5)打开，第六薄膜晶体管(T6)向第一节点(A)提供参考信号电压VDD-Vth6，其中VDD为电源正电压，Vth6为第六薄膜晶体管(T6)的阈值电压；为保证第一电容(C1)两端电压差不变，第二节点(B)的电压变为Vth4+VOLED+VSS-Vdata+VDD-Vth6，其中Vdata为数据信号(Data)提供的电压，第四薄膜晶体管(T4)的源极电压变为VOLED+VSS+ΔV，ΔV为数据信号(Data)提供的电压对第四薄膜晶体管(T4)的源极电压产生的影响，第四薄膜晶体管(T4)导通，有机发光二极管(D1)发光，且流经有机发光二极管(D1)的电流与所述第四薄膜晶体管(T4)的阈值电压、有机发光二极管(D1)的阈值电压、及电源负电压(VSS)均无关。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、及第六薄膜晶体管(T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述扫描信号(Scan)、及发光信号(Emit)均通过外部时序控制器提供。
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