CN111128813A - 一种μLED巨量转移方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种µLED巨量转移方法，首先利用光学胶将蓝膜上待转移的µLED芯片转移到临时转移基板上，然后采用超高分辨率发光点阵选择照射区域，即筛选欲转移的µLED芯片位置，有被光照的µLED芯片将与临时转移基板脱离，转移到驱动背板，没有被光照过的µLED芯片将继续留在临时转移基板，等待下一次的转移，从而实现批量的、有选择性的µLED芯片转移。
Description
技术领域
本发明涉及光电显示设计领域，特别是一种µLED巨量转移方法。
背景技术
µLED（也称为Micro-LED）显示是将传统的LED结构进行微小化，单个µLED芯片尺寸一般小于50微米，并与CMOS或TFT驱动电路结合，从而实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。µLED保留了传统LED在材料和器件上的优势，比如高亮度、高光效、长寿命、高对比度，以及纳秒级的响应时间等。同时，µLED采用半导体加工工艺进行制备，并且与IC工艺兼容，具有极高的器件加工精度和稳定性，可以实现超高解析度，便于与触觉、听觉、嗅觉等传感器集成，实现高精度空间定位和触觉感知、使更具真实感的AR、VR成为可能，它被认为是最具潜力的下一代显示技术，但是仍存在很多核心技术难点，比如巨量转移技术。
目前，已有一些巨量转移技术，如静电吸附、激光烧触、机械手拾取、多个基板转移等，虽然这些方法可以有效转移芯片，但同时也有一些问题，如成本高、效率低、良率低、检测和修复困难等。尤其是当需要有选择性的对某些像素进行批量转移时，一般采用扫描的方式进行选择，效率低且需要复杂的精密机械系统或振镜等扫描系统。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提出一种µLED巨量转移方法，可以选择性批量转移像素，减少传统激光扫描时间，为µLED的巨量转移和图形化提供了新思路。
本发明采用以下方案实现：一种µLED巨量转移方法，包括以下步骤：
步骤S1：将待转移的µLED芯片按预设的间距有序排布成µLED芯片阵列；令设置有接触电极一面作为所述µLED阵列的第一表面，该第一表面贴附于蓝膜上，另一面作为所述µLED阵列的第二表面；具体为：提供一透明临时转移基板，利用涂胶模块在基板一面均匀涂覆一层光学减黏胶；提供一待转移的µLED芯片阵列，µLED芯片按一定间距呈有序排布，所述µLED芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设置有接触电极，且贴附于蓝膜上；
步骤S2：令µLED芯片阵列的第二表面通过光学减黏胶固化于一转移基板上，并撕下蓝膜；具体为：将贴附有µLED芯片阵列的蓝膜放置于载物平台，µLED芯片第二表面朝上，使µLED芯片放置水平，将透明临时转移基板设置有光学减黏胶的一面朝下，与µLED芯片第二表面接触压平，并加热使光学减黏胶固化；撕下蓝膜，µLED芯片转移到临时转移基板上；
步骤S3：令转移基板带有µLED阵列的一面与驱动背板对准压合，使得阵列中的µLED芯片与驱动背板上的像素一一对应，并令µLED阵列上的电极与驱动背板的电极粘合；具体为：提供一驱动背板，将驱动背板设置有像素电极的一面朝上放置于可加热载物平台并调平；将得到的临时转移基板设置有µLED芯片的一面朝下，经过精确对位后压合，驱动背板电极与µLED芯片电极通过一定方式粘合在一起；
步骤S4：在转移基板没有µLED阵列的一面放置发光点阵列，令发光点阵列中的发光点与µLED阵列中的μLED对应设置；根据所需转移的µLED芯片位置，选择相应的发光点将其点亮，使对应位置的减黏胶在光照作用下黏度减弱；具体为：
步骤S5：将转移基板与驱动背板分离，步骤S4中被光照的µLED芯片将与转移基板脱离，转移到驱动背板上，没有被光照过的µLED芯片将继续留在转移基板，等待下一次的转移，从而实现批量的、有选择性的µLED芯片转移；
步骤S6：重复步骤S3至步骤S5，直至驱动背板上的所有像素都转移有μLED芯片；
步骤S7：对转移有μLED芯片的驱动背板进行加热加压，使驱动背板电极与μLED芯片电极金属键合在一起。
进一步地，所述发光点阵列为超高分辨率发光点阵，由具有超小尺寸和超小间距的有序排列发光点组成，包括µLED发光点阵或Micro-OLED发光点阵，每个发光点能够独立控制点亮和熄灭。
进一步地，所述待转移的µLED芯片尺寸大于等于发光点尺寸，且一个µLED芯片对应发光点阵列中一个以上的发光点。
进一步地，所述驱动背板包括TFT驱动背板或CMOS驱动背板，驱动背板上的像素间距和μLED芯片间距相同或成倍数关系，驱动电路像素与µLED芯片一一对应。
进一步地，所述减黏胶在热固化后、光照前对µLED芯片的黏合力大于蓝膜对µLED芯片的黏合力，在光照后的黏性减小，且其对µLED芯片的黏合力小于驱动背板电极与µLED芯片电极的黏合力。
本发明还提供了一种µLED巨量转移方法，包括以下步骤：
步骤S1：将待转移的µLED芯片按预设的间距有序排布成µLED芯片阵列；令设置有接触电极一面作为所述µLED阵列的第一表面，该第一表面贴附于蓝膜上，另一面作为所述µLED阵列的第二表面；具体为：提供一透明临时转移基板，利用涂胶模块在基板一面均匀涂覆一层光学减黏胶；提供一待转移的µLED芯片阵列，按一定间距呈有序排布，所述µLED芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设置有接触电极，且贴附于蓝膜上；
步骤S2：令µLED芯片阵列的第二表面通过光学减黏胶固化于一转移基板上，并撕下蓝膜；具体为：将贴附有µLED芯片阵列的蓝膜放置于载物平台，µLED芯片第二表面朝上，使µLED芯片放置水平，将透明临时转移基板设置有光学减黏胶的一面朝下，与µLED芯片第二表面接触压平，并加热使光学减黏胶固化；撕下蓝膜，µLED芯片转移到临时转移基板上；
步骤S3：将转移模板stamp放置于转移基板带有µLED阵列的一面上，使得阵列中的µLED芯片与转移模板stamp上的微米柱子一一对应；具体为：将得到的将临时转移基板经过精确对位后放置于超高分辨率发光点阵上，设置有µLED芯片的一面朝上；提供一转移模板（stamp），经过精确对位后，将stamp放置于临时转移基板上的µLED芯片；
步骤S4：在转移基板没有µLED阵列的一面放置发光点阵列，令发光点阵列中的发光点与µLED阵列中的μLED对应设置；根据所需转移的µLED芯片位置，选择相应的发光点将其点亮，使对应位置的减黏胶在光照作用下黏度减弱，对应的μLED芯片被转移模版stamp上的对应微米柱子拾起；
步骤S5：将转移模板stamp与转移基板分离，步骤S4中被光照的µLED芯片将与转移基板脱离，转移到转移模板stamp上，没有被光照过的µLED芯片将继续留在转移基板，等待下一次的转移；
步骤S6：将拾有μLED芯片的转移模板stamp拾起的μLED芯片对准放置于驱动背板的相应像素上，并令驱动背板电极与µLED芯片电极粘合；具体为：提供一驱动背板，将驱动背板设置有像素电极的一面朝上放置于可加热载物平台并调平，将stamp捡起的µLED芯片对准放置于驱动背板相应像素上，驱动背板电极与µLED芯片电极通过一定方式粘合在一起，stamp捡起的µLED芯片放置转移到驱动背板上；
步骤S7：重复步骤S3至步骤S6，直至驱动背板上的所有像素都转移有μLED芯片；
步骤S8：对转移有μLED芯片的驱动背板进行加热加压，使驱动背板电极与μLED芯片电极键合在一起。
进一步地，所述发光点阵列为超高分辨率发光点阵，由具有超小尺寸和超小间距的有序排列发光点组成，包括µLED发光点阵或Micro-OLED发光点阵，每个发光点能够独立控制点亮和熄灭。
进一步地，所述待转移的µLED芯片尺寸大于等于发光点尺寸，且一个µLED芯片对应发光点阵列中一个以上的发光点。
进一步地，所述驱动背板包括TFT驱动背板或CMOS驱动背板，驱动背板上的像素间距和μLED芯片间距相同或成倍数关系，驱动电路像素与µLED芯片一一对应。
进一步地，所述减黏胶在热固化后、光照前对µLED芯片的黏合力大于蓝膜对µLED芯片的黏合力，在光照后的黏性减小，且其对µLED芯片的黏合力小于转移模版stamp上微米柱子与µLED芯片电极的拾合力。
上述方法的实现可以基于一系统，该系统包括可加热载物平台、高精密四维位移系统、高精度对位系统、调平系统、超高分辨率发光点阵、涂胶模块和压接模块。
其中可加热载物平台用以承载器件，或给放置其上方的器件进行加热，例如加热放置于其上方的转移基板，令光学减黏胶固化，将μLED芯片阵列固定与转移基板上；或者例如加热放置于其上方的驱动背板，使得驱动背板电机与μLED芯片电极通过金属键合在一起。
其中高精密四维位移系统与高精密四维位移系统用以配合完成方法中的各种对准操作。
其中调平系统用以将器件调整为水平放置状态，以实现更好的对准效果。
其中涂胶模块用以在转移基板上涂覆光学减黏胶，压接模块用以对两个器件进行压合操作，例如在将转移基板上的μLED芯片转移至驱动背板时，将转移基板与驱动背板对应压合。
与现有技术相比，本发明有以下有益效果：采用本发明的方法，无需扫描，采用可寻址超高分辨率发光点阵将所需转移µLED芯片一次性进行转移，操作简便、转移速度快，且可以有选择性地转移所需芯片，为µLED的巨量转移提供了一种新思路。
附图说明
图1为本发明实施例一的方法的过程示意图。
图2为本发明实施例一的方法的结果示意图。
图3为本发明采用实施例一方法转移RGB三基色µLED到同一驱动背板上的转移过程一（转移蓝色μLED芯片）。
图4为本发明采用实施例一方法转移RGB三基色µLED到同一驱动背板上的转移过程二（转移绿色μLED芯片）。
图5为本发明采用实施例一方法转移RGB三基色µLED到同一驱动背板上的转移过程三（转移红色μLED芯片）。
图6为本发明实施例二的方法过程示意图一。
图7为本发明实施例二的方法过程示意图二。
图8为本发明实施例三的方法过程示意图。
图中，01：驱动背板；02：待转移的蓝色µLED阵列；03：感光胶（光学减黏胶）；04：玻璃基板（移动基板）；05：超高分辨率发光阵列；06：超高分辨率发光阵列的驱动电路；07：金属凸点；08：PDMS stamp（转移模板）；09：绿色µLED阵列；10：红色µLED阵列；11：OLED面板上的绿色像素点；:12：OLED面板上的红色像素点；13：OLED面板上的巯基，用于金属-金属间的连接；14：OLED驱动背板，15：可加热载物平台。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明做进一步说明。
应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
如图1-8所示，本实施例首先利用光学胶03将蓝膜上待转移的µLED芯片02转移到临时转移基板04上，然后采用超高分辨率发光点阵05选择照射区域，即筛选欲转移的µLED芯片位置，有被光照的µLED芯片将与临时转移基板脱离，转移到驱动背板01，没有被光照过的µLED芯片将继续留在临时转移基板，等待下一次的转移，从而实现批量的、有选择性的µLED芯片转移；另外，根据使用需求，从临时转移基板到驱动背板上的转移方式提供了直接转移（实施例一）和stamp转移（实施例二）两种方式，均可实现µLED的图形化巨量转移。在以下实施例中，所述移动基板为玻璃；采用UV照射减黏胶作为光学减黏胶；所述超高分辨发光阵列为小尺寸小间距的UV-micro LED阵列，像素大小为10μm，间距为15μm ；所述待转移的µLED为GaN µLED阵列，像素大小为40μm，间距为60μm，所述键合方式为金属热键合。上述方法的实现可以基于一系统，该系统包括可加热载物平台、高精密四维位移系统、高精度对位系统、调平系统、超高分辨率发光点阵、涂胶模块和压接模块。其中可加热载物平台用以承载器件，或给放置其上方的器件进行加热，例如加热放置于其上方的转移基板，令光学减黏胶固化，将μLED芯片阵列固定与转移基板上；或者例如加热放置于其上方的驱动背板，使得驱动背板电机与μLED芯片电极通过金属键合在一起。其中高精密四维位移系统与高精密四维位移系统用以配合完成方法中的各种对准操作。其中调平系统用以将器件调整为水平放置状态，以实现更好的对准效果。其中涂胶模块用以在转移基板上涂覆光学减黏胶，压接模块用以对两个器件进行压合操作，例如在将转移基板上的μLED芯片转移至驱动背板时，将转移基板与驱动背板对应压合。
实施例一（超高分辨率发光点阵的发光面朝下，直接转移）。
本实施例提供了一种µLED巨量转移方法，包括以下步骤：
步骤S1：将待转移的µLED芯片按预设的间距有序排布成µLED芯片阵列；令设置有接触电极一面作为所述µLED阵列的第一表面，该第一表面贴附于蓝膜上，另一面作为所述µLED阵列的第二表面；具体为：提供一透明临时转移基板，利用涂胶模块在基板一面均匀涂覆一层光学减黏胶；提供一待转移的µLED芯片阵列，µLED芯片按一定间距呈有序排布，所述µLED芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设置有接触电极，且贴附于蓝膜上；
步骤S2：令µLED芯片阵列的第二表面通过光学减黏胶固化于一转移基板上，并撕下蓝膜；具体为：将贴附有µLED芯片阵列的蓝膜放置于载物平台，µLED芯片第二表面朝上，使µLED芯片放置水平，将透明临时转移基板设置有光学减黏胶的一面朝下，与µLED芯片第二表面接触压平，并加热使光学减黏胶固化；撕下蓝膜，µLED芯片转移到临时转移基板上；
步骤S3：令转移基板带有µLED阵列的一面与驱动背板对准压合，使得阵列中的µLED芯片与驱动背板上的像素一一对应，并令µLED阵列上的电极与驱动背板的电极粘合；具体为：提供一驱动背板，将驱动背板设置有像素电极的一面朝上放置于可加热载物平台并调平；将得到的临时转移基板设置有µLED芯片的一面朝下，经过精确对位后压合，驱动背板电极与µLED芯片电极通过一定方式粘合在一起；
步骤S4：在转移基板没有µLED阵列的一面放置发光点阵列，令发光点阵列中的发光点与µLED阵列中的μLED对应设置；根据所需转移的µLED芯片位置，选择相应的发光点将其点亮，使对应位置的减黏胶在光照作用下黏度减弱；具体为：
步骤S5：将转移基板与驱动背板分离，步骤S4中被光照的µLED芯片将与转移基板脱离，转移到驱动背板上，没有被光照过的µLED芯片将继续留在转移基板，等待下一次的转移，从而实现批量的、有选择性的µLED芯片转移；
步骤S6：重复步骤S3至步骤S5，直至驱动背板上的所有像素都转移有μLED芯片；
步骤S7：对转移有μLED芯片的驱动背板进行加热加压，使驱动背板电极与μLED芯片电极金属键合在一起。
如图1以及图2所示，本实施例的上述步骤具体表现为：
（一）利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）制备GaN LED，并切割成像素大小为40μm，间距为60μm的µLED阵列02，将其有序地排列在蓝膜上，且设置有接触电极的第一表面与蓝膜接触，并将贴附有µLED芯片阵列的蓝膜放置于载物平台，芯片的第二表面朝上，通过调平系统使µLED芯片放置水平；
（二）取一玻璃04作为临时转移基板，利用涂胶模块在其上均匀涂覆UV照射减黏胶03，然后将玻璃基板设置有光学减黏胶的一面朝下，与µLED芯片02第二表面接触压平，并采用90℃加热10分钟使光学减黏胶03固化，最后撕下蓝膜，使得µLED芯片02转移到玻璃基板04上；
（三）取一制备好的驱动背板01，在其上做金凸点07，并将驱动背板设置有像素电极的一面朝上放置于可加热载物平台15上，调平；
（四）将步骤（二）得到的玻璃基板04设置有µLED芯片02的一面朝下，经过高精密四维位移系统和高精度对位系统精确对位后压合，驱动背板01电极与µLED芯片电极通过一定方式粘合在一起；
（五）控制UV-micro LED 05上的发光像素，欲转移的µLED 02所对应的位置为亮，不转移的对应位置为暗，UV-micro LED 05的单个像素大小为10μm，间距为15μm，即3个UV-microLED像素对应一个µLED芯片；
（六）将UV-micro LED 05点亮一段时间，UV减黏胶03在无氧或惰性气体环境下受到光照黏度会减弱，根据减黏胶03的厚度、感光程度及UV LED的光强决定照射时间，在5-20min之间；
（七）照射结束后，受照射的减黏胶03黏性大大减弱，将玻璃基板与驱动背板分离，有被光照的µLED芯片02将与玻璃基板04脱离，转移到驱动背板01上，没有被光照过的µLED芯片02将继续留在玻璃基板04，等待下一次的转移；
（八）重复步骤（四）至步骤（七），在驱动背板01上的所有像素位置转移µLED芯片；
（九）对转移有µLED芯片的驱动背板01进行加热加压，使驱动背板电极与µLED芯片02电极通过金属键合在一起。
图3至图5为采用实施例一方法转移RGB三基色µLED到同一驱动背板上的转移过程。其中图3为转移蓝色μLED芯片，图4为转移绿色μLED芯片，图5为转移最后的红色μLED芯片。
在本实施例中，所述发光点阵列为超高分辨率发光点阵，由具有超小尺寸和超小间距的有序排列发光点组成，包括µLED发光点阵或Micro-OLED发光点阵，每个发光点能够独立控制点亮和熄灭。
在本实施例中，所述待转移的µLED芯片尺寸大于等于发光点尺寸，且一个µLED芯片对应发光点阵列中一个以上的发光点。
在本实施例中，所述驱动背板包括TFT驱动背板或CMOS驱动背板，驱动背板上的像素间距和μLED芯片间距相同或成倍数关系，驱动电路像素与µLED芯片一一对应。
在本实施例中，所述减黏胶在热固化后、光照前对µLED芯片的黏合力大于蓝膜对µLED芯片的黏合力，在光照后的黏性减小，且其对µLED芯片的黏合力小于驱动背板电极与µLED芯片电极的黏合力。
实施例二（超高分辨率发光点阵的发光面朝上，stamp转移）。
本实施例提供了一种µLED巨量转移方法，包括以下步骤：
步骤S1：将待转移的µLED芯片按预设的间距有序排布成µLED芯片阵列；令设置有接触电极一面作为所述µLED阵列的第一表面，该第一表面贴附于蓝膜上，另一面作为所述µLED阵列的第二表面；具体为：提供一透明临时转移基板，利用涂胶模块在基板一面均匀涂覆一层光学减黏胶；提供一待转移的µLED芯片阵列，按一定间距呈有序排布，所述µLED芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设置有接触电极，且贴附于蓝膜上；
步骤S2：令µLED芯片阵列的第二表面通过光学减黏胶固化于一转移基板上，并撕下蓝膜；具体为：将贴附有µLED芯片阵列的蓝膜放置于载物平台，µLED芯片第二表面朝上，使µLED芯片放置水平，将透明临时转移基板设置有光学减黏胶的一面朝下，与µLED芯片第二表面接触压平，并加热使光学减黏胶固化；撕下蓝膜，µLED芯片转移到临时转移基板上；
步骤S3：将转移模板stamp放置于转移基板带有µLED阵列的一面上，使得阵列中的µLED芯片与转移模板stamp上的微米柱子一一对应；具体为：将得到的将临时转移基板经过精确对位后放置于超高分辨率发光点阵上，设置有µLED芯片的一面朝上；提供一转移模板（stamp），经过精确对位后，将stamp放置于临时转移基板上的µLED芯片；
步骤S4：在转移基板没有µLED阵列的一面放置发光点阵列，令发光点阵列中的发光点与µLED阵列中的μLED对应设置；根据所需转移的µLED芯片位置，选择相应的发光点将其点亮，使对应位置的减黏胶在光照作用下黏度减弱，对应的μLED芯片被转移模版stamp上的对应微米柱子拾起；
步骤S5：将转移模板stamp与转移基板分离，步骤S4中被光照的µLED芯片将与转移基板脱离，转移到转移模板stamp上，没有被光照过的µLED芯片将继续留在转移基板，等待下一次的转移；
步骤S6：将拾有μLED芯片的转移模板stamp拾起的μLED芯片对准放置于驱动背板的相应像素上，并令驱动背板电极与µLED芯片电极粘合；具体为：提供一驱动背板，将驱动背板设置有像素电极的一面朝上放置于可加热载物平台并调平，将stamp捡起的µLED芯片对准放置于驱动背板相应像素上，驱动背板电极与µLED芯片电极通过一定方式粘合在一起，stamp捡起的µLED芯片放置转移到驱动背板上；
步骤S7：重复步骤S3至步骤S6，直至驱动背板上的所有像素都转移有μLED芯片；
步骤S8：对转移有μLED芯片的驱动背板进行加热加压，使驱动背板电极与μLED芯片电极键合在一起。
如图2以及图3所示，本实施例的上述步骤具体表现为：
（一）利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）制备GaN LED，并切割成像素大小为40μm，间距为60μm的µLED阵列02，将其有序地排列在蓝膜上，且设置有接触电极的第一表面与蓝膜接触，并将贴附有µLED芯片阵列的蓝膜放置于载物平台，芯片的第二表面朝上，通过调平系统使µLED芯片02放置水平；
（二）取一玻璃04作为临时转移基板，利用涂胶模块在其上均匀涂覆UV照射减黏胶03，然后将玻璃基板04设置有光学减黏胶03的一面朝下，与µLED芯片02第二表面接触压平，并采用90℃加热10分钟使光学减黏胶03固化，最后撕下蓝膜，使得µLED芯片02转移到玻璃基板04上；
（三）采用软光刻方法制备图形化转移stamp，即先用光刻方式制备图案化母版，然后在其上浇筑PDMS（10:1），加热固化，揭下，完成PDMS stamp 08的制备；
（四）在高精密四维位移系统和高精度对位系统平台上由下而上依次放置超高分辨率发光点阵05、带有µLED待转移芯片02的玻璃基板04和PDMS stamp 08，并进行精确对位，如图6所示；
（五）控制UV-micro LED 05上的发光像素，欲转移的µLED 02所对应的位置为亮，不转移的对应位置为暗，UV-micro LED 05的单个像素大小为10μm，间距为15μm，即3个UV-microLED像素对应一个µLED芯片；
（六）将UV-micro LED 05点亮一段时间，UV减黏胶03在无氧或惰性气体环境下受到光照黏度会减弱，根据减黏胶03的厚度、感光程度及UV LED的光强决定照射时间，在5-20min之间；
（七）照射结束后，受照射的减黏胶03黏性大大减弱，将PDMS stamp 08与玻璃基板04分离，有被光照的µLED芯片02将与玻璃基板04脱离，被stamp对应微米柱子拾起，转移到stamp上（如图7所示），没有被光照过的µLED芯片将继续留在临时转移基板，等待下一次的转移；
（八）取一制备好的驱动背板01，在其上做金凸点07，并将驱动背板设置有像素电极的一面朝上放置于可加热载物平台15上，调平；
（九）将stamp 08拾起的µLED芯片02经过高精密四维位移系统和高精度对准后放置于驱动背板01相应像素位置上，驱动背板电极与µLED芯片电极通过一定方式粘合在一起；
（十）重复步骤（四）-步骤（九）的拾取和放置过程，在驱动背板上的所有像素位置转移µLED芯片；
（十一）对转移有µLED芯片的驱动背板进行加热加压，使驱动背板电极与µLED芯片电极通过金属键合在一起。
在本实施例中，所述发光点阵列为超高分辨率发光点阵，由具有超小尺寸和超小间距的有序排列发光点组成，包括µLED发光点阵或Micro-OLED发光点阵，每个发光点能够独立控制点亮和熄灭。
在本实施例中，所述待转移的µLED芯片尺寸大于等于发光点尺寸，且一个µLED芯片对应发光点阵列中一个以上的发光点。
在本实施例中，所述驱动背板包括TFT驱动背板或CMOS驱动背板，驱动背板上的像素间距和μLED芯片间距相同或成倍数关系，驱动电路像素与µLED芯片一一对应。
在本实施例中，所述减黏胶在热固化后、光照前对µLED芯片的黏合力大于蓝膜对µLED芯片的黏合力，在光照后的黏性减小，且其对µLED芯片的黏合力小于转移模版stamp上微米柱子与µLED芯片电极的拾合力。
实施例三（蓝光µLED与红绿OLED结合）。
如图8所示，本实施例提供了一种利用stamp拾起µLED芯片并将其转移到OLED驱动背板的转移过程。包括以下步骤：
（一）取一制备了红色像素12和绿色像素11的OLED面板，在面板上预留蓝色像素位置，同时留有金属接触点，并做相关处理使其表面带有巯基13，用于金属-金属间的连接；
（二）利用stamp 08拾取所需位置的蓝色µLED 02，操作方式和过程同具体实施例二，此处不再赘述；
（三）将stamp拾起的µLED芯片经过高精密四维位移系统和高精度对准后放置于OLED驱动背板相应像素位置上，驱动背板电极与µLED芯片电极通过一定方式粘合在一起；
（四）重复stamp拾取和放置过程，在驱动背板上的所有像素位置转移µLED芯片；
（五）对转移有µLED芯片的驱动背板14进行加热加压，使OLED驱动背板电极与µLED芯片电极通过金属键合在一起，实现蓝光µLED与红绿OLED的结合。
本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质（包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等）上实施的计算机程序产品的形式。
本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备（系统）、和计算机程序产品的流程图和／或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和／或方框图中的每一流程和／或方框、以及流程图和／或方框图中的流程和／或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非是对本发明作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本发明技术方案内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (10)
1.一种µLED巨量转移方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：将待转移的µLED芯片按预设的间距有序排布成µLED芯片阵列；令设置有接触电极一面作为所述µLED阵列的第一表面，该第一表面贴附于蓝膜上，另一面作为所述µLED阵列的第二表面；
步骤S2：令µLED芯片阵列的第二表面通过光学减黏胶固化于一转移基板上，并撕下蓝膜；
步骤S3：令转移基板带有µLED阵列的一面与驱动背板对准压合，使得阵列中的µLED芯片与驱动背板上的像素一一对应，并令µLED阵列上的电极与驱动背板的电极粘合；
步骤S4：在转移基板没有µLED阵列的一面放置发光点阵列，令发光点阵列中的发光点与µLED阵列中的μLED对应设置；根据所需转移的µLED芯片位置，选择相应的发光点将其点亮，使对应位置的减黏胶在光照作用下黏度减弱；
步骤S5：将转移基板与驱动背板分离，步骤S4中被光照的µLED芯片将与转移基板脱离，转移到驱动背板上，没有被光照过的µLED芯片将继续留在转移基板，等待下一次的转移；
步骤S6：重复步骤S3至步骤S5，直至驱动背板上的所有像素都转移有μLED芯片；
步骤S7：对转移有μLED芯片的驱动背板进行加热加压，使驱动背板电极与μLED芯片电极键合在一起。
2.根据权利要求1所述的一种µLED巨量转移方法，其特征在于，所述发光点阵列包括µLED发光点阵或Micro-OLED发光点阵，每个发光点能够独立控制点亮和熄灭。
3.根据权利要求1所述的一种µLED巨量转移方法，其特征在于，所述待转移的µLED芯片尺寸大于等于发光点尺寸，且一个µLED芯片对应发光点阵列中一个以上的发光点。
4.根据权利要求1所述的一种µLED巨量转移方法，其特征在于，所述驱动背板包括TFT驱动背板或CMOS驱动背板，驱动背板上的像素间距和μLED芯片间距相同或成倍数关系。
5.根据权利要求1所述的一种µLED巨量转移方法，其特征在于，所述减黏胶在热固化后、光照前对µLED芯片的黏合力大于蓝膜对µLED芯片的黏合力，在光照后的黏性减小，且其对µLED芯片的黏合力小于驱动背板电极与µLED芯片电极的黏合力。
6.一种µLED巨量转移方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：将待转移的µLED芯片按预设的间距有序排布成µLED芯片阵列；令设置有接触电极一面作为所述µLED阵列的第一表面，该第一表面贴附于蓝膜上，另一面作为所述µLED阵列的第二表面；
步骤S2：令µLED芯片阵列的第二表面通过光学减黏胶固化于一转移基板上，并撕下蓝膜；
步骤S3：将转移模板stamp放置于转移基板带有µLED阵列的一面上，使得阵列中的µLED芯片与转移模板stamp上的微米柱子一一对应；
步骤S4：在转移基板没有µLED阵列的一面放置发光点阵列，令发光点阵列中的发光点与µLED阵列中的μLED对应设置；根据所需转移的µLED芯片位置，选择相应的发光点将其点亮，使对应位置的减黏胶在光照作用下黏度减弱，对应的μLED芯片被转移模板stamp上的对应微米柱子拾起；
步骤S5：将转移模板stamp与转移基板分离，步骤S4中被光照的µLED芯片将与转移基板脱离，转移到转移模板stamp上，没有被光照过的µLED芯片将继续留在转移基板，等待下一次的转移；
步骤S6：将拾有μLED芯片的转移模板stamp拾起的μLED芯片对准放置于驱动背板的相应像素上，并令驱动背板电极与µLED芯片电极粘合；
步骤S7：重复步骤S3至步骤S6，直至驱动背板上的所有像素都转移有μLED芯片；
步骤S8：对转移有μLED芯片的驱动背板进行加热加压，使驱动背板电极与μLED芯片电极键合在一起。
7.根据权利要求6所述的一种µLED巨量转移方法，其特征在于，所述发光点阵列包括µLED发光点阵或Micro-OLED发光点阵，每个发光点能够独立控制点亮和熄灭。
8.根据权利要求6所述的一种µLED巨量转移方法，其特征在于，所述待转移的µLED芯片尺寸大于等于发光点尺寸，且一个µLED芯片对应发光点阵列中一个以上的发光点。
9.根据权利要求6所述的一种µLED巨量转移方法，其特征在于，所述驱动背板包括TFT驱动背板或CMOS驱动背板，驱动背板上的像素间距和μLED芯片间距相同或成倍数关系。
10.根据权利要求6所述的一种µLED巨量转移方法，其特征在于，所述减黏胶在热固化后、光照前对µLED芯片的黏合力大于蓝膜对µLED芯片的黏合力，在光照后的黏性减小，且其对µLED芯片的黏合力小于转移模版stamp上微米柱子与µLED芯片电极的拾合力。
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