CN114335285B - 微型元件结构及其制作方法、芯片的转移方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种微型元件结构及其制作方法、芯片的转移方法，微型元件结构包括基板、多个芯片和多个桥接件；多个芯片阵列排布地设置在基板上，每相邻的两个芯片之间连接有一个桥接件；其中，桥接件与芯片的侧面连接，且桥接件突出于芯片的出光面。能方便后续转移基板将多个芯片整体进行转移，转移基板只需与多个桥接件连接即可，转移基板与芯片无直接连接，又由于桥接件与芯片的侧面连接，连接稳定性较弱，能方便后续对多个芯片进行转移时，其中有缺陷的芯片的剥离，实现高效的选择性转移。

Description

微型元件结构及其制作方法、芯片的转移方法

技术领域

本发明涉及半导体制程技术领域，尤其涉及一种微型元件结构及其制作方法、芯片的转移方法。

背景技术

微发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)作为新一代显示技术，具有高亮度、低功耗以及长寿命的优良性能，备受高校、科研院所等社会各领域的广泛重视。

在Micro-LED制备工艺流程中，转移技术成为Micro-LED制备的难点，目前Micro-LED转移过程中存在难以实现高效的选择性转移方式的问题。

因此，如何高效的选择性转移是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种微型元件结构及其制作方法、芯片的转移方法，旨在解决如何高效的选择性转移的问题。

本申请提供一种微型元件结构，包括：

基板；

多个芯片，多个所述芯片阵列排布地设置在所述基板上；以及

多个桥接件，每相邻的两个所述芯片之间连接有一个所述桥接件；

其中，所述桥接件与所述芯片的侧面连接，且所述桥接件部分突出于所述芯片的出光面。

通过设置桥接件与芯片的侧面连接，桥接件突出于芯片的出光面，多个桥接件将多个芯片连接形成整体，既能方便后续转移基板将多个芯片整体进行转移，转移基板只需与多个桥接件连接即可，转移基板与芯片无直接连接，又由于桥接件与芯片的侧面连接，连接稳定性较弱，能方便后续对多个芯片进行转移时，其中有缺陷的芯片的剥离，实现高效的选择性转移。

可选的，所述桥接件与所述基板之间具有一间隙，使得桥接件只与芯片的侧面连接，而与基板无连接关系，一方面使得桥接件的尺寸小，能节省材料，并使得桥接件与芯片的连接面积小，容易将芯片与桥接件剥离，另一方面也避免芯片与基板之间还通过桥接件连接，便于将芯片从基板剥离。

可选的，所述桥接件还包括相背的第一侧面和第二侧面，所述芯片的侧面的宽度为第一宽度，所述第一侧面与所述第二侧面的距离为第二宽度，所述第二宽度小于等于所述第一宽度。在满足桥接件将多个芯片连接形成整体的基础上，尽可能的减小桥接件的尺寸，节省材料，并使得桥接件与芯片的连接容易剥离。

可选的，所述桥接件包括光解胶或热解胶。

基于相同的发明构思，本申请还提供一种微型元件结构的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成多个芯片，多个所述芯片阵列排布地设置在所述基板上；

形成多个桥接件，每相邻的两个所述芯片之间连接一个所述桥接件；

其中，所述桥接件与所述芯片的侧面连接，且所述桥接件部分突出于所述芯片的出光面。

通过形成多个桥接件，桥接件与芯片的侧面连接，桥接件突出于芯片的出光面，多个桥接件将多个芯片连接形成整体，既能方便后续转移基板将多个芯片整体进行转移，转移基板只需与多个桥接件连接即可，转移基板与芯片无直接连接，又由于桥接件与芯片的侧面连接，连接稳定性较弱，能方便后续对多个芯片进行转移时，其中有缺陷的芯片的剥离，实现高效的选择性转移。

可选的，形成多个所述桥接件，包括：

在所述基板上形成第一胶层，所述第一胶层填充在多个所述芯片之间，且所述第一胶层相对所述基板的高度小于所述芯片的高度；

在所述第一胶层上形成第二胶层，所述第二胶层覆盖多个所述芯片；

去除所述第一胶层；

图案化所述第二胶层，得到多个所述桥接件。

通过形成第一胶层和第二胶层，再去除第一胶层，图案化第二胶层的方法制作桥接件，工艺简单，容易操作。

可选的，图案化所述第二胶层，得到多个所述桥接件，包括：

提供一掩膜版；其中，所述掩膜版包括透光区域；

透过所述掩模版的所述透光区域对所述第二胶层进行图案化处理，以获得包括镂空区域的微型元件结构；其中，所述镂空区域由所述桥接件和所述芯片限定。

通过掩膜版图案化第二胶层得到多个桥接件的工艺成熟，便于制作。

基于相同的发明构思，本申请还提供一种芯片的转移方法，所述芯片的转移方法以如前述实施方式中任一项所述的微型元件结构的制作方法制作形成的微型元件结构为基础进行芯片的转移。通过本申请实施例提供的微型元件结构的制作方法制作形成的微型元件结构，可用于后续芯片的转移过程中，能方便后续转移基板将多个芯片整体进行转移，转移基板只需与多个桥接件连接即可，转移基板与芯片无直接连接，又由于桥接件与芯片的侧面连接，连接稳定性较弱，能方便后续对多个芯片进行转移时，其中有缺陷的芯片的剥离，实现高效的选择性转移。

可选的，该芯片的转移方法还包括：

使用一转移基板粘接多个所述桥接件之背向所述基板的表面；

剥离所述基板，以使多个所述芯片转移到所述转移基板上。

通过设转移基板与多个桥接件连接芯片只有侧面与桥接件连接，相对于转移基板悬空，通过多个桥接件将多个芯片连接形成整体，并整体实现与转移基板的胶接，又避免芯片与转移基板的连接过于稳固而不便于剥离；通过剥离基板，实现多个芯片转移到转移基板上，以便后续将多个芯片转移到电路背板。

可选的，该芯片的转移方法还包括：

对所述转移基板上的多个所述芯片进行检查；

将有缺陷的所述芯片剔除；其中，所述将有缺陷的所述芯片剔除的步骤是通过去除连接在所述芯片周围的所述桥接件实现。

通过检查芯片并剔除有缺陷的芯片，使得后续进行的芯片的批量转移不存在有缺陷的芯片，能高效的进行芯片转移。

附图说明

图1为一种实施例的微型元件结构侧视结构示意图；

图2为一种实施例的微型元件结构俯视结构示意图；

图3a为一种实施例的微型元件结构的制作方法的流程图；

图3b为一种实施例的微型元件结构的制作方法的流程图；

图4为一种实施例的微型元件结构的制作方法的一个步骤的示意图；

图5为一种实施例的微型元件结构的制作方法的一个步骤的示意图；

图6为一种实施例的芯片的转移方法的流程图；

图7为一种实施例的芯片的转移方法的一个步骤的示意图；

图8为一种实施例的芯片的转移方法的一个步骤的示意图；

图9为一种实施例的芯片的转移方法的一个步骤的示意图；

图10为一种实施例的芯片的转移方法的一个步骤的示意图；

图11为一种实施例的芯片的转移方法的一个步骤的示意图。

附图标记说明：

10-基板；

20-芯片，21-磊晶，22-第一电极，23-第二电极，211-第一表面，212-第二表面，213-侧面；

20’-有缺陷的芯片；

30-桥接件，31-顶面，32-底面32，33-第一端面，34-第二端面，35-第一侧面，36-第二侧面；

30’-第二胶层；

40-胶层；

50-第一胶层；

60-掩膜版；

70-转移基板；

80-电路背板，81-焊盘；

A-对应位置。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。

在Micro-LED制备工艺流程中，转移技术成为Micro-LED制备的难点，目前Micro-LED转移过程中存在难以实现高效的选择性转移方式的问题。

因此，如何高效的选择性转移是亟需解决的问题。

基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。

请参考图1和图2，本申请实施例提供一种微型元件结构，包括基板10、多个芯片20和多个桥接件30。

多个芯片20阵列排布地设置在基板10上。可选的，基板10上形成有一胶层40，多个芯片20与该胶层40胶接。该胶层40可为光解胶，便于后续通过激光剥离。其他可选的，也可不设该胶层40，而是通过如磁力等方式将多个芯片20与基板10连接固定。芯片20具体可以为微发光二极管(Micro-LED)芯片。芯片20包括磊晶21、第一电极22和第二电极23，磊晶21包括相背的第一表面211和第二表面212，第一表面211与基板10相背，第一电极22和第二电极23连接在磊晶21的第二表面212，第一电极22和第二电极23与该胶层40胶接。多个芯片20的阵列排布型式可为矩形阵列排布，即多个芯片20在基板10上呈多行多列的排布，行间距和列间距可相等。基板10可为玻璃或树脂材质，具体可为生长基板或暂态基板。

对于多个桥接件30，每相邻的两个芯片20之间连接有一个桥接件30，多个芯片20通过多个桥接件30连接形成整体。结合图7，桥接件30的材质为胶，能方便的与后续制程的转移基板70连接，且剥离基板10后，仍可粘接多个芯片20。可选的，桥接件30可为热解胶或光解胶，便于后续制程对桥接件30的清除。

其中，桥接件30与芯片20的侧面213连接，且桥接件30部分突出于芯片20的第一表面211，第一表面211为芯片20背向基板10的表面，即芯片20的出光面。

具体的，该芯片20的侧面213是指磊晶21的侧面213，该芯片20的第一表面211即磊晶21的第一表面211。磊晶21一般呈长方体形，则磊晶21包括四周的四个侧面213，四个侧面213各分别连接第一表面211和第二表面212。可选的，桥接件30与磊晶21的侧面213连接，是指桥接件30与相邻的两个芯片20的磊晶21之相对的两个侧面213连接。其他可选的，桥接件30可与相邻的两个芯片20的磊晶21的四个侧面213的任意一个侧面213连接，例如，桥接件30一端与一个磊晶21的与另一磊晶21相对的侧面213连接，桥接件30另一端与该另一磊晶21的与前述的磊晶21的非相对的三个侧面213的任一个连接。

结合图7，由于桥接件30部分突出于芯片20的第一表面211，当后续进行多个芯片20的转移时，转移基板70与桥接件30连接，转移基板70与多个芯片20的第一表面211具有间隔距离，且桥接件30与芯片20的侧面213连接，使得多个芯片20与转移基板70的连接稳定性较弱，当其中有个别芯片20有缺陷时，可方便剥除其中的个别芯片20。转移基板70可以为蓝宝石玻璃。

因此，本申请实施例通过设置桥接件30与芯片20的侧面213连接，桥接件30突出于芯片20的出光面，多个桥接件30将多个芯片20连接形成整体，既能方便后续转移基板70将多个芯片20整体进行转移，转移基板70只需与多个桥接件30连接即可，转移基板70与芯片20无直接连接，又由于桥接件30与芯片20的侧面213连接，连接稳定性较弱，能方便后续对多个芯片20进行转移时，其中有缺陷的芯片20’的剥离，实现高效的选择性转移。

一种实施例中，请参考图1和图2，桥接件30与基板10之间具有一间隙。具体的，桥接件30包括相背的顶面31和底面32，以及相背的第一端面33和第二端面34。第一端面33和第二端面34各分别与一芯片20的侧面213连接，顶面31突出于第一表面211，底面32与基板10具有间隔距离。

本实施例中，桥接件30与基板10之间具有一间隙，使得桥接件30只与芯片20的侧面213连接，而与基板10无连接关系，一方面使得桥接件30的尺寸小，能节省材料，并使得桥接件30与芯片20的连接面积小，容易将芯片20与桥接件30剥离，另一方面也避免芯片20与基板10之间还通过桥接件30连接，便于将芯片20从基板10剥离。

一种实施例中，请参考图1和图2，桥接件30还包括相背的第一侧面35和第二侧面36，芯片20的侧面213的宽度为第一宽度，第一侧面35与第二侧面36的距离为第二宽度，第二宽度小于等于第一宽度。

换而言之，桥接件30的第一端面33和第二端面34的面积均小于芯片20的侧面213的面积。通过上述设置，在满足桥接件30将多个芯片20连接形成整体的基础上，尽可能的减小桥接件30的尺寸，节省材料，并使得桥接件30与芯片20的连接容易剥离。可选的，桥接件30的第一端面33和第二端面34连接在芯片20的侧面213的中部的位置，使得将基板10剥离后，芯片20受力均匀而容易达到平衡，不易偏斜。

请参考图3a，本申请实施例还提供一种用于转移的微型元件结构的制作方法，包括S10和S20。

具体的，请参考图1和图2，本实施例的S10：在基板10上形成多个芯片20，多个芯片20阵列排布地设置在基板10上。在基板10上形成多个芯片20的方法可采用现有的方法，例如，先在蓝宝石衬底(图中未示出)生长出多个芯片20，再将多个芯片20从蓝宝石衬底转移到基板10上。如前所述，多个芯片20与基板10上的胶层40胶接。

请参考图1和图2，本实施例的S20：形成多个桥接件30，每相邻的两个芯片20之间连接一个桥接件30。

其中，桥接件30与芯片20的侧面213连接，且桥接件30突出于芯片20的第一表面211，第一表面211为芯片20背向基板10的表面，即芯片20的出光面。

关于桥接件30的结构、桥接件30与芯片20及基板10之间的关系，可参考前述的说明，此处不再赘述。

本申请实施例通过形成多个桥接件30，桥接件30与芯片20的侧面213连接，桥接件30突出于芯片20的出光面，多个桥接件30将多个芯片20连接形成整体，既能方便后续转移基板70将多个芯片20整体进行转移，转移基板70只需与多个桥接件30连接即可，转移基板70与芯片20无直接连接，又由于桥接件30与芯片20的侧面213连接，连接稳定性较弱，能方便后续对多个芯片20进行转移时，其中有缺陷的芯片20’的剥离，实现高效的选择性转移。

一种实施例中，请参考图3a和图3b，前述的S20：形成多个桥接件30，每相邻的两个芯片20之间连接一个桥接件30，包括S21-S24。

具体的，请参考图3b和图4，本实施例的S21：在基板10上形成第一胶层50，第一胶层50填充在多个芯片20之间，且第一胶层50相对基板10的高度小于芯片20的高度。可选的，当多个芯片20与基板10上的胶层40粘接固定时，第一胶层50形成在该胶层40上。其他可选的，当多个芯片20与基板10直接连接时，该第一胶层50形成在基板10上。第一胶层50相对基板10的高度小于芯片20的高度，即第一胶层50的背向基板10的表面低于芯片20的第一表面211(出光面)，以给后续的形成第二胶层30’提供支撑。第一胶层50具体可为光刻胶。

请参考图3b和图4，本实施例的S22：在第一胶层50上形成第二胶层30’，第二胶层30’覆盖多个芯片20。具体的，由于第一胶层50相对基板10的高度小于芯片20的高度，第二胶层30’形成在第一胶层50上时，部分第二胶层30’直接与第一胶层50连接，填充多个芯片20之间的间隙并与芯片20的侧面213连接，部分第二胶层30’覆盖芯片20而与芯片20的第一表面211连接。第二胶层30’具体可以为热解胶。

请参考图3b和图4，本实施例的S23：去除第一胶层50。具体的，去除第一胶层50的方法可采用酸洗工艺与第一胶层50的光刻胶反应，即采用湿法刻蚀的工艺去除。

请参考图3b和图5，并结合图1和图2，本实施例的S24：图案化第二胶层30’，得到多个桥接件30。

本实施例通过形成第一胶层50和第二胶层30’，再去除第一胶层50，图案化第二胶层30’的方法制作桥接件30，工艺简单，容易操作。

一种实施例中，请参考图3b和图5，并结合图1和图2，本实施例中的S24：图案化第二胶层30’，得到多个桥接件30，包括：

提供一掩膜版60，其中，掩膜版60包括透光区域；

透过掩膜版60的透光区域对第二胶层30’进行图案化处理，以获得包括镂空区域的微型元件结构。

其中，镂空区域由桥接件30和芯片20限定。

具体的，使用掩膜版60曝光第二胶层30’，并通过显影、刻蚀形成多个桥接件30。

其中，可通过设置掩膜版60的透光区域的形状，以使第二胶层30’形成特定的实体图案和镂空图案，显影、刻蚀第二胶层30’，去除镂空图案，保留实体图案，实体图案形成多个桥接件30。

具体的，掩膜版60上的透光区域对应于第二胶层30’上需要除去的部分，如黄光等光线透过掩膜版60上的透光区域照射到第二胶层30’上，使得第二胶层30’被照射的部分被曝光而形成镂空图案，未被照射的部分未被曝光而形成实体图案，曝光的部分第二胶层30’可与显影液和刻蚀液等产生反应，从而可将第二胶层30’进行图案化，保留下来的部分形成桥接件30。可以理解的是，刻蚀除可采用刻蚀液浸泡外，还可采用等离子气体(plasma)冲击的方式进行刻蚀。

通过掩膜版60图案化第二胶层30’得到多个桥接件30的工艺成熟，便于制作。

一种实施例中，请参考图3b和图5，并结合图1和图2，本实施例中的S24：图案化第二胶层30’，得到多个桥接件30，还包括：

设置掩膜版60的透光区域的形状为预设形状，使形成的桥接件30还包括相背的第一侧面35和第二侧面36，芯片20的侧面213的宽度为第一宽度，第一侧面35与第二侧面36的距离为第二宽度，第二宽度小于等于第一宽度。

通过设置掩膜版60的透光区域的形状为预设形状，进行图案化第二胶层30’，得到本实施例的桥接件30，在满足桥接件30将多个芯片20连接形成整体的基础上，尽可能的减小桥接件30的尺寸，节省材料，并使得桥接件30与芯片20的连接容易剥离。

请参考图1至图5，本申请实施例还提供一种芯片的转移方法，该芯片的转移方法以本申请实施例提供的微型元件结构的制作方法制作形成的微型元件结构为基础进行芯片20的转移。

具体的，通过本申请实施例提供的微型元件结构的制作方法制作形成的微型元件结构，可用于后续芯片20的转移过程中，能方便后续转移基板70将多个芯片20整体进行转移，转移基板70只需与多个桥接件30连接即可，转移基板70与芯片20无直接连接，又由于桥接件30与芯片20的侧面213连接，连接稳定性较弱，能方便后续对多个芯片20进行转移时，其中有缺陷的芯片20’的剥离，实现高效的选择性转移。

一种实施例中，请参考图6，该芯片的转移方法还包括S100-S200。

请参考图6和图7，本实施例中的S100：使用一转移基板70粘接多个桥接件30的顶面31(即桥接件30背向基板10的表面)。桥接件30与转移基板70粘接，而芯片20的侧面213与桥接件30粘接，使得芯片20相对于转移基板70处于悬空状态，通过多个桥接件30将多个芯片20连接形成整体，并整体实现与转移基板70的胶接，又避免芯片20与转移基板70的连接过于稳固而不便于剥离。

请参考图6和图8，本实施例中的S200：剥离基板10，以使多个芯片20转移到转移基板70上。可选的，当多个芯片20与基板10上的胶层40胶接时，剥离基板10的方法可采用激光剥离法，通过向基板10发射激光，使得基板10发生反应而使得胶层40与多个芯片20之间的胶接力减弱，再通过机械剥离的方法很容易将基板10剥离，后续还可进行对芯片20上残留的胶层40进行清洁的工艺。其他可选的，当多个芯片20与基板10采用如磁力连接等方式连接时，可采用对应的合适方法剥离基板10，不再赘述。

本实施例通过转移基板70与多个桥接件30连接，芯片20只有侧面213与桥接件30连接，相对于转移基板70悬空，通过多个桥接件30将多个芯片20连接形成整体，并整体实现与转移基板70的胶接，又避免芯片20与转移基板70的连接过于稳固而不便于剥离；通过剥离基板10，实现多个芯片20转移到转移基板70上，以便后续将多个芯片20转移到电路背板80。

请参考图6，该芯片的转移方法还包括S300-S400。

请参考图6和图9，本实施例中的S300：对转移基板70上的多个芯片20进行检查。检查可以包括外观检查和光电性检查，检查多个芯片20的方法可采用现有的Micro PL/AOI等方法对多个芯片20进行筛选。

请参考图6和图9，本实施例中的S400：将有缺陷的芯片20’剔除。其中，将有缺陷的芯片20’剔除的步骤是通过去除连接在有缺陷的芯片20’周围的桥接件30实现。当发现有缺陷的芯片20’时，根据桥接件30的材质，可采用激光选择性照射、局部加热等的方式将有缺陷的芯片20’周围的桥接件30去除，使得与该桥接件30连接的有缺陷的芯片20’被剔除。

通过检查芯片20并剔除有缺陷的芯片20’，使得后续进行的芯片的批量转移不存在有缺陷的芯片20’，能高效的进行芯片20转移。

请参考图10，该芯片的转移方法还包括：将多个芯片20与电路背板80键合。转移基板70相对电路背板80移动至对应位置后，将芯片20与电路背板80的焊盘81对位，并通过加热的方式使得芯片20与电路背板80的焊盘81键合。其中，结合图1和图10，芯片20的第一电极22和第二电极23各分别与一对应的焊盘81键合。电路背板80上设有驱动芯片20发光的电路。

请参考图11，该芯片的转移方法还包括：去除转移基板70。去除转移基板70的方法可采用直接剥离，由于芯片20已于电路背板80键合而连接固定，而转移基板70与芯片20无直接的连接关系，芯片20的侧面213与桥接件30连接的稳定性较弱，很容易将转移基板70剥离。

请参考图11，该芯片的转移方法还包括：去除多个桥接件30。在去除转移基板70时，部分桥接件30可能会跟随转移基板70被剥离，也有部分桥接件30会残留在芯片20上，可通过等离子气体冲击的方式将芯片20上残留的多个桥接件30去除。

请参考图11，该芯片的转移方法还包括：在电路背板80上修补有缺陷的芯片20’所对应位置A的芯片20。由于在检查多个芯片20时已剔除了有缺陷的芯片20’，故最后需要将正常的芯片20补位到对应位置A。修补的方法可采用镭射修补机将正常的芯片20修补到原有缺陷的芯片20’所对应位置A，使得电路背板80上的全部芯片20都是正常无缺陷的。

本实施例中，通过将转移基板70与多个桥接件30连接并剔除有缺陷的芯片20’，将多个芯片20转移到电路背板80上键合，再去除转移基板70和多个桥接件30，并修补有缺陷的芯片20’对应的位置为正常的芯片20，整个芯片20转移过程简单，能实现高效的选择性转移。

应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种微型元件结构，其特征在于，包括：

基板；

多个芯片，多个所述芯片阵列排布地设置在所述基板上；以及

多个桥接件，每相邻的两个所述芯片之间连接有一个所述桥接件；

其中，所述桥接件与所述芯片的侧面连接，且所述桥接件部分突出于所述芯片的出光面；

所述桥接件与所述基板之间具有一间隙，以使所述基板、相邻的两个所述芯片以及连接该相邻的两个所述芯片的所述桥接件围合形成镂空空间；

所述桥接件为光解胶或热解胶。

2.如权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，所述桥接件还包括相背的第一侧面和第二侧面，所述芯片的侧面的宽度为第一宽度，所述第一侧面与所述第二侧面的距离为第二宽度，所述第二宽度小于等于所述第一宽度。

3.一种微型元件结构的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成多个芯片，多个所述芯片阵列排布地设置在所述基板上；

形成多个桥接件，每相邻的两个所述芯片之间连接一个所述桥接件；

其中，所述桥接件与所述芯片的侧面连接，且所述桥接件部分突出于所述芯片的出光面；

所述桥接件与所述基板之间具有一间隙，以使所述基板、相邻的两个所述芯片以及连接该相邻的两个所述芯片的所述桥接件围合形成镂空空间；

所述桥接件为光解胶或热解胶。

4.如权利要求3所述的微型元件结构的制作方法，其特征在于，形成多个所述桥接件，包括：

在所述基板上形成第一胶层，所述第一胶层填充在多个所述芯片之间，且所述第一胶层相对所述基板的高度小于所述芯片的高度；

在所述第一胶层上形成第二胶层，所述第二胶层覆盖多个所述芯片；

去除所述第一胶层；

图案化所述第二胶层，得到多个所述桥接件。

5.如权利要求4所述的微型元件结构的制作方法，其特征在于，图案化所述第二胶层，得到多个所述桥接件，包括：

提供一掩膜版；其中，所述掩膜版包括透光区域；

透过所述掩膜版的所述透光区域对所述第二胶层进行图案化处理，以获得包括镂空区域的微型元件结构；其中，所述镂空区域由所述桥接件和所述芯片限定。

6.一种芯片的转移方法，其特征在于，所述芯片的转移方法以如权利要求3至5任一项所述的微型元件结构的制作方法制作形成的微型元件结构为基础进行芯片的转移。

7.如权利要求6所述的芯片的转移方法，其特征在于，还包括：

使用一转移基板粘接多个所述桥接件之背向所述基板的表面；

剥离所述基板，以使多个所述芯片转移到所述转移基板上。

8.如权利要求7所述的芯片的转移方法，其特征在于，还包括：

对所述转移基板上的多个所述芯片进行检查；

将有缺陷的所述芯片剔除；其中，所述将有缺陷的所述芯片剔除的步骤是通过去除连接在有缺陷的所述芯片周围的所述桥接件实现。

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