CN115732599A - Led芯片转移方法及led显示背板 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种LED芯片转移方法及LED显示背板，LED芯片转移方法包括提供转移模组，转移模组包括光解胶层和显示基板，显示基板具有多个电极组的表面显示基板具有多个电极组的第一表面上层叠有光解胶层，光解胶层上具有阵列排布的多个装载槽，多个装载槽分别与多个电极组对应，装载槽的形状与LED芯片的形状匹配；将生长基板具有LED芯片的表面与显示基板具有电极组的表面第一表面对向放置，然后将生长基板上的多个LED芯片剥离，以使多个LED芯片对应下落至位于多个装载槽内；将LED芯片与对应的电极组热键合。转移过程需光解胶层一种材料，转移所需步骤缩减，因此转移工艺流程简化，转移效率提高，转移成本降低。

Description

LED芯片转移方法及LED显示背板

技术领域

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种LED芯片转移方法及LED显示背板。

背景技术

目前，微型发光二极管(Micro Light-emitting Diode，Micro LED)显示面板作为新一代显示技术，具有亮度更高、发光效率更好以及功耗更低等优势，使得Micro LED被广泛使用。

Micro LED显示面板上一般包括多个像素区域，每个像素区域包括红光LED芯片、蓝光LED芯片和绿光LED芯片。在显示面板制备过程中，需要利用临时基板和转移基板进过多次转移，将三种芯片从各自的生长基板上转移到显示基板上。目前的转移方法，转移工艺流程复杂，转移效率低，转移成本较高。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种LED芯片转移方法及LED显示背板，旨在解决目前的转移方法流程复杂、转移效率低、转移成本较高的问题。

本申请第一方面提供一种LED芯片转移方法，包括：提供转移模组，所述转移模组包括光解胶层和显示基板，所述显示基板具有多个电极组的表面所述显示基板具有多个电极组的第一表面上层叠有所述光解胶层，所述光解胶层上具有阵列排布的多个装载槽，多个所述装载槽分别与多个所述电极组对应，所述装载槽的形状与LED芯片的形状匹配；将生长基板具有所述LED芯片的表面与所述显示基板具有所述电极组的表面第一表面对向放置，然后将所述生长基板上的多个LED芯片剥离，以使多个所述LED芯片对应下落至位于多个所述装载槽内；将所述LED芯片与对应的所述电极组热键合。

显示基板上具有光解胶层，光解胶层上具有装载槽，那么将LED芯片转移至显示基板上时，直接将LED芯片转移至显示基板上，利用装载槽容纳LED芯片，利用光解胶层进行粘接定位，由此，整个转移过程仅需要光解胶层一种材料，所需的转移材料减少，转移所需步骤也大幅度缩减，因此整个转移工艺流程得以简化，转移效率提高，转移成本降低。

在一些实施例中，将所述LED芯片与对应的所述电极组热键合之后，所述LED芯片转移方法还包括：将所述光解胶层从所述显示基板上分离。将光解胶层从显示基板上分离，可以防止光解胶层影响LED芯片的出光亮度和发光均匀性，确保LED芯片出光亮度较高，且发光均匀性较好。

在一些实施例中，去除所述光解胶层具体包括：利用激光或者紫外线灯照射所述光解胶层，以使所述光解胶层与所述表面分离。

在一些实施例中，多个所述LED芯片对应下落至位于多个所述装载槽内之后，将所述LED芯片与对应的所述电极组热键合之前，所述LED芯片转移方法还包括：检测所述LED芯片是否相对于对应的所述装载槽发生偏移；在所述LED芯片发生偏移的情况下，利用超声波震动法，将发生偏移的所述LED芯片的调整至落入对应的所述装载槽中。在批量的LED芯片下落至装载槽内之后，可以对LED芯片的位置进行检测，若检测有LED芯片倾斜的情况，则利用超声波振动法，调整倾斜LED芯片位置，直至倾斜LED芯片准确落入对应的装载槽中。

在一些实施例中，检测所述LED芯片是否相对于对应的所述装载槽发生偏移，具体包括：利用CCD检测所述LED芯片是否相对于对应的所述装载槽发生偏移。

在一些实施例中，多个所述LED芯片对应下落至位于多个所述装载槽内之后，将所述LED芯片与对应的所述电极组热键合之前，所述LED芯片转移方法还包括：检测所述装载槽是否空置；在所述装载槽空置的情况下，在空置的所述装载槽中补充另一LED芯片。在批量的LED芯片下落至装载槽内之后，可以对装载槽的空置情况进行检测，若检测到有空置装载槽，则在该空置装载槽处补充另一LED芯片，从而提升产品良率。

在一些实施例中，检测所述装载槽是否空置，具体包括：利用CCD检测所述装载槽是否空置。

在一些实施例中，将生长基板具有所述LED芯片的一侧与所述表面对向放置之前，所述LED芯片转移方法还包括：检测所述生长基板上的坏点LED芯片；将所述生长基板上的多个LED芯片剥离，具体包括：将所述生长基板上除了坏点LED芯片的之外的至少部分所述LED芯片剥离。由此，利用激光照射生长基板背离LED芯片的表面时，仅选择性的照射正常LED芯片部位，而坏点LED芯片则不进行激光照射，从而仅将正常的LED芯片转移至显示基板上。由此，可以防止坏点LED芯片转移至显示基板上，从而提升产品良率。

在一些实施例中，所述转移模组的制备过程具体包括：提供显示基板，所述显示基板的第一表面上具有阵列排布的多个电极组；在所述显示基板具有所述电极组的表面第一表面上层叠光解胶材，所述光解胶材覆盖所述电极组；对所述光解胶材进行刻蚀，以形成阵列分布的、与多个所述电极组对应的装载槽，从而在所述显示基板的表面上形成具有所述装载槽的光解胶层。

本申请第二方面提供一种LED显示背板，包括：显示基板和多个LED芯片，多个所述LED芯片通过本申请第一方面中任一项所述LED芯片转移方法转移至所述显示基板上，以使多个所述LED芯片阵列排布于所述显示基板上。

附图说明

图1至图8为现有技术提供的巨量转移方法的工艺流程示意图。

图9为本申请实施例提供的LED显示背板的结构示意图。

图10为本申请一种实施例提供的LED芯片转移方法的流程示意图。

图11至图13为与图10对应的工艺流程示意图。

图14至图15为与图10对应的另一种工艺流程示意图。

图16至图17为与图10对应的又一种工艺流程示意图。

图18至图20为本申请实施例提供的转移模组的工艺流程示意图。

图21为本申请另一种实施例提供的LED芯片转移方法的流程示意图。

图22为与图20对应的工艺流程示意图。

图23为本申请又一种实施例提供的LED芯片转移方法的流程示意图。

图24为与图23对应的工艺流程示意图。

图25为本申请再一种实施例提供的LED芯片转移方法的流程示意图。

图26为与图25对应的工艺流程示意图。

附图标记说明：100-转移模组，110-光解胶材，110a-光解胶层，111-装载槽，111a-空置装载槽，120-显示基板，121-第一表面，122-电极组，200-生长基板，210-LED芯片，210a-倾斜LED芯片，300-显示背板。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。

一般情况下，LED芯片转移至显示基板上时，将三种颜色的Micro LED芯片进行转移，为便于描述，以下简称分别将红色LED芯片、蓝色LED芯片和绿色LED芯片进行转移，下面以一种LED芯片为例进行说明，其余两种LED芯片同样的道理，本申请中不再赘述。

参考图1至图8，LED芯片20转移至显示基板50上，具体过程如下。

步骤S10：参阅图1和图2，提供生长基板10(wafer)，生长基板10上生长有LED芯片20。参阅图3，然后利用临时基板30上的粘接胶材，将LED芯片20粘合到临时基板30上。参阅图4，接着利用激光剥离LED芯片20上的生长基板10。参阅图5和图6，由此可以将LED芯片20转移至临时基板30上。

步骤S11：利用转移基板40上的粘接胶材，选择性的将LED芯片20粘合到转移基板40上；参考图7，图7中显示转移基板40在临时基板30上选择性的粘接LED芯片20。

步骤S12：将转移基板40上的LED芯片20转移至显示基板50上。参考图8，图8中显示出显示基板50上成功转移LED芯片20的示意图。具体转移过程可以为将转移基板40具有LED芯片20的一面面对显示基板50具有电极组的一侧，并且使LED芯片的正电极引脚和负电极引脚分别与电极组中正、负电极接触，然后利用激光或者紫外光等进行加热，以使LED芯片和电极组热键合。

然而，上述的LED芯片转移方法，需要用到临时基板和转移基板两种基板，并且还需要设置转移基板上粘接胶粘附性强于临时基板上的粘接胶粘附性，以确保转移基板能顺利将LED芯片从临时基板上粘接，另外，整个转移过程需要分多个步骤进行，整个转移工艺流程复杂，转移效率低。

为了解决上述问题，参考图9，本申请实施例提供一种LED显示背板300，该LED显示背板300包括显示基板120和多个LED芯片210，其中，多个所述LED芯片210阵列排布于所述显示基板120上。并且，LED芯片210与显示基板120上对应的电极组122电连接，显示基板120上的驱动电路与电极组122电连接，由此，使得驱动电路可以驱动LED芯片210正常工作，以使LED显示背板正常发光。

上述的LED显示背板具体利用以下LED芯片210转移方法进行加工，该LED芯片210转移方法，参考图10，包括以下步骤。

步骤S100：参考图11，提供转移模组100，所述转移模组100包括光解胶层110a和显示基板120，所述显示基板120具有多个电极组122的第一表面121上层叠有所述光解胶层110a，所述光解胶层110a上具有阵列排布的多个装载槽111，多个所述装载槽111分别与多个所述电极组122对应，所述装载槽111的形状与LED芯片210的形状匹配。

需要理解的是，显示基板120上除了具有阵列排布的多个电极组122之外，显示基板120上还具有驱动电路，每个电极组122分别与驱动电路连接，每个电极组122均包括正电极和负电极。显示基板120具有相对设置的两个表面，其中第一表面121指的是具有多个电极组122的表面。

所述装载槽111的形状与LED芯片210的形状匹配，具体指的是，装载槽111的截面形状与LED芯片210的截面形状基本一致。装载槽111的截面形状，具体指的是装载槽111沿显示基板120的厚度方向的截面；同样的道理，LED芯片210的截面形状，具体指的是LED芯片210沿显示基板120的厚度方向的截面。其中，装载槽111的截面形状与LED芯片210的截面形状相同，更具体指的是，参考图12和图13，LED芯片210的截面形状为“凸”字形，则装载槽111的截面形状也为“凸”字形。参考图14和图15，LED芯片210的截面形状为“凹”字形，则装载槽111的截面形状也为“凹”字形。参考图16和图17，LED芯片210的截面形状为台阶状，则装载槽111的截面形状也为台阶状。

需要理解的是，装载槽111的截面面积需要略大于LED芯片210的截面面积，防止装载槽111过小而导致LED芯片210不能落入装载槽111内，确保后续LED芯片210可以顺利下落至装载槽111内。

上述转移模组100可以预先制备好，转移模组100的具体制备过程如下。

步骤S1000：参考图18，提供显示基板120，所述显示基板120的第一表面121上具有阵列排布的多个电极组122。

步骤S1100：参考图19，在所述第一表面121上层叠光解胶材110，所述光解胶材110覆盖所述电极组122。光解胶材110在显示基板120的表面上连续分布，其可以完全覆盖显示基板120的表面和其上的电极组122。

可以利用涂覆法制备光解胶材110，具体可以独立地选自旋涂、刷涂、喷涂等中的任意一种。该光解胶材110的厚度和电极组122的厚度之和需要大于或等于LED芯片210的厚度，从而使得后续光解胶层110a可以对LED芯片210起到良好的支撑和定位作用，防止LED芯片210出现位置误差。

具体的，假设LED芯片210的厚度为a，显示基板120上电极组122的厚度为b，则光解胶材110的厚度c满足以下条件：1.2*(a+b)≥c≥(a+b)。

步骤S1200：参考图20，对所述光解胶材110进行刻蚀，通过激光刻蚀以在所述光解胶材110上形成阵列分布的、与多个所述电极组122对应的装载槽111，从而以在所述显示基板120的表面上形成具有所述装载槽111的光解胶层110a。对光解胶材110进行刻蚀，具体可以为利用激光进行刻蚀。

光解胶材110制备成光解胶层110a后，其厚度保持不变，因此光解胶层110a的厚度c’也满足以下条件：1.2*(a+b)≥c’≥(a+b)。当光解胶层110a的厚度小于(a+b)时，对LED芯片210的支撑力略弱，可能会导致LED芯片210出现倾斜情况，而当光解胶层110a厚度大于1.2*(a+b)时，会造成光解胶材110的浪费，且后续若需要解胶，需要的激光能力也较强，因此，设置光解胶材110的厚度介于(a+b)至1.2*(a+b)之间，既能使得光解胶层110a的可以良好的支撑后续转移的LED芯片210，又能避免光解胶材110的浪费，还便于后续通过能量不高的激光进行解胶。

需要注意的是，光解胶材110的热熔点温度需要低于LED芯片210从生长基板200上分离的温度，由此，在后续利用激光将LED芯片210从生长基板200上分离时。光解胶层110a能很好地保持其构型。

步骤S110：参考图12，将生长基板200具有所述LED芯片210的表面与所述第一表面121对向放置，然后将所述生长基板200上的多个LED芯片210剥离，以使多个所述LED芯片210对应下落至位于多个所述装载槽111内。

生长基板200具有所述LED芯片210的表面与所述第一表面121对向放置后，LED芯片210的下表面和显示基板120上光解胶层110a的上表面之间具有间隔，并且此时多个LED芯片210与多个装载槽111一一对齐。

将LED芯片210从生长基板200上剥离时，具体可以利用激光照射生长基板200背离LED芯片210的表面，以使LED芯片210和生长基板200分离。LED芯片210与生长基板200分离后，LED芯片210在重力作用下下落至对应的装载槽111中。此时LED芯片210周围的光解胶层110a可以对LED芯片210进行定位，防止LED芯片210位置出现偏差，确保LED芯片210的正极引脚与对应的正电极接触，LED芯片210的负极引脚与对应的负电极接触。生长基板200一般是含镓的蓝宝石。示例性的，并在剥离完成后，采用稀释的盐酸清洗掉LED芯片210上的残留金属镓，从而防止金属镓影响LED芯片210的出光亮度和发光一致性。

步骤S120：参考图13，将所述LED芯片210与对应的所述电极组122热键合。热键合具体为利用加热加压的方式，使得LED芯片210的正极引脚与对应的正电极连接，LED芯片210的负极引脚与对应的负电极连接，确保LED芯片210的电连接准确和稳定，从而提升产品良率。

上述实施例中，显示基板120上具有光解胶层110a，光解胶层110a上具有装载槽111，那么将LED芯片210转移至显示基板120上时，直接将LED芯片210转移至显示基板120上，利用装载槽111容纳LED芯片210，利用光解胶层110a进行粘接定位，由此，整个转移过程仅需要光解胶层110a一种材料，所需的转移材料减少，转移所需步骤也大幅度缩减，因此整个转移工艺流程得以简化，转移效率提高，转移成本降低。

本申请另一种实施例提供一种LED芯片转移方法，参考图21，该实施例中，LED芯片210转移方法具体包括以下步骤。

步骤S200：提供转移模组100，所述转移模组100包括光解胶层110a和显示基板120，所述第一表面121上层叠有所述光解胶层110a，所述光解胶层110a上具有阵列排布的多个装载槽111，多个所述装载槽111分别与多个所述电极组122对应，所述装载槽111的形状与LED芯片210的形状匹配。该步骤具体与上述实施例中步骤S100相同，不再赘述。

步骤S210：将生长基板200具有所述LED芯片210的表面与所述第一表面121对向放置，然后将所述生长基板200上的多个LED芯片210剥离，以使多个所述LED芯片210对应下落至位于多个所述装载槽111内。该步骤具体与上述实施例中步骤S110相同，不再赘述。

步骤S220：将所述LED芯片210与对应的所述电极组122热键合。该步骤具体与上述实施例中步骤S120相同，不再赘述。

步骤S230：参考图22，将所述光解胶层110a从所述显示基板120上分离。将光解胶层110a从显示基板120上分离，可以防止光解胶层110a影响LED芯片210的出光亮度和发光均匀性，确保LED芯片210出光亮度较高，且发光均匀性较好。

具体的，可以利用激光或者紫外线灯照射所述光解胶层110a，以使所述光解胶层110a与所述表面分离其中，光解胶层110a可以在预设波长的激光或紫外光照射下因粘度降低而解胶，从而使得光解胶层110a从显示基板120上分离。

该实施例中，通过光解胶层110a上的装载槽111容纳LED芯片210，利用光解胶层110a进行粘接定位，由此，整个转移过程仅需要光解胶层110a一种材料，所需的转移材料减少，转移所需步骤也大幅度缩减，因此整个转移工艺流程得以简化，转移效率提高，转移成本降低。另外，热键合完成后，光解胶层110a从显示基板120上剥离，还可以提升LED芯片210的出光亮度和发光均匀性。

本申请又一种实施例提供一种LED芯片转移方法，参考图23，该实施例中，LED芯片210转移方法具体包括以下步骤。

步骤S300：提供转移模组100，所述转移模组100包括光解胶层110a和显示基板120，所述显示基板120具有多个电极组122的第一表面121上层叠有所述光解胶层110a，所述光解胶层110a上具有阵列排布的多个装载槽111，多个所述装载槽111分别与多个所述电极组122对应，所述装载槽111的形状与LED芯片210的形状匹配。该步骤具体与上述实施例中步骤S100相同，不再赘述。

步骤S310：将生长基板200具有所述LED芯片210的表面与所述第一表面121对向放置，然后将所述生长基板200上的多个LED芯片210剥离，以使多个所述LED芯片210对应下落至位于多个所述装载槽111内。该步骤具体与上述实施例中步骤S110相同，不再赘述。

步骤S320：检测所述LED芯片210是否相对于对应的所述装载槽111发生偏移。

步骤S330：在所述LED芯片210发生偏移的情况下，利用超声波震动法，将发生偏移的所述LED芯片210的调整至落入对应的所述装载槽111中。

步骤S340：将所述LED芯片210与对应的所述电极组122热键合。该步骤具体与上述实施例中步骤S120相同，不再赘述。

参考图24，因LED芯片210从生长基板200上转移至显示基板120上时，因转移的LED芯片210数量巨大，可能会出现很小部分LED芯片210在下落过程中发生偏移的情况，此时该部分LED芯片210可能会出现倾斜情况，一旦出现倾斜情况，则LED芯片210的正电极引脚和负电极引脚不能与电极组122的正电极和负电极接触，最终会导致该LED芯片210不能电连接。为了解决该问题，在批量的LED芯片210下落至装载槽111内之后，可以对LED芯片210的位置进行检测，若检测有LED芯片210倾斜的情况，则利用超声波振动法，调整倾斜LED芯片210a位置，直至倾斜LED芯片210a准确落入对应的装载槽111中。

具体的，可以利用电荷耦合器件(charge coupled device，CCD)检测LED芯片210是否倾斜。CCD检测技术较为成熟，准确率较高，成本较低。

该实施例中，通过光解胶层110a上的装载槽111容纳LED芯片210，利用光解胶层110a进行粘接定位，由此，整个转移过程仅需要光解胶层110a一种材料，所需的转移材料减少，转移所需步骤也大幅度缩减，因此整个转移工艺流程得以简化，转移效率提高，转移成本降低。另外，在热键合之前，检测是否有LED芯片210倾斜，如有则将倾斜LED芯片210a调整至与装载槽111精确对位，从而可以提升产品良率。

本申请再一种实施例提供一种LED芯片转移方法，参考图25，该实施例中，LED芯片210转移方法具体包括以下步骤。

步骤S400：提供转移模组100，所述转移模组100包括光解胶层110a和显示基板120，所述显示基板120具有多个电极组122的第一表面121上层叠有所述光解胶层110a，所述光解胶层110a上具有阵列排布的多个装载槽111，多个所述装载槽111分别与多个所述电极组122对应，所述装载槽111的形状与LED芯片210的形状匹配。该步骤具体与上述实施例中步骤S100相同，不再赘述。

步骤S410：将生长基板200具有所述LED芯片210的表面与所述第一表面121对向放置，然后将所述生长基板200上的多个LED芯片210剥离，以使多个所述LED芯片210对应下落至位于多个所述装载槽111内。该步骤具体与上述实施例中步骤S110相同，不再赘述。

步骤S420：检测所述装载槽111是否空置。

步骤S430：在所述装载槽111空置的情况下，在空置装载槽111a中补充另一LED芯片210。

步骤S440：将所述LED芯片210与对应的所述电极组122热键合。该步骤具体与上述实施例中步骤S120相同，不再赘述。

参考图26，因LED芯片210从生长基板200上转移至显示基板120上时，因转移的LED芯片210数量巨大，可能会出现很小部分LED芯片210未能从生长基板200上转移至显示基板120上的情况，那么该未转移有LED芯片210的装载槽111处则出现空置。为了解决该问题，在批量的LED芯片210下落至装载槽111内之后，可以对装载槽111的空置情况进行检测，若检测到有空置装载槽111a，则在该空置装载槽111a处补充另一LED芯片210，从而提升产品良率。

具体的，可以利用电荷耦合器件(charge coupled device，CCD)检测是否有空置装载槽111a。CCD检测技术较为成熟，准确率较高，成本较低。

该实施例中，通过光解胶层110a上的装载槽111容纳LED芯片210，利用光解胶层110a进行粘接定位，由此，整个转移过程仅需要光解胶层110a一种材料，所需的转移材料减少，转移所需步骤也大幅度缩减，因此整个转移工艺流程得以简化，转移效率提高，转移成本降低。另外，在热键合之前，检测是否有控制的LED芯片210，如有则在空置装载槽111a处补充另一LED芯片210，从而可以提升产品良率。

可以理解的是，该实施例中，检测出的空置装载槽111a，可能是由于工艺原因，导致部分LED芯片210未能转移，也可以是进行选择性转移的结果。具体的，将生长基板200上的LED芯片210转移至显示基板120上之前，可以先检测出生长基板200上的坏点LED芯片，然后利用激光照射生长基板200背离LED芯片210的表面时，仅选择性的照射正常LED芯片210部位，而坏点LED芯片则不进行激光照射，从而仅将正常的LED芯片210转移至显示基板120上。由此，可以防止坏点LED芯片转移至显示基板120上，从而提升产品良率。

应当理解的是，本申请的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本申请所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种LED芯片转移方法，其特征在于，包括：

提供转移模组，所述转移模组包括光解胶层和显示基板，所述显示基板具有多个电极组的第一表面上层叠有所述光解胶层，所述光解胶层上具有阵列排布的多个装载槽，多个所述装载槽分别与多个所述电极组对应，所述装载槽的形状与LED芯片的形状匹配；

将生长基板具有所述LED芯片的表面与所述第一表面对向放置，然后将所述生长基板上的多个LED芯片剥离，以使多个所述LED芯片对应下落至位于多个所述装载槽内；

将所述LED芯片与对应的所述电极组热键合。

2.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，将所述LED芯片与对应的所述电极组热键合之后，所述LED芯片转移方法还包括：将所述光解胶层从所述显示基板上分离。

3.根据权利要求2所述的LED芯片转移方法，其特征在于，去除所述光解胶层具体包括：利用激光或者紫外线灯照射所述光解胶层，以使所述光解胶层与所述表面分离。

4.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，多个所述LED芯片对应下落至位于多个所述装载槽内之后，将所述LED芯片与对应的所述电极组热键合之前，所述LED芯片转移方法还包括：检测所述LED芯片是否相对于对应的所述装载槽发生偏移；

在所述LED芯片发生偏移的情况下，利用超声波震动法，将发生偏移的所述LED芯片的调整至落入对应的所述装载槽中。

5.根据权利要求4所述的LED芯片转移方法，其特征在于，检测所述LED芯片是否相对于对应的所述装载槽发生偏移，具体包括：利用CCD检测所述LED芯片是否相对于对应的所述装载槽发生偏移。

6.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，多个所述LED芯片对应下落至位于多个所述装载槽内之后，将所述LED芯片与对应的所述电极组热键合之前，所述LED芯片转移方法还包括：检测所述装载槽是否空置；

在所述装载槽空置的情况下，在空置的所述装载槽中补充另一LED芯片。

7.根据权利要求6所述的LED芯片转移方法，其特征在于，检测所述装载槽是否空置，具体包括：利用CCD检测所述装载槽是否空置。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的LED芯片转移方法，其特征在于，将生长基板具有所述LED芯片的一侧与所述表面对向放置之前，所述LED芯片转移方法还包括：检测所述生长基板上的坏点LED芯片；

将所述生长基板上的多个LED芯片剥离，具体包括：将所述生长基板上除了坏点LED芯片的之外的至少部分所述LED芯片剥离。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述转移模组的制备过程具体包括：

提供显示基板，所述显示基板的第一表面上具有阵列排布的多个电极组；

在所述第一表面上层叠光解胶材，所述光解胶材覆盖所述电极组；

对所述光解胶材进行刻蚀，以形成阵列分布的、与多个所述电极组对应的装载槽，从而在所述显示基板的表面上形成具有所述装载槽的光解胶层。

10.一种LED显示背板，其特征在于，包括：显示基板和多个LED芯片，多个所述LED芯片通过权利要求1至9中任一项所述LED芯片转移方法转移至所述显示基板上，以使多个所述LED芯片阵列排布于所述显示基板上。

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