CN111063650A - 发光二极管的转移方法及转移装置 - Google Patents

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Abstract

本揭示提供一种发光二极管的转移方法及转移装置，转移方法包括首先在转移基板上设置粘接层以及光罩，并对转移基板进行光照，形成转移模块，然后将转移模块与待转移发光二极管对组，使转移模块与待转移发光二极管一一对应并接合，最后移动转移基板，并将待转移发光二极管转移到目标基板上。本揭示实施例的转移方法操作简单，并且转移精度高，可实现大批量发光二极管同时转移。

Description

发光二极管的转移方法及转移装置
技术领域
本揭示涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管的转移方法及转移装置。
背景技术
发光二极管是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管，具有亮度高、体积小以及能耗小等特点，被广泛地应用在显示屏、背光源和照明领域内。
传统的液晶显示器因其自身构造，造就了其对比度、显示质量较差等问题，同时由于其需要背光提供光源，因此，传统的液晶显示器薄型化也受限。而微型发光二极管芯片是大小达到微米级、纳米级的发光二极管芯片，将其应用在显示面板内，可有效的提高显示面板的各项性能。在微型二极管芯片制作完成后，需要将几万至几十万数量的微型发光二极管转移到目标电路板上，如何将巨量的二极管转移到接受基板上，是目前微发光二极管显示器最大的难点。现有技术中，往往存在着微型二极管转移效率低，转移精度差以及转移良品不理想等问题，给实际应用带来巨大的障碍。
综上所述，现有技术中在对巨量微型发光二极管转移时，往往存在着转移效率低、转移精度差以及转移后产品良率不理想等问题。
发明内容
本揭示提供一种发光二极管的转移方法及转移装置，以解决现有技术中，微型发光二极管转移效率低、转移精度差以及转移后产品良率不理想等问题。
为解决上述技术问题，本揭示实施例提供的技术方案如下：
根据本揭示实施例的第一方面，提供了一种发光二极管的转移方法，包括如下步骤：
S100：提供转移基板，并在所述转移基板上设置粘接层；
S101：在所述转移基板上设置光罩，并对所述转移基板进行光照，形成转移模块；
S102：提供临时基板，所述临时基板上放置有多个发光二极管，所述临时基板上的所述发光二极管为待转移发光二极管；
S103：将所述转移模块与所述待转移发光二极管对组，使多个所述转移模块与多个所述待转移发光二极管一一对应并接合；
S104：移动所述转移基板，并将所述待转移发光二极管转移到目标基板上。
根据本揭示一实施例，所述步骤S100中，在所述转移基板上设置对位标记，将所述粘接层与所述对位标记相互对应。
根据本揭示一实施例，每个所述转移模块的表面积不小于所述发光二极管的表面积。
根据本揭示一实施例，所述粘接层材料包括光致解粘材料。
根据本揭示一实施例，所述粘接层通过印刷或溅渡的方式形成。
根据本揭示一实施例，所述光罩的排列方式与所述目标基板上像素的排列方式相同，所述光罩与所述像素一一对应。
根据本揭示一实施例，所述目标基板还包括贴合层，所述贴合层与所述发光二极管之间的吸附力大于所述转移模块与所述发光二极管之间的吸附力。
根据本揭示实施例的第二方面，还提供一种转移装置，所述转移装置包括：
转移基板；以及
转移模块，所述转移模块设置在所述转移基板上，所述转移模块与目标基板上的发光二极管一一对应。
根据本揭示一实施例，所述转移模块包括转移粘接单元，所述转移粘接单元包括粘接层，所述粘接层吸附所述发光二极管。
根据本揭示一实施例，所述转移粘结单元包括控制器和与所述控制器相连的电磁场产生单元，所述电磁场产生单元吸附所述发光二极管。
综上所述，本揭示实施例的有益效果为：
本揭示提供一种发光二极管的转移方法及转移装置，通过在转移基板上设置粘接胶层，同时在转移基板相应的位置上设置光罩，对所述转移基板光照处理，在没有光罩遮挡的粘接胶层处，粘接胶层因光照而失去黏性，在对发光二极管进行转移时，将光罩处的粘接胶层与发光二极管一一对于贴合，从而实现对发光二极管的吸附作用，并达到转移发光二极管管的目的。本揭示中的发光二极管的转移方法和转移装置操作简单，同时对位精度高，极大的提高了工作效率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本揭示实施例提供的发光二极管的转移方法工艺流程示意图；
图2为本揭示实施例中的粘接层和对位标记结构示意图；
图3为本揭示实施例中的转移基板光照处理工艺示意图；
图4为本揭示实施例中微型发光二极管转移流程示意图；
图5为本揭示实施例中的转移装置结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本揭示实施例中的附图，对本揭示实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本揭示一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本揭示中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本揭示保护的范围。
微型发光二极管器件的尺寸较小，一般处于微米或纳米级别，快速并精确的将尺寸如此小的巨量发光二极管器件转移到显示面板的阵列基板上，可有效的提高显示面板的生产效率。
在本揭示实施例的第一方面，提供一种发光二极管的转移方法。如图1所示，图1为本揭示实施例提供的发光二极管的转移方法工艺流程示意图。工艺流程包括如下步骤：
S100：提供转移基板，并在所述转移基板上设置粘接层
对于微型发光二极管显示面板而言，其面板内部包含有阵列分布的数量可达几十万甚至上百万的微型发光二极管器件。这些巨量的微型发光二极管器件并不是直接一个一个的设置在面板层内，而是由外界转移到面板内部。在本揭示实施例中，提供一转移基板，通过对转移基板进行处理，使其成为微型发光二极管转移的主要载体。具体的，在转移基板的一面上设置粘接层，该粘接层具有黏性，所述粘接层可设置为一层或者为多层的结构，并且，在设置粘接层时，可通过印刷的方式或者溅渡以及贴合或多种方式混合的工艺制备形成。
同时，在选取所述粘接层的材料时，粘接层的材料可包括光致解粘材料或胶水等。当外界光对其照射时，粘接层会被光解，或者遇光后发生反应其粘接层表面失去黏性。
在设置所述粘接层时，可将转移基板的一面全部设置为粘接层，以提高转移基板的利用率，经可能高的提高每次转移的发光二极管的数量，提高生产效率。
或者，只在转移基板的特定区域内设置粘接层，以达到节约材料的目的。如图2所示，图2为本揭示实施例中的粘接层和对位标记结构示意图。若在特定区域内设置粘接层，首先在转移基板200上设置对位标记202，对位标记202设置完成后，将粘接层201设置在对位标记202相对应的区域内，使两者一一对应。
在本揭示实施例中，转移基板为高透性基板，对光线的吸收较小，如高透紫外线的石英基板，或高透性玻璃基板。
S101：在所述转移基板上设置光罩，并对所述转移基板进行光照，形成转移模块
步骤S100中仅仅完成了转移基板处理的第一步，粘接层设置完成后，还需对转移基板进步一处理。具体的，在所述转移基板上设置若干光罩，其中，所述光罩的布置结构与产品中预设的像素布置结构相同。这样，在将发光二极管转移到显示面板上时，实现与显示面板上的像素之间的一一对应。
如图3所示，图3为本揭示实施例中的转移基板光照处理工艺示意图。在转移基板300上设置光罩302，同时，在光罩302上方照射光线305，光线305可为紫外光线。由于设置有光罩302，在光罩302对应的粘接层301区域内无法被光线305照射到，该区域内的粘接层301不会发生变化，依然保持较高的黏性，该区域为主要的转移区域，即转移模块302。而其他与光罩302相对应的粘接层301区域内，遇光发生反应，并形成刻蚀层304。刻蚀层304失去黏性，无法对物质进行吸附。因此，在后续制备工艺中，具有粘附性的转移模块302为主要的工作区域。从而，转移基板300具有选择性粘接功能。
在设置光罩302时，光罩302的阵列排布结构与成品中的像素的排列结构相同，两者能一一对应。这样，经过光罩302刻蚀后，形成的转移模块302的排列结构也与成品中的像素一一对应，才能更好的实现后续工艺中微型发光二极管的转移。
为了保证转移模块302的吸附性能，在设置光罩302时，其光罩302的表面积要大于要吸附的微型发光二极管的表面积，在粘接时微型发光二极管时，微型发光二极管可全部落于转移模块302内，在转移过程中，微型发光二极管不会掉落，从而保证了转移模块302的粘接性能。
S102：提供临时基板，所述临时基板上放置有多个发光二极管，所述临时基板上的所述发光二极管为待转移发光二极管
S103：将所述转移模块与所述待转移发光二极管对组，使多个所述转移模块与多个所述待转移发光二极管一一对应并接合
转移基板制备完成后，需要通过转移基板实现微型发光二极管的转移。待转移的发光二极管器件预先布置在临时基板上，可阵列的布置在所述临时基板上。
为了转移的便捷，本揭示实施例中，可在转移基板的上表面不同区域内设置转移装置，通过转移装置更方便的对所述转移基板进行操作，进一步的提高转移效率。
如图4所示，图4为本揭示实施例中微型发光二极管转移流程示意图。转移时，将转移基板300与临时基板400上的众多微型发光二极管401贴合，在贴合过程中，由于转移基板300上只有转移模块303具有粘附性能，因此，只有与转移模块303相对应区域内的微型发光二极管401才会与转移基板300接合，而临时基板400上其他区域内的微型发光二极管401不会被吸附，从而转移基板300选择性的将所述发光二极管转移。
S104：移动所述转移基板，并将所述待转移发光二极管转移到目标基板上
转移基板选择性的吸附完发光二极管后，还需要将发光二极管放置到显示面板内对应的区域上，即发光二极管对应的目标基板上。在转移完成后，被转移的发光二极管恰好落于像素结构对应的区域内。
当转移基板与目标基板对齐后，由于发光二极管是吸附在转移模块上，需要使发光二极管与转移模块相互分离，在本揭示实施例中，为了达到转移模块与发光二极管自动分离，在目标基板上还设置有与像素相对应的导电粘合层，该粘合层的作用主要是吸附转移模块上被转移的发光二极管并对发光二极管进行固定，使其精准的落于设定的区域内，以防错位。其中，所述粘合层与被转移的发光二极管之间的结合力要大于解粘后的转移模块与被转移的发光二极管之间的结合力，这样，被转移的发光二极管可被牢牢的固定在所述粘合层膜层上，保证转移粘接效果。
当所有的被转移发光二极管与贴合层结合完全后，取走转移基板，完成整个发光二极管的转移，接着，在继续进行显示面板的其他生产工艺。
在本揭示实施例中，还提供一种转移装置，如图5所示，图5为本揭示实施例中的转移装置结构示意图。转移装置包括转移基板500和转移模块，转移模块包括若干转移粘接单元501，转移粘接单元501阵列的设置在转移基板500上，并且，转移粘接单元501与显示面板内的像素的排列结构相同，在对发光二极管转移时，转移粘接单元501起主要的吸附转移作用。
优选的，为了提高转移粘接单元501的转移性能，还可在转移粘接单元501上设置粘接层502，粘接层502的粘接性能要优于转移粘接单元501，并且，粘接层502的表面积要大于转移粘接单元501的表面积以及被转移的微型发光二极管的表面积。
进一步的，为了提高转移粘接单元501的粘接性以及多次循环使用次数，本揭示实施例中，转移粘接单元501可设置为磁性件，以取代上述粘接胶层结构。具体的，转移粘接单元501内包括控制器和电磁产生单元。
控制器可向电磁产生单元发送电磁场产生信号，当控制器打开时，转移粘接单元501内可产生电磁场产生信号，当控制器关闭时，转移粘接单元501内不产生电磁场产生信号。当转移粘接单元501内具有电磁产生信号时，所述转移粘接单元501具有磁性，可有效的吸附磁性件。而对应的，对于被转移的发光二极管，由于发光二极管的芯片引脚具有磁性，能被磁性吸附，当转移粘接单元501与发光二极管接触时，被转移的发光二极管会被吸附到转移基板500的转移粘接单元501上，在通过转移基板500将被转移的发光二极管放置在目标基板上，最终完成微型发光二极管的转移。所述控制器可调控该电磁场产生信号的大小。从而保证转移粘接单元501可有效的全部吸附待转移的发光二极管。
本揭示实施例中，可在发光二极管上设置磁性材料，以提高发光二极管的磁性吸附能力，提高转移效率。本揭示实施例中的转移装置可实现大批量发光二极管同时转移，提高转移效率。
以上对本揭示实施例所提供的一种发光二极管的转移方法及转移装置进行了详细介绍，以上实施例的说明只是用于帮助理解本揭示的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭示各实施例的技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种发光二极管的转移方法，其特征在于，包括如下步骤：
S100：提供转移基板，并在所述转移基板上设置粘接层；
S101：在所述转移基板上设置光罩，并对所述转移基板进行光照，形成转移模块；
S102：提供临时基板，所述临时基板上放置有多个发光二极管，所述临时基板上的所述发光二极管为待转移发光二极管；
S103：将所述转移模块与所述待转移发光二极管对组，使多个所述转移模块与多个所述待转移发光二极管一一对应接合；
S104：移动所述转移基板，并将所述待转移发光二极管转移到目标基板上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述步骤S100中，在所述转移基板上设置对位标记，将所述粘接层与所述对位标记相互对应。
3.根据权利要求1所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，每个所述转移模块的表面积不小于所述发光二极管的表面积。
4.根据权利要求1所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述粘接层材料包括光致解粘材料。
5.根据权利要求4所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述粘接层通过印刷、溅渡、涂覆、贴合或多种方式混合的方式形成。
6.根据权利要求1所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述光罩的排列方式与所述目标基板上像素的排列方式相同，所述光罩与所述像素一一对应。
7.根据权利要求1所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述目标基板还包括对应像素的导电粘合层，所述导电粘合层与所述发光二极管之间的结合力大于所述解粘后的转移模块与所述发光二极管之间的结合力。
8.一种转移装置，其特征在于，包括：
转移基板；以及
转移模块，所述转移模块设置在所述转移基板上，所述转移模块与目标基板上的发光二极管一一对应。
9.根据权利要求8所述的转移装置，其特征在于，所述转移模块包括转移粘接单元，所述转移粘接单元包括粘接层，所述粘接层吸附所述发光二极管。
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