CN115513244A - 临时基板、发光二极管芯片的转移方法及显示组件 - Google Patents

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CN115513244A CN202110699204.9A CN202110699204A CN115513244A CN 115513244 A CN115513244 A CN 115513244A CN 202110699204 A CN202110699204 A CN 202110699204A CN 115513244 A CN115513244 A CN 115513244A
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徐瑞林
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Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
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Abstract

本申请涉及一种发光二极管芯片的转移方法、临时基板及显示组件，所述发光二极管芯片的转移方法包括提供形成有数个凸起的临时基板，凸起包括承载面，数个凸起的承载面上形成有光解胶层，将所述生长基板上的发光二极管芯片的电极与至少一个所述凸起上的光解胶层粘接实现芯片的转移，再通过转移基板与目标发光二极管芯片的基底粘贴，通过激光从所述临时基板的背向所述凸起的一侧照射目标发光二极管芯片所对应的凸起是光解胶层失效，使目标发光二极管芯片与所述临时基板分离并去除所述临时基板。

Description

临时基板、发光二极管芯片的转移方法及显示组件
技术领域
本申请涉及显示屏制作领域，尤其涉及一种临时基板、发光二极管芯片的转移方法及显示组件。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)，即发光二极管微缩化和矩阵化技术，具有良好的稳定性及更高的光电效率，而且具有低功耗、色彩饱满、对比度强等优点。因此，微型发光二极管被较多的应用在显示屏领域，例如微型发光二极管显示屏。
目前，制造Micro-LED显示面板最大的瓶颈在于如何使其能够量产化；而实现量产化最有效的方式就是实现巨量转移(Mass Transfer)技术，Micro LED显示面板包括阵列基板以及阵列排布在阵列基板上的多颗Micro LED，每颗Micro LED可以视为一个像素。在显示器的制作过程中，通常采用巨量转移技术将红绿蓝三种发光二极管芯片从各自的生长基板转移放置在显示背板上形成像素单元。但是目前采用激光剥离的转移方式存在对像素的发光二极管芯片产生损伤的问题。因此，如何保证转移成功率及避免损伤二极管的巨量转移微型发光二极管芯片是亟需克服的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术，本申请的目的在于提供微型发光二极管芯片的转移方法，旨在解决现有的微型发光二极管芯片的转移方法无法保证成功率和质量的技术问题。
此外，本申请还提供了一种临时基板及显示组件。
本发明提供一种发光二极管芯片的转移方法，其包括：
提供生长基板，所述生长基板的一侧生成有呈阵列排列的数个发光二极管芯片，每个所述发光二极管芯片的电极设置在远离所述生长基板的一侧；
提供形成有数个凸起的临时基板，所述凸起包括承载面，数个所述凸起的承载面上形成有光解胶层；
将所述生长基板形成有发光二极管芯片的一侧与所述临时基板的表面相对，并且所述发光二极管芯片的电极与至少一个所述凸起上的光解胶层粘接；
将所述生长基板与所述发光二极管芯片剥离；
提供转移基板，且将所述转移基板与所述发光二极管芯片的基底粘贴，通过激光从所述临时基板的背向所述凸起的一侧照射目标发光二极管芯片所对应的凸起上的光解胶层，使目标发光二极管芯片与所述临时基板分离并去除所述临时基板；其中，所述目标发光二极管芯片为所述临时基板上的待转移的发光二极管芯片；
通过所述转移基板将所述目标发光二极管芯片转移至显示背板。
其中，每两个相邻的凸起之间的间距小于所述发光二极管芯片的电极朝向所述凸起的表面尺寸。
其中，所述提供转移基板，且将所述转移基板与所述发光二极管芯片的基底粘贴的步骤中，包括，根据显示背板上的像素单元像素的位置，确定所述临时基板上的要被转移的发光二极管芯片的位置，该位置上的发光二极管芯片为所述目标二极管芯片；
通过粘胶将所述转移基板与所述临时基板上的所述目标发光二极管芯片粘贴固定。
其中，所述光解胶层是通过将光刻胶液喷涂在数个所述凸起上，并通过紫外光进行预固化形成。
其中，所述提供形成有数个凸起的临时基板的步骤包括：
提供一玻璃基板，在所述玻璃基板的表面上形成所述数个凸起。
其中，在所述玻璃基板的表面上形成所述数个凸起的步骤，包括：
提供纳米压印模板，所述纳米压印模板的表面上形成有数个压印凸起；
在所述玻璃基板的表面上形成光刻胶层并进行预固化；
所述纳米压印模板抵压所述预固化后的光刻胶层上，数个所述压印凸起在预固化后的光刻胶层上形成数个凹槽，撤去所述纳米压印模板，
以具有凹槽的光刻胶层作为掩膜版对所述玻璃基板进行刻蚀，形成数个所述的凸起。
其中，在所述玻璃基板的表面上形成所述数个凸起的步骤，包括：
提供掩膜版，所述掩膜版上形成有数个通槽，
在所述玻璃基板的表面上形成光刻胶层，
通过光罩工艺利用所述掩膜版在所述光刻胶层上形成数个凹槽，所述凹槽的槽底部为余留光刻胶，
等离子去除所述凹槽的槽底部露出所述玻璃基板的表面，形成具有通槽的光刻胶层，
以具有通凹槽的光刻胶层作为掩膜版对所述玻璃基板进行刻蚀，形成数个所述的凸起。
其中，所述的发光二极管芯片的转移方法还包括，
提供显示背板，所述显示背板设有电路；
通过粘贴有选中的发光二极管芯片的所述转移基板与所述显示背板键合，使所述转移基板上的发光二极管芯片和所述显示背板固定并与所述电路电连接；
去除所述转移基板。
本发明提供一种临时基板，用于发光二极管芯片的临时转移，所述临时基板包括表面，所述表面上形成有数个间隔设置的凸起，数个所述凸起呈阵列排列，每一所述凸起包括承载面，数个所述凸起的承载面上形成有光解胶层，所述光解胶层用于粘接所述发光二极管芯片。
本发明提供一种显示组件，所述显示组件包括显示背板，所述显示背板的像素单元包括发光二极管芯片，所述发光二极管芯片通过所述发光二极管芯片转移方法转移至所述显示背板上。
本申请的发光二极管芯片的临时基板设有数个凸起形成的纳米微结构，用于支撑粘接发光二极管芯片，转移过程中，激光从临时基板的背部照射所述光解胶层，由于发光二极管仅仅跟间隔设置的凸起粘接，相较于现有技术的整个基板表面与芯片粘接来说，所述凸起改变激光在临时基板的承载面与光解胶粘接面的光能量效果，并且激光能量分布更加均匀化，增加激光选择性转移时的工艺参数窗口，不会因为光解胶光解不够充分导致转移无法完成，也不会在激光选择性转移时导致芯片电性能的损伤。解决现有的微型发光二极管芯片的转移方法无法保证成功率和质量的技术问题。而且可以选择性的转移发光二极管芯片，更为灵活。
附图说明
图1为本申请实施例的临时基板的平面结构示意图；
图2为图1所示的临时基板一种实施例的侧面示意图；
图3为图1所示的临时基板另一种实施例的侧面示意图；
图4为图1所示的临时基板又一种实施例的侧面示意图；
图5为本申请的发光二极管芯片的转移方法的流程图，其中使用图1所示的临时基板，
图6-图11为本申请实施例的发光二极管芯片的转移方法的每个步骤形成的结构示意图，其中，部分结构上的填充线为了更好区分每一个结构，并不是截面示意图；
图12为本申请图1所示的临时基板的制作方法流程图；
图13-图16为本申请实施例的临时基板的制作方法的每个步骤形成的结构示意图。
附图标记说明：
10-临时基板 11-表面
12-凸起 121-承载面
20-光解胶层 30-生长基板
31-发光二极管芯片 311-电极
40-转移基板 50-显示背板
60-玻璃基板 61-光刻胶层
62-凹槽 70-压印模板
71-压印凸起
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
请参阅图1和图2，本申请提供一种临时基板10，用于发光二极管芯片的临时转移，具体是进行转移，临时基板10用于将生长基板上的发光二极管芯片转移至转移基板上，最终固定在显示屏幕的显示背板上并电性连接，构成至少包括红绿蓝三个色彩的像素单元。本实施例所述的临时基板10用于转移同一个颜色的发光二极管芯片，而转移基板可以转移同一颜色的发光二极管芯片，也可以按照像素单元多个不同颜色像素进行转移。
所述临时基板10包括表面11，所述表面11上凸设有数个间隔设置的凸起12，数个所述凸起12呈阵列排列，所述表面11是指临时基板在使用过程中用于面向生长基板的发光二极管芯片的一侧的面。每一所述凸起12包括承载面121，所述承载面121与所述表面11朝向相同，数个所述凸起12的承载面121上形成有光解胶层20(如图7)，所述光解胶层20用于粘接所述发光二极管芯片。在实际应用过程中，所述数个凸起12的外表面，至少是所述承载面121上形成有光解胶层，所述光解胶层用于粘接发光二极管芯片设有电极的一侧。具体的，所述临时基板10为玻璃板，可以是蓝宝石玻璃。所述凸起12与所述基板一体成型。可以通过纳米压印技术结合光罩刻蚀工艺，或者通过光罩工艺实现。所述光罩工艺是指通过掩膜版结合光罩、蚀刻等方式形成图案的工艺。
可选地，每一所述凸起12的在垂直于所述表面11方向的截面为正梯形、矩形、半圆形中的一种，所述凸起12为圆柱体或者矩形快状体。或者每一所述凸起12的承载面为凸出的弧面。请一并参阅图2，本实施例中，所述凸起12为圆柱体，且凸起12在垂直于所述基板表面方向的横截面为矩形，所述承载面121为平面。所述凸起12用于支撑发光二极管芯片，且所述凸起12上的光解胶层与所述发光二极管芯片粘贴后，激光从临时基板10的背部照射所述光解胶层，由于发光二极管芯片可以仅跟间隔设置的凸起12上的光解胶层粘接，相较于现有技术的整个基板表面与芯片粘接来说，所述凸起12改变激光在临时基板10的承载面121与光解胶粘接面的光能量效果，并且激光能量分布更加均匀化，增加激光选择性转移时的工艺参数窗口，不会因为光解胶光解不够充分导致转移无法完成，也不会在激光选择性转移时导致芯片电性能的损伤。解决现有的微型发光二极管芯片的转移方法无法保证成功率和质量的技术问题。而且可以选择性的转移发光二极管芯片，更为灵活。
请参阅图3，一种实施例中，所述临时基板10的数个凸起12在垂直于所述基板表面方向的横截面为梯形，具体为正提梯形，梯形的长底边与所述表面连接，短底边所在面为所述承载面121。本实施例的临时基板10上凸起12的承载面121面积较小，与所述发光二极管芯片通过光解胶层粘贴后，激光从临时基板10的背部照射所述光解胶层，由于承载面121面积较小，承载面上的光解胶层与发光二极管芯片接触面积小，更利于与发光二极管芯片临时粘接，并且利于光解胶被照射失效又不会损坏发光二极管芯片。
请参阅图4，另一种实施例中，每一所述凸起12的承载面121为凸出的球面，或者所述凸起12为半球形。所述临时基板10的数个凸起12的承载面121在垂直于所述基板表面方向的截面为凸出的弧形或者半圆形。具体的，所述凸起12为柱状体时，所述承载面121位于凸起12的自由端，所述承载面121为凸出的球面。所述凸起12为半球形时，所述半球的与所述临时基板10表面朝向同侧的弧形球面部分为所述承载面121。当所述光解胶层形成于所述凸起12时，所述需要转移的发光二极管芯片与球面的最顶端的光解胶接触，临时粘接面积较小更利于与发光二极管芯片临时粘接，并且利于光解胶被照射失效；而且激光从临时基板10背部照射凸起12时光线更为均匀，不会损伤发光二极管芯片。
请参阅图5，本发明还提供一种发光二极管芯片的转移方法，其应用上述实施例所述的临时基板10进行转移。本实施例中以凸起12的截面为矩形的临时基板10为例。具体的，本方法包括如下步骤：
如图6，步骤S1，提供生长基板30，所述生长基板30的一侧生成有呈阵列排列的数个发光二极管芯片31，每个所述发光二极管芯片31的电极设置在远离所述生长基板30的一侧。实际上该生长基板30是已经生长好发光二极管芯片31的基板，可以使通过发光二极管芯片生成的现有技术形成，在形成临时基板时该生长基板30是成品，这样更便于临时基板10的使用。本实施例中，所述发光二极管芯片生长基板30上数个发光二极管芯片31呈阵列排列且颜色相同。比如蓝色、红色或者绿色的发光二极管芯片31的生长基板30。本实施例的生长基板30上为同一种颜色的发光二极管芯片31。所述发光二极管芯片31生产工艺可以采用现有技术中的工艺形成。发光二极管芯片31上形成电极311的一侧露出所述生长基板30。
请参阅图7，步骤S2，提供形成有数个凸起12的临时基板10，所述凸起12包括承载面121，数个所述凸起12的承载面121上形成有光解胶层20。所述光解胶层20覆盖所述承载面121并具有黏性。具体的，在临时基板10的数个凸起12上形成光解胶层20可以采用喷涂或者喷墨打印技术将光刻胶液喷涂在数个所述凸起12上，实际上光解胶上也会涂布在临时基板10的表面上。本实施例采用喷涂技术形成光解胶层20，并通过紫外光进行预固化形成具有粘性的光解胶层20；光解胶层20具体的固化时间小于1分钟，固化温度在80-100度。所述光解胶层20的厚度根据实际需要设定，保证激光照射一定时间不损伤芯片又可以是光解胶胶性失效。其中，每两个相邻的凸起12之间的间距小于所述发光二极管芯片31的电极311朝向所述凸起12的表面尺寸。在此不限定所述凸起12横截面的形状，只要保证至少一个凸起与电极之间是通过光解胶层连接，保证光解胶与电极311的粘接力度以及电极311在临时基板30转移过程中的稳定性即可。
请参阅图8，步骤S3，将所述生长基板30形成有发光二极管芯片31的一侧与所述临时基板10的表面11相对，并且所述发光二极管芯片31的电极31与至少一个所述凸起12上的光解胶层20粘接，所述凸起12可以支撑所述发光二极管芯片31。具体的是发光二极管芯片31包含有电极的端面朝向所述临时基板10，所述含有电极311的端面与所述凸起12的连接面的光解胶层20粘贴。此时所述发光二极管芯片31与临时基板10通过光解胶层20粘接固定。
步骤S4，请参阅图9，将所述生长基板30与所述发光二极管芯片31剥离，使数个所述发光二极管芯片31被转移到所述临时基板10上。具体是通过激光等方式将所述生长基板30剥离。
请参阅图10和图11，步骤S5，提供转移基板40，且将所述转移基板40与目标发光二极管芯片31的基底粘贴，通过激光从所述临时基板10的背向所述凸起12的一侧照射目标发光二极管芯片31所对应的凸起12上的光解胶层20，使目标发光二极管芯片31与所述临时基板10分离并去除所述临时基板10；其中，所述目标发光二极管芯片31为所述临时基板10上的待转移的发光二极管芯片31。具体的，转移基板40与所述临时基板40上的发光二极管芯片31的基底通过胶体粘贴固定，所述发光二极管芯片31的基底具体为所述发光二极管芯片31的外延结构，且与胶体粘贴的位置为所述外延结构与所述电极背向的一侧。根据显示背板上的像素单元像素的位置，确定所述临时基板10上的要被转移的发光二极管芯片31的位置，该位置上的发光二极管芯片31为所述目标二极管芯片。所述显示背板上像素单元像素的位置可以是同一个颜色的也可以是不同颜色的，根据实际的需求及临时基板上与所述显示背板像素单元需要组装的发光二极管芯片31的颜色对应的位置来确定。比如，显示背板的像素单元内红绿蓝发光二极管芯片31依次排列，需要转移的发光二极管为绿色，而临时基板上的发光二极管芯片都是绿色，那么被选中的黄色的发光二极管芯片31两侧的发光二极管芯片31就不需要被转移，然后通过粘胶将所述转移基板40与所述临时基板10上的要被转移的发光二极管芯片31粘贴固定。如果临时基板上的发光二极管芯片的颜色也是红绿蓝排列，那么对应像素单元的红绿蓝位置来选择临时基板上的发光二极管芯片的位置。
请参阅图11，通过激光束从背向所述临时基板10表面的一侧照射所述目标发光二极管芯片31所在位置的凸起12，使所述凸起12上与所述发光二极管芯片31粘接的光解胶层20失效，以去除所述临时基板10。所述发光二极管芯片31转移并粘贴在所述转移基板40上。未被激光照射的发光二极管芯片31依然保留在临时基板10上，用于与显示背板对应位置的像素单元的下一次的选择和转移。
本步骤中，还包括，根据显示背板上的像素单元像素的位置，确定所述临时基板上的要被转移的发光二极管芯片的位置，该位置上的发光二极管芯片为所述目标二极管芯片；
通过粘胶将所述转移基板与所述临时基板上的所述目标发光二极管芯片粘贴固定。
步骤S6，通过所述转移基板40将所述目标发光二极管芯片31转移至显示背板上。
具体的：提供显示背板50，所述显示背板50设有电路，
通过粘贴有选中的发光二极管芯片31的所述转移基板40与所述显示背板50键合，使所述转移基板40上的发光二极管芯片31和所述显示背板50固定并与所述电路电连接；去除所述转移基板40。本步骤主要将发光二极管芯片装于所述显示背板50上，可选地，所述显示背板50包括驱动阵列，以及与所述驱动阵列连接的多组焊盘(图未示)；通过所述转移基板40将所述目标发光二极管芯片31的电极311与所述焊盘键合。具体的，利用剥离装置去除所述转移基板与所述发光二极管芯片31之间的粘胶层的粘性剥离转移基板，当粘胶层为光敏胶粘性材料时，剥离装置为光照装置，光照装置发射激光或者其他光束可透过转移基板照射至粘胶层已去除粘性。方粘胶层为热解胶时，剥离装置为加热装置，通过对转移基板与所述发光二极管芯片31之间的粘胶层加热使其失去粘性。
本发明所述的发光二极管芯片31的转移方法中，临时基板10上形成纳微结构，也就是数个凸起12，光解胶形成在凸起12的表面，当凸起12支撑发光二极管芯片31时与光解胶粘接，激光从临时基板10的背部照射所述光解胶层20，由于发光二极管芯片31仅与所述凸起12粘接，相较于现有技术的整个基板表面与芯片粘接来说，所述凸起12改变激光在临时基板10的承载面121与光解胶粘接面的光能量效果，并且激光能量分布更加均匀化，使光解胶充分失胶，不会因为光解胶光解不够充分导致转移无法完成，也不会在激光选择性转移时导致发光二极管芯片31电性能的损伤。解决现有的微型发光二极管芯片的转移方法无法保证成功率和质量的技术问题。
参阅图12，图13、图14及图15，所述在临时基板10的数个凸起12上形成光解胶层20的步骤之前，还包括所述玻璃基板的表面上形成所述数个凸起的步骤，具体是提供一玻璃基板60，在所述玻璃基板60的表面上形成所述数个凸起12以形成所述临时基板10。
具体包括，步骤S21，提供纳米压印模板70，所述纳米压印模板70的表面上形成有数个压印凸起71。采用纳米技术形成数个压印凸起70构成的微结构，尺寸精准采用纳米压印便于加工，而且节省曝光工艺。
步骤S22，在所述玻璃基板60的表面上形成光刻胶层61并进行预固化。
步骤S23，所述纳米压印模板70抵压所述预固化后的光刻胶层61上，数个压印凸起71在预固化后的光刻胶层上形成数个凹槽62。
步骤S24，以具有凹槽的光刻胶层作为掩膜版对所述玻璃基板60进行刻蚀，形成数个所述的凸起12，即所述临时基板，如图2所示。所述发光二极管芯片31的电极尺寸较小，保证电极与凸起12上的光解胶层粘接，所述凸起12小于等于电极尺寸甚至是所述发光二极管芯片31，且两个相邻的凸起12之间的间距小于电极的尺寸，可以说所述凸起12的尺寸以微米计量，那么采用纳米压印版制作所述临时基板的凸起12尺寸上更为精准。可选地，请参阅图16，在步骤S24中还包括撤去所述纳米压印模板70，所述凹槽62的槽底部为余留光刻胶。等离子去除所述凹槽62的槽底部露出所述玻璃基板60的表面，形成具有通槽的光刻胶层。通过具有通槽的光刻胶层作为掩膜版。
另一种实施例中，在所述玻璃基板的表面上形成所述数个凸起12的步骤，包括：
提供掩膜版，所述掩膜版上形成有数个通槽，
在所述玻璃基板的表面上形成光刻胶层，
通过光罩工艺利用所述掩膜版在所述光刻胶层上形成数个凹槽，所述凹槽的槽底部包括余留光刻胶，其中所述光罩工艺包括显影、曝光及刻蚀等加工方法。
等离子去除所述凹槽的槽底部露出所述玻璃基板的表面，形成具有通槽的光刻胶层，以具有通槽的光刻胶层作为掩膜版对所述玻璃基板进行刻蚀，形成数个所述的凸起，去除所述光刻胶层。
本发明还保护一种显示组件，所述显示组件包括显示背板，所述显示背板的像素单元设有发光二极管芯片，所述发光二极管芯片通过以上实施例所述方法转移至显示背板上。
应当理解的是，本申请的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本申请所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，包括：
提供生长基板，所述生长基板的一侧生成有呈阵列排列的数个发光二极管芯片，每个所述发光二极管芯片的电极设置在远离所述生长基板的一侧；
提供形成有数个凸起的临时基板，所述凸起包括承载面，数个所述凸起的承载面上形成有光解胶层；
将所述生长基板形成有发光二极管芯片的一侧与所述临时基板的表面相对，并且所述发光二极管芯片的电极与至少一个所述凸起上的光解胶层粘接；
将所述生长基板与所述发光二极管芯片剥离；
提供转移基板，且将所述转移基板与目标发光二极管芯片的基底粘贴，通过激光从所述临时基板的背向所述凸起的一侧照射目标发光二极管芯片所对应的凸起上的光解胶层，使所述目标发光二极管芯片与所述临时基板分离并去除所述临时基板；其中，所述目标发光二极管芯片为所述临时基板上的待转移的发光二极管芯片；
通过所述转移基板将所述目标发光二极管芯片转移至显示背板。
2.如权利要求1所述的发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，每两个相邻的凸起之间的间距小于所述发光二极管芯片的电极朝向所述凸起的表面尺寸。
3.如权利要求1所述的发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述提供转移基板，且将所述转移基板与所述发光二极管芯片的基底粘贴，的步骤中，包括，根据显示背板上的像素单元像素的位置，确定所述临时基板上的要被转移的发光二极管芯片的位置，该位置上的发光二极管芯片为所述目标二极管芯片；
通过粘胶将所述转移基板与所述临时基板上的所述目标发光二极管芯片粘贴固定。
4.如权利要求3所述的发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述光解胶层是通过将光刻胶液喷涂在数个所述凸起上，并通过紫外光进行预固化形成。
5.如权利要求4所述的发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述提供形成有数个凸起的临时基板的步骤包括：
提供一玻璃基板，在所述玻璃基板的表面上形成所述数个凸起。
6.如权利要求5所述的发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，在所述玻璃基板的表面上形成所述数个凸起的步骤，包括：
提供纳米压印模板，所述纳米压印模板的表面上形成有数个压印凸起；
在所述玻璃基板的表面上形成光刻胶层并进行预固化；
所述纳米压印模板抵压所述预固化后的光刻胶层上，数个所述压印凸起在预固化后的光刻胶层上形成数个凹槽，撤去所述纳米压印模板，所述凹槽的槽底部为余留光刻胶；
等离子去除所述凹槽的槽底部露出所述玻璃基板的表面，形成具有通槽的光刻胶层；
以具有通槽的光刻胶层作为掩膜版对所述玻璃基板进行刻蚀，形成数个所述凸起。
7.如权利要求5所述的发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，在所述玻璃基板的表面上形成所述数个凸起的步骤，包括：
提供掩膜版，所述掩膜版上形成有数个通槽，
在所述玻璃基板的表面上形成光刻胶层，
通过光罩工艺利用所述掩膜版在所述光刻胶层上形成数个凹槽，
以具有凹槽的光刻胶层作为掩膜版对所述玻璃基板进行刻蚀，形成数个所述凸起。
8.如权利要求1所述的发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，还包括，
提供显示背板，所述显示背板设有电路；
通过粘贴有选中的发光二极管芯片的所述转移基板与所述显示背板键合，使所述转移基板上的发光二极管芯片和所述显示背板固定并与所述电路电连接，去除所述转移基板。
9.一种临时基板，用于发光二极管芯片的临时转移，其特征在于，所述临时基板包括表面，所述表面上形成有数个间隔设置的凸起，数个所述凸起呈阵列排列，每一所述凸起包括承载面，数个所述凸起的承载面上形成有光解胶层，所述光解胶层用于粘接所述发光二极管芯片。
10.一种显示组件，其特征在于，所述显示组件包括显示背板，所述显示背板的像素单元包括发光二极管芯片，所述发光二极管芯片通过权利要求1-8任一项所述发光二极管芯片转移方法转移至所述显示背板上。
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