CN111987193B - 微发光二极管转移装置及其制作方法 - Google Patents
微发光二极管转移装置及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111987193B CN111987193B CN201910430863.5A CN201910430863A CN111987193B CN 111987193 B CN111987193 B CN 111987193B CN 201910430863 A CN201910430863 A CN 201910430863A CN 111987193 B CN111987193 B CN 111987193B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- glass substrate
- photoresist
- material layer
- elastic material
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 136
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 102
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 101
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 7
- 239000013536 elastomeric material Substances 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Polymethylsiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种微发光二极管转移装置及制作方法。转移装置的制作方法包括，在第一玻璃基板上形成若干第一光阻块、在第二玻璃基板上形成若干第二光阻块；将所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板并列对准，并使得每个所述第一光阻块均与所述第二光阻块粘合来形成光阻柱；在所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之间填充弹性材料层，所述填充材料层环绕所述光阻柱；去除所述第二玻璃基板以及所述光阻柱；在所述弹性材料层上覆盖封装板，所述封装板与所述弹性材料层之间形成联通所述若干贯穿孔的腔室，所述腔室具有外接口，去除所述第一玻璃基板，暴露出所述若干贯穿孔。本发明解决了真空吸嘴难以吸附微元件的问题，实现了微发光二极管的批量转移。
Description
技术领域
本发明涉及微发光二极管技术领域，特别是涉及一种微发光二极管转移装置及其制作方法。
背景技术
随着显示行业的快速发展，显示技术的不断更新迭代，微发光二极管(MicroLight-emitting Diodes，Micro-LED)显示技术有望成为下一代主流显示技术。Micro-LED显示技术比目前的OLED显示技术拥有更高的亮度、更好的发光效率以及更低的功耗，具有明显的技术优势。
然而，在实际开发过程中仍存在很多的问题，其中，Micro-LED的批量转移是降低微发光二极管显示屏体加工成本和提升工艺的关键技术，但是由于Micro-LED芯片的尺寸小，传统的真空吸嘴工艺很难适用于几十到几个微米尺寸的Micro-LED芯片。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种微发光二极管转移装置及制作转移装置的方法，通过使用特殊材质制作具有微米级孔径的真空弹性吸嘴实现微发光二极管的批量转移。
为解决上述技术问题，一方面，本发明提供一种微发光二极管转移装置的制作方法，包括：
在第一玻璃基板上形成若干第一光阻块、在第二玻璃基板上形成若干第二光阻块；
将所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板并列，并使得每个所述第一光阻块均与所述第二光阻块粘合来形成光阻柱；
在所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之间填充弹性材料层，所述填充材料层环绕所述光阻柱；
去除所述第二玻璃基板以及所述光阻柱，使得所述弹性材料层中形成若干贯穿孔；
在所述弹性材料层上覆盖封装板，所述封装板与所述弹性材料层之间形成联通所述若干贯穿孔的腔室，所述腔室具有外接口；
去除所述第一玻璃基板，暴露出所述若干贯穿孔形成带有吸嘴的微发光二极管的转移装置。
进一步的，所述在第一玻璃基板上形成若干第一光阻块、在第二玻璃基板上形成若干第二光阻块的步骤，具体包括：在第一玻璃基板上形成第一柔性衬底，在所述第一柔性衬底上形成若干第一光阻块；在第二玻璃基板上形成第二柔性衬底，在所述第二柔性衬底上形成若干第二光阻块；
进一步的，去除所述第二玻璃基板以及所述光阻柱的步骤，具体包括：去除所述第二玻璃基板、第二柔性衬底以及所述光阻柱；
进一步的，所述去除所述第一玻璃基板的步骤，具体包括：去除所述第一玻璃基板以及第一柔性衬底。
进一步的，所述第一柔性衬底和所述第二柔性衬底由聚酰亚胺制备。
进一步的，所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之间填充弹性材料层的步骤，具体包括：通过毛细工艺，在所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之间填充弹性材料层。
进一步的，所述使得每个所述第一光阻块均与一所述第二光阻块粘合来形成光阻柱的步骤，具体包括：通过加压工艺，使得每个所述第一光阻块均与一所述第二光阻块粘合来形成光阻柱。
进一步的，在所述弹性材料层上覆盖封装板的步骤，具体包括：在所述弹性材料层上覆盖封装板，并使得所述弹性材料层与所述封装板共价键键合。
进一步的，所述第二光阻块的截面面积大于所述第一光阻块的截面面积。
进一步的，所述第一光阻块和第二光阻块均呈圆柱状。
进一步的，所述吸嘴的截面直径在2um-50um的范围内。
另一方面，本发明还提供了一种使用上述方法制得的微发光二极管的转移装置。
本发明的有益效果是：本发明通过在玻璃基板上光刻加工的具有微结构的光阻块，再浇筑弹性材料形成大量微米级孔径的贯穿孔，解决了真空吸嘴难以吸附微元件的问题，同时可吸附纳米级的micro-LED芯片并实现大批量的micro-LED转移。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例中微发光二极管转移装置的制作方法的流程示意图；
图2至图6为图1各步骤对应的微发光二极管转移装置剖面结构示意图；
图7为本发明一实施例中微发光二极管转移装置的剖面结构示意图；
图8为本发明一实施例中微发光二极管转移装置的俯视结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。
请参见图1，是本发明微发光二极管阵列器件第一实施例的制作方法流程示意图。所述方法包括：
步骤S1：在第一玻璃基板上形成若干第一光阻块、在第二玻璃基板上形成若干第二光阻块。
具体的，提供大小相同的第一玻璃基板和第二玻璃基板，第一玻璃基板和第二玻璃基板的材料均为任意的硬质材料如选用ZnSe、Zn0、蓝宝石(Al203)、SiC、Si、GaN、GaAs、GaP、磷化铝铟镓(Al InGaP)、铝砷化镓(AlGaAs)等材料。
在两块玻璃基板上分别使用光刻技术加工出圆柱状的微结构的光刻胶图形，光刻胶图形也称之为光阻块。如图2所示，在第一玻璃基板103和第二玻璃基板106上形成若干第一光阻块101和第二光阻块104的过程中，首先在第一玻璃基板103上形成第一柔性衬底102，在第二玻璃基板106上形成第二柔性衬底105，第一柔性衬底102和第二柔性衬底105为具有延展性的材料，优选为聚酰亚胺(PI)材料，PI可以通过涂覆或者固化形成于玻璃基板上，这样使得PI形成的表面较为平整，而且PI薄膜作为牺牲层在剥离时更容易实现与基板的分离；当然，在其它实施例中，柔性衬底还可以是其他衬底，例如PET衬底、PMMA衬底等，本实施例仅作示意性说明，并不以此为限，在实际应用中可根据需要合理设置。
接下来，在第一柔性衬底102上使用光刻技术光刻第一光阻块101，在第二柔性衬底105上同样使用光刻技术光刻第二光阻块104，第一光阻块101和第二光阻块104均为柱状的光刻胶图形。其中，第一柔性衬底102上的第一光阻块101和第二柔性衬底105上的第二光阻块104位置相同，且第一光阻块101和第二光阻块104的数量相等，但是第一光阻块101的横截面积小于第二光阻块104的横截面积，且相邻第一光阻块101之间的间距大于相邻第二光阻块104之间的间距。第一光阻块101之间的距离设置在2um-50um之间，第二光阻块104之间的距离只要满足小于第一光阻块之间的距离即可，即距离的设置是为了满足吸嘴的尺寸大小。
为了使后续步骤容易操作，每个第一光阻块101和每个第二光阻块104的中心位置最好能够一一对应，也就是说，第一玻璃基板103上的第一光阻块101的中心和第二玻璃基板106上的第二光阻块104中心的位置相同。
可选地，第一光阻块101和第二光阻块104可以同为正向光阻，也可以同为负向光阻，本实施例中选择第一光阻块101和第二光阻块104同为正向光阻。
步骤S2：将所述第一玻璃基板103和所述第二玻璃基板104并列，并使得每个所述第一光阻块101均与所述第二光阻块104粘合来形成光阻柱。
如图3所示，将第二玻璃基板106、第二柔性衬底105和第二光阻块104整体放置在第一光阻块101上，并使第一玻璃基板103和第二玻璃基板106并列对齐，其中，使第二光阻块104远离第二柔性衬底105的一侧与第一光阻块101远离第一柔性衬底102的一侧接触，并作为二者的接触面，且每个第二光阻块104与每个第一光阻块101的中心位置一一对准，使第一光阻块101和第二光阻块104粘合并形成光阻柱。第一光阻块101与第二光阻块104的键合通过加压的方式实现，在第一玻璃基板103和第二玻璃基板106两侧加压使得光阻块的高分子材料间的范德华力或者表面黏附力粘合在一块。
通过使用两块大小不同的光阻块键合的微结构作为模板，有利于形成上通道大、下通道小的贯穿孔，这样既能保证真空腔体内空气流量大，又能够保证转移装置可以吸附较小的元件。
步骤S3：在所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之间填充弹性材料层，所述填充材料层环绕所述光阻块。
具体地，由于将第一光阻块101与第二光阻块104键合后，第一玻璃基板103和第二玻璃基板106之间的空隙会被封住，为了使弹性材料能够充分地填充于所述空隙中，弹性材料最好选择液态性质的，当然也可以选用半液态性质的弹性材料，然后使用毛细工艺使弹性材料慢慢浸入到所述空隙中，直至整个空隙都填充完毕，且填充的弹性材料环绕每个光阻柱。如图4所示，第一玻璃基板103和第二玻璃基板106之间通过毛细方法填充弹性材料后，整个结构成实心状。
优选地，弹性材料可以选择弹性灌封胶或者聚甲基硅氧烷(PDMS)，本实施例中，所述弹性填充材料选择PDMS预聚体，因为PDMS预聚体一方面具有较好的弹性和柔性，在微米级元件的吸附过程中更为紧密，不易掉落，另一方面PDMS预聚体与相对粗糙的表面接触非常紧密，可以与封装板具有较好封接效果。具体地，将所述微发光二极管转移装置放入液态PDMS预聚体材料中，使PDMS预聚体通过毛细作用浸入到转移装置的第一玻璃基板和第二玻璃基板的空隙之中，并填充于整个空隙。
步骤S4：去除所述第一玻璃基板以及所述光阻柱，使得所述弹性材料层中形成若干贯穿孔。
在本实施例中，采用激光剥离玻璃基板，具体地，首先利用激光照射第二玻璃基板106，使激光透过第二玻璃基板106炭化第二玻璃基板106与第二柔性衬底105的分界面，降低第二柔性衬底105与玻璃基板的黏附性，从而使第二玻璃基板106与第二柔性衬底105分离，接下来施加机械力剥离掉第二玻璃基板106；最后使用同样的方法剥离第二柔性衬底105。
接下来，利用溶液法清除多个第一光阻块101和多个第二光阻块104。具体地，在本实施例中，第一光阻块101和第二光阻块104均选用正向光阻，由于正向光阻在紫外线照射的情况下易溶解于碱性显影溶液中，因此在不损坏第一玻璃基板103和第一柔性衬底102的情况下，溶解第一光阻块101和第二光阻块104，然后使用清水清洗，处理掉残留物，使整个装置出现一个个贯穿孔，处理后转移装置如图5所示，清理掉第一光阻块101和第二光阻块104后，形成若干贯穿孔，浇筑的PDMS预聚体形成弹性吸嘴107。
步骤S5：在所述弹性材料层上覆盖封装板，所述封装板与所述弹性材料层之间形成联通所述若干贯穿孔的腔室，所述腔室具有外接口。
在本实施例中，在弹性材料上覆盖的封装板为硬质玻璃，当然也可以选择其他硬质材料。如图6所示，封装板108包括第一支撑部件108a、第二支撑部件108b和真空腔室110，第一支撑部件与弹性材料层107一侧连接，且成阵列排布，所述第二支撑部件108b覆盖于所述第一支撑部件108a和若干贯穿孔111的上方,所述真空腔室110在所述第一支撑部件108a、第二支撑部件108b之间形成连通的腔室，真空腔室110和若干贯穿孔111形成空气连接通道。第一支撑部件108a由装置的周边向上延伸至第二支撑部件108b并构成一个整体，第二支撑部件108b覆盖于第一支撑部件108a和若干贯穿孔111的上方,且与第一支撑部件108a和若干贯穿孔111所在平面之间形成一个腔室，腔室具有一个外接口109，该外接口109用于抽取真空腔室110内的空气。
具体地，第一支撑部件108a与弹性材料层107键合，因为弹性材料具有一定的收缩性，在吸附mirco-LED元件时，可以有效增加吸附的气密性，使得弹性材料吸附微米级元件时更为牢固。首先需要对玻璃(第一支撑部件108a)表面进行平整化处理，然后将玻璃和弹性材料原位贴上，施加压力使第一支撑部件108a和弹性材料107的交界面处通过共价键键合，然后使用抽真空设备对贴合处进行抽真空处理，最后进行退火处理。优选地，最好可以在施加压力的同时抽真空，这样既可以节省操作时间，还可以解决玻璃不平整、弹性材料层翘曲导致粘合不好的问题。
在较佳的实施例中，优选弹性材料为弹性灌封胶或者聚二基硅氧烷(PDMS)，特别优选为PDMS预聚体，一方面PDMS预聚体具有较好的弹性和柔性，而第一支撑部件108a为硬质玻璃，表面较为粗糙，PDMS预聚体与相对粗糙的表面接触非常紧密，二者之间的连接不需要使用粘合剂，且PDMS预聚体为活性的含氧材料，可以通过加压使PDMS预聚体和玻璃的接触界面形成共价键，从而使得PDMS预聚体和玻璃通过共价键键合而连接在一起，而且键合界面非常牢固，键合工艺也较为简单。
第二支撑部件108b与第一支撑部件108a一体成型制作而来，第一支撑部件108a由装置的周边向上延伸至第二支撑部件108b构成一个整体，且第一支撑部件108a和第二支撑部件108b之间形成一个空腔，第二支撑部件108b为阵列排布结构。
步骤S6：去除第一玻璃基板，暴露出若干贯穿孔，形成带有吸嘴的微发光二极管的转移装置；
具体地，利用激光照射第一玻璃基板103，使激光透过第一玻璃基板103炭化第一玻璃基板103与第一柔性衬底102的分界面，降低第一柔性衬底102与玻璃基板地黏附性，从而使第一玻璃基板103与第一柔性衬底102分离，接下来施加机械力剥离掉玻璃基板；最后使用同样的方法剥离柔性衬底，暴露出微米级的若干贯穿孔，形成具有吸嘴的微发光二极管的转移装置。
在本方案的一个实施例中，如图7所示由于光阻块在微发光二极管转移装置中会被清洗掉，原光阻块所在的空间位置会形成转移装置的贯穿孔111，用于吸取微发光二极管，因此在制作光阻块时，使第一光阻块的横截面积小于第二光阻块的横截面积，使得制成连通真空腔室110一侧若干贯穿孔111的横截面积大于远离真空腔室110一侧若干贯穿孔111的横截面积，这样，一方面可以使若干贯穿孔111与空气之间的对流大，另一方面使若干贯穿孔111又易于吸取较小的micro-LED。
优选地，使第一光阻块和第二光阻块均成圆柱状，这样一方面便于贯穿孔内空气的流通，另一方面，有利于匹配待吸取的微元件。
作为微发光二极管的转移装置，吸嘴的大小很大程度决定了微发光二极管转移的成功率，该工作方式的原理是：在真空腔体进行抽真空操作时，使得真空腔室和贯穿孔通道内的压强变小，当吸嘴触碰到mirco-LED时，mirco-LED两边会形成压差，使得mirco-LED被吸附于吸嘴上，当停止抽真空操作时，mirco-LED两端的压差消失，因此mirco-LED会被释放。在本实施例中，吸嘴的大小应小于mirco-LED的尺寸，吸嘴的横截直径大小最好控制在2um-50um之间，这样吸嘴不仅可以有一定的面积与mirco-LED充分接触黏附，另一方面，使吸嘴的尺寸小于mirco-LED，在抽空气进行吸附时，使得mirco-LED未与吸嘴接触的部分会因为压差而被牢牢吸起。
本发明提供一种微发光二极管的转移装置，其中转移装置由上述的制作方法而来，请参阅图7和图8，是本发明微发光二极管转移装置的实施例结构示意图。本实施例中微发光二极管转移装置包括阵列排布的吸嘴107，该吸嘴107为弹性材料；位于相邻吸嘴之间的贯穿孔111；位于多个吸嘴107一侧的封装板108，封装板108用于固定阵列排布的吸嘴和封装真空腔室，其中封装板108包括第一支撑部件108a、第二支撑部件108b和真空腔体110，第一支撑部件108a与吸嘴107一侧连接，且成阵列排布，所述第二支撑部件108b覆盖于所述第一支撑部件108a和贯穿孔111上方,所述真空腔室110在所述第一支撑部件108a、第二支撑部件108b之间形成连通的通道，真空腔室110和贯穿孔111形成空气连接通道，通过抽取真空腔室110的空气使微发光二极管通过贯穿孔111被吸住。
第一支撑部件108a成阵列排布，与吸嘴107的排布情况一一对应，并与吸嘴107的一侧连接，也即，每个吸嘴107的一侧都有第一支撑部件作为硬质支撑点。相邻的第一支撑部件108a之间通过硬质基材彼此连接，在行和列方向上，所有第一支撑部件连接成直线，延伸至边缘，如图8所示，第一支撑部件108a(1)与第一支撑部件108a(2)之间的某两边连接在一条直线上，使真空腔室和贯穿孔之间形成通道，中间会形成贯穿孔111，用于空气的流通。
本实施例中的微发光二极管类型不做限制，即微发光二极管可以为蓝绿发光二极管，也可以为紫外发光二极管等，微发光二极管结构可以为水平结构的发光二极管，也可以为垂直结构的发光二极管，可以为正装结构的发光二极管，也可以为倒装结构的发光二极管。
本发明的Micro-LED的转移装置及制作方法通过在玻璃基板上光刻加工微结构，然后浇筑PDMS预聚体形成微米级孔径的弹性吸嘴，并在所述弹性吸嘴的一侧设置封装板，以便起到支撑作用和用于抽取空气的通道，所述弹性吸嘴的横截面积设置为靠近支撑部件一侧的横截面积小于远离支撑部件一侧的横截面积，使得真空吸嘴容易吸拾微米级元件，便于Micro-LED的大批量转移。
在本实施例中，所述微发光二极管的转移装置只描述了部分相关结构及功能，其他结构及功能与现有技术中的微发光二极管转移装置的结构及功能相同，在此不再赘述。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种微发光二极管转移装置的制作方法，其特征在于，包括：
在第一玻璃基板上形成若干第一光阻块、在第二玻璃基板上形成若干第二光阻块；
将所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板并列，并使得每个所述第一光阻块均与所述第二光阻块粘合来形成光阻柱；
在所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之间填充弹性材料层，所述填充材料层环绕所述光阻柱；
去除所述第二玻璃基板以及所述光阻柱，使得所述弹性材料层中形成若干贯穿孔；
在所述弹性材料层上覆盖封装板，所述封装板与所述弹性材料层之间形成联通所述若干贯穿孔的腔室，所述腔室具有外接口；
去除所述第一玻璃基板，暴露出所述若干贯穿孔形成吸嘴。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一玻璃基板上形成若干第一光阻块、在第二玻璃基板上形成若干第二光阻块的步骤，具体包括：
在第一玻璃基板上形成第一柔性衬底，在所述第一柔性衬底上形成若干第一光阻块；
在第二玻璃基板上形成第二柔性衬底，在所述第二柔性衬底上形成若干第二光阻块；
所述去除所述第二玻璃基板以及所述光阻柱的步骤，具体包括：
去除所述第二玻璃基板、第二柔性衬底以及所述光阻柱；
所述去除所述第一玻璃基板的步骤，具体包括：
去除所述第一玻璃基板以及第一柔性衬底。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一柔性衬底和所述第二柔性衬底由聚酰亚胺制备。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之间填充弹性材料层的步骤，具体包括：
通过毛细工艺，在所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之间填充弹性材料层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使得每个所述第一光阻块均与一所述第二光阻块粘合来形成光阻柱的步骤，具体包括：
通过加压工艺，使得每个所述第一光阻块均与一所述第二光阻块粘合来形成光阻柱。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述弹性材料层上覆盖封装板的步骤，具体包括：
在所述弹性材料层上覆盖封装板，并使得所述弹性材料层与所述封装板共价键键合。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二光阻块的截面面积大于所述第一光阻块的截面面积。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一光阻块和第二光阻块均呈圆柱状。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述吸嘴的截面直径在2 μ m -50 μ m 的范围内。
10.一种微发光二极管转移装置，其特征在于，所述微发光二极管转移装置通过如权利要求1至9中任一项所述方法所制得。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910430863.5A CN111987193B (zh) | 2019-05-22 | 2019-05-22 | 微发光二极管转移装置及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910430863.5A CN111987193B (zh) | 2019-05-22 | 2019-05-22 | 微发光二极管转移装置及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111987193A CN111987193A (zh) | 2020-11-24 |
| CN111987193B true CN111987193B (zh) | 2021-06-11 |
Family
ID=73436029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910430863.5A Active CN111987193B (zh) | 2019-05-22 | 2019-05-22 | 微发光二极管转移装置及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111987193B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113410169A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-09-17 | 深圳市百柔新材料技术有限公司 | 一种转移装置 |
| CN115857224B (zh) * | 2022-11-23 | 2024-07-09 | 安徽繁盛显示科技有限公司 | 玻璃基板以及显示面板的基板制造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013014118A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Japan Steel Works Ltd:The | 微細構造体の剥離方法及び剥離装置 |
| CN106449498A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-02-22 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 用于转移微元件的转置头及微元件的转移方法 |
| CN109256351A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-01-22 | 南方科技大学 | 微型芯片的批量转移装置以及转移方法 |
-
2019
- 2019-05-22 CN CN201910430863.5A patent/CN111987193B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013014118A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Japan Steel Works Ltd:The | 微細構造体の剥離方法及び剥離装置 |
| CN106449498A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-02-22 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 用于转移微元件的转置头及微元件的转移方法 |
| CN109256351A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-01-22 | 南方科技大学 | 微型芯片的批量转移装置以及转移方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111987193A (zh) | 2020-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3608615B2 (ja) | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 | |
| JP6744870B2 (ja) | マイクロ発光ダイオードの転写方法、製造方法、マイクロ発光ダイオード装置、及び電子機器 | |
| CN107251237B (zh) | 微发光二极管的修复方法、制造方法、装置和电子设备 | |
| JP6546278B2 (ja) | マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器 | |
| KR101382354B1 (ko) | 전자기기 및 그 제조 방법과, 발광 다이오드 표시 장치 및그 제조 방법 | |
| CN107924866B (zh) | 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备 | |
| CN111199907A (zh) | 微发光器件的转移方法及转移设备 | |
| CN112582520B (zh) | 微发光二极管转移方法及显示面板 | |
| CN112967984B (zh) | 微芯片的巨量转移方法及显示背板 | |
| CN111987193B (zh) | 微发光二极管转移装置及其制作方法 | |
| CN111128819A (zh) | 一种微器件转移装置及其制备方法 | |
| CN112768370B (zh) | 微元件的转移方法及转移装置 | |
| JP2020043209A (ja) | マイクロｌｅｄアレイの製造方法、及びマイクロｌｅｄディスプレイの製造方法、並びにマイクロｌｅｄアレイ、及びマイクロｌｅｄディスプレイ | |
| JP4100203B2 (ja) | 素子転写方法 | |
| WO2020103405A1 (zh) | 微发光器件的转移方法以及转移设备 | |
| CN111902952A (zh) | 发光二极管的巨量转移方法、以及显示背板组件 | |
| JP4758780B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の実装装置 | |
| CN112967971B (zh) | 一种Micro-LED的转移基板及其制备方法 | |
| CN112820752A (zh) | 微发光二极管阵列基板及微发光二极管的转移方法 | |
| JP4840371B2 (ja) | 素子転写方法 | |
| JP2003332523A (ja) | 素子の転写方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法 | |
| CN115513244A (zh) | 临时基板、发光二极管芯片的转移方法及显示组件 | |
| KR20210004767A (ko) | 마이크로 진공모듈을 이용한 마이크로 led 어레이 전사를 위한 기판, 마이크로 led 어레이, 마이크로 진공모듈 간의 배치 구조 및 이를 이용한 마이크로 led 디스플레이 제작 방법 | |
| CN217134373U (zh) | 具有主动型元件的发光基板 | |
| JP2003218402A (ja) | 素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20201207 Address after: No.146 Tianying Road, high tech Zone, Chengdu, Sichuan Province Applicant after: Chengdu CHENXIAN photoelectric Co.,Ltd. Address before: 065500 Hebei Langfang County Guan emerging industry demonstration area Applicant before: Yungu (Gu'an) Technology Co.,Ltd. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |