CN115178874B - 激光焊接单元、led芯片批量转移键合装置和方法 - Google Patents

激光焊接单元、led芯片批量转移键合装置和方法 Download PDF

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Abstract

激光焊接单元、LED芯片批量转移键合装置和方法，涉及LED显示屏技术领域，解决了芯片转移键合质量和效率无法同时提升的问题，可应用于显示面板量产中的芯片键合工序。激光焊接单元通过将待焊接区域划分为A、B两组互不相邻的小焊接面，分别对A或B区激光照射实现芯片巨量转移键合。装置还包括真空吸盘、芯片转移载板和基板载板；芯片转移载板包括粘贴胶层用于承载芯片；真空吸盘设于激光焊接单元下方吸附芯片转移载板；基板载板用于显示基板承载。对单个焊接区域的A、B区阵列分别进行激光照射，重复操作完成所有区域的转移键合；或者先对基板各个待焊接区域中的A区进行激光照射，再对基板各个待焊接区域中的B区进行激光照射。

Description

激光焊接单元、LED芯片批量转移键合装置和方法
技术领域
本发明涉及LED显示屏技术领域，具体涉及一种LED芯片巨量转移键合技术。
背景技术
在Mini-LED（芯片尺寸介于50μm至200μm之间的LED器件）和Micro-LED（微米发光二极管）的制程工艺中，需要首先通过转移机构将多个LED芯片转移至转接板，然后再将转接板上的各芯片与基板上的焊盘对位并焊接固定。现有的焊接方式是将转移基板表面的芯片电极与基板表面焊盘贴合，采取整面恒温加热的方式将芯片焊接于基板表面。但是受制于焊接面温度均匀性，焊接面不能做大，因此基板表面需要进行多次转移键合才能完成，导致LED芯片转移键合的效率低下，这也成为了制约mini LED显示面板和micro LED显示面板量产的瓶颈。
发明内容
为了解决现有LED芯片转移键合方法效率低下的问题，本发明提出了一种激光焊接单元、LED芯片批量转移键合装置和方法。
本发明的技术方案如下：
一种激光焊接单元，用于实现LED芯片的批量转移键合，所述激光焊接单元包括阵列分区模块和激光束照射模块；
所述阵列分区模块用于将待焊接区域划分成网格形式的焊接阵列，所述焊接阵列中每行和每列的矩形区域都采用A区和B区交替的方式设置，所述激光束照射模块用于单次对A区或B区进行激光照射，实现该区域内LED芯片的批量转移键合。
优选地，所述焊接阵列为2×2、3×2或3×3网格阵列。
优选地，所述激光束照射模块具有阵列结构，所述阵列结构与阵列分区模块划分的焊接阵列相同，所述激光束照射模块的可照射区域面积等于所述待焊接区域面积。
优选地，所述激光束照射模块可移动，所述激光束照射模块的可照射区域面积等于所述焊接阵列中单个矩形区域的面积。
一种LED芯片批量转移键合装置，包括如上所述的激光焊接单元，还包括真空吸盘、芯片转移载板以及基板载板；
所述芯片转移载板包括透明载板及其表面涂覆的粘贴胶层，用于承载待转移的LED芯片；
所述真空吸盘为透明材质，设于激光焊接单元下方，用于吸附芯片转移载板；
所述基板载板用于置于显示基板下方实现显示基板的承载。
优选地，所述粘贴胶层在温度升高后粘性降低并产生气体。
优选地，还包括测温单元，所述测温单元用于置于基板载板下方实现对显示基板测温，并通过反馈调整激光束温度。
优选地，所述测温单元具有阵列结构，所述阵列结构与阵列分区模块划分的焊接阵列相同。
一种LED芯片批量转移键合方法，应用如上所述LED芯片批量转移键合装置，包括以下步骤：
S1、根据显示基板表面的焊盘排布将LED芯片粘贴在芯片转移载板表面；
S2、利用真空吸盘吸附芯片转移载板的背面，然后将芯片转移载板移动至显示基板待焊接区域正上方，使得LED芯片P/N结与待焊接区域基板焊盘正负极位置相对应；
S3、激光束照射模块对A区阵列进行激光照射，当测温单元检测温度达到设定温度时，即LED芯片焊接到基板表面，反馈控制激光束温度恒定，完成单个焊接区域中A区阵列的芯片转移键合；
S4、重复步骤S3对B区阵列进行激光照射，完成单个焊接区域的芯片转移键合；
S5、移动激光焊接单元，重复步骤S3和步骤S4将显示基板的所有待焊接区域表面焊接LED芯片，直到完全铺满。
一种LED芯片批量转移键合方法，应用如上所述LED芯片批量转移键合装置，包括以下步骤：
S1、根据显示基板表面的焊盘排布将LED芯片粘贴在芯片转移载板表面；
S2、利用真空吸盘吸附芯片转移载板的背面，然后将芯片转移载板移动至显示基板待焊接区域正上方，使得LED芯片P/N结与待焊接区域基板焊盘正负极位置相对应；
S3、激光束照射模块对A区阵列进行激光照射，当测温单元检测温度达到设定温度时，即LED芯片焊接到显示基板表面，反馈控制激光束温度恒定，完成单个焊接区域中A区阵列的芯片转移键合；
S4、移动激光焊接单元，重复步骤S3将显示基板的所有待焊接区域中A区阵列表面焊接LED芯片；
S5、移动激光焊接单元，对每个焊接区域中的B区阵列进行激光照射，完成单个焊接区域的芯片转移键合。
与现有技术相比，本发明解决了LED芯片转移键合方法效率低下的问题，具体有益效果为：
本发明提供的激光焊接单元通过对待焊接区域进行区域划分，将大面积的焊接面划分为A、B两组互不相邻的小焊接面，A、B两区域不存在相邻边，通过分别对A区或B区的激光照射，克服了焊接面温度均匀性的制约，实现LED芯片在大面积焊接区域的巨量转移键合，通过芯片转移键合的效率提升，解决了mini LED显示面板和micro LED显示面板量产困难的难题，大大提升mini LED显示面板和micro LED显示面板生产效率。
附图说明
图1为实施例2中所述2×2网格阵列示意图；
图2为实施例2中所述2×3网格阵列示意图；
图3为实施例2中所述3×3网格阵列示意图；
图4为实施例5所述显示基板表面结构示意图；
图5为实施例7中所述测温单元和基板载板的组合结构示意图；
图6为实施例8中所述基板载板的阵列结构示意图；
图7为实施例9所述LED芯片在芯片转移载板上排布示意图；
图8为实施例9所述芯片转移载板在显示基板待焊接区域正上方对应位置示意图；
图9为实施例9所述完成单个焊接区域中A区阵列芯片转移键合的状态示意图；
图10为实施例9所述完成显示基板所有待焊接区域表面LED芯片键合的状态示意图。
附图标记说明：
1、阵列分区模块；2、激光束照射模块；3、真空吸盘；4、芯片转移载板；5、基板载板；6、显示基板；7、测温单元；8、LED芯片；9、基板焊盘正极；10基板焊盘负极。
具体实施方式
为使本发明的技术方案更加清楚，下面将结合本发明的说明书附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，需要说明的是，以下实施例仅用于更好地理解本发明的技术方案，而不应理解为对本发明的限制。
实施例1.
本实施例提供了一种激光焊接单元，用于实现LED芯片8的批量转移键合，所述激光焊接单元包括阵列分区模块1和激光束照射模块2；
所述阵列分区模块1用于将待焊接区域划分成网格形式的焊接阵列，所述焊接阵列中每行和每列的矩形区域都采用A区和B区交替的方式设置，所述激光束照射模块2用于单次对A区或B区进行激光照射，实现该区域内LED芯片8的批量转移键合。
由于LED键合时受制于焊接面温度均匀性，焊接面不能做大，本实施例提供的激光焊接单元，通过对待焊接区域进行区域划分，将大面积的焊接面划分为A、B两组互不相邻的小焊接面，通过分别对A区或B区的激光照射，实现LED芯片在大面积焊接区域的巨量转移键合，通过芯片转移键合的效率提升，解决了mini LED显示面板和micro LED显示面板量产困难的难题，大大提升mini LED显示面板和micro LED显示面板生产效率。
实施例2.
本实施例为对实施例1的举例说明，所述焊接阵列为2×2、3×2或3×3网格阵列。
本实施例所述2×2、3×2或3×3网格阵列示意图分别如图1、图2和图3所示，图中左右部分分别代表A区和B区（或B区和A区），可以看出两个区域刚好组成了较大面积的待焊接区域，且A、B两区域不存在相邻边，分别焊接时克服了焊接面温度均匀性的制约。
实施例3.
本实施例为对实施例1的举例说明，所述激光束照射模块2具有阵列结构，所述阵列结构与阵列分区模块1划分的焊接阵列相同，所述激光束照射模块2的可照射区域面积等于所述待焊接区域面积。
本实施例所述激光束照射模块的阵列结构与阵列分区模块划分的焊接阵列相同，对于同一焊接区域的A、B两分区分别焊接过程中时无需移动激光焊接单元，按照区域分别照射即可。
实施例4.
本实施例为对实施例1的举例说明，所述激光束照射模块2可移动，所述激光束照射模块2的可照射区域面积等于所述焊接阵列中单个矩形区域的面积。
本实施例所述激光束照射模块无需设置分区，焊接时先对焊接区域中的单个矩形区域进行激光照射，再通过移动激光束照射模块对下一个矩形区域进行激光照射，直到该待焊接区域中需要焊接的区域键合完毕。
实施例5.
本实施例提供了一种LED芯片批量转移键合装置，包括如实施例1-4中任一项所述的激光焊接单元，还包括真空吸盘3、芯片转移载板4以及基板载板5；
所述芯片转移载板4包括透明载板及其表面涂覆的粘贴胶层，用于承载待转移的LED芯片8；
所述真空吸盘3为透明材质，设于激光焊接单元下方，用于吸附芯片转移载板4；
所述基板载板5用于置于显示基板6下方实现显示基板6的承载。
所述显示基板表面设有焊盘，如图4所示，所述焊盘包括正负极，分别与LED芯片P/N结对应键合；本实施例提供的LED芯片批量转移键合装置，通过激光焊接单元对待焊接区域进行区域划分，将大面积的焊接面划分为A、B两组互不相邻的小焊接面，通过分别对A区或B区的激光照射，实现了LED芯片在大面积焊接区域的巨量转移键合，通过芯片转移键合的效率提升，解决了mini LED显示面板和micro LED显示面板量产困难的难题，大大提升mini LED显示面板和micro LED显示面板生产效率。
实施例6.
本实施例为对实施例5的举例说明，所述粘贴胶层在温度升高后粘性降低并产生气体。
实施例7.
本实施例为对实施例5的举例说明，所述LED芯片批量转移键合装置还包括测温单元7，所述测温单元7用于置于基板载板5下方实现对显示基板6测温，并通过反馈调整激光束温度。所述测温单元和基板载板的组合结构示意图见图5。
本实施例提供的装置通过测温单元当温度达到最佳焊接温度时，通过反馈控制激光温度恒定，一定时间LED芯片即键合在显示基板表面，实现了对激光焊接温度的精准检测和控制，保证了LED芯片与显示基板间的键合强度。
实施例8.
本实施例为对实施例7的举例说明，所述测温单元7具有阵列结构，所述阵列结构与阵列分区模块1划分的焊接阵列相同，如图6所示。
实施例9.
本实施例提供了一种LED芯片批量转移键合方法，应用如实施例5-8中任一项所述LED芯片批量转移键合装置，包括以下步骤：
S1、根据显示基板6表面的焊盘排布将LED芯片8粘贴在芯片转移载板4表面，如图7所示；
S2、利用真空吸盘3吸附芯片转移载板4的背面，然后将芯片转移载板4移动至显示基板6待焊接区域正上方，使得LED芯片8P/N结与待焊接区域基板焊盘正极9、基板焊盘负极10位置相对应，如图8所示；
S3、激光束照射模块2对A区阵列进行激光照射，当测温单元7检测温度达到设定温度时，即LED芯片8焊接到显示基板表面，反馈控制激光束温度恒定，完成单个焊接区域中A区阵列的LED芯片8转移键合，如图9所示；
S4、重复步骤S3对B区阵列进行激光照射，完成单个焊接区域的芯片转移键合；
S5、移动激光焊接单元，重复步骤S3和步骤S4将显示基板的所有待焊接区域表面焊接LED芯片8，直到完全铺满，如图10所示。
本实施例所述LED芯片批量转移键合方法应用实施例5-8中所述装置，通过对待焊接区域进行区域划分，分别对A区和B区进行激光照射，实现LED芯片在该待焊接区域的巨量转移键合，再重复对显示基板表面每一块待焊接区域进行同样操作完成巨量LED芯片的键合工作，提升了芯片转移键合的效率，进而解决了mini LED显示面板和micro LED显示面板量产困难的难题，大大提升mini LED显示面板和micro LED显示面板生产效率。
实施例10.
本实施例提供了一种LED芯片批量转移键合方法，应用如实施例5-8中任一项所述LED芯片批量转移键合装置，包括以下步骤：
S1、根据显示基板表面的焊盘排布将LED芯片8粘贴在芯片转移载板4表面；
S2、利用真空吸盘吸附芯片转移载板4的背面，然后将芯片转移载板4移动至显示基板待焊接区域正上方，使得LED芯片8P/N结与待焊接区域基板焊盘正极9、基板焊盘负极10位置相对应；
S3、激光束照射模块2对A区阵列进行激光照射，当测温单元7检测温度达到设定温度时，即LED芯片8焊接到显示基板6表面，反馈控制激光束温度恒定，完成单个焊接区域中A区阵列的LED芯片8转移键合；
S4、移动激光焊接单元，重复步骤S3将显示基板的所有待焊接区域中A区阵列表面焊接LED芯片8；
S5、移动激光焊接单元，对每个焊接区域中的B区阵列进行激光照射，完成单个焊接区域的LED芯片8转移键合。
本实施例所述LED芯片批量转移键合方法应用实施例5-8中所述装置，通过对待焊接区域进行区域划分，先对显示基板各个待焊接区域中的A区进行激光照射，实现LED芯片在A区域阵列的巨量转移键合，再重复上述操作对基板各个待焊接区域中的B区进行激光照射，完成巨量LED芯片的键合工作，提升了芯片转移键合的效率，进而解决了mini LED显示面板和micro LED显示面板量产困难的难题，大大提升mini LED显示面板和micro LED显示面板生产效率。

Claims (8)

1.一种激光焊接单元，其特征在于，用于实现LED芯片（8）的批量转移键合，所述激光焊接单元包括阵列分区模块（1）和激光束照射模块（2）；
所述阵列分区模块（1）用于将待焊接区域划分成网格形式的焊接阵列，所述焊接阵列中每行和每列的矩形区域都采用A区和B区交替的方式设置，所述激光束照射模块（2）用于单次对A区或B区进行激光照射，实现该区域内LED芯片（8）的批量转移键合。
2.根据权利要求1所述的激光焊接单元，其特征在于，所述焊接阵列为2×2、3×2或3×3网格阵列。
3.根据权利要求1所述的激光焊接单元，其特征在于，所述激光束照射模块（2）具有阵列结构，所述阵列结构与阵列分区模块（1）划分的焊接阵列相同，所述激光束照射模块（2）的可照射区域面积等于所述待焊接区域面积。
4.根据权利要求1所述的激光焊接单元，其特征在于，所述激光束照射模块（2）可移动，所述激光束照射模块（2）的可照射区域面积等于所述焊接阵列中单个矩形区域的面积。
5.一种LED芯片批量转移键合装置，其特征在于，包括如权利要求1-4中任一项所述的激光焊接单元，还包括真空吸盘（3）、芯片转移载板（4）、基板载板（5）以及测温单元（7）；
所述芯片转移载板（4）包括透明载板及其表面涂覆的粘贴胶层，用于承载待转移的LED芯片（8）；
所述真空吸盘（3）为透明材质，设于激光焊接单元下方，用于吸附芯片转移载板（4）；
所述基板载板（5）用于置于显示基板（6）下方实现显示基板（6）的承载；
所述粘贴胶层在温度升高后粘性降低并产生气体；
所述测温单元（7）用于置于基板载板（5）下方实现对显示基板（6）测温，并通过反馈调整激光束温度。
6.根据权利要求5所述的LED芯片批量转移键合装置，其特征在于，所述测温单元（7）具有阵列结构，所述阵列结构与阵列分区模块（1）划分的焊接阵列相同。
7.一种LED芯片批量转移键合方法，其特征在于，应用如权利要求5或6所述LED芯片批量转移键合装置，包括以下步骤：
S1、根据显示基板（6）表面的焊盘排布将LED芯片（8）粘贴在芯片转移载板（4）表面；
S2、利用真空吸盘（3）吸附芯片转移载板（4）的背面，然后将芯片转移载板（4）移动至显示基板（6）待焊接区域正上方，使得LED芯片（8）的P/N结与待焊接区域基板焊盘正极（9）、基板焊盘负极（10）位置相对应；
S3、激光束照射模块（2）对A区阵列进行激光照射，当测温单元（7）检测温度达到设定温度时，即LED芯片（8）焊接到显示基板表面，反馈控制激光束温度恒定，完成单个焊接区域中A区阵列的LED芯片（8）转移键合；
S4、重复步骤S3对B区阵列进行激光照射，完成单个焊接区域的芯片转移键合；
S5、移动激光焊接单元，重复步骤S3和步骤S4将显示基板的所有待焊接区域表面焊接LED芯片（8），直到完全铺满。
8.一种LED芯片批量转移键合方法，其特征在于，应用如权利要求5或6所述LED芯片批量转移键合装置，包括以下步骤：
S1、根据显示基板表面的焊盘排布将LED芯片（8）粘贴在芯片转移载板（4）表面；
S2、利用真空吸盘吸附芯片转移载板（4）的背面，然后将芯片转移载板（4）移动至显示基板待焊接区域正上方，使得LED芯片（8）的P/N结与待焊接区域基板焊盘正极（9）、基板焊盘负极（10）位置相对应；
S3、激光束照射模块（2）对A区阵列进行激光照射，当测温单元（7）检测温度达到设定温度时，即LED芯片（8）焊接到显示基板（6）表面，反馈控制激光束温度恒定，完成单个焊接区域中A区阵列的LED芯片（8）转移键合；
S4、移动激光焊接单元，重复步骤S3将显示基板的所有待焊接区域中A区阵列表面焊接LED芯片（8）；
S5、移动激光焊接单元，对每个焊接区域中的B区阵列进行激光照射，完成单个焊接区域的LED芯片（8）转移键合。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4979290A (en) * 1986-12-29 1990-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for soldering electronic component
CN111048497A (zh) * 2019-11-11 2020-04-21 潘小和 一种有源矩阵彩色显示器件的制造方法
CN111128813A (zh) * 2020-01-20 2020-05-08 福州大学 一种μLED巨量转移方法
KR20200109852A (ko) * 2019-03-15 2020-09-23 주식회사 루멘스 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 제조 방법
CN113555772A (zh) * 2020-04-23 2021-10-26 普罗科技有限公司 使用垂直腔表面发射激光器元件的倒装芯片接合装置
CN113571608A (zh) * 2021-06-22 2021-10-29 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种磁辅助激光图案化Micro-LED巨量转移方法
CN113611787A (zh) * 2021-08-02 2021-11-05 东莞市中麒光电技术有限公司 芯片转移结构及Micro LED显示模块返修方法
CN215118903U (zh) * 2021-07-05 2021-12-10 重庆康佳光电技术研究院有限公司 芯片转移系统
WO2022171102A1 (zh) * 2021-02-09 2022-08-18 南昌广恒电子中心(有限合伙) 转移设备、转移方法和显示装置
CN114927456A (zh) * 2022-04-21 2022-08-19 Tcl华星光电技术有限公司 微型发光二极管芯片的转移方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4979290A (en) * 1986-12-29 1990-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for soldering electronic component
KR20200109852A (ko) * 2019-03-15 2020-09-23 주식회사 루멘스 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 제조 방법
CN111048497A (zh) * 2019-11-11 2020-04-21 潘小和 一种有源矩阵彩色显示器件的制造方法
CN111128813A (zh) * 2020-01-20 2020-05-08 福州大学 一种μLED巨量转移方法
CN113555772A (zh) * 2020-04-23 2021-10-26 普罗科技有限公司 使用垂直腔表面发射激光器元件的倒装芯片接合装置
WO2022171102A1 (zh) * 2021-02-09 2022-08-18 南昌广恒电子中心(有限合伙) 转移设备、转移方法和显示装置
CN113571608A (zh) * 2021-06-22 2021-10-29 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种磁辅助激光图案化Micro-LED巨量转移方法
CN215118903U (zh) * 2021-07-05 2021-12-10 重庆康佳光电技术研究院有限公司 芯片转移系统
CN113611787A (zh) * 2021-08-02 2021-11-05 东莞市中麒光电技术有限公司 芯片转移结构及Micro LED显示模块返修方法
CN114927456A (zh) * 2022-04-21 2022-08-19 Tcl华星光电技术有限公司 微型发光二极管芯片的转移方法

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