JP6013479B2 - 真空セル組立て装置及びセル組立て方法 - Google Patents
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Description
本発明は、液晶パネル製造の分野に関し、特に、真空セル組立て装置及びセル組立て方法に関する。
液晶パネルの製造工程において、液晶パネルの上ガラス基板と下ガラス基板（通常、アレイ基板とカラーフィルム基板である）でセルを組立てる時に、液晶層によく気泡などが生じられる。これは液晶パネルの品質や歩留まりに厳しい影響を及ぼす。また、気泡の発生過程に対してモニターすることができないため、プロセスの改善に大きな障害をもたらす。
本発明の実施例は、上基板と、信号処理装置と、前記上基板に対向して設けられている下基板と、を備え、前記上基板に発光装置が設けられ、前記下基板に前記上基板からの光を受ける感光性受光ユニットアレイが設けられ、且つ、前記感光性受光ユニットアレイが前記感光性受光ユニットアレイからの電気信号を液晶拡散アナログ画像に転換するための前記信号処理装置に接続されている、真空セル組立て装置を提供する。
上記の実施例において、前記感光性受光ユニットアレイが前記下基板の前記上基板に対向する面に設けられることが好ましい。
前記発光装置は、光源と、反射板と、導光板とを備えてもよい。前記光源が前記導光板の一側に設けられ、前記導光板が前記反射板の下方に設けられてもよい。
上記の実施例において、前記光源は紫外光電源であり、前記感光性受光ユニットアレイが複数の紫外フォトレジスタからなり、前記上基板の紫外光電源からの紫外線を受光することに用いられることが好ましい。
前記導光板は平板型の導光板であってもよい。
上記の実施例において、前記信号処理装置は二次元モデリングユニットを含んで、前記感光性受光ユニットアレイからの電気信号を前記液晶拡散アナログ画像に転換することに用いられることが好ましい。
上記の実施例において、前記真空セル組立て装置は、前記信号処理装置に接続され、前記液晶拡散アナログ画像を表示する表示装置を備えてもよい。
前記感光性受光ユニットアレイは複数のフォトレジスタを備えてもよい。
前記フォトレジスタは長方形のシート状であってもよい。
本発明の他の実施例は、真空セル組立て装置でセル組立てする方法を提供する。前記真空セル組立て装置は、上基板と、信号処理装置と、前記上基板に対向して設けられている下基板と、を備え、前記上基板に発光装置が設けられ、前記下基板に前記上基板からの光を受ける感光性受光ユニットアレイが設けられ、且つ、前記感光性受光ユニットアレイが前記感光性受光ユニットアレイからの電気信号を液晶拡散アナログ画像に転換するための前記信号処理装置に接続されている。前記方法は、液晶を下ガラス基板上に滴下するステップ、上ガラス基板と前記下ガラス基板とによりセルを組立てるステップ、前記液晶が拡散過程に形成する液晶拡散アナログ画像を観察するステップ、及び、前記液晶拡散アナログ画像によってセル組立てにおけるプロセスパラメータを調整するステップを備える。
上記の実施例において、前記液晶は標記液晶であることが好ましい。
例えば、前記標記液晶は、普通の液晶分子の炭素鎖に分子団を嵌め込むことで形成され、紫外線を吸収可能な標記液晶を備えてもよい。
上記の実施例において、前記標記液晶を下ガラス基板の第一位置に滴下し、前記下ガラス基板の前記第一位置以外の領域に普通の液晶を滴下する。これらの例において、前記方法は、液晶を洗浄した後、前記標記液晶を下ガラス基板の第二位置に滴下し、前記下ガラス基板の前記第二位置以外の領域に普通の液晶を滴下するステップと、第一位置と第二位置とが形成する前記液晶拡散アナログ画像を重ね合わせて、液晶全体の拡散アナログ画像を獲得し、前記液晶全体の拡散アナログ画像によってセル組立てにおけるプロセスパラメータを調整するステップと、を備える。
前記セル組立てにおけるプロセスパラメータは、液晶量、液晶距離、液晶温度およびセル組立て圧力を備えてもよい。
本発明の実施例又は従来技術の技術案を明確にするために、以下に実施例の図面を簡単に説明する。明らかに、以下の図面はただ本発明の実施例に関わるのみであり、当業者にとっては、創造性な労働をしない前提でこれらの図面から他の図面を得られる。
本発明の実施例は真空セル組立て装置及びセル組立て方法を提供する。液晶拡散過程のリアルタイムモニタリングを実現する。
以下、図面を参照しながら本発明の実施例を詳しく説明する。
本実施例は真空セル組立て装置を提供する。図１と図２に示すように、前記装置は、上基板１と、前記上基板１に対向して設けられる下基板２と、信号処理装置３とを備え、前記上基板１に発光装置が設けられ、前記下基板２に前記上基板１からの光を受ける感光性受光ユニットアレイ２１が設けられ、且つ、前記感光性受光ユニットアレイ２１が前記感光性受光ユニットアレイ２１からの電気信号を液晶拡散アナログ画像に転換するための前記信号処理装置３に接続される。
上基板１の発光装置として、均一の面光源であることが好ましい。具体的に、発光装置は光源１１と、反射板１２と、導光板１３とを備えてもよい。なお、光源１１が導光板１３の一側に設けられ、導光板１３が反射板１２の下方に設けられる。
本実施例の一例において、感光性受光ユニットアレイ２１が下基板２の上基板１に対向する面に設けられてもよい。また、他の例において、例えば、下基板２が上基板１からの光に対して透明である場合、感光性受光ユニットアレイ２１は下基板２の上基板１から離れる面に設けてもよく、又は、下基板２の一つの中間層に形成されてもよい。
感光性受光ユニットアレイ２１は複数のフォトレジスタ、例えば、複数の紫外フォトレジスタを備えてもよい。
本実施例の真空セル組立て装置は、発光装置をオンにした後、光源１１からの光が導光板１３に発散され、反射板１２に反射された後、照射方向が下方へ向かう面光源を形成する。セル組立て工程において、その間に液晶層が挟まれる上ガラス基板と下ガラス基板は、上基板１と下基板２に介在され、光源１１からの光は液晶層を経て感光性受光ユニットアレイ２１の複数のフォトレジスタに照射される。
フォトレジスタは光導管とも称される。フォトレジスタの常用の製造材料は硫化カドミウムであり、更に、セレン、硫化アルミニウム、硫化鉛または硫化ビスマスなどの材料である。これらの製造材料は、特定の波長の光に照射される場合、その抵抗値が迅速に減少する特性がある。そのため、フォトレジスタの抵抗値は入射光の強さに応じて変化している。入射光が強い場合に、抵抗が減少し、入射光が弱い場合に、抵抗が増大する。
各液晶分子の拡散路線と拡散過程はそれぞれ異なるため、液晶分子の拡散に伴って、光に対する吸収または透過に差異がある。光源１１からの光が液晶層を透過して、感光性受光ユニットアレイ２１に照射する時、光の強さがそれぞれ異なるため、各フォトレジスタの抵抗値の変更が起こされる。つまり、フォトレジスタを流れる電流、またはフォトレジスタ両端に印加する電圧は変更することがあり得る。この方法によって、光の変化を電気信号の変化に転換することができる。信号処理装置３は電気信号の変化によって液晶拡散アナログ画像を得る。更に、信号処理装置３は所定の周波数で感光性受光ユニットアレイ２１からの電気信号を受光して、電気信号を液晶拡散アナログ画像に転換することができる。
更に、信号処理装置３は、感光性受光ユニットアレイ２１からの電気信号を液晶拡散アナログ画像に転換するための二次元モデリングユニットを備える。二次元モデリングユニットは同一時刻の電気信号を一枚の画像に処理し、連続する時間ステップから見ると、信号処理装置３の二次元モデリングユニットは変化された電気信号を変化された画像に処理する。本実施例に係る真空セル組立て装置はさらに表示装置４を備える。表示装置４は信号処理装置３に接続され、液晶拡散アナログ画像の連続的な表示に用いられる。このようにして、液晶拡散過程に対するリアルタイムモニタリングを実現する。
更に、本実施例のフォトレジスタは、もっと多い光を吸収できるように長方形のシート状に製造してもよい。
本発明の実施例の一実施方式として、発光装置の光源１１は紫外線電源であってもよい。且つ、感光性受光ユニットアレイ２１は上基板の紫外線電源からの紫外線を受光できるように複数の紫外フォトレジスタを備える。
本実施例の導光板１３は、平板型導光板または楔形導光板であってもよい。セル組立て工程において、上基板１と下基板２がそれぞれ上ガラス基板と下ガラス基板に所定の圧力を印加することを考えて、本実施例における導光板１３として平板型導光板であることが好ましい。これによって、圧力の均一を保証することができるとともに、導光板１３が圧力からの損害を受けないようにすることができる。
真空セル組立て装置の作業において、上基板１が液晶パネルの上ガラス基板を吸着し、下基板２が液晶パネルの下ガラス基板を吸着し、そして、上基板１を下基板２の真上に移動し、上基板１を下方に向かって移動し、上ガラス基板と下ガラス基板のセルの組立てを実現する。一般的に、吸着方法として、真空吸着や、静電吸着などが挙げられる。
吸着方法が真空吸着である場合、上基板１に真空吸着孔を設けて上ガラス基板に対する吸着を実現する。一方、吸着方法が静電吸着である場合、真空吸着孔を設ける必要がない。本実施例において、導光板１３と反射板１２の完全性を確保するために、吸着方法として静電吸着が好ましい。
なお、本発明のセル組立てへの液晶パネルの上下基板をそれぞれ「上ガラス基板」と「下ガラス基板」と称されるが、ガラスで製造されてもよいし、他の材料または他の種類のセル組立てに用いられる基板で製造されてもよい。
本発明の実施例における真空セル組立て装置は、上基板の下基板と対向する面に発光装置が設けられ、下基板の上基板と対向する面に感光性受光ユニットアレイが設けられる。発光装置がオンにされる場合、光源からの光は液晶層を透過して感光性受光ユニットアレイに到達し、感光性受光ユニットアレイのフォトレジスタの抵抗値は到達する光の強さに伴って変更する。このように、上ガラス基板と下ガラス基板との間の液晶の拡散過程を電気信号の変化に転換して、液晶拡散過程に対するリアルタイムモニタリングを実現することができる。また、本実施例は、フォトレジスタを長方形のシート状に制作することより、フォトレジスタにもっと多くの光を吸収させることになる。
本実施例はセル組立て方法を提供する。図５に示すように、以下のステップ１０１からステップ１０４を含む。
ステップ１０１：液晶を下ガラス基板上に滴下する。
１４インチの液晶ディスプレイスクリーンを例として、液晶層を製造する工程において、図３に示すように、液晶ディスペンサにより下ガラス基板５に１０―２０滴の液晶を一様に滴下する。図３におけるドットの位置が液晶を滴下する必要がある位置を示す。
本発明の具体的な実施形態として、液晶に標記液晶を採用してもよい。例えば、普通の液晶分子の炭素鎖に分子団を嵌め込むことにより形成された紫外線が吸収できる液晶分子である。
普通の液晶分子の炭素鎖に分子団を嵌め込む。例えば、Ｃ＝Ｃ、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｎ又はＮ＝Ｎなどの分子団を嵌め込むことにより、新たに生成される標記液晶分子が紫外線を吸収することができる。ここで、嵌め込む方法は、普通の液晶分子が一定の化学反応を発生することにより生じる。液晶分子のある炭素鎖を例として、前記化学反応は以下のように示される。即ち、
前記反応によって、普通の液晶分子の炭素鎖にＣ＝Ｃ分子団を有する。つまり、標記液晶が形成される。
ステップ１０２：上ガラス基板と下ガラス基板によりセルを組立てる。
本実施例の方法は、実施例１に記載の真空セル組立て装置を採用する。例示として、光源に紫外光電源を選択し、感光性受光ユニットアレイは相応する複数の紫外フォトレジスタを含む。真空セル組立て装置の発光装置をオンにした後、セル組立て工程において、発光装置の光源からの紫外線は滴下された液晶を透過して感光性受光ユニットアレイに到達する。
滴下した液晶は紫外線を吸収できる標記液晶であるため、紫外線が前記液晶を透過する時、大部分の紫外線が標記液晶に吸収される。これは、標記液晶で覆われる領域が受ける紫外線照射が弱く、相応する紫外フォトレジスタに到達する紫外線が少ないことを意味する。従って、標記液晶に対応する領域の紫外フォトレジスタの抵抗値は比較的大きい。これにより、標記液晶に対応する領域と標記液晶に覆われていない領域とが区別できる。また、標記液晶の密度が大きければ大きいほど、紫外フォトレジスタの抵抗値は大きい。
ステップ１０３：前記液晶が拡散過程に形成された液晶拡散アナログ画像を観察する。
セル組立て工程において、表示装置により前記標記液晶が拡散過程に形成した液晶拡散アナログ画像を観察する。
ステップ１０４：前記液晶拡散アナログ画像によってセル組立てのプロセスパラメータを調整する。
セル組立てのプロセスパラメータは、液晶量と、液晶距離と、液晶温度とセル組立て圧力とを備える。
本実施例の方法において、セル組立てをする前に、液晶量と、液晶距離と、液晶温度とセル組立て圧力の数値を予め設定することができ、かつ、セル組立て工程において真空セル組立て装置によって、このグループのパラメータで、液晶の拡散が要求に合うか否か、及び大量の気泡が発生するか否かを観察する。液晶の拡散が要求に合わないと、液晶量と、液晶距離と、液晶温度とセル組立て圧力のうちの少なくとも一つのパラメータを変更し、そして、液晶の拡散が要求に合うとともに、発生する気泡の数量が許可される範囲に入るまでに、再度セル組立てテストを行う。前記標記液晶が拡散過程に形成した液晶拡散アナログ画像を観察し、この画像によってセル組立てのプロセスパラメータを調整することは、人により調整することもできるし、プログラミング指令を設定して機械により調整することもできる。
本実施例のセル組立て方法によれば、液晶分子の標記を進めることにより標記液晶を形成するとともに、標記液晶が紫外線を吸収できる特性を利用することより、信号処理装置でどの領域に液晶が覆われているか、どの領域に液晶が覆われていないか、及び覆われる液晶の厚さを判定することができる。このように、液晶の拡散過程をモニターすることができ、更に液晶パネルの生産プロセスを改善して歩留まりを高めることができる。
本実施例はセル組立て方法を提供する。図６に示すように、以下のステップ２０１からステップ２０６を含む。
ステップ２０１：液晶分子の標記を進めて標記液晶を形成する。
標記の具体的な実施形態として、普通の液晶分子の炭素鎖に分子団を嵌め込み紫外線を吸収できる液晶分子を形成する。
普通の液晶分子の炭素鎖に分子団を嵌め込む。例えば、Ｃ＝Ｃ、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｎ又はＮ＝Ｎなどの分子団を嵌め込むことにより、新たに生成される標記液晶分子は紫外線を吸収することができる。嵌め込む方法は、普通の液晶分子が一定の化学反応を発生することにより生じる。液晶分子のある炭素鎖を例として、前記化学反応は以下のように示される。即ち、
前記反応によって、普通の液晶分子の炭素鎖にＣ＝Ｃ分子団がある。
ステップ２０２：前記標記液晶を一滴ずつ下ガラス基板の第一位置に滴下し、前記下ガラス基板の前記第一位置以外の領域に普通の液晶を滴下する。
１４インチの液晶ディスプレイスクリーンを例として、液晶層を製造する工程において、図３に示すように、液晶ディスペンサにより下ガラス基板５に１０−２０滴の液晶を一様に滴下する。図３におけるドットの位置が液晶を滴下する必要がある位置を示す。本実施例は、そのうちの一位置を選択して、第１位置６と標記され、かつ、第１位置６に標記液晶を滴下し、他の位置に普通の液晶を滴下する。
ステップ２０３：前記真空セル組立て装置を作動して、上ガラス基板と下ガラス基板によりセルを組立てる。且つ、前記表示装置によって第１位置の前記標記液晶が拡散過程に形成された前記液晶拡散アナログ画像を観察する。
本実施例の方法は、実施例１に記載の真空セル組立て装置を採用する。光源に紫外光電源を選択し、感光性受光ユニットアレイは相応する複数の紫外フォトレジスタを含む。真空セル組立て装置の発光装置をオンにした後、発光装置の光源からの紫外線は滴下した液晶を透過して感光性受光ユニットアレイに到達する。
第１位置６に標記液晶が滴下されたため、紫外線が前記標記液晶を透過する時、大部分の紫外線が標記液晶に吸収される。これは、第１位置６及びその周囲の領域が受ける紫外線照射が小さく、相応する紫外フォトレジスタに到達する紫外線が少ないことを意味する。従って、標記液晶に対応する領域の紫外フォトレジスタの抵抗値は比較的大きい。これにより、標記液晶に対応する領域と普通の液晶に対応する領域とが区別される。かつ、標記液晶の密度が大きければ大きいほど、紫外フォトレジスタの抵抗値は大きい。前記方法によって、真空セル組立て装置の表示装置を介して第１位置６に滴下した標記液晶の拡散過程をモニターすることができる。
ステップ２０４：前記標記液晶を一滴ずつ下ガラス基板の第２位置に滴下し、前記下ガラス基板の前記第２位置以外の領域に普通の液晶を滴下する。
ステップ２０３が完成した後、実験材料を節約するために、上ガラス基板と下ガラスに挟まれた液晶を洗浄する。図４に示すように、下ガラス基板５の第２位置７に、液晶ディスペンサによって一滴の標記液晶を滴下し、第２位置７以外の領域に普通の液晶を滴下する。
ステップ２０５：上ガラス基板と前記下ガラス基板によりセルを組立てる。そして、前記表示装置によって、第２位置に滴下した前記標記液晶が拡散過程に形成された前記液晶拡散アナログ画像を観察する。
上記と同じように、第２位置７に滴下した標記液晶の拡散過程をモニターすることができる。
毎度のセル組立ての実験において、同じ位置、例えば第１位置６であっても、液晶の拡散過程が異なる。しかし、同一位置の液晶滴の受ける圧力の状況はほぼ同じであるため、同一位置の液晶滴の拡散過程はほぼ似ている。従って、第１位置と第２位置に滴下した標記液晶の拡散過程を重ね合わせることで、第１位置と第２位置に対応する領域の液晶の拡散過程が得られる。更に、前記方法によって、位置ごとに対応する液晶滴の拡散過程を得た後、各拡散過程を重ね合わせて、液晶層全体の拡散過程をモニターすることができる。下ガラス基板の標記液晶を滴下する特定位置は第１位置または第２位置であってもよく、液晶滴を滴下することができる他のいずれの位置であってもよい。
ステップ２０６：前記液晶拡散アナログ画像によってセル組立てのプロセスパラメータを調整する。
セル組立てのプロセスパラメータは、液晶量と、液晶距離と、液晶温度とセル組立て圧力とを備える。
本実施例の方法において、セルを組立てる前に、液晶量と、液晶距離と、液晶温度とセル組立て圧力との数値を予め設定することができ、かつ、セル組立て工程において、真空セル組立て装置によって、このグループのパラメータで、液晶の拡散が要求に合うか否か、及び大量の気泡が発生するか否かを観察する。液晶の拡散が要求に合わない場合、液晶量と、液晶距離と、液晶温度とセル組立て圧力のうちの少なくとも一つのパラメータを変更し、そして、液晶の拡散が要求に合うとともに、発生する気泡の数量が許可される範囲に入るまでに、再度セル組立てテストを行う。
本実施例のセル組立て方法は、第１位置に標記液晶を滴下することにより、紫外線が第１位置に滴下した液晶を透過時、大部分の紫外線が標記液晶に吸収され、標記液晶に対応する領域の紫外フォトレジスタの抵抗値が大きく、他の領域の抵抗値は小さい。このように、真空セル組立て装置の表示装置を介して第１位置に滴下した標記液晶の拡散過程をモニターすることができる。各位置における液晶滴の拡散過程を重ね合わせることにより、液晶層全体の拡散過程をモニターすることができ、液晶パネルの生産プロセスを改善して歩留まりを高めることができる。
以上の実施方式に基づき、本発明がソフトウェアと常用のハードウエアとを組合わせることによって実現できることは、当業者にとって勿論である。なお、ハードウエアによって実現することもできるが、多くの場合前者が好ましい実施形態である。このような理解に基づき、本発明の技術案または従来技術に対して貢献する部分を、ソフトウエア製品の形式で体現することができる。該コンピューターソフトウエア製品を、例えば、コンピューターのフロッピー（登録商標）・ディスク、ハードディスクまたはＣＤなどの読み取り可能な記憶媒体に記憶させ、それに一台のコンピューター（パソコン、サーバーまたはネットワーク機器などであってもよい）で本発明の各実施例に記載の方法を実行することができる若干の指令が含まれる。
以上は本発の具体的な実施形態に過ぎず、本発明の保護範囲はそれに限定されない。本発明に開示された技術的範囲内における、当業者が容易に相当し得る変更や取替は、いずれも本発明の保護範囲内に入る。したがって、本発明の保護範囲は特許請求の範囲に記載のものを基準にすべきである。
１−上基板
１１−光源
１２−反射板
１３−導光板
２−下基板
２１−感光性受光ユニットアレイ
３−信号処理装置
４−表示装置
５−下ガラス基板
６−第一位置
７−第二位置
１１−光源
１２−反射板
１３−導光板
２−下基板
２１−感光性受光ユニットアレイ
３−信号処理装置
４−表示装置
５−下ガラス基板
６−第一位置
７−第二位置
Claims (13)
- 上基板と、信号処理装置と、前記上基板に対向して設けられる下基板と、を備える真空セル組立て装置であって、
前記上基板上に発光装置が設けられ、
前記下基板上に前記上基板からの光を受ける感光性受光ユニットアレイが設けられ、
前記感光性受光ユニットアレイが、前記感光性受光ユニットアレイからの電気信号を液晶拡散アナログ画像に転換するための前記信号処理装置に接続されている真空セル組立て装置。 - 前記感光性受光ユニットアレイが前記下基板の前記上基板に対向する面に設けられている請求項１に記載の真空セル組立て装置。
- 前記発光装置は光源、反射板および導光板を備え、前記光源が前記導光板の一側に設けられ、前記導光板が前記反射板の下方に設けられている請求項１または２に記載の真空セル組立て装置。
- 前記光源は紫外光源であり、前記感光性受光ユニットアレイは複数の紫外フォトレジスタからなり、前記上基板の紫外光源からの紫外線を受光することに用いられることを特徴とする請求項３に記載の真空セル組立て装置。
- 前記導光板は平板型の導光板である請求項３または４に記載の真空セル組立て装置。
- 前記信号処理装置は二次元モデリングユニットを備え、前記感光性受光ユニットアレイからの電気信号を前記液晶拡散アナログ画像に転換することに用いられる請求項１から５のうちのいずれか一項に記載の真空セル組立て装置。
- 前記信号処理装置に接続され、前記液晶拡散アナログ画像を表示する表示装置をさらに備えている請求項１から６のうちのいずれか一項に記載の真空セル組立て装置。
- 前記感光性受光ユニットアレイは複数のフォトレジスタを備えている請求項１から７のうちのいずれか一項に記載の真空セル組立て装置。
- 前記フォトレジスタは長方形のシート状であることを特徴とする請求項８に記載の真空セル組立て装置。
- 真空セル組立て装置によってセル組立てする方法であって、
前記真空セル組立て装置は、上基板と、信号処理装置と、前記上基板に対向して設けられる下基板と、を備え、前記上基板に発光装置が設けられ、前記下基板に前記上基板からの光を受ける感光性受光ユニットアレイが設けられ、且つ、前記感光性受光ユニットアレイが前記感光性受光ユニットアレイからの電気信号を液晶拡散アナログ画像に転換するための前記信号処理装置に接続され、前記方法は、
液晶を下ガラス基板上に滴下するステップと、
上ガラス基板と前記下ガラス基板によりセルを組立てるステップと、
前記液晶が拡散過程に形成する液晶拡散アナログ画像を観察するステップと、
前記液晶の拡散が要求に合うまでに、前記液晶拡散アナログ画像によってセル組立てにおけるプロセスパラメータのうちの少なくとも一つを調整するステップと、を備え、
前記セル組立てにおけるプロセスパラメータは、液晶量、液晶間隔、液晶温度、およびセル組立て圧力を備えているセル組立て方法。 - 前記液晶は、紫外線を吸収しない液晶分子の炭素鎖に分子団を嵌め込むことで形成された紫外線を吸収可能な標記液晶である請求項１０に記載のセル組立て方法。
- 前記標記液晶を下ガラス基板の第一位置に滴下し、前記下ガラス基板の前記第一位置以外の領域に紫外線を吸収しない液晶を滴下する請求項１１に記載のセル組立て方法。
- 液晶を洗浄した後、前記標記液晶を下ガラス基板の第二位置に滴下し、前記下ガラス基板の前記第二位置以外の領域に紫外線を吸収しない液晶を滴下するステップと、
第一位置と第二位置とが形成する前記液晶拡散アナログ画像を重ね合わせて、液晶全体の拡散アナログ画像を獲得し、前記液晶全体の拡散アナログ画像によってセル組立てにおけるプロセスパラメータを調整するステップと、を備えている請求項１２に記載のセル組立て方法。
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