CN110265348A - 一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备 - Google Patents

一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备，该转运基板，包括：基底，位于基底一侧的反射层，位于反射层背离基底一侧的光学转换层，位于光学转换层背离反射层一侧的感光减粘膜；光学转换层，用于将一定波长范围的光线转换为非可见光；感光减粘膜，用于粘合发光二极管，并在非可见光照射后粘度降低以释放发光二极管。采用上述转运基板可以同时完成发光二极管的转运和检测，在绑定工艺之前发现并移走异常发光的发光二极管，避免了异常发光的发光二极管很难取下以及激光切割工艺损坏阵列基板等问题，简化了转运工艺制程，并提高了转运的良率和效率。此外，无需额外增加非可见光的光源，结构简单，检测成本较低。

Description

一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备。
背景技术
随着发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的发展，微型发光二极管(Micro-LED)显示技术成为未来显示技术的热点之一，这是由于Micro-LED的尺寸为微米量级，具有能够独立发光控制、高辉度、低耗电、超高分辨率和高色彩度等特点，但Micro-LED显示技术的技术难点比较多，尤其是巨量转移技术。
对Micro-LED进行转运的工艺流程一般为：将Micro-LED转运到阵列基板上，将Micro-LED的电极绑定(bonding)到阵列基板上，控制Micro-LED发光以进行点亮检测，采用激光切断Micro-LED的电极与阵列基板的电连接，从而将发光异常的Micro-LED去除，然后再去除异常Micro-LED的位置处补充正常的Micro-LED。
然而，在Micro-LED转运过程中，由于先将Micro-LED绑定在阵列基板上，再进行点亮检测，异常发光的Micro-LED很难取下，并且利用激光切割容易导致阵列基板被损坏，例如阵列基板的电路被损坏，导致阵列基板异常。
发明内容
本发明实施例提供了一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备，用以解决现有技术中存在的Micro-LED转运过程中，异常发光的Micro-LED很难取下，并且利用激光切割容易损坏阵列基板的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种转运基板，包括：基底，位于所述基底一侧的反射层，位于所述反射层背离所述基底一侧的光学转换层，位于所述光学转换层背离所述反射层一侧的感光减粘膜；
所述光学转换层，用于将一定波长范围的光线转换为非可见光；
所述感光减粘膜，用于粘合发光二极管，并在非可见光照射后粘度降低以释放所述发光二极管。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转运基板中，还包括：多个接触电极；
所述感光减粘膜在背离所述基底的一侧具有与所述接触电极一一对应的多个凹槽；
每一个所述接触电极嵌入到对应的所述凹槽内，且所述接触电极远离所述基底的一侧与所述感光减粘膜远离所述基底的一侧平齐。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转运基板中，所述接触电极在所述基底上的正投影的面积为第一面积；
将要粘合到所述感光减粘膜上的所述发光二极管具有分布于两侧的两个引出电极，所述引出电极的表面积为第二面积；
所述第一面积小于所述第二面积。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转运基板中，所述感光减粘膜为多层。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转运基板中，所述非可见光为紫外光，所述光学转换层包括上转换材料；或，
所述非可见光为红外光，所述光学转换层包括下转换材料。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转运基板中，所述光学转换层的材料为掺杂稀土离子的化合物。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转运基板中，所述化合物为氟化物、氧化物、含硫化合物、氟氧化物或卤化物。
第二方面，本发明实施例还提供了一种发光二极管的转运方法，包括：
提供一阵列基板；所述阵列基板包括多个接触区域，每一个所述接触区域对应一个发光二极管；
采用上述转运基板，在所述转运基板具有感光减粘膜的一侧粘合多个发光二极管；
将所述转运基板移动到对应于所述阵列基板的位置处，且所述转运基板粘合有所述发光二极管的一面与所述阵列基板具有所述接触区域的一面相对；
将所述转运基板上的各所述发光二极管与所述阵列基板上的各所述接触区域进行对位并压合，使所述发光二极管的引出电极与对应的接触区域接触；
驱动各所述发光二极管发光，并在正常的所述发光二极管脱离所述转运基板后，移走所述转运基板。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转运方法中，将要转运的所述发光二极管具有位于同侧的两个引出电极；所述阵列基板上的每一个所述接触区域包括两个驱动电极；
所述驱动各所述发光二极管发光，包括：
向所述阵列基板上的各所述驱动电极施加驱动电压。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转运方法中，将要转运的所述发光二极管具有分布于两侧的两个引出电极；
所述在所述转运基板具有感光减粘膜的一侧粘合多个发光二极管，包括：
在所述转运基板具有感光减粘膜的一侧粘合多个所述发光二极管，使每一个与所述感光减粘膜接触的所述引出电极的一部分与所述感光减粘膜接触，另一部分与对应的接触电极接触。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转运方法中，所述阵列基板上的每一个所述接触区域包括一个驱动电极；
所述驱动各所述发光二极管发光，包括：
分别向所述阵列基板上的各所述驱动电极以及所述转运基板上的各接触电极施加驱动电压。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转运方法中，所述将所述转运基板上的各所述发光二极管与所述阵列基板上的各所述接触区域进行对位并压合之前，还包括：
在各所述发光二极管将要与所述阵列基板接触的引出电极上形成用于绑定工艺的接触材料；或，
在所述阵列基板的各所述接触区域形成用于绑定工艺的接触材料；
在移走所述转运基板之后，还包括：
采用加压加热的方式将正常的所述发光二极管绑定到所述阵列基板上。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转运方法中，所述移走所述转运基板之后，还包括：
向所述阵列基板上不具有所述发光二极管的所述接触区域，重新转运正常的所述发光二极管。
第三方面，本发明实施例还提供了一种转运设备，包括：上述转运基板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备，该转运基板，包括：基底，位于基底一侧的反射层，位于反射层背离基底一侧的光学转换层，位于光学转换层背离反射层一侧的感光减粘膜；光学转换层，用于将一定波长范围的光线转换为非可见光；感光减粘膜，用于粘合发光二极管，并在非可见光照射后粘度降低以释放发光二极管。本发明实施例提供的转运基板中，感光减粘膜在未受到非可见光照射时具有一定的粘性，转运基板可以通过感光减粘膜粘合发光二极管，从而可以通过转运基板将发光二极管移动到阵列基板上，在将发光二极管绑定到阵列基板上之前，可以驱动各发光二极管发光，能够正常发光的发光二极管出射的可见光通过光学转换层转换为非可见光，反射层将非可见光反射到感光减粘膜，从而使正常的发光二极管对应位置处的感光减粘膜的粘性降低，而异常发光的发光二极管对应位置处的感光减粘膜的粘性不会降低，因而正常的发光二极管会留在阵列基板上，异常发光的发光二极管会随转运基板被移走，也就是异常发光的发光二极管不会进行后续的绑定工艺，因此，采用本发明实施例中的转运基板可以在转运的过程中完成发光二极管的检测，可以在绑定工艺之前发现并移走异常发光的发光二极管，从而避免了异常发光的发光二极管被绑定后很难取下，以及激光切割工艺损坏阵列基板等问题，简化了转运工艺制程，并提高了转运的良率和效率。此外，通过设置光学转换层和反射层，可以实现利用正常的发光二极管出射的光线改变感光减粘膜的粘性，无需额外增加光源，结构简单，检测成本较低。
附图说明
图1为本发明实施例提供的转运基板的结构示意图之一；
图2为本发明实施例提供的转运基板的结构示意图之二；
图3为从紫外减粘膜一侧观看图2所示的转运基板的俯视图；
图4为本发明实施例提供的转运基板的结构示意图之三；
图5为本发明实施例提供的转运基板的结构示意图之四；
图6为本发明实施例提供的发光二极管的转运方法流程图；
图7a至图7f为本发明实施例中对应于一种发光二极管结构的转运方法中各步骤对应的结构示意图；
图8a至图8f为本发明实施例中对应于另一种发光二极管结构的转运方法中各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
针对现有技术中存在的Micro-LED转运过程中，异常发光的Micro-LED很难取下，并且利用激光切割容易损坏阵列基板的问题，本发明实施例提供了一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备。
下面结合附图，对本发明实施例提供的转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备的具体实施方式进行详细地说明。附图中各结构的大小和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
第一方面，本发明实施例提供了一种转运基板，如图1所示，包括：基底101，位于基底101一侧的反射层102，位于反射层102背离基底101一侧的光学转换层103，位于光学转换层103背离反射层102一侧的感光减粘膜104；
光学转换层103，用于将一定波长范围的光线转换为非可见光；
感光减粘膜104，用于粘合发光二极管，并在非可见光照射后粘度降低以释放发光二极管。
本发明实施例提供的转运基板中，感光减粘膜在未受到非可见光照射时具有一定的粘性，转运基板可以通过感光减粘膜粘合发光二极管，从而可以通过转运基板将发光二极管移动到阵列基板上，在将发光二极管绑定到阵列基板上之前，可以驱动各发光二极管发光，能够正常发光的发光二极管出射的可见光通过光学转换层转换为非可见光，反射层将非可见光反射到感光减粘膜，从而使正常的发光二极管对应位置处的感光减粘膜的粘性降低，而异常发光的发光二极管对应位置处的感光减粘膜的粘性不会降低，因而正常的发光二极管会留在阵列基板上，异常发光的发光二极管会随转运基板被移走，也就是异常发光的发光二极管不会进行后续的绑定工艺，因此，采用本发明实施例中的转运基板可以在转运的过程中完成发光二极管的检测，可以在绑定工艺之前发现并移走异常发光的发光二极管，从而避免了异常发光的发光二极管被绑定后很难取下，以及激光切割工艺损坏阵列基板等问题，简化了转运工艺制程，并提高了转运的良率和效率。此外，通过设置光学转换层和反射层，可以实现利用正常的发光二极管出射的光线改变感光减粘膜的粘性，无需额外增加光源，结构简单，检测成本较低。
将反射层102和光学转换层103设置在基底101与感光减粘膜104之间，可以使感光减粘膜104位于转运基板的最外侧，因而可以通过感光减粘膜104粘合发光二极管，并携带多个发光二极管移动，并且感光减粘膜104在非可见光照射后粘度才会降低，在可见光的环境下可具有一定的粘度，从而可以在对发光二极管进行发光检测之前，能够保证感光减粘膜具有足够的粘性，来粘合发光二极管并将发光二极管移动到阵列基板上。
上述光学转换层103可以将发光二极管发出的可见光转换为非可见光，也就是上述一定波长范围的光线可以理解为可见光，并且在基底101与光学转换层103之间设置反射层102，可以将经光学转换层103转换得到的非可见光反射至感光减粘膜104，从而可以利用发光二极管出射的光线来改变感光减粘膜104的粘性，从而无需引入非可见光的光源来改变感光减粘膜104的粘性，结构比较简单。
转运基板将发光二极管转移到阵列基板上以后，并且在将发光二极管绑定在阵列基板上之前，可驱动发光二极管发光，正常的发光二极管出射的光线可使对应位置的感光减粘膜的粘性降低，从而使正常的发光二极管脱离转运基板而落到阵列基板的对应位置上，而异常发光的发光二极管对应位置的感光减粘膜的粘性不会降低，从而使异常发光的发光二极管不会落到阵列基板上，在移走转运基板的过程中可将异常发光的发光二极管移走，因而异常发光的发光二极管不会被绑定在阵列基板上，从而在转运工艺的过程中实现对发光二极管的检测。
具体地，上述基底可以采用玻璃、硅(Si)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethyleneterephthalate，PET)等材料制作，也可以采用其他可作为基底的材料，此处不对基底的材料进行限定。上述反射层可采用金属材料制作，为了使反射层具有较好的反射效果，可采用高反射率的金属材料，在具体实施时，反射层也可以采用非金属材料，此处不对反射层的材料进行限定。
在实际应用中，发光二极管一般包括：外延结构，以及分别于外延结构电连接的两个引出电极，若发光二极管中的两个引出电极分布于外延结构的同一侧，在转运过程中，可将发光二极管不具有引出电极的一侧粘合在转运基板上，使发光二极管具有引出电极的一侧与阵列基板具有驱动电极的一侧相对，将发光二极管移动到阵列基板上方并对位后，可使发光二极管的两个引出电极分别与阵列基板上的驱动电极直接接触电连接，从而可以通过阵列基板上的驱动电极向发光二极管施加驱动电压，以实现对发光二极管的检测。
若发光二极管的两个引出电极分别分布于外延结构的两侧，则阵列基板上的驱动电极只能与发光二极管中的一个引出电极实现电连接，也就是只通过阵列基板无法对发光二极管进行检测，此时，为了实现对发光二极管的检测，本发明实施例提供的转运基板还可以采用以下结构。
具体地，如图2所示，上述转运基板，还可以包括：多个接触电极105；
感光减粘膜104在背离基底101的一侧具有与接触电极105一一对应的多个凹槽106；
每一个接触电极105嵌入到对应的凹槽106内，且接触电极105远离基底101的一侧与感光减粘膜104远离基底101的一侧平齐。
通过在感光减粘膜104背离基底101的一侧设置多个凹槽106，并在凹槽106内嵌入接触电极105，在对发光二极管进行转运时，可以使发光二极管一侧的引出电极与接触电极105接触，并在发光二极管移动到阵列基板上方并对位后，发光二极管另一侧的引出电极与阵列基板上的驱动电极接触，从而在检测过程中，可分别向转运基板上的接触电极和阵列基板上的驱动电极施加驱动电压，以实现对发光二极管的检测。
并且，接触电极105远离基底101的一侧与感光减粘膜104远离基底101的一侧设置为平齐，可使发光二极管一侧的引出电极的一部分与感光减粘膜104接触，另一部分与接触电极105接触，从而使转运基板既能够粘合发光二极管，又能够向发光二极管施加驱动电压。应该说明的是，此处接触电极远离基底的一侧与感光减粘膜远离基底的一侧平齐，可以理解为接触电极的表面与感光减粘膜的表面的高度差在一定范围内，只要能够保证发光二极管的引出电极既能够与接触电极接触，又能够与感光减粘膜接触即可。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述转运基板中，接触电极在基底上的正投影的面积为第一面积；
将要粘合到感光减粘膜上的发光二极管具有分布于两侧的两个引出电极，引出电极的表面积为第二面积；
第一面积小于第二面积。
如图3所示，以图中的虚线框Q表示对应于发光二极管一侧的引出电极的区域，将接触电极105的表面积设置为小于发光二极管的引出电极的表面积，可以在转运过程中，使发光二极管的引出电极一部分与接触电极105接触，另一部分与感光减粘膜104接触。图3中只是以虚线框Q示意引出电极可能的位置，并不对引出电极与感光减粘膜接触的位置进行限定。
在实际应用中，本发明实施例提供的上述转运基板中，如图4和图5所示，感光减粘膜104可以为多层。由于在对发光二极管进行检测的过程中，正常的发光二极管对应位置处的感光减粘膜的粘性会降低，因而为了保证转运基板能够顺利的转运发光二极管，可将感光减粘膜设置为多层，每次转运完成后撕掉一层感光减粘膜，以保证转运基板最外侧的感光减粘膜具有良好的粘性，并且，转运基板上所有的感光减粘膜都用完后，可在转运基板上再贴附多层感光减粘膜。
图4为将图1所示的转运基板的感光减粘膜设置为多层的结构，图5为将图2所示的转运基板的感光减粘膜设置为多层的结构，图4和图5中以转运基板具有三层感光减粘膜为例进行示意，在具体实施时，可根据实际需要来设置感光减粘膜的数量，此处不做限定。
此外，在具体实施时，如图1和图2所示，转运基板也可以仅具有一层感光减粘膜104，这样，在每次转运后可将感光减粘膜撕掉，在下一次转运之前，在转运基板上再贴附一层感光减粘膜。
具体地，本发明实施例提供的上述转运基板中，上述非可见光可以为紫外光也可以为红外光，也就是说，感光减粘膜可以是在紫外光照射下粘度降低的材料，也可以是在红外光照射下粘度降低的材料，此处不做限定。
非可见光为紫外光，光学转换层包括上转换材料；上转换材料可以将可见光转换为波长更短的紫外光；或，
非可见光为红外光，光学转换层包括下转换材料，下转换材料可以将可见光转换为波长更长的红外光。
具体地，本发明实施例提供的上述转运基板中，上述光学转换层的材料为掺杂稀土离子的化合物。稀土离子具有非常丰富的能级，将稀土离子掺入到化合物中，可以改变化合物的一些性质，使掺杂后的化合物具有更高的能级得到下转换材料，或使掺杂后的化合物具有更低的能级得到上转换材料。
具体地，本发明实施例提供的上述转运基板中，上述化合物可以为氟化物、氧化物、含硫化合物、氟氧化物或卤化物。通过在不同的化合物内掺杂不同的稀土离子，可以得到上转换材料或下转换材料。
第二方面，基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种发光二极管的转运方法。该转运方法的实施可以参见上述转运基板的实施例，重复之处不再赘述。
图6为本发明实施例提供的发光二极管的转运方法的流程图，图7a至图7f为本发明实施例中对应于引出电极位于同一侧的发光二极管结构的各步骤对应的结构示意图，图8a至图8f为本发明实施例中对应于引出电极位于两侧的发光二极管结构的各步骤对应的结构示意图。
如图6所示，本发明实施例提供的发光二极管的转运方法，可以包括：
S201、参照图7a和图8a，提供一阵列基板301；阵列基板301包括多个接触区域(如图中的区域P)，每一个接触区域P对应一个发光二极管；
S202、参照图7b和图8b，采用上述转运基板10，在转运基板10具有感光减粘膜104的一侧粘合多个发光二极管303；
S203、参照图7c和图8c，将转运基板10移动到对应于阵列基板301的位置处，且转运基板10粘合有发光二极管303的一面与阵列基板301具有接触区域P的一面相对；
S204、参照图7d和图8d，将转运基板10上的各发光二极管303与阵列基板301上的各接触区域P进行对位并压合，使发光二极管303的引出电极304与对应的接触区域P接触；
S205、参照图7e和图8e，驱动各发光二极管303发光，参照图7f和图8f，并在正常的发光二极管303脱离转运基板10后，移走转运基板10。
本发明实施例提供的上述发光二极管的转运方法，采用上述转运基板将发光二极管转运到阵列基板上，并且在转运的过程中完成了发光二极管的检测，可以在绑定工艺之前发现并移走异常发光的发光二极管，从而避免了异常发光的发光二极管被绑定后很难取下，以及激光切割工艺损坏阵列基板等问题，简化了转运工艺制程，并提高了转运的良率和效率。
在上述步骤S201中，阵列基板301包括多个接触区域P，每一个接触区域P对应一个发光二极管，若接触区域P对应的发光二极管的两个引出电极位于同一侧，则阵列基板301可以为图7a所示的结构，即接触区域P具有两个驱动电极302。若接触区域P对应的发光二极管的两个引出电极位于两侧，则阵列基板可以为图8a所示的结构，即接触区域P具有一个驱动电极302。
在上述步骤S202中，可以根据对应的阵列基板的尺寸来设置转运基板的尺寸，以使转运基板上粘合的多个发光二极管可以与阵列基板上的各接触区域相对应。
在上述步骤S203中，将转运基板10粘合有发光二极管303的一面与阵列基板301具有接触区域P的一面相对，以便于后续对位压合后，可以使发光二极管303的引出电极可以与接触区域P中的驱动电极302接触。
在上述步骤S204中，在具体实施时，为了便于后续将发光二极管的引出电极与驱动电极绑定连接，在引出电极表面或在驱动电极的表面一般会涂布有接触材料，例如，如果后续采用共晶方式进行绑定，可以采用AuSn合金作为接触材料，如果后续采用焊接方式进行绑定，可以采用锡或银等进行材料。
并且，为了便于转运基板与阵列基板进行对位，在具体实施时，可以在转运基板和阵列基板上设置相对应的对位标记，在对位过程中，通过将转运基板上的对位标记与阵列基板上的对位标记进行对齐，以实现转运基板上的发光二极管与对应的阵列基板上的接触区域进行对齐。将转运基板与阵列基板进行对位压合后，发光二极管的引出电极通过接触材料与对应的驱动电极电连接，但此时接触材料并不能将引出电极与驱动电极固定连接在一起，需要后续经过加热加压后才能将引出电极与驱动电极焊接在一起。
在上述步骤S205中，如图7e和图8e所示，向发光二极管的引出电极施加驱动电压，驱动各发光二极管303发光，如图中左侧和右侧两个发光二极管303能够正常发光，而中间的发光二极管303不能正常发光，正常的发光二极管303出射的可见光经过光学转换层103后转换为非可见光，反射层102将转换后的非可见光反射到感光减粘膜104，感光减粘膜104被非可见光照射后粘性会降低，因而，正常的发光二极管303对应位置处的感光减粘膜104粘性降低，异常的发光二极管303对应位置处的感光减粘膜104粘性不会降低。
如图7f和图8f所示，图中左侧和右侧的发光二极管303能够正常发光，中间的发光二极管303不能正常发光，将转运基板10与阵列基板301分离时，正常的发光二极管303对应位置处的感光减粘膜104的粘性降低而留在阵列基板上，异常的发光二极管303对应位置处的感光减粘膜104粘性不降低，从而使异常的发光二极管303与转运基板10一起移走。
具体地，本发明实施例提供的上述转运方法中，如图7b所示，将要转运的发光二极管303具有位于同侧的两个引出电极304；如图7a所示，阵列基板301上的每一个接触区域P包括两个驱动电极302；
上述步骤S205中，驱动各发光二极管303发光，包括：
向阵列基板301上的各驱动电极302施加驱动电压。
每一个接触区域P具有对应于发光二极管303的引出电极304的两个驱动电极302，将转运基板10与阵列基板301对位并压合后，发光二极管303的引出电极304与对应的驱动电极302实现电连接，因而，通过向阵列基板301上的驱动电极302施加驱动电压，就能够检测发光二极管能否正常发光。
具体地，本发明实施例提供的上述转运方法中，如图8b所示，将要转运的发光二极管303具有分布于两侧的两个引出电极304；
在上述步骤S202中，在转运基板10具有感光减粘膜104的一侧粘合多个发光二极管303，包括：
在转运基板10具有感光减粘膜104的一侧粘合多个发光二极管303，使每一个与感光减粘膜104接触的引出电极304的一部分与感光减粘膜104接触，另一部分与对应的接触电极105接触。
结合图3，感光减粘膜104上的接触电极105的尺寸一般小于对应的引出电极的尺寸，这样，感光减粘膜104在粘合发光二极管303时，容易使发光二极管303的引出电极304的一部分与感光减粘膜104接触，另一部分与对应的接触电极105接触，并且，使引出电极304与感光减粘膜104接触的区域Q包围对应的接触电极105所在的区域，能够使引出电极304与感光减粘膜104粘合的更牢固。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述转运方法中，如图8e所示，阵列基板301上的每一个接触区域P包括一个驱动电极302；
上述步骤S205中，驱动各发光二极管303发光，包括：
分别向阵列基板301上的各驱动电极302以及转运基板10上的各接触电极105施加驱动电压。
由于发光二极管303的两个引出电极304位于外延结构的两侧，一侧的引出电极304在发光二极管303与感光减粘膜104粘合后，与对应的接触电极105接触实现电连接，另一侧的引出电极304在转运基板10与阵列基板301对位并压合后，与对应的驱动电极302接触实现电连接，因而，通过分别向各驱动电极302以及各接触电极105施加驱动电压，就能够检测发光二极管能否正常发光。
在实际应用中，本发明实施例提供的上述转运方法中，在上述步骤S204之前，还可以包括：
在各发光二极管将要与阵列基板接触的引出电极上形成用于绑定工艺的接触材料；或，
在阵列基板的各接触区域形成用于绑定工艺的接触材料；
在上述步骤S205之后，还可以包括：
采用加压加热的方式将正常的发光二极管绑定到阵列基板上。
由于接触材料是需要在加压加热后才能将引出电极与驱动电极绑定在一起，因而在步骤S204中将转运基板与阵列基板进行压合后，引出电极与对应的驱动电极只是通过接触实现电连接，并没有固定连接在一起，从而在后续步骤S205中，在移动转运基板的过程中可以保证转运基板与正常的发光二极管分离，并且携带异常的发光二极管。在具体实施时，接触材料可以形成在引出电极上也可以形成在驱动电极上，此处不做限定。在绑定过程中，通过向接触材料加热，可以使接触材料中的原子达到很高的活性，从而在引出电极与驱动电极之间形成连接截面，通过加压可以使引出电极与驱动电极之间具有良好的接触，保证引出电极与驱动电极能够绑定在一起。
在实际应用中，本发明实施例提供的上述转运方法中，在上述步骤S205之后，还可以包括：
向阵列基板上不具有发光二极管的接触区域，重新转运正常的发光二极管。
在实际转运过程中，完成一次转运工艺后，难免会检测出一些异常的发光二极管，也就是阵列基板上会存在一些没有发光二极管的空位，需要再次转运在这些空位上转运正常的发光二极管，直到阵列基板上没有空位。具体地，如果阵列基板上的空位较少，可以采用逐个放置的方法对阵列基板上的空位进行补充。
如果阵列基板上的空位较多，可以再次采用本发明实施例提供的转运方法进行转运，具体地，在第一次转运完成后，需要撕掉已经使用过的感光减粘膜，然后再贴上一层没有使用过的感光减粘膜，并且在步骤S202中仅在对应于阵列基板上的控制的位置处粘合发光二极管，后续其他步骤可与上述步骤相同，再次采用一次或多次上转运方法转运后，如果剩余的空位不多，也可以结合逐个放置的方法对阵列基板上的空位进行补充。
另外，图7a至图7f，以及图8a至图8f中以仅包含一层感光减粘膜的转运基板为例，在实际工艺过程中，也可以采用如图4和图5所示的具有多层感光减粘膜的转运基板，在完成一次转运后，可以直接撕掉一层感光减粘膜，从而减少贴附感光减粘膜的次数，可以根据实际可能需要的转运次数来设置感光减粘膜的层数，或者也可以用完多层感光减粘膜后，再贴附多层感光减粘膜，此处不对每次贴附感光减粘膜的数量进行限定。
第三方面，基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种转运设备，包括：上述转运基板。该转运设备的实施可以参见上述转运基板的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备中，可以在转运的过程中完成发光二极管的检测，可以在绑定工艺之前发现并移走异常发光的发光二极管，从而避免了异常发光的发光二极管被绑定后很难取下，以及激光切割工艺损坏阵列基板等问题，简化了转运工艺制程，并提高了转运的良率和效率。此外，通过设置光学转换层和反射层，可以实现利用正常的发光二极管出射的光线改变感光减粘膜的粘性，无需额外增加光源，结构简单，检测成本较低。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种转运基板，其特征在于，包括：基底，位于所述基底一侧的反射层，位于所述反射层背离所述基底一侧的光学转换层，位于所述光学转换层背离所述反射层一侧的感光减粘膜；
所述光学转换层，用于将一定波长范围的光线转换为非可见光；
所述感光减粘膜，用于粘合发光二极管，并在非可见光照射后粘度降低以释放所述发光二极管。
2.如权利要求1所述的转运基板，其特征在于，还包括：多个接触电极；
所述感光减粘膜在背离所述基底的一侧具有与所述接触电极一一对应的多个凹槽；
每一个所述接触电极嵌入到对应的所述凹槽内，且所述接触电极远离所述基底的一侧与所述感光减粘膜远离所述基底的一侧平齐。
3.如权利要求2所述的转运基板，其特征在于，所述接触电极在所述基底上的正投影的面积为第一面积；
将要粘合到所述感光减粘膜上的所述发光二极管具有分布于两侧的两个引出电极，所述引出电极的表面积为第二面积；
所述第一面积小于所述第二面积。
4.如权利要求1所述的转运基板，其特征在于，所述感光减粘膜为多层。
5.如权利要求1所述的转运基板，其特征在于，所述非可见光为紫外光，所述光学转换层包括上转换材料；或，
所述非可见光为红外光，所述光学转换层包括下转换材料。
6.如权利要求1所述的转运基板，其特征在于，所述光学转换层的材料为掺杂稀土离子的化合物。
7.如权利要求4所述的转运基板，其特征在于，所述化合物为氟化物、氧化物、含硫化合物、氟氧化物或卤化物。
8.一种发光二极管的转运方法，其特征在于，包括：
提供一阵列基板；所述阵列基板包括多个接触区域，每一个所述接触区域对应一个发光二极管；
采用如权利要求1～5任一项所述的转运基板，在所述转运基板具有感光减粘膜的一侧粘合多个发光二极管；
将所述转运基板移动到对应于所述阵列基板的位置处，且所述转运基板粘合有所述发光二极管的一面与所述阵列基板具有所述接触区域的一面相对；
将所述转运基板上的各所述发光二极管与所述阵列基板上的各所述接触区域进行对位并压合，使所述发光二极管的引出电极与对应的接触区域接触；
驱动各所述发光二极管发光，并在正常的所述发光二极管脱离所述转运基板后，移走所述转运基板。
9.如权利要求8所述的转运方法，其特征在于，将要转运的所述发光二极管具有位于同侧的两个引出电极；所述阵列基板上的每一个所述接触区域包括两个驱动电极；
所述驱动各所述发光二极管发光，包括：
向所述阵列基板上的各所述驱动电极施加驱动电压。
10.如权利要求8所述的转运方法，其特征在于，将要转运的所述发光二极管具有分布于两侧的两个引出电极；
所述在所述转运基板具有感光减粘膜的一侧粘合多个发光二极管，包括：
在所述转运基板具有感光减粘膜的一侧粘合多个所述发光二极管，使每一个与所述感光减粘膜接触的所述引出电极的一部分与所述感光减粘膜接触，另一部分与对应的接触电极接触。
11.如权利要求10所述的转运方法，其特征在于，所述阵列基板上的每一个所述接触区域包括一个驱动电极；
所述驱动各所述发光二极管发光，包括：
分别向所述阵列基板上的各所述驱动电极以及所述转运基板上的各接触电极施加驱动电压。
12.如权利要求8～11任一项所述的转运方法，其特征在于，所述将所述转运基板上的各所述发光二极管与所述阵列基板上的各所述接触区域进行对位并压合之前，还包括：
在各所述发光二极管将要与所述阵列基板接触的引出电极上形成用于绑定工艺的接触材料；或，
在所述阵列基板的各所述接触区域形成用于绑定工艺的接触材料；
在移走所述转运基板之后，还包括：
采用加压加热的方式将正常的所述发光二极管绑定到所述阵列基板上。
13.如权利要求8～11任一项所述的转运方法，其特征在于，所述移走所述转运基板之后，还包括：
向所述阵列基板上不具有所述发光二极管的所述接触区域，重新转运正常的所述发光二极管。
14.一种转运设备，其特征在于，包括：如权利要求1～7任一项所述的转运基板。
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