JP5941414B2 - 有機el発光素子およびその製造方法 - Google Patents
有機el発光素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5941414B2 JP5941414B2 JP2012552713A JP2012552713A JP5941414B2 JP 5941414 B2 JP5941414 B2 JP 5941414B2 JP 2012552713 A JP2012552713 A JP 2012552713A JP 2012552713 A JP2012552713 A JP 2012552713A JP 5941414 B2 JP5941414 B2 JP 5941414B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- transparent conductive
- region
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 194
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 194
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/86—Series electrical configurations of multiple OLEDs
Description
図1は本発明の第1の実施形態にかかる有機EL発光素子を模式的に表す平面図であり、図2は、図1のII-II線における断面を表す模式的断面図である。図3は本発明の第2の実施形態にかかる有機EL発光素子を模式的に表す平面図である。図4、図5、および図6は、それぞれ図3のIV-IV線、Va-Vb線、およびVIa-VIb線における断面を表す模式的断面図である。
(透明導電層付き基板の準備および透明導電層分割溝の形成)
透明導電層として平均膜厚150nmのITO膜が片面全体に形成された無アルカリガラス(200mm×200mm、厚さ0.7mm)を用意した。このITO膜が形成された基板をITO膜面が上面になるようにXYステージ上に設置し、YAGレーザーの基本波を用いて、上面からレーザービームを照射することにより、極力ガラスに損傷がないようITO膜の面内の一部を除去して、透明導電層分割溝201を形成した。レーザーの発振周波数は15kHz、出力は14W、ビーム径は約25μm、加工速度は50mm/秒であった。
この基板を中性洗剤で洗浄し、150℃で20分加熱乾燥させた後、パターン化されたITO膜上に、酸化モリブデン層/4,4’−ビス[N−(2−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(以下「α−NPD」)層/α−NPD層/[トリス(8−ハイドロキシキノリナート)]アルミニウム(III)(以下「Alq3」)層/LiF層/AlF層からなる有機発光ユニット層を、真空蒸着法により形成した。
この有機発光ユニット層までが形成された基板を、有機発光ユニット層側が下面になるようにXYステージに設置した。その際、基板の有機発光ユニット層形成面とXYステージ面との距離が7mmとなるように、基板の端部4個所で基板とXYステージとを固定して、基板のレーザー加工面がXYステージと直接接触しないようにした。このようにXYステージから基板を浮かせた状態でレーザー加工を行うことで、レーザー加工による蒸発物が基板に再付着することや、ステージで反射・散乱したレーザー光による悪影響を抑制し得る。この状態で、YAGレーザーの第2高調波を用いて上面からレーザービームを照射することにより、極力ガラス基板およびITO層に損傷がないようにして有機発光ユニット層の開口部である第1種接続溝306〜308および第2種接続溝351を形成した。レーザーの発振周波数は5kHz、出力0.4W、ビーム径は約25μm、加工速度は50mm/秒であった。
第1種接続溝および第2種接続溝の形成後に、再度ガラス基板を真空蒸着機に設置して、最表面のAl層上に金属層としてAlを真空蒸着法によりさらに150nm(蒸着速度0.30nm〜0.35nm/秒)の膜厚で製膜した。
この金属層までが積層されたガラス基板を、Al層が下面になるようにXYステージに設置した。この際、前記有機発光ユニット層の除去の場合と同様に、基板の端部4個所で基板とXYステージとを固定して、基板のレーザー加工面がXYステージと直接接触しないようにした。YAGレーザーの第2高調波を用いて上面からレーザービームを照射することにより、極力ガラス基板およびITO層に損傷がないようにして金属層の面内の一部を、有機発光ユニット層と共に除去することで、金属層分割溝408〜410を形成した。レーザーの発振周波数は5kHz、出力0.4W、ビーム径は約25μm、加工速度は200mm/秒であった。
絶縁溝の形成は、透明導電層分割溝の形成と同様の加工条件にて行った。すなわち、金属層までが積層されたガラス基板を、Al層が上面になるようにXYステージ上に設置し、YAGレーザーの基本波を用いて、上面からレーザービームを照射することにより、ITO膜、有機発光ユニット層および金属層を同時に除去することで、絶縁溝501および502を形成した。レーザーの発振周波数は15kHz、出力は14W、ビーム径は約25μm、加工速度は50mm/秒であった。
実施例2においては、実施例1と同様に、図3の平面図で模式的に示される有機EL発光素子が製造されたが、2回のレーザービーム照射によって、絶縁溝501および502を形成した点において、実施例1とは異なっていた。
2 透明導電層
21 陽極領域
22 陰極接続領域
3 有機発光ユニット層
4 金属層
201〜211 透明導電層分割溝
301〜320 第1種接続溝
351〜354 第2種接続溝
401〜428 金属層分割溝
501〜511 絶縁溝
Claims (7)
- 透明基板上に、透明導電層、有機発光ユニット層および金属層をこの順に有する有機EL発光素子であって、
金属層は、金属層分割溝によって電気的に隔てられた陰極領域と補助電極領域とに分割されており、
補助電極領域において、金属層と透明導電層とが、有機発光ユニット層の開口部である第1種接続溝を介して電気的に接続されており、
透明導電層は、透明導電層分割溝によって電気的に隔てられた陽極領域と陰極接続領域とに分割されており、
陰極接続領域において、透明導電層と金属層の陰極領域とが、有機発光ユニット層の開口部である第2種接続溝を介して電気的に接続されており、
透明導電層の陽極領域と金属層の補助電極領域とが、第1種接続溝を介して電気的に接続されており、
陽極領域と陰極領域とが重複する領域が発光領域を構成し、
透明導電層分割溝と金属層分割溝とが同一領域に形成されており、透明導電層分割溝と金属層分割溝とを兼ね備える絶縁溝を有し、
絶縁溝は、透明導電層、有機発光ユニット層および金属層のすべての層が除去されている有機EL発光素子。 - 陰極領域の外周の2方向以上に第1種接続溝が形成されている、請求項1に記載の有機EL発光素子。
- 第1種接続溝および透明導電層分割溝によって発光領域が囲まれるように、第1種接続溝および透明導電層分割溝が形成されている、請求項1又は2に記載の有機EL発光素子。
- 第1種接続溝および透明導電層分割溝によって囲まれたサブ発光領域を複数有し、
隣接するサブ発光領域の間に少なくとも1の第1種接続溝が形成されている請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機EL発光素子。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機EL発光素子を製造する方法であって、
透明基板上に透明導電層が形成された透明導電層付き基板を準備する工程、
透明導電層上に有機発光ユニット層を形成する工程、
有機発光ユニット層にレーザービームを照射することで有機発光ユニット層の面内の一部が除去された開口部である第1種接続溝を形成する工程、
有機発光ユニット層上に金属層を形成する工程、および
透明基板側から金属層側へレーザービームを照射することで、有機発光ユニット層および金属層の面内の一部が除去された金属層分割溝を形成する工程、を有し、
金属層は前記金属層分割溝によって、電気的に隔てられた陰極領域と補助電極領域とに分割され、
前記第1種接続溝は、有機発光ユニット層内の補助電極領域に対応する領域に形成され、
第1種接続溝上に金属層が形成されることで、第1種接続溝内が金属層を構成する金属により充填されるために、金属層と透明導電層とが電気的に接続される、有機EL発光素子の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機EL発光素子を製造する方法であって、
透明基板上に透明導電層が形成された透明導電層付き基板を準備する工程、
透明導電層へレーザービームを照射することで、透明導電層の面内の一部が除去された透明導電層分割溝を形成する工程、
透明導電層上に有機発光ユニット層を形成する工程、
有機発光ユニット層にレーザービームを照射することで有機発光ユニット層の面内の一部が除去された第1種接続溝および第2種接続溝を形成する工程、
有機発光ユニット層上に金属層を形成する工程、および
透明基板側から金属層側へレーザービームを照射することで、有機発光ユニット層および金属層の面内の一部が除去された金属層分割溝を形成する工程、を有し、
透明導電層は透明導電層分割溝によって、電気的に隔てられた陽極領域と陰極接続領域とに分割され、
金属層は金属層分割溝によって、電気的に隔てられた陰極領域と補助電極領域とに分割され、
前記第1種接続溝は、有機発光ユニット層内の、前記陽極領域および前記補助電極領域の両者に対応する領域に形成され、
前記第2種接続溝は、有機発光ユニット層内の、前記陰極接続領域および前記陰極領域の両者に対応する領域に形成され、
第1種接続溝上および第2種接続溝上に金属層が形成されることによって、第1種接続溝内および第2種接続溝内が金属層を構成する金属により充填されるために、金属層と透明導電層とが電気的に接続される、有機EL発光素子の製造方法。 - 前記有機EL発光素子は、透明導電層分割溝と金属層分割溝とが同一箇所に形成された絶縁溝を有し、
透明基板側から金属層側へレーザービームを照射することで、透明導電層、有機発光ユニット層および金属層の全ての層を除去することによって絶縁溝が形成される、請求項6に記載の有機EL発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011005126 | 2011-01-13 | ||
JP2011005126 | 2011-01-13 | ||
PCT/JP2012/050180 WO2012096232A1 (ja) | 2011-01-13 | 2012-01-06 | 有機el発光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012096232A1 JPWO2012096232A1 (ja) | 2014-06-09 |
JP5941414B2 true JP5941414B2 (ja) | 2016-06-29 |
Family
ID=46507132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012552713A Active JP5941414B2 (ja) | 2011-01-13 | 2012-01-06 | 有機el発光素子およびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9287527B2 (ja) |
EP (1) | EP2665343A4 (ja) |
JP (1) | JP5941414B2 (ja) |
CN (1) | CN103314642B (ja) |
WO (1) | WO2012096232A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103702467B (zh) * | 2013-12-13 | 2018-07-24 | 固安翌光科技有限公司 | 一种oled照明光源 |
JP2017004788A (ja) * | 2015-06-11 | 2017-01-05 | 株式会社リコー | 導電パターン形成基板及び基板製造方法 |
JP2018174162A (ja) * | 2015-09-03 | 2018-11-08 | 株式会社カネカ | 有機el発光装置 |
CN105633120B (zh) * | 2015-12-31 | 2020-04-07 | 固安翌光科技有限公司 | 一种亮度均匀的发光显示屏体及其制备方法 |
KR102618599B1 (ko) | 2016-11-30 | 2023-12-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 |
KR20180062107A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 |
JP6846943B2 (ja) * | 2017-02-10 | 2021-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置、および塗布方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11162639A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-06-18 | Nec Corp | 有機el素子の製造方法 |
JP2003123990A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2007026932A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Konica Minolta Holdings Inc | 発光パネル |
JP2007052966A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
WO2011021448A1 (ja) * | 2009-08-19 | 2011-02-24 | リンテック株式会社 | 発光シート |
JP2011222485A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7034470B2 (en) * | 2002-08-07 | 2006-04-25 | Eastman Kodak Company | Serially connecting OLED devices for area illumination |
GB0229653D0 (en) | 2002-12-20 | 2003-01-22 | Cambridge Display Tech Ltd | Electrical connection of optoelectronic devices |
WO2007004115A2 (en) | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Organic electronic device and method for manufacture thereof |
JP5172402B2 (ja) * | 2008-03-13 | 2013-03-27 | シャープ株式会社 | 有機elデバイス |
JP5157825B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2013-03-06 | ソニー株式会社 | 有機elディスプレイの製造方法 |
US8421347B2 (en) * | 2009-08-27 | 2013-04-16 | Kaneka Corporation | Integrated organic light-emitting device, method for producing organic light-emitting device and organic light-emitting device produced by the method |
-
2012
- 2012-01-06 CN CN201280005263.0A patent/CN103314642B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-06 EP EP12733930.7A patent/EP2665343A4/en not_active Withdrawn
- 2012-01-06 US US13/979,637 patent/US9287527B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-06 WO PCT/JP2012/050180 patent/WO2012096232A1/ja active Application Filing
- 2012-01-06 JP JP2012552713A patent/JP5941414B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11162639A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-06-18 | Nec Corp | 有機el素子の製造方法 |
JP2003123990A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2007026932A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Konica Minolta Holdings Inc | 発光パネル |
JP2007052966A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
WO2011021448A1 (ja) * | 2009-08-19 | 2011-02-24 | リンテック株式会社 | 発光シート |
JP2011222485A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012096232A1 (ja) | 2012-07-19 |
US20130285037A1 (en) | 2013-10-31 |
EP2665343A1 (en) | 2013-11-20 |
JPWO2012096232A1 (ja) | 2014-06-09 |
US9287527B2 (en) | 2016-03-15 |
EP2665343A4 (en) | 2017-11-01 |
CN103314642A (zh) | 2013-09-18 |
CN103314642B (zh) | 2016-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5941414B2 (ja) | 有機el発光素子およびその製造方法 | |
JP5575133B2 (ja) | 集積化有機発光装置、有機発光装置の製造方法および有機発光装置 | |
JP5743609B2 (ja) | 有機el発光素子 | |
WO2015161584A1 (zh) | Oled显示器及其制备方法 | |
KR20110074518A (ko) | 유기 복사 방출 소자의 제조 방법 및 유기 복사 방출 소자 | |
WO2015143838A1 (zh) | Oled像素结构及其制备方法,oled显示面板及oled显示器 | |
TWI685138B (zh) | 照明板及其製造方法、照明模組、照明裝置和照明系統 | |
KR20150055627A (ko) | 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법 | |
CN108260259B (zh) | 使用有机发光器件的照明装置及其制造方法 | |
US10418571B2 (en) | Lighting apparatus using organic light emitting device and method of fabricating thereof | |
JP2009211885A (ja) | 有機el装置 | |
KR102406966B1 (ko) | Oled 조명 장치 | |
KR102661550B1 (ko) | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 | |
JP5460291B2 (ja) | 有機発光装置の製造方法および有機発光装置 | |
JP2015050051A (ja) | トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
JP5416914B2 (ja) | 有機el素子 | |
JP5698921B2 (ja) | 有機el発光装置およびその製造方法 | |
JP5730547B2 (ja) | シースルー有機el装置およびその製造方法 | |
JP2010244866A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP6102419B2 (ja) | トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、およびトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
KR102657037B1 (ko) | 유기발광소자를 이용한 조명장치의 제조장치 및 제조방법 | |
JP2005050706A (ja) | 画像表示装置 | |
JP2015088425A (ja) | 有機el素子、その製造方法、画像表示装置及び照明装置 | |
JP2015050046A (ja) | トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
JP2015049962A (ja) | トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5941414 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |