JP6102419B2 - トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、およびトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
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Description
なお、上記問題を解決することを目的として、仮に図12(c)に示す工程において減圧する力を強めたとしても、ガラスからなる蓋部は追従性に劣るため、蓋部と有機EL層側基板との接触面における密着性を向上させることには限界があった。また、樹脂フィルムからなる蓋部は、減圧する力が強まるとともに変形して画素領域における有機層に接触してしまうおそれがあるため、一定以上の力で減圧して蓋部と有機EL層側基板との接触面における密着性を向上させることは困難であった。
本発明の有機EL表示装置の製造方法は、基板上に画素電極および上記画素電極間に形成された補助電極を形成する画素電極および補助電極形成工程、上記基板上に2列以上の帯状のスペーサ部を形成するスペーサ部形成工程、および複数の有機層から構成され、少なくとも発光層を有する有機EL層を、上記画素電極上に形成する有機EL層形成工程を有し、上記有機EL層形成工程では、上記有機EL層を形成するとともに、上記有機EL層を構成する少なくとも1層の上記有機層が上記補助電極を覆うように形成される有機EL層側基板形成工程と、上記有機EL層側基板形成工程で得られた有機EL層側基板に蓋部を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋部が接触するように配置して、上記有機EL層側基板および上記蓋部の間の空間を減圧して密封する減圧密封工程と、上記蓋部側からレーザー光を照射して、上記補助電極を覆う上記有機層を除去し、上記補助電極を露出させて接触部を形成する接触部形成工程と、上記蓋部を剥離して、上記接触部において露出した上記補助電極に電気的に接続されるように、上記有機EL層側基板上に透明電極層を形成する透明電極層形成工程とを有し、上記2列以上のスペーサ部は、上記画素電極と上記接触部との間に形成されていることを特徴とするものである。
この理由については、次のようなことが考えられる。すなわち、例えば図1(d)に例示するように、2列以上のスペーサ部を形成する本発明においては、有機EL層側基板に蓋部を対向させて減圧することにより、画素電極上に形成された空間、補助電極上に形成された空間、および画素電極と補助電極との間に形成された空間のがそれぞれ減圧されることになる。これに対し、例えば図12(c)に例示するような従来の有機EL表示装置の製造方法では、有機EL層側基板と蓋部との界面において減圧される空間は、画素電極上に形成された空間、および補助電極上に形成された空間である。すなわち、本発明の有機EL表示装置の製造方法では、従来に比べて減圧密封工程において減圧される空間の数を増やすことができる。このように、本発明においては、減圧密封工程において有機EL層側基板に密着しようと上記蓋部に力が加わる領域の数が増え、蓋部と有機EL層側基板との接触面における密着性を向上させることができるものと考えられる。
また本発明は、画素電極と補助電極との間に1つの隔壁が形成された従来の構造を、画素電極と接触部との間に2列以上の帯状のスペーサ部が形成された構造にしたことにより、従来に比べてスペーサ部の頂部の面積を狭めて設計することができる。そのため、上記有機EL層側基板および上記蓋部の間の空間を減圧密封する際に、上記有機EL層側基板と上記蓋部とが接触する面積を狭めることができる。これにより、従来に比べて、上記有機EL層側基板と上記蓋部との各接触面にかかる力を増大させることができ、各接触面の密着性を向上させることができるものと考えられる。
以上のことから、本発明は、接触部形成工程においてレーザー光により除去された有機層の粉塵等が飛散した場合であっても、上記有機層の粉塵等が画素電極が形成された画素領域にまで飛散するのを防ぐことができ、表示特性の低下を抑制することができるものと推量される。また、本発明は、上述のような効果を奏することにより、従来と比較して画素電極が形成された画素領域の汚染を効果的に防ぎ、有機EL素子の寿命を延ばすことができるものと推量される。
本発明においては、まず、基板上に画素電極および上記画素電極間に形成された補助電極を形成する画素電極および補助電極形成工程、上記基板上に2列以上の帯状のスペーサ部を形成するスペーサ部形成工程、および複数の有機層から構成され、少なくとも発光層を有する有機EL層を、上記画素電極上に形成する有機EL層形成工程を有し、上記有機EL層形成工程では、有機EL層を形成するとともに、上記有機EL層を構成する少なくとも1層の上記有機層が上記補助電極を覆うように形成される有機EL層側基板形成工程を行う。
以下、本工程における画素電極および補助電極形成工程、スペーサ部形成工程、および有機EL層形成工程について説明する。
本工程は、基板上に画素電極および上記画素電極間に形成された補助電極を形成する工程である。
以下、本工程に用いられる各部材について説明する。
本工程における画素電極は、基板上にパターン状に形成されるものである。
画素電極は、光透過性を有していてもよく、有さなくてもよいが、本発明により製造される有機EL表示装置はトップエミッション型であり、透明電極層側から光を取り出すため、通常は光透過性を有さないものとされる。
画素電極が陽極である場合には、抵抗が小さいことが好ましく、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
陽極には、正孔が注入しやすいように仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、Au、Cr、Mo等の金属;酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化亜鉛、酸化インジウム等の無機酸化物;金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等が挙げられる。これらの導電性材料は、単独で用いても、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。
陰極には、電子が注入しやすいように仕事関数の小さい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、MgAg等のマグネシウム合金、AlLi、AlCa、AlMg等のアルミニウム合金、Li、Cs、Ba、Sr、Ca等のアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金等が挙げられる。
本工程における補助電極は、基板上にパターン状に形成されるものである。
補助電極は、光透過性を有していてもよく有さなくてもよい。
また、補助電極に用いられる材料は、画素電極に用いられる材料と同じであってもよく異なってもよい。中でも、画素電極および補助電極は同一の材料であることが好ましい。画素電極および補助電極を一括して形成することができ、製造工程を簡略化することができるからである。
隣り合う画素電極および補助電極の間隔としては、後述するスペーサ部を2列以上形成することができる程度であれば特に限定されるものではない。具体的には、1μm〜50μmの範囲内であることが好ましく、中でも2μm〜30μmの範囲内であることが好ましい。なお、隣り合う画素電極および補助電極の間隔とは、図1(a)に示した距離dを指す。
本工程における基板は、上述した画素電極および補助電極、また、後述する密着層、有機EL層および透明電極層を支持するものである。
なお、基板の表面にはガスバリア層が形成されていてもよい。
本工程は、上記基板上に2列以上の帯状のスペーサ部を形成する工程である。
本工程において形成される2列以上のスペーサ部のうち、画素電極側に形成されるスペーサ部は絶縁層としての機能を有するものである。
ここで、画素電極と後述する接触部との間に帯状に形成されるスペーサ部の数とは、隣接する画素電極と接触部との間に、長手方向にストライプ状のスペーサ部が形成されており、このときに画素電極と接触部との間に形成されたストライプの数を指す。したがって、例えば、図4〜図6におけるスペーサ部の数は2列である。
また、画素電極が形成された画素領域と接触部との間に形成されるスぺーサ部の数が2列以上である態様としては、図7に例示するように、隣接するスペーサ部5a、5bが連続して形成される態様も含む。
図4は、本工程におけるスペーサ部の形成態様の一例を示す概略図である。また、図4(a)は画素電極と補助電極との間にスペーサ部が形成された際の概略平面図であり、図4(b)は図4(a)のA−A線断面図である。本工程において形成されるスペーサ部としては、図4(a)に例示するように、画素電極3が形成された画素領域pと補助電極4における接触部9との間に、スペーサ部5a、5bが並列して形成されていてもよい。なお、図4において説明していない符号については、図1と同様であるためここでの説明は省略する。
ここで、「2列以上のスペーサ部の高さ」とは、画素電極と接触部との間に形成された2列以上のスペーサ部の高さを指す。具体的には、図4(b)、図5(b)および図6(b)に例示するように、スペーサ部が2列である場合に、画素電極3側に形成されたスペーサ部5aの高さと補助電極4側に形成されたスペーサ部5bの高さとを指す。また、ここでの「同じ高さ」とは、上述した2列以上のスペーサ部の高さが同程度の高さを有することを指す。具体的には、2列以上のスペーサ部の高さの差が、少なくとも±1μmの範囲内、中でも±0.5μmの範囲内、特に±0.2μmの範囲内であることを指す。
なお、図3(a)、(b)に示すように、隣接するスペーサ部5a、5bがそれぞれ独立して形成された場合には、スペーサ部5a、5bの下底面から頂部までの高さh1、h2をスペーサ部の高さとする。また、図7に示すように、隣接するスペーサ部5a、5bが連続して形成された場合には、スペーサ部5a、5bの接触点から頂部までの高さh3をスペーサ部の高さとする。
本工程において形成されるスペーサ部は、台座部と台座部上に形成された2列以上の密着部とから構成されていてもよい。具体的には、図8に例示するように、基板2上に形成された台座部11と、上記台座部11上に形成された2列の密着部12a、12bとから構成されていてもよい。
以下、台座部および密着部に分けて説明する。
台座部の大きさとしては、画素領域と接触部との間の大きさや、台座部上に形成される密着部の大きさや数に応じて適宜調整されるものである。台座部の高さとしては、例えば、0.1μm〜5μmの範囲内であることが好ましく、中でも0.5μm〜3μmの範囲内であることが好ましく、特に1μm〜2μmの範囲内であることが好ましい。台座部の高さが上記範囲内であることにより、台座部を形成することによる上述の効果を得ることができる。
密着部に用いられる材料、大きさ、数、形成方法については、上述したスペーサ部と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
スペーサ部に用いられる材料としては、本発明により得られる機EL表示装置の特性に悪影響を及ぼさないような材料であれば特に限定されるものではないが、例えば、スペーサ部が、図1、2、4〜6に例示するように、2列以上のスペーサ部のうち画素電極3側に形成されたスペーサ部5aである場合であって、当該スペーサ部5aが画素電極3と接する場合、当該スペーサ部の材料としては絶縁性材料を用いることが好ましい。この場合には、画素電極のエッジ部分からのリーク電流による不具合を防止することができる。具体的な材料としては、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、および無機材料等を挙げることができる。
また、上述のようにスペーサ部が台座部および密着部から構成される場合であって、上記台座部が絶縁層として形成される場合には、上記密着部の材料として導電性材料を用いることもできる。
本工程は、複数の有機層から構成され、少なくとも発光層を有する有機EL層を、上記画素電極上に形成する工程である。また、本工程では、有機EL層を形成するとともに、上記有機EL層を構成する少なくとも1層の有機層が補助電極を覆うように形成される。
以下、有機EL層について説明する。
以下、有機EL層を構成する各有機層について説明する。
本工程において形成される発光層は、単色の発光層であってもよく、複数色の発光層であってもよく、有機EL装置の用途に応じて適宜選択される。有機EL装置が表示装置である場合には、通常、複数色の発光層が形成される。
本工程において形成される有機EL層としては、発光層と陽極との間に正孔注入輸送層が形成されていてもよい。
正孔注入輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入層であってもよく、正孔輸送機能を有する正孔輸送層であってもよく、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものであってもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有するものであってもよい。
本工程において形成される有機EL層としては、発光層と陰極との間に電子注入輸送層が形成されていてもよい。
電子注入輸送層は、電子注入機能を有する電子注入層であってもよく、電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、電子注入層および電子輸送層が積層されたものであってもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有するものであってもよい。
電子注入層および電子輸送層に用いられる具体的な材料としては、一般的な材料を用いることができる。
本発明においては、上記有機EL層側基板形成工程で得られた有機EL層側基板に蓋部を対向させ、上記スペーサ部の頂部に上記蓋部が接触するように配置して、上記有機EL層側基板および上記蓋部の間の空間を減圧して密封する減圧密封工程を行う。
また、有機EL層側基板と蓋部との間の空間を減圧密閉する方法としては、上述のように有機EL層側基板の外周部にシール剤を形成して、有機EL層側基板と蓋部との間の空間を減圧密閉してもよく、あるいはジグ等で有機EL層側基板の外周部を圧着して、有機EL層側基板と蓋部との間の空間を減圧密閉してもよい。なお、上記方法により減圧密封を行う場合、後述する接触部形成工程におけるレーザー光の照射は、ガラス等の透光性基材から構成される真空チャンバーに設置されたレーザー光透過窓を介して行われることになる。
本発明においては、蓋部側からレーザー光を照射して、上記補助電極を覆う上記有機層を除去し、上記補助電極を露出させて接触部を形成する接触部形成工程を行う。
本発明においては、上記蓋部を剥離して、上記接触部において露出した上記補助電極に電気的に接続されるように、上記有機EL層側基板上に透明電極層を形成する透明電極層形成工程を行う。
陽極には、正孔が注入しやすいように仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、Au、Cr、Mo等の金属;酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化亜鉛、酸化インジウム等の無機酸化物;金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等が挙げられる。これらの導電性材料は、単独で用いても、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。
陰極には、電子が注入しやすいように仕事関数の小さい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、MgAg等のマグネシウム合金、AlLi、AlCa、AlMg等のアルミニウム合金、Li、Cs、Ba、Sr、Ca等のアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金等が挙げられる。
本発明においては、上述した工程を有していれば特に限定されるものではなく、その他の工程を有していてもよい。その他の工程としては、例えば、有機EL表示装置を封止基板により封止する封止工程が挙げられる。
以下、封止基板について説明する。
ここで、光透過率は、例えば島津製作所製紫外可視光分光光度計UV−3600により測定することができる。
また、樹脂製の封止基板の表面にはガスバリア層が形成されていてもよい。
本発明の有機EL表示装置は、上述のような製造方法により得られるものであるため、表示特性の低下を抑制することができるといった効果を奏する。
このような有機EL表示装置としては、次のような第1態様および第2態様が挙げられる。
2 … 基板
3 … 画素電極
4 … 補助電極
5a、5b … スペーサ部
6 … 有機EL層
7 … 透明電極層
8 … 蓋部
9 … 接触部
10 … トップエミッション型有機EL表示装置
11a、11b … 密着部
12 … 台座部
Claims (3)
- 基板上に画素電極および前記画素電極間に形成された補助電極を形成する画素電極および補助電極形成工程、前記基板上に2列以上の帯状のスペーサ部を形成するスペーサ部形成工程、および複数の有機層から構成され、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層を、前記画素電極上に形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス層形成工程では、前記有機エレクトロルミネッセンス層を形成するとともに、前記有機エレクトロルミネッセンス層を構成する少なくとも1層の前記有機層が前記補助電極を覆うように形成される有機エレクトロルミネッセンス層側基板形成工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板形成工程で得られた有機エレクトロルミネッセンス層側基板に蓋部を対向させ、前記スペーサ部の頂部に前記蓋部が接触するように配置して、前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板および前記蓋部の間の空間を減圧して密封する減圧密封工程と、
前記蓋部側からレーザー光を照射して、前記補助電極を覆う前記有機層を除去し、前記補助電極を露出させて接触部を形成する接触部形成工程と、
前記蓋部を剥離して、前記接触部において露出した前記補助電極に電気的に接続されるように、前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板上に透明電極層を形成する透明電極層形成工程と
を有し、前記2列以上のスペーサ部は、隣接する前記画素電極と前記接触部との間の前記スペーサ部の数が2列以上となるように形成されていることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 基板と、
前記基板上に形成された画素電極および前記画素電極間に形成された補助電極と、
前記基板上に形成された2列以上の帯状のスペーサ部と、
前記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、
前記補助電極上に形成された少なくとも一層の前記有機層と、
前記補助電極上の前記有機層が除去されて形成された接触部と、
少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス層および前記接触部上に形成された透明電極層と
を有し、前記透明電極層は、前記補助電極と前記接触部で電気的に接続しており、
前記2列以上のスペーサ部は、隣接する前記画素電極と前記接触部との間の前記スペーサ部の数が2列以上となるように形成されていることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 基板と、
前記基板上に形成された画素電極および前記画素電極間に形成された補助電極と、
前記基板上に形成された2列以上の帯状のスペーサ部と、
前記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、
前記補助電極上に形成された少なくとも一層の前記有機層と、
前記補助電極上の前記有機層が除去されて形成された接触部と、
少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス層および前記接触部上に形成された透明電極層と
を有し、前記透明電極層は、前記補助電極と前記接触部で電気的に接続しており、
前記2列以上のスペーサ部は、台座部と、前記台座部上に、隣接する前記画素電極と前記接触部との間の数が2列以上となるように形成された帯状の密着部とにより構成されていることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
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