KR102420018B1 - 나노 안테나 제조방법 - Google Patents

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Abstract

나노 안테나 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 제조방법은 기판 상에 하부 물질층을 형성하고, 상기 하부 물질층의 일부 영역을 한정한다. 상기 하부 물질층의 상기 한정된 영역 상에 부착층과 나노 안테나 물질층을 순차적으로 형성한 다음, 에싱 공정을 이용하여 상기 부착층을 제거한다. 상기 하부 물질층의 일부 영역을 한정하는 과정은 상기 하부 물질층 상에 상기 하부 물질층의 상기 일부 영역을 노출시키는 마스크를 형성하는 과정을 포함할 수 있다.

Description

나노 안테나 제조방법{Method of manufacturing nano antenna}
본 개시는 나노 안테나의 제조방법에 관한 것이다.
나노 안테나는 광의 수신과 송신에 관여한다. 나노 안테나와 공진하는 파장의 광이 송신 및/또는 수신되고, 나노 안테나와 인접한 투명 전도층의 굴절율 변화에 따라 나노 안테나에서 방출되는 광의 위상이 바뀔 수 있다.
나노 안테나의 재료로 골드(Au)층이 주로 사용된다. 골드층은 리프트 오프(lift-off) 공정을 이용하여 패터닝될 수 있다. 다만, 골드층은 접착력이 좋지 않기 때문에, 리프트 오프 공정시 온전한 패터닝이 어렵고, 골드층의 일부는 박리될 수 있다.
본 개시는 나노 안테나의 패터닝 과정에서 나타날 수 있는 부작용(예, 나노 안테나 물질의 박리)을 방지하면서 나노 안테나의 온전한 동작 특성을 확보할 수 있는 나노 안테나 제조방법을 제공한다.
본 개시에서 일 실시예에 의한 나노 안테나 제조방법은 기판 상에 하부 물질층을 형성한 다음, 상기 하부 물질층의 일부 영역을 한정하는 과정과, 상기 하부 물질층의 상기 한정된 영역 상에 부착층과 나노 안테나 물질층을 형성하는 과정과, 상기 부착층을 제거하는 과정을 포함한다.
상기 하부 물질층의 일부 영역을 한정하는 과정은 상기 하부 물질층 상에 상기 하부 물질층의 상기 일부 영역을 노출시키는 마스크를 형성하는 과정을 포함할 수 있다.
상기 하부 물질층을 형성하는 과정은 상기 기판 상에 거울층을 형성하는 과정과, 상기 거울층 상에 투명 전도층을 형성하는 과정과, 상기 투명 전도층 상에 절연층을 형성하는 과정을 포함할 수 있다.
상기 부착층은 Cr층 또는 Ti층일 수 있다.
상기 부착층은 에싱 공정으로 제거할 수 있다.
상기 부착층과 상기 나노 안테나 물질층은 상기 마스크가 존재하는 상태에서 순차적으로 형성하고, 상기 마스크는 상기 부착층을 제거하기 전에 제거할 수 있다.
개시된 나노 안테나 제조방법은 리프트 오프 방식을 적용하여 나노 안테나 패턴(나노 안테나 물질층)을 형성하는데, 이 과정에서 나노 안테나 패턴의 박리를 방지하기 위해 부착층이 사용된다. 나노 안테나 패턴이 형성된 후, 반도체 소자의 제조공정에서 사용되는 에싱 공정(ashing process)을 이용하여 나노 안테나 패턴과 그 아래의 절연층 사이에 형성된 부착층을 제거한다.
따라서 개시된 나노 안테나 제조방법을 이용할 경우, 나노 안테나 패턴을 형성하는 과정에서 나타날 수 있는 부작용, 예를 들면 나노 안테나 패턴의 박리를 방지할 수 있다. 그리고 사용된 부착층은 에싱 공정으로 제거함으로써, 나노 안테나 패턴과 그 아래의 절연층 사이의 계면에 정상적으로 공진현상이 나타날 수 있고, 이에 따라 나노 안테나가 정상적으로 동작될 수 있다.
도 1 내지 도 5는 일 실시예에 의한 나노 안테나 제조방법을 단계별로 나타낸다.
도 6은 일 실시예에 의한 나노 안테나 제조방법에서 에싱 공정 전후의 공진 딥(resonance dip) 변화를 나타낸 그래프이다.
도 7은 일 실시예에 의한 나노 안테나 제조방법에서 에싱 공정 전후에 나노 안테나 제원에 변화가 없음을 나타낸 사진(평면도)이다.
도 8은 일 실시예에 의한 나노 안테나 제조방법에서 에싱 공정으로 부착층을 제거한 후에도 나노 안테나가 절연층 상에 접촉되어 있음을 보여주는 TEM 사진이다.
도 9는 일 실시예에 의한 나노 안테나 제조방법에서 에싱 공정으로 부착층을 제거한 후에도 나노 안테나가 절연층 상에 접촉되어 있음을 보여주는 성분분석 사진이다.
나노 안테나의 재료로 골드(Au)가 주로 사용되는데, 골드층은 접착력이 좋지 않아 패터닝시에 박리되는 현상이 나타난다. 이를 방지하기 위해 접착력이 우수한 부착층을 이용하고, 부착층 상에 골드층을 패터닝한다.
그러나 현재의 나노 안테나 구조에서는 골드층과 절연층 사이의 계면에서 공진 현상이 필요한데, 상기 부착층이 삽입됨으로써, 나노 안테나의 동작에 나쁜 영향을 줄 수 있고, 정상 동작이 제한될 수 있다.
개시된 나노 안테나 제조방법은 상기 패터닝 후, 골드층(나노 안테나 물질층)과 절연층 사이에서 상기 부착층을 제거하여, 상기 부착층에 기인한 나노 안테나의 동작에 나타날 수 있는 나쁜 영향을 제거하려 한다.
이하, 일 실시예에 의한 나노 안테나 제조방법을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
도 1 내지 도 5는 개시된 나노 안테나 제조방법을 단계별로 보여준다.
먼저, 도 1을 참조하면, 기판(10) 상에 거울층(mirror layer)(20)을 형성한다. 기판(10)은 나노 안테나가 장착되는 장치의 표면일 수 있다. 거울층(20)은 반사층으로써, 예를 들면 골드(Au)층(gold layer)일 수 있다. 거울층(20) 상에 투명 도전층(22) 및 절연층(24)을 순차적으로 형성한다. 투명 도전층(22)은, 예를 들면 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxide, TCO)층일 수 있다. 상기 TCO층은, 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide)층, IZO(Indium Zinc Oxide)층, GIZO(Gallium Indium Zinc Oxide)나 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)층 또는 하프늄 산화물(HfOx)층일 수 있다. 절연층(24)은, 예를 들면 산화물층일 수 있다. 이때, 상기 산화물층은, 예를 들면 알루미늄 산화물층(예, Al2O3)일 수 있다. 기판(10) 상에 순차적으로 적층된 거울층(20), 투명 전도층(22) 및 절연층(24)은 통칭해서 하부 물질층이라 할 수 있다.
다음, 도 2에 도시한 바와 같이, 절연층(24) 상에 마스크(28)를 형성한다. 마스크(28)는 절연층(24)의 일부 영역 상에만 형성된다. 따라서 마스크(28)가 형성된 후, 절연층(24)의 상부면의 일부는 노출된다. 마스크(28)는, 예를 들면 포토레지스트막일 수 있다.
계속해서, 마스크(28)를 형성한 다음에는 도 3에 도시한 바와 같이, 절연층(24)의 노출된 부분 상에 부착층(adhesion layer)(26)과 나노 안테나 물질층(30)을 순차적으로 형성한다. 부착층(26)은 마스크(28) 사이의 절연층(24)의 노출된 상부면 전체를 덮도록 형성된다. 나노 안테나 물질층(30)은 부착층(26)의 상부면 전체를 덮을 수 있다. 나노 안테나 물질층(30)의 두께는 마스크(28)보다 얇을 수 있다. 나노 안테나 물질층(30)은, 예를 들면 골드(Au)층으로 형성할 수 있다. 부착층(26)과 나노 안테나 물질층(30)이 형성될 때, 마스크(28) 상에도 부착층(26)과 나노 안테나 물질층(30)이 순차적으로 증착된다. 마스크(28) 상에 증착된 부착층(26)과 나노 안테나 물질층(30)은 마스크(28)가 제거될 때, 함께 제거된다. 부착층(26)은 다른 층에 비해 상대적으로 얇게 형성할 수 있다. 부착층(26)은 마스크(28)를 형성한 후, 나노 안테나 물질층(30)을 마스크(28)에 의해 선택된 영역에 형성한 다음, 마스크(28)를 제거하는 일련의 공정, 곧 리프트 오프(lift-off) 공정 동안에 나노 안테나 물질층(30)이 박리되는 것을 방지하는 역할을 한다. 부착층(26)은 나노 안테나 물질층(30)이 부착시킬 수 있는 물질이라면 대부분 사용될 수 있다. 부착층(26)은, 예를 들면 크롬(Cr)층 또는 티타늄(Ti)층으로 형성할 수 있다. 부착층(26)은 후속 공정에서 제거되는 바, 이를 감안하여 적정 두께로 형성할 수 있는데, 예를 들면 1nm~10nm 정도의 두께로 형성할 수 있다.
부착층(26)과 나노 안테나 물질층(30)을 차례로 형성한 후, 마스크(28)를 제거한다. 마스크(28)가 제거된 후, 도 4에 도시한 바와 같이, 절연층(24) 상에만 나노 안테나 물질층(30)이 존재한다. 절연층(24) 상의 나노 안테나 물질층(30)은 절연층(24) 상에 형성된 부착층(26)으로 인해 마스크(28) 제거과정에서 박리되지 않으며, 온전한 형태를 유지할 수 있다. 마스크(28) 제거 후, 절연층(24) 상에 존재하는 나노 안테나 물질층(30)은 실질적으로 나노 안테나로 사용될 수 있다. 나노 안테나 물질층(30)과 절연층(24) 사이에 존재하는 부착층(26)은 부착층(26)으로 사용되는 물질을 고려하여 부착층(26)만 제거할 수 있는 공정을 이용하여 제거할 수 있다. 일 예로 에싱 공정을 이용하여 나노 안테나 물질층(30)과 절연층(24) 사이에 존재하는 부착층(26)을 제거할 수 있다. 이때, 상기 에싱 공정은 통상의 반도체 소자의 제조공정에 사용되는 것과 동일할 수 있다. 상기 에싱 공정은 나노 안테나 물질층(30)과 절연층(24) 사이에 존재하는 부착층(26)에 대해서만 작용하고, 나머지 물질층에 대해서는 작용하지 않거나 작용하더라도 극히 미미하여 무시할 수 있을 정도이다.
상기 에싱 공정에 의해 나노 안테나 물질층(30)과 절연층(24) 사이에 있던 부착층(26)이 사라진다. 이 결과, 도 5에 도시한 바와 같이 나노 안테나 물질층(30)은 절연층(24)과 직접 접촉된다. 상기 에싱 공정에 의해 나노 안테나 물질층(30)과 절연층(24) 사이에서 부착층(26)이 제거되고, 나노 안테나 물질층(30)은 절연층(24) 상에 직접 구비되는 바, 나노 안테나 물질층(30)과 절연층(24) 사이의 계면에서 공진 현상이 정상적으로 나타나게 된다. 따라서 입사광에 대한 나노 안테나 물질층(30)의 광학적 작용(예, 광의 위상변화, 광의 진행방향 변경 등)이 정상적으로 이루어질 수 있다.
도 6은 일 실시예에 의한 나노 안테나 제조방법에서 나노 안테나 물질층(30)과 절연층(24) 사이에 존재하는 부착층(26)을 제거하기 위한 에싱 공정을 실시하기 전과 후의 공진 딥(resonance dip)의 변화를 보여준다. 도 6에서 가로축은 나노 안테나 물질층(30)에 입사되는 광의 파장을 나타낸다. 세로축은 반사율(reflectance)을 나타낸다. 도 6에서 제1 그래프(G1)는 상기 에싱 공정 실시전의 공진 딥을 나타내고, 제2 그래프(G2)는 상기 에싱 공정 실시후의 공진 딥을 나타낸다.
도 6의 제1 그래프(G1)와 제2 그래프(G2)를 비교하면, 상기 에싱 공정을 실시한 후, 공진 딥 위치는 우측으로 시프트되고, 공진 딥 위치에서 반사율은 더 낮아짐을 알 수 있다. 상술한 제조방법에서 상기 에싱 공정 전후에 달라진 것은 나노 안테나 물질층(30)과 절연층(24) 사이에서 부착층(26)이 제거된 것이다. 따라서 도 6의 결과는 상기 에싱 공정에 의해 나노 안테나 물질층(30)과 절연층(24) 사이에서 부착층(26)이 제거되었음을 시사하는 것일 수 있다.
도 7은 상술한 나노 안테나 제조방법에서 상기 에싱 공정에 따른 나노 안테나 폭에 변화와 관련된 내용을 보여준다.
도 7의 (a)는 상기 에싱 공정 실시전의 나노 안테나(30)에 대한 평면도이고, (b)는 상기 에싱 공정을 실시한 다음, 여러 공정을 거친 나노 안테나에 대한 평면도이다.
도 7의 (a)와 (b)를 비교하면, 나노 안테나(30)의 형태는 동일하고, 폭과 길이 등도 차이가 없음을 알 수 있다.
도 7의 결과는 상기 에싱 공정이 나노 안테나(30)의 제원(형태, 길이, 폭 등)에 영향을 주지 않음을 시사한다. 다시 말하면, 도 7의 결과는 나노 안테나(30)의 제원은 상기 에싱 공정에 영향을 받지 않음을 보여준다.
도 8은 상술한 나노 안테나 제조방법에서 상기 에싱 공정을 실시하기 전후의 나노 안테나(30)와 그 아래의 물질층 구조에 대한 투과 전자 현미경(TEM) 사진을 보여준다.
도 8에서 (a)는 상기 에싱 공정을 실시하기 전의 나노 안테나(30)와 그 아래의 물질층 구조에 대한 투과 전자 현미경 사진을 보여주고, (b)는 상기 에싱 공정을 실시한 후에, 후속 여러 공정을 더 실시한 후의 나노 안테나(30)와 그 아래의 물질층 구조에 대한 투과 전자 현미경 사진을 보여준다. 도 8의 (a)의 나노 안테나(30)에 비해 도 8의 (b)의 나노 안테나(30)의 사이즈가 작은 것은 상기 에싱 공정의 영향이 아니라, 상기 에싱 공정 후에 계속된 공정들의 영향이다.
도 8의 (a)와 (b)를 비교하면, 상기 에싱 공정에 의해 나노 안테나(30)와 절연층(24) 사이에서 부착층(26)이 제거된 후, 나노 안테나(30)가 절연층(24) 상에 접촉되어 있음을 볼 수 있다. 특히, (b)도는 상기 에싱 공정을 실시한 후, 계속해서 여러 공정을 실시하였음에도 나노 안테나(30)는 여전히 절연층(24) 상에 접촉되어 있음을 보여준다. 도 8의 결과는 상기 에싱 공정에 의해 나노 안테나(30)와 절연층(24) 사이에서 부착층(26)이 제거되더라도 나노 안테나(30)가 절연층(24)으로부터 떨어지거나 박리되지 않고, 온전히 절연층(24) 상에 접촉되어 있음을 시사한다.
도 9는 상술한 나노 안테나 제조방법에서 상기 에싱 공정을 실시하기 전후의 나노 안테나(30)와 그 아래의 물질층 구조에 대한 성분 분석사진을 보여준다.
도 9에서 (a)는 상기 에싱 공정을 실시하기 전의 나노 안테나(30)와 그 아래의 물질층 구조에 대한 성분 분석사진이고, (b)는 상기 에싱 공정을 실시한 후, 계속해서 여러 공정을 더 실시한 후의 나노 안테나(30)와 그 아래의 물질층 구조에 대한 성분 분석사진이다. 도 9의 (a)의 나노 안테나(30)에 비해 도 9의 (b)의 나노 안테나(30)의 사이즈가 작은 것은 상기 에싱 공정의 영향이 아니라, 상기 에싱 공정 후에 계속된 공정들의 영향이다.
도 9의 (a)와 (b)는 상기 에싱 공정에 의해 나노 안테나(30)와 절연층(24) 사이에서 부착층(26)이 제거된 후, 나노 안테나(30)가 절연층(24) 상에 접촉되어 있음을 보여준다. 특히, (b)도는 상기 에싱 공정을 실시한 후, 계속해서 여러 공정을 실시하였음에도 나노 안테나(30)는 여전히 절연층(24) 상에 접촉되어 있음을 보여준다. 도 9의 결과는 도 8의 결과와 마찬가지로 상기 에싱 공정에 의해 나노 안테나(30)와 절연층(24) 사이에서 부착층(26)이 제거되더라도 나노 안테나(30)가 절연층(24)으로부터 떨어지거나 박리되지 않고, 온전히 절연층(24) 상에 접촉되어 있음을 시사한다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고, 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
10:기판 20:거울층
22:투명 도전층 24:절연층
26:부착층 28:마스크
30:나노 마스크 물질층

Claims (6)

  1. 기판 상에 하부 물질층을 형성하는 단계;
    상기 하부 물질층의 일부 영역을 한정하는 단계;
    상기 하부 물질층의 상기 한정된 영역 상에 부착층을 형성하는 단계;
    상기 부착층 상에 나노 안테나 물질층을 형성하는 단계; 및
    상기 하부 물질층과 상기 나노 안테나 물질층 사이에서 상기 부착층을 제거하는 단계;를 포함하는 나노 안테나 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 물질층의 일부 영역을 한정하는 단계는,
    상기 하부 물질층 상에 상기 하부 물질층의 상기 일부 영역을 노출시키는 마스크를 형성하는 단계를 포함하는 나노 안테나 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 물질층을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 거울층을 형성하는 단계;
    상기 거울층 상에 투명 전도층을 형성하는 단계; 및
    상기 투명 전도층 상에 절연층을 형성하는 단계;를 포함하는 나노 안테나 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 부착층은 Cr층 또는 Ti층인 나노 안테나 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 부착층은 에싱 공정으로 제거하는 나노 안테나 제조방법.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 부착층과 상기 나노 안테나 물질층은 상기 마스크가 존재하는 상태에서 순차적으로 형성하고,
    상기 마스크는 상기 부착층을 제거하기 전에 제거하는 나노 안테나 제조방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130107001A (ko) * 2012-03-21 2013-10-01 엘지이노텍 주식회사 증착 장치
KR102587131B1 (ko) * 2016-08-23 2023-10-10 삼성전자주식회사 나노 안테나 구조체 및 그 제조 방법
US10312580B1 (en) * 2017-01-18 2019-06-04 Northrop Grumman Systems Corporation Class of nanomaterial-based tunable antennas

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150146180A1 (en) * 2013-11-22 2015-05-28 Korea Institute Of Science And Technology Method for fabricating nanoantenna array, nanoantenna array chip and structure for lithography

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910001590B1 (ko) * 1984-07-23 1991-03-16 닛뽕 텔리그래프 앤드 텔리포운 코오포레이숀 패턴 형성방법
US6793778B2 (en) 2002-07-15 2004-09-21 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands N.V. Method of fabricating slider pads for a transducer operating with moving magnetic media
KR100765236B1 (ko) 2006-06-30 2007-10-09 서울옵토디바이스주식회사 패터닝된 발광다이오드용 기판 제조방법 및 그것을채택하는 발광 다이오드 제조방법
KR100864536B1 (ko) 2006-08-01 2008-10-21 고려대학교 산학협력단 폴리디메틸실록산을 이용한 미세전극 형성 방법 및 이에의해 형성된 미세전극
US7635546B2 (en) 2006-09-15 2009-12-22 Applied Materials, Inc. Phase shifting photomask and a method of fabricating thereof
JP2010180095A (ja) 2009-02-05 2010-08-19 Dokin Denshi Kogyo Kofun Yugenkoshi 基板の金属化工程
US10571606B2 (en) * 2009-10-23 2020-02-25 Trustees Of Boston University Nanoantenna arrays for nanospectroscopy, methods of use and methods of high-throughput nanofabrication
WO2012011998A2 (en) * 2010-04-28 2012-01-26 The Regents Of The University Of California Impedance matching ground plane for high efficiency coupling with optical antennas
US9632216B2 (en) * 2015-02-03 2017-04-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical modulating device having gate structure

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150146180A1 (en) * 2013-11-22 2015-05-28 Korea Institute Of Science And Technology Method for fabricating nanoantenna array, nanoantenna array chip and structure for lithography

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