KR100784001B1 - 화학 증착 공정에 사용하기 위한 변형된 서셉터 - Google Patents
화학 증착 공정에 사용하기 위한 변형된 서셉터 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100784001B1 KR100784001B1 KR1020027015043A KR20027015043A KR100784001B1 KR 100784001 B1 KR100784001 B1 KR 100784001B1 KR 1020027015043 A KR1020027015043 A KR 1020027015043A KR 20027015043 A KR20027015043 A KR 20027015043A KR 100784001 B1 KR100784001 B1 KR 100784001B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- susceptor
- semiconductor wafer
- chamber
- gas
- interior space
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Claims (21)
- 삭제
- 삭제
- 전면 및 후면을 갖는 반도체 웨이퍼 상에 에피택셜 실리콘 층을 성장시키는 화학 증착 공정동안 상기 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 서셉터로서,상기 반도체 웨이퍼의 상기 후면과의 접촉을 위해 상기 서셉터를 통한 가스의 유동을 허용하도록 상기 서셉터에 의해 지지되는 상기 반도체 웨이퍼의 상기 후면과 평행하고, 상기 후면을 대향하는 관계에 있는 다공성 표면; 및상기 서셉터의 주변을 둘러싸는 엣지 링을 포함하고,상기 다공성 표면은 0.2 개구/㎠ 내지 4 개구/㎠ 사이의 개구 밀도를 가지며, 상기 서셉터는 상기 서셉터의 상기 다공성 표면의 적어도 일부분과 이격된 관계로 상기 반도체 웨이퍼를 지지하도록 구성되는 서셉터.
- 전면 및 후면을 갖는 반도체 웨이퍼 상에 에피택셜 실리콘 층을 성장시키는 화학 증착 공정동안 상기 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 서셉터로서,상기 반도체 웨이퍼의 상기 후면과의 접촉을 위해 상기 서셉터를 통한 가스의 유동을 허용하도록 상기 서셉터에 의해 지지되는 상기 반도체 웨이퍼의 상기 후면과 평행하고, 상기 후면을 대향하는 관계에 있는 다공성 표면을 포함하고,상기 다공성 표면은 0.2 개구/㎠ 내지 4 개구/㎠ 사이의 개구 밀도를 가지고, 상기 다공성 표면 상의 개구 영역의 전체 비율은 0.5% 내지 4% 사이이며, 상기 서셉터는 상기 서셉터의 상기 다공성 표면의 적어도 일부분과 이격된 관계로 상기 반도체 웨이퍼를 지지하도록 구성되는 서셉터.
- 제4항에 있어서,상기 다공성 표면 상의 개구 영역의 총 비율은 1% 내지 3% 사이인 서셉터.
- 삭제
- 제4항에 있어서,상기 서셉터는 상기 다공성 표면에 리프트(lift) 핀 홀들을 더 포함하여 상기 리프트 핀들이 상기 서셉터를 통과하도록 하는 서셉터.
- 제4항에 있어서,상기 개구는 0.1 밀리미터 내지 3 밀리미터 사이의 직경을 갖는 서셉터.
- 제4항에 있어서,상기 개구는 0.1 밀리미터 내지 1 밀리미터 사이의 직경을 갖는 서셉터.
- 제4항에 있어서,상기 개구는 0.5 밀리미터 내지 1 밀리미터 사이의 직경을 갖는 서셉터.
- 제4항에 있어서,상기 개구들은 2 밀리미터 내지 2 센티미터 사이로 이격되어 배치되는 서셉터.
- 제4항에 있어서,상기 다공성 표면은 0.8 개구/㎠ 내지 1.75 개구/㎠ 사이인 서셉터.
- 삭제
- 제4항에 있어서, 상기 서셉터는챔버의 내부 공간, 상기 챔버의 내부 공간으로 가스를 유입하기 위한 가스 주입구 및 상기 챔버의 내부 공간으로부터 상기 가스를 배출시키는 가스 배출구를 포함하는 유형의 챔버와 결합하여, 상기 챔버의 내부 공간 내에 상기 반도체 웨이퍼를 지지하도록 크기가 조정되고 구성되며,상기 서셉터의 다공성 표면은 상기 챔버의 내부에 노출되어 상기 반도체 웨이퍼의 상기 후면과의 접촉을 위해 가스가 상기 다공성 표면을 통하여 내부로 흐르도록 하고, 상기 반도체가 상기 서셉터에 의해 지지되면서 상기 가스 배출구를 통한 상기 챔버로부터의 배출을 위해 상기 가스가 상기 다공성 표면을 통해 외부로 또한 흐르도록 하는 서셉터.
- 제14항에 있어서, 상기 서셉터와 챔버의 결합체는상기 서셉터의 상기 다공성 표면이 상기 챔버의 상기 내부 공간 안으로 흐르는 상기 가스에 실질적으로 노출되도록, 상기 챔버의 상기 내부 공간 내에 상기 서셉터를 지지하기 위한 지지대(support)를 더 포함하는 상기 서셉터와 챔버의 결합체.
- 제15항에 있어서,상기 지지대는 상기 챔버 내부의 상기 서셉터를 회전시키기 위해 상기 챔버의 상기 내부 공간 내에서 회전 가능한, 상기 서셉터와 챔버의 결합체.
- 제4항에 있어서,내부 공간을 정의하고, 챔버의 상기 내부 공간으로 가스가 흐르도록 하는 가스 주입구 및 상기 챔버의 상기 내부 공간으로부터 상기 가스가 배출되도록 하는 가스 배출구를 포함하는 증착 챔버; 및상기 챔버의 내부에 상기 서셉터의 제2 측을 노출시켜 상기 반도체 웨이퍼의 상기 후면과의 접촉을 위해 상기 서셉터의 상기 다공성 표면을 통해 내부로 상기 가스의 실질적인 자유 유동을 용이하게 하고, 상기 가스 배출구를 통해 상기 챔버로부터 배출하기 위해 상기 서셉터의 상기 다공성 표면을 통해 외부로 더 흐르게 하기 위한, 상기 챔버 내에서 상기 서셉터를 지지하는 서셉터 지지대를 포함하는 서셉터.
- 전면과 후면을 갖는 반도체 웨이퍼의 후면을 가스로 처리하기 위한 방법에 있어서,상기 웨이퍼를 챔버의 내부 공간에 배치된 서셉터로 로딩하는 단계 - 상기 서셉터는 상기 서셉터를 통해 제1 측으로부터 제2측으로 확장된 개구를 갖는 다공성부를 가지며, 상기 로딩 단계는 상기 웨이퍼의 상기 후면이 상기 서셉터의 상기 다공성부의 상기 제1 측과 대향 관계에 있도록 상기 서셉터로 상기 웨이퍼를 로딩하는 단계를 포함함 -;상기 서셉터의 상기 제2 측이 상기 챔버의 내부 공간에 노출되도록 상기 서셉터를 상기 챔버의 내부 공간에서 지지하는 단계;상기 후면을 처리하기 위해 상기 반도체 웨이퍼의 상기 후면과 접촉하도록 상기 서셉터의 상기 다공성부의 표면을 통해 내부로 상기 가스의 실질적인 자유 유동을 용이하게 하고 상기 챔버의 상기 내부 공간으로 되돌려 상기 서셉터의 상기 다공성부의 표면을 통해 외부로 상기 가스의 추가 유동을 용이하게 하기 위하여 상기 챔버의 상기 내부 공간으로 가스를 흐르도록 하는 단계; 및상기 챔버의 상기 내부 공간으로부터 상기 가스를 배출시키는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼의 후면 처리 방법.
- 제18항에 있어서,상기 챔버의 내부 공간으로 가스가 유동함에 따라 상기 챔버의 상기 내부 공간 내에서 상기 서셉터를 회전시키는 단계를 더 포함하는 반도체 웨이퍼의 후면 처리 방법.
- 제18항에 있어서,상기 챔버의 상기 내부 공간으로 가스를 흐르도록 하는 단계는상기 반도체 웨이퍼의 상기 전면 및 상기 후면으로부터 자연 산화물 층을 제거하기 위하여, 세정 가스가 상기 전면 및 후면과 평행하게 흐르고 상기 반도체 웨이퍼의 상기 전면에 접촉하고 상기 반도체 웨이퍼의 상기 후면 전체에 실질적으로 접촉하도록 상기 반도체 웨이퍼를 포함하는 상기 챔버의 내부 공간으로 상기 세정 가스를 향하도록 하는 단계; 및상기 반도체 웨이퍼의 상기 후면으로부터 확산되어 나온(out-diffused) 도펀트 원자들을 상기 반도체 웨이퍼의 상기 전면으로부터 제거하기 위하여 퍼지 가스(purge gas)가 상기 챔버로 향하도록 하는 한편, 상기 반도체 웨이퍼의 상기 전면 상에 에피택셜 실리콘 층을 성장시키기 위해 실리콘이 포함된 소스 가스가 상기 챔버의 상기 내부 공간으로 향하도록 하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼의 후면 처리 방법.
- 제20항에 있어서,상기 에피택셜 층은 0.1㎛ 내지 200㎛ 사이의 두께를 갖는 반도체 웨이퍼의 후면 처리 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/566,890 | 2000-05-08 | ||
US09/566,890 US6444027B1 (en) | 2000-05-08 | 2000-05-08 | Modified susceptor for use in chemical vapor deposition process |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030086220A KR20030086220A (ko) | 2003-11-07 |
KR100784001B1 true KR100784001B1 (ko) | 2007-12-07 |
Family
ID=24264828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020027015043A KR100784001B1 (ko) | 2000-05-08 | 2001-04-19 | 화학 증착 공정에 사용하기 위한 변형된 서셉터 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6444027B1 (ko) |
EP (1) | EP1287187B1 (ko) |
JP (1) | JP4492840B2 (ko) |
KR (1) | KR100784001B1 (ko) |
CN (1) | CN1223709C (ko) |
DE (1) | DE60139008D1 (ko) |
TW (1) | TWI285936B (ko) |
WO (1) | WO2001086034A2 (ko) |
Families Citing this family (121)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6113702A (en) * | 1995-09-01 | 2000-09-05 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
US6183565B1 (en) * | 1997-07-08 | 2001-02-06 | Asm International N.V | Method and apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing |
US6444027B1 (en) * | 2000-05-08 | 2002-09-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Modified susceptor for use in chemical vapor deposition process |
DE10027931C1 (de) * | 2000-05-31 | 2002-01-10 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur rückseitigen elektrischen Kontaktierung eines Halbleitersubstrats während seiner Bearbeitung |
US6599815B1 (en) * | 2000-06-30 | 2003-07-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for forming a silicon wafer with a denuded zone |
US6822945B2 (en) | 2000-11-08 | 2004-11-23 | Genesys Telecommunications Laboratories, Inc. | Method and apparatus for anticipating and planning communication-center resources based on evaluation of events waiting in a communication center master queue |
US6576572B2 (en) * | 2000-12-28 | 2003-06-10 | Schott Lithotec Ag | Method of heating a substrate using a variable surface hot plate for improved bake uniformity |
DE10111761A1 (de) * | 2001-03-12 | 2002-10-02 | Infineon Technologies Ag | Anordnung und Verfahren zum rückseitigen Kontaktieren eines Halbleitersubstrats |
US7270708B2 (en) * | 2001-11-30 | 2007-09-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Susceptor, vapor phase growth apparatus, epitaxial wafer manufacturing apparatus, epitaxial wafer manufacturing method, and epitaxial wafer |
JP2003229370A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-08-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | サセプタ、気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ |
JP4061062B2 (ja) * | 2001-12-13 | 2008-03-12 | ローム株式会社 | 半導体発光素子の製法および酸化炉 |
JP2003197532A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | エピタキシャル成長方法及びエピタキシャル成長用サセプター |
US20050000449A1 (en) * | 2001-12-21 | 2005-01-06 | Masayuki Ishibashi | Susceptor for epitaxial growth and epitaxial growth method |
DE10211312A1 (de) | 2002-03-14 | 2003-10-02 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zur epitaktischen Beschichtung einer Halbleiterscheibe sowie epitaktisch beschichtete Halbleiterscheibe |
JP4089354B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2008-05-28 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハとその製造方法 |
JP4016823B2 (ja) * | 2002-12-06 | 2007-12-05 | 信越半導体株式会社 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
DE10261362B8 (de) * | 2002-12-30 | 2008-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Substrat-Halter |
US20060225642A1 (en) * | 2003-03-31 | 2006-10-12 | Yoshihiko Kanzawa | Method of forming semiconductor crystal |
US7064073B1 (en) * | 2003-05-09 | 2006-06-20 | Newport Fab, Llc | Technique for reducing contaminants in fabrication of semiconductor wafers |
JP4066881B2 (ja) * | 2003-05-21 | 2008-03-26 | 信越半導体株式会社 | 表面処理方法、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ |
WO2005001916A1 (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ |
DE102004060625A1 (de) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Siltronic Ag | Beschichtete Halbleiterscheibe und Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung der Halbleiterscheibe |
DE10328842B4 (de) * | 2003-06-26 | 2007-03-01 | Siltronic Ag | Suszeptor für eine chemische Gasphasenabscheidung, Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleiterscheibe durch chemische Gasphasenabscheidung und nach dem Verfahren bearbeitete Halbleiterscheibe |
US7285483B2 (en) * | 2003-06-26 | 2007-10-23 | Silitronic Ag | Coated semiconductor wafer, and process and apparatus for producing the semiconductor wafer |
EP1670044A4 (en) * | 2003-10-01 | 2007-03-21 | Shinetsu Handotai Kk | METHOD OF MANUFACTURING SILICON EPITAXIAL WAFERS AND SILICON EPITAXIAL WAFERS |
US7827930B2 (en) * | 2004-01-26 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates |
US7654221B2 (en) * | 2003-10-06 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates |
US7323058B2 (en) * | 2004-01-26 | 2008-01-29 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates |
US7166528B2 (en) * | 2003-10-10 | 2007-01-23 | Applied Materials, Inc. | Methods of selective deposition of heavily doped epitaxial SiGe |
US7235139B2 (en) * | 2003-10-28 | 2007-06-26 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier for growing GaN wafers |
DE10357698A1 (de) * | 2003-12-09 | 2005-07-14 | Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh | Träger für zu behandelnde Gegenstände sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen |
JP5189294B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2013-04-24 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | オートドーピングおよび裏面堆積を減少させるための基板支持システム |
US20050193951A1 (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-08 | Muneo Furuse | Plasma processing apparatus |
JP4636807B2 (ja) * | 2004-03-18 | 2011-02-23 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置 |
WO2005093136A1 (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-06 | Cxe Japan Co., Ltd. | 支持体並びに半導体基板の処理方法 |
US20050217569A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-06 | Nirmal Ramaswamy | Methods of depositing an elemental silicon-comprising material over a semiconductor substrate and methods of cleaning an internal wall of a chamber |
US20050217585A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-06 | Blomiley Eric R | Substrate susceptor for receiving a substrate to be deposited upon |
US20050223993A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-13 | Blomiley Eric R | Deposition apparatuses; methods for assessing alignments of substrates within deposition apparatuses; and methods for assessing thicknesses of deposited layers within deposition apparatuses |
US20050223985A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-13 | Blomiley Eric R | Deposition apparatuses, methods of assessing the temperature of semiconductor wafer substrates within deposition apparatuses, and methods for deposition of epitaxial semiconductive material |
JP2005333090A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Sumco Corp | P型シリコンウェーハおよびその熱処理方法 |
JP2006040972A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法 |
JP4304720B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2009-07-29 | 信越半導体株式会社 | サセプタ、気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ |
US7250358B2 (en) * | 2004-08-06 | 2007-07-31 | Globitech Incorporated | Wafer for preventing the formation of silicon nodules and method for preventing the formation of silicon nodules |
KR100678468B1 (ko) * | 2005-01-14 | 2007-02-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판의 인-시츄 세정방법 및 이를 채택하는 반도체소자의 제조방법 |
US7198677B2 (en) * | 2005-03-09 | 2007-04-03 | Wafermasters, Inc. | Low temperature wafer backside cleaning |
US7462246B2 (en) * | 2005-04-15 | 2008-12-09 | Memc Electronic Materials, Inc. | Modified susceptor for barrel reactor |
US7474114B2 (en) * | 2005-09-08 | 2009-01-06 | Sitronic Corporation | System and method for characterizing silicon wafers |
KR100794719B1 (ko) * | 2005-11-02 | 2008-01-15 | 주식회사 실트론 | 화학 기상 증착 장치용 서셉터 |
US7485928B2 (en) * | 2005-11-09 | 2009-02-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Arsenic and phosphorus doped silicon wafer substrates having intrinsic gettering |
TWI354320B (en) * | 2006-02-21 | 2011-12-11 | Nuflare Technology Inc | Vopor phase deposition apparatus and support table |
US7566951B2 (en) | 2006-04-21 | 2009-07-28 | Memc Electronic Materials, Inc. | Silicon structures with improved resistance to radiation events |
US20070282471A1 (en) * | 2006-06-01 | 2007-12-06 | Integrated System Solution Corp. | Bluetooth audio chip with multiple input/output sources |
CN100392815C (zh) * | 2006-06-02 | 2008-06-04 | 河北工业大学 | 能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置 |
US8951351B2 (en) * | 2006-09-15 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Wafer processing hardware for epitaxial deposition with reduced backside deposition and defects |
US8852349B2 (en) * | 2006-09-15 | 2014-10-07 | Applied Materials, Inc. | Wafer processing hardware for epitaxial deposition with reduced auto-doping and backside defects |
DE102006055038B4 (de) * | 2006-11-22 | 2012-12-27 | Siltronic Ag | Epitaxierte Halbleiterscheibe sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe |
CN101241854B (zh) * | 2007-02-06 | 2011-06-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种晶圆生产工艺 |
US8083963B2 (en) * | 2007-02-08 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Removal of process residues on the backside of a substrate |
US7605054B2 (en) * | 2007-04-18 | 2009-10-20 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method of forming a device wafer with recyclable support |
US20080314319A1 (en) * | 2007-06-19 | 2008-12-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Susceptor for improving throughput and reducing wafer damage |
DE102008010041A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Schichtabscheidevorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb |
US8404049B2 (en) * | 2007-12-27 | 2013-03-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial barrel susceptor having improved thickness uniformity |
US20090165721A1 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-02 | Memc Electronic Materials, Inc. | Susceptor with Support Bosses |
JP5396737B2 (ja) * | 2008-04-04 | 2014-01-22 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法 |
US20090280248A1 (en) * | 2008-05-06 | 2009-11-12 | Asm America, Inc. | Porous substrate holder with thinned portions |
DE102008023054B4 (de) * | 2008-05-09 | 2011-12-22 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe |
JP5380912B2 (ja) * | 2008-06-10 | 2014-01-08 | 株式会社Sumco | 膜厚測定方法、エピタキシャルウェーハの製造方法、および、エピタキシャルウェーハ |
CN103058194B (zh) | 2008-09-16 | 2015-02-25 | 储晞 | 生产高纯颗粒硅的反应器 |
JP2010098284A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-30 | Covalent Materials Corp | エピタキシャル基板用シリコンウェハの製造方法及びエピタキシャル基板の製造方法 |
JP5271648B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2013-08-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体製造方法および半導体製造装置 |
US20100098519A1 (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Memc Electronic Materials, Inc. | Support for a semiconductor wafer in a high temperature environment |
KR101543273B1 (ko) | 2008-10-27 | 2015-08-12 | 주성엔지니어링(주) | 기판처리장치 |
US8151852B2 (en) | 2009-06-30 | 2012-04-10 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Bonding apparatus and method |
JP5795461B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2015-10-14 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
US9127364B2 (en) | 2009-10-28 | 2015-09-08 | Alta Devices, Inc. | Reactor clean |
JP5544859B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-07-09 | 信越半導体株式会社 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
KR101125739B1 (ko) * | 2010-02-03 | 2012-03-27 | 주식회사 엘지실트론 | 반도체 제조용 서셉터 |
US9650726B2 (en) | 2010-02-26 | 2017-05-16 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for deposition processes |
US9181619B2 (en) * | 2010-02-26 | 2015-11-10 | Fujifilm Corporation | Physical vapor deposition with heat diffuser |
US20110239933A1 (en) * | 2010-04-01 | 2011-10-06 | Bernhard Freudenberg | Device and method for the production of silicon blocks |
US9570328B2 (en) | 2010-06-30 | 2017-02-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for use with multi-zonal heating sources |
US8535445B2 (en) * | 2010-08-13 | 2013-09-17 | Veeco Instruments Inc. | Enhanced wafer carrier |
KR20120071695A (ko) * | 2010-12-23 | 2012-07-03 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학 기상 증착 장치용 서셉터, 화학 기상 증착 장치 및 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열 방법 |
WO2012092064A1 (en) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Veeco Instruments Inc. | Wafer processing with carrier extension |
KR101238841B1 (ko) * | 2011-01-04 | 2013-03-04 | 주식회사 엘지실트론 | 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 갖는 화학 기상 증착 장치 |
WO2012102755A1 (en) * | 2011-01-28 | 2012-08-02 | Applied Materials, Inc. | Carbon addition for low resistivity in situ doped silicon epitaxy |
CN102851735B (zh) * | 2011-06-28 | 2015-08-19 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 化学气相淀积硅外延生长方法 |
JP5780062B2 (ja) * | 2011-08-30 | 2015-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び成膜装置 |
CN102412271A (zh) * | 2011-09-15 | 2012-04-11 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 外延片衬底、外延片及半导体器件 |
US8940094B2 (en) | 2012-04-10 | 2015-01-27 | Sunedison Semiconductor Limited | Methods for fabricating a semiconductor wafer processing device |
US9401271B2 (en) | 2012-04-19 | 2016-07-26 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Susceptor assemblies for supporting wafers in a reactor apparatus |
WO2013162972A1 (en) * | 2012-04-25 | 2013-10-31 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having separate process gas and purge gas regions |
JP5845143B2 (ja) * | 2012-06-29 | 2016-01-20 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハ |
US11326255B2 (en) * | 2013-02-07 | 2022-05-10 | Uchicago Argonne, Llc | ALD reactor for coating porous substrates |
CN105164309B (zh) * | 2013-05-01 | 2019-04-12 | 应用材料公司 | 用于控制外延沉积腔室流量的注入及排放设计 |
EP3100298B1 (en) | 2014-01-27 | 2020-07-15 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems |
CN204434500U (zh) * | 2015-03-05 | 2015-07-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸镀载板及蒸镀装置 |
WO2016154052A1 (en) | 2015-03-25 | 2016-09-29 | Applied Materials, Inc. | Chamber components for epitaxial growth apparatus |
JP6447351B2 (ja) * | 2015-05-08 | 2019-01-09 | 株式会社Sumco | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウェーハ |
US10184193B2 (en) | 2015-05-18 | 2019-01-22 | Globalwafers Co., Ltd. | Epitaxy reactor and susceptor system for improved epitaxial wafer flatness |
US20160342147A1 (en) | 2015-05-19 | 2016-11-24 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems for applying run-to-run control and virtual metrology to reduce equipment recovery time |
DE102016210203B3 (de) | 2016-06-09 | 2017-08-31 | Siltronic Ag | Suszeptor zum Halten einer Halbleiterscheibe, Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Vorderseite einer Halbleiterscheibe und Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht |
CN107546101A (zh) * | 2016-06-23 | 2018-01-05 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种外延生长方法 |
US20180102247A1 (en) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
CN108728898A (zh) * | 2017-04-24 | 2018-11-02 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种外延炉硅片基座 |
CN109811406B (zh) * | 2017-11-20 | 2021-09-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 石英件、工艺腔室和半导体处理设备 |
US10991617B2 (en) * | 2018-05-15 | 2021-04-27 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for cleaving of semiconductor substrates |
JP7321768B2 (ja) * | 2018-05-23 | 2023-08-07 | 信越化学工業株式会社 | 化学気相成長装置および被膜形成方法 |
JP6998839B2 (ja) * | 2018-06-25 | 2022-01-18 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
KR102620219B1 (ko) * | 2018-11-02 | 2024-01-02 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
CN111286723A (zh) * | 2018-12-10 | 2020-06-16 | 昭和电工株式会社 | 基座和化学气相沉积装置 |
CN112309950B (zh) * | 2019-07-26 | 2023-01-17 | 上海宏轶电子科技有限公司 | 一种晶圆清洗机用机台 |
US11111578B1 (en) | 2020-02-13 | 2021-09-07 | Uchicago Argonne, Llc | Atomic layer deposition of fluoride thin films |
CN111599746B (zh) * | 2020-07-27 | 2020-10-30 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种用于晶片的外延生长的基座、装置及方法 |
US20220157602A1 (en) * | 2020-11-18 | 2022-05-19 | Applied Materials, Inc. | Silicon oxide gap fill using capacitively coupled plasmas |
KR102582346B1 (ko) * | 2021-03-30 | 2023-09-25 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼의 에피택셜층 성장 방법 |
US20220352006A1 (en) * | 2021-04-30 | 2022-11-03 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptors with film deposition control features |
WO2022240593A1 (en) * | 2021-05-12 | 2022-11-17 | Applied Materials, Inc. | Low mass substrate support |
CN113529165A (zh) * | 2021-07-21 | 2021-10-22 | 青岛佳恩半导体有限公司 | 一种超薄衬底外延生长装置及制备方法 |
US11901169B2 (en) | 2022-02-14 | 2024-02-13 | Uchicago Argonne, Llc | Barrier coatings |
US20240145230A1 (en) * | 2022-10-28 | 2024-05-02 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor cleaning using plasma-free precursors |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0166973B1 (ko) * | 1989-05-08 | 1999-01-15 | 프레데릭 얀 스미트 | 반도체 웨이퍼 처리장치 및 방법 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4496609A (en) | 1969-10-15 | 1985-01-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition coating process employing radiant heat and a susceptor |
US4322592A (en) | 1980-08-22 | 1982-03-30 | Rca Corporation | Susceptor for heating semiconductor substrates |
JPS58130518A (ja) | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Toshiba Corp | 気相成長方法 |
US5242501A (en) | 1982-09-10 | 1993-09-07 | Lam Research Corporation | Susceptor in chemical vapor deposition reactors |
NL8602357A (nl) | 1985-10-07 | 1987-05-04 | Epsilon Ltd Partnership | Inrichting en werkwijze voor het chemisch uit damp neerslaan met gebruik van een axiaal symmetrische gasstroming. |
US5200157A (en) | 1986-02-17 | 1993-04-06 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Susceptor for vapor-growth deposition |
ES2054357T3 (es) | 1989-05-08 | 1994-08-01 | Philips Nv | Aparato y metodo para tratar substratos planos bajo una presion reducida. |
US5133284A (en) | 1990-07-16 | 1992-07-28 | National Semiconductor Corp. | Gas-based backside protection during substrate processing |
US5192371A (en) | 1991-05-21 | 1993-03-09 | Asm Japan K.K. | Substrate supporting apparatus for a CVD apparatus |
JP2921306B2 (ja) | 1992-11-20 | 1999-07-19 | 株式会社村田製作所 | コイル部品及びその製造方法 |
US5695568A (en) * | 1993-04-05 | 1997-12-09 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
JPH088198A (ja) | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Sumitomo Sitix Corp | 気相成長装置用サセプター |
JPH0897159A (ja) | 1994-09-29 | 1996-04-12 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | エピタキシャル成長方法および成長装置 |
JPH08236462A (ja) | 1995-03-01 | 1996-09-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長方法 |
JP3725598B2 (ja) | 1996-01-12 | 2005-12-14 | 東芝セラミックス株式会社 | エピタキシャルウェハの製造方法 |
JP3467960B2 (ja) | 1996-02-29 | 2003-11-17 | 信越半導体株式会社 | 半導体単結晶薄膜の製造方法および装置 |
US5960555A (en) | 1996-07-24 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for purging the back side of a substrate during chemical vapor processing |
JPH10144697A (ja) | 1996-11-06 | 1998-05-29 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウエーハ及びその製造方法 |
JP3336897B2 (ja) | 1997-02-07 | 2002-10-21 | 三菱住友シリコン株式会社 | 気相成長装置用サセプター |
JPH1116844A (ja) | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Sumitomo Metal Ind Ltd | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法と素材用ウェーハ |
JPH11116844A (ja) | 1997-08-09 | 1999-04-27 | Elegant:Kk | アルミニウム及びアルミニウム合金用充填被覆材、これを用いたアルミニウム及びアルミニウム合金の被覆構造、接着構造及び成形体 |
JPH1187250A (ja) | 1997-09-01 | 1999-03-30 | Inotetsuku Kk | 気相成長装置 |
US6596086B1 (en) | 1998-04-28 | 2003-07-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for thin film growth |
US6127286A (en) * | 1998-05-11 | 2000-10-03 | Lsi Logic Corporation | Apparatus and process for deposition of thin film on semiconductor substrate while inhibiting particle formation and deposition |
DE69908965T2 (de) | 1998-10-14 | 2004-05-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Wärmegetempertes einkristallines silizium mit niedriger fehlerdichte |
TW457557B (en) | 1998-10-29 | 2001-10-01 | Shinetsu Handotai Kk | Semiconductor wafer and its manufacturing method |
US6284384B1 (en) | 1998-12-09 | 2001-09-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering |
US6184154B1 (en) | 1999-10-13 | 2001-02-06 | Seh America, Inc. | Method of processing the backside of a wafer within an epitaxial reactor chamber |
US6444027B1 (en) * | 2000-05-08 | 2002-09-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Modified susceptor for use in chemical vapor deposition process |
-
2000
- 2000-05-08 US US09/566,890 patent/US6444027B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-29 US US09/752,222 patent/US6596095B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-04-19 EP EP01930582A patent/EP1287187B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-19 WO PCT/US2001/012668 patent/WO2001086034A2/en active Application Filing
- 2001-04-19 JP JP2001582617A patent/JP4492840B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-19 DE DE60139008T patent/DE60139008D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-19 KR KR1020027015043A patent/KR100784001B1/ko active IP Right Grant
- 2001-04-19 CN CNB018108091A patent/CN1223709C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-26 TW TW090110944A patent/TWI285936B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-08-28 US US10/229,415 patent/US6652650B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0166973B1 (ko) * | 1989-05-08 | 1999-01-15 | 프레데릭 얀 스미트 | 반도체 웨이퍼 처리장치 및 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20030086220A (ko) | 2003-11-07 |
TWI285936B (en) | 2007-08-21 |
JP4492840B2 (ja) | 2010-06-30 |
US20010037761A1 (en) | 2001-11-08 |
WO2001086034A3 (en) | 2002-02-21 |
JP2004522294A (ja) | 2004-07-22 |
DE60139008D1 (de) | 2009-07-30 |
WO2001086034A2 (en) | 2001-11-15 |
US6596095B2 (en) | 2003-07-22 |
US6652650B2 (en) | 2003-11-25 |
EP1287187B1 (en) | 2009-06-17 |
CN1223709C (zh) | 2005-10-19 |
WO2001086034B1 (en) | 2002-05-10 |
US20030041799A1 (en) | 2003-03-06 |
CN1434884A (zh) | 2003-08-06 |
EP1287187A2 (en) | 2003-03-05 |
US6444027B1 (en) | 2002-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100784001B1 (ko) | 화학 증착 공정에 사용하기 위한 변형된 서셉터 | |
EP1287188B1 (en) | Epitaxial silicon wafer free from autodoping and backside halo | |
US6197694B1 (en) | In situ method for cleaning silicon surface and forming layer thereon in same chamber | |
JP3908112B2 (ja) | サセプタ、エピタキシャルウェーハ製造装置及びエピタキシャルウェーハ製造方法 | |
EP2165358B1 (en) | Susceptor for improving throughput and reducing wafer damage | |
EP0953659B1 (en) | Apparatus for thin film growth | |
KR20010092733A (ko) | 고유 게터링을 가지는 에피택시얼 실리콘 웨이퍼 및 그제조 방법 | |
US7479187B2 (en) | Method for manufacturing silicon epitaxial wafer | |
KR20030019471A (ko) | 디누디드 존을 갖는 실리콘 웨이퍼를 형성하는 방법 및장치 | |
KR100533100B1 (ko) | 반도체 웨이퍼를 에피택셜하게 코팅하는 방법 및 장치와에피택셜하게 코팅된 반도체 웨이퍼 | |
JP2000012470A (ja) | 気相成長装置 | |
TWI788399B (zh) | 磊晶晶圓之製造方法 | |
KR20030019472A (ko) | 디누디드 존을 갖는 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 형성하는방법 및 장치 | |
KR100190235B1 (ko) | 기상 에피택셜 성장 방법 | |
CN113913926A (zh) | 外延反应腔室的恢复方法、外延生长装置及外延晶圆 | |
EP0233584B1 (en) | Susceptor for vapor-growth deposition | |
KR101238842B1 (ko) | 반도체 제조용 서셉터 및 이를 포함한 에피택셜 성장 장치 | |
JPH06188198A (ja) | エピタキシャル成長法 | |
JP2004186376A (ja) | シリコンウェーハの製造装置及び製造方法 | |
CN116288692A (zh) | 外延处理期间承载硅片的基座及硅片的外延的设备和方法 | |
JPH11121313A (ja) | 炭化ケイ素ウエハの製造方法および炭化ケイ素ウエハ | |
JP2000068221A (ja) | 半導体シリコン基板の製造方法 | |
JPH11121314A (ja) | 炭化ケイ素ウエハおよびその製造方法 | |
JPS63164210A (ja) | 半導体基板の不純物拡散炉 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121123 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131122 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141219 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151123 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161202 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171204 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181204 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191126 Year of fee payment: 13 |