KR100776057B1

KR100776057B1 - 가스 공급 장치 및 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR100776057B1
Application number: KR1020060105843A
Authority: KR
Inventors: 히사시 고미; 데츠야 사이토; 다카시 가케가와; 다카히사 마세; 마코토 고이즈미; 구니히로 다다; 사토시 와카바야시; 겐사쿠 나루시마; 팡 쳉
Original assignee: 동경 엘렉트론 주식회사
Priority date: 2005-10-31
Filing date: 2006-10-30
Publication date: 2007-11-15
Also published as: JP5044931B2; KR20070046749A; TW200725702A; US20070131168A1; CN1958170B; JP2007146270A; CN1958170A

Abstract

본 발명의 과제는 CVD 장치 등에 이용되고, 니켈 부재를 조립하여 구성되는 가스 샤워헤드(가스 공급 장치)에 있어서, 고온에 의한 니켈 부재끼리의 부착을 방지하는 것이다. 다수의 가스 공급 구멍이 형성된 니켈 부재로 이루어지는 샤워 플레이트와, 이 샤워 플레이트와의 사이에 처리 가스의 통류 공간이 형성되는 동시에 처리 용기의 천정부의 개구부의 주연부에 기밀하게 장착되는 니켈 부재로 이루어지는 베이스 부재를, 서로 주연부에서 나사로 접합하는 데 있어서, 서로의 접합면 사이에 니켈 부재와는 다른 재질, 예를 들어 하스텔로이나 카본 등의 중간 부재를 개재시킨다.

Description

가스 공급 장치 및 기판 처리 장치{GAS SUPPLY APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 가스 공급 장치를 조립한 성막 장치를 도시하는 종단면도,

도 2는 상기 실시형태에 따른 가스 공급 장치를 상세하게 도시하는 종단면도,

도 3은 상기 실시형태에 따른 가스 공급 장치의 일부를 도시하는 분해 단면도,

도 4는 상기 실시형태에 따른 가스 공급 장치의 일부를 도시하는 분해 사시도,

도 5는 상기 실시형태에 따른 가스 공급 장치의 베이스 부재와 온도 조정 수단을 확대하여 도시하는 단면도,

도 6은 상기 실시형태의 가스 공급 장치에 이용되는 온도 검출부가 베이스 플레이트의 저면부에 매설된 상태를 도시하는 종단면도,

도 7은 상기 온도 검출부의 선단부 구조를 도시하는 단면도,

도 8은 티탄 화합물의 생성과 온도의 관계를 도시하는 설명도,

도 9는 상기 가스 공급 장치의 온도 제어계를 도시하는 구성도,

도 10은 종래의 가스 공급 장치를 도시하는 종단면도.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

2 : 처리 용기 21 : 스테이지(기판 탑재대)

31 : 개구부 34 : 절연 부재

35 : O링 4 : 가스 샤워헤드(가스 공급 장치)

5 : 베이스 부재 51 : 플랜지부

51a : 공냉 유로 52 : 저면부

53 : 측벽부 55 : 보강용 지지 기둥

6 : 샤워 플레이트 61 : 가스 공급 구멍

63 : 중간 부재 57 : 가스 도입관

58 : 가스 혼합부

본 발명은, 예를 들어 기판에 대하여 소정의 성막 처리를 실행하기 위해, 기판에 대향하는 다수의 가스 공급 구멍으로부터 처리 가스를 처리 용기 내에 공급하는 가스 공급 장치, 및 이 가스 공급 장치를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.

반도체 제조 프로세스 중 하나로 성막 처리가 있으며, 이 프로세스는 통상 진공 분위기 하에서 처리 가스를 예를 들어 플라즈마화 혹은 열 분해함으로써 활성화하고, 기판 표면상에 활성종 혹은 반응 생성물을 퇴적시킴으로써 행해진다. 그리고 성막 처리 중에는, 복수 종류의 가스를 반응시켜서 성막하는 프로세스가 있고, 이 프로세스로서는 Ti, Cu, Ta 등의 금속, 또는 TiN, TiSi, WSi 등의 금속 화합물, 혹은 SiN, SiO₂ 등의 절연막 등의 박막의 형성을 들 수 있다.

이러한 성막 처리를 실행하기 위한 장치는, 진공 챔버를 이루는 처리 용기 내에 기판을 탑재하기 위한 탑재대가 배치되는 동시에 처리 용기에 가스 공급 장치가 설치되고, 또한 가스에 에너지를 주기 위한 수단인 가열 장치나 플라즈마 발생 수단 등이 조합하여 마련되어 있다. 그리고 가스 공급 장치는 일반적으로 가스 샤워헤드라 불리우고, 처리 용기의 천정부에 형성된 개구부를 막도록 또한 상기 탑재대와 대향하도록 마련되어 있다. 이 가스 샤워헤드는 예를 들어 특허문헌 1에 기재되어 있으며, 도 10에 도시한 바와 같이 처리 용기의 상부의 개구부를 막는 편평한 바닥이 있는 통 형상 부재로 이루어지는 베이스 부재(11)와, 이 베이스 부재(11)의 저면부의 하방측에 설치된 샤워 플레이트(12)를 구비하고 있다. 베이스 부재(11)는 처리 용기 내의 진공 분위기와 대기 분위기를 구획하는 역할도 있으므로, 상단 주연부의 플랜지부(13)와 처리 용기의 개구부의 주연부(14)가 링 형상의 수지 밀봉 부재인 O링(15)에 의해 기밀하게 접합되어 있다.

샤워 플레이트(12)의 주연부에는 기립한 측벽이 설치되어 있고, 이 측벽의 상부 모서리가 플랜지부(12a)로서 구성되고, 상기 플랜지부(12a)와 베이스 부재(11)의 저면부(15a)의 주연부가 볼트(16)에 의해 접합되어 있다. 또한, 베이스 부재(11)의 중앙부에는, 2개의 가스 공급관(17a 및 17b)이 접속되어 있으며, 이들 가스 공급관(17a 및 17b)의 가스가 각각 분리된 샤워 플레이트(12)의 가스 공급 구멍(18a 및 18b)으로부터 분출하도록 구성되어 있다.

그리고 가스 샤워헤드의 재질로서는, 니켈이 이용되고 있다. 그 이유에 대해서는, 니켈은 예를 들어 500℃ 정도의 고온 하에 있어서도 내식성이 높은 것, 또한 기판에 대한 메탈 오염의 우려가 적은 것, 또한 플라즈마 처리를 실행할 때에는 전극을 겸용하여, 그 도전성이 큰 것 등이다. 그러나 이러한 가스 샤워헤드는, 다음과 같은 문제가 있다.

프로세스의 종별에 따라서는 처리 분위기의 온도가 높아, 가스 샤워헤드가 예를 들어 420℃ 이상의 고온이 되는 경우가 있지만, 고온에 의해 샤워 플레이트(12)와 베이스 부재(11)의 접합 부분이 서로 부착될 우려가 있다. 후술한 바와 같이 실험 상에서 450℃에서 견고한 접착이 일어나 버리므로, 420℃ 이상의 고온에서 사용하면, 사용의 태양이나 접합면의 상태에 따라서는 접착이 일어날 우려는 크다. 이로 인해 장치의 유지보수시에, 가스 샤워헤드의 내부를 세정하기 위해 가스 샤워헤드를 분해할 때에, 양자의 분리를 할 수 없거나 혹은 큰 힘을 가해야만 하는 사태가 생긴다. 이와 같이 접착이 일어나는 이유는, 니켈재의 표면 원자가 접합 계면을 거쳐서 확산되어, 표면에는 미세하지만 요철이 존재하므로 앵커 효과에 의해 접합면끼리가 접착하는 것을 기초로 한다. 이로 인해 유지보수 작업이 곤란한 작업이 되거나, 혹은 이들을 예를 들어 정기적으로 교환해야만 하여, 가스 샤워헤드는 니켈재로 구성되어 있는 경우도 있어 운전 비용 상승의 요인이 된다.

더더욱 니켈은 열전도율이 크기 때문에, 베이스 부재(11)의 측벽을 타고 방열하는 열량이 크고, 그로 인해 가스 샤워헤드에 설치되는 히터의 발열량을 크게 해야만 하므로, 소비 전력이 커지고, O링(15)이 온도 상승에 의해 열화한다고 하는 문제도 있다. O링(15)의 열화를 피하기 위해서는 냉각 기구를 설치하면 되지만, 베이스 부재(11)측으로부터의 방열량이 크기 때문에, 냉각을 위한 소비 에너지가 커진다.

또한 상술한 가스 샤워헤드는, 다음과 같은 과제도 안고 있다. 가스 샤워헤드의 온도 제어를 실행하기 위해, 베이스 부재(11)의 저면부의 상측에 면 형상의 히터를 마련하고, 또한 베이스 부재(11)의 저면부에 그 선단부가 매설되는 열전대를 이용한 온도 검출부를 마련하고, 그 온도 검출치를 기초로 하여 히터의 공급 전력량을 제어하고 있다. 온도 검출부는, 절연재를 충전한 시스(sheath) 금속 안에 열전대를 삽입한 구조로 되어 있으며, 플라즈마 처리를 실행할 때에는, 가스 샤워헤드로부터의 고주파가 시스 금속과 열전대 사이에 인가되어, 절연 파괴가 일어날 우려가 있다. 그래서, 베이스 부재(11)와 온도 검출부 사이에 절연재를 마련하는 경우도 있지만, 절연재의 유도 가열에 의한 발열이 온도 검출치에 영향을 미쳐, 온도 제어가 불안정해질 우려가 있다.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제 2002-327274호 공보(도 3)

본 발명은 이러한 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 장치에 있어서, 고온에 의한 니켈 부재끼리의 접착을 방지할 수 있어, 유지보수성이 좋은 가스 공급 장치를 제공하는 것이다. 또한 본 발명의 다른 목적은, 이 가스 공급 장치를 이용한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.

본 발명은, 기판을 처리하기 위한 처리 용기의 천정부에 형성된 개구부를 기밀하게 막도록 마련되는 동시에 복수의 니켈 부재를 조합하여 구성되고, 하면에 형성된 다수의 가스 공급 구멍으로부터 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 장치에 있어서, 상기 니켈 부재끼리의 접합면 사이에, 니켈 부재와는 다른 재질로 이루어지는 접착 방지용의 중간 부재를 마련한 것을 특징으로 한다.

더욱 구체적인 가스 공급 장치의 발명으로서는, 다수의 가스 공급 구멍이 형성된 니켈 부재로 이루어지는 샤워 플레이트와, 이 샤워 플레이트의 주연부의 상면과 그 주연부의 하면이 서로 기밀하게 접합되고, 상기 샤워 플레이트와의 사이에 처리 가스의 확산 공간이 형성되는 동시에 처리 용기의 상기 개구부의 주연부에 기밀하게 장착되고, 적어도 샤워 플레이트와 대향하는 부분이 니켈 부재로 이루어지는 베이스 부재와, 상기 샤워 플레이트의 주연부의 상면과 상기 베이스 부재의 주연부의 하면 사이에 개재되고, 니켈 부재와는 다른 재질로 이루어지는 접착 방지용의 중간 부재를 구비한 구성을 들 수 있다.

니켈 부재란, 니켈 100%인 부재에 한정되지 않으며, 니켈을 주 성분으로 하 는 부재도 포함하는 의미이다. 상기 중간 부재는, 하스텔로이(Hastelloy) 또는 카본 등을 들 수 있다. 예를 들어 베이스 부재는, 상단 주연부가 처리 용기의 상기 개구부의 주연부에 기밀하게 장착되고, 저면부의 주연부가 샤워 플레이트의 주연부에 기밀하게 접합된 편평한 바닥이 있는 통 형상 부재로서 구성되어 있다. 또한, 상기 베이스 부재의 측벽부는, 예를 들어 니켈 부재보다도 열전도율이 작은 재질에 의해 구성되어 있다. 이 재질로서는 하스텔로이가 바람직하다. 또 상기 베이스 부재는, 측벽부를 보강하기 위해 니켈 부재보다도 열전도율이 작은 재질로 이루어지는 보강 부재를 구비하는 것이 바람직하다. 상기 베이스 부재의 상단 주연부는 냉매 유로, 예를 들어 공기 유로가 형성되어 있는 것이 바람직하다.

본 발명의 가스 공급 장치는, 예를 들어 이른바 프리믹스(premix)형으로서 구성된다. 이 경우, 처리 가스는 서로 반응하여 성막 성분을 생성하는 제 1 가스와 제 2 가스를 포함하고, 가스 공급 장치는 이들 가스가 미리 혼합되어 그 속에 도입되어, 그 혼합 가스를 처리 용기 내에 공급하도록 구성되어 있다.

본 발명은, 기판 처리 장치 예를 들어 성막 장치로서도 성립하고, 이 장치는 기밀한 처리 용기와, 이 처리 용기 내에 마련되고, 기판을 탑재하기 위한 탑재대와, 처리 용기 내의 가스를 배기하는 배기 수단과, 본 발명의 가스 공급 장치를 구비하고, 가스 공급 장치로부터 공급되는 처리 가스에 의해 탑재대상의 기판을 처리하는 것을 특징으로 한다. 이 경우, 베이스 부재의 상단 주연부는 처리 용기의 상기 개구부의 주연부와는 수지 밀봉 부재를 거쳐서 기밀하게 접합되는 구성을 들 수 있다.

다른 발명에 따른 기판 처리 장치는, 기밀한 처리 용기와, 이 처리 용기 내에 마련되고, 기판을 탑재하기 위한 탑재대와, 처리 용기 내의 가스를 배기하는 배기 수단과, 본 발명의 가스 공급 장치를 구비하고, 상기 베이스 부재의 상단부는 고주파 절연을 위한 알루미나로 이루어지는 상측 절연 부재를 거쳐서 처리 용기에 고정되고, 상기 상측 절연 부재의 하방측에는, 상기 처리 용기에 있어서의 상기 베이스 부재와 가로 방향으로 대향하는 부위를 둘러싸도록 고주파 절연을 위한 석영으로 이루어지는 하측 절연 부재가 마련되고, 상기 가스 공급 장치로부터 공급되는 처리 가스에 의해 탑재대상의 기판을 처리하는 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명은, 기밀한 처리 용기와, 이 처리 용기 내에 마련되고, 기판을 탑재하기 위한 탑재대와, 처리 용기 내의 가스를 배기하는 배기 수단과, 청구항 1 내지 청구항 9중 어느 한 항에 기재된 가스 공급 장치와, 기판을 가열하기 위해 탑재대에 마련된 제 1 온도 조절 수단과, 상기 가스 공급 장치에 있어서의 처리 분위기에 접하는 면의 온도를 제어하기 위해 가스 공급 장치에 마련된 제 2 온도 조절 수단과, 상기 제 1 온도 조절 수단 및 제 2 온도 조절 수단을 제어하는 제어부를 구비하고, 기판 위에 티탄막을 성막하기 위해 가스 공급 장치로부터 사염화 티탄 가스와 수소 가스를 처리 용기 내에 공급하고, 계속해서 기판 상의 티탄막을 질화하기 위해 암모니아 가스를 처리 용기 내에 공급하도록 가스 공급 제어를 실행하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제어부는, 상기 가스 공급 장치에 있어서의 처리 분위기에 접하는 면의 온도가, 니켈과 암모니아가 반응하여 고체 생성물이 생성되는 온도보다도 낮고 또한 TiClx(x는 1, 2 또는 3)의 분해 온도 영역이 되도록, 제 2 온도 조절 수단의 설정 온도가 정해져 있는 것을 특징으로 한다.

이 기판 처리 장치에 있어서는, 상기 제 2 온도 조절 수단은 상기 가스 공급 장치에 있어서의 처리 분위기에 접하는 면의 온도가 400 내지 450℃가 되도록 제어되는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 제 1 온도 조절 수단은 기판 온도를 450 내지 600℃의 범위로 가열하도록 제어되는 동시에, 상기 제 2 온도 조절 수단은 상기 기판 온도에 따라서 180 내지 475℃의 온도 범위로 제어되는 것이 바람직하다.

본 발명의 가스 공급 장치를 플라즈마 CVD에 의해 성막을 실행하기 위한 성막 장치에 조립한 실시형태에 대해 설명한다. 우선 성막 장치의 전체 구성에 대해, 도 1의 개략도를 기초로 하여 구성의 개략을 설명해 둔다. 도 1에 있어서 참조부호(2)는 예를 들어 알루미늄으로 이루어지는 진공 챔버인 처리 용기이며, 이 처리 용기(2)는 상측에 큰 직경의 원통부(2a)가 그 하측에 작은 직경의 원통부(2b)가 연속 설치된 이른바 버섯 형상으로 형성되고, 그 내벽을 가열하기 위한 도시하지 않은 가열 기구가 마련되어 있다. 처리 용기(2) 내에는, 기판인 예컨대 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라 함)(W)를 수평하게 탑재하기 위한 기판 탑재대를 이루는 스테이지(21)가 마련되고, 이 스테이지(21)는 소경부(2b)인 바닥부에 지지 부재(22)를 거쳐서 지지되어 있다.

스테이지(21) 내에는 웨이퍼(W)의 온도 조절 수단을 이루는 히터(21a)(도 2 참조) 및 후술하는 하부 전극이 되는 도시하지 않은 도전 부재가 마련되어 있다. 또한 필요에 따라서 웨이퍼(W)를 정전 흡착하기 위한 도시하지 않은 정전 척이 마련된다. 또한 스테이지(21)에는, 웨이퍼(W)를 보유 지지하여 승강시키기 위한 예컨대 3개의 지지 핀(23)이 스테이지(21)의 표면에 대하여 돌몰(突沒) 가능하게 마련되고, 이 지지 핀(23)은 지지 부재(24)를 거쳐서 처리 용기(2) 외부의 승강 기구(25)에 접속되어 있다. 처리 용기(2)의 바닥부에는 배기관(26)의 일단부측이 접속되고, 이 배기관(26)의 타단부측에는 진공 배기 수단인 진공 펌프(27)가 접속되어 있다. 또한, 처리 용기(2)의 대경부(2a)의 측벽에는, 게이트 밸브(28)에 의해 개폐되는 반송구(29)가 형성되어 있다.

또한 처리 용기(2)의 천정부에는 개구부(31)가 형성되고, 이 개구부(31)를 막도록 또한 스테이지(21)에 대향하도록 본 발명의 가스 공급 장치인 가스 샤워헤드(4)가 마련되어 있다. 여기에서 가스 샤워헤드(4) 및 스테이지(21)는 각각 상부 전극 및 하부 전극을 겸용하고 있으며, 가스 샤워헤드(4)는 정합기(32)를 거쳐서 고주파 전원부(33)에 접속되는 동시에, 하부 전극인 스테이지(21)는 접지되어 있다. 또 도 1에서는 배선도는 개략적으로 기재되어 있지만, 실제로는 스테이지(21)는 처리 용기(2)에 전기적으로 접속되고, 처리 용기(2)의 상부로부터 도시하지 않은 매칭 박스를 거쳐서 접지되어, 고주파의 도전로가 처리 공간을 둘러싸도록 되어 있다.

가스 샤워헤드(4)는, 도 2에 도시하는 바와 같이 크게 나누면 상부 부분인 베이스 부재(5)와 하부 부분인 샤워 플레이트(6)로 이루어진다. 베이스 부재(5)는, 상면이 개구되고, 하면이 폐쇄된 편평한 바닥이 있는 통 형상 부재(바꿔 말하면 원 형상 플레이트의 주연을 수직으로 기립시킨 형상)로서 구성되고, 이 통 형상 부재의 상단 주연부는 외측으로 굴곡되어 플랜지부(51)를 형성하고 있다. 처리 용기(2)의 상기 개구부(31)의 내주 모서리부에는, 상부 전극인 가스 샤워헤드(4)와 처리 용기(2)의 금속 본체 부분을 절연(고주파 절연)하기 위한 절연 부재(34)가 마련되고, 베이스 부재(5)의 플랜지부(51)는 도시하지 않은 나사에 의해 상기 절연 부재(34)의 상면에 고정되어 있다. 더욱 상세하게는, 절연 부재(34)의 상면에 형성된 링 형상의 홈 내에는, 링 형상의 수지 밀봉재인 O링(35)이 접합되고, 플랜지부(51)의 하면과 절연 부재(34)의 상면이 O링(35)을 거쳐서 기밀하게 접합되어 있다. 또한, 플랜지부(51)의 나사에 의한 고정 부위는 O링(35)의 외측 부위가 된다. 또 참조부호(36)는 플랜지부(51)를 절연 부재(34)측으로 가압하도록 마련된 절연재로 이루어지는 가압 링 부재이다. 이와 같이 베이스 부재(5)는 상기 개구부(31)를 기밀하게 막도록 마련되어 있는 것이다.

상기 절연 부재(34)는, 상측 부분(상측 절연 부재)(34a)과 하측 부분(하측 절연 부재)(34b)으로 이루어지는 2층 구조로서 구성되어 있으며, 상측 부분(34a)의 재질은 알루미나가 이용되고, 하측 부분(34b)의 재질은 석영이 이용되고 있다. 하측 부분(34b)은, 상기 처리 용기에 있어서의 상기 베이스 부재와 가로 방향에 대향하는 부위를 둘러싸도록 마련된다. 이와 같이 2층 구조를 채용하고 있는 이유는, 다음과 같다. 즉 샤워헤드(4)를 둘러싸는 하측 부분(34b)을 비유전률이 낮은 석영으로 구성함으로써, 샤워헤드(4)와 처리 용기(2)의 벽부 사이의 고주파 임피던스를 가능한 한 크게 하여, 양자 사이에 있어서의 고주파의 누설을 억제하여서, 전력 손실이나 노이즈의 누설을 저감하고, 또한 이상 방전을 일어나기 어렵게 하고 있다. 한편 석영은 가공성이 나쁘므로, 상측 부분(34a)을 비유전률은 높지만 가공성이 좋은 알루미나로 구성하고, 이로써 샤워헤드(4)의 플랜지부(51)를 고정하기 위한 나사 구멍 가공을 쉽게 하고 있다. 따라서 상측 부분(34a)에 나사 구멍을 가공할 수 있는 범위 내에서 가능한 한 하측 부분(34b)의 상단부 위치를 상방측에 위치시켜, 샤워헤드(4)를 둘러싸는 하측 부분(34b)의 영역을 크게 하는 것이 바람직하다.

베이스 부재(5)는, 플랜지부(51) 및 저면부(52)가 니켈 부재에 의해 구성되어 있다. 니켈 부재란, 니켈이 100%인 재질로 이루어지는 부재 및 니켈 이외의 성분을 포함하지만 니켈을 주 성분으로 하는 부재 모두 포함한다. 그리고 베이스 부재(5)의 측벽부(53)는, 니켈 부재보다도 열전도율이 작은 재질, 본 예에서는 하스텔로이에 의해 구성되어 있다. 이 측벽부(53)는, 가스 샤워헤드(4)의 처리 분위기측의 부위를 가열함으로써 발열한 열이 상부로 열전도되는 부위이므로, 그 열전도를 억제하기 위해 두께를 작게 예를 들어 1㎜로 설정하고 있다. 하스텔로이는 열전도율이 작은 데다가 강도도 크기 때문에, 니켈 부재와 동등한 강도를 얻으면서 두께를 작게 할 수 있지만, 처리 용기(2) 내는 진공 분위기이며, 이 측벽부(53)에 큰 힘이 가해지므로, 변형 방지를 위해 보강 구조를 채용하고 있다.

즉, 후술하는 도 4의 분해 사시도에도 도시되어 있는 바와 같이, 베이스 부재(5)의 상단부의 내주 모서리부에 내측으로 돌출하는 돌출부(54)가 둘레 방향을 따라 여러 부위 예를 들어 등간격으로 4개소 마련되고, 이 돌출부(54)와 베이스 부재(5)의 저면부(52)를 연결하는 보강 부재, 예를 들어 보강 파이프로 이루어지는 지지 기둥(55)이 설치되어 있다. 돌출부(54) 및 지지 기둥(55)은, 하부측에서 상부측으로 열전도하는 부위이기도 하므로, 본 예에서는 니켈 부재보다도 열전도율이 작은 재질 예를 들어 하스텔로이에 의해 구성되어 있다. 또 니켈 부재에 하스텔로이로 이루어지는 부재를 조합하기 위한 수법으로서는, 예를 들어 땜납 등이 행해진다.

또한 O링(35)의 승온을 억제하기 위해 플랜지부(51)에는 냉각 기구를 이루는 냉매 유로인 공냉 유로(51a)가 형성되어 있으며, 이 공냉 유로(51a)에는 냉매인 냉각용 공기가 흐르도록 되어 있다.

다음에 가스 샤워헤드(4)의 하부 부분인 샤워 플레이트(6)에 대해 서술한다. 샤워 플레이트(6)는, 스테이지(21)에 대향하는 부위에 상당하는 원형 플레이트부의 주연부를 기립시켜, 그 기립 테두리의 상부를 외측으로 굴곡하여 플랜지부(60)를 형성하여 이루어지며, 나사 고정되는 부위는 외주면으로부터 내측으로 절결되어 있다. 샤워 플레이트(6)에는, 베이스 부재(5)와 접합됨으로써 그 사이에 형성되는 가스의 확산 공간(62)에 연통하여, 처리 용기(2) 내에 처리 가스를 공급하기 위한 다수의 가스 공급 구멍(61)이 형성되어 있다. 또한 샤워 플레이트(6)는, 이미 서술한 니켈 부재에 의해 구성되고, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이 플랜지부(60)의 상면과 베이스 플레이트(5)의 저면부(52)의 주연부의 하면이, 그 사이에 링 형상의 중간 부재(63)를 개재시킨 상태로 서로 접합되어, 나사(64)에 의해 고정되어 있다. 이 중간 부재(63)는, 니켈 부재끼리의 접착 방지를 위한 것으로, 니켈 부재와는 다른 재질이 이용되지만, 그 중에서도 금속 오염을 일으킬 우려가 없는 재질이 바람직하고, 예를 들어 하스텔로이나 카본 등을 들 수 있다. 본 예에서는 중간 부재(63)는, 예를 들어 하스텔로이로 이루어져, 두께 2.6㎜로 성형되어 있다.

본 실시형태의 가스 샤워헤드(4)는, 복수의 처리 가스가 미리 혼합된 혼합 가스가 도입되어, 그 혼합 가스인 처리 가스를 처리 용기(2) 내에 공급하는 이른바 프리믹스 타입인 것으로 구성되어 있다. 이로 인해 베이스 부재(5)의 저면부(52)의 중앙부에는, 처리 가스(혼합 가스)를 공급하기 위한 가스 도입 포트(56)가 형성되고, 이 가스 도입 포트(56)에 연속하도록 기립한 가스 도입관(57)이 마련되어 있다. 도 1에 도시하는 바와 같이 가스 도입관(57)의 상류 단부측에는 가스 혼합부(58)가 접속되고, 가스 혼합부(58)에는 가스 공급로(101)를 거쳐서 예컨대 TiCl₄ 가스원(102), Ar 가스원(103) 및 ClF₃ 가스원(104)에 접속되어 있는 동시에, 가스 공급로(105)를 거쳐서 예컨대 H₂ 가스원(106) 및 NH₃ 가스원(107)에 접속되어 있다. 또 점선으로 둘러싼 참조부호(108)가 나타내는 부분은, 각 가스 공급로에 마련된 밸브나 매스플로우 컨트롤러 등의 가스 공급 기기의 그룹이다.

베이스 부재(5)의 저면부(52)상에는, 가스의 확산 공간(62)이나 처리 분위기에 면하고 있는 샤워 플레이트(6)의 온도를 조정하기 위한 온도 조정 기구가 마련되어 있다. 이 온도 조정 기구에 대해서 도 4도 참조하면서 서술하면, 상기 저면부(52)상에는, 절연 부재 예를 들어 질화 알루미늄(AlN)으로 이루어지는 예를 들어 두께 4㎜의 절연 플레이트(7)가 마련되고, 이 절연 플레이트(7)상에 면 형상의 히터(71)가 탑재되어 있다. 이들 절연 플레이트(7) 및 히터(71)는 평면 방향으로 복 수로 분할할 수 있는 구조로 하는 것이 유지보수성이 양호한 관점에서 바람직하고, 본 예에서는 각각 4 분할 구조 및 2 분할 구조로 구성되어 있다. 면 형상의 히터(71)는, 도 5를 참조하면, 절연재인 예를 들어 운모로 이루어지는 코어 플레이트(72)에 저항 발열선(72a)을 권취하고, 이 코어 플레이트(72)를 2장의 운모로 이루어지는 보호 플레이트(73, 74)에 의해 협지하여 샌드위치 구조로 한 것이다.

또한, 샤워헤드(4)의 베이스 부재(5)와 히터(71)의 관계에 대해서는, 양자의 중심이 일치하고 있고 또한 베이스 부재(5)의 표면적에 대한 히터(71)의 표면적의 비율이 80% 이상인 것이 샤워 플레이트(6)의 온도를 안정화시키는 면에서 바람직하다.

이와 같이 베이스 부재(5)와 히터(71) 사이에 AlN으로 이루어지는 절연 플레이트를 개재시킴으로써, 플라즈마 처리를 실행할 경우에는 베이스 부재(5)를 흐르는 고주파가 히터(71)에 영향을 미치는 것을 억제할 수 있고, 이로 인해 히터(71)의 운모의 절연 파괴를 방지할 수 있다. 또 AlN은 열전도율이 크므로, 히터(71)로부터의 열을 효율적으로 베이스 부재(5)측으로 열전도할 수 있다.

또한, 도 2, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이 히터(71)상에는, 냉각 기구인 공냉 파이프(75)가 마련되어 있다. 이 공냉 파이프(75)는 링 형상으로 형성되고, 링 부분으로부터 송기관(送氣管)(76)이 세워지고, 송기관(76)의 기단부측은 공기 공급원(76a)에 접속되어 있다. 또한 공냉 파이프(75)는, 하부측에 있어서 연직선에 대하여 경사 45°의 내측 및 외측 방향을 향해 예를 들어 상온의 공기를 내뿜기 위한 분출 구멍(77, 78)이 길이 방향(링 부분의 둘레 방향)을 따라 간격을 두고 다 수 마련되어 있다. 이 공냉 파이프(75)로부터의 공기 분출에 의한 냉각은, 성막 프로세스로부터 클리닝 프로세스로 이행할 때 베이스 부재(5)의 저면부(52)을 급냉하는 경우에 이용되지만, 프로세스시 예컨대 프리코트시 등에 있어서 스테이지(21)로부터의 복사열에 의해 저면부(52)의 검출 온도가 설정 온도를 초과하여 버릴 때 등에 있어서 항상 이용하도록 해도 좋다. 상기 분출 구멍(77, 78)으로부터 내뿜은 공기는, 각각 히터(71)에 있어서의 중앙측의 영역 및 주연측 영역을 냉각하지만, 공냉 파이프(75)의 링 형상 부분의 크기(직경)는 적절하게 실험에 의해 결정하게 된다.

또한, 베이스 부재(5)의 저면부(52)에는 열전대를 구비한 온도 검출부(8)의 선단부가 매설되어 있다. 이 온도 검출부(8)는, 도 6에 도시한 바와 같이 시스 금속(81) 안에 절연재인 예컨대 산화 마그네슘(82)을 충전하고 다시 열전대(83)가 삽입되어 구성되어 있으며, 시스 금속(81)의 선단부에는 절연재인 알루미나를 재질로 하는 보호 캡(84)이 씌워져 있다. 그리고 온도 검출부(8)는, 히터(71)로부터 절연 플레이트(7)를 거쳐서 베이스 부재(5)의 저면부(52)에 걸쳐서 개방된 구멍부 안에 보호 캡(84)을 삽입하여, 상기 저면부(52)에 매설된 구조로 되어 있다. 히터(71)상에는, 보호관(85)이 기립하여 설치되고, 이 보호관(85) 안에 시스 금속(81) 및 보호 캡(84)의 일부가 수납되어 있다. 시스 금속(81)의 상부측은 고정 부재(86)(도 2 참조)를 거쳐서 베이스 부재(5)에 고정되어 있다. 도 2에 있어서 참조부호(87)는 제어부, 참조부호(88)는 전원부이며, 제어부(87)는 온도 검출부(8)의 온도 검출치를 기초로 하여 전원부(88)를 거쳐서 히터(71)의 공급 전력을 조정하여 온도 제어를 행하고 있다. 참조부호(88a)는 전기 공급로이다.

상기 보호 캡(84)의 역할은, 시스 금속(81)을 베이스 부재(5)[저면부(52)]에 접촉시키면, 베이스 부재(5)에 흐르는 고주파가 시스 금속(81)과 열전대(83) 사이에 인가되어 산화 마그네슘(82)이 절연 파괴를 일으키므로, 이것을 방지하는 데 있다. 보호 캡(84)의 재질로서는 AlN을 이용할 수도 있지만, AlN은 유전율이 크기 때문에 유도 가열에 의한 발열량이 커서, 이 발열에 의한 온도 상승이 온도 검출치에 영향을 미치므로 온도 제어가 불안정해진다. 이에 대하여 보호 캡(84)의 재질로서 알루미나를 이용하면, 그 유전율이 작기 때문에 유도 가열에 의한 발열량이 작아, 정밀도 양호하게 안정된 온도 제어를 실현할 수 있다.

다음에 상술한 실시형태의 작용에 대해, 웨이퍼(W) 표면에 Ti막을 성막하는 경우를 예로 들어 서술한다. 현재, 처리 용기(2) 내가 클리닝되어, 이제부터 프로세스를 실행하는 것으로 하면, 우선 웨이퍼(W)에 대하여 프로세스를 실행하기 전에 처리 용기(2) 내의 프리코트 처리를 실행한다. 이 프리코트 처리는, 처리 분위기에 노출되는 부재의 표면에, 웨이퍼(W)에 대하여 성막하려고 하는 막과 동일하거나 혹은 동일한 종류의 막을 미리 부착해 두기 위한 처리이며, 본 예에서는 Ti막이 성막된다.

구체적으로는, 웨이퍼(W)를 스테이지(21)에 탑재하지 않은 상태에서 가스 공급원(102, 103)으로부터 제 1 가스인 TiCl₄ 가스 및 Ar 가스의 혼합 가스가 가스 공급로(101)를 거쳐서 혼합부(58)로 보내지고, 또한 가스 공급원(106)으로부터 제 2 가스인 H₂ 가스가 가스 공급로(105)를 거쳐서 가스 혼합부(58)로 보내지고, 이들의 가스가 혼합되어 가스 도입관(57)을 거쳐서 가스 샤워헤드(4)의 확산 공간(62)으로 토출하여 확산되고, 샤워 플레이트(6)의 가스 공급 구멍(61)으로부터 처리 분위기로 공급된다.

한편 진공 펌프(27)에 의해 처리 용기(2) 내를 진공 배기하고, 배기관(26)에 마련된 도시하지 않은 압력 조정 밸브를 조정하여 처리 용기(2) 내의 압력을 설정 압력으로 하는 동시에, 고주파 전원부(33)로부터 상부 전극인 가스 샤워헤드(4)와 하부 전극인 스테이지(21) 사이에 고주파 전력을 공급하여, 처리 가스 즉 제 1 가스 및 제 2 가스를 플라즈마화하고, TiCl₄를 H₂에 의해 환원하여 처리 분위기에 접하는 부재의 표면, 구체적으로는 스테이지(21), 샤워 플레이트(6)의 하면에 Ti를 퇴적하여 박막인 프리코트막을 형성한다. 이때 반응 부생성물인 HCl은 미반응 가스와 함께 배기된다.

이 단계에 있어서, 프리코트막의 막 품질을 양호한 것, 즉 벗겨지기 어려운 치밀한 막으로 하기 위해서는, 샤워 플레이트(6)의 온도를 어떤 설정 온도, 예를 들어 420℃로 설정하는 것이 필요하지만, 스테이지(21)의 온도는 예를 들어 650℃로 설정되어 있으며, 스테이지(21)로부터의 복사열에 의해 가스 샤워헤드(4)가 승온한다. 그런데 기술한 바와 같이 가스 샤워헤드(4)의 일부[상기 측벽부(53) 등]에 하스텔로이를 사용하여 열의 릴리프를 억제하고 있으므로, 샤워 플레이트(6)나 베이스 부재(5)의 저면부(52)에 있어서의 축열량이 많아지므로 승온의 정도가 커 져, 이 상태에서는 설정 온도인 420℃를 초과하여 버린다. 이로 인해 베이스 부재(5)의 저면부(52)의 상방측에 마련된 공냉 파이프(75)로부터 공기를 내뿜어 가스 샤워헤드(4)를 냉각한다.

이때 예를 들어 공기를 항상 내뿜도록 함으로써, 가스 샤워헤드(4) 전체가 420℃보다도 낮아지는 상태로 하고, 그 다음 히터(71)를 동작시켜서 그 발열에 의해, 온도 검출치가 소정의 온도가 되도록 온도 제어하고 있다. 공기 분출에 의해 설정 온도로 맞추려고 하면, 흡열량의 변화가 둔하므로, 온도 제어에 대해 높은 안정성을 얻기 어렵지만, 상술한 바와 같이 설정 온도의 맞춤을 히터(71)에 담당시킴으로써 가스 샤워헤드(4)의 온도 제어가 안정되어, 그 결과 양호한 프리코트 처리를 행할 수 있다.

이와 같이 하여 프리코트 처리가 종료되면, 계속해서 도 1에 도시한 바와 같이 기판인 웨이퍼(W)가 도시하지 않은 반송 암에 의해 게이트 밸브(28)를 개방으로 한 반송구(29)를 거쳐서 처리 용기(2) 내에 반입되어, 지지 핀(23)과의 협동 작용에 의해 스테이지(21)상에 주고 받게 된다. 게이트 밸브(28)를 폐쇄한 후, 프리코트 처리와 마찬가지로 하여 성막 처리가 행해지고, 웨이퍼(W)에 Ti막이 성막되지만, 이때에 있어서도 마찬가지로 가스 샤워헤드(4)의 온도 제어가 행해진다.

계속해서 제 1 가스인 TiCl₄ 가스와 제 2 가스인 H₂ 가스의 공급을 정지하는 동시에 NH₃(암모니아) 가스의 공급을 시작한다. 이로써 NH₃ 가스가 가스 확산 공간(62)으로 토출되어 확산하고, 가스 공급 구멍(61)으로부터 처리 공간으로 토출한 다. 이때에 있어서도 고주파 전력이 처리 공간에 공급되어, 웨이퍼(W)상에 이미 형성되어 있는 Ti 박막의 표면이 NH₃의 활성종에 의해 질화된다. 질화 종료 후, 고주파 전력의 공급과 NH₃ 가스의 공급을 정지하고, 그 후 웨이퍼(W)를 기술의 반입 동작과 반대의 동작으로 처리 용기(2)로부터 반출한다.

이와 같이 하여 웨이퍼(W)의 성막 처리가 소정 매수 행해진 후, 클리닝 처리를 실행한다. 이 클리닝 처리는, 플라즈마를 형성하지 않고 ClF₃ 가스를 가스 공급로(101)를 거쳐서 가스 샤워헤드(4)로부터 처리 용기(2) 내에 공급함으로써 행해지지만, 샤워 플레이트(6)의 온도를 200 내지 250℃ 정도로 설정할 필요가 있다. 공냉 파이프(75)로부터는 항상 공기를 내뿜고 있으므로 히터(71)를 오프로 하면, 이후는 공냉 파이프(75)로부터의 공기에 의한 냉각 작용만이 되어, 이 결과 가스 샤워헤드(4)가 급냉되어, 신속하게 클리닝 처리로 이행된다.

상술한 실시형태에 의하면, 샤워 플레이트(6)의 주연부의 상면과, 베이스 부재의 주연부의 하면 사이에 접착 방지용의 하스텔로이로 이루어지는 링 형상 부재인 중간 부재(63)를 마련하고 있으므로, 고온에 의한 니켈 부재끼리의 접착을 방지할 수 있다. 따라서 유지보수시에 가스 샤워헤드를 용이하게 분해할 수 있으므로, 작업자에게 큰 부담을 주는 일없이 내부의 세정이나 점검 등을 행함으로써 재사용할 수 있어, 유지보수를 실행하지 않고 가스 샤워헤드(4)를 교환하는 등의 운전 비용의 상승 요인이 되는 문제점을 피할 수 있다.

또한 이미 서술한 바와 같이 베이스 부재(5)의 측벽부(53) 및 보강 부재인 지지 기둥(55)을 열전도율이 작은 하스텔로이로 구성하고 있으며, 하스텔로이는 강도가 크기 때문에 측벽부(53)를 예를 들어 1㎜ 정도로 얇게 할 수 있는 경우도 있어, 베이스 부재(5)의 저면부(52)로부터 외부로의 열의 릴리프가 적어져, 샤워 플레이트(6)를 효율적으로 가열할 수 있어, 결과적으로 소비 전력을 억제할 수 있다. 또 이로써 샤워 플레이트(6)가 프로세스에 따라서는 축열량이 많아져 설정 온도를 초과하는 경우도 있지만, 그때는 항상 공냉하여 온도를 설정 온도보다도 조금 낮추어, 이 상태에서 히터(71)에 의해 온도 조정을 실행하므로, 양호한 온도 제어를 할 수 있다. 또, 항상 공냉함에 따른 열의 릴리프보다도 베이스 부재(5)의 전부를 니켈 부재로 구성한 것에 따른 열의 릴리프 쪽이 크기 때문에, 이러한 온도 제어를 행해도 소비 전력을 억제할 수 있다.

또한 이미 서술한 바와 같이 AlN로 이루어지는 절연 플레이트(7)상에 히터(71)를 탑재하고 있으므로 히터(71)의 절연 파괴의 우려도 없고, 또한 온도 검출부(8)의 선단부를 알루미나 캡(84)으로 피복하고 있으므로, 안정된 온도 제어를 행할 수 있는 등, 우수한 프리믹스 타입의 가스 샤워헤드(4)를 제공할 수 있다.

여기에서 상기 중간 부재의 효과를 확인하는 실험 결과에 대해 서술해 둔다. 이 실험에서는, 세로, 가로가 각각 34㎜, 16㎜의 니켈 부재로 이루어지는 각형(角型)의 블록을 이용하여, 이들을 중첩하여 토크를 3 내지 5N·m 정도로 하여 서로 볼트 체결하고, 450℃, 500℃의 2 종류의 온도로 50시간 가열했다. 또 두께가 0.15㎜인 하스텔로이로 이루어지는 박판을 블록 사이에 개재시켜 마찬가지로 가열을 행하였다. 어떠한 실험도 복수개 준비하여 행하였다. 그 결과 니켈 부재끼리 를 접합시킨 경우에는 450℃의 가열에 있어서 200Kgf인 인장 응력을 가하지 않으면 벗겨지지 않는 경우도 있었다. 이에 대하여 중간 부재를 이용한 경우에는, 450℃의 가열에서는 접착이 일어나지 않았거나, 접착이 일어났다고 해도 간단하게 손으로 뗄 수 있어, 500℃에서는 다소 접착이 있는 것이 볼 수 있었던 정도였다. 따라서 중간 부재를 개재시킴으로써 니켈 부재의 고온에 의한 접착을 유효하게 억제할 수 있는 것을 알 수 있다.

여기에서 상술한 기판 처리 장치인 성막 장치를 이용하여 웨이퍼(W)를 성막하는 데 있어서는, 최종 제품인 집적 회로의 종류나 성막을 실시하는 부위 등에 따라서 웨이퍼(W)의 설정 온도가 복수 준비되는 경우가 많다. 한편 TiCl₄ 가스 및 H₂ 가스를 이용하여 Ti막을 성막하고 다시 계속해서 NH₃ 가스에 의해 Ti막을 질화하는 연속 처리를 실행할 경우에는, 가스 샤워헤드(4)에 있어서의 처리 분위기에 접하는 온도[이 온도를 샤워 플레이트(6)의 온도라 부름]에 대해서는 주의를 기울일 필요가 있다. 우선 Ti막의 성막 프로세스에서는 플라즈마 중에서 TiCl₄ 가스가 분해되어, 저차(低次)의 분해 생성물 TiClx(x = 1, 2, 3)를 생성한다. 이 TiClx는 처리 용기 내의 저온 부위에 부착되어, 성막 프로세스의 불안정 요인이 된다. 특히 TiClx는 플라즈마에 접하는 샤워 플레이트(6)에 부착되어, 그대로 불안정한 형태로 잔류하면, Ti 성막시 플라즈마 중에 여분의 Ti 원자를 공급하고, Ti 성막의 재현성을 현저하게 열화시킨다. 이로 인해 샤워 플레이트(6)의 온도를, 부착된 TiClx가 다시 분해되어 Ti막으로 되어 안정화되는 높은 온도로 유지할 필요가 있다. TiClx 의 분해(안정화) 온도는 Ti 성막에 계속되는 질화 처리에도 의존하지만, 약 400℃ 이상이다.

또 450℃ 부근의 온도에 있어서, 가스 샤워헤드(4)의 재질인 니켈과 NH₃ 가스가 반응하여 고체 생성물인 니켈 화합물이 생성된다. 이 니켈 화합물은 500℃ 부근의 온도에서 승화하기 때문에, 이 온도 범위에 있어서의 부위에는 니켈 화합물이 부착된다. TiClx의 분해 온도, 상기 니켈 화합물의 생성 온도 및 상기 니켈 화합물의 승화 온도를 각각 TA, TB 및 TC라 하면, 온도와 화합물의 상태와의 관계는 도 8과 같이 나타낸다.

본 발명자는, 이미 서술한 이유에 의해 웨이퍼(W)의 설정 온도로서 450℃, 550℃ 및 600℃의 3 종류를 포함하는 운용을 검토하고 있다. 이 경우, 샤워 플레이트(6)에 니켈 화합물이 부착되면 그것이 벗겨져서 파티클 오염의 요인이 되므로, 샤워 플레이트(6)의 온도로서는, 상기 니켈 화합물의 생성 온도(TB)보다도 낮거나 또는 그 승화 온도(TC) 이상으로 하는 것이 필요하지만, 상기 니켈 화합물의 발생 그 자체가 일어나지 않는 쪽이 시스템으로서는 안전 사이드에 작용하므로, 상기 니켈 화합물의 생성 온도(TB)보다도 낮은 쪽이 바람직하다. 또 웨이퍼(W)의 온도가 상기 니켈 화합물의 승화 온도(TC)보다도 낮은 경우에는, 반드시 샤워 플레이트(6)의 온도를 TB보다도 낮게 해야만 한다. 왜냐하면, 샤워 플레이트(6)의 온도를 TC 이상으로 하여 니켈 화합물을 승화시켜도, 그 승화물이 웨이퍼(W)의 표면에 부착되기 때문이다.

본 발명자가 검토하고 있는 프로세스 레시피에 있어서는, TiClx의 분해 온도 영역이 400℃ 이상이며, 상기 니켈 화합물의 생성 온도가 450℃보다도 높으므로, 이 경우에 있어서의 웨이퍼의 온도, 샤워 플레이트(6)의 온도(샤워 온도) 및 히터(71)의 온도의 설정예에 대해서 설명해 둔다.

웨이퍼 온도(℃) 샤워 온도(℃) 히터(71)의 온도(℃)

450 400 400

450 450 475

550 400 320

550 450 410

600 400 180

600 450 300

또 본 발명의 가스 샤워헤드는, 프리믹스 타입인 것에 한정되지 않으며, 종래 예로서 나타낸 도 10에 나타낸 이른바 포스트 믹스 타입, 즉 제 1 가스와 제 2 가스를 따로따로 처리 용기(2) 내에 공급하는 타입인 것에도 적용할 수 있다.

또 본 발명은, Ti의 성막에 한정되는 것은 아니며, 반도체 제조 프로세스에서 행해지는 고온하의 성막 처리 등의 가스 처리를 실행할 경우, 예를 들어 W, Cu, Ta, Ru, Hf 등의 금속, 또는 TiN, TiSi, WSi 등의 금속 화합물, 혹은 SiN, SiO₂ 등의 절연막 등의 박막의 형성 등에 적용할 수 있다. 또한 본 발명의 가스 샤워헤드를 적용한 기판 처리 장치로서는, 플라즈마 CVD 장치에 한정되지 않으며 열 CVD 장 치, 에칭 장치, 에싱 장치, 스퍼터링 장치, 어닐링 장치 등에도 적용할 수 있다. 실시예에서는 기판으로서 반도체 웨이퍼를 예로 들었지만, LCD 기판, 유리 기판에도 이용할 수 있다. 그리고 또한 니켈 부재의 접합 부분에 대해서는 상술한 예에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 샤워 플레이트를 2장의 플레이트를 중첩하여 구성하는 경우, 그 접합면에 중간 부재를 개재시켜도 좋다. 즉, 본 발명은 복수의 니켈 부재를 조합하여 구성한 가스 공급 장치에 적용할 수 있다.

본 발명에 의하면, 복수의 니켈 부재를 조합하여 구성한 가스 공급 장치에 있어서, 니켈 부재끼리의 접합면 사이에, 니켈 부재와는 다른 재질로 이루어지는 접착 방지용의 중간 부재를 마련하고 있으므로, 예를 들어 샤워 플레이트의 주연부의 상면과, 이 샤워 플레이트와의 사이에 처리 가스의 통류(通流) 공간을 형성하는 베이스 부재의 하면 사이에 접착 방지용의 중간 부재를 마련하고 있으므로, 고온에 의한 니켈 부재끼리의 부착을 방지할 수 있다. 따라서 유지보수시에 가스 샤워헤드를 쉽게 분해할 수 있으므로, 내부의 세정이나 점검 등을 행함으로써 재사용할 수 있어, 유지보수를 실행하지 않고 교환하는 등의 불량을 해소할 수 있다.

Claims

가스 공급 장치에 있어서,

기판을 처리하기 위한 처리 용기의 천정부에 형성된 개구부를 기밀하게 막도록 마련되는 동시에 복수의 니켈 부재를 조합하여 구성되고, 하면에 형성된 다수의 가스 공급 구멍으로부터 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 장치에 있어서,

상기 니켈 부재끼리의 접합면 사이에, 니켈 부재와는 다른 도전성의 중간 부재를 마련한 것을 특징으로 하는

가스 공급 장치.
가스 공급 장치에 있어서,

기판을 처리하기 위한 처리 용기의 천정부에 형성된 개구부를 기밀하게 막도록 마련되고, 하면에 형성된 다수의 가스 공급 구멍으로부터 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 장치에 있어서,

상기 다수의 가스 공급 구멍이 형성된 니켈 부재로 이루어지는 샤워 플레이트와,

이 샤워 플레이트의 주연부의 상면과 그 주연부의 하면이 서로 기밀하게 접합되고, 상기 샤워 플레이트와의 사이에 처리 가스의 확산 공간이 형성되는 동시에 처리 용기의 상기 개구부의 주연부에 기밀하게 장착되고, 적어도 샤워 플레이트와 대향하는 부분이 니켈 부재로 이루어지는 베이스 부재와,

상기 샤워 플레이트의 주연부의 상면과 상기 베이스 부재의 주연부의 하면 사이에 개재되고, 니켈 부재와는 다른 재질로 이루어지는 접착 방지용의 중간 부재를 구비한 것을 특징으로 하는

가스 공급 장치.
제 2 항에 있어서,

상기 베이스 부재는 상단 주연부가 처리 용기의 상기 개구부의 주연부에 기밀하게 장착되고, 저면부의 주연부가 샤워 플레이트의 주연부에 기밀하게 접합된 편평한 바닥이 있는 통 형상 부재로서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는

가스 공급 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 베이스 부재의 측벽부는 니켈 부재보다도 열전도율이 작은 재질에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는

가스 공급 장치.
제 4 항에 있어서,

상기 베이스 부재는 측벽부를 보강하기 위해 니켈 부재보다도 열전도율이 작은 재질로 이루어지는 보강 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는

가스 공급 장치.
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,

니켈 부재보다도 열전도율이 작은 재질은 하스텔로이인 것을 특징으로 하는

가스 공급 장치.
제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 베이스 부재의 상단 주연부는 냉매 유로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는

가스 공급 장치.
제 7 항에 있어서,

상기 냉매 유로에는 공기가 유통하는 것을 특징으로 하는

가스 공급 장치.
제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 베이스 부재의 상면에는 절연 플레이트를 거쳐서 면 형상의 히터가 배치되고, 상기 절연 플레이트와 히터는 각각 평면 방향으로 복수로 분할되어 있는 것을 특징으로 하는

가스 공급 장치.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

중간 부재는 하스텔로이 또는 카본으로 이루어지는 것을 특징으로 하는

가스 공급 장치.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

처리 가스는 서로 반응하여 성막 성분을 생성하는 제 1 가스와 제 2 가스를 포함하고, 이들 가스가 미리 혼합되어 그 안으로 도입되어, 그 혼합 가스를 처리 용기 내에 공급하도록 구성되어 있는

가스 공급 장치.
기판 처리 장치에 있어서,

기밀한 처리 용기와, 이 처리 용기 내에 마련되고, 기판을 탑재하기 위한 탑재대와, 처리 용기 내의 가스를 배기하는 배기 수단과, 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 가스 공급 장치를 구비하고, 가스 공급 장치로부터 공급되는 처리 가스에 의해 탑재대상의 기판을 처리하는 것을 특징으로 하는

기판 처리 장치.
기판 처리 장치에 있어서,

기밀한 처리 용기와, 이 처리 용기 내에 마련되고, 기판을 탑재하기 위한 탑 재대와, 처리 용기 내의 가스를 배기하는 배기 수단과, 제 2 항에 기재된 가스 공급 장치를 구비하고,

상기 베이스 부재의 상단부는 고주파 절연을 위한 알루미나로 이루어지는 상측 절연 부재를 거쳐서 처리 용기에 고정되고,

상기 상측 절연 부재의 하방측에는, 상기 처리 용기에 있어서의 상기 베이스 부재와 가로 방향으로 대향하는 부위를 둘러싸도록 고주파 절연을 위한 석영으로 이루어지는 하측 절연 부재가 마련되고,

상기 가스 공급 장치로부터 공급되는 처리 가스에 의해 탑재대상의 기판을 처리하는 것을 특징으로 하는

기판 처리 장치.
제 13 항에 있어서,

베이스 부재의 상단 주연부는 처리 용기의 상기 개구부 주연부에 대하여 수지 밀봉 부재를 거쳐서 기밀하게 접합되는 것을 특징으로 하는

기판 처리 장치.
기밀한 처리 용기와, 이 처리 용기 내에 마련되고, 기판을 탑재하기 위한 탑재대와, 처리 용기 내의 가스를 배기하는 배기 수단과, 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 가스 공급 장치와, 기판을 가열하기 위해 탑재대에 마련된 제 1 온도 조절 수단과, 상기 가스 공급 장치에 있어서의 처리 분위기에 접하는 면의 온도를 제어하기 위해 가스 공급 장치에 마련된 제 2 온도 조절 수단과, 상기 제 1 온도 조절 수단 및 제 2 온도 조절 수단을 제어하는 제어부를 구비하고, 기판상에 티탄막을 성막하기 위해 가스 공급 장치로부터 사염화 티탄 가스와 수소 가스를 처리 용기 내에 공급하고, 계속해서 기판상의 티탄막을 질화하기 위해 암모니아 가스를 처리 용기 내에 공급하도록 가스 공급 제어를 실행하는 기판 처리 장치에 있어서,

상기 제어부는 상기 가스 공급 장치에 있어서의 처리 분위기에 접하는 면의 온도가, 니켈과 암모니아가 반응하여 고체 생성물이 생성되는 온도보다도 낮고 또한 TiClx(x는 1, 2 또는 3)의 분해 온도 영역이 되도록, 제 2 온도 조절 수단의 설정 온도가 정해져 있는 것을 특징으로 하는

기판 처리 장치.
제 15 항에 있어서,

상기 제 2 온도 조절 수단은 상기 가스 공급 장치에 있어서의 처리 분위기에 접하는 면의 온도가 400 내지 450℃가 되도록 제어되는 것을 특징으로 하는

기판 처리 장치.
제 16 항에 있어서,

상기 제 1 온도 조절 수단은 기판 온도를 450 내지 600℃의 범위에서 가열하도록 제어되는 동시에, 상기 제 2 온도 조절 수단은 상기 기판 온도에 따라서 180 내지 475℃의 온도 범위로 제어되는 것을 특징으로 하는

기판 처리 장치.