CN111455350A - 射频从喷淋板导入的喷淋板装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种射频从喷淋板导入的喷淋板装置，包括：设置于真空腔室内的喷淋板本体和密闭设置于喷淋板本体上方的加热腔室，其中，所述加热腔室内的顶部和侧壁均设置有反射器，加热腔室的底部为透光板，加热腔室内由上至下依次设置有热辐射器和接地屏蔽网，所述热辐射器固定设置于加热腔室内，所述接地屏蔽网设置于透光板的上部，透光且可屏蔽射频，以防止喷淋板本体与热辐射器之间形成电场，所述反射器用于向喷淋板本体反射热量，以最大限度给喷淋板本体加热。该射频从喷淋板导入的喷淋板装置结构合理、可保证对喷淋板加热的均匀性，可提高热量的有效利用率。

Description

射频从喷淋板导入的喷淋板装置
技术领域
本发明涉及半导体镀膜设备领域，尤其涉及一种射频从喷淋板导入的喷淋板装置。
背景技术
随着现代化的技术革新，半导体芯片的需求的日益提升，半导体薄膜设备也迎来了新的挑战。而喷淋板系统是尤为重要的一个关键部分，用于均匀分气、加载射频、控制反应气体的温度以及反应腔室的温度等，其中，对反应气体的温度以及反应腔室的温度的控制尤为重要。
现有的半导体镀膜设备中，一般都是用油温加热或者电加热的方式对喷淋板进行加热，然而，油温加热方式有着比较笨重的油温机以及很长的输送管路，管路过长会损失很多的热量，同时，繁多的油管还会影响设备的整体简洁性和可维护性，电加热方式会在加载电流的时候对射频产生影响，进而对射频场产生影响，因此，需要很复杂的结构设计去屏蔽对射频的影响，同时还需要一个滤波系统，整体比较复杂，另外，这两种方式有着难以控制喷淋板加热的均匀性的问题，原因是他们需要接触喷淋板的位置只能在边缘，而不能均匀的分布于喷淋板上。
因此，如何对现有的喷淋板结构进行改进，以解决现有加热方式存在的问题，成为人们亟待解决的问题。
发明内容
鉴于此，本发明的目的在于提供一种射频从喷淋板导入的喷淋板装置，以解决现有油温加热或电加热方式存在的问题。
本发明提供的技术方案是：一种射频从喷淋板导入的喷淋板装置，包括：设置于真空腔室内的喷淋板本体和密闭设置于喷淋板本体上方的加热腔室，其中，所述加热腔室内的顶部和侧壁均设置有反射器，加热腔室的底部为透光板，加热腔室内由上至下依次设置有热辐射器和接地屏蔽网，所述热辐射器固定设置于加热腔室内，可向周围辐射热量，所述接地屏蔽网设置于透光板的上部，透光且可屏蔽射频，以防止喷淋板本体与热辐射器之间形成电场，所述反射器用于向喷淋板本体反射热量，以最大限度给喷淋板本体加热。
优选，所述喷淋板本体包括喷淋板上板和与喷淋板上板连接的喷淋板面板，喷淋板上板的中部设置有与进气管道连通的环形柱，所述环形柱上设置有进气孔和射频导入棒连接孔，进气孔用于连通进气管道和真空腔室，射频导入棒插入射频导入棒连接孔内。
进一步优选，所述加热腔室套于环形柱的外周。
进一步优选，所述喷淋板上板的上表面设置有凹槽。
进一步优选，所述喷淋板上板的上表面为吸光上表面。
进一步优选，所述吸光上表面由吸光材料制成或通过发黑处理得到。
进一步优选，所述透光板包括环形的透光区和密封区，所述透光区与环形柱密封连接，所述密封区连接于透光区的外周且与真空腔室的侧壁密封连接。
进一步优选，所述接地屏蔽网的开孔率为40％至90％。
进一步优选，所述接地屏蔽网的开口形状为五边形。
进一步优选，当所述热辐射器为金属加热片时，所述真空腔室的顶部还设置有与加热腔室连通的吹扫气体进口和吹扫气体出口。
本发明提供的射频从喷淋板导入的喷淋板装置，通过热辐射器产生热量并向喷淋板辐射，可以对喷淋板进行加热，在热辐射器周围加上反射器，能够最大化的将热量反射到喷淋板上，增大热量有效利用率，从而达到节能的效果，热辐射器只需要供电即可工作，能够使整个喷淋板装置更加简单，不需要额外的油温系统以及防止交流电给射频造成影响的滤波系统，可以大大提高设备整体的简洁性，加热腔室设置于真空腔室内且为独立的密闭空间，结构更合理，加热效率更高。
本发明提供的射频从喷淋板导入的喷淋板装置结构合理、可保证对喷淋板加热的均匀性，可提高光波的有效利用率。
附图说明
下面结合附图及实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1为本发明提供的射频从喷淋板导入的喷淋板装置的结构示意图；
图2为本发明提供的射频从喷淋板导入的喷淋板装置的剖面图；
图3为接地屏蔽网的结构示意图；
图4为透光板的结构示意图；
图5为热辐射器的布设图；
图6为喷淋板本体的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合具体的实施方案对本发明进行进一步的解释，但并不局限本发明。
如图1至图6所示，本发明提供了一种射频从喷淋板导入的喷淋板装置，包括：设置于真空腔室内的喷淋板本体1和密闭设置于喷淋板本体1上方的加热腔室，其中，所述加热腔室内的顶部和侧壁均设置有反射器21，所述反射器21可以为铝、钢抛镜面或玻璃反射镜面等，加热腔室的底部为透光板22，所述透光板可以为石英玻璃板、蓝宝石板、耐热高分子透光板等，加热腔室内由上至下依次设置有热辐射器23和接地屏蔽网24，所述热辐射器23固定设置于加热腔室内，可向周围辐射热量，所述热辐射器23可以为红外灯管或金属加热片等，所述热辐射器可根据喷淋板实际温度进行布局，为保证喷淋板受热均匀，所述热辐射器优选呈螺旋状设置，所述接地屏蔽网24设置于透光板22的上部，透光，且可屏蔽射频，以防止喷淋板本体1与热辐射器23之间形成电场，所述反射器21用于向喷淋板本体1反射热量，以最大限度给喷淋板本体1加热。
该射频从喷淋板导入的喷淋板装置，通过热辐射器产生热量并向喷淋板辐射，可以对喷淋板进行加热，在热辐射器周围加上反射器，能够最大化的将热量反射到喷淋板上，增大热量有效利用率，从而达到节能的效果，热辐射器只需要供电即可工作，能够使整个喷淋板装置更加简单，不需要额外的油温系统以及防止交流电给射频造成影响的滤波系统，可以大大提高设备整体的简洁性，加热腔室设置于真空腔室内且为独立的密闭空间，结构更合理，加热效率更高。
作为技术方案的改进，如图2、图6所示，所述喷淋板本体1包括喷淋板上板11和与喷淋板上板11连接的喷淋板面板12，喷淋板上板11的中部设置有与进气管道3连通的环形柱111，所述环形柱111上设置有进气孔112和射频导入棒连接孔113，进气孔112用于连通进气管道3和真空腔室，射频导入棒4插入射频导入棒连接孔113内，可实现气体与射频都可以从中心进入腔体内部。
作为技术方案的改进，如图2所示，所述加热腔室套于环形柱111的外周。
作为技术方案的改进，如图2、图6所示，所述喷淋板上板11的上表面设置有凹槽114，所述凹槽可使热辐射器产生的热量得到更大效率的利用。
作为技术方案的改进，如图2、图6所示，所述喷淋板上板11的上表面为吸光上表面，可以更好地吸收热量，达到节能的作用，其中，所述吸光上表面可通过发黑处理实现，或者，所述吸光上表面的由吸光材料制成。
作为技术方案的改进，如图2、图4所示，所述透光板22包括环形的透光区221和密封区222，所述透光区221与环形柱111密封连接，所述密封区222连接于透光区221的外周且与真空腔室的侧壁密封连接。
作为技术方案的改进，如图2、图3所示，所述接地屏蔽网24的开孔率为40％至90％，可以最大效率的透过热辐射，同时又能达到屏蔽射频的作用。
作为技术方案的改进，如图2所示，所述接地屏蔽网24具有透光和屏蔽射频的作用，所述接地屏蔽网的开口形状可以为圆形、正方形或五边形，优选为五边形。
当所述热辐射器23为金属加热片时，金属热辐射器可能产生无益的气体，作为技术方案的改进，所述真空腔室的顶部还设置有与加热腔室连通的吹扫气体进口和吹扫气体出口(图中未示出)，以实现对加热腔室内有害气体的吹扫。
本发明的具体实施方式是按照递进的方式进行撰写的，着重强调各个实施方案的不同之处，其相似部分可以相互参见。
上面结合附图对本发明的实施方式做了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。

Claims (10)

1.射频从喷淋板导入的喷淋板装置，其特征在于，包括：设置于真空腔室内的喷淋板本体(1)和密闭设置于喷淋板本体(1)上方的加热腔室，其中，所述加热腔室内的顶部和侧壁均设置有反射器(21)，加热腔室的底部为透光板(22)，加热腔室内由上至下依次设置有热辐射器(23)和接地屏蔽网(24)，所述热辐射器(23)固定设置于加热腔室内，可向周围辐射热量，所述接地屏蔽网(24)设置于透光板(22)的上部，透光且可屏蔽射频，以防止喷淋板本体(1)与热辐射器(23)之间形成电场，所述反射器(21)用于向喷淋板本体(1)反射热量，以最大限度给喷淋板本体(1)加热。
2.按照权利要求1所述射频从喷淋板导入的喷淋板装置，其特征在于：所述喷淋板本体(1)包括喷淋板上板(11)和与喷淋板上板(11)连接的喷淋板面板(12)，喷淋板上板(11)的中部设置有与进气管道(3)连通的环形柱(111)，所述环形柱(111)上设置有进气孔(112)和射频导入棒连接孔(113)，进气孔(112)用于连通进气管道(3)和真空腔室，射频导入棒(4)插入射频导入棒连接孔(113)内。
3.按照权利要求2所述射频从喷淋板导入的喷淋板装置，其特征在于：所述加热腔室套于环形柱(111)的外周。
4.按照权利要求2所述射频从喷淋板导入的喷淋板装置，其特征在于：所述喷淋板上板(11)的上表面设置有凹槽(114)。
5.按照权利要求1所述射频从喷淋板导入的喷淋板装置，其特征在于：所述喷淋板上板(11)的上表面为吸光上表面。
6.按照权利要求5所述射频从喷淋板导入的喷淋板装置，其特征在于：所述吸光上表面由吸光材料制成或通过发黑处理得到。
7.按照权利要求1所述射频从喷淋板导入的喷淋板装置，其特征在于：所述透光板(22)包括环形的透光区(221)和密封区(222)，所述透光区(221)与环形柱(111)密封连接，所述密封区(222)连接于透光区(221)的外周且与真空腔室的侧壁密封连接。
8.按照权利要求1所述射频从喷淋板导入的喷淋板装置，其特征在于：所述接地屏蔽网(24)的开孔率为40％至90％。
9.按照权利要求1所述射频从喷淋板导入的喷淋板装置，其特征在于：所述接地屏蔽网(24)的开口形状为五边形。
10.按照权利要求1所述射频从喷淋板导入的喷淋板装置，其特征在于：当所述热辐射器(23)为金属加热片时，所述真空腔室的顶部还设置有与加热腔室连通的吹扫气体进口和吹扫气体出口。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07230899A (ja) * 1994-02-18 1995-08-29 Kokusai Electric Co Ltd プラズマ処理装置
CN1958170A (zh) * 2005-10-31 2007-05-09 东京毅力科创株式会社 气体供给装置及基板处理装置
CN101018884A (zh) * 2004-04-30 2007-08-15 兰姆研究公司 包含输送工艺气体和射频功率的气体分配单元的等离子处理设备
CN101170053A (zh) * 2006-10-27 2008-04-30 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法以及存储介质
CN103229272A (zh) * 2010-11-24 2013-07-31 德国罗特·劳股份有限公司 等离子体加工装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07230899A (ja) * 1994-02-18 1995-08-29 Kokusai Electric Co Ltd プラズマ処理装置
CN101018884A (zh) * 2004-04-30 2007-08-15 兰姆研究公司 包含输送工艺气体和射频功率的气体分配单元的等离子处理设备
CN1958170A (zh) * 2005-10-31 2007-05-09 东京毅力科创株式会社 气体供给装置及基板处理装置
CN101170053A (zh) * 2006-10-27 2008-04-30 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法以及存储介质
CN103229272A (zh) * 2010-11-24 2013-07-31 德国罗特·劳股份有限公司 等离子体加工装置

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