KR100682815B1

KR100682815B1 - 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 전자 기기

Info

Publication number: KR100682815B1
Application number: KR1020060003739A
Authority: KR
Inventors: 겐지 하야시
Original assignee: 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Priority date: 2005-01-17
Filing date: 2006-01-13
Publication date: 2007-02-15
Also published as: CN1815751A; KR20060083873A; US20060158108A1; US7667395B2; JP2006222071A; CN1815751B; TW200636639A; TWI277919B

Abstract

본 발명은 가스 배리어층의 박리(剝離)나 크랙에 기인한 수분의 침입을 억제한 발광 장치 및 그 제조 방법, 및 전자 기기를 제공하는 것이다. 본 발명에 따른 발광 장치(1)는, 기체(200) 위에, 복수의 제 1 전극(23)과, 제 1 전극(23)의 형성 위치에 대응된 복수의 개구부(221a)를 갖는 격벽(221)과, 개구부(221a) 각각에 배치되는 유기 기능층(60)과, 격벽(221) 및 유기 기능층(60)을 덮는 제 2 전극(50)과, 제 2 전극(50)을 덮는 동시에 평탄한 상면(上面)이 형성된 유기 완충층(210)과, 유기 완충층(210)을 덮는 가스 배리어층(30)과, 가스 배리어층(30)의 적어도 외주 영역을 덮는 셸 보강층(212)을 구비한다.

유기 기능층, 보호층, 접착층, 표면 보호 기판

Description

발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 전자 기기{LIGHT-EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS}

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 EL 표시 장치(1)의 배선 구조를 나타낸 도면.

도 2는 EL 표시 장치(1)의 구성을 나타낸 모식도.

도 3은 도 2의 A-B선에 따른 단면도.

도 4는 도 2의 C-D선에 따른 단면도.

도 5는 유기 완충층(210)의 단부(외주 영역)를 나타낸 확대도.

도 6은 EL 표시 장치(1)의 제조 방법을 공정순으로 나타낸 도면.

도 7은 도 6에 이어지는 공정을 나타낸 도면.

도 8은 보호층(204)의 변형예를 나타낸 단면도.

도 9는 친기판(親基板)(208)의 스크라이브 방법을 설명하기 위한 도면.

도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 EL 표시 장치(2)의 단면 구조를 나타낸 모식 단면도.

도 11은 본 발명의 실시예에 따른 전자 기기를 나타낸 도면.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

1… EL 표시 장치(발광 장치)

23…화소 전극(제 1 전극)

30…가스 배리어층

50…음극(제 2 전극)

60…발광층(유기 기능층)

200…기체(基體)

204…보호층

205…접착층

206…표면 보호 기판

208…친기판(親基板)

210…유기 완충층

212…셸 보강층

213…미립자

221…유기 격벽층(격벽)

221a…개구부

1000…휴대 전화(전자 기기)

1100…시계(전자 기기)

1200…정보 처리 장치(전자 기기)

1300…박형 대화면 텔레비전(전자 기기)

1001, 1101, 1206, 1306…표시부(발광 장치)

본 발명은 발광 장치 및 그 제조 방법과, 이 발광 장치를 구비한 전자 기기에 관한 것이다.

최근, 정보 기기의 다양화 등에 따라, 소비 전력이 적고 경량화된 평면 표시 장치의 필요성이 높아지고 있다. 이러한 평면 표시 장치의 하나로서, 발광층을 구비한 유기 EL 장치가 알려져 있다. 이러한 유기 EL 장치는 양극과 음극 사이에 발광층을 구비한 구성이 일반적이다. 또한, 정공(正孔) 주입성이나 전자 주입성을 향상시키기 위해, 양극과 발광층 사이에 정공 주입층을 배치한 구성이나, 발광층과 음극 사이에 전자 주입층을 배치한 구성이 제안되어 있다.

유기 EL 장치의 발광층, 정공 주입층, 전자 주입층에 사용되는 재료는 대기중의 수분과 반응하여 열화(劣化)되기 쉬운 것이 많다. 이들 층이 열화되면, 유기 EL 장치에 암점(dark spot)이라고 불리는 비발광 영역이 형성되어, 발광 소자로서의 수명이 짧아진다. 따라서, 이러한 유기 EL 장치에서는, 수분이나 산소 등의 영향을 억제하는 것이 과제로 되어 있다.

이러한 과제를 해결하기 위해, 유기 EL 장치의 기판에 유리나 금속으로 이루어진 밀봉 부재를 접착하여, 수분이나 산소의 침입을 방지하는 방법이 일반적으로 채용되어 왔다. 그러나, 디스플레이의 대형화 및 박형화/경량화에 따라, 접착된 밀봉 부재만으로 수분이나 산소의 침입을 막는 것이 어려워지고 있다. 또한, 대형화에 따라 구동 소자나 배선을 형성하는 면적을 충분히 확보하기 위해, 밀봉 부재 측으로부터 빛을 추출하는 톱 이미션 구조를 사용할 필요성도 제안되고 있다. 이러한 요구를 달성하기 위해, 투명하면서 경량, 내강도성이 뛰어난 박막을 사용한 밀봉 구조가 구해지고 있다.

그래서, 최근에는, 표시 장치의 대형화 및 경박화에 대응하기 위해, 발광 소자 위에 투명하면서 가스 배리어성이 뛰어난 규소질화물, 규소산화물, 세라믹스 등의 박막을 고밀도 플라즈마 성막법(예를 들면, 이온 도금, ECR 플라즈마 스퍼터, ECR 플라스마 CVD, 표면파 플라즈마 CVD, ICP-CVD 등)에 의해 가스 배리어층으로서 성막시키는 박막 밀봉이라고 불리는 기술이 사용되고 있다(예를 들면, 하기의 특허문헌 1∼4). 이러한 기술에 의하면, 발광 소자로의 수분 침입을 막는 것이 가능해진다.

[특허문헌 1] 일본국 특개평9-185994호 공보

[특허문헌 2] 일본국 공개특허 제2001-284041호 공보

[특허문헌 3] 일본국 공개특허 제2000-223264호 공보

[특허문헌 4] 일본국 공개특허 제2003-17244호 공보

그러나, 이러한 기술을 채용한 경우에도, 외부로부터의 수분 침입을 완전히 막을 수 없고, 충분한 발광 특성이나 발광 수명을 얻을 수 없다. 특히, 가스 배리어층의 외주부 또는 단차부(段差部)에서, 박리나 크랙이 발생하여, 거기로부터의 수분 침입이 확인되어 있다.

이 때문에, 가스 배리어층의 하층측에, 대략 평탄한 상면(上面)을 갖는 유기 완충층을 배치함으로써, 가스 배리어층에서의 크랙 발생을 막는 것이 생각되고 있다. 즉, 기판의 휘어짐이나 체적 팽창에 따라 발생하는 응력을 이 유기 완충층에 의해 완화할 수 있다. 또한, 유기 완충층의 상면(上面)을 대략 평탄화함으로써, 유기 완충층의 상면에 배치된 가스 배리어층도 평탄화되므로, 가스 배리어층에 응력이 집중하는 부위가 없어져서, 크랙 발생을 방지할 수 있다.

그런데, 유기 완충층이 열변형(팽창 및 수축)된 때에는, 가스 배리어층에 크랙이 발생하기 때문에, 외부로부터의 수분 침입을 완전히 막을 수 없다는 문제가 있다.

본 발명은 상술한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 가스 배리어층의 박리나 크랙에 기인한 수분 침입을 억제하는 발광 장치 및 그 제조 방법, 및 전자 기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에 따른 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 전자 기기에서는, 상기 과제를 해결하기 위해 이하의 수단을 채용했다.

제 1 발명은, 발광 장치가, 기체 위에, 복수의 제 1 전극과, 상기 제 1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 갖는 격벽과, 상기 개구부 각각에 배치된 유기 기능층과, 상기 격벽 및 상기 유기 기능층을 덮는 제 2 전극과, 상기 제 2 전극을 덮는 유기 완충층과, 상기 유기 완충층의 패턴 및 그 주위를 덮도록 연장하여 배치된 가스 배리어층과, 상기 유기 완충층의 외주 영역을 덮도록 배치된 셸 보강층을 갖도록 했다.

이 발명에 따르면, 유기 완충층이 열변형(팽창 및 수축)되었다고 해도, 가스 배리어층과의 사이에 중간 보호층이 배치되어 있기 때문에, 가스 배리어층에 직접 유기 완충층의 변형의 영향이 전해지지 않아, 가스 배리어층에서의 크랙 등의 결함 발생을 방지할 수 있다. 특히, 유기 완충층의 패턴 단면 주변을 덮는 가스 배리어층에 크랙 등의 결함이 발생하기 쉬우므로, 이 영역에 중간 보호층을 배치함으로써, 가스 배리어층에서의 크랙 등의 결함 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.

또한, 상기 셸 보강층이 상기 유기 완충층의 패턴의 단부(端部) 주변을 덮도록 배치되어 있는 것에서는, 유기 완충층의 패턴의 단면 주변을 덮는 가스 배리어층에 크랙 등의 결함이 발생하기 쉬우므로, 이 영역에 셸 보강층을 배치함으로써, 가스 배리어층에서의 크랙 등의 결함 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.

또한, 상기 셸 보강층이 상기 가스 배리어층의 패턴의 외주 영역 및 그 주위를 덮도록 연장하여 배치되어 있는 것에서는, 이 영역에 셸 보강층을 배치함으로써, 가스 배리어층에서의 크랙 등의 결함 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.

또한, 상기 제 2 전극을 덮는 전극 보호층을 갖는 것에서는, 제조 프로세스 시의 제 2 전극의 부식이나 손상을 방지할 수 있다.

또한, 상기 가스 배리어층을 덮는 보호층을 갖는 것에서는, 가스 배리어층을 외부로부터의 기계적 충격에 대하여 보호할 수 있다.

또한, 상기 유기 완충층의 단부에서 유기 완충층이 음극 보호층의 표면과 이루는 접촉 각도가 45°이하로 형성되어 있는 것에서는, 유기 완충층의 열변형(팽창 및 수축)의 가스 배리어층으로의 영향이 완화되므로, 가스 배리어층에 크랙 등의 결함이 발생할 가능성을 대폭으로 저감할 수 있다.

또한, 상기 셸 보강층이 수지(樹脂)로 이루어지는 것에서는, 가스 배리어층을 보강하는 힘을 용이하게 조정할 수 있다.

또한, 상기 셸 보강층이 미립자를 함유하는 것에서는, 셸 보강층을 형성하는 재료의 유동성을 조정하여, 경사면에 셸 보강층을 형성하기 쉽게 할 수 있다. 또한, 셸 보강층이 피막(被膜) 형성 시나 온도 변화에 대하여 체적 변화를 일으키기 어려워져, 가스 배리어층으로의 부담을 경감할 수 있다.

또한, 상기 셸 보강층과 상기 유기 완충층이 동일한 수지로 이루어지는 것에서는, 재료비나 형성 공정을 효율화할 수 있다.

또한, 상기 보호층이 상기 셸 보강층의 외주 영역을 노출시키도록 배치되어 있는 것에서는, 셸 보강층이 가스 배리어층으로의 측면 보호 기능과 보호층 형성 시의 돌출 방지의 기능을 갖기 때문에, 보호층의 형성 영역을 필요 최소한으로 할 수 있다.

또한, 상기 보호층이 상기 가스 배리어층을 덮는 접착층과, 표면 보호 기판으로 이루어지는 것에서는, 표면 보호 기판의 형성 영역을 필요 최소한으로 할 수 있다.

제 2 발명은, 발광 장치의 제조 방법이, 기체 위에, 복수의 제 1 전극을 형성하는 공정과, 상기 제 1 전극의 형성 위치에 대응된 복수의 개구부를 갖는 격벽을 형성하는 공정과, 상기 개구부 각각에 배치되는 유기 기능층을 형성하는 공정과, 상기 격벽 및 상기 유기 기능층을 덮는 제 2 전극을 형성하는 공정과, 상기 제 2 전극을 덮는 동시에 평탄한 상면이 형성된 유기 완충층을 형성하는 공정과, 상기 유기 완충층을 덮는 가스 배리어층을 형성하는 공정과, 상기 가스 배리어층의 적어도 외주 영역을 덮는 셸 보강층을 형성하는 공정을 갖도록 했다.

이 발명에 따르면, 가스 배리어층의 외주 영역이 보강되므로, 유기 완충층이 열변형(팽창, 수축)된 경우라도, 가스 배리어층에서의 크랙 등의 결함 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.

또한, 상기 셸 보강층을 형성하는 공정은, 미립자를 함유한 유기 재료를 상기 가스 배리어층의 적어도 외주 영역에 도포(塗布)하는 공정을 포함하는 것에서는, 셸 보강층을 형성하는 재료의 유동성이 조정되므로, 경사면에 셸 보강층을 형성하기 쉽게 할 수 있다. 또한, 셸 보강층이 피막 형성 시나 온도 변화에 대하여 체적 변화를 일으키기 어려워져, 가스 배리어층으로의 부담을 경감할 수 있다.

또한, 상기 가스 배리어층 및 상기 셸 보강층을 덮는 보호층을 상기 셸 보강층의 외주 영역을 노출시키도록 형성하는 공정을 갖는 것에서는, 셸 보강층이 가스 배리어층으로의 측면 보호 기능과 보호층 형성 시의 돌출 방지 기능을 갖기 때문에, 보호층의 형성 영역을 필요 최소한으로 할 수 있다.

또한, 상기 보호층을 형성하는 공정이, 상기 가스 배리어층 및 상기 셸 보강층의 일부를 덮는 접착층을 형성하는 공정과, 상기 접착층 위에 표면 보호 기판을 배치하는 공정과, 상기 표면 보호 기판을 상기 접착층의 외주를 따라 절단하는 공정을 포함한 것에서는, 표면 보호 기판의 형성 영역을 필요 최소한으로 할 수 있다.

제 3 발명은, 전자 기기가 상기 발광 장치를 구비하도록 했다. 이 발명에 따르면, 유기 기능층으로의 수분의 침입이 거의 없으므로, 유기 기능층의 열화가 억제되어, 긴 수명의 표시부를 구비한 전자 기기를 얻을 수 있다.

이하, 본 발명의 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 전자 기기의 실시예에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 발광 장치로서, 유기 기능 재료의 일례인 유기 일렉트로루미네선스(EL) 재료를 사용한 EL 표시 장치에 대해서 설명한다.

[제 1 실시예]

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 EL 표시 장치(1)의 배선 구조를 나타낸 도면이다.

EL 표시 장치(1)는 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 TFT로 약기함)를 사용한 액티브 매트릭스형 EL 표시 장치이다.

또한, 이하의 설명에서는, EL 표시 장치(1)를 구성하는 각 부위나 각 층막을 인식 가능하게 하기 위해, 각각의 축척을 다르게 하고 있다.

EL 표시 장치(발광 장치)(1)는 도 1에 나타낸 바와 같이, 복수의 주사선(101)과, 각 주사선(101)에 대하여 직각으로 교차하는 방향으로 연장되는 복수의 신호선(102)과, 각 신호선(102)에 병렬로 연장되는 복수의 전원선(103)이 각각 배선된 구성을 갖는 동시에, 주사선(101)과 신호선(102)의 각 교점 부근에 화소 영역(X)이 설치된다.

신호선(102)에는, 시프트 레지스터, 레벨 시프터, 비디오 라인 및 아날로그 스위치를 구비한 데이터선 구동 회로(100)가 접속된다. 또한, 주사선(101)에는, 시프트 레지스터 및 레벨 시프터를 구비한 주사선 구동 회로(80)가 접속된다.

또한, 화소 영역(X) 각각에는, 주사선(101)을 통해서 주사 신호가 게이트 전극에 공급된 스위칭용 TFT(112)와, 이 스위칭용 TFT(112)를 통해서 신호선(102)으로부터 공급된 화소 신호를 유지하는 저장 용량(113)과, 상기 저장 용량(113)에 따라 유지된 화소 신호가 게이트 전극에 공급된 구동용 TFT(123)와, 이 구동용 TFT(123)를 통해서 전원선(103)에 전기적으로 접속했을 때에 상기 전원선(103)으로부터 구동 전류가 유입되는 화소 전극(제 1 전극)(23)과, 이 화소 전극(23)과 음극(제 2 전극)(50) 사이에 끼워진 기능층(110)이 설치된다. 화소 전극(23)과 음극(50)과 기능층(110)에 의해 발광 소자(유기 EL 소자)가 구성된다.

이 EL 표시 장치(1)에 의하면, 주사선(101)이 구동되고 스위칭용 TFT(112)가 온 상태가 되면, 그 때의 신호선(102)의 전위가 저장 용량(113)에 유지되고, 상기 저장 용량(113)의 상태에 따라, 구동용 TFT(123)의 온·오프 상태가 결정된다. 그리고, 구동용 TFT(123)의 채널을 통해서, 전원선(103)으로부터 화소 전극(23)으로 전류가 흐르고, 또한 기능층(110)을 통해서 음극(50)으로 전류가 흐른다. 기능층(110)은 이것을 흐르는 전류량에 따라 발광된다.

다음에, EL 표시 장치(1)의 구체적인 구성에 대해서 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한다.

EL 표시 장치(1)는, 도 2에 나타낸 바와 같이 전기 절연성을 구비한 기판(20)과, 스위칭용 TFT(도시하지 않음)에 접속된 화소 전극이 기판(20) 위에 매트릭 스 형상으로 배치되어 이루어진 화소 전극역(電極域)(도시하지 않음)과, 화소 전극역의 주위에 배치됨과 동시에 각 화소 전극에 접속된 전원선(도시하지 않음)과, 적어도 화소 전극역 위에 위치한 평면에서 볼 때 거의 사각형의 화소부(3)(도 2 중 일점 쇄선 범위 내)를 구비하여 구성된 액티브 매트릭스형의 것이다.

또한, 본 발명에서는, 기판(20)과 후술하는 바와 같이 이 위에 형성된 스위칭용 TFT나 각종 회로, 및 층간 절연막 등을 포함하여, 기체라고 칭하고 있다(도 3 및 도 4 중에서는 참조번호 200으로 나타냄).

화소부(3)는, 중앙 부분의 실표시 영역(4)(도 2 중 이점 쇄선 범위내)과, 실표시 영역(4)의 주위에 배치된 더미 영역(5)(일점 쇄선 및 이점 쇄선 사이의 영역)에 구획된다.

실표시 영역(4)에는, 각각 화소 전극을 갖는 표시 영역(R, G, B)이 A-B 방향 및 C-D 방향으로 각각 이간(離間)하여 매트릭스 형상으로 배치된다.

또한, 실표시 영역(4)의 도 2 중 양측에는, 주사선 구동 회로(80)가 배치된다. 이들 주사선 구동 회로(80)는 더미 영역(5)의 하측에 배치된 것이다.

또한, 실표시 영역(4)의 도 2 중 상측에는 검사 회로(90)가 배치된다. 이 검사 회로(90)는 EL 표시 장치(1)의 작동 상황을 검사하기 위한 회로이며, 예를 들면 검사 결과를 외부로 출력하는 검사 정보 출력 수단(도시하지 않음)을 구비하고, 제조 도중이나 출하시의 표시 장치의 품질, 결함의 검사를 행할 수 있게 구성된 것이다. 또한, 이 검사 회로(90)도 더미 영역(5)의 하측에 배치된 것이다.

주사선 구동 회로(80) 및 검사 회로(90)는, 그 구동 전압이 소정의 전원부로 부터 구동 전압 도통부(310)(도 3 참조) 및 구동 전압 도통부(340)(도 4 참조)를 통해서 인가되도록 구성된다. 또한, 이들 주사선 구동 회로(80) 및 검사 회로(90)로의 구동 제어 신호 및 구동 전압은 이 EL 표시 장치(1)의 작동 제어를 행하는 소정의 메인 드라이버 등으로부터 구동 제어 신호 도통부(320)(도 3 참조) 및 구동 전압 도통부(350)(도 4 참조)를 통해서 송신 및 인가된다. 또한, 이 경우의 구동 제어 신호는 주사선 구동 회로(80) 및 검사 회로(90)가 신호를 출력할 때의 제어에 관련된 메인 드라이버 등으로부터의 지령 신호이다.

또한, EL 표시 장치(1)는, 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이 기체(200) 위에 화소 전극(23)과 발광층(60)과 음극(50)을 구비한 발광 소자(유기 EL 소자)를 다수 형성하고, 또한 이들을 덮어서 유기 완충층(210), 가스 배리어층(30), 셸 보강층(212) 등을 형성시킨 것이다.

또한, 발광층(60)으로서는, 대표적으로는 발광층(일렉트로루미네선스층)이 있으며, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 등의 캐리어 주입층 또는 캐리어 수송층을 구비한 것이다. 또한, 정공 저지층(홀 블로킹층), 전자 저지층(일렉트론 저지층)을 구비할 수도 있다.

기체(200)를 구성하는 기판(20)으로서는, 소위 톱 이미션형 EL 표시 장치의 경우, 이 기판(20)의 대향측인 가스 배리어층(30)측으로부터 발광 광을 추출하는 구성이므로, 투명 기판 및 불투명 기판의 어느 것이나 사용할 수 있다. 불투명 기판으로서는, 예를 들면 알루미나 등의 세라믹스, 스테인리스 스틸 등의 금속 시트에 표면 산화 등의 절연 처리를 실시한 것, 또한 열경화성 수지나 열가소성 수지, 또한 그 필름(플라스틱 필름) 등을 들 수 있다.

또한, 소위 보텀 이미션형 EL 표시 장치의 경우에는, 기판(20)측으로부터 발광 광을 추출하는 구성이므로, 기판(20)으로서는 투명 또는 반투명의 것이 채용된다. 예를 들면, 유리, 석영, 수지(플라스틱, 플라스틱 필름) 등을 들 수 있고, 특히 유리 기판이 적합하게 사용된다. 또한, 본 실시예에서는 가스 배리어층(30)측으로부터 발광 광을 추출하는 톱 이미션형으로 하고, 따라서 기판(20)으로서는 상술한 불투명 기판, 예를 들면 불투명의 플라스틱 필름 등이 사용된다.

또한, 기판(20) 위에는, 화소 전극(23)을 구동하기 위한 구동용 TFT(123) 등을 포함하는 회로부(11)가 형성되어 있고, 그 위에 발광 소자(유기 EL 소자)가 다수 설치된다. 발광 소자는, 양극으로서 기능하는 화소 전극(23)과, 이 화소 전극(23)으로부터의 정공을 주입/수송하는 정공 수송층(70)과, 유기 EL 재료를 구비한 발광층(60)과, 음극(50)이 순차적으로 형성됨에 따라 구성된 것이다.

이러한 구성을 토대로, 발광 소자는 그 발광층(60)에서 정공 수송층(70)으로부터 주입된 정공과 음극(50)으로부터의 전자가 결합됨으로써 발광한다.

화소 전극(23)은 본 실시예에서는 톱 이미션형인 것으로부터 투명일 필요가 없고, 따라서 적절한 도전 재료로 형성된다.

정공 수송층(70)의 형성 재료로서는, 예를 들면 폴리티오펜 유도체, 폴리피롤 유도체 등, 또는 그들의 도핑체 등이 사용된다. 구체적으로는, 3,4-폴리에틸렌 디옥시티오펜/폴리스틸렌설펀산(PEDOT/PSS)을 물에 분산시킨 분산액 등 도포 및 건조시킴으로써 정공 수송층(70)을 형성할 수 있다.

발광층(60)을 형성하기 위한 재료로서는, 형광 또는 인광(燐光)을 발광하는 것이 가능한 공지한 발광 재료를 사용한다. 구체적으로는,(폴리)플루오렌 유도체(PF), (폴리)파라페닐렌비닐렌 유도체(PPV), 폴리페닐렌 유도체(PP), 폴리파라페닐렌 유도체(PPP), 폴리비닐카르바졸(PVK), 폴리티오펜 유도체, 폴리메틸페닐실란(PMPS) 등의 폴리실란계 등이 적합하게 사용된다.

또한, 이들 고분자 재료에, 페릴렌계 색소, 쿠마린계 색소, 로다민계 색소 등의 고분자계 재료나, 루브렌, 페릴렌, 9,10-디페닐안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일레드, 쿠마린 6, 퀴나크리돈 등의 저분자 재료를 도핑해서 사용할 수도 있다.

또한, 상술한 고분자 재료 대신에, 종래 공지한 저분자 재료를 사용할 수도 있다.

또한, 필요에 따라, 이러한 발광층(60) 위에 전자 주입층을 형성할 수도 있다.

또한, 본 실시예에서 정공 수송층(70)과 발광층(60)은 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이 기체(200) 위에 격자 형상으로 형성된 친액성 제어층(25)(도시하지 않음)과 유기 격벽층(격벽)(221)에 의해 둘러싸여 배치되고, 이에 따라 둘러싸인 정공 수송층(70) 및 발광층(60)은 단일 발광 소자(유기 EL 소자)를 구성하는 소자층이 된다.

또한, 유기 격벽층(221)의 개구부(221a)의 각 벽면의 기체(200) 표면에 대한 각도가, 110도 이상으로부터 170도 이하로 되어 있다. 이러한 각도로 된 것은, 발 광층(60)을 습식 프로세스에 따라 형성할 때에, 개구부(221a) 내에 배치되기 쉽게 하기 위함이다.

음극(50)은, 도 2 내지 도 4에 나타낸 바와 같이, 실표시 영역(4) 및 더미 영역(5)의 총면적보다 넓은 면적을 구비하고, 각각을 덮도록 형성된 것으로, 발광층(60)과 유기 격벽층(221)의 상면, 또한 유기 격벽층(221)의 외측부를 형성하는 벽면을 덮은 상태에서 기체(200) 위에 형성된 것이다. 또한, 이 음극(50)은, 도 4에 나타낸 바와 같이 유기 격벽층(221)의 외측에서 기체(200)의 외주부에 형성된 음극용 배선(202)에 접속된다. 이 음극용 배선(202)에는 플렉시블 기판(203)이 접속되어 있고, 이에 따라 음극(50)은 음극용 배선(202)을 통해서 플렉시블 기판(203) 위의 구동 IC(구동 회로)(도시하지 않음)에 접속된다.

음극(50)을 형성하기 위한 재료로서는, 본 실시예는 톱 이미션형인 것으로부터 광 투과성일 필요가 있어, 따라서 투명 도전 재료가 사용된다. 투명 도전 재료로서는 ITO(Indium Tin Oxide:인듐 주석 산화물)가 적합하지만, 이외에도, 예를 들면 산화인듐·산화 아연계 비정질 투명 도전막(Indium Zinc Oxide:IZO(등록 상표)) 등을 사용할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 ITO를 사용한다.

또한, 음극(50)은 전자 주입 효과가 큰 재료가 적합하게 사용된다. 예를 들면, 칼슘이나 마그네슘, 나트륨, 리튬 금속, 또는 이들의 금속 화합물이다. 금속 화합물로서는, 불화 칼슘 등의 금속 불화물이나 산화리튬 등의 금속 산화물, 아세틸아세토네이트칼슘 등의 유기 금속 착체(錯體)가 해당된다. 또한, 이들 재료만으로는 전기 저항이 커서 전극으로서 기능하지 않기 때문에, 알루미늄이나 금, 은, 동 등의 금속층을 비화소 영역에만 패턴 형성하거나, 투명인 ITO, 산화 주석 등의 금속 산화물 도전층을 적층함으로써 전기 저항의 저감을 행하는 것이 바람직하다. 또한, 본 실시예에서는 불화리튬과 마그네슘-은 합금, ITO의 적층체를, 투명성이 얻어지는 막 두께로 조정하여 사용할 수도 있다.

음극(50)의 상층부에는, 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 음극 보호층(전극 보호층)(55)이 형성되어 있다. 이 음극 보호층(55)은 유기 완충층(210)의 형성 시의 유기 용제나 잔류 수분 등에 기인한, 제조 프로세스 시의 음극(50)의 부식이나 손상을 방지하기 위해 설치되는 것이다.

또한, 이러한 음극 보호층(55)은 형성 후의 압축 응력이 발생하기 어려운 재료가 바람직하고, 규소화합물이나, 산화티탄 등의 금속 화합물 등의 무기 화합물에 의해 형성된 것이 바람직하다.

또한, 음극 보호층(55)의 형성 방법으로서는, 고밀도 플라즈마 성막법이나, 진공 증착법 등이 사용된다. 그 막 두께는 30∼200nm가 바람직하다.

또한, 음극 보호층(55)은 기체(200)의 외주부의 절연층(284)에 접촉되도록 음극을 피복(被覆)하고, 30nm 내지 200nm 정도의 두께로 형성된다.

음극 보호층(55)의 상층부에는, 도 2 내지 도 4에 나타낸 바와 같이, 유기 격벽층(221)보다도 넓은 범위이면서 음극(50)을 덮은 상태로 유기 완충층(210)이 설치된다. 또한, 유기 완충층(210)은 화소부(3) 위에 형성된 음극(50)을 덮는 경우, 또한 기체(200)의 외주부의 음극용 배선(202) 위에 형성된 음극(50)도 덮는 경우의 어느 경우이더라도 좋다.

유기 완충층(210)은, 유기 격벽층(221)의 형상의 영향에 따라, 돌출 형상으로 형성된 음극(50)의 돌출 부분을 채우도록 배치되고, 또한 그 상면은 대략 평탄하게 형성된다. 유기 완충층(210)은 기체(200)의 휘어짐이나 체적 팽창에 의해 발생되는 응력을 완화하고, 불안정한 유기 격벽층(221)으로부터의 음극(50)의 박리를 막는 기능을 갖는다. 또한, 유기 완충층(210)의 상면이 대략 평탄화되므로, 유기 완충층(210) 위에 형성된 단단한 피막으로 이루어진 가스 배리어층(30)도 평탄화되므로, 응력이 집중하는 부위가 없어지고, 이에 따라 가스 배리어층(30)에의 크랙 발생을 방지한다.

유기 완충층(210)을 형성하는 재료로서는, 친유성(親油性)이고 저흡수성을 갖는 고분자 재료, 예를 들면 폴리올레핀계 또는 폴리에테르계가 바람직하다. 또한, 메틸트리메톡시실란이나 테트라에톡시실란 등의 알콕시실란을 가수 분해해서 축합(縮合)시킨 유기 규소폴리머일 수도 있다. 또한, 아크릴폴리올이나 메타크릴폴리올, 폴리에스테르폴리올, 폴리에테르폴리올, 폴리우레탄폴리올을 주성분으로 하고, 트릴렌디이소시아네이트나 크실렌디이소시아네이트 등의 이소시아네이트화합물을 중합시킨 고분자 유도체나, 비스페놀계 에폭시 화합물에 디카르본산 무수물화합물이나 아민화합물 등을 중합시킨 고분자 유도체 등을 채용할 수도 있다.

또한, 3-아미노프로필트리메톡시실란이나 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 실란커플링제 등의 규소화합물을 포함한 고분자를 사용함으로써, 음극(50)이나 가스 배리어층(30) 등의 무기 재료와의 계면(界面)의 접착성을 향상시킬 수 있다.

또한, 유기 완충층(210)을 형성하는 재료로서는, 저온에서 경화(硬化)되는 재료가 바람직하고, 메타크릴레이트수지나 에폭시수지 등을 주성분으로 하는 자외선 경화형 수지를 사용할 수도 있다. 자외선 경화형 수지를 사용함으로써, 가열 처리를 행하지 않고 유기 완충층(210)이 성막되므로, 가열에 의한 발광층(60)으로의 악영향을 억제할 수 있다. 이 경우에는, 음극 보호층(55)이 자외선 흡수 재료에 따라 형성되도록 하는 것이 바람직하고, 예를 들면 산화티탄이나 산화아연, 인듐주석산화물(ITO) 등의 에너지 밴드갭이 2∼4eV의 산화물 반도체 재료가 음극 보호층의 적어도 일부에 사용됨으로써 유기 완충층(210)을 투과한 자외선을 음극 보호층(55)으로 흡수시킴으로써, 유기 완충층(210)에 조사(照射)된 자외선이 발광층(60)에 악영향을 끼치는 것을 방지한다. 또한, 경화 수축을 방지하는 미립자 등의 첨가제를 혼입할 수도 있다.

또한, 유기 완충층(210)의 상층부에는, 도 2 내지 도 4에 나타낸 바와 같이, 가스 배리어층(30)이 형성되어 있다.

가스 배리어층(30)은 산소나 수분이 침입하는 것을 방지하기 위한 것이므로, 이에 따라 산소나 수분에 의한 음극(50)이나 발광층(60)의 열화 등을 억제하도록 한 것이다.

또한, 가스 배리어층(30)은 예를 들면 무기 화합물로 이루어진 것으로, 바람직하게는 규소화합물, 즉 규소질화물이나 규소산질화물, 규소산화물 등에 의해 형성된다. 또한, 수증기 등의 가스를 차단하기 위해 치밀하고 결함이 없는 피막으로 할 필요가 있고, 적합하게는 저온에서 치밀한 막을 형성할 수 있는 고밀도 플라즈 마 성막법을 사용하여 형성한다. 또한, 규소화합물 이외에도, 예를 들면 알루미늄산화물이나 산화탄탈륨, 산화티타늄, 또는 다른 세라믹스 등으로 이루어질 수도 있다.

또한, 가스 배리어층(30)으로서는, 적층 구조로 할 수도 있고, 그 조성을 불균일하게 해서 특히 그 산소 농도가 연속적으로, 또는 비연속적으로 변화된 구성으로 할 수도 있다.

또한, 이러한 가스 배리어층(30)의 두께로서는, 30nm 이상, 1000nm 이하인 것이 바람직하다. 30nm 미만이면, 막의 결함이나 막 두께의 불균일 등에 의해 부분적으로 관통(貫通) 구멍이 형성되어, 가스 배리어성이 손상될 우려가 있기 때문이며, 1000nm를 초월하면, 응력에 의한 깨짐이 발생할 우려가 있기 때문이다.

또한, 본 실시예에서는 톱 이미션형으로 하는 것으로부터, 가스 배리어층(30)은 투광성을 가질 필요가 있고, 따라서 그 재질이나 막 두께를 적절하게 조정 함으로써, 본 실시예에서는 가시광선 영역에서의 광선 투과율을 예를 들면 80% 이상으로 하고 있다.

또한, 가스 배리어층(30)의 외주 영역 위에는, 도 2 내지 도 4에 나타낸 바와 같이, 셸 보강층(212)이 형성되어 있다.

셸 보강층(212)은 유기 완충층(210)의 외주 영역, 특히 측면단부에 발생하는 응력으로부터 가스 배리어층(30)의 파괴(크랙의 발생)를 막는 것이다. 즉, 유기 완충층(210)이 열변형에 의해 팽창, 수축했을 때에, 가스 배리어층(30)에 크랙이 발생하지 않도록, 가스 배리어층(30)을 외측으로부터 보강하는 기능을 갖는다. 또 한, 가스 배리어층(30)의 외주 영역은 비교적 막 두께가 얇아지기 쉬운 영역이며, 게다가 고온다습 환경 하에서는, 구조적으로 수분이 집중되기 쉬운 영역이다. 가스 배리어층(30)의 이러한 영역을 셸 보강층(212)으로 덮음으로써, 가스 배리어층(30)에 직접 물방울이 부착되지 않고, 결로(結露)된 물방울이 확산되면서 가스 배리어층(30)을 펴 넓혀서 파괴하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.

셸 보강층(212)을 형성하는 재료로서는, 에폭시수지 등의 수지 재료를 사용한다. 또한, 불소 원자를 포함한 유기 화합물 등 표면 에너지가 낮은 방수성 재료를 사용함으로써 내수성의 향상과 보호층(204)을 액상으로 도포 형성할 때의 돌출 방지도 된다.

또한, 셸 보강층(212)에는, 미립자(213)를 첨가(함유)하는 것이 바람직하다(도 5 참조). 미립자(213)를 함유시킴으로써, 셸 보강층(212)을 형성하는 수지 재료의 유동성을 조정할 수 있다. 또한, 셸 보강층(212)이 미립자(213)를 함유함으로써, 피막 형성 시나 온도 변화에 대하여 체적 변화를 일으키기 어려워지고, 가스 배리어층(30)으로의 부담을 경감시킬 수 있다.

미립자(213)로서는, 유기 고분자 재료 또는 무기 산화물 재료, 예를 들면 폴리에스테르나 PMMA(폴리메틸메타크릴레이트), 실리카나 알루미나가 바람직하다. 또한, 미립자(213)는 셸 보강층(212)의 재료와 상용(相容)하기 쉽도록 커플링 처리 등의 표면 처리가 실시된다.

또한, 유기 완충층(210)에도, 미립자(213)(도 5 참조)를 함유시킬 수도 있다. 이 경우에는, 미립자(213)의 직경은 10nm 내지 1000nm 정도의 입경을 갖고, 유기 완충층(210)에 10% 내지 70%의 함유율로 첨가된다. 이에 따라, 미립자(213)가 유기 격벽층(221)의 개구부(221a) 등의 단차(段差)에 유입되어, 극간 없는 양호한 층을 형성할 수 있다. 게다가, 대략 동일 지름의 미립자(213)를 함유시킴으로써, 유기 완충층(210) 상면을 평탄화시킬 수 있다. 미립자(213)는 보다 많이 첨가시키는 것이 바람직하지만, 함유율이 80%를 초과하면, 막으로서의 강도를 유지할 수 없게 되는 경우가 있으므로 피해야 한다. 또한, 미립자(213)는, 굴절율(n)이 1.2 내지 2.0 정도의 재료로 구성되는 것이 바람직하다. 유기 완충층(210)(예를 들면, 비정질 폴리올레핀 n=1.53)과 상이한 굴절율(n)을 갖는 미립자(예를 들면, 실리카 미립자 n=1.46)가 연쇄함으로써, 광학 도파로를 형성하고, 발광층(60)으로부터의 빛의 추출 효율을 향상시킬 수 있다.

또한, 미립자(213)의 입경은 반드시 균일할 필요는 없고, 입경이 상이한 입자로 구성할 수도 있다. 예를 들면, 셸 보강층(212)에 함유되는 미립자(213)의 입경은 1000nm로 하고, 유기 완충층(210)에 함유되는 미립자의 입경은 10nm로 할 수도 있다.

여기서, 유기 완충층(210)의 단부(외주 영역)의 구조에 대해서, 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 도 3 및 도 4에서의 유기 완충층(210)의 단부(외주 영역)를 나타낸 확대도이다.

유기 완충층(210)은 음극 보호층(55) 위에 형성되도록 되어 있고, 그 단부에서는 음극 보호층(55)의 표면과 접촉각(α)으로 접촉되어 있다. 여기서, 접촉각(α)은 45°이하이며, 보다 바람직하게는 1° 내지 20°정도인 것이 바람직하다.

이와 같이 유기 완충층(210)이 형성됨으로써, 이 유기 완충층(210)의 상층에 형성된 가스 배리어층(30)이나 셸 보강층(212)은 유기 완충층(210)의 형상을 모방하여 형성된다. 이에 따라, 가스 배리어층(30)의 단부에 급격한 형상 변화가 없어지고, 완만하게 형상이 변화되므로, 응력 집중에 의한 크랙 등의 결함 발생을 방지할 수 있다. 즉, 가스 배리어층(30) 및 셸 보강층(212)을 유기 완충층(210) 위에 배치함으로써, 가스 배리어층(30)에서의 응력 집중에 의한 크랙 등의 결함 발생을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 가스 배리어층(30)이 유기 완충층(210)의 외측 영역까지 배치됨으로써, 장기간에 걸쳐 밀봉 능력을 유지하는 것이 가능해진다.

또한, 셸 보강층(212)은 적어도 가스 배리어층(30)의 외주 영역을 덮고, 가스 배리어층(30)의 측면단부를 노출시키지 않도록 형성된다. 가스 배리어층(30)의 외주 영역에는 크랙 등이 발생하기 쉬우므로, 이 영역을 셸 보강층(212)에 의해 보강함으로써 크랙 등의 발생을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 가스 배리어층(30)이 기체(200)로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 가스 배리어층(30)의 상층부에는, 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 가스 배리어층(30)을 덮는 보호층(204)이 설치된다. 이 보호층(204)은 가스 배리어층(30)측에 설치된 접착층(수지 접착층)(205)과 표면 보호 기판(보호 기체)(206)으로 이루어진다.

접착층(205)은 가스 배리어층(30) 위에 표면 보호 기판(206)을 고정시키면서 외부로부터의 기계적 충격에 대하여 완충 기능을 갖고, 발광층(60)이나 가스 배리 어층(30)의 보호를 하는 것이다. 상기 접착층(205)에 표면 보호 기판(206)이 접합됨으로써, 보호층(204)이 형성되어 있다.

접착층(205)은, 예를 들면 우레탄계, 아크릴계, 에폭시계, 폴리올레핀계 등의 액상 재료를 경화시킨 수지로, 표면 보호 기판(206)보다 유연하고 유리 전이점(轉移點)이 낮은 재료로 이루어진 접착제에 의해 형성된 것이다. 또한, 투명 수지 재료가 바람직하다. 또한, 저온에서 경화시키기 위해 경화제를 첨가한 2액 혼합형의 재료에 의해 형성된 것일 수도 있다.

또한, 이러한 접착층(205)에는, 실란커플링제 또는 알콕시실란을 첨가해 두는 것이 바람직하고, 이와 같이 하면, 형성된 접착층(205)과 가스 배리어층(30)의 밀착성이 보다 양호해지고, 따라서 기계적 충격에 대한 완충 기능이 높아진다.

또한, 특히 가스 배리어층(30)이 규소화합물로 형성되어 있는 경우 등에서는, 실란커플링제나 알콕시실란에 의해 이 가스 배리어층(30)의 밀착성을 향상시킬 수 있고, 따라서 가스 배리어층(30)의 가스 배리어성을 높일 수 있다.

또한, 접착층(205)에는, 필러 등을 첨가(함유)하여, 탄성율을 조정하는 것이 바람직하다.

표면 보호 기판(206)은 접착층(205) 위에 설치되어, 보호층(204)의 표면측을 구성하는 것이며, 내압성이나 내마모성, 외부 광반사 방지성, 가스 배리어성, 자외선 차단성, 색파장 변환 등의 기능의 적어도 하나를 갖고 이루어진 층이다.

표면 보호 기판(206)의 재질은 유리, DLC(다이아몬드라이크카본)층, 투명 플라스틱, 투명 플라스틱 필름이 채용된다. 여기서, 플라스틱 재료로서는, 예를 들 면, PET, 아크릴, 폴리카보네이트, 폴리올레핀 등이 채용된다. 또한, 상기 표면 보호 기판(206)에는, 자외선 차단/흡수층이나 광반사 방지층, 방열층, 렌즈, 색파장 변환(컬러 필터)층이나 미러 등의 광학 구조가 설치될 수도 있다.

또한, 이 예의 EL 표시 장치에서는, 톱 이미션형으로 할 경우에 표면 보호 기판(206), 접착층(205)을 동시에 투광성의 것으로 할 필요가 있지만, 보텀 이미션형으로 할 경우에는 그 필요는 없다.

다음에, 본 실시예에 따른 EL 표시 장치(1)의 제조 방법의 일례를 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한다. 도 6 및 도 7에 나타낸 각 단면도는 도 2 중의 A-B선의 단면도에 대응된 도면이다.

또한, 본 실시예에서는, 발광 장치로서의 EL 표시 장치(1)가 톱 이미션형인 경우이며, 또한 기판(20)의 표면에 회로부(11)를 형성시키는 공정에 대해서는 종래 기술과 바뀌지 않았으므로 설명을 생략한다.

우선, 도 6의 (a)에 나타낸 바와 같이, 표면에 회로부(11)가 형성된 기판(20)의 전면을 덮도록, 화소 전극(23)으로 이루어진 도전막을 형성하고, 또한 이 투명 도전막을 패터닝함으로써, 제 2 층간 절연층(284)의 컨택트홀(23a)을 통해서 드레인 전극(244)과 도통하는 화소 전극(23)을 형성함과 동시에, 더미 영역의 더미 패턴(26)도 형성한다.

또한, 도 3 및 도 4에서는, 이들 화소 전극(23), 더미 패턴(26)을 총칭해서 화소 전극(23)이라고 한다. 더미 패턴(26)은 제 2 층간 절연층(284)을 통해서 하층의 메탈 배선에 접속하지 않는 구성으로 된다. 즉, 더미 패턴(26)은,섬 형상으 로 배치되고, 실표시 영역에 형성되어 있는 화소 전극(23)의 형상과 거의 동일한 형상을 갖는다. 물론, 표시 영역에 형성되어 있는 화소 전극(23)의 형상과 상이한 구조일 수도 있다. 또한, 이 경우, 더미 패턴(26)은 적어도 구동 전압 도통부(310)(340)의 위쪽에 위치한 것도 포함한다.

다음에, 도 6의 (b)에 나타낸 바와 같이, 화소 전극(23), 더미 패턴(26) 위, 및 제 2 층간 절연막 위에 절연층인 친액성 제어층(25)을 형성한다. 또한, 화소 전극(23)에서는 일부가 개구된 형태로 친액성 제어층(25)을 형성하고, 개구부 (25a)(도 3도 참조)에서 화소 전극(23)으로부터의 정공 이동이 가능하게 되어 있다. 반대로, 개구부(25a)를 설치하지 않은 더미 패턴(26)에서는, 절연층(친액성 제어층)(25)이 정공 이동 차폐층으로 되어 정공 이동이 발생하지 않는 것으로 되어 있다. 계속해서, 친액성 제어층(25)에서, 상이한 2개의 화소 전극(23) 사이에 위치하여 형성된 오목부에 BM(블랙 매트릭스)(도시 생략)을 형성한다. 구체적으로는, 친액성 제어층(25)의 오목부에 대하여, 금속 크롬을 사용하여 스퍼터링법으로 성막한다.

그리고, 도 6의 (c)에 나타낸 바와 같이, 친액성 제어층(25)의 소정 위치, 상세하게는 상술한 BM을 덮도록 유기 격벽층(221)을 형성한다. 구체적인 유기 격벽층의 형성 방법으로서는, 예를 들면 아크릴수지, 폴리이미드수지 등의 레지스트를 용매로 용해한 것을, 스핀 코팅법, 딥 코팅법 등의 각종 도포법에 의해 도포하여 유기질층을 형성한다. 또한, 유기질층의 구성 재료는 후술하는 잉크의 용매에 용해되지 않고, 게다가 에칭 등에 의해 패터닝하기 쉬운 것이면 어떤 것이라도 좋 다.

또한, 유기질층을 포토리소그래피기술, 에칭기술을 사용하여 패터닝하고, 유기질층에 개구부(221a)를 형성함으로써, 개구부(221a)에 벽면을 갖는 유기 격벽층(221)을 형성한다. 여기서, 개구부(221a)를 형성하는 벽면에 대해서, 기체(200) 표면에 대한 각도를 110도 이상 170도 이하로 되도록 형성한다.

또한, 이 경우, 유기 격벽층(221)은 적어도 구동 제어 신호 도통부(320)의 위쪽에 위치한 것을 포함한다.

다음에, 유기 격벽층(221)의 표면에, 친액성을 나타낸 영역과, 발액성을 나타낸 영역을 형성한다. 본 실시예에서는, 플라즈마 처리에 의해 각 영역을 형성한다. 구체적으로는, 플라즈마 처리를, 예비 가열 공정과, 유기 격벽층(221)의 상면 및 개구부(221a)의 벽면 및 화소 전극(23)의 전극면(23c), 친액성 제어층(25)의 상면을 각각 친액성으로 하는 친잉크화 공정과, 유기 격벽층(221)의 상면 및 개구부(221a)의 벽면을 발액성으로 하는 발잉크화 공정과, 냉각 공정으로 구성한다.

다음에, 정공 수송층 형성 공정에 의해 정공 수송층(70)의 형성을 행한다. 이 정공 수송층 형성 공정에서는, 예를 들면 잉크젯법 등의 액적 토출법이나, 스핀 코팅법 등에 의해 정공 수송층 재료를 전극면(23c) 위에 도포하고, 그 후에 건조 처리 및 열처리를 행하여, 전극(23) 위에 정공 수송층(70)을 형성한다.

다음에, 발광층 형성 공정에 의해 발광층(60)의 형성을 행한다. 이 발광층 형성 공정에서는, 예를 들면 잉크젯법에 의해 발광층 형성 재료를 정공 수송층(70) 위에 토출하고, 그 후 건조 처리 및 열처리를 행함으로써, 유기 격벽층(221)에 형 성된 개구부(221a) 내에 발광층(60)을 형성한다. 이 발광층 형성 공정에서는, 정공 수송층(70)의 재용해를 방지하기 위해, 발광층 형성 재료에 사용하는 용매로서, 정공 수송층(70)에 대하여 용해되지 않는 무극성 용매를 사용한다.

다음에, 도 7의 (a)에 나타낸 바와 같이, 음극층 형성 공정에 따라 음극(50)의 형성을 행한다. 이 음극층 형성 공정에서는, 예를 들면 진공 증착법이나 이온 도금법 등의 물리 기상 성장법에 의해 불화리튬이나 칼슘, 마그네슘 등의 전자 주입층과, 전기 저항을 낮추는 ITO 등의 금속 산화물 도전층을 성막하여, 음극(50)으로 한다. 이 때, 이 음극(50)에 대해서는, 발광층(60)과 유기 격벽층(221)의 상면을 덮는 것은 물론, 유기 격벽층(221)의 외측부를 형성하는 벽면에 대해서도 이를 덮는 상태로 되도록 형성한다.

다음에, 음극(50) 위에 질화 규소 또는 산질화 규소로부터 이루어진 음극 보호층(55)을 형성한다. 상기 음극 보호층(55)을 형성하는 방법으로서는, 이온 도금법 등의 물리 기상 성장법을 사용하는 것이 바람직하다.

다음에, 도 7의 (b)에 나타낸 바와 같이, 유기 완충층(210)은 액상법, 즉 습식 프로세스에 의해 형성된다.

유기 완충층(210)을 형성하는 방법으로서는, 잉크젯법, 슬릿 코팅법, 커튼 코팅법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법 등의 방법을 채용할 수 있다. 또한, 이들의 도포 분위기는, 기포를 원인으로 한 막 결함을 발생시키지 않도록 하는 100∼10000Pa 범위의 감압(減壓) 분위기 하에서 도포하는 것이 바람직하고, 예를 들면 감압 분위기 하에서의 스크린 인쇄법이 바람직하다.

또한, 유기 완충층(210)이 평탄성과 패터닝성을 양립시키기 위해, 도포 시의 점도는 100∼10000mPa·s가 바람직하다. 감압 하에서 형성하기 위해 휘발되기 쉬운 희석 용매를 사용하지 않고, 도포 재료 전부가 가교 반응하여 고분자화되는 재료가 바람직하다.

이들의 점도 조정과 도포 방법에 의해, 유기 완충층(210)의 패턴 단부에서 음극 보호층(55)의 접촉각(α)을 작게 하는 것이 가능하다.

유기 완충층(210)의 막 두께는 평탄화와 요철에 의해 발생하는 응력 완화를 목적으로 하고 있기 때문에, 격벽층이나 화소 격벽의 높이보다도 두껍게 할 필요가 있고, 예를 들면 2∼10㎛ 정도가 바람직하다. 응력은 없는 것이 바람직하지만, 약간 인장(引張) 응력이 발생할 수도 있다. 응력을 아주 적게 하기 위해 탄성율이 10GPa 이하로 낮고 비교적 다공질의 막이 바람직하고 밀도는 0.8∼1.8g/cm3의 범위가 적합하다.

유기 완충층(210)의 도포 후의 경화는 흡습(吸濕)을 방지하면서 감압 분위기 하 또는 질소 등의 불활성 가스 분위기 하에서 50∼80℃의 가열 온도에서 경화된다.

가열의 목적은 경화뿐만 아니라, 일시적으로 점도가 내려가는 것으로 유동성을 얻을 수 있고, 표면의 평탄성이 향상되고, 패턴 단부의 테이퍼 각도를 원하는 각도로 조정한다. 즉, 유기 완충층(210)의 패턴 단부에서, 음극 보호층(55)의 접촉각(α)을 1∼20도로 하는 것이 가능해진다. 그 후의 흡습을 방지하기 위해, 대기 분위기로 되돌리지 않고 다시 진공으로 되돌리고, 다음의 가스 배리어층(30)의 형성 프로세스로 이행하는 것이 바람직하다.

다음에, 유기 완충층(210)을 덮고, 가스 배리어층(30)을 형성한다. 가스 배리어층(30)은 감압 하의 고밀도 플라즈마 성막법 등에 의해 형성되는, 주로 규소질화물 또는 규소산질화물로 이루어진 투명 박막이 바람직하다. 또한, 작은 분자의 수증기를 완전히 차단하기 위해 치밀성을 갖고 있고, 약간의 압축 응력을 갖는 것이 바람직하다. 바람직한 막 밀도는 2.3/cm³ 이상, 탄성율은 100GPa 이상, 막 두께는 무기 완충층과 합쳐서 1000nm 이하로 하는 것이 바람직하고, 50∼500nm가 적합하다.

가스 배리어층(30)의 구체적인 형성 방법으로서는, 먼저 스퍼터링법이나 이온 도금법 등의 물리 기상 성장법으로 성막을 행하고, 다음에 플라즈마 CVD법 등의 화학 기상 성장법으로 성막을 행할 수도 있다. 스퍼터링법이나 이온 도금법 등의 물리 기상 성장법은 일반적으로 이질적인 기판 표면에 대해서도 비교적 밀착성이 좋은 막을 얻을 수 있기 때문에, 가스 배리어층(30)의 형성에 적합하고, 한편 화학 기상 성장법에서는 응력이 적고 스텝 커버리지성이 뛰어나 결함이 적고 치밀하며 양호한 막질(膜質)을 얻을 수 있으므로, 가스 배리어층(30)에 적합하다. 이들 방법은 양산성(量産性)을 고려하여 적시에 선택할 수 있다.

또한, 가스 배리어층(30)은 유기 완충층(210)을 형성한 후에, 대기 분위기로 되돌리지 않고, 진공 분위기에서 연속적으로 형성된다.

또한, 가스 배리어층(30)의 형성에 대해서는, 상술한 바와 같이 동일한 재료 에 의해 단층으로 형성할 수도 있고, 또한 상이한 재료로 복수 층으로 적층하여 형성할 수도 있고, 또는 단층으로 형성하지만, 그 조성(組成)을 막 두께 방향으로 연속적 또는 비연속적으로 변화시키도록 해서 형성할 수도 있다.

또한, 도 7의 (c)에 나타낸 바와 같이, 가스 배리어층(30)의 외주 영역(또는 전면)을 덮고, 셸 보강층(212)을 형성한다. 셸 보강층(212)을 형성하는 방법으로서는, 유기 완충층(210)의 형성 방법과 마찬가지로, 액상법, 즉 습식 프로세스에 의해 형성된다. 또한, 잉크젯법 외에, 슬릿 코팅법, 커튼 코팅법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 노즐 도출(塗出)에 의한 디스펜스법 등의 방법을 채용할 수도 있다.

또한, 셸 보강층(212)은 완만하게 형상이 변화된 가스 배리어층(30)의 외주 영역에 배치되므로, 도포 시의 점도는 고점도인 것이 바람직하고, 예를 들면 1000mPa·s 이상이 바람직하다. 수지 재료로서는, 비교적 저온에서 경화되고, 내수성이 뛰어난 에폭시수지나 불소함유수지가 바람직하다. 디카본산무수물이나 아민화합물 등의 경화 성분을 배합한 2액 혼합 타입으로 할 수도 있다. 점도를 높이기 위해, 셸 보강층(212)을 형성하는 재료에는 미립자(213)가 함유된다.

셸 보강층(212)의 막 두께는, 예를 들면 5∼100㎛ 정도가 바람직하지만, 실장 접속 단자 등의 구조체를 동시에 피복할 경우에는, 그들을 피복할 수 있는 막 두께로 할 수도 있다.

셸 보강층(212)의 도포 후의 경화는 가스 배리어층이 이미 존재하고 있기 때문에 대기 분위기에서 좋고, 50∼80℃의 가열 온도에서 경화된다.

다음에, 가스 배리어층(30) 및 셸 보강층(212) 위에, 접착층(205)과 표면 보호 기판(206)으로 이루어진 보호층(204)을 설치한다(도 3 및 도 4 참조).

접착층(205)은 스크린 인쇄법이나 슬릿 코팅법 등에 의해 가스 배리어층(30) 및 셸 보강층(212) 위에 대략 균일하게 도포되고, 그 위에 표면 보호 기판(206)이 접합될 수 있다.

이와 같이 가스 배리어층(30) 및 셸 보강층(212) 위에 보호층(204)을 설치하면, 표면 보호 기판(206)이 내압성이나 내마모성, 광반사 방지성, 가스 배리어성, 자외선 차단성 등의 기능을 가짐으로써, 발광층(60)이나 음극(50), 게다가 가스 배리어층(30) 및 셸 보강층(212)도 이 표면 보호 기판(206)에 의해 보호될 수 있고, 따라서 발광 소자의 장기 수명화를 도모할 수 있다.

또한, 접착층(205)이 기계적 충격에 대하여 완충 기능을 발휘하므로, 외부로부터 기계적 충격이 가해졌을 경우에, 가스 배리어층(30)이나 이 내측의 발광 소자로의 기계적 충격을 완화하여, 이 기계적 충격에 의한 발광 소자의 기능 열화를 방지할 수 있다.

이상과 같이 하여, EL 표시 장치(1)가 형성된다.

도 8은 보호층(204)의 변형예를 나타낸 단면도이다.

접착층(205)과 표면 보호 기판(206)으로 이루어진 보호층(204)의 형성 영역으로서는, 가스 배리어층(30) 및 셸 보강층(212)을 완전히 덮을 필요는 없고, 셸 보강층(212) 위에 접착층(205)이 약간 중첩되는 정도가 보다 바람직하다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 셸 보강층(212)이 외주 영역에 노출되도록 보호층(204)이 형성 되어 있다.

표면 보호 기판(206)이 대형의 친기판(208)을 복수로 절단 분할(스크라이브)해서 얻어지는 경우에는, 1매의 친기판(208)으로부터 보다 많은 표면 보호 기판(206)을 얻는 것이 가능해진다.

특히, 접착층(205) 위에 친기판(208)을 배치한 후에, 친기판(208)을 절단 분할했다고 해도, 셸 보강층(212)이 가스 배리어층(30)이나 이 내측의 발광 소자로의 기계적 충격을 완화시키므로, 절단 분할에 의한 가스 배리어층(30)의 크랙 발생이나 발광 소자의 기능 열화를 방지할 수 있다.

여기서, 대형의 친기판(208)을 복수로 절단 분할하여, 표면 보호 기판(206)을 얻는 방법에 대해서 간단하게 설명한다.

도 9는 친기판(208)의 분할 방법을 설명하기 위한 도면이다.

도 9의 A에 나타낸 바와 같이, 대형의 기체(200) 위에는, EL 표시 장치(1, 2)가 복수 형성된다. EL 표시 장치(1, 2)에는, 가스 배리어층(30)의 외주 영역을 덮어, 셸 보강층(212)을 형성한다.

또한, 도 9의 B에 나타낸 바와 같이, 가스 배리어층(30)을 덮고, 접착층(205)을 도포한다. 이 때, 접착층(205)은 셸 보강층(212)의 일부를 덮도록 도포함으로써, 가스 배리어층(30)이 노출되지 않도록 한다.

다음에, 도 9의 C에 나타낸 바와 같이, 대형의 기체(200) 위에 형성된 복수의 EL 표시 장치(1, 2) 위에, 대형의 친기판(208)을 배치한다. 그리고, 이 상태에서, 접착층(205)을 경화시킨다.

그리고, 도 9의 D에 나타낸 바와 같이, 대형의 기체(200) 및 대형의 친기판(208)을 소정 위치에서 절단 분할한다. 이 때, 대형의 친기판(208)은 접착층(205)의 외주를 따라 절단 분할한다(삼각 기록 부분에 커터를 눌러 절단한다). 이에 따라, 도 9의 E에 나타낸 바와 같이, 복수의 EL 표시 장치(1, 2)를 얻을 수 있다.

이와 같이, 표면 보호 기판(206)의 협소화가 도모되고 있기(가스 배리어층(30)보다도 좁은 범위에 형성됨) 때문에, 대형의 친기판(208)의 액자 폭을 좁게 할 수 있는 등의 효과에 의해, 1매의 대형의 친기판(208)으로부터 보다 다수의 표면 보호 기판(206)을 얻는 것이 가능해진다. 또한, 친기판(208)의 스크라이브 시에, 접착층(205)과 셸 보강층(212)이 가스 배리어층(30)이나 이 내측의 발광 소자로의 기계적 충격을 완화하므로, 가스 배리어층(30)이나 발광 소자를 손상시키지 않고, 양호한 스크라이브가 실현된다.

[제 2 실시예]

이하, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 EL 표시 장치(2)에 대해서 설명한다. 또한, 본 실시예에서는, 제 1 실시예와 동일한 구성에는 동일한 부호를 첨부하여 설명을 생략한다.

도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 EL 표시 장치(2)의 단면 구조를 나타낸 모식 단면도이다.

EL 표시 장치(2)는 발광층으로서 백색으로 발광하는 백색 발광층(60W)을 채용한 것, 및 표면 보호 기판으로서 컬러 필터 기판(207)을 채용한 것이, 제 1 실시 예의 EL 표시 장치(1)와 상이하다.

백색 유기 발광 재료로서는, 스티릴아민계 발광 재료, 안트라센계 도파민트(청색), 또는 스티릴아민계 발광 재료, 루프렌계 도파민트(황색)가 사용된다.

또한, 백색 발광층(60W)의 하층 또는 상층에, 트리아릴아민(ATP) 다량체 정공 주입층, TDP(트리페닐디아민)계 정공 수송층, 알루미늄퀴놀리놀(Alq3)층(전자 수송층), LiF(전자 주입 버퍼층)를 성막하는 것이 바람직하다.

또한, 제 1 실시예의 EL 표시 장치(1)와 같이 , 발광층(60)을 R, G, B마다 구분할 필요가 없으므로, 백색 발광층(60W)이 유기 격벽층(221)을 넘도록 각 화소 전극(23) 위에 형성되어 있을 수도 있다.

또한, 유기 격벽층(221)의 상면에 보조 전극(64)을 배치할 수도 있다. 보조 전극(64)은 음극(50)보다도 낮은 저항값을 갖고, 음극(50)의 도중 부위를 전기적으로 접속함으로써, 저항값이 높은 음극(50)의 전압 강하를 방지하는 것이다.

또한, 컬러 필터 기판(207)은 기판 본체(207A) 위에 적색 착색층(208R), 녹색 착색층(208G), 청색 착색층(208B) 및 블랙 매트릭스(209)가 형성된 것이다. 그리고, 착색층(208R, 208G, 208B) 및 블랙 매트릭스(209)의 형성면이 접착층(205)을 통하여 기체(200)를 향해서 대향 배치되어 있다. 또한, 기판 본체(207A)의 재질은 제 1 실시예의 표면 보호 기판(206)과 동일한 것을 채용할 수 있다.

또한, 착색층(208R, 208G, 208B) 각각은 화소 전극(23) 위의 백색 발광층(60W)에 대향하여 배치되어 있다. 이에 따라, 백색 발광층(60W)의 발광 광이 착색층(208R, 208G, 208B) 각각을 투과하여, 적색광, 녹색광, 청색광의 각 색광으로서 관찰자측으로 출사하게 되어 있다.

이와 같이, EL 표시 장치(2)에서는, 백색 발광층(60W)의 발광 광을 이용하고, 또한 복수색의 착색층(208)을 갖는 컬러 필터 기판(207)에 의해 컬러 표시를 행하게 되어 있다.

또한, 착색층(208R, 208G, 208B)과 백색 발광층(60W)의 거리는 백색 발광층(60W)의 발광 광이 대향하는 착색층에만 출사되도록 가능한 한 짧은 거리로 하는 것이 요구된다. 이는, 그 거리가 긴 경우에는, 백색 발광층(60W)의 발광 광이 인접하는 착색층에 대하여 출사될 가능성이 높아지기 때문이며, 이를 억제하기 위해 그 거리를 짧게 하는 것이 바람직하다.

구체적으로는, 절연층(284)의 표면으로부터 컬러 필터 기판(207)까지의 간격을 15㎛ 정도로 하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 백색 발광층(60W)의 발광 광은 대향하는 착색층에만 출사하는 것으로 되고, 인접하는 착색층에 발광 광이 새는 것을 억제할 수 있다. 이에 따라 혼색을 억제할 수 있다.

또한, 단색의 백색 발광층(60W)을 이용하고 있으므로, R, G, B마다 발광층을 형성해 나눌 필요가 없다. 구체적으로는, 저분자계의 백색 발광층을 형성하는 마스크 증착(蒸着) 공정이나, 고분자계의 백색 발광층을 형성하는 액적 토출 공정 등에서, 한 종류의 백색 발광층을 한 공정으로 형성하는 것만으로 할 수 있기 때문에, R, G, B마다의 발광층을 형성해 나누는 경우와 비교하여 제조 공정이 용이해진다. 또한, 각 발광층(60)의 수명의 편차를 억제할 수 있다.

또한, EL 표시 장치(2)에서도, 가스 배리어층(30)의 외주 영역(또는 전면)을 덮어, 셸 보강층(212)을 형성한다.

또한, 가스 배리어층(30) 및 셸 보강층(212) 위에, 접착층(205)이 표면 보호 기판(206)으로부터 이루어진 보호층(204)이 설치된다. 보호층(204)의 형성 영역으로서는, 셸 보강층(212)의 외주 영역이 노출되는 정도이면 된다.

이에 따라, 1매의 친기판(208)으로부터 보다 많은 표면 보호 기판(206)을 얻는 것이 가능해진다. 특히, 접착층(205) 위에 친기판(208)을 배치한 후에, 친기판(208)을 스크라이브했다고 해도, 접착층(205)과 셸 보강층(212)이 가스 배리어층(30)이나 이 내측의 발광 소자로의 기계적 충격을 완화하므로, 스크라이브에 의한 가스 배리어층(30)의 크랙 발생이나 발광 소자의 기능 열화를 방지할 수 있다.

또한, 상술한 EL 표시 장치(1, 2)의 실시예에서는 톱 이미션형을 예로 해서 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 보텀 이미션형에도, 또한 양측에 발광 광을 출사하는 타입의 것에도 적용 가능하다.

또한, 보텀 이미션형, 또는 양측에 발광 광을 출사하는 타입의 것으로 한 경우, 기체(200)에 형성하는 스위칭용 TFT(112)나 구동용 TFT(123)에 대해서는, 발광 소자의 바로 아래가 아니라, 친액성 제어층(25) 및 유기 격벽층(221)의 바로 아래에 형성하도록 하고, 개구율을 높이는 것이 바람직하다.

또한, EL 표시 장치(1, 2)에서는 본 발명에서의 제 1 전극을 양극으로서 기능시키고, 제 2 전극을 음극으로서 기능시켰지만, 이들을 반대로 해서 제 1 전극을 음극, 제 2 전극을 양극으로서 각각 기능시키도록 구성할 수도 있다. 단, 그 경우에는, 발광층(60)과 정공 수송층(70)의 형성 위치를 바꿀 필요가 있다.

또한, 본 실시예에서는 발광 장치에 EL 표시 장치(1, 2)를 적용한 예를 나타냈지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 기본적으로 제 2 전극이 기체의 외측에 설치된 것이면, 어떤 형태의 발광 장치에도 적용 가능하다.

다음에, 본 발명의 전자 기기에 대해서 설명한다.

전자 기기는 상술한 EL 표시 장치(1, 2)를 표시부로서 가진 것이며, 구체적으로는 도 11에 나타낸 것을 들 수 있다.

도 11의 (a)는 휴대 전화의 일례를 나타낸 사시도다. 도 11의 (a)에서, 휴대 전화(1000)는 상술한 EL 표시 장치(1)를 사용한 표시부(1001)를 구비한다.

도 11의 (b)는 손목 시계형 전자 기기의 일례를 나타낸 사시도다. 도 11의 (b)에서, 시계(1100)는 상술한 EL 표시 장치(1)를 사용한 표시부(1101)를 구비한다.

도 11의 (c)는 워드프로세서, 퍼스널 컴퓨터 등의 휴대형 정보 처리 장치의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 11의 (c)에서, 정보 처리 장치(1200)는 키보드 등의 입력부(1202), 상술한 EL 표시 장치(1)를 사용한 표시부(1206), 정보 처리 장치 본체(케이싱)(1204)를 구비한다.

도 11의 (d)는 박형 대화면 텔레비전의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 11의 (d)에서, 박형 대화면 텔레비전(1300)은 박형 대화면 텔레비전 본체(케이싱) (1302), 스피커 등의 음성 출력부(1304), 상술한 EL 표시 장치(1)를 사용한 표시부 (1306)를 구비한다.

이와 같이, 도 11의 (a)∼(d)에 나타낸 각각의 전자 기기는 상술한 EL 표시 장치(1, 2)를 갖는 표시부(1001, 1101, 1206, 1306)를 구비하고 있으므로, 표시부의 장기 수명화가 도모된다.

또한, 도 11의 (d)에 나타낸 박형 대화면 텔레비전(1300)은 면적에 관계없이 표시부를 밀봉할 수 있는 본 발명을 적용했으므로, 종래와 비교하여 대면적(예를 들면 대각 20인치 이상)의 표시부(1306)를 구비한 것으로 된다.

또한, EL 표시 장치(1, 2)를 표시부로서 구비하는 경우에 한정되지 않고, 발광부로서 구비한 전자 기기일 수도 된다. 예를 들면, EL 표시 장치(1, 2)를 노광 헤드(라인 헤드)로서 구비하는 페이지 프린터(화상 형성 장치)일 수도 있다.

본 발명에 따르면, 가스 배리어층의 박리나 크랙에 기인한 수분 침입을 억제할 수 있다.

Claims

기체(基體) 위에,

복수의 제 1 전극과,

상기 제 1 전극의 형성 위치에 대응된 복수의 개구부를 갖는 격벽과,

상기 개구부 각각에 배치된 유기 기능층과,

상기 격벽 및 상기 유기 기능층을 덮는 제 2 전극과,

상기 제 2 전극을 덮는 유기 완충층과,

상기 유기 완충층의 패턴 및 그 주위를 덮도록 연장하여 배치된 가스 배리어층과,

상기 유기 완충층의 외주 영역을 덮도록 배치된 셸(shell) 보강층을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 셸 보강층은 상기 유기 완충층의 패턴의 단부(端部) 주변을 덮도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 셸 보강층은 상기 가스 배리어층의 패턴의 외주 영역 및 그 주위를 덮도록 연장하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 제 2 전극을 덮는 전극 보호층을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 가스 배리어층을 덮는 보호층을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 유기 완충층의 단부에서 상기 유기 완충층이 음극 보호층의 표면과 이루는 접촉 각도는 45°이하로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 셸 보강층은 수지(樹脂)로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 7 항에 있어서,

상기 셸 보강층은 미립자를 함유한 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,

상기 셸 보강층과 상기 유기 완충층은 동일한 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 5 항에 있어서,

상기 보호층은 상기 셸 보강층의 외주 영역을 노출시키도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 5 항에 있어서,

상기 보호층은 상기 가스 배리어층을 덮는 접착층과, 표면 보호 기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 장치.
기체 위에,

복수의 제 1 전극을 형성하는 공정과,

상기 제 1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 갖는 격벽을 형성하는 공정과,

상기 개구부 각각에 배치된 유기 기능층을 형성하는 공정과,

상기 격벽 및 상기 유기 기능층을 덮는 제 2 전극을 형성하는 공정과,

상기 제 2 전극을 덮는 동시에 평탄한 상면(上面)이 형성된 유기 완충층을 형성하는 공정과,

상기 유기 완충층을 덮는 가스 배리어층을 형성하는 공정과,

상기 가스 배리어층의 적어도 외주 영역을 덮는 셸 보강층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
제 12 항에 있어서,

상기 셸 보강층을 형성하는 공정은 미립자를 함유한 유기 재료를 상기 가스 배리어층의 적어도 외주 영역에 도포하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,

상기 가스 배리어층 및 상기 셸 보강층을 덮는 보호층을 상기 셸 보강층의 외주 영역을 노출시키도록 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
제 14 항에 있어서,

상기 보호층을 형성하는 공정은,

상기 가스 배리어층 및 상기 셸 보강층의 일부를 덮는 접착층을 형성하는 공정과,

상기 접착층 위에 표면 보호 기판을 배치하는 공정과,

상기 표면 보호 기판을 상기 접착층의 외주(外周)를 따라 절단하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
제 1 항에 기재된 발광 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 전자 기기.