KR100669273B1 - 탄성 표면파 소자의 실장 방법 및 수지 밀봉된 탄성표면파 소자를 갖는 탄성 표면파 장치 - Google Patents

탄성 표면파 소자의 실장 방법 및 수지 밀봉된 탄성표면파 소자를 갖는 탄성 표면파 장치 Download PDF

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Abstract

가열 공정을 단축할 수 있고, 탄성 표면파 소자의 열 파괴를 방지할 수 있으며, 박형(thin profile)화를 가능하게 한 탄성 표면파 장치를 제공한다. 기판과, 압전 기판 위에 형성된 빗형 전극을 갖고, 상기 빗형 전극이 상기 기판에 대향하도록 범프에 의해 상기 기판에 플립 실장된 탄성 표면파 소자와, 상기 탄성 표면파 소자를 피복하는 제1 수지층과, 상기 제1 수지층 상에 형성된 제2 수지층을 포함하고, 상기 제1 수지층 및 제2 수지층은, 가열 과정에서, 연화된 후 경화되는 상태 천이를 일으키는 열경화성 수지이고, 상기 제1 수지층은 상기 제2 수지층보다 연화에 의한 유동성이 큰 수지 재료로 형성되어 있다.
탄성 표면화 소자, 실장, 수지층, 연화, 경화, 빗형 전극

Description

탄성 표면파 소자의 실장 방법 및 수지 밀봉된 탄성 표면파 소자를 갖는 탄성 표면파 장치{MOUNTING METHOD OF SURFACE ACOUSTIC WAVE ELEMENT AND SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE HAVING RESIN-SEALED SURFACE ACOUSTIC WAVE ELEMENT}
본 발명은, 탄성 표면파 소자의 실장 방법 및 이를 이용한 탄성 표면파 장치에 관한 것이다.
탄성 표면파 장치는, 압전 기판 표면에 빗형 전극이 형성된 탄성 표면파 소자를 갖고, 빗형 전극 사이를 탄성 표면파가 전파됨으로써 공진 회로 혹은 필터로서의 전기적 특성을 얻고 있다.
따라서, 탄성 표면파 소자를 탄성 표면파 장치 내부에 봉입하는 경우, 적어도 탄성 표면파 소자의 압전 기판의 빗형 전극이 형성된 면 상에는 공간이 필요하다.
또한, 빗형 전극 상에 먼지나 수분 등이 부착되는 경우, 탄성 표면파의 전파 특성이 변화된다. 이 때문에, 상기 빗형 전극이 형성된 면 상의 공간은 기밀 밀봉되어 있는 것이 바람직하다.
이러한 요구를 만족시키는 하나의 종래 방법으로서, 일본특허공개 2000-124767호 공보에 기재된 기술(이하, 종래 기술이라 함)이 있다. 이러한 종래 기술 에서는, 기판과 탄성 표면파 소자(칩)의 접속에 범프를 이용하여, 이 범프를 개재하여 내측과 외측 영역에 밀봉벽을 설치한 구성이다.
이러한 구성을 고찰하면, 빗형 전극과 범프 사이에 내측 벽을 형성하는 영역이 필요하게 되고, 따라서 탄성 표면파 소자의 소형화라는 관점에서 불리하다.
또한, 기판을 향하는 면과 반대측의 탄성 표면파 소자의 면은 노출되어 신뢰성이 부족하다. 이를 해결하기 위해서, 종래 기술의 실시예로서는 밀봉 케이싱의 안쪽 바닥에 상기의 이중벽 구조에 의해 탄성 표면파 소자를 밀봉하고, 또한 이 밀봉 케이싱을 탄성 표면파 소자가 페이스 업으로 되는 상태에서 기판에 실장하는 구성을 제시하고 있다.
그러나, 이러한 구성으로는 밀봉 개체에 의해서 장치의 크기가 커질 수밖에 없다.
이러한 점을 감안하여, 본 발명자는, 먼저 기판과 압전 기판 상에 형성된 빗형 전극을 갖고, 상기 빗형 전극이 상기 기판에 대향하도록 범프에 의해 상기 기판에 플립 실장된 탄성 표면파 소자와, 상기 탄성 표면파 소자의 범프 주변에 형성된 제1 수지층과, 상기 제1 수지층과 적어도 상기 탄성 표면파 소자의 측면을 피복하는 제2 수지층을 포함하도록 구성되는 탄성 표면파 장치의 구조를 제안하였다(일본특허출원 2000-29880호).
이 탄성 표면파 장치의 단면 구조와 그 제조 공정의 일례를 도 1 및 도 2에 도시한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 압전 기판에 빗형 전극(11)이 형성된 탄성 표면파 소자(10)(C로 표기)와, 관통 홀(21)을 개재하여 전극 패턴을 양면에 갖는 기판(20)(B로 표기)을 준비한다. 이어서, 도 2에 도시한 공정에 따라, 패드 전극부(12)에 의해 빗형 전극(11)이 형성된 면을 기판(20)에 대향하도록 탄성 표면파 소자(10)를 기판(20)에 칩 본딩한다(처리 공정 P1).
다음에, 패드 전극부(12)와 전극 패턴(22) 및 탄성 표면파 소자(10)의 측면을, 제1 수지층 a로 되는 수지 재료를 디스펜서 등에 의해 도포한다(처리 공정 P2). 여기서, 제1 수지층 a로 되는 수지 재료는, 패드 전극부(12)의 내측에 유입되지 않도록 점도가 높은 액상 수지를 이용하고 있다.
이어서, 125℃∼150℃에서 15∼30분간 건조한다(처리 공정 P3). 건조 후에, 제1 수지층 a의 수지 재료에 대하여 보다 유동성이 좋은 제2 수지층 b의 수지 재료를 트랜스퍼 몰드하고, 탄성 표면파 소자(10)를 포함하는 기판(1)의 편면(片面)을 밀봉하여 수지를 열 경화시킨다(처리 공정 P4). 이 때의 가열 조건은, 예를 들어 150℃∼175℃에서 3∼5분간의 가열이다.
또한, 포스트 큐어로서 150℃∼175℃에서 60∼180분간 가열한다(처리 공정 P5).
여기서, 도 1에는 생략되어 있지만, 상기 처리 공정 P1에서 일 기판 상에 복수의 탄성 표면파 소자(10)를 칩 본딩하고, 상기 처리 공정 P2∼P4를 실시함으로써 한번에 복수의 탄성 표면파 장치의 형성이 가능하다.
이 경우, 다이싱에 의해 복수의 탄성 표면파 장치는 개별로 절단된다(처리 공정 P6). 이어서, 개개의 탄성 표면파 장치에 대하여 특성 시험을 행한다(처리 공정 P7). 양품이 선별되어 포장 출하된다(처리 공정 P8).
상기한 바와 같이, 이전의 본 발명자가 제안한 방법에 있어서, 탄성 표면파 소자(10)를 기판(20)에 본딩하는 구성에 의해 저배화(低背化) 및 소형화된 탄성 표면파 장치를 실현할 수 있다. 그러나, 가열에 의한 수지 밀봉을 2번 행할 필요가 있고, 따라서 탄성 표면파 소자(10)를 형성하는 압전 기판이 받는 열 스트레스는 2배가 된다고 하는 문제가 상정된다.
따라서, 본 발명의 목적은, 제조 공정에서 열 스트레스를 2배로 받는다고 하는 이전의 본 발명자에 의한 제안에서의 상기의 문제를 해결한 탄성 표면파 소자의 실장 방법 및 이를 이용한 탄성 표면파 장치를 제공하는 것에 있다.
상기의 과제를 달성하는 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치는, 제1 양태로서, 기판과, 압전 기판 상에 형성된 빗형 전극을 갖고, 상기 빗형 전극이 상기 기판에 대향하도록 범프에 의해 상기 기판에 플립 실장된 탄성 표면파 소자와, 상기 탄성 표면파 소자를 피복하는 제1 수지층과, 상기 제1 수지층 상에 형성된 제2 수지층을 포함하고, 상기 제1 수지층 및 제2 수지층은, 가열 과정에서, 연화된 후 경화되는 상태 천이를 일으키는 열경화성 수지이며, 상기 제1 수지층은 상기 제2 수지층보다 연화에 의한 유동성이 큰 수지 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기의 과제를 달성하는 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치는, 제2 양태로서, 제1 양태에서 상기 제1 수지층은 상기 제2 수지층보다 경화 온도가 높은 수지 재료인 것을 특징으로 한다.
상기의 과제를 달성하는 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치는, 제3 양태로서, 제1 양태에서 상기 제2 수지층은 이형재가 첨가되어 상기 제1 수지층이 연화된 후에 경화되는 상태 천이가 일어난 이후에 박리되는 것을 특징으로 한다.
상기의 과제를 달성하는 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치는, 제4 양태로서, 압전 기판 상에 형성된 빗형 전극을 갖고, 상기 빗형 전극이 하나의 공통 기판에 대향하도록 범프에 의해 상기 공통 기판에 플립 실장된 복수의 탄성 표면파 소자가 각기 절취(cut-out)된 것으로서, 상기 공통 기판에 실장된 상태에서, 상기 복수의 탄성 표면파 소자는, 제1 수지층과, 상기 제1 수지층 상에 형성되는 제2 수지층에 의해 피복되어 있고, 상기 제1 수지층 및 제2 수지층은, 가열 과정에서, 연화된 후 경화되는 상태 천이를 일으키는 열경화성 수지이며, 상기 제1 수지층은 상기 제2 수지층보다 연화에 의한 유동성이 큰 수지 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기의 과제를 달성하는 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치는, 제5 양태로서, 기판과, 압전 기판 상에 형성된 빗형 전극을 갖고, 상기 빗형 전극이 상기 기판에 대향하도록 범프에 의해 상기 기판에 플립 실장된 탄성 표면파 소자와, 상기 탄성 표면파 소자를 둘러싸도록 상기 기판에 적층된 내열성의 적층 프레임과, 상기 탄성 표면파 소자를 피복하기 위한 수지층을 포함하고, 상기 수지층은, 가열 과정에서, 연화된 후 경화되는 상태 천이를 일으키는 열경화성 수지이며, 상기 수지층은, 더욱 가열됨으로써, 상기 탄성 표면파 소자의 측면과 상기 적층 프레임의 상면에 밀착하여 상기 빗형 전극을 밀봉하고 있는 것을 특징으로 한다.
상기의 과제를 달성하는 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치는, 제6 양태로서, 제5 양태에서 상기 적층 프레임의 상면 중 적어도 일부가 메탈라이즈되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기의 과제를 달성하는 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치는, 제7 양태로서, 제5 양태에서 상기 적층 프레임의 상면 및 상기 탄성 표면파 소자의 상면에 유리 코트 또는 메탈 코트가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기의 과제를 달성하는 본 발명에 따른 탄성 표면파 소자의 실장 방법은, 압전 기판 상에 형성된 빗형 전극을 갖는 탄성 표면파 소자를, 상기 빗형 전극이 기판에 대향하도록 범프에 의해 상기 기판에 플립 실장하고, 가열 과정에서, 연화된 후 경화되는 상태 천이를 일으키는 열경화성 수지인 제1 수지층과 그 위에 형성된 제2 수지층에서 형성되는 수지 시트로서, 상기 제1 수지층은 상기 제2 수지층보다 연화에 의한 유동성이 큰 수지 재료로 형성되는 수지 시트를 상기 탄성 표면파 소자에 접착하고, 소정 온도에서 상기 수지 시트를 가열 압박하여 상기 빗형 전극을 기밀 밀봉하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징은, 이하에 도면에 따라 설명되는 실시예로부터 더욱 분명히 된다.
도 1은 탄성 표면파 장치의 단면 구조를 나타내는 도면.
도 2는 도 1의 탄성 표면파 장치의 제조 공정의 일례를 나타내는 도면.
도 3은 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치의 제1 실시예를 설명하는 단면 구조도.
도 4는 제1 수지층 a의 점도(Pa-s: 종축)의 온도(℃: 횡축)에 대한 변화 특성의 예를 나타내는 도면.
도 5는 제2 수지층 b의 점도(Pa-s: 종축)의 온도(℃: 횡축)에 대한 변화 특성의 예를 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 제2 실시예를 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 제3 실시예를 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 또 다른 몇몇 실시예들을 나타내는 도면.
도 3은, 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치의 제1 실시예를 설명하는 단면 구조를 나타내는 도면으로서, 도 3의 A∼C의 순으로 탄성 표면파 소자(10)의 실장 공정을 나타내고 있다.
도 3의 A에서, 압전 기판에 빗형 전극(11)이 형성되어 구성되는 탄성 표면파 소자(10)와, 관통 홀(21)을 개재하여 전극 패턴을 양면에 갖는 기판(20)을 갖고, 도 2에 도시한 처리 공정 P1과 마찬가지로, 패드 전극부(12)에 의해 빗형 전극(11)이 형성된 면을 기판(20)에 대향하도록 탄성 표면파 소자(10)가 기판(20)에 칩 본딩되어 있다.
또한, 열 유동성이 다른 제1 수지층 a와 제2 수지층 b를 접합시켜 2층 구조로 한 열경화성 수지인 에폭시 수지 시트가 준비된다.
여기서, 실시예로서 기판(20)의 두께는 200㎛이고, 탄성 표면파 소자(10)의 두께는 250㎛이며, 이에 대하여 제1 수지층 a의 두께는 300㎛이고, 제2 수지층 b의 두께는 100㎛ 정도이다.
또한, 가열 과정에서, 제1 수지층 a는 제2 수지층 b보다 먼저 연화하는 열 유동성이 큰 특성을 갖고 있다.
도 3의 B에 도시한 바와 같이, 제1 수지층 a와 제2 수지층 b로 구성되는 에폭시 수지 시트를 가열 롤러에 의해 탄성 표면파 소자(10) 상에 접착한다.
이 때, 제1 수지층 a의 유동화에 의해, 도 3의 B에 도시한 바와 같이, 제1 수지층 a가 탄성 표면파 소자(1O)의 측면을 피복하도록 드리운다.
또한, 충분한 열전도성을 갖는 성형 금속 부재(30)에 의해 100㎏/5㎠의 압력을 부여한 채로, 10분간 150℃의 온도에서 가열한다. 이 때, 제2 수지층 b는 제1 수지층 a와 함께 연화되어 제1 수지층 a를 압박하고, 이에 따라 제1 수지층 a가 기판(20)에 접하여, 패드 전극부(12)까지 피복 상태로 된다. 또, 이 때, 제1 수지층 a의 유동성은 수지가 기판(20)과 탄성 표면파 소자(1) 사이에 침입하지 않을 정도로 선택되어 있다.
그 후, 성형 금형(30)을 벗기고 150℃에서 3시간 포스트 소입(post quenching)을 행한다. 이에 의해, 제1 수지층 a 및 제2 수지층 b는 함께 경화되어, 탄성 표면파 소자(10)의 빗형 전극(11)이 상부에 공간을 갖는 상태에서 기밀 밀봉된다.
도 3에 도시한 본 발명의 실시예에서는, 제1 수지층 a 및 제2 수지층 b에 의한 수지 시트를 이용하여 밀봉을 행함으로써 탄성 표면파 소자(10)에 대한 가열에 의한 스트레스는 1회만으로 되어, 탄성 표면파 장치의 신뢰성을 높이는 것이 가능 하다.
여기서, 상기의 실시예에서의 수지 시트를 구성하는 제1 수지층 a 및 제2 수지층 b에 대하여 고찰한다.
상기의 실시예의 설명에 의해 명확한 바와 같이, 본 발명에 사용되는 제1 수지층 a 및 제2 수지층 b는 모두 비스페놀 기능형 에폭시 수지로서, 가열에 의해 일단 경화 상태로 되고, 더욱 가열을 계속함으로써 경화해 가는 열경화성 수지의 성질을 갖고 있다.
또한, 본 발명의 도 3에 도시한 실시예의 요건으로서, 상기 제1 수지층 a는 제2 수지층 b보다 가열에 의한 점도 저하가 크다. 즉, 열 유동성이 큰 것이다. 이 열 유동성은, 예를 들면 무기질의 필러의 첨가량에 의해 제어 가능하다.
도 4 및 도 5는 제1 수지층 a와 제2 수지층 b의 점도(Pa-s: 종축)의 온도(℃: 횡축)에 대한 변화 특성의 예를 나타내는 도면이다. 도 4에 도시한 제1 수지층 a의 특성과 도 5에 도시한 제2 수지층 b의 특성을 비교하면, 모두 온도의 상승과 함께 점도가 낮게 되지만, 온도 50℃∼110℃의 범위에서, 제1 수지층 a쪽이 제2 수지층 b보다 점도가 낮고 흘러내리기 쉬운 상태로 된다. 즉, 제1 수지층 a쪽이 제2 수지층 b보다 유동성이 큰 것을 알 수 있다.
그리고, 함께 110℃ 이상으로 되면, 점도가 커져서 150℃에서 가열 전의 상온에서의 점도와 거의 마찬가지의 상태로 된다.
이와 같은 제1 수지층 a를 제2 수지층 b보다 유동성이 큰 것으로 하는 특징을 이용하여, 상기한 본 발명에 따른 도 3의 실시예가 실현될 수 있다. 도 6은 본 발명의 제2 실시예를 나타내는 도면이다. 복수의 탄성 표면파 소자(10-1, 10-2)를 도 3의 A와 마찬가지로 칩 본딩에 의해 기판(20)에 탑재하고, 제1 수지층 a와 제2 수지층 b로 이루어지는 수지 시트를 접착하여 성형 금속 부재(30)로 가열 압박한다. 이에 따라, 도 3의 C와 마찬가지의 상태로 된다.
이어서, 도시하지 않은 다이싱 커터로 개별로 분리함으로써 복수의 탄성 표면파 장치가 얻어진다. 분리된 개개의 탄성 표면파 장치에서, 저배화 및 기밀 밀봉이 실현된다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예를 나타내는 도면이다. 이 실시예의 특징은 제2 수지층 b에 왁스 등의 이형제를 첨가하고 있는 점에 특징을 갖는다. 이에 의해, 도 7의 A에 도시한 바와 같이 성형 금형(30)으로 가열 압박하고, 제1 수지층 a를 유동화하여 탄성 표면파 소자(1O)의 측면을 피복 상태로 한다.
이어서, 성형 금형(30)을 벗김으로써, 도 7의 B에 도시한 바와 같이 이형제가 첨가되어 있는 제2 수지층 b를 용이하게 제1 수지층 a로부터 떼어내는 것이 가능하여, 장치의 저배화가 가능하다.
이 실시예에서, 제2 수지층 b는 주로 제1 수지층 a에 대한 열 완충재로서 기능한다. 즉, 성형 금형(30)에 의해 제1 수지층 a를 직접 가열하는 경우에는, 유동화의 속도 및 정도가 커져서 바람직한 형태로 탄성 표면파 소자를 밀봉하는 것이 곤란하게 된다.
이에 대하여, 열 완충재로서의 제2 수지층 b를 개재하여 가열하는 경우에는, 제1 수지층 a를 서서히 가열할 수 있다. 이러한 이유로부터 도 7의 실시예에 사용 되는 제1 수지층 a와 제2 수지층 b는 도 3에 도시한 실시예보다 점도 차가 큰 것이 바람직하다.
도 8은 본 발명의 또 다른 몇몇 실시예들을 나타내는 도면이다. 이 실시예들로는 제1 수지층 a만을 사용하는 예이다.
도 8의 A에서는, 기판(20) 상에 본딩에 의해 탑재된 탄성 표면파 소자(10)의 주위에 세라믹에 의해 적층 프레임(4O)을 먼저 형성한다. 이 상태에서, 이전 실시예와 마찬가지로, 제1 수지층 a를 탄성 표면파 소자(1O)에 접착하고, 성형 금형(30)으로 가열 압박한다.
이에 의해, 제1 수지층 a는 유동화되어, 적층 프레임(40)의 상면과 탄성 표면파 소자(10)의 측면을 피복하고, 빗형 전극(11)을 기밀 밀봉하는 것이 가능하다.
도 8의 B는, 도 8의 A의 실시예를 더욱 개선한 예로서, 도 8의 A에서의 기밀 밀봉을 위해서는 적층 프레임(40)과 제1 수지층 a의 밀착성이 중요하다. 도 8의 B에서는 적층 프레임(40)의 상면에 메탈라이즈층(41)을 형성하고 있다. 이 메탈라이즈층(41)은, 예를 들면 텅스텐을 스퀴징(squeeze)에 의해 인쇄하여, 소성(burning)을 행하여 형성한다. 메탈라이즈층(41)이 형성된 후에, 제1 수지층 a를 가열 유동화한다. 이 때, 메탈라이즈층(41)에 의해 제1 수지층 a와 적층 프레임(4O)의 밀착성(adhesion)이 양호하게 되어, 신뢰성을 높이는 것이 가능하다.
도 8의 C는 또 다른 방법을 나타내는 도면이다. 이 실시예에서는, 탄성 표면파 소자(10)의 상면 및 적층 프레임(40)의 상면에 유리 코트 또는 메탈 코트(42) 를 형성한다. 유리 코트는 SiO2를 스퍼터 증착에 의해, 메탈 코트는 티탄 접착에 의해 형성 가능하다.
도 8의 C의 실시예에서, 특히 유리 코트는 제1 수지층 a와의 밀착성을 향상시켜 내습성을 높이는 것이 가능하다.
이상, 도면에 따라 실시예를 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 가열 공정을 단축할 수 있고, 따라서 탄성 표면파 소자의 열 파괴를 방지하는 것이 가능하다. 또한, 박형(thin profile)화를 가능하게 한 탄성 표면파 장치가 제공된다.

Claims (8)

  1. 탄성 표면파 장치에 있어서,
    기판과,
    압전 기판 상에 형성된 빗형 전극을 갖고, 상기 빗형 전극이 상기 기판에 대향하도록 범프에 의해 상기 기판에 플립 실장된 탄성 표면파 소자와,
    상기 탄성 표면파 소자를 피복하는 제1 수지층과,
    상기 제1 수지층 상에 형성된 제2 수지층
    을 포함하고,
    상기 제1 수지층 및 제2 수지층은,
    각각 가열 과정에서, 연화된 후, 경화되는 상태 천이를 일으켜 열 경화되는 제1 수지 및 제2 수지로서, 연화에 의한 유동성이 상기 제1 수지 쪽이 상기 제2 수지보다 큰, 상기 제1 및 제2 수지의 시트를 상기 탄성 표면파 소자위에 적층 배치하여, 동시에 가열하고, 그 가열에 의해, 상기 복수의 탄성 표면파 소자를 피복하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 수지층은 상기 제2 수지층보다 경화 온도가 높은 수지 재료인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 수지층은 이형재가 첨가되어 상기 제1 수지층이 연화된 후에 경화 되는 상태 천이가 일어난 이후에 박리되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  4. 탄성 표면파 장치에 있어서,
    각각 압전 기판 상에 형성된 빗형 전극을 갖고, 상기 빗형 전극이 하나의 공통 기판에 대향하도록 범프에 의해 상기 공통 기판에 플립 실장된 복수의 탄성 표면파 소자가, 각기 절취(cut-out)된 것으로서,
    상기 공통 기판에 실장된 상태에서, 상기 복수의 탄성 표면파 소자는, 제1 수지층과, 상기 제1 수지층 상에 형성되는 제2 수지층에 의해 피복되어 있고,
    상기 제1 수지층 및 상기 제2 수지층은, 각각 가열 과정에서, 연화된 후 경화되는 상태 천이를 일으켜 열 경화되는 제1 수지 및 제2 수지로서, 연화에 의한 유동성이 상기 제1 수지 쪽이 상기 제2 수지보다 큰, 상기 제1 및 제2 수지의 시트를 상기 탄성 표면파 소자위에 적층 배치하여, 동시에 가열하고, 그 가열에 의해, 상기 복수의 탄성 표면파 소자를 피복하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  5. 탄성 표면파 장치에 있어서,
    기판과,
    압전 기판상에 형성된 빗형 전극을 갖고, 상기 빗형 전극이 상기 기판에 대향하도록 범프에 의해 상기 기판에 플립 실장된 탄성 표면파 소자와,
    상기 탄성 표면파 소자를 둘러싸도록 상기 기판에 적층된 내열성의 적층 프레임과,
    상기 탄성 표면파 소자를 피복하기 위한 수지층
    을 포함하고,
    상기 수지층은, 가열 과정에서, 연화된 후 경화되는 상태 천이를 일으키는 열 경화성 수지의 시트를 상기 탄성 표면파 소자위에 배치하고, 성형 금형으로 상기 열 경화성 수지의 시트에 압력을 가하면서 가열하고, 그 가열에 의해 상기 탄성 표면파 소자의 측면과, 상기 적층 프레임의 상면에 밀착하여 상기 빗형 전극을 밀봉하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 적층 프레임의 상면 중 적어도 일부가 메탈라이즈되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 적층 프레임의 상면 및 상기 탄성 표면파 소자의 상면에 유리 코트 또는 메탈 코트가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  8. 탄성 표면파 소자의 실장 방법에 있어서,
    압전 기판 상에 형성된 빗형 전극을 갖는 탄성 표면파 소자를, 상기 빗형 전극이 기판에 대향하도록 범프에 의해 상기 기판에 플립 실장하는 단계와,
    각각 가열 과정에서, 연화된 후 경화되는 상태 천이를 일으켜 열 경화되는 제1 수지 재료 및 제2 수지 재료로서, 연화에 의한 유동성이 상기 제1 수지 재료 쪽이 상기 제2 수지 재료보다 큰, 제1 수지 시트 및 제2 수지 시트를 상기 탄성 표면파 소자위에 적층해서 접착하는 단계와,
    소정 온도에서 상기 적층해서 접착된 상기 제1 및 제2 수지 시트를 동시에 가열 압박해서 상기 빗형 전극을 기밀 밀봉하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 는 탄성 표면파 소자의 실장 방법.
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