KR100401898B1 - 결정 성장용 기판 및 이를 이용한 기판 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (43)
- 에피택시얼 결정층을 성장시키기 위한 기판으로서,성장하는 상기 에피택시얼 결정층과는 다른 결정계의 하지 기판; 및상기 하지 기판 상에 서로 분리되어 형성된 복수의 섬 형상 결정들을 구비하며,상기 각 섬 형상 결정은, 성장하는 상기 에피택시얼 결정층과 동일한 결정계의 단결정을 구비하고, 상기 단결정은, 각 섬형상 결정의 표면에 노출되어서 상기 에피택시얼 결정층의 성장용 하지로서 사용되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 섬 형상 결정은 상기 하지 기판 상에 형성된 하부 다결정층, 및 상기 하부 다결정층 상에 형성된 상기 에피택시얼 결정층과 동일한 결정계의 상부 단결정층을 구비하는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 섬 형상 결정은 상기 에피택시얼 결정층과 동일한 결정계의 단결정을 주로 구비하는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 하지 기판은 오목/볼록 형상을 가지며, 상기 섬 형상 결정은 상기 오목/볼록 형상의 볼록부 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 하지 기판의 표면에 대한 상기 복수의 섬 형상 결정들의 피복율은 0.1 % 내지 60 % 의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 섬 형상 결정들의 평균 입자크기는 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛ 의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 인접한 섬 형상 결정들 간의 평균 간격은 10 ㎛ 내지 500 ㎛ 의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 섬 형상 결정들의 수 밀도는 10-5개/㎛2내지 10-2개/㎛2의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 에피택시얼 결정층은 Ⅲ족 원소의 질화물계 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판.
- 제 1 항에 따른 결정성장용 하지 기판의 상기 섬 형상 결정 상에 에피택시얼 결정층이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 하지 기판 및 상기 하지 기판 상에 서로 분리되어 형성된 복수의 섬 형상 결정들로 이루어지며, 상기 하지 기판과 다른 결정계의 에피택시얼 결정층을 성장시키기 위한 하지로서 이용되는, 결정성장용 하지 기판의 제조 방법으로서,상기 하지 기판의 표면에 직접 또는 다른 층을 경유하여 상기 에피택시얼 결정층과 동일한 결정계의 버퍼층을 형성하는 공정; 및상기 버퍼층의 일부를 습식 식각하여 섬 형상 영역을 남김으로써, 성장될 상기 에피택시얼 결정층과 동일한 결정계의 단결정층을 포함하는 상기 섬 형상 결정을 형성하는 공정을 구비하며,상기 에피택시얼 결정층의 성장용 하지로서 이용되도록, 상기 단결정을, 각 섬 형상 결정의 표면에 노출시키는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 하지 기판 및 상기 하지 기판 상에 서로 분리되어 형성된 복수의 섬 형상 결정들로 이루어지며 상기 하지 기판과 다른 결정계의 에피택시얼 결정층을 성장시키는 하지로서 이용되는, 결정성장용 하지 기판의 제조 방법으로서,상기 방법은,상기 하지 기판의 표면 상에 직접 또는 다른 층을 경유하여 제 1 성장 온도에서 제 1 버퍼층을 형성하는 공정;상기 제 1 성장 온도보다 높은 제 2 성장 온도에서 상기 에피택시얼 결정층과 동일한 결정계의 제 2 버퍼층을 형성하는 공정; 및상기 제 1 및 제 2 버퍼층들의 일부를 습식 식각하여 섬 형상 영역을 남김으로써, 상기 에피택시얼 결정층과 동일한 결정계의 단결정층을 포함한 상기 섬 형상 결정을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 버퍼층의 습식 식각시, 상기 하지 기판의 노출면의 적어도 일부를 식각하는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 버퍼층의 습식 식각시, 상기 하지 기판의 노출면의 적어도 일부를 식각하는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 하지 기판 및 상기 하지 기판 상에 서로 분리되어 형성된 복수의 섬 형상 결정들로 이루어지며, 상기 하지 기판과는 다른 결정계의 에피택시얼 결정층을 성장시키는 하지로서 이용되는, 결정성장용 하지 기판의 제조 방법으로서,상기 하지 기판의 표면 상에 직접 또는 다른 층을 경유하여 상기 에피택시얼 결정층과 동일한 결정계의 단결정층을 포함한 결정층을 섬 형상으로 퇴적하는 공정을 포함하고,상기 에피택시얼 결정층의 성장용 하지로서 이용되도록, 상기 단결정을, 각 섬 형상 결정의 표면에 노출시키는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 섬 형상 결정을 형성한 후, 상기 하지 기판의 노출면의 적어도 일부를 식각하는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 섬 형상 결정은 상기 하지 기판 상에 형성된 하부 다결정층, 및 상기 하부 다결정층 상에 형성된 상부 단결정층을 구비하는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 섬 형상 결정은 상기 하지 기판 상에 형성된 하부 다결정층, 및 상기 하부 다결정층 상에 형성된 상부 단결정층을 구비하는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 섬 형상 결정은 상기 하지 기판 상에 형성된 하부 다결정층, 및 상기 하부 다결정층 상에 형성된 상부 단결정층을 구비하는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 하지 기판의 표면에 대한 상기 복수의 섬 형상 결정들의 피복율은 0.1 % 내지 60 % 의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 하지 기판의 표면에 대한 상기 복수의 섬 형상 결정들의 피복율은 0.1 % 내지 60 % 의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 하지 기판의 표면에 대한 상기 복수의 섬 형상 결정들의 피복율은 0.1 % 내지 60 % 의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 복수의 섬 형상 결정들의 평균 입자크기는 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛ 의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 복수의 섬 형상 결정들의 평균 입자크기는 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛ 의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 복수의 섬 형상 결정들의 평균 입자크기는 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛ 의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 인접한 섬 형상 결정들 간의 평균 간격은 10 ㎛ 내지 500 ㎛ 의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 인접한 섬 형상 결정들 간의 평균 간격은 10 ㎛ 내지 500 ㎛ 의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 인접한 섬 형상 결정들 간의 평균 간격은 10 ㎛ 내지 500 ㎛ 의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 복수의 섬 형상 결정들의 수 밀도는 10-5개/㎛2내지 10-2개/㎛2의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 복수의 섬 형상 결정들의 수 밀도는 10-5개/㎛2내지 10-2개/㎛2의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 복수의 섬 형상 결정들의 수 밀도는 10-5개/㎛2내지 10-2개/㎛2의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 에피택시얼 결정층은 Ⅲ족 원소의 질화물계 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 에피택시얼 결정층은 Ⅲ족 원소의 질화물계 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 에피택시얼 결정층은 Ⅲ족 원소의 질화물계 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 결정성장용 하지 기판의 제조 방법.
- 제 11 항에 따른 결정성장용 하지 기판의 제조 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 결정 성장용 하지 기판.
- 제 12 항에 따른 결정성장용 하지 기판의 제조 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 결정 성장용 하지 기판.
- 제 15 항에 따른 결정성장용 하지 기판의 제조 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 결정 성장용 하지 기판.
- 기판 제조 방법으로서,제 11 항에 따른 결정성장용 하지 기판의 제조 방법을 이용하여 결정성장용 하지 기판을 제조하는 공정; 및다음으로, 상기 섬 형상 결정과 동일한 결정계의 에피택시얼 성장층을 형성하여 상기 섬 형상 결정을 매립하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법.
- 기판 제조 방법으로서,제 12 항에 따른 결정성장용 하지 기판의 제조 방법을 이용하여 결정성장용 하지 기판을 제조하는 공정; 및다음으로, 상기 섬 형상 결정과 동일한 결정계의 에피택시얼 성장층을 형성하여 상기 섬 형상 결정을 매립하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법.
- 기판 제조 방법으로서,제 15 항에 따른 결정성장용 하지 기판의 제조 방법을 이용하여 결정성장용 하지 기판을 제조하는 공정; 및다음으로, 상기 섬 형상 결정과 동일한 결정계의 에피택시얼 성장층을 형성하여 상기 섬 형상 결정을 매립하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법.
- 제 38 항에 따른 기판 제조 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 39 항에 따른 기판 제조 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 40 항에 따른 기판 제조 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 기판.
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