JP4647020B2 - 窒化物半導体の微細構造の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、窒化物半導体の微細構造の製造方法に関するものである。特に、窒化物半導体内部に微細な構造を形成する製造方法に関するものであって、フォトニック結晶を用いた発光素子などの製造方法に利用される技術に関する。
フォトニック結晶は、光の波長以下の周期で屈折率が変調した微細構造である。
中でも、可視域で機能するフォトニック結晶は、大きさが数十〜百数十nmオーダーの複数の微細空孔で構成される。
そのフォトニック結晶が、半導体内部に埋め込まれた構造である場合、高度な製造技術が必要となる。
その一方で、埋め込まれたフォトニック結晶を挟持している半導体層に、他の半導体層や電極を積層することが可能となるため、積層方向に電流注入が可能なフォトニック結晶光デバイスが実現できるという利点がある。
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特許文献1には、マストランスポート現象を利用し、窒化物半導体内部に微細空孔を形成する技術が開示されており、窒化物半導体のフォトニック結晶面発光レーザの作製法も開示されている。
その具体的な手法は以下のとおりである。
まず、EBリソグラフィとドライエッチングにより、窒化物半導体の表面に孔を形成する。
ドライエッチングの際には、SiO2ハードマスクを使用している。
次に、上記孔を形成した後、ハードマスクを除去し、窒素を含む雰囲気下において1000℃で熱処理する。
その結果、表面原子のマストランスポートが生じ、最終的に、孔の上部が塞がり空孔が形成される。
そして、フォトニック結晶の上に、活性層を含むレーザ構造をエピタキシャル成長させ、窒化物半導体の面発光レーザを作製している。
その具体的な手法は以下のとおりである。
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その結果、表面原子のマストランスポートが生じ、最終的に、孔の上部が塞がり空孔が形成される。
そして、フォトニック結晶の上に、活性層を含むレーザ構造をエピタキシャル成長させ、窒化物半導体の面発光レーザを作製している。
フォトニック結晶の光学特性は、孔のサイズと形状に依存する。
設計通りの特性をもつフォトニック結晶デバイスを得るには、精度良く孔のサイズと形状を制御する必要がある。
すなわち、製造工程のなかで、孔のサイズが大きく変動するようでは、良好な光学特性をもつフォトニック結晶を得ることは難しい。
半導体表面に孔を形成するエッチング工程での半導体エッチング技術は確立されたものであり、この製造工程においては孔のサイズや面内のばらつきは精度良く制御することができる。
設計通りの特性をもつフォトニック結晶デバイスを得るには、精度良く孔のサイズと形状を制御する必要がある。
すなわち、製造工程のなかで、孔のサイズが大きく変動するようでは、良好な光学特性をもつフォトニック結晶を得ることは難しい。
半導体表面に孔を形成するエッチング工程での半導体エッチング技術は確立されたものであり、この製造工程においては孔のサイズや面内のばらつきは精度良く制御することができる。
しかしながら、特許文献1に開示されている手法では、半導体表面に孔を形成するエッチング工程に続く熱処理工程後において、孔のサイズが熱処理工程前の孔のサイズよりも大きくなるという課題を有している。
そこで、本発明は、半導体のエッチング工程で精密に制御して形成した孔のサイズを、熱処理工程を施した後においても大きく変動させることなく、半導体の内部に空孔を含む微細構造の形成が可能となる窒化物半導体の微細構造の製造方法の提供を目的とする。
本発明は、つぎのように構成した窒化物半導体の微細構造の製造方法を提供するものである。
本発明の窒化物半導体の微細構造の製造方法は、
前記窒化物半導体の主面に形成された細孔と、該細孔を除く該窒化物半導体の主面を覆う熱処理用マスクと、を備えた半導体構造を用意する工程と、
前記半導体構造を用意する工程の後に、前記半導体構造を窒素元素を含む雰囲気下で熱処理し、前記細孔の側壁の少なくとも一部に前記窒化物半導体の結晶面を形成する第一熱処理工程と、
前記第一熱処理工程の後に、前記熱処理用マスクを除去する工程と、
前記熱処理用マスクを除去する工程の後に、前記半導体構造を窒素元素を含む雰囲気下で熱処理し、前記側壁に結晶面が形成された前記細孔の上部を窒化物半導体で塞ぐ第二熱処理工程と、を有することを特徴とする。
本発明の窒化物半導体の微細構造の製造方法は、
前記窒化物半導体の主面に形成された細孔と、該細孔を除く該窒化物半導体の主面を覆う熱処理用マスクと、を備えた半導体構造を用意する工程と、
前記半導体構造を用意する工程の後に、前記半導体構造を窒素元素を含む雰囲気下で熱処理し、前記細孔の側壁の少なくとも一部に前記窒化物半導体の結晶面を形成する第一熱処理工程と、
前記第一熱処理工程の後に、前記熱処理用マスクを除去する工程と、
前記熱処理用マスクを除去する工程の後に、前記半導体構造を窒素元素を含む雰囲気下で熱処理し、前記側壁に結晶面が形成された前記細孔の上部を窒化物半導体で塞ぐ第二熱処理工程と、を有することを特徴とする。
本発明によれば、半導体のエッチング工程で精密に制御して形成した孔のサイズを、熱処理工程を施した後においても大きく変動させることなく、半導体の内部に空孔を含む微細構造の形成が可能となる窒化物半導体の微細構造の製造方法を実現することができる。
つぎに、本発明の実施形態における窒化物半導体の微細構造の製造方法について説明する。
[実施形態1]
図1を用いて、本発明を適用した実施形態1における窒化物半導体の微細構造の製造方法を説明する。
(窒化物半導体層の結晶成長工程)
まず、基板上に窒化物半導体層を形成する工程である窒化物半導体層の結晶成長工程について説明する。
図1(a)に示すように、基板101上に窒化物半導体である第一窒化物半導体層102が積層される。
基板101は、例えば、六方晶であり、より具体的には、GaN、サファイア、SiCのいずれかであることが好ましい。
第一窒化物半導体層102は、例えば、AlN、AlGaN、GaN、InGaN、InNのいずれかの窒化物半導体である。
なお、本実施形態1においては、基板101はGaN基板、第一窒化物半導体層101はGaNである。
第一窒化物半導体層102は、基板101上に、例えば有機金属気層成長(MOVPE)法によって成長される。なお、本実施形態においては、第一窒化物半導体層102の主面103は(0001)面である。
[実施形態1]
図1を用いて、本発明を適用した実施形態1における窒化物半導体の微細構造の製造方法を説明する。
(窒化物半導体層の結晶成長工程)
まず、基板上に窒化物半導体層を形成する工程である窒化物半導体層の結晶成長工程について説明する。
図1(a)に示すように、基板101上に窒化物半導体である第一窒化物半導体層102が積層される。
基板101は、例えば、六方晶であり、より具体的には、GaN、サファイア、SiCのいずれかであることが好ましい。
第一窒化物半導体層102は、例えば、AlN、AlGaN、GaN、InGaN、InNのいずれかの窒化物半導体である。
なお、本実施形態1においては、基板101はGaN基板、第一窒化物半導体層101はGaNである。
第一窒化物半導体層102は、基板101上に、例えば有機金属気層成長(MOVPE)法によって成長される。なお、本実施形態においては、第一窒化物半導体層102の主面103は(0001)面である。
(エッチングマスクの形成工程)
つぎに、エッチングマスクの形成工程について説明する。
図1(b)は、図1(a)の工程に続いて、第一窒化物半導体層102の主面103に細孔104を形成するためのエッチングマスク105を形成する工程を説明する図である。
以下、図1(b)の工程を順に説明する。
第一窒化物半導体層102の主面103に、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)によってエッチングマスク105の材料を成膜する。
エッチングマスク105の材料は、例えば、加工が容易な、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンのいずれかであることが好ましい。
なお、本実施形態において、エッチングマスク105の材料は、酸化シリコンである。
また、エッチングマスクの成膜手法は、スパッタや電子ビーム蒸着であっても良い。
続いて、エッチングマスク105に、開口部106を形成する。開口部106の形成は、フォトリソグラフィとエッチングを用いる。
なお、リソグラフィは、電子ビームリソグラフィ、または、ナノインプリントリソグラフィであっても良い。
開口部106のエッチングは、ウェットエッチング、またはドライエッチングのどちらでも良いが、開口部106のサイズ制御性を良くするためには、ICP(Inductively Coupled Plasma)によるドライエッチングが好ましい。
なお、本実施形態における開口部106は、直径1μmの円形である。
つぎに、エッチングマスクの形成工程について説明する。
図1(b)は、図1(a)の工程に続いて、第一窒化物半導体層102の主面103に細孔104を形成するためのエッチングマスク105を形成する工程を説明する図である。
以下、図1(b)の工程を順に説明する。
第一窒化物半導体層102の主面103に、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)によってエッチングマスク105の材料を成膜する。
エッチングマスク105の材料は、例えば、加工が容易な、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンのいずれかであることが好ましい。
なお、本実施形態において、エッチングマスク105の材料は、酸化シリコンである。
また、エッチングマスクの成膜手法は、スパッタや電子ビーム蒸着であっても良い。
続いて、エッチングマスク105に、開口部106を形成する。開口部106の形成は、フォトリソグラフィとエッチングを用いる。
なお、リソグラフィは、電子ビームリソグラフィ、または、ナノインプリントリソグラフィであっても良い。
開口部106のエッチングは、ウェットエッチング、またはドライエッチングのどちらでも良いが、開口部106のサイズ制御性を良くするためには、ICP(Inductively Coupled Plasma)によるドライエッチングが好ましい。
なお、本実施形態における開口部106は、直径1μmの円形である。
(細孔の形成工程)
つぎに、細孔の形成工程について説明する。
図1(c)は、図1(b)の工程に続いて、第一窒化物半導体層102をエッチングし、細孔104を形成する工程を説明する図である。
細孔104を形成する工程は、ウェットエッチング、または、ドライエッチングのどちらでも良いが、細孔104のサイズの制御性を良くするためには、ICPによるドライエッチングであることが好ましい。
細孔104を形成するためのドライエッチング工程に使用するプラズマ組成は、例えば、Cl、Br、Iのいずれかの元素を含む。
より具体的には、Cl2、BCl3、HBr、HI、HClのいずれかのガスと、He、Ar、Xe、N2のいずれかのガスとの混合ガスプラズマであることが好ましい。
図1(a)から図1(c)までの工程により、第一窒化物半導体層102の主面103に形成された細孔104と、細孔104が形成された場所以外の第一窒化物半導体102の主面103に設けられたマスクとを有する半導体構造100が用意できる。
なお、本実施形態における細孔104は、上部が直径1μmの円形であり、深さは2.5μmである。
つぎに、細孔の形成工程について説明する。
図1(c)は、図1(b)の工程に続いて、第一窒化物半導体層102をエッチングし、細孔104を形成する工程を説明する図である。
細孔104を形成する工程は、ウェットエッチング、または、ドライエッチングのどちらでも良いが、細孔104のサイズの制御性を良くするためには、ICPによるドライエッチングであることが好ましい。
細孔104を形成するためのドライエッチング工程に使用するプラズマ組成は、例えば、Cl、Br、Iのいずれかの元素を含む。
より具体的には、Cl2、BCl3、HBr、HI、HClのいずれかのガスと、He、Ar、Xe、N2のいずれかのガスとの混合ガスプラズマであることが好ましい。
図1(a)から図1(c)までの工程により、第一窒化物半導体層102の主面103に形成された細孔104と、細孔104が形成された場所以外の第一窒化物半導体102の主面103に設けられたマスクとを有する半導体構造100が用意できる。
なお、本実施形態における細孔104は、上部が直径1μmの円形であり、深さは2.5μmである。
(第一熱処理工程)
つぎに、図1(d)に示した熱処理工程について説明する。
以下ではこの熱処理工程を、第一熱処理工程として説明する。
図1(d)は、図1(c)の工程に続いて、半導体構造100を、V族である窒素元素を含む雰囲気下で熱処理する第一熱処理工程を説明する図である。
図1(d)の工程では、細孔104の側壁107にマストランスポートを生じさせ、側壁107の少なくとも一部に、第一窒化物半導体層102を構成する窒化物半導体の結晶面109を形成する。
なお、マストランスポートとは、熱エネルギーによって原子が表面から脱離し、輸送された後、表面エネルギーが小さくなる位置で最吸着する現象である。半導体の組成を保ちつつ、表面形状を変化させることや、結晶面を形成させることが可能である。
つぎに、図1(d)に示した熱処理工程について説明する。
以下ではこの熱処理工程を、第一熱処理工程として説明する。
図1(d)は、図1(c)の工程に続いて、半導体構造100を、V族である窒素元素を含む雰囲気下で熱処理する第一熱処理工程を説明する図である。
図1(d)の工程では、細孔104の側壁107にマストランスポートを生じさせ、側壁107の少なくとも一部に、第一窒化物半導体層102を構成する窒化物半導体の結晶面109を形成する。
なお、マストランスポートとは、熱エネルギーによって原子が表面から脱離し、輸送された後、表面エネルギーが小さくなる位置で最吸着する現象である。半導体の組成を保ちつつ、表面形状を変化させることや、結晶面を形成させることが可能である。
(第一熱処理工程の雰囲気)
つぎに、第一熱処理工程の雰囲気について説明する。
第一熱処理工程は、V族である窒素元素を雰囲気下で行われ、例えば、N2、またはNH3を含む雰囲気下で行われる。
V族雰囲気下で熱処理を行う理由は、III族元素よりもV族元素の方が脱離しやすいためであり、V族元素を供給した雰囲気下で熱処理することで、第一窒化物半導体層102からのV族元素の減少を防いでいる。
つぎに、第一熱処理工程の雰囲気について説明する。
第一熱処理工程は、V族である窒素元素を雰囲気下で行われ、例えば、N2、またはNH3を含む雰囲気下で行われる。
V族雰囲気下で熱処理を行う理由は、III族元素よりもV族元素の方が脱離しやすいためであり、V族元素を供給した雰囲気下で熱処理することで、第一窒化物半導体層102からのV族元素の減少を防いでいる。
(第一熱処理工程による結晶面形成)
つぎに、第一熱処理工程による結晶面形成について説明する。
本実施形態では、第一窒化物半導体層102の主面103が(0001)面であるため、第一熱処理工程後の側壁107には、つぎの(1−10n(但し、nは0から4までの整数))面のいずれかの面が形成される。
すなわち、第一熱処理工程後の側壁107には、主面103に対して垂直な(1−100)面、と等価な結晶面109が形成される。
または、約62度傾斜した(1−101)面、約43度傾斜した(1−102)面、約32度傾斜した(1−103)面、約25度傾斜した(1−104)面、と等価ないずれかの結晶面109が形成される。
なお、第一窒化物半導体層102の主面103が(1−100)面であるとき、側壁107には(0001)面、と等価な結晶面109が形成される。
または、つぎの(1−10n(但し、nは1から4までの整数))面のいずれかの面が形成される。
すなわち、(1−101)面、(1−102)面、(1−103)面、(1−104)面、と等価ないずれかの結晶面109が形成される。
また、第一熱処理工程において、結晶面109が形成されることは、細孔104表面の結晶性を改善する働きがあるということである。
例えば、ドライエッチングによって細孔104を形成した際、プラズマ中のイオン衝撃により細孔104の表面には、原子レベルの欠陥が多数生成される。
しかし、マストランスポートによって結晶面109が形成される際、それら欠陥が修復されるように原子が再配列され、その結果、熱処理を行う前よりも、結晶性の良い表面が得られる。
また、第一熱処理工程のマストランスポートによって、主面103に対して垂直な結晶面109が形成されるのであれば、ドライエッチングによって形成した細孔104の整形にも利用できる。
すなわち、ドライエッチングの際は、プラズマのイオン引き込み電圧を下げて、側壁107の垂直性を犠牲にし、イオン衝撃による欠陥生成を抑制させる。
その次に、第一熱処理工程により、側壁107の垂直性をだし、同時に、表面の欠陥修復を行うことで、細孔104の垂直性と側壁107の結晶性を、ドライエッチング直後の状態よりも良い状態にできる。
つぎに、第一熱処理工程による結晶面形成について説明する。
本実施形態では、第一窒化物半導体層102の主面103が(0001)面であるため、第一熱処理工程後の側壁107には、つぎの(1−10n(但し、nは0から4までの整数))面のいずれかの面が形成される。
すなわち、第一熱処理工程後の側壁107には、主面103に対して垂直な(1−100)面、と等価な結晶面109が形成される。
または、約62度傾斜した(1−101)面、約43度傾斜した(1−102)面、約32度傾斜した(1−103)面、約25度傾斜した(1−104)面、と等価ないずれかの結晶面109が形成される。
なお、第一窒化物半導体層102の主面103が(1−100)面であるとき、側壁107には(0001)面、と等価な結晶面109が形成される。
または、つぎの(1−10n(但し、nは1から4までの整数))面のいずれかの面が形成される。
すなわち、(1−101)面、(1−102)面、(1−103)面、(1−104)面、と等価ないずれかの結晶面109が形成される。
また、第一熱処理工程において、結晶面109が形成されることは、細孔104表面の結晶性を改善する働きがあるということである。
例えば、ドライエッチングによって細孔104を形成した際、プラズマ中のイオン衝撃により細孔104の表面には、原子レベルの欠陥が多数生成される。
しかし、マストランスポートによって結晶面109が形成される際、それら欠陥が修復されるように原子が再配列され、その結果、熱処理を行う前よりも、結晶性の良い表面が得られる。
また、第一熱処理工程のマストランスポートによって、主面103に対して垂直な結晶面109が形成されるのであれば、ドライエッチングによって形成した細孔104の整形にも利用できる。
すなわち、ドライエッチングの際は、プラズマのイオン引き込み電圧を下げて、側壁107の垂直性を犠牲にし、イオン衝撃による欠陥生成を抑制させる。
その次に、第一熱処理工程により、側壁107の垂直性をだし、同時に、表面の欠陥修復を行うことで、細孔104の垂直性と側壁107の結晶性を、ドライエッチング直後の状態よりも良い状態にできる。
(第一熱処理工程における熱処理用マスクの機能)
つぎに、第一熱処理工程における熱処理用マスクの機能について説明する。
図1(d)に示した第一熱処理工程においては、細孔104以外の第一窒化物半導体層102の主面103が、熱処理用マスク108で覆われている。
これは、過剰にマストランスポートが生じることによって、細孔104のサイズが大きく変動することを抑制するためである。
すなわち、細孔104以外の第一窒化物半導体層102の主面103を熱処理用マスク108で覆わなければ、第一窒化物半導体層102表面で脱離した原子が、細孔104の内部に入り込んだ後、側壁107に吸着する。
その結果、細孔104の孔径または深さが小さくなる。
本実施形態においては、開口部106の直径1μmに対して、第一熱処理工程後の細孔104の孔径(対向する側壁面の間隔)は、ほぼ変わらず約1μmであった。
また、本実施形態では、細孔104を除く該窒化物半導体の主面を覆う熱処理用マスク108は、細孔104を形成する際に使用したエッチングマスク105を用いている。
しかし、細孔104の形成後、エッチングマスク105を一度除去し、過剰なマストランスポートを抑制したい領域だけに、熱処理用マスク108をパターニングしても良い。
その際、熱処理用マスク108は、例えば、フォトリソグラフィとエッチングによって形成する。
つぎに、第一熱処理工程における熱処理用マスクの機能について説明する。
図1(d)に示した第一熱処理工程においては、細孔104以外の第一窒化物半導体層102の主面103が、熱処理用マスク108で覆われている。
これは、過剰にマストランスポートが生じることによって、細孔104のサイズが大きく変動することを抑制するためである。
すなわち、細孔104以外の第一窒化物半導体層102の主面103を熱処理用マスク108で覆わなければ、第一窒化物半導体層102表面で脱離した原子が、細孔104の内部に入り込んだ後、側壁107に吸着する。
その結果、細孔104の孔径または深さが小さくなる。
本実施形態においては、開口部106の直径1μmに対して、第一熱処理工程後の細孔104の孔径(対向する側壁面の間隔)は、ほぼ変わらず約1μmであった。
また、本実施形態では、細孔104を除く該窒化物半導体の主面を覆う熱処理用マスク108は、細孔104を形成する際に使用したエッチングマスク105を用いている。
しかし、細孔104の形成後、エッチングマスク105を一度除去し、過剰なマストランスポートを抑制したい領域だけに、熱処理用マスク108をパターニングしても良い。
その際、熱処理用マスク108は、例えば、フォトリソグラフィとエッチングによって形成する。
(熱処理用マスクの材料)
つぎに、熱処理用マスク108を構成する材料について説明する。
熱処理用マスク108の材料の融点は、第一熱処理工程の温度よりも高いことが好ましい。その結果、熱処理用マスク108の材料が、第一窒化物半導体層102内に拡散することを抑えられる。
熱処理用マスク108の材料は、例えば、半導体酸化物、または金属酸化物であることが好ましい。
例えば、熱処理用マスク108は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウムのいずれかであることが好ましい。
本実施形態において、熱処理用マスク108は酸化シリコンである。
つぎに、熱処理用マスク108を構成する材料について説明する。
熱処理用マスク108の材料の融点は、第一熱処理工程の温度よりも高いことが好ましい。その結果、熱処理用マスク108の材料が、第一窒化物半導体層102内に拡散することを抑えられる。
熱処理用マスク108の材料は、例えば、半導体酸化物、または金属酸化物であることが好ましい。
例えば、熱処理用マスク108は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウムのいずれかであることが好ましい。
本実施形態において、熱処理用マスク108は酸化シリコンである。
(熱処理用マスクの除去工程)
つぎに、熱処理用マスクの除去工程について説明する。
図1(e)は、図1(d)の工程に続いて、熱処理用マスク108を除去する工程を説明する図である。
除去方法は、ウェットエッチングが、第一窒化物半導体層102の表面に物理的損傷を与えないという点で好ましい。
つぎに、熱処理用マスクの除去工程について説明する。
図1(e)は、図1(d)の工程に続いて、熱処理用マスク108を除去する工程を説明する図である。
除去方法は、ウェットエッチングが、第一窒化物半導体層102の表面に物理的損傷を与えないという点で好ましい。
(第二熱処理工程)
つぎに、第二熱処理工程について説明する。
図1(f)は、図1(e)の工程に続いて半導体層内部に空孔を形成する工程を説明する図である。
すなわち、半導体構造100を、V族である窒素元素を含む雰囲気下で熱処理する。
これにより、細孔104の上部を第二窒化物半導体層111で塞ぎ、第一窒化物半導体層102と第二窒化物半導体層111が積層された半導体層内部に空孔110を形成する工程を説明する図である。
なお、本実施形態では、第二窒化物半導体層111はGaNであり、第一窒化物半導体層102と同じ組成である。以下、図1(f)の熱処理を第二熱処理工程とする。
第一熱処理工程では、熱処理用マスク108を用いたが、第二熱処理工程では熱処理用マスク108は使用しないという点で異なる。
つぎに、第二熱処理工程について説明する。
図1(f)は、図1(e)の工程に続いて半導体層内部に空孔を形成する工程を説明する図である。
すなわち、半導体構造100を、V族である窒素元素を含む雰囲気下で熱処理する。
これにより、細孔104の上部を第二窒化物半導体層111で塞ぎ、第一窒化物半導体層102と第二窒化物半導体層111が積層された半導体層内部に空孔110を形成する工程を説明する図である。
なお、本実施形態では、第二窒化物半導体層111はGaNであり、第一窒化物半導体層102と同じ組成である。以下、図1(f)の熱処理を第二熱処理工程とする。
第一熱処理工程では、熱処理用マスク108を用いたが、第二熱処理工程では熱処理用マスク108は使用しないという点で異なる。
(第二熱処理工程の雰囲気)
つぎに、第二熱処理工程の雰囲気について説明する。
第二熱処理工程は、V族元素である窒素元素を含む雰囲気下、例えば、N2、またはNH3を含む雰囲気下で行われるが、それらに加えて、III族元素を含む雰囲気下で行うことが好ましい。
窒素元素を含む雰囲気、または、窒素元素を含む雰囲気に加えてIII族元素を含む雰囲気下として、つぎのような雰囲気下で行う。
例えば、第二窒化物半導体層111がAlGaNのとき、N2とNH3、それらに加えてTMA(トリメチルアルミニウム)とTMG(トリメチルガリウム)を含む雰囲気下で行う。
また、例えば、第二窒化物半導体層111がInGaNであるとき、第二熱処理工程は、N2とNH3、それらに加えてTMGとTMI(トリメチルインジウム)を含む雰囲気下である。
本実施形態では、第二窒化物半導体層111がGaNであるので、第二熱処理工程は、N2とNH3、それらに加えてTMGを含む雰囲気下で行う。
つぎに、第二熱処理工程の雰囲気について説明する。
第二熱処理工程は、V族元素である窒素元素を含む雰囲気下、例えば、N2、またはNH3を含む雰囲気下で行われるが、それらに加えて、III族元素を含む雰囲気下で行うことが好ましい。
窒素元素を含む雰囲気、または、窒素元素を含む雰囲気に加えてIII族元素を含む雰囲気下として、つぎのような雰囲気下で行う。
例えば、第二窒化物半導体層111がAlGaNのとき、N2とNH3、それらに加えてTMA(トリメチルアルミニウム)とTMG(トリメチルガリウム)を含む雰囲気下で行う。
また、例えば、第二窒化物半導体層111がInGaNであるとき、第二熱処理工程は、N2とNH3、それらに加えてTMGとTMI(トリメチルインジウム)を含む雰囲気下である。
本実施形態では、第二窒化物半導体層111がGaNであるので、第二熱処理工程は、N2とNH3、それらに加えてTMGを含む雰囲気下で行う。
(第二熱処理工程における第一熱処理工程で形成した結晶面の効果)
つぎに、第二熱処理工程における第一熱処理工程で形成した結晶面の効果について説明する。
第二熱処理工程において、V族元素とIII族元素の両方を含む雰囲気で熱処理することは、結晶成長工程に同等である。
この第二熱処理工程では、第一熱処理工程において、側壁107に形成した結晶面109が効果的に機能する。
すなわち、側壁107には、結晶面109が形成されているため、結晶成長速度を制御することが可能である。
例えば、側壁107に形成された結晶面109が(1−100)面である状態で、第二熱処理工程において(0001)面や(1−101)面よりも(1−100)面の成長速度が遅い条件で熱処理した場合、つぎのように細孔を塞ぐことができる。
すなわち、細孔104の孔径(対向する側壁面の間隔)を大きく変動させることなく、細孔104の上部を第二半導体111で塞ぐことが可能である。
本実施形態においては、細孔104上部の直径1μmに対して、第二熱処理工程後の細孔104の孔径(対向する側壁面の間隔)は、1μm以下の約900nmであり、10%程度の変動に抑えられている。
つぎに、第二熱処理工程における第一熱処理工程で形成した結晶面の効果について説明する。
第二熱処理工程において、V族元素とIII族元素の両方を含む雰囲気で熱処理することは、結晶成長工程に同等である。
この第二熱処理工程では、第一熱処理工程において、側壁107に形成した結晶面109が効果的に機能する。
すなわち、側壁107には、結晶面109が形成されているため、結晶成長速度を制御することが可能である。
例えば、側壁107に形成された結晶面109が(1−100)面である状態で、第二熱処理工程において(0001)面や(1−101)面よりも(1−100)面の成長速度が遅い条件で熱処理した場合、つぎのように細孔を塞ぐことができる。
すなわち、細孔104の孔径(対向する側壁面の間隔)を大きく変動させることなく、細孔104の上部を第二半導体111で塞ぐことが可能である。
本実施形態においては、細孔104上部の直径1μmに対して、第二熱処理工程後の細孔104の孔径(対向する側壁面の間隔)は、1μm以下の約900nmであり、10%程度の変動に抑えられている。
また、例えば、側壁107に形成された結晶面109が(1−101)面である状態で、第二熱処理工程において(0001)面や(1−100)面よりも(1−101)面の成長が遅い条件で熱処理した場合においても、つぎのように細孔を塞ぐことができる。
すなわち、細孔104の深さを大きく変動させることなく、細孔104の上部を第二半導体111で塞ぐことが可能である。
なお、本実施形態においては、細孔104上部の直径は1μmであるが、細孔104の上部を塞ぐには、細孔104の深さがアスペクト比2以上となるような深さであることが好ましい。
また、細孔104上部の直径が300nm以下であれば、細孔104の深さはアスペクト比が2以下でも、細孔104の上部を塞ぐことが可能である。
また、第二熱処理工程前後で細孔104の孔径(対向する側壁面の間隔)の変動量を小さくするには、第二熱処理工程前の細孔104上部の直径が150nm以下であることが好ましい。
成長速度の制御は、主に雰囲気の温度パラメータを最適化することで行い、特に、本実施形態では、第一窒化物半導体層102と第二窒化物半導体層111が同じ組成であるため、温度最適化は任意にできる。
すなわち、細孔104の深さを大きく変動させることなく、細孔104の上部を第二半導体111で塞ぐことが可能である。
なお、本実施形態においては、細孔104上部の直径は1μmであるが、細孔104の上部を塞ぐには、細孔104の深さがアスペクト比2以上となるような深さであることが好ましい。
また、細孔104上部の直径が300nm以下であれば、細孔104の深さはアスペクト比が2以下でも、細孔104の上部を塞ぐことが可能である。
また、第二熱処理工程前後で細孔104の孔径(対向する側壁面の間隔)の変動量を小さくするには、第二熱処理工程前の細孔104上部の直径が150nm以下であることが好ましい。
成長速度の制御は、主に雰囲気の温度パラメータを最適化することで行い、特に、本実施形態では、第一窒化物半導体層102と第二窒化物半導体層111が同じ組成であるため、温度最適化は任意にできる。
(第二熱処理後の空孔の概形)
つぎに、第二熱処理後の空孔の概形について説明する。
第一窒化物半導体層102の主面103が(0001)面であるとき、第二熱処理後に形成される空孔110は、つぎの面と等価ないずれかの結晶面109を含む多面体である。
すなわち、(0001)面、(1−100)面、(1−101)面、(1−102)面、(1−103)面、(1−104)面と等価ないずれかの結晶面109を含む多面体である。
例えば、図2は第二熱処理後に形成された空孔110の一例を説明する図である。
図2(a)では、空孔110は、(1−100)面と等価な6つの結晶面109で構成される六角柱201の上端部と下端部を、(1−101)面と等価な6つの結晶面109を含む六角錘202が接続された構造を有する。
なお、空孔110の深さが浅い場合は、六角柱201が存在せず、上下の六角錘102が直接接続する構造を有する。
また、空孔110を構成する各頂点は、必ずしも鋭角的ではなく、角がとれて丸まっていることもある。
また、第二熱処理工程の温度や雰囲気を調整することで、六角錘202が、(1−102)面、(1−103)面、(1−104)面と等価ないずれかの結晶面109を含むような多面体にすることも可能である。
例えば、第二熱処理後の条件によっては、図2(b)に示した形の空孔110が形成される。図2(b)では、六角柱201の下側(基板側)には、(1−103)面と等価な6つの結晶面を含む六角錘202が形成され、六角柱201の上側には、(1−102)面と等価な6つの結晶面を含む六角錘の上部を切り取ったような形を有する八面体203が形成される。八面体203の上面と下面は、(0001)面と等価な面である。
つぎに、第二熱処理後の空孔の概形について説明する。
第一窒化物半導体層102の主面103が(0001)面であるとき、第二熱処理後に形成される空孔110は、つぎの面と等価ないずれかの結晶面109を含む多面体である。
すなわち、(0001)面、(1−100)面、(1−101)面、(1−102)面、(1−103)面、(1−104)面と等価ないずれかの結晶面109を含む多面体である。
例えば、図2は第二熱処理後に形成された空孔110の一例を説明する図である。
図2(a)では、空孔110は、(1−100)面と等価な6つの結晶面109で構成される六角柱201の上端部と下端部を、(1−101)面と等価な6つの結晶面109を含む六角錘202が接続された構造を有する。
なお、空孔110の深さが浅い場合は、六角柱201が存在せず、上下の六角錘102が直接接続する構造を有する。
また、空孔110を構成する各頂点は、必ずしも鋭角的ではなく、角がとれて丸まっていることもある。
また、第二熱処理工程の温度や雰囲気を調整することで、六角錘202が、(1−102)面、(1−103)面、(1−104)面と等価ないずれかの結晶面109を含むような多面体にすることも可能である。
例えば、第二熱処理後の条件によっては、図2(b)に示した形の空孔110が形成される。図2(b)では、六角柱201の下側(基板側)には、(1−103)面と等価な6つの結晶面を含む六角錘202が形成され、六角柱201の上側には、(1−102)面と等価な6つの結晶面を含む六角錘の上部を切り取ったような形を有する八面体203が形成される。八面体203の上面と下面は、(0001)面と等価な面である。
(第一熱処理工程のIII/V族比と第二熱処理工程のIII/V族比)
つぎに、第一熱処理工程のIII/V族比と第二熱処理工程のIII/V族比について説明する。
第一熱処理工程の雰囲気のIII族/V族のモル比R1と、第二熱処理工程の雰囲気のIII族/V族のモル比R2の関係について説明する。
本実施形態では、モル比R1とモル比R2の関係は、R1<R2であることが好ましい。
第一熱処理工程を行う雰囲気には、必ずしもIII族元素は必要ないが、第二熱処理工程においては、細孔104の上部を塞ぐ分だけの窒化物半導体原料を供給したほうが良いので、III族元素とV族元素の両方を含む雰囲気下で熱処理することが好ましい。
また、例えば、細孔104の上部に成長させる第二窒化物半導体層111の厚さをできるだけ薄くするような要求がある場合は、R1=R2=0であることが望ましい。
すなわち、第一熱処理工程と第二熱処理工程のどちらにおいてもIII族元素を含まない雰囲気下で熱処理することが好ましい。
このとき、第二熱処理工程は、結晶成長ではなく、マストランスポート現象によって、細孔104の上部を塞ぐ。
図1(a)から(d)の工程を順に経ることにより、サイズを精密に制御した空孔110を窒化物半導体内部に形成することが可能である。
つぎに、第一熱処理工程のIII/V族比と第二熱処理工程のIII/V族比について説明する。
第一熱処理工程の雰囲気のIII族/V族のモル比R1と、第二熱処理工程の雰囲気のIII族/V族のモル比R2の関係について説明する。
本実施形態では、モル比R1とモル比R2の関係は、R1<R2であることが好ましい。
第一熱処理工程を行う雰囲気には、必ずしもIII族元素は必要ないが、第二熱処理工程においては、細孔104の上部を塞ぐ分だけの窒化物半導体原料を供給したほうが良いので、III族元素とV族元素の両方を含む雰囲気下で熱処理することが好ましい。
また、例えば、細孔104の上部に成長させる第二窒化物半導体層111の厚さをできるだけ薄くするような要求がある場合は、R1=R2=0であることが望ましい。
すなわち、第一熱処理工程と第二熱処理工程のどちらにおいてもIII族元素を含まない雰囲気下で熱処理することが好ましい。
このとき、第二熱処理工程は、結晶成長ではなく、マストランスポート現象によって、細孔104の上部を塞ぐ。
図1(a)から(d)の工程を順に経ることにより、サイズを精密に制御した空孔110を窒化物半導体内部に形成することが可能である。
[実施形態2]
実施形態2では、実施形態1に温度限定を加えた。
すなわち、実施形態2では、第一窒化物半導体層102と第二窒化物半導体層111の組成が異なる場合における、窒化物半導体の微細構造の製造工程例を説明する。
実施形態1の工程と異なるのは、第一熱処理工程と第二熱処理工程である。
窒化物半導体である第一窒化物半導体層102と第二窒化物半導体層111の組成が異なる場合、第一熱処理工程の温度T1と第二熱処理工程の温度T2が以下のような関係であることが好ましい。
例えば、第一窒化物半導体層102がInxGa1-xN、第二窒化物半導体層111がAlyGa1-yN、(0<x≦1、0<y≦1)であるとき、T1<T2であることが好ましい。
これは、InxGa1-xNよりもAlyGa1-yNの方が、高い融点を有するためである。
すなわち、第一熱処理工程においてInxGa1-xNが、マストランスポートによって側壁107に結晶面109を形成可能な温度よりも、第二熱処理工程においてAlyGa1-yNが、細孔104の上部を塞ぐことが可能な温度の方が高いからである。
また、同様の理由で、例えば、第一窒化物半導体層102がAlyGa1-yN、第二窒化物半導体層111がInxGa1-xN、(0<x≦1、0<y≦1)であるとき、T1>T2であることが好ましい。
実施形態2では、実施形態1に温度限定を加えた。
すなわち、実施形態2では、第一窒化物半導体層102と第二窒化物半導体層111の組成が異なる場合における、窒化物半導体の微細構造の製造工程例を説明する。
実施形態1の工程と異なるのは、第一熱処理工程と第二熱処理工程である。
窒化物半導体である第一窒化物半導体層102と第二窒化物半導体層111の組成が異なる場合、第一熱処理工程の温度T1と第二熱処理工程の温度T2が以下のような関係であることが好ましい。
例えば、第一窒化物半導体層102がInxGa1-xN、第二窒化物半導体層111がAlyGa1-yN、(0<x≦1、0<y≦1)であるとき、T1<T2であることが好ましい。
これは、InxGa1-xNよりもAlyGa1-yNの方が、高い融点を有するためである。
すなわち、第一熱処理工程においてInxGa1-xNが、マストランスポートによって側壁107に結晶面109を形成可能な温度よりも、第二熱処理工程においてAlyGa1-yNが、細孔104の上部を塞ぐことが可能な温度の方が高いからである。
また、同様の理由で、例えば、第一窒化物半導体層102がAlyGa1-yN、第二窒化物半導体層111がInxGa1-xN、(0<x≦1、0<y≦1)であるとき、T1>T2であることが好ましい。
[実施形態3]
本実施形態3では、実施形態1または、実施形態2の工程を利用して、上記した細孔が複数配列されて構成される窒化物フォトニック結晶の製造工程の例を説明する。
本実施形態3では、フォトニック結晶の細孔104を有する第一窒化物半導体層102はGaNであり、細孔104の上部を塞ぐ第二窒化物半導体層111もGaNである。
なお、第一窒化物半導体層102と第二窒化物半導体層111は、AlN、AlGaN、InGaN、InNのいずれかであっても良い。
本実施形態3では、実施形態1または、実施形態2の工程を利用して、上記した細孔が複数配列されて構成される窒化物フォトニック結晶の製造工程の例を説明する。
本実施形態3では、フォトニック結晶の細孔104を有する第一窒化物半導体層102はGaNであり、細孔104の上部を塞ぐ第二窒化物半導体層111もGaNである。
なお、第一窒化物半導体層102と第二窒化物半導体層111は、AlN、AlGaN、InGaN、InNのいずれかであっても良い。
(エッチングマスクの形成工程)
つぎに、エッチングマスクの形成工程について説明する。
フォトニック結晶の形成には、図3(a)に示すように、エッチングマスク105の開口部106をパターニングする工程において、複数個の開口部106を周期的に形成する。
本実施形態3では、直径120nmの円形の開口部106が、エッチングマスク105面内に、周期300nmで正方格子状にパターニングされている。
図4は、正方格子状に配列された開口部106を含むエッチングマスク105の上面図を示している。
次に、細孔の形成工程を行う。
ここでは、図3(a)の工程に続いて、図3(b)に示すように、第一窒化物半導体層102の主面103である(0001)面に、フォトニック結晶の格子点となる複数個の細孔104をドライエッチングにより形成する。
次に、第一熱処理工程を行う。
すなわち、図3(c)に示すように、エッチングマスク105を熱処理用マスク108として、第一熱処理工程を施す。
その結果、マストランスポートによって、フォトニック結晶を形成する細孔104の側壁107に、第一窒化物半導体層102の主面103(0001)面に対して垂直な(1−100)面が形成される。
次に、熱処理用マスクの除去工程と第二熱処理工程を行う。
すなわち、熱処理用マスク108を除去し、図3(d)に示すように、第二熱処理工程を施す。
その結果、細孔104の孔径(対向する側壁面の間隔)または孔深さを熱処理前後で大きく変化させることなく、第一窒化物半導体層102と第二窒化物半導体層111の内部に、空孔110を形成することが可能である。
本実施形態3では、第二熱処理工程後の孔径(対向する側壁面の間隔)は、約105nmであった。熱処理前後において、孔のサイズの変動が15nmに抑えられているのは、第一熱処理工程にて結晶面109を形成している効果である。特に、フォトニック結晶の場合、細孔104(空孔110)のサイズは、回折効率の大きさを決定する重要なパラメータであり、細孔104のサイズを製造工程中に大きく変動させないことは、設計通りのフォトニック結晶を精度良く製造することの必要条件である。
つぎに、エッチングマスクの形成工程について説明する。
フォトニック結晶の形成には、図3(a)に示すように、エッチングマスク105の開口部106をパターニングする工程において、複数個の開口部106を周期的に形成する。
本実施形態3では、直径120nmの円形の開口部106が、エッチングマスク105面内に、周期300nmで正方格子状にパターニングされている。
図4は、正方格子状に配列された開口部106を含むエッチングマスク105の上面図を示している。
次に、細孔の形成工程を行う。
ここでは、図3(a)の工程に続いて、図3(b)に示すように、第一窒化物半導体層102の主面103である(0001)面に、フォトニック結晶の格子点となる複数個の細孔104をドライエッチングにより形成する。
次に、第一熱処理工程を行う。
すなわち、図3(c)に示すように、エッチングマスク105を熱処理用マスク108として、第一熱処理工程を施す。
その結果、マストランスポートによって、フォトニック結晶を形成する細孔104の側壁107に、第一窒化物半導体層102の主面103(0001)面に対して垂直な(1−100)面が形成される。
次に、熱処理用マスクの除去工程と第二熱処理工程を行う。
すなわち、熱処理用マスク108を除去し、図3(d)に示すように、第二熱処理工程を施す。
その結果、細孔104の孔径(対向する側壁面の間隔)または孔深さを熱処理前後で大きく変化させることなく、第一窒化物半導体層102と第二窒化物半導体層111の内部に、空孔110を形成することが可能である。
本実施形態3では、第二熱処理工程後の孔径(対向する側壁面の間隔)は、約105nmであった。熱処理前後において、孔のサイズの変動が15nmに抑えられているのは、第一熱処理工程にて結晶面109を形成している効果である。特に、フォトニック結晶の場合、細孔104(空孔110)のサイズは、回折効率の大きさを決定する重要なパラメータであり、細孔104のサイズを製造工程中に大きく変動させないことは、設計通りのフォトニック結晶を精度良く製造することの必要条件である。
(実施形態3の変形例)
つぎに、図5を用いて実施形態3の変形例について説明する。
図3(c)の第一熱処理工程の前に、エッチングマスク105、すなわち、熱処理用マスク108を部分的に除去し、その後、第一熱処理工程を行うことで、フォトニック結晶を構成する細孔104のサイズを、面内で意図的に変化をつけることも可能である。
図5は、その一例を示したものである。
図5(a)では、フォトニック結晶の中央領域501を熱処理用マスク108で覆い、その外側の外周領域502は、熱処理用マスク108を除去した。
なお、熱処理用マスク108の選択的除去方法は、例えば、フォトリソグラフィとウェットエッチングによって可能である。
つぎに、図5を用いて実施形態3の変形例について説明する。
図3(c)の第一熱処理工程の前に、エッチングマスク105、すなわち、熱処理用マスク108を部分的に除去し、その後、第一熱処理工程を行うことで、フォトニック結晶を構成する細孔104のサイズを、面内で意図的に変化をつけることも可能である。
図5は、その一例を示したものである。
図5(a)では、フォトニック結晶の中央領域501を熱処理用マスク108で覆い、その外側の外周領域502は、熱処理用マスク108を除去した。
なお、熱処理用マスク108の選択的除去方法は、例えば、フォトリソグラフィとウェットエッチングによって可能である。
図5(a)の工程の後に続いて、第一熱処理工程を行うと、図5(b)に示すように、熱処理用マスク108に覆われている中央領域501のフォトニック結晶は、熱処理前後で、細孔104のサイズは大きく変動しない。
しかし、熱処理用マスクに覆われていない外周領域502のフォトニック結晶は、例えば、細孔503の深さが浅くなる。
また、熱処理条件によっては、例えば、細孔503の孔径(対向する側壁面の間隔)が狭くなる。
その後、熱処理用マスク108を除去し、つづいて、第二熱処理工程を行うと、図5(c)のように、中央領域501の空孔110と外周領域502の空孔504のサイズが異なるフォトニック結晶が形成できる。
すなわち、面内で回折効率の異なるフォトニック結晶を作製することができた。言い換えると、熱処理用マスクで覆う領域を選択することで、フォトニック結晶の回折効率を自在に制御できる製造工程が得られる。
しかし、熱処理用マスクに覆われていない外周領域502のフォトニック結晶は、例えば、細孔503の深さが浅くなる。
また、熱処理条件によっては、例えば、細孔503の孔径(対向する側壁面の間隔)が狭くなる。
その後、熱処理用マスク108を除去し、つづいて、第二熱処理工程を行うと、図5(c)のように、中央領域501の空孔110と外周領域502の空孔504のサイズが異なるフォトニック結晶が形成できる。
すなわち、面内で回折効率の異なるフォトニック結晶を作製することができた。言い換えると、熱処理用マスクで覆う領域を選択することで、フォトニック結晶の回折効率を自在に制御できる製造工程が得られる。
[実施形態4]
本実施形態4では、エッチングマスク105の開口部の上面形状のうち少なくとも1辺が、第一窒化物半導体層102の結晶面109と平行となるように形成する場合について説明する。
本発明における第一熱処理工程は、マストランスポートによって、細孔104の側壁107に第一窒化物半導体層102の結晶面109を形成する。
本実施形態では、第一窒化物半導体層102の主面103が(0001)面であるので、第一熱処理工程において、側壁107には、主面103に対して垂直な(1−100)面が形成される。
すなわち、図6(a)に示すように、第一熱処理工程前は、細孔104の上面形状が円形601であったとしても、第一熱処理工程後は、図6(b)に示すように、その上面形状は六角形602に変形する。
細孔104の孔径(対向する側壁面の間隔)は、円形601から六角形602に変形する際、少なからず変動する。
図6(b)において、点線がもともとの円形601のサイズを示している。
そこで、本実施形態では、熱処理前後の変動量を極力少なくするために、第一熱処理工程前の段階で、細孔104の上面形状が予め六角形であるものを用意する。
本実施形態4では、エッチングマスク105の開口部の上面形状のうち少なくとも1辺が、第一窒化物半導体層102の結晶面109と平行となるように形成する場合について説明する。
本発明における第一熱処理工程は、マストランスポートによって、細孔104の側壁107に第一窒化物半導体層102の結晶面109を形成する。
本実施形態では、第一窒化物半導体層102の主面103が(0001)面であるので、第一熱処理工程において、側壁107には、主面103に対して垂直な(1−100)面が形成される。
すなわち、図6(a)に示すように、第一熱処理工程前は、細孔104の上面形状が円形601であったとしても、第一熱処理工程後は、図6(b)に示すように、その上面形状は六角形602に変形する。
細孔104の孔径(対向する側壁面の間隔)は、円形601から六角形602に変形する際、少なからず変動する。
図6(b)において、点線がもともとの円形601のサイズを示している。
そこで、本実施形態では、熱処理前後の変動量を極力少なくするために、第一熱処理工程前の段階で、細孔104の上面形状が予め六角形であるものを用意する。
以下、その工程を説明する。
その第一熱処理工程前の細孔104の上面形状は、エッチングマスク105の開口部106の形状が転写される。
そこで、開口部106をパターニングする工程において、その開口部106の上面形状が、第一窒化物半導体層102の結晶面109と平行となる辺で構成されるようパターニングすればよい。
本実施形態では、主面103が(0001)面であるので、(1−100)面と等価な面と平行な辺で構成される正六角形603をパターニングする。
なお、(1−100)面と等価な面と平行な辺とは、[1−100]方向と、[10−10]方向と、[01−10]方向と、[−1100]方向と、[−1010]方向と、[0−110]方向のいずれかと平行な辺である。
その第一熱処理工程前の細孔104の上面形状は、エッチングマスク105の開口部106の形状が転写される。
そこで、開口部106をパターニングする工程において、その開口部106の上面形状が、第一窒化物半導体層102の結晶面109と平行となる辺で構成されるようパターニングすればよい。
本実施形態では、主面103が(0001)面であるので、(1−100)面と等価な面と平行な辺で構成される正六角形603をパターニングする。
なお、(1−100)面と等価な面と平行な辺とは、[1−100]方向と、[10−10]方向と、[01−10]方向と、[−1100]方向と、[−1010]方向と、[0−110]方向のいずれかと平行な辺である。
なお、正六角形603を構成する辺が、第一窒化物半導体層102の結晶面109と完全に平行でなくてもよく、±10°のずれは許容される。
また、なお、パターニングする正六角形603の頂点は、第一窒化物半導体層102の結晶軸(a軸)上にあるように形成することが好ましい。
また、正六角形603の各頂点は、必ずしも鋭角的ではない。
このように形成した細孔104は、第一熱処理工程前において、図6(c)に示すように、第一窒化物半導体層102の結晶面109と平行な面で形成された正六角形603である。
第一熱処理工程後においても、図6(d)に示すように、細孔104の上面形状は六角形604となり、形状とサイズがほとんど変化しない。
また、なお、パターニングする正六角形603の頂点は、第一窒化物半導体層102の結晶軸(a軸)上にあるように形成することが好ましい。
また、正六角形603の各頂点は、必ずしも鋭角的ではない。
このように形成した細孔104は、第一熱処理工程前において、図6(c)に示すように、第一窒化物半導体層102の結晶面109と平行な面で形成された正六角形603である。
第一熱処理工程後においても、図6(d)に示すように、細孔104の上面形状は六角形604となり、形状とサイズがほとんど変化しない。
本実施形態の製造工程は、エッチング工程後の細孔104の孔径(対向する側壁面の間隔)を極力変化させずに、半導体内部へ空孔110を形成できる有効な工程である。
本実施形態4では、第一窒化物半導体層102の主面103が(0001)面の場合を示したが、主面103が(1−100)面である場合には、開口部106は、四角形にすればよい。
すなわち、(0001)面と、(10−10)面と等価な面に平行な辺で構成される四角形である。
なお、(0001)面と、(10−10)面と等価な面に平行な辺とは、<0001>方向と<10−10>方向のいずれかと平行な辺である。
本実施形態4では、第一窒化物半導体層102の主面103が(0001)面の場合を示したが、主面103が(1−100)面である場合には、開口部106は、四角形にすればよい。
すなわち、(0001)面と、(10−10)面と等価な面に平行な辺で構成される四角形である。
なお、(0001)面と、(10−10)面と等価な面に平行な辺とは、<0001>方向と<10−10>方向のいずれかと平行な辺である。
以下に、本発明の実施例について説明する。
[実施例1]
本実施例1では、図7を用いて、窒化物フォトニック結晶面発光レーザの製造方法の構成例について説明する。
(窒化物半導体層の結晶成長工程)
まず、本実施例における窒化物半導体層の結晶成長工程について説明する。
図7(a)に示すように、GaN基板801上に、n型クラッド層802であるn型Al0.09Ga0.91N、n型ガイド層803であるn型GaN、活性層804、p型ガイド層805であるp型GaNを、MOVPE法によって順に成長させる。
なお、活性層804は、3周期の多重量子井戸構造を形成しており、材料は、井戸層がIn0.09Ga0.91Nで、障壁層がGaNである。
また、本実施例では、p型ガイド層805が、実施形態1に示した第一窒化物半導体層102に相当し、その主面806は(0001)面である。
[実施例1]
本実施例1では、図7を用いて、窒化物フォトニック結晶面発光レーザの製造方法の構成例について説明する。
(窒化物半導体層の結晶成長工程)
まず、本実施例における窒化物半導体層の結晶成長工程について説明する。
図7(a)に示すように、GaN基板801上に、n型クラッド層802であるn型Al0.09Ga0.91N、n型ガイド層803であるn型GaN、活性層804、p型ガイド層805であるp型GaNを、MOVPE法によって順に成長させる。
なお、活性層804は、3周期の多重量子井戸構造を形成しており、材料は、井戸層がIn0.09Ga0.91Nで、障壁層がGaNである。
また、本実施例では、p型ガイド層805が、実施形態1に示した第一窒化物半導体層102に相当し、その主面806は(0001)面である。
(エッチングマスクの形成工程)
つぎに、本実施例におけるエッチングマスクの形成工程について説明する。
図7(b)は、p型ガイド層805のp型GaNにフォトニック結晶を形成するための、エッチングマスク807を形成する工程を説明する図である。
以下、図7(b)の工程を順に説明する。
まず、p型ガイド層805の主面806に、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)によってSiOx膜を150nm成膜する。
続いて、SiOx膜に、電子ビームリソグラフィとICPエッチングにより、複数の開口部808で構成されるフォトニック結晶パターンを形成する。
その開口部808の孔直径は60nmであり、面内方向に周期160nmで正方格子状に配列されている。
つぎに、本実施例におけるエッチングマスクの形成工程について説明する。
図7(b)は、p型ガイド層805のp型GaNにフォトニック結晶を形成するための、エッチングマスク807を形成する工程を説明する図である。
以下、図7(b)の工程を順に説明する。
まず、p型ガイド層805の主面806に、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)によってSiOx膜を150nm成膜する。
続いて、SiOx膜に、電子ビームリソグラフィとICPエッチングにより、複数の開口部808で構成されるフォトニック結晶パターンを形成する。
その開口部808の孔直径は60nmであり、面内方向に周期160nmで正方格子状に配列されている。
(フォトニック結晶の形成工程)
つぎに、本実施例におけるフォトニック結晶の形成工程について説明する。
図7(c)は、図7(b)の工程に続いて、エッチングマスク807(SiOx膜)を用いて、p型ガイド層805をエッチングし、複数の細孔809からなるフォトニック結晶を形成する工程を説明する図である。
フォトニック結晶の形成は、ICPによるドライエッチングを用いる。
ICPのガス組成は、Cl2とArの混合ガスプラズマである。エッチング後の、フォトニック結晶の細孔809の深さは100nmである。
つぎに、本実施例におけるフォトニック結晶の形成工程について説明する。
図7(c)は、図7(b)の工程に続いて、エッチングマスク807(SiOx膜)を用いて、p型ガイド層805をエッチングし、複数の細孔809からなるフォトニック結晶を形成する工程を説明する図である。
フォトニック結晶の形成は、ICPによるドライエッチングを用いる。
ICPのガス組成は、Cl2とArの混合ガスプラズマである。エッチング後の、フォトニック結晶の細孔809の深さは100nmである。
(第一熱処理工程)
つぎに、本実施例における第一熱処理工程について説明する。
図7(d)は、図7(c)の工程に続く、第一熱処理工程を説明する図である。すなわち、この第一熱処理工程では、V族である窒素元素を含む雰囲気下で熱処理し、マストランスポートを生じさせ、フォトニック結晶を構成する細孔809の側壁810に、p型ガイド層805の材料であるp型GaNの結晶面811を形成する。
なお、本実施例では、フォトニック結晶を形成したときに使用したSiOxのエッチングマスク807を、そのまま熱処理用マスク812に用いている。
第一熱処理工程の雰囲気は、N2流量が10slm(standard litter per minitus)、NH3流量が5slmであり、熱処理温度は、1050℃である。
なお、N2流量10slmは、0.45mol/minであり、NH3流量5slmは、0.22mol/minに相当する。
また、本実施例の第一熱処理工程では、p型ドーパント原料であるCP2Mgは流していないが、熱処理工程の最適化を行ううえでは、CP2Mgを流してもよい。
p型ガイド層805であるp型GaNの主面806が(0001)面であるので、マストランスポートによって、側壁810には、主面806に対して垂直な(1−100)面と、傾斜した(1−103)面が形成される。
つぎに、本実施例における第一熱処理工程について説明する。
図7(d)は、図7(c)の工程に続く、第一熱処理工程を説明する図である。すなわち、この第一熱処理工程では、V族である窒素元素を含む雰囲気下で熱処理し、マストランスポートを生じさせ、フォトニック結晶を構成する細孔809の側壁810に、p型ガイド層805の材料であるp型GaNの結晶面811を形成する。
なお、本実施例では、フォトニック結晶を形成したときに使用したSiOxのエッチングマスク807を、そのまま熱処理用マスク812に用いている。
第一熱処理工程の雰囲気は、N2流量が10slm(standard litter per minitus)、NH3流量が5slmであり、熱処理温度は、1050℃である。
なお、N2流量10slmは、0.45mol/minであり、NH3流量5slmは、0.22mol/minに相当する。
また、本実施例の第一熱処理工程では、p型ドーパント原料であるCP2Mgは流していないが、熱処理工程の最適化を行ううえでは、CP2Mgを流してもよい。
p型ガイド層805であるp型GaNの主面806が(0001)面であるので、マストランスポートによって、側壁810には、主面806に対して垂直な(1−100)面と、傾斜した(1−103)面が形成される。
(熱処理用マスクの除去工程)
つぎに、本実施例における熱処理用マスクの除去工程について説明する。
図7(e)は、図7(d)の工程に続いて、熱処理用マスク812を除去する工程を説明する図である。
熱処理用マスク812であるSiOxは、バッファードフッ酸によってウェットエッチングした。
つぎに、本実施例における熱処理用マスクの除去工程について説明する。
図7(e)は、図7(d)の工程に続いて、熱処理用マスク812を除去する工程を説明する図である。
熱処理用マスク812であるSiOxは、バッファードフッ酸によってウェットエッチングした。
(第二熱処理工程)
つぎに、本実施例における第二熱処理工程について説明する。
図7(f)は、図7(e)の工程に続く、第二熱処理工程を説明する図である。すなわち、この第二熱処理工程では、V族である窒素元素を含む雰囲気下で熱処理することで、フォトニック結晶の細孔809の上部を、p型GaNのキャップ層813で塞ぎ、p型GaN層内部にフォトニック結晶を埋め込む。
なお、本実施例では、キャップ層813が実施形態1に示した第二窒化物半導体層111である。
第二熱処理工程の雰囲気は、N2流量が10slm(=0.45mol/min)、NH3流量が5slm(=0.22mol/min)である。
ここでは、それらに加えて、III族原料であるTMGを流量0.1×10-3mol/minで、p型ドーパント原料であるCP2Mgを流量0.3×10-6mol/minで流した。第二熱処理温度は1100℃である。
第二熱処理工程の結果、フォトニック結晶の細孔809の孔径(対向する側壁面の間隔)は50nmであり、熱処理前後でサイズ変動量を10nmに抑えつつ、フォトニック結晶の上部をキャップ層813で塞ぎ空孔814を形成することができた。
なお、本実施例においては、空孔814の上部は、(1−102)面と(0001)面と等価な面で孔が塞がれた。
つぎに、本実施例における第二熱処理工程について説明する。
図7(f)は、図7(e)の工程に続く、第二熱処理工程を説明する図である。すなわち、この第二熱処理工程では、V族である窒素元素を含む雰囲気下で熱処理することで、フォトニック結晶の細孔809の上部を、p型GaNのキャップ層813で塞ぎ、p型GaN層内部にフォトニック結晶を埋め込む。
なお、本実施例では、キャップ層813が実施形態1に示した第二窒化物半導体層111である。
第二熱処理工程の雰囲気は、N2流量が10slm(=0.45mol/min)、NH3流量が5slm(=0.22mol/min)である。
ここでは、それらに加えて、III族原料であるTMGを流量0.1×10-3mol/minで、p型ドーパント原料であるCP2Mgを流量0.3×10-6mol/minで流した。第二熱処理温度は1100℃である。
第二熱処理工程の結果、フォトニック結晶の細孔809の孔径(対向する側壁面の間隔)は50nmであり、熱処理前後でサイズ変動量を10nmに抑えつつ、フォトニック結晶の上部をキャップ層813で塞ぎ空孔814を形成することができた。
なお、本実施例においては、空孔814の上部は、(1−102)面と(0001)面と等価な面で孔が塞がれた。
(結晶成長工程と電極形成工程)
つぎに、本実施例における結晶成長工程と電極形成工程について説明する。
図7(g)に示すように、キャップ層813(p型GaN)の上に、p型クラッド層815であるp型Al0.09Ga0.91N、p型コンタクト層816であるp型GaNを順にMOVPE法によって順に成長させる。
つぎに、本実施例における結晶成長工程と電極形成工程について説明する。
図7(g)に示すように、キャップ層813(p型GaN)の上に、p型クラッド層815であるp型Al0.09Ga0.91N、p型コンタクト層816であるp型GaNを順にMOVPE法によって順に成長させる。
次に、GaN基板801の裏面にTi/Alのn側電極817を、p型コンタクト層表面にTi/Auのp側電極818をフォトリソグラフィと電子ビーム蒸着法とリフトオフ法により形成する。
以上の工程により、波長400nm帯で駆動する窒化物フォトニック結晶面発光レーザの作製が可能である。
以上の工程により、波長400nm帯で駆動する窒化物フォトニック結晶面発光レーザの作製が可能である。
(構造の特徴)
つぎに、本実施例における構造の特徴について説明する。
本実施例のフォトニック結晶の空孔814は、図2(a)の空孔110と同じ構造を有する。以下、本実施例の空孔814は、空孔110と読み替える。
空孔110は、(1−100)面と等価な6つの面で構成される六角柱201の上下を、(1−101)面と等価な6つの面で構成される六角錘202が接続された構造を有する。
つぎに、本実施例における構造の特徴について説明する。
本実施例のフォトニック結晶の空孔814は、図2(a)の空孔110と同じ構造を有する。以下、本実施例の空孔814は、空孔110と読み替える。
空孔110は、(1−100)面と等価な6つの面で構成される六角柱201の上下を、(1−101)面と等価な6つの面で構成される六角錘202が接続された構造を有する。
図2(a)のような空孔を有するフォトニック結晶面発光レーザに電圧を印加した場合、空孔110付近の電界集中が、特許文献1に開示されている円柱の空孔に印加した場合よりも抑制される。
そのため、結晶欠陥が発生しにくく、レーザの寿命が延びるという特徴を有する。
そのため、結晶欠陥が発生しにくく、レーザの寿命が延びるという特徴を有する。
図8は、フォトニック結晶レーザに電圧を印加した際の、空孔110周囲の電流の流れ方を示す断面図である。矢印は電流の流れ方を示す。
空孔110が円柱901である場合、図8(a)に示したように、円柱901の真上領域902は電界が弱く、円柱901の角領域903に電界が集中する。
その結果、角領域903から結晶欠陥が発生し、レーザの寿命を短くする。
一方で、図8(b)に示したように、六角錘202を有する本実施例の空孔110の場合、上下の六角錘202の形状により、電流の粗密にむらがなく、電界集中が抑制できる。
本実施例に示した製造方法で作製したフォトニック結晶面発光レーザは、素子寿命が長いという特徴を有する。
また、図8(c)は、図2(b)に示した空孔110によって、フォトニック結晶面発光レーザを作製した場合における空孔110周囲の電流の流れを説明する図であり、図8(b)の場合と同様に、空孔110を構成する多面体の各頂点における電界集中が緩和される。その結果、レーザの素子寿命が長くなるという特徴を有する。
このような構造は、本実施例で説明した製法に限らず、貼りあわせ等の他の製法を用いて作製することができる。また、フォトニック結晶面発光レーザに限らず、空孔110の上下方向に電流を流すようなフォトニック結晶デバイスにも上記の構造を好適に用いることができる。
空孔110が円柱901である場合、図8(a)に示したように、円柱901の真上領域902は電界が弱く、円柱901の角領域903に電界が集中する。
その結果、角領域903から結晶欠陥が発生し、レーザの寿命を短くする。
一方で、図8(b)に示したように、六角錘202を有する本実施例の空孔110の場合、上下の六角錘202の形状により、電流の粗密にむらがなく、電界集中が抑制できる。
本実施例に示した製造方法で作製したフォトニック結晶面発光レーザは、素子寿命が長いという特徴を有する。
また、図8(c)は、図2(b)に示した空孔110によって、フォトニック結晶面発光レーザを作製した場合における空孔110周囲の電流の流れを説明する図であり、図8(b)の場合と同様に、空孔110を構成する多面体の各頂点における電界集中が緩和される。その結果、レーザの素子寿命が長くなるという特徴を有する。
このような構造は、本実施例で説明した製法に限らず、貼りあわせ等の他の製法を用いて作製することができる。また、フォトニック結晶面発光レーザに限らず、空孔110の上下方向に電流を流すようなフォトニック結晶デバイスにも上記の構造を好適に用いることができる。
[実施例2]
本実施例2では、図9を用いて窒化物フォトニック結晶面発光レーザの製造方法の構成例について説明する。
ここでは、特に、フォトニック結晶と活性層の距離を近づけた構造の製造方法の例について説明する。
図9(a)に示すように、GaN基板801上に、n型クラッド層802であるn型Al0.09Ga0.91N、n型ガイド層803であるn型GaNをMOVPE法によって順に成長させる。
なお、本実施例では、n型ガイド層803が実施形態1の第一窒化物半導体層102に相当し、その主面806は(0001)面である。
図9(b)は、n型ガイド層803の主面806にフォトニック結晶を形成する工程を経た後の構造を示しており、フォトニック結晶を形成する工程は、実施例1と同じである。
なお、本実施例では、フォトニック結晶パターンは、細孔809を周期185nmで三角格子状に配列し、開口部808の直径は75nmの円形である。
本実施例2では、図9を用いて窒化物フォトニック結晶面発光レーザの製造方法の構成例について説明する。
ここでは、特に、フォトニック結晶と活性層の距離を近づけた構造の製造方法の例について説明する。
図9(a)に示すように、GaN基板801上に、n型クラッド層802であるn型Al0.09Ga0.91N、n型ガイド層803であるn型GaNをMOVPE法によって順に成長させる。
なお、本実施例では、n型ガイド層803が実施形態1の第一窒化物半導体層102に相当し、その主面806は(0001)面である。
図9(b)は、n型ガイド層803の主面806にフォトニック結晶を形成する工程を経た後の構造を示しており、フォトニック結晶を形成する工程は、実施例1と同じである。
なお、本実施例では、フォトニック結晶パターンは、細孔809を周期185nmで三角格子状に配列し、開口部808の直径は75nmの円形である。
図9(c)は、図9(b)の工程に続いて行う、第一熱処理工程を説明する図である。
なお、第一熱処理工程の熱処理用マスク812は、フォトニック結晶を形成したときに使用したエッチングマスク807を用いており、材料はSiOxである。第一熱処理工程の雰囲気は、N2流量が10slm(=0.45mol/min)、NH3流量が5slm(=0.22mol/min)であり、熱処理温度は、1050℃である。
また、本実施例の第一熱処理工程では、n型ドーパント原料であるSi2H6は流していないが、熱処理工程の最適化を行ううえでは、Si2H6を流してもよい。第一熱処理工程では、n型ガイド層803の主面806の主面が(0001)面であるので、マストランスポートによって、側壁810には、主面に対して垂直な(1−100)面と、傾斜した(1−103)面が形成される。
第一熱処理工程の後、バッファードフッ酸によって熱処理用マスク812を除去した。
なお、第一熱処理工程の熱処理用マスク812は、フォトニック結晶を形成したときに使用したエッチングマスク807を用いており、材料はSiOxである。第一熱処理工程の雰囲気は、N2流量が10slm(=0.45mol/min)、NH3流量が5slm(=0.22mol/min)であり、熱処理温度は、1050℃である。
また、本実施例の第一熱処理工程では、n型ドーパント原料であるSi2H6は流していないが、熱処理工程の最適化を行ううえでは、Si2H6を流してもよい。第一熱処理工程では、n型ガイド層803の主面806の主面が(0001)面であるので、マストランスポートによって、側壁810には、主面に対して垂直な(1−100)面と、傾斜した(1−103)面が形成される。
第一熱処理工程の後、バッファードフッ酸によって熱処理用マスク812を除去した。
図9(d)は、第二熱処理工程を説明する図である。
本実施例の第二熱処理工程の雰囲気は、N2流量が10slm(=0.45mol/min)、NH3流量が5slm(=0.22mol/min)であり、III族原料であるTMGと、n型ドーパント原料であるSi2H6は流さない。すなわち、R1=R2=0である。温度は、1050℃である。
その結果、第二熱処理工程では、n型ガイド層803のn型GaNのマストランスポートによってのみ、フォトニック結晶の細孔809の上部が塞がることになり、塞がったキャップ層813(n型GaN)の厚みを薄くできる。
本実施例の第二熱処理工程の雰囲気は、N2流量が10slm(=0.45mol/min)、NH3流量が5slm(=0.22mol/min)であり、III族原料であるTMGと、n型ドーパント原料であるSi2H6は流さない。すなわち、R1=R2=0である。温度は、1050℃である。
その結果、第二熱処理工程では、n型ガイド層803のn型GaNのマストランスポートによってのみ、フォトニック結晶の細孔809の上部が塞がることになり、塞がったキャップ層813(n型GaN)の厚みを薄くできる。
本実施例において、空孔814を塞ぐキャップ層813の厚さは20nmであった。
続いて、キャップ層813の上に、活性層804をMOVPE法により成長させる。
これにより、フォトニック結晶の空孔814と活性層804の距離を近づけることができ、活性層804で発生した光の多くをフォトニック結晶によって回折させることができるという特徴が得られる。
なお、活性層804は、3周期の多重量子井戸構造を形成しており、材料は、井戸層がIn0.09Ga0.91Nで、障壁層がIn0.01Ga0.99Nである。
次に、p型ガイド層1001であるp型GaN、p型クラッド層815であるp型Al0.09Ga0.91N、p型コンタクト層816であるp型GaNを、順にMOVPE法により順に成長させる。
続いて、GaN基板801の裏面にTi/Alのn側電極817を、p型コンタクト層表面にTi/Auのp側電極818を電子ビーム蒸着により形成する。
以上の工程により、図9(e)に示した波長400nm帯で駆動する窒化物半導体フォトニック結晶による面発光レーザの作製が可能である。
続いて、キャップ層813の上に、活性層804をMOVPE法により成長させる。
これにより、フォトニック結晶の空孔814と活性層804の距離を近づけることができ、活性層804で発生した光の多くをフォトニック結晶によって回折させることができるという特徴が得られる。
なお、活性層804は、3周期の多重量子井戸構造を形成しており、材料は、井戸層がIn0.09Ga0.91Nで、障壁層がIn0.01Ga0.99Nである。
次に、p型ガイド層1001であるp型GaN、p型クラッド層815であるp型Al0.09Ga0.91N、p型コンタクト層816であるp型GaNを、順にMOVPE法により順に成長させる。
続いて、GaN基板801の裏面にTi/Alのn側電極817を、p型コンタクト層表面にTi/Auのp側電極818を電子ビーム蒸着により形成する。
以上の工程により、図9(e)に示した波長400nm帯で駆動する窒化物半導体フォトニック結晶による面発光レーザの作製が可能である。
[実施例3]
本実施例3では、窒化物半導体フォトニック結晶による面発光レーザの製造方法の構成例について説明する。
ここでは、特に、フォトニック結晶がInGaNと空気で形成され、フォトニック結晶の細孔809の上部をAlGaNによって塞ぐ構造の製造方法の例について説明する。
GaN基板801上に、n型クラッド層802であるn型Al0.05Ga0.95N、n型ガイド層803であるn型In0.02Ga0.98N、活性層804をMOVPE法によって順に成長させる。
なお、活性層804の構造は、3周期の多重量子井戸構造を形成しており、材料は、井戸層がIn0.18Ga0.82Nで、障壁層がIn0.02Ga0.98Nである。
フォトニック結晶は、活性層804の上に成長させたp型ガイド層805(p型In0.02Ga0.98N)に形成する。
なお、p型ガイド層805の主面806は(0001)面である。その形成方法は、実施例1と同様である。
フォトニック結晶の細孔809は、孔直径70nm、深さ200nmであり、p型ガイド層805(p型In0.02Ga0.98N)の面内に周期185nmで正方格子状に配列されている。
本実施例3では、窒化物半導体フォトニック結晶による面発光レーザの製造方法の構成例について説明する。
ここでは、特に、フォトニック結晶がInGaNと空気で形成され、フォトニック結晶の細孔809の上部をAlGaNによって塞ぐ構造の製造方法の例について説明する。
GaN基板801上に、n型クラッド層802であるn型Al0.05Ga0.95N、n型ガイド層803であるn型In0.02Ga0.98N、活性層804をMOVPE法によって順に成長させる。
なお、活性層804の構造は、3周期の多重量子井戸構造を形成しており、材料は、井戸層がIn0.18Ga0.82Nで、障壁層がIn0.02Ga0.98Nである。
フォトニック結晶は、活性層804の上に成長させたp型ガイド層805(p型In0.02Ga0.98N)に形成する。
なお、p型ガイド層805の主面806は(0001)面である。その形成方法は、実施例1と同様である。
フォトニック結晶の細孔809は、孔直径70nm、深さ200nmであり、p型ガイド層805(p型In0.02Ga0.98N)の面内に周期185nmで正方格子状に配列されている。
続いて行う本実施例における第一熱処理工程の雰囲気は、N2流量が10slm(=0.45mol/min)、NH3流量が5slm(=0.22mol/min)であり、熱処理温度は、900℃である。
また、本実施例の第一熱処理工程では、p型ドーパント原料であるCP2Mgは流していないが、熱処理工程の最適化を行ううえでは、CP2Mgを流してもよい。
この第一熱処理工程の結果、側壁810には、主面に対して垂直な(1−100)面と、傾斜した(1−102)面が形成される。
次に、熱処理用マスク812であるSiOxを、バッファードフッ酸によってウェットエッチングした。
また、本実施例の第一熱処理工程では、p型ドーパント原料であるCP2Mgは流していないが、熱処理工程の最適化を行ううえでは、CP2Mgを流してもよい。
この第一熱処理工程の結果、側壁810には、主面に対して垂直な(1−100)面と、傾斜した(1−102)面が形成される。
次に、熱処理用マスク812であるSiOxを、バッファードフッ酸によってウェットエッチングした。
また、続いて行う本実施例における第二熱処理工程では、フォトニック結晶の細孔809の上部をp型Al0 .05Ga0.95Nで塞ぐ。
すなわち、キャップ層813が、p型Al0.05Ga0.95Nである。
第二熱処理工程の雰囲気は、N2流量が20slm(=0.89mol/min)、NH3流量が5slm(=0.22mol/min)である。
ここでは、それらに加えて、III族原料であるTMGを流量95μmol/min、TMAを流量5μmol/min、p型ドーパント原料であるCP2Mgを流量0.3μmol/minで流した。第二熱処理温度は1050℃である。第二熱処理の温度は、1050℃であり、p型In0.02Ga0.98Nに対しては、温度が高く脱離が激しくなる恐れがあるが、本実施例3においては、第一熱処理工程において孔の側壁810に安定な結晶面811が形成されたため、影響は小さかった。
第二熱処理工程の結果、フォトニック結晶の空孔814の孔径(対向する側壁面の間隔)は60nmである。
熱処理工程前後でサイズ変動を10nmに抑制しつつ、フォトニック結晶の細孔809の上部をキャップ層813(p型Al0.05Ga0.95N)で塞ぐことができた。
なお、このキャップ層813(p型Al0.05Ga0.95N)を、p型クラッド層815として機能させることも可能であり、本実施例では、図10に示すように、キャップ層813の厚さをp型クラッド層815と同程度の厚さに成長させた。
すなわち、キャップ層813が、p型Al0.05Ga0.95Nである。
第二熱処理工程の雰囲気は、N2流量が20slm(=0.89mol/min)、NH3流量が5slm(=0.22mol/min)である。
ここでは、それらに加えて、III族原料であるTMGを流量95μmol/min、TMAを流量5μmol/min、p型ドーパント原料であるCP2Mgを流量0.3μmol/minで流した。第二熱処理温度は1050℃である。第二熱処理の温度は、1050℃であり、p型In0.02Ga0.98Nに対しては、温度が高く脱離が激しくなる恐れがあるが、本実施例3においては、第一熱処理工程において孔の側壁810に安定な結晶面811が形成されたため、影響は小さかった。
第二熱処理工程の結果、フォトニック結晶の空孔814の孔径(対向する側壁面の間隔)は60nmである。
熱処理工程前後でサイズ変動を10nmに抑制しつつ、フォトニック結晶の細孔809の上部をキャップ層813(p型Al0.05Ga0.95N)で塞ぐことができた。
なお、このキャップ層813(p型Al0.05Ga0.95N)を、p型クラッド層815として機能させることも可能であり、本実施例では、図10に示すように、キャップ層813の厚さをp型クラッド層815と同程度の厚さに成長させた。
続いて、キャップ層813の上に、p型コンタクト層816であるp型GaNをMOVPE法によって順に成長させる。
次に、GaN基板801の裏面にTi/Alのn側電極817を、p型コンタクト層表面にTi/Auのp側電極818をフォトリソグラフィと電子ビーム蒸着法とリフトオフ法により形成する。
以上の工程により、図10に示すような、波長450nm帯で駆動する窒化物半導体フォトニック結晶による面発光レーザの作製が可能である。
次に、GaN基板801の裏面にTi/Alのn側電極817を、p型コンタクト層表面にTi/Auのp側電極818をフォトリソグラフィと電子ビーム蒸着法とリフトオフ法により形成する。
以上の工程により、図10に示すような、波長450nm帯で駆動する窒化物半導体フォトニック結晶による面発光レーザの作製が可能である。
[実施例4]
本実施例4では、窒化物半導体フォトニック結晶による面発光レーザの製造方法の構成例について説明する。
ここでは、特に、フォトニック結晶がAlGaNと空気で形成され、フォトニック結晶の細孔809の上部をInGaNによって塞ぐ構造の製造方法の例について説明する。
GaN基板801上に、n型クラッド層802であるn型Al0.05Ga0.95NをMOVPE法によって成長させる。
なお、n型クラッド層802の主面806は(0001)面である。
本実施例では、フォトニック結晶の細孔809は、n型クラッド層802に形成する。その形成方法は、実施例2と同様である。
フォトニック結晶の細孔809の構造は、実施形態4に示した方法を用いて、対向する側壁間隔が70nm、深さ200nmの六角柱を形成し、n型クラッド層802(n型Al0.05Ga0.95N層)の面内に周期185nmで正方格子状に配列されている。
本実施例4では、窒化物半導体フォトニック結晶による面発光レーザの製造方法の構成例について説明する。
ここでは、特に、フォトニック結晶がAlGaNと空気で形成され、フォトニック結晶の細孔809の上部をInGaNによって塞ぐ構造の製造方法の例について説明する。
GaN基板801上に、n型クラッド層802であるn型Al0.05Ga0.95NをMOVPE法によって成長させる。
なお、n型クラッド層802の主面806は(0001)面である。
本実施例では、フォトニック結晶の細孔809は、n型クラッド層802に形成する。その形成方法は、実施例2と同様である。
フォトニック結晶の細孔809の構造は、実施形態4に示した方法を用いて、対向する側壁間隔が70nm、深さ200nmの六角柱を形成し、n型クラッド層802(n型Al0.05Ga0.95N層)の面内に周期185nmで正方格子状に配列されている。
続いて行う本実施例における第一熱処理工程の雰囲気は、N2流量が20slm(=0.89mol/min)、NH3流量が5slm(=0.22mol/min)であり、熱処理温度は、1100℃である。
また、本実施例の第一熱処理工程では、n型ドーパント原料であるSi2H6は流していないが、熱処理工程の最適化を行ううえでは、Si2H6を流してもよい。この第一熱処理工程の結果、側壁810には、主面806に対して垂直な(1−100)面と、傾斜した(1−101)面が形成される。
次に、熱処理用マスク812であるSiOxを、バッファードフッ酸によってウェットエッチングした。
また、本実施例の第一熱処理工程では、n型ドーパント原料であるSi2H6は流していないが、熱処理工程の最適化を行ううえでは、Si2H6を流してもよい。この第一熱処理工程の結果、側壁810には、主面806に対して垂直な(1−100)面と、傾斜した(1−101)面が形成される。
次に、熱処理用マスク812であるSiOxを、バッファードフッ酸によってウェットエッチングした。
続いて行う本実施例における第二熱処理工程では、フォトニック結晶の細孔809の上部をn型In0.02Ga0.98Nで塞ぐ。
すなわち、キャップ層813がn型In0.02Ga0.98Nである。
第二熱処理工程の雰囲気は、N2流量が15slm(=0.67mol/min)、NH3流量が5slm(=0.22mol/min)である。
ここでは、それらに加えて、III族原料であるTMGを流量50μmol/min、TMIを流量20μmol/min、n型ドーパント原料であるSi2H6を流量5×10-3μmol/minで流した。第二熱処理温度は850℃である。
第二熱処理工程の結果、フォトニック結晶の細孔809の孔径(対向する側壁面の間隔)は70nmであり、熱処理前後でサイズをほとんど変動させることなく、フォトニック結晶の細孔809の上部をn型In0.02Ga0.98Nで塞ぐことができた。
本実施例では、キャップ層813(n型In0.02Ga0.98N)が、n型ガイド層803を兼ねる。
すなわち、キャップ層813がn型In0.02Ga0.98Nである。
第二熱処理工程の雰囲気は、N2流量が15slm(=0.67mol/min)、NH3流量が5slm(=0.22mol/min)である。
ここでは、それらに加えて、III族原料であるTMGを流量50μmol/min、TMIを流量20μmol/min、n型ドーパント原料であるSi2H6を流量5×10-3μmol/minで流した。第二熱処理温度は850℃である。
第二熱処理工程の結果、フォトニック結晶の細孔809の孔径(対向する側壁面の間隔)は70nmであり、熱処理前後でサイズをほとんど変動させることなく、フォトニック結晶の細孔809の上部をn型In0.02Ga0.98Nで塞ぐことができた。
本実施例では、キャップ層813(n型In0.02Ga0.98N)が、n型ガイド層803を兼ねる。
続いて、活性層804をMOVPE法によって成長させる。
なお、活性層804の構造は、3周期の多重量子井戸構造を形成しており、材料は、井戸層がIn0.18Ga0.82Nで、障壁層がIn0.02Ga0.98Nである。
p型ガイド層1001であるp型n型In0.02Ga0.98N、p型クラッド層815であるp型Al0.05Ga0.95N層、p型コンタクト層816であるp型GaNを順にMOVPE法により順に成長させる。
続いて、GaN基板の裏面にTi/Alのn側電極817を、p型コンタクト層表面にTi/Auのp側電極818を電子ビーム蒸着により形成する。
以上の工程により、図11に示すような、波長450nm帯で駆動する窒化物フォトニック結晶面発光レーザの作製が可能である。
なお、活性層804の構造は、3周期の多重量子井戸構造を形成しており、材料は、井戸層がIn0.18Ga0.82Nで、障壁層がIn0.02Ga0.98Nである。
p型ガイド層1001であるp型n型In0.02Ga0.98N、p型クラッド層815であるp型Al0.05Ga0.95N層、p型コンタクト層816であるp型GaNを順にMOVPE法により順に成長させる。
続いて、GaN基板の裏面にTi/Alのn側電極817を、p型コンタクト層表面にTi/Auのp側電極818を電子ビーム蒸着により形成する。
以上の工程により、図11に示すような、波長450nm帯で駆動する窒化物フォトニック結晶面発光レーザの作製が可能である。
100:半導体構造
101:基板
102:第一窒化物半導体層
103:主面
104:細孔
105:エッチングマスク
106:開口部
107:側壁
108:熱処理用マスク
109:結晶面
110:空孔
111:第二窒化物半導体層
101:基板
102:第一窒化物半導体層
103:主面
104:細孔
105:エッチングマスク
106:開口部
107:側壁
108:熱処理用マスク
109:結晶面
110:空孔
111:第二窒化物半導体層
Claims (11)
- 窒化物半導体の微細構造の製造方法であって、
前記窒化物半導体の主面に形成された細孔と、該細孔を除く該窒化物半導体の主面を覆う熱処理用マスクと、を備えた半導体構造を用意する工程と、
前記半導体構造を用意する工程の後に、前記半導体構造を窒素元素を含む雰囲気下で熱処理し、前記細孔の側壁の少なくとも一部に前記窒化物半導体の結晶面を形成する第一熱処理工程と、
前記第一熱処理工程の後に、前記熱処理用マスクを除去する工程と、
前記熱処理用マスクを除去する工程の後に、前記半導体構造を窒素元素を含む雰囲気下で熱処理し、前記側壁に結晶面が形成された前記細孔の上部を窒化物半導体で塞ぐ第二熱処理工程と、
を有することを特徴とする窒化物半導体の微細構造の製造方法。 - 前記半導体構造を用意する工程は、
前記細孔をエッチングによって形成する工程を含み、
前記熱処理用マスクは、前記エッチングに使用したエッチングマスクを用いることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体の微細構造の製造方法。 - 前記熱処理用マスクは、
該熱処理用マスクの開口部の上面形状のうち少なくとも1辺が、前記窒化物半導体の結晶面と平行となるように、前記熱処理用マスクの開口部をパターニングすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の窒化物半導体の微細構造の製造方法。 - 前記第一熱処理工程を行う雰囲気のIII族/V族のモル比R1と、前記第二熱処理工程を行う雰囲気のIII族/V族のモル比R2との関係が、
R1≦R2であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の窒化物半導体の微細構造の製造方法。 - 前記窒化物半導体の主面が(0001)面であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の窒化物半導体の微細構造の製造方法。
- 前記第一熱処理工程が、前記細孔の側壁の一部に(0001)面、または(1−10n(但し、nは0から4までの整数))面と等価ないずれかの面を形成する工程であることを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体の微細構造の製造方法。
- 前記窒化物半導体の主面が(1−100)面であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の窒化物半導体の微細構造の製造方法。
- 前記第一熱処理工程が、前記細孔の側壁の一部に(1−10n(但し、nは0から4までの整数))面、または(0001)面と等価ないずれかの面を形成する工程であることを特徴とする請求項7に記載の窒化物半導体の微細構造の製造方法。
- 前記細孔の対向する側壁面の間隔が1μm以下であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の窒化物半導体の微細構造の製造方法。
- 請求項1から9のいずれか1項に記載の窒化物半導体の微細構造の製造方法が、フォトニック結晶を構成する複数配列された細孔を作製する際に用いられる製造方法であることを特徴とする窒化物半導体の微細構造の製造方法。
- 前記フォトニック結晶が、面発光レーザを構成するフォトニック結晶であることを特徴とする請求項10に記載の窒化物半導体の微細構造の製造方法。
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