KR100347450B1 - 불휘발성메모리및그것을이용한메모리카드와정보처리장치및불휘발성메모리의소프트웨어라이트프로텍트제어방법 - Google Patents

불휘발성메모리및그것을이용한메모리카드와정보처리장치및불휘발성메모리의소프트웨어라이트프로텍트제어방법 Download PDF

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Abstract

라이트 프로텍트 기능이 없는 불휘발성 메모리를 사용한 메모리카드 및 정보처리장치에 있어서, 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트가 가능한 불휘발성 메모리 및 그것을 이용한 시스템 기술을 제공한다. 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트 기능이 없는 재기록 가능한 불휘발성 메모리를 이용한 플래시 메모리 카드로서 일괄전기적 소거 및 기록 가능한 플래시 메모리와, 전원투입시의 파워온 리셋 신호를 발생하는 리셋 IC와, 이들의 디바이스간의 컨트롤과 메모리카드 인터페이스와의 사이의 제어를 행하는 카드컨트롤러를 포함하고, 플래시 메모리에는 라이트 프로텍트를 행하고 싶은 에어리어의 어드레스를 라이트 하는 프로텍트 보존레지스터가 어트리뷰트영역에서 설정되어 시스템에서 프로텍트 범위가 설정된다.

Description

불휘발성 메모리 및 그것을 이용한 메모리카드와 정보처리장치 및 불휘발성 메모리의 소프트웨어 라이트 프로텍트 제어방법
본 발명은 불휘발성 메모리 및 그것을 이용한 시스템 기술에 관한 것으로, 특히 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트 기능이 없는 재기록 가능한 불휘발성 메모리를 사용한 시스템, 예를 들면 정보처리장치 전반, 메모리카드 전반 및 불의발성 메모리 디바이스에 있어서, 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트를 가능하게 하는 불휘발성 메모리 및 그것을 이용한 메모리카드, 정보처리장치 및 불휘발성 메모리의 소프트웨어 라이트 프로텍트 제어방법에 적응하는 유효한 기술에 관한 것이다.
예를 들면, 불휘발성 메모리로서의 플래시메모리(플래시 EEPROM)를 이용하여 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트 기능을 가진 플래시 메모리카드로서는 인텔사(Intel사)의 시리즈 2-가 제품화되어 있다. 이것은 인텔사의 플래시 메모리를 사용하고 있으며 소거 블록단위에서의 라이트 프로텍트 기능을 플래시 메모리자체가 가지고 있다.
또 이 소프트웨어 라이트 프로텍트 기능이란 여기서는 기록 금지 스위치 등에 의한 하드웨어 라이트 프로텍트 기능에 상대하는 말로 유저(시스템)측이 플래시 메모리영역 내의 기록 금지영역을 임의로 설정할 수 있다고 하는 의미에서의 소프트웨어 프로그램가능 메모리 컨트롤 기능이며, 이 소프트웨어에 의하여 라이트 프로텍트를 행하는 것을 소프트웨어 라이트 프로텍트라 정의할 수 있다.
그런데 상기와 같은 종래기술의 플래시 메모리 카드에 있어서는, 라이트 프로텍트 기능을 플래시 메모리자체가 가지고 있기 때문에 소프트웨어 라이트 프로텍트가 가능하지만, 예를들면 임의의 에어리어에서의 라이트 프로텍트 기능이 없는 플래시 메모리를 이용한 메모리카드에 있어서는 라이트 프로텍트 에어리어의 재기록 가능한 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트가 불가능하게 되어 있다.
그래서 본 발명의 목적은 라이트 프로텍트 기능이 없는 플래시 메모리 등의 불휘발성 메모리를 사용한 메모리카드 및 정보처리장치에 있어서, 불휘발성 메모리내의 라이트 프로텍트보존레지스터의 설정에 의하여 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트를 행할 수 있는 불휘발성 메모리 및 그것을 이용한 메모리카드, 정보처리장치 및 불휘발성 메모리의 소프트웨어 라이트 프로텍트 제어방법을 제공하는 것이다.
본원에 있어서 개시되는 발명중 대표적인 양태(aspects)를 간단히 설명하면 이하와 같다.
즉, 본 발명의 하나의 양태인 불휘발성 메모리는 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트 기능이 없는 재기록 가능한 반도체 불휘발성 메모리에 적용되고, 불휘발성 소프트웨어 라이트 프로텍트 제어를 가능하게 하기 위해, 불휘발성 메모리내에 소정의 소거단위로 임의의 라이트 프로텍트 에어리어의 어드레스를 기록하는 라이트 프로텍트 보존레지스터를 설정하는 것이다.
이 경우에, 라이트 프로텍트 에어리어의 설정을 불휘발성 메모리의 선두에서임의까지, 최종에서 임의까지, 또는 임의에서 임의까지의 소거단위로 변경 가능하게 하든지 또 소거단위의 설정을 섹터 단위 또는 디바이스의 블록단위로 변경 가능하게 하여, 예를 들면, 플래시 메모리에 적용한다.
또 본 발명의 다음 양태에 의한 메모리카드는 상기 불휘발성 메모리를 이용하는 것으로서 이 불휘발성 메모리와 적어도 메모리카드 인터페이스간의 제어를 행하는 카드컨트롤러로 구성한다.
또한, 본 발명의 또다른 양태에 의한 정보처리장치는 상기 불휘발성 메모리를 이용하는 것으로서, 이 불휘발성 메모리와 적어도 중앙처리장치 및 그 주변장치로 구성한다
또, 본 발명의 다른 또 하나의 양태에 의한 불휘발성 메모리의 소프트웨어 라이트 프로텍트 제어방법은 불휘발성 메모리내의 라이트 프로텍트 보존레지스터에 임의의 라이트 프로텍트 에어리어의 어드레스를 기록하고 그 어드레스를 이용하여 유저측에서 억세스된 어드레스가 라이트 프로텍트 에어리어내인지 여부를 판정하여 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트 제어를 행한다.
상기한 불휘발성 메모리 및 그것을 이용한 메모리카드, 정보처리장치 및 불휘발성 메모리의 소프트웨어 라이트 프로텍트 제어방법에 의하면, 예를 들면 일괄전기적 소거 및 기록가능한 플래시 메모리의 최종어드레스를 라이트 프르텍트 보존레지스터로서 어트리뷰트영역에서 설정하고 이 라이트 프로텍트 보존레지스터에 라이트 프로텍트를 행하고 싶은 에어리어의 어드레스를 기록한다.
이 경우에 이 라이트 프로텍트 에어리어는 플래시 메모리의 기능 사양 등에대응하여 플래시 메모리의 선두섹터, 최종섹터 또는 임의의 섹터에서의 1섹터의 새김 2섹터 새김 등의 데이터 단위의 512 바이트(byte)(4096 bit)로 정의되는 섹터단위, 또는 수섹터의 데이터의 집합을 나타내는 디바이스의 블록단위에 의한 선두블록, 최종블록 또는 임의의 블록에서 임의의 블록까지의 블록단위로 영역가변 프로텍트 방식에 의해 설정할 수 있다.
또 플래시 메모리의 라이트 프로텍트 보존레지스터에 기록한 라이트 데이터를 시스템측에 서의 입력에 의한 하드웨어 리셋, 시스템측에서의 레지스트 라이트에 의한 소프트웨어 리겟, 혹은 전원투입시에 의한 파워온 리셋을 카드컨트롤러에 넣음으로서 카드컨트롤러 내의 라이트 프로텍트 레지스터에 전송한다.
그리고 그 이후 유저측에서 억세스된 어드레스가 라이트 프로텍트 에어리어 내인지의 여부를 카드컨트롤러로 판정하여, 이 결과 라이트 프로텍트 에어리어 내의 경우는 라이트 프로텍트를 가능하게 하는 한편 라이트 프로텍트 에어리어 이외의 경우는 라이트 프로텍트를 불가능하게 하여 미리 정하여진 소거단위에서의 소프트웨어 라이트 프로텍트 제어를 행할 수 있다.
이것에 의해 플래시 메모리의 라이트 프로텍트 보존레지스터를 이용하므로서 라이트 프로텍트 정보가 불휘발성으로 되고, 또 플래시 메모리의 임의의 영역에서의 라이트 프로텍트가 가능하게 되며, 소프트웨어 라이트 프로텍트 기능이 없는 플래시 메모리 등의 재기록 가능한 불휘발성 메모리를 사용한 메모리카드 및 정보처리장치 등의 시스템에 있어서 라이프 프로텍트정보, 라이트 프로텍트 영역내의 데이터의 보수성을 향상시킬 수 있다.
또 플래시 메모리의 임의의 영역에서의 라이트 프로텍트가 가능하기 때문에 플래시 메모리의 소프트웨어 라이트 프로텍트에 의해 기록이 금지되어 있는 영역의 프로텍트 에어리어와 이 영역 이외의 기록이 금지되어 있지 않은 영역의 워크에어리어를 시스템에 맞추어 설정할수 있으며, 불휘발성 메모리의 유효이용을 가능하게 할 수 있다.
본 발명의 상기 및 그외의 목적과 신규한 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부도면에서 명백하게 될 것이다.
실시예 1
이하 본 발명의 실시예를 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
먼저 제 1도는 본 실시예의 불휘발성 메모리를 이용한 메모리카드의 구성을 블록도에 의해 도시한다.
본 실시예의 메모리카드는 예를 들면 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트 기능이 없는 재기록 가능한 불휘발성 메모리 예를 들면 히타치(日立)제작 타잎 HN28F 1600의 플래시 메모리를 이용한 플래시 메모리카드(1)로 되어 일괄전기적 소거 및 기록가능한 플래시 메모리(불휘발성 메모리)(2A∼2N)와, 전원투입시의 파워온 리셋신호를 발생하는 리셋 IC(3)와, 이들 디바이스간의 컨트롤과 메모리 카드 인터페이스와의 사이의 제어를 행하는 카드컨트롤러(4)로 구성되어 있다.
본 실시예에서, 플래시 메모리 카드(1)에 탑재되는 플래시 메모리(2A∼2N)에는 예를 들면 이 플래시 메모리(2)의 메모리공간을 의미하는 커먼 플래시 에어리어(5)의 최종칩(2N) 데이터단위(512 바이트)인 최종 섹터내에 라이트 프로텍트를 행하고 싶은 에어리어의 어프레스를 기록하는 라이트 프로텍트 보존레지스터 (WP 보존 Reg)(5A)가 어트리뷰트영역에서 설정되며, 시스템에서 프로텍트 범위 즉 프로텍트 엔드 섹터의 설정이 가능하게 되어 있다.
이 어트리뷰르 영역이란 카드컨트롤러 내의 레지스터나 플래시 메모리카드 (1)의 식별정보와 하드웨어의 구성이나 플래시 메모리카드(1)를 시스템의 어드레스공간의 어디에 할당하는지 등을 나타내는 구성정보를 기억하는 메모리영역을 나타내는 것이라 정의된다.
그리고 이 라이트 프로텍트 보존레지스터(5A)에 의한 라이트 프로텍트 범위가 예를 들면 커먼 플래시 에어리어의 선두(0) 섹터에서 (최종-1) 섹터까지의 임의의 섹터까지로하여 가변 프로텍트 방식으로 설정되며 이것은 플래시 메모리(2)의 소거단위가 섹터단위 예를 들면 512 바이트인 것에 의하는 것이다. 이 소거단위는 플래시 메모리(2)의 기능 사양에 대응하여 설정된다.
카드컨트롤러(4)에는 라이트 프로텍트 존재 레지스터(6B)가 설치되어 있으며 이 레지스터(6B)에 라이트하면 카드컨트롤러의 제어에 의해 플래시 메모리내의 WP 보존레지스터(5A)에 기록된다. 다음에 전원투입시에 행하여지는 리셋의 파워온 리셋, 플래시 메모리카드(1)를 사용하는 시스템측에서의 리셋신호에 의한 하드웨어 리셋, 이 카드컨트롤러(4)에 설정되는 소프트 리셋 레지스터에 시스템측이 기록함으로서 행하여지는 소프트웨어 리셋을 행하므로서 플래시 메모리(2A∼2N)의 라이트 프로텍트 보존레지스터(5A)에서 전송되는 라이트 데이터를 저장하는 라이트 프로텍트 레지스터(WF Reg)(6,4)가 설치되어 있다.
다음에 본 실시예의 작용에 대하여 처음에 라이트 프로텍트 설정의 순서를 제 2도에 의거하여 제 1도를 참조하면서 설명한다. 또 이 라이트 프로텍트 설정의 제어 또 후술하는 라이트 프로텍트 정보의 전송제어 라이트 프로텍트 제어 등의 각 제어는 카드컨트롤러(4)를 구성하는 논리소자에 의한 논리회로에 의해 행하여지고 있다.
먼저 플래시 메모리카드(1)에 탑재된 플래시 메모리(2)의 최종칩, 최종섹터를 라이트 프로텍트 보존레지스터(5A)로서 설정한다. 이 레지스터(5A)는 어트리뷰트영역에 속하며 이 레지스터(5A)에 라이트 프로텍트 엔드 어드레스를 기록하여 라이트 프로텍트 범위를 설정한다(스텝 201).
이 플래시 메모리(2)의 최종칩(2N), 최종섹터의 라이트 프로텍트 보존레지스터(5A)는 플래시메모리(2)내에 있기 때문에 이 정보를 재기록하든지 또는 플래시 메모리(2)가 파괴되는 이외는 불휘발성의 정보로서 유지할 수 있다.
또 라이트 프로텍트 보존레지스터(5A)에 기록된 정보를 카드컨트롤러의 레지스터(6A)에 전송하기 위하여, 전원투입에 의한 파워온 리셋 시스템측에서의 입력에 의한 하드웨어 리셋혹은 시스템측에서의 레지스터 라이트에 의한 소프트웨어 리셋을 넣는다(스텝 202∼204).
이것에 의하여 기록된 정보를 카드컨트롤러(4)내에 설정된 라이트 프로텍트 레지스터(6A)에 전송하여 소프트웨어 라이트 프로텍트 설정을 완료할 수 있다(스텝 205, 206).
그리고, 라이트 프로텍트 레지스터(6A)에 라이트 프로텍트 정보가 전송된 후시스템측에서 억세스된 어드레스와 라이트 프로텍트 레지스터(6A)에 기록된 라이트 프로텍트 엔드 어드레스를 비교하여 이 비교결과에 따라 라이트 프로텍트 제어를 행할 수 있다.
계속하여 라이트 프로텍트 정보의 전송에 대하여 제 3,4도∼제 3E도의 타임차트에 의거하여 제 4도를 참조하면서 설명한다.
처음에 제 4도에 도시하는 것과 같이 카드컨트롤러(4)에는 라이트 프로텍르 레지스터(6A)외에 라이트 프로텍트 정보전송 기능으로서 파워온 리셋, 하드웨어 리셋 또는 소프트웨어 리셋에 의한 리셋펄스를 사용하여 전송용의 신호를 발생시키는 리셋부(7), 플래시 메모리(2)에의 기록, 판독을 할 때 어드레스를 발생시키는 어드레스 제어부(8), 칩 이네이블 신호, 출력 이네이블 신호를 발생시키는 플래시 메모리 컨트롤신호 발생부(9). 카드컨트롤러(4)내에 설정하는 레지스터의 초기화나 소프트웨어 리셋에 의한 리셋펄스를 발생시키는 소프트웨어 리셋 레지스터(10) 및 소프트웨어 리셋 레지스터(10)의 제어를 시스템측에서 어드레스/컨트롤러 신호에 응답하여 행하는 레지스터 컨트롤러부(11)가 설치되어 있다.
라이트 프로텍트 보존레지스터(5A)에의 기록동작에 있어서 제 3A도에 도시하는 것과 같이 제 4도에 도시하지 않는다. WP 보존레지스터(6B)에 유저 시스템에서의 어트리뷰트 에어리어셀렉트 신호(REG)에 의해 WP 엔드 어드레스를 기록하면 플래시 메모리 컨트를 제어발생부(9)에 의해 컨트롤러의 WP 보존레지스터(6B)를 통하여 플래시 메모리(2)내의 라이트 프로텍트 보존레지스터(5A)에 라이트 프로텍트 엔드 어드레스를 기록한다. 그후 제 3B도에 도시하는 것과 같이 예를 들면 하드웨어리셋시에는 시스템측에서의 리셋부(7)에 입력되는 리셋펄스를 사용하여 카드컨트롤러(4)내에서 이하와 같은 전송용의 신호를 발생시킨다.
즉, 카드컨트롤러(4)내에서 어드레스 제어부(8)에서는 리셋부(7)에서의 신호를 기초로 플래시 메모리내의 라이트 프로텍트 보존레지스터(5A)의 어드레스를 나타내는 신호(Adr)를 발생시킨다. 또 플래시 메모리 컨트롤 신호 발생부(9)에 있어서는 리셋부(7)에서의 신호를 기초로 칩 이네이블신호(CE) 출력 이네이블신호(OE)를 10W 레벨로 발생시킨다.
리셋부(7)는 이들의 발생한 라이프 프로텍트 보존레지스터의 어드레스 신호 칩 이네이블 신호, 출력 이네이블신호에 의해 판독된 라이트 프로텍트 정보를 카드컨트롤러(4)내의 라이트 프로텍트 레지스터(6A)에 래치 하기 위한 래치신호를 발생한다
이것에 의해 하드웨어 리셋시에 있어서 플래시 메모리(2)의 라이트 프로텍트 보존레지스터(5A)에서 판독된 라이트 프로텍트 정보를 카드컨트롤러(4)내의 라이트 프로텍트 레지스터(6A)에 전송하여 래치할 수 있다.
소프트웨어 리셋시에는 시스템측에서의 레지스터 라이트에서의 어드레스 컨트롤 신호를 이용하여 카드컨트롤러(4)내의 레지스터 컨트롤부(11)에서 발생되는 라이트 신호를 소프트웨어 리셋 레지스터(10)에 입력하여 "1"을 기록한 후에 "0"의 라이트를 행하고 소프트웨어 리셋 펄스를 발생시킨다.
그리고 그 소프트웨어 리셋 펄스를 리셋부(7)에 입력하고 카드컨트롤러(4)내에 있어서 하드웨어 리셋시와 같이하여 전송용의 신호를 발생시켜 라이트 프로텍트보존레지스터(5A)에서 라이트 프로텍트 레지스터(6A)에 라이트 프로텍트 정보를 전송할 수 있다.
또 파워온 리셋시에는 플래시 메모리 카드(1)의 전원이 투입되면 리셋 IC(3)에 의해 파워온 리셋펄스를 발생시켜 그것을 리셋부(7)에 입력하여 카드컨트롤러 (4)내에서 하드웨어 리셋시와 같이하여 전송용의 신호를 발생시키고 라이트 프로텍트 보존레지스터(5A)에서 라이트 프로텍트 레지스터(6A)로의 라이트 프로텍트 정보의 전송을 가능하게 할 수 있다.
계속하여 라이트 프로텍트 제어에 대하여 제 6도의 플로우에 의거하여 제 5A도∼제 5B도, 제 7도∼제 9도를 참조하면서 설명한다.
처음에 플래시메모리 카드(1)는 제 5A도에 도시하는 것과 같은 어드레스 맵핑으로 되어있으며, 라이트 프로텍트 보존레지스터(5A)는 커먼 플래시영역(5)의 최종칩(2N), 최종섹터내에 설정되어 있기 때문에 그 섹터는 어트리뷰트영역에 속하며 따라서 커먼 플래시 영역으로서는 액세스 불가능하게 되어 있다.
어트리뷰트영역은 카드컨트롤러 내에 설정된 카드 속성정보(CIS : Card Configuration Structure) 레지스터 및 소프트리셋 레지스터, 카드 스테이터 레지스터, WP 레지스터 등의 복수 레지스터로 구성된다.
제 5B도는 커먼 플래시영역과 어트리뷰트영역의 선택동작을 타이밍도로 나타낸다. 커먼 플래시 영역과 어트리뷰트영역과의 억세스법은 어트리뷰트영역 선택신호(REG)를 애서트(assert)하든지의 여부가 다르다. 예를 들면 어드레스 4000H번지의 테이터를 리드(read) 하는 경우 같은 4000H번지라도 REG를 애서트하면 어트리뷰트영역 내의 4000H번지의 데이터를 리드하고 REG를 애서트하지 않으면 커먼 플래시영역의 4000H번지의 데이터를 리드한다.
카드컨트롤러(4)에는, 라이트 프로텍트 제어기능으로서, 제 9도의 라이트 프로텍트 제어 회로 블록도에 나타내는 바와 같이, 시스템측이 플래시 메모리카드(1)에 억세스한 어드레스가 라이트 프로텍트 영역내인지의 여부를 판정하는 라이트 프로텍트 영역판정부(12) 및 플래시 메모리(2)에의 기록 데이터의 제어를 행하는 데이터제어부(13)가 설치되며, 이 라이트 프로텍트 영역판정부(12)에서 섹터 어드레스와 프로텍트 엔드 섹터 어드레스가 비교되어 데이터제어부(13)에 라이트 프로텍트 제어를 행하는 프로텍트 신호가 전송되도록 되어 있다.
즉 라이트 프로텍트 영역판정부(12)에는 제 7도에 도시하는 것과 같이 섹터 어드레스와 섹터 어드레스의 상위 8비트를 저장하는 라이트 프로텍트 어퍼레지스터 (WPUReg) 및 하위 8비트를 저장하는 라이트 프로텍트로 레지스터(WPLReg)의 라이트 프로텍트 레지스터(6A)에 저장된 프로텍트 엔드 섹터 어드레스를 비교하는 대소판별회호(14)가 설치되어 프로텍트 신호가 발생한다.
상기 라이트 프로텍트 제어회로의 동작을 제 6도의 플로우챠트와 제 8도의 타이밍챠트를 사용하여 설명한다. 먼저 소프트웨어 라이트 프로텍트의 설정후 시스템측에서 커먼플래시 영역에의 라이트 억세스신호(/CE, /WE)가 플래시 메모리카드 (1)에 대하여 발생되면 카드컨트롤러(4)내의 라이트 프로텍트 영역 판정부(12)에서 라이트 프로텍트 레지스터(6A)의 프로텍트엔드 어드레스와 시스템측에서 억세스된 섹터 어드레스 시스템 어드레스를 비교한다(스텝 601, 602)
그 결과, 예를 들면(플래시 메모리 2에의 라이트시의 섹터 어드레스)즈(라이트 프로텍트레지스터(6A)의 프로텍트 엔트 섹터 어드레스)이면 라이트 프로텍트 범위내라 판정하여 라이트 프로텍트 영역판정부(12)에서 라이트 프로텍트 신호를 발생시켜 그것을 데이터 제어부(13)에 입력하고, 데이터제어부(13)에서 플래시 메모리(2)에의 라이트 데이터를 리셋 커맨드(FFH) 혹은 무효 커맨드로 변경하여 플래시 메모리(2)에 라이트 한다(스텝 603, 604).
이 리셋 커맨드는 플래시 메모리의 기록 셋업상태를 리셋하는 미리 플래시 메모리로 설정되어 있는 커맨드이며, 또 무효 커맨드는 미리 플래시 메모리에 설정되어 있는 커맨드 이외의 커맨드를 나타낸다.
한편, (플래시 메모리(2)에의 라이트시의 섹터 어드레스) > (라이트 프로텍트 레지스터(6A)의 프로텍트 엔드 섹터 어드레스)이면 라이트 프로텍트 범위외로 판정하여 정상라이트로서 라이트데이터를 그대로 플래시 메모리(2)에 라이트 한다(스텝 603, 605).
이것에 의해 라이트시에 억세스한 어드레스에 대하여 라이트 프로텍트 범위내인지의 여부를 판정하여 라이트 프로텍트 범위내의 경우는 라이트 프로텍트를 가능하게 하는 한편 라이트 프로텍트 범위외의 경우는 라이트 프로텍트를 불가능으로하여 정상 라이트를 가능하게 할수 있다.
제 8도의 타이밍도에 도시예는 라이트 프로텍트 영역내에 기록(오토 프로그램)을 행하려고 하는 경우이다.
커먼플래시 영역내에서 또 라이트 프로텍트 영역내인 플래시 메모리에 기록이 행하여진 경우 기록커맨드 데이터는 카드컨트롤러 내의 데이터 제어부에서 항시 리셋 커맨드(FFH)로 변환하여 플래시 메모리에 기록한다 플래시 메모리는 리겟 커멘드가 기록되면 초기상태(커맨드 대기상태)가 되기 때문에 기록은 행하여지지 않으며 라이트 프로텍트를 실현할 수 있다.
이상과 같이 구성되는 플래시 메모리카드(1)는 예를 들면 제 10도에 도시하는 것과 같은 정보처리장치와 같은 시스템에 적용하며 플래시 메모리(2)를 탑재한 플래시 메모리카드(1)외에 이 메모리카드(1)와의 카드 인터페이스(15)를 통하여 접속되는 CPU(16), RAM(17), ROM(18), 프린터(19), 하드디스크(20), 플로피디스크 (21)를 포함하도록 구성되어 있다.
제 10도의 시스템에 있어서는 RAM(17), ROM(18) 및 플래시 메모리카드(1)는 메모리영역에 속하고, 또 프린터(19), 하드디스크(20) 및 플로피디스크(21)는 1/0 영역에 속하며, 따라서 메모리카드(1)에의 억세스에 대하여 그 어드레스가 라이트 프로텍트 범위 내인지의 여부를 메모리카드가 판정하므로서 시스템으로서의 소프트웨어 라이트 프로텍트 제어를 행할 수 있다.
따라서, 본 실시예의 플래시 메모리카드(1)에 의하면 플래시 메모리(2)에 라이트 프로텍트 보존레지스터 영역(5A)이 설정되어 이 라이트 프로텍트 보존레지스터 영역(5A)에 라이트 프로텍트 범위의 엔드 섹터 어드레스가 저장되므로서 유저측에서 억세스된 어드레스가 라이트 프로텍트 범위내인지 여부를 판정하여 라이트 프로텍트 범위내의 경우는 라이트 프로텍트를 가능하게 하는 한편 라이트 프로텍트 범위 이외의 경우는 라이트 프로텍트를 행하지 않토록하여 불휘발성의 소프트웨어라이트 프로텍트 제어를 플래시 메모리의 임의의 영역에서 행할 수 있다.
특히 소프트웨어 라이트 프로텍트 기능이 없는 플래시 메모리(2)를 사용한 플래시 메모리 카드(1) 및 정보정처리장치 등의 시스템에 양호하게 적용 가능하게 되며 라이트 프로텍트 정보, 라이트 프로텍트 영역내의 데이터의 보수성을 높일 수 있으며 더욱 라이트 프로텍트 범위를 임의의 영역에 설정하여 플래시 메모리(2)의 유효이용을 위해 기록금지영역의 프로텍트 에어리어와 그것 이외의 영역의 워크 에어리어를 시스템에 맞추어 설정할 수 있다.
실시예 2
제 11도는 본 발명의 다른 실시예인 불휘발성 메모리를 이용한 메모리카드를 블록모식도에 의해 도시한다.
본 실시예의 메모리카드는 실시예 1과 같이 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트 기능이 없는 재기록 가능한 플래시 메모리(불휘발성 메모리)(2A)를 이용한 플래시 메모리 카드(1A)가 되며, 실시예 1과의 상위점은 플래시 메모리(2A)의 라이트 프로텍트 범위를(최종-1) 섹터에서 규정하는 점이다.
즉, 플래시 메모리(2A)의 라이트 프로텍트 보존레지스터(5A)에 설정되는 라이트 프로텍트범위(프로텍트 스타트 섹터)를 커먼 플래시 에어리어(5)의 (최종-1) 섹터에서 임의의 섹터까지로 하여 설정할 수 있다.
따라서, 본 실시예에 있어서도 라이트 프로텍트 레지스터(WPReg)(6A) 및 라이트 프로텍트 보존레지스터(6B)가 설정되는 카드컨트롤러(4A)의 제어에 의하여 소프트웨어 라이트 프로텍트 기능이 없는 플래시 메모리(2A)를 사용한 플래시 메모리카드(1A)의 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트 제어를(최종-1) 섹터에서 임의의 영역에서 가능하게 할 수 있다.
실시예 3
제 12도는 본 발명의 또 다른 실시예인 불휘발성 메모리를 이용한 메모리카드를 도시한다.
본 실시예에의 메모리카드는 실시예 1 및 2와 같이 불휘발성이 소프트웨어 라이트 프로텍트 기능이 없는 재기록 가능한 플래시 메모리(불휘발성 메모리)(2B)를 이용한 플래시 메모리 카드(1B)로 되며, 실시예 1 및 2와의 상위점은 플래시 메모리(2B)의 라이트 프로텍트 범위를 스타트 어드레스와 엔드 어드레스를 설정가변으로서 규정하는 점이다.
즉, 플래시 메모리(2B)의 라이트 프로텍트 보존레지스터(5B)에 설정되는 라이트 프로텍트 범위 즉, 프로텍트 스타트와 프로텍트 엔드 섹터를 커먼 플래시 에어리어의 임의의 섹터에서 임의의 섹터까지로 하여 설정할 수 있다.
따라서 본 실시예에 있어서도 라이트 프로텍트 스타트 보존레지스터 및 라이트 프로텍트 엔드 보존레지스터의 라이트 프로텍트 보존레지스터(6B)와, 라이트 프로텍트 스타트 레지스터(WPSReg) 및 라이트 프로텍트 엔드 레지스터(WPERe)의 라이트 프로텍트 레지스터(6A)가 설정되는 카드컨트롤러(4B)의 제어에 의하여 소프트웨어 라이트 프로텍트 기능이 없는 플래시 메모리(2B)를 사용한 플래시 메모리카드 (1B)의 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트 제어를 임의로 임의의 영역에서 가능하게 할 수 있다.
실시예 4
제 13도는 본 발명의 또 다른 실시예인 불휘발성 메모리를 이용한 메모리카드를 도시한다.
본 실시예의 메모리카드는 실시예 1∼3과 같이 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트 기능이 없는 재기록 가능한 플래시메모리(불휘발성 메모리)(2C)를 이용한 플래시 메모리카드(IC)로되며 실시예 1∼3과의 상위점은 플래시 메모리(2C)의 라이트 프로텍트 단위를 2섹터 단위로하는 점이다.
즉 플래시 메모리(2C)의 (최종-1) 최종섹터에 설정되는 라이트 프로텍트 보존레지스터(5C)의 라이트 프로텍트 범위(프로텍트 엔드 섹터)를 커먼 플래시 에어리어에 2섹터 단위로 설정할 수 있다.
따라서 본 실시예에 있어서도 라이트 프로텍트 레지스터(WPReg)(6A)와 라이트 프로텍트 보존레지스터(6B)가 설정되는 카드컨트롤러(4C)의 제어에 의하여 소프트웨어 라이트 프로텍트 기능이 없는 플래시 메모리(2C)를 사용한 플래시 메모리카드(IC)의 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트 제어를 2섹터 단위의 영역에서 가능하게 할 수 있다.
실시예 5
제 14도는 본 발명의 또 다른 실시예인 불휘발성 메모리를 이용한 메모리카드를 도시하는 구성도이다.
본 실시예의 메모리카드는 실시예 1∼4와 같이 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트 기능이 없는 재기록 가능한 플래시 메모리(불휘발성 메모리)(2D)를 이용한 플래시 메모리카드(ID)로하여 실시예 1∼4와의 상위점은 플래시 메모리(2D)의 라이트 프로텍트 단위를 섹터 단위로 한정하지 않고, 플래시 메모리의 소거단위를 수섹터 등의 복수의 데이터의 집합을 나타내는 블록단위로 하는 점이다.
즉, 플래시 메모리(2d)의 최종블록에 설정되는 라이트 프로텍트 보존레지스터(5D)의 라이트 프로텍트 범위(프로텍트 앤드 블록)를 커먼 플래시 에어리어에 디바이스의 블록 단위로 설정할 수 있다.
따라서, 본 실시예에 있어서도 라이트 프로텍트 레지스터(WPReg)(6A)와 라이트 프로텍트 보존레지스터(6B)가 설정되는 카드컨트롤러(4D)의 제어에 의하여 소프트웨어 라이트 프로텍트 기능이 없는 플래시 메모리(2D)를 사용한 플래시 메모리카드(ID)의 불휘발성이 소프트웨어 라이트 프로텍트 제어를 플래시 메모리의 블록단위의 영역에서 가능하게 할 수 있다.
실시예 6
제 15도~제 16도를 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예를 설명한다.
제 15도는 불휘발성 메모리를 이용한 메모리카드에서의 라이트 프로텍트 제어의 폴로우챠트, 제 16A도는 라이트 프로텍트 제어의 타이밍차트, 제 16B도는 본 실시예의 주요부의 하드웨어 구성예를 제 16C도는 제 16B도의 동작 타이밍차트를 도시한다.
본 실시예의 메모리카드는 상술의 실시예 특히 실시예 1과 같이 구성되어 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트 기능이 없는 재기록 가능한 플래시메모리(불휘발성 메모리)(2)를 이용한 플래시 메모리카드(1)로 되며 실시예 1∼5와의 상위점은 라이트 프로텍트 제어를 라이트 데이터가 아니고, 플래시 메모리(2)에의 컨트롤 신호로 행하는 점이다. 제 16B도의 하드웨어는 제 9도의 프로텍트 신호의 입력선이 데이터 제어부(13)가 아니고, 플래시 메모리 컨트롤 신호 발생부(9)에 있는 점이 다르다.
본 실시예에 있어서는 우선 소프트웨어 라이트 프로텍트의 설정 후 시스템측에서 커먼플래시 영역에의 라이즈 액세스가 플래시 메모리카드(1)에 대하여 발생되면 라이트 프로텍트 레지스터(6A)의 프로텍트 엔드 어드레스와 시스템측에서 억세스된 섹터 어드레스를 비교한다(스텝 1501, 1502).
그 결과, 예를 들면(플래시 메모리(2)의 라이트시의 섹터 어드레스)≤(라이트 프로텍트 레지스터(6)의 프로텍트 엔드 섹터 어드레스)이면 라이트 프로텍트 범위 내로 판정하여 라이트용의 라이트 이네이블신호(/WE) 혹은 칩 이네이블신호 (/CE)의 컨트롤 신호를 네게이트(하이레벨)한 그대로하여 라이트 프로텍트한다(스텝 1503, 1504).
한편(플래시 메모리(2)의 라이트 시의 섹터 어드레스) > (라이트 프로텍트 레지스터(6)의 프로텍트 엔드 섹터 어드레스)이면 라이트 프로텍트 범위 외로 판정하여 정상라이트로서 라이트 데이터를 그대로 플래시 메모리(2)에 라이트 한다(스텝 1503, 1505).
제 16C도의 타이밍챠트에 의해 제 16B도의 예를 설명하면, 라이트 프로텍트 영역내에 기록(오토프로그램)을 행하고자 하는 경우이다. 커먼 플래시영역 내에서 또 라이트 프로텍트 영역내인 플래시 메모리에 기록이 행하여 졌을 때, 기록커맨드, 데이터는 변환하지 않으며, 카드컨트롤러내 플래시 메모리 컨트롤러 신호 발생부에서 플래시측/CE 또는 플래시측/WE를 네게이트 하는 환언하면 애서트 하지 않는다. 이것에 의하여 기록은 행하여지지 않으며 라이트 프로텍트가 실현되는 것을 알 수 있을 것이다.
따라서 본 실시예에 있어서도, 유저측에서 억세스된 어드레스가 라이트 플로텍트 범위내인지 여부를 판정하여 라이트 프로텍트 범위내의 경우는 라이트용의 컨트를 신호를 네게이트하여 라이트 프로텍트를 가능하게 하는 한편 라이트 프로텍트 범위 이외의 경우는 라이트 프로텍트를 불가능하게 하여 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트 제어를 임의의 영역에서 가능하게 할 수 있다.
실시예 7
제 17도는 본 발명의 또 다른 실시예인 불휘발성 메모리를 이용한 반도체 메모리를 도시한다.
본 실시예는 실시예 1∼6과 다르며 불휘발성 메모리(22) 자체에 라이트 프로텍트 레지스터(23)를 가지고 또 시스템측이 억세스한 어드레스가 라이트 프로텍트 영역내인지 여부를 판정하는 라이트 프로텍트 영역판정부(24) 및 불휘발성 메모리 (22)에의 기록신호 및 기록데이터의 제어를 행하는 라이트 제어부(25)가 설치되는 반도체 메모리(26)가 되며 라이트 프로텍트 영역 판정부(24)에서의 프로텍트 신호를 사용하여 라이트 데이터 혹은 라이트 신호가 제어되어 불휘발성 메모리(22)의 라이트 프로텍트 제어가 가능하게 되어 있다.
즉, 본 실시예에 있어서는 예를 들면 플래시 메모리 등의 반도체 메모리(26)단체(單體)로서 라이트 프로텍트 기능을 실현하며 라이트 프로텍트 영역판정부(24)의 결과 라이트 프로텍트 영역내이면 라이트 프로텍트 영역 판정부(24)에서 라이트 프로텍트 신호를 발생시켜 그것을 라이트 제어부(25)에 입력하고, 불휘발성 메모리 (22)에의 기록신호(/CE, /WE)를 하이레벨로 하든가 또는 기록데이터를 리셋커맨드나 무효커맨드로 한다.
따라서 본 실시예에 있어서는 불휘발성 메모리(22)의 라이트 프로텍트 레지스터(23)에 설정된 프로텍트 어드레스와 불휘발성 메모리(22)에 대한 억세스의 어드레스를 비교하여 라이트 프로텍트 범위내의 경우는 라이트 프로텍트를 가능하게 하는 한편 라이트 프로텍트 범위외의 경우는 라이트 프로텍트를 불가능하게 하여 라이트 프로텍트 레지스터(23)를 불휘발성 메모리(22) 자체에 가지는 경우에서의 불휘발성의 소프트웨어 라이트 프로텍트 제어를 가능하게 할 수 있다.
또 제 18도는 상기 실시예에서의 WP 보존레지스터를 제외한 컨트를러 내의 각종 레지스터를 구성하는 플립플롭을 그 동작 진리치표와 함께 예시한다. 여기서 플립플롭은 휘발성인 것을 알 수 있을 것이다. 제 19도는 본 실시예에 사용되는 플래시 메도리셀을 그 단면구조로예시한다. 이 셀은 반도체기판(30) 위에 제어게이트 (31)와 부유게이트(32)의 2층 구조를 갖는 MOSFET로 구성된다. 33과 34는 각각 소스와 드레인, 36, 37은 소스 전극과 드레인 전극 35는 게이트 전극을 나타낸다. 플래시 메모리는 1비트의 데이터를 1셀만으로 저장할수 있다.
이상 본 발명자에 의하여 행해진 발명을 실시예 1∼7에 의거하여 구체적으로 설명하였으나 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고 그 요지를 이탈하지않는 범위에서 여러가지로 변경 가능한 것은 말할 것도 없다.
예를 들면 상기 실시예에서의 플래시메모리에 대하여는 커먼 플래시 에어리어의 최종칩, 최종 섹터내에 라이트 프로텍트 보존레지스터가 설정되는 경우에 대하여 설명하였으나 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고 커먼플래시 에어리어의 선두 칩, 선두 섹터내에 설정하는 경우에 대하여도 적용 가능하다.
또, 이 라이트 프로텍트 보존레지스터의 설정과 함께, 라이트 프로텍트 범위 소거단위는 플래시 메모리의 기능사양에 대응하여 적의 설정되는 것은 말할 것도 없다.
또 본 실시예에서의 불휘발성 메모리는 플래시 메모리의 외에 비트마다에 전기적 소거 및 기록 가능한 EEPROM 등의 다른 불휘발성 메모리에 대하여도 적용할 수 있으며 또 이 불휘발성 메모리를 사용한 시스템, 예를 들면 정보처리장치 전반 및 메모리카드 전반 또는 불휘발성 메모리 디바이스 등에 있어서도 널리 적용 가능하다.
제 1 도는 본 발명의 실시예 1인 불휘발성 메모리를 이응한 메모리카드를 도시하는 블록구성도,
제 2 도는 실시예 1에서의 소프트웨어 라이트 프로텍트 설정의 플로우차트,
제 3A 도는 제 2도의 라이트 프로텍트 보존레지스터 라이트 절차(스텝)의 동작을 타나내는 타이밍차트,
제 3B 도는 제 2도의 라이트 프로텍트 정보전송의 타이밍차트,
제 4 도는 실시예 1에서의 라이트 프로텍트 정보전송계의 메모리카드의 회로블록도,
제 5A 도는 실시예 1에서의 메모리카드의 어드레스 맵을 나타내는 설명도,
제 5B 도는 커먼플래시 영역선택과 어트리뷰트 영역선택의 방법을 설명하기 위한 타이밍차트,
제 6 도는 실시예 1에서의 라이트 프로텍트 제어의 플로우챠트,
제 7 도는 실시예 1에서의 라이트 프로텍트 판정회로를 도시하는 구성도,
제 8 도는 실시예 1에서의 라이트 프로텍트 제어의 타이밍차트,
제 9 도는 실시예 1에서의 라이트 프로텍트 제어계의 회로블록도,
제 10 도는 실시예 1에서의 메모리카드를 이용한 시스템구성도,
제 11 도는 본 발명의 실시예 2인 불휘발성 메모리를 이용한 메모리카드를 도시하는 구성도,
제 12 도는 본 발명의 실시예 3인 불휘발성 메모리를 이용한 메모리카드를 도시하는 구성도,
제 13 도는 본 발명의 실시예 4인 불휘발성 메모리를 이용한 메모리카드를 도시하는 구성도,
제 14 도는 본 발명의 실시예 5인 불휘발성 메모리를 이용한 메모리카드를 도시하는 구성도,
제 15 도는 본 발명의 실시예 6인 불휘발성 메모리를 이용한 메모리카드에서의 라이트 프로텍트 제어의 플로우챠트,
제 16A 도는 제 14도의 실시에 6에서의 라이트 프로텍트 제어의 타임챠트,
제 16B 도는 라이트 프로텍트 컨트롤의 실현예를 나타내는 회로블록도,
제 16C 도는 라이트 프로텍트 컨트롤의 다른 실현방법을 나타내는 타이밍차트,
제 17 도는 본 발명의 실시예 7인 불휘발성 메모리를 이용한 반도체 메모리를 도시하는 구성도,
제 18 도는 본 실시예에 의한 카드컨트롤러내에 설치되는 레지스터를 구성하는 플립플롭과 그 동작의 진리치표를 나타내는 도면,
제 19 도는 본 발명에 이용되는 플래시 메모리를 예시하는 메모리셀의 단면도이다.

Claims (27)

  1. 불휘발성 메모리내의 제 1의 레지스터로(register)의 설정단계,
    상기 제 1의 레지스터에 보호영역을 나타내는 기록보호정보의 설정단계,
    상기 기록보호정보를 상기 제 1의 레지스터에서 카드컨트롤러(card controller)내의 기록 보호 레지스터에 리셋(reset)처리 중에 행하는 전송단계,
    상기 불휘발성 메모리에 기록억세스가 행해질 때 억세스 요구 어드레스가 기록보호영역에 포함되는가 여부를 결정하는 판정단계,
    상기 판정단계에서의 결정이 액세스 요구 어드레스가 기록보호영역내인 경우는 기록보호 처리를 행하고, 억세스 요구 어드레스가 기록보호영역외인 경우는 기록보호처리를 행하지 않는 처리단계의 각 단계를 가지는 것을 특징으로 하는 재기록 가능한 불휘발성 메모리를 사용한 메모리 카드에서의, 상기 불휘발성 메모리의 소프트웨어에 의한 기록보호방법.
  2. 불휘발성 메모리와, 휘발성 레지스터와, 판정회로를 가지며,
    상기 불휘발성 메모리는, 데이터 저장영역과, 기록보호정보 저장영역을 가지고,
    상기 기록보호정보 저장영역은 상기 데이터 저장영역중의 기록보호영역에 관한 기록보호정보를 저장하고,
    상기 휘발성 레지스터는 리셋처리 중에, 상기 기록보호정보 저장영역에 저장된 기록보호 정보가 설정되며,
    상기 판정회로는 입력 어드레스신호와 상기 휘발성 레지스터에 설정된 기록보호정보가 입력되며 상기 입력 어드레스신호가 지정하는 억세스요구 어드레스가 상기 불휘발성 메모리의 데이터 저장영역 중의 기록보호영역에 포함되는가 여부를 판정하여, 상기 액세스요구 어드레스가 상기 기록보호영역내인 경우, 기록처리를 억제하는 것을 특징으르 하는 불휘발성 메모리 카드.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 휘발성 레지스터와 상기 판정회로는 카드컨트롤러에 포함되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 카드.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 기록보호정보 저장영역은, 불휘발성 메모리의 메모리 공간중의 속성영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 카드.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리의 메모리 공간은, 복수의 섹터단위로 분할되고,
    상기 기록보호정보는 기록보호영역으로서 1이상의 섹터를 지정 가능한 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 카드.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 기록보호정보 저장영역은, 상기 불휘발성 메모리의 메모리 공간중의 최후의 섹터에 배치되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 카드.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 리셋처리는 파워온 리셋(power-on reset)처리, 하드웨어 리셋처리, 소프트웨어 리셋 처리 중 하나인 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 카드.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 기록보호정보 저장영역은, 상기 불휘발성 메모리의 메모리 공간중의 속성영역에 배치되며,
    상기 휘발성 레지스터와 상기 판정회로는 카드컨트롤러에 포함되고,
    상기 기록보호정보는, 상기 속성영역을 선택하는 제어신호에 따라 상기 기록보호정보 저장영역에서 상기 휘발성 레지스터에 전송되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 카드.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리에 포함되는 복수의 메모리셀(memory cells)은 각각 플로팅 게이트(floating gate)를 가지는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 카드.
  10. 제 4 항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리에 포함되는 복수의 메모리셀은, 각각 플로팅 게이트를 가지는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 카드.
  11. 제 6 항에 있어서
    상기 불휘발성 메모리에 포함되는 복수의 메모리셀은, 각각 플로팅 게이트를 가지는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 카드.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리에 포함되는 복수의 메모리셀은, 각각 플로팅 게이트를 가지는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 카드.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리에 포함되는 복수의 메모리셀은, 각각 플로팅 게이트를 가지는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메도리 카드.
  14. 전기적으로 소거/재기록이 가능한 불휘발성 메모리와, 카드컨트롤러를 가지며,
    상기 불휘발성 메모리는 데이터 저장영역과 속성영역을 가지고,
    상기 속성영역은 상기 데이터 저장영역에 설정한 기록보호영역의 어드레스를지정하는 기록보호정보가 저장되며,
    상기 카드컨트롤러는 휘발성 레지스터와, 판정회로를 가지고,
    상기 휘발성 레지스터는 상기 속성영역에서 상기 기록보호정보가 설정되며,
    상기 판정회로는 입력 어드레스신호와 상기 휘발성 레지스터에 저장되어 있는 기록보호정보가 입력되고,
    상기 입력 어드레스신호가 지정하는 억세스 요구 어드레스가 상기 기록보호영역내인가 여부를 판정하며,
    상기 억세스 요구 어드레스가 상기 기록보호영역내인 경우, 기록처리를 억제하고,
    상기 카드컨트롤러는 상기 속성영역을 선택하는 제어신호에 따라 상기 기록보호정보 저장 영역에서 상기 휘발성 레지스터로 상기 기록보호정보를 전송하는 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리에 포함되는 복수의 메모리셀은 각각 플로팅 게이트를 가지는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  16. 전기적으로 소거/재기록이 가능한 불휘발성 메모리와, 카드컨트롤러를 가지고,
    상기 불휘발성 메모리는 데이터 저장영역과 상기 데이터 저장영역 중의 기록보호영역을 지정하는 어드레스를 지정하는 기록보호정보가 저장되는 영역을 가지며,
    상기 카드컨트롤러는 리셋 제어회로와, 어드레스 컨트롤러와, 제어신호 생성회로와, 휘발성 레지스터와, 판정회로를 가지고,
    상기 리셋 제어회로는 리셋처리에 따라 제 1에서 제 3의 전송제어신호를 생성하며,
    상기 어드레스 컨트롤러는 상기 제 1의 전송제어신호에 따라 상기 불휘발성 메모리의 상기 영역에 엑세스하기 위한 어드레스신호를 생성하고,
    상기 제어신호 생성회로는 상기 제 2의 전송제어신호에 따라 상기 불휘발성 메모리의 상기 영역에 기록보호정보를 저장하기 위해, 상기 불휘발성 메모리로의 출력 이네이블신호와 칩셀렉트신호를 생성하며
    상기 휘발성 레지스터는 제 3의 전송제어신호에 따라 상기 불휘발성 메모리에서 판독한 상기 기록보호정보를 래치하고,
    상기 판정회로는 입력 어드레스신호와 상기 휘발성 레지스터에 저장된 기록보호정보가 입력되어 상기 입력 어드레스신호에 의해 지정되는 억세스 어드레스가 상기 불휘발성 메모리의 기록보호영역에 포함되는가 여부를 판정하여, 상기 기록보호영역에 포함되는 경우는 상기 입력 어드레스신호에 의한 기록처리를 억제하는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 영역은, 상기 불휘발성 메모리의 메모리 공간중의 속성영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리의 데이터 저장영역에 맵핑된 메모리 공간은 복수의 섹터단위로 분할되며,
    상기 기록보호정보는 기록보호영역으로서 데이터 저장영역의 1이상의 섹터를 지정하는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 영역은, 상기 불휘발성 메모리의 메모리 공간의 최후의 섹터에 배치되는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 리셋처리는 파워온 리셋처리, 하드웨어 리셋처리, 소프트웨어 리셋처리중 하나인 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  21. 제 16 항에 있어서,
    상기 기록보호영역은 상기 불휘발성 메모리의 어드레스 공간중의 속성영역에 배치되며,
    상기 카드컨트롤러는 상기 속성영역을 선택하는 제어신호에 따라 상기 속성영역에 억세스하고, 상기 기록보호정보를 요구가 있던 기록보호영역을 설정만 새로운 기록보호정보로 재기록하는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  22. 제 16 항에 있어서,
    상기 기록보호정보는 상기 기록보호영역의 스타트와 엔드의 어드레스정보를 포함하며,
    상기 휘발성 레지스터는 상기 스타트 어드레스정보를 저장하기 위한 제 1 레지스터와, 상기 엔드 어드레스정보를 저장하기 위한 제 2 레지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  23. 제 17 항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리에 포함되는 복수의 메모리셀은 각각 플로팅 게이트를 가지는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  24. 제 19 항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리에 포함되는 복수의 메모리셀은 각각 플로팅 게이트를 가지는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  25. 제 20 항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리에 포함되는 복수의 메모리셀은 각각 플로팅 게이트를 가지는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  26. 제 21 항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리에 포함되는 복수의 메모리셀은, 각각 플로팅 게이트를 가지는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  27. 제 22 항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리에 포함되는 복수의 메모리셀은 각각 플로팅 게이트를 가지는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
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Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6282749B1 (en) * 1995-03-15 2001-09-04 Hitachi, Ltd. Vacuum cleaner and suction nozzle body thereof cross reference to related application
US5991849A (en) * 1996-04-10 1999-11-23 Sanyo Electric Co., Ltd Rewriting protection of a size varying first region of a reprogrammable non-volatile memory
KR20000067864A (ko) * 1996-07-19 2000-11-25 히가시 데쓰로 플래시 메모리 카드
JPH11110294A (ja) * 1997-10-01 1999-04-23 Toshiba Corp マイクロコンピュータ及び情報処理装置
FR2770327B1 (fr) * 1997-10-24 2000-01-14 Sgs Thomson Microelectronics Memoire non volatile programmable et effacable electriquement comprenant une zone protegeable en lecture et/ou en ecriture et systeme electronique l'incorporant
JPH11265324A (ja) * 1998-03-18 1999-09-28 Hitachi Ltd 個人情報端末
JP2000010666A (ja) * 1998-06-19 2000-01-14 Toshiba Corp コンピュータシステムおよびフラッシュｒｏｍ書き換え方法
US6279114B1 (en) 1998-11-04 2001-08-21 Sandisk Corporation Voltage negotiation in a single host multiple cards system
FR2787601A1 (fr) * 1998-12-22 2000-06-23 Gemplus Card Int Systeme de memorisation comprenant des moyens de gestion d'une memoire avec anti-usure et procede de gestion anti-usure d'une memoire
US6148354A (en) 1999-04-05 2000-11-14 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Architecture for a universal serial bus-based PC flash disk
US6510501B1 (en) * 1999-05-11 2003-01-21 National Semiconductor Corporation Non-volatile memory read/write security protection feature selection through non-volatile memory bits
US20050114587A1 (en) * 2003-11-22 2005-05-26 Super Talent Electronics Inc. ExpressCard with On-Card Flash Memory with Shared Flash-Control Bus but Separate Ready Lines
DE10052877B4 (de) * 1999-10-21 2008-07-03 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Mikrocontroller
US6462985B2 (en) 1999-12-10 2002-10-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory for storing initially-setting data
US6407949B1 (en) * 1999-12-17 2002-06-18 Qualcomm, Incorporated Mobile communication device having integrated embedded flash and SRAM memory
KR100674454B1 (ko) * 2000-02-16 2007-01-29 후지쯔 가부시끼가이샤 비휘발성 메모리
US6654847B1 (en) * 2000-06-30 2003-11-25 Micron Technology, Inc. Top/bottom symmetrical protection scheme for flash
JP4463378B2 (ja) 2000-05-02 2010-05-19 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 不揮発性半導体記憶装置
DE10040093C1 (de) * 2000-08-16 2002-02-14 Infineon Technologies Ag Speicherzellenanordnung
JP3848069B2 (ja) 2000-09-22 2006-11-22 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP4678084B2 (ja) * 2000-09-29 2011-04-27 ソニー株式会社 メモリ装置およびメモリアクセス制限方法
JP3916862B2 (ja) 2000-10-03 2007-05-23 株式会社東芝 不揮発性半導体メモリ装置
US6996721B2 (en) * 2001-03-27 2006-02-07 Micron Technology, Inc. Flash device security method utilizing a check register
JP2002342164A (ja) * 2001-05-22 2002-11-29 Hitachi Ltd 記憶装置及びデータ処理装置並びに記憶部制御方法
JP2002366436A (ja) * 2001-06-05 2002-12-20 Hitachi Ltd 不揮発性メモリ誤消去，誤書込み防止回路及び方法
KR20020093445A (ko) * 2001-06-08 2002-12-16 김문근 플래시 메모리 카드 드라이브
DE10136655C1 (de) * 2001-07-20 2002-08-01 Optosys Technologies Gmbh Multichipmodul in COB Bauweise, insbesondere CompactFlash Card mit hoher Speicherkapazität und Verfahren zur Herstellung desselben
US6490197B1 (en) * 2001-08-02 2002-12-03 Stmicroelectronics, Inc. Sector protection circuit and method for flash memory devices
US6859856B2 (en) * 2001-10-23 2005-02-22 Flex P Industries Sdn. Bhd Method and system for a compact flash memory controller
JP2003151285A (ja) * 2001-11-08 2003-05-23 Fujitsu Ltd 半導体メモリ
US7398554B1 (en) * 2002-04-02 2008-07-08 Winbond Electronics Corporation Secure lock mechanism based on a lock word
US6739515B1 (en) 2002-05-09 2004-05-25 Sandisk Corporation Low-cost write protect tab for a non-volatile memory device
US20030225962A1 (en) * 2002-05-31 2003-12-04 Hitachi, Ltd. Memory card and memory card system
DE10224767A1 (de) * 2002-06-04 2003-12-18 Scm Microsystems Gmbh Personalisiertes digitales Datenverarbeitungssystem
WO2004040579A1 (en) * 2002-08-22 2004-05-13 Thomson Licensing S.A. Smart card write-only register
KR100543442B1 (ko) * 2002-09-06 2006-01-23 삼성전자주식회사 불 휘발성 반도체 메모리 장치의 메모리 블록들의 쓰기방지 영역을 설정하는 장치
US6948041B2 (en) * 2002-10-24 2005-09-20 Micron Technology, Inc. Permanent memory block protection in a flash memory device
DE10315727A1 (de) * 2003-04-04 2004-10-28 Infineon Technologies Ag Programmgesteuerte Einheit
DE10315638A1 (de) * 2003-04-04 2004-10-28 Infineon Technologies Ag Programmgesteuerte Einheit
DE10315637A1 (de) * 2003-04-04 2004-10-28 Infineon Technologies Ag Programmgesteuerte Einheit
DE10315726A1 (de) * 2003-04-04 2004-11-04 Infineon Technologies Ag Programmgesteuerte Einheit
US7523320B2 (en) * 2003-04-22 2009-04-21 Seiko Epson Corporation Fiscal data recorder with protection circuit and tamper-proof seal
US6842371B2 (en) * 2003-06-03 2005-01-11 Micron Technology, Inc. Permanent master block lock in a memory device
JP2005078369A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Sony Corp 半導体処理装置
US7093091B2 (en) * 2003-09-26 2006-08-15 Atmel Corporation Selectable block protection for non-volatile memory
CN100447766C (zh) * 2003-09-26 2008-12-31 爱特梅尔公司 非易失性存储器的可选择块保护
TW200516395A (en) * 2003-11-12 2005-05-16 Power Data Comm Co Ltd The memory card control chip with multiple control
DE102004056088B4 (de) * 2003-11-13 2008-12-18 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Speichersystem mit Flashspeicher
DE602004017417D1 (de) * 2004-03-18 2008-12-11 St Microelectronics Res & Dev Vorrichtung mit einer Schlüsselauswahleniheit und ein Mechanismus zur Aktualisierung der Schüssel für die verschlüsselung/Entschlüsselung von daten die in einen Speicher geschrieben/gelesen werden.
US7091740B2 (en) * 2004-07-30 2006-08-15 Microchip Technology Incorporated Write protection using a two signal control protocol for an integrated circuit device having parameter change capability, chip select and selectable write to non-volatile memory
JP2006171930A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Seiko Epson Corp 記憶装置および記憶装置を備える印刷記録材容器
US20060168414A1 (en) * 2005-01-25 2006-07-27 Micron Technology, Inc. Memory block locking apparatus and methods
US7979048B2 (en) * 2005-09-15 2011-07-12 Silicon Laboratories Inc. Quasi non-volatile memory for use in a receiver
JP4847743B2 (ja) * 2005-11-28 2011-12-28 エルピーダメモリ株式会社 不揮発性メモリ素子
US8818517B2 (en) * 2006-05-05 2014-08-26 Advanced Bionics Ag Information processing and storage in a cochlear stimulation system
KR100884239B1 (ko) * 2007-01-02 2009-02-17 삼성전자주식회사 메모리 카드 시스템 및 그것의 백그라운드 정보 전송 방법
KR100813629B1 (ko) * 2007-01-17 2008-03-14 삼성전자주식회사 향상된 섹터 보호 스킴
US20080263256A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-23 Motorola, Inc. Logic Device with Write Protected Memory Management Unit Registers
DE102007020808B4 (de) 2007-05-04 2018-04-19 Burkhard Stedtfeld Vorrichtung zum Reinigen von Bodenflächen
EP2187314B1 (en) * 2007-09-04 2019-10-23 Nintendo Co., Ltd. Download security system
JP5177696B2 (ja) 2007-09-04 2013-04-03 任天堂株式会社 書込み領域セキュリティシステム
US9627081B2 (en) * 2007-10-05 2017-04-18 Kinglite Holdings Inc. Manufacturing mode for secure firmware using lock byte
TWI373773B (en) * 2008-05-27 2012-10-01 Phison Electronics Corp Storage sysetm having multiple non-volatile memory, and controller and access method thereof
KR101066738B1 (ko) * 2009-12-21 2011-09-21 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법
DE102010028231A1 (de) * 2010-04-27 2011-10-27 Robert Bosch Gmbh Speichermodul zur gleichzeitigen Bereitstellung wenigstens eines sicheren und wenigstens eines unsicheren Speicherbereichs
JP5381895B2 (ja) * 2010-05-21 2014-01-08 株式会社デンソー 制御装置、保護装置および保護方法
TWI467579B (zh) * 2011-01-14 2015-01-01 Mstar Semiconductor Inc 電子裝置及其記憶體控制方法以及相關電腦可讀取儲存媒體
CN103034505A (zh) * 2011-09-30 2013-04-10 英业达股份有限公司 写入数据的方法及电子装置
TW201324155A (zh) * 2011-12-08 2013-06-16 Ite Tech Inc 快閃記憶體儲存系統及其資料保護方法
US9666241B2 (en) * 2012-01-19 2017-05-30 Quixant Plc Firmware protection and validation
US10430361B1 (en) 2015-12-17 2019-10-01 Cru Acquisition Group, Llc Combination write blocker
CN107608905B (zh) * 2017-09-11 2020-05-12 杭州中天微系统有限公司 擦写Flash数据的方法及装置
US11461490B1 (en) 2020-09-23 2022-10-04 Cru Data Security Group, Llc Systems, methods, and devices for conditionally allowing processes to alter data on a storage device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4975878A (en) * 1988-01-28 1990-12-04 National Semiconductor Programmable memory data protection scheme
US5546561A (en) * 1991-02-11 1996-08-13 Intel Corporation Circuitry and method for selectively protecting the integrity of data stored within a range of addresses within a non-volatile semiconductor memory
JPH06236325A (ja) * 1993-02-08 1994-08-23 Sansei Denshi Japan Kk データ記憶装置
US5363334A (en) * 1993-04-10 1994-11-08 Microchip Technology Incorporated Write protection security for memory device
US5524231A (en) * 1993-06-30 1996-06-04 Intel Corporation Nonvolatile memory card with an address table and an address translation logic for mapping out defective blocks within the memory card
US5513136A (en) * 1993-09-27 1996-04-30 Intel Corporation Nonvolatile memory with blocks and circuitry for selectively protecting the blocks for memory operations

Also Published As

Publication number Publication date
US5845332A (en) 1998-12-01
KR960009220A (ko) 1996-03-22
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