KR101066738B1 - 불휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 - Google Patents

불휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 불휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법에 관한 것으로, 외부 명령 신호에 의해 내부 명령 신호를 생성하는 컨트롤러, 및 상기 내부 명령 신호에 따라 동작하는 메모리 칩을 포함하고, 상기 컨트롤러는 외부 전원 전압이 설정된 전압 레벨 이상일 때 상기 메모리 칩의 동작 제어를 위한 명령어를 출력하는 불휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법을 개시한다.
캠셀부, 파워 온, 전압 검출부

Description

불휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법{Non volatile memory device and method of operation thereof}
본 발명은 불휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법에 관한 것으로, 파워 온 동작시 파워가 안정적으로 일정 레벨까지 상승한 후에 캠셀 데이터를 독출함으로써, 안정적인 동작을 수행할 수 있는 불휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법에 관한 것이다.
최근, 캠코더, 디지털 카메라, 휴대폰, MP3(MPEG-1 Layer3) 플레이어 등과 같은 모바일(mobile) 제품들에 대한 수요가 증가함에 따라 모바일 제품들의 동작 성능을 더욱 향상시키기 위한 노력들이 이루어지고 있다.
모바일 제품에 적용되는 불휘발성 메모리 소자는 적용되는 제품의 동작특성에 맞도록 내부 옵션이 결정되어 각각의 어플리케이션(응용) 프로그램에 따라 동작하도록 한다.
새로운 기술이 개발되면서 모바일 제품에서 요구하는 어플리케이션이 늘어나 고, 이에 따라 불휘발성 메모리 소자에 다양한 옵션을 부여하는 기술이 필요하다.
불휘발성 메모리 소자는 퓨즈 등을 이용해서 옵션 정보를 저장해 왔으나, 퓨즈가 차지하는 면적이 크기 때문에 집적화될수록 퓨즈 대신 캠(Content Addressable Memory; CAM)셀을 이용하여 옵션 정보를 저장하고 있다.
상기의 캠셀에 옵션정보를 저장하는 불휘발성 메모리 소자는 전원이 공급되면 초기화 동작 중에 캠셀의 데이터를 로딩하여 내부 레지스터에 저장하는 동작이 필요하다. 캠셀을 로딩하는 동작은 보통 전원이 인가된 후, 어느 정도 전압 레벨이 안정화된 이후에 수행된다.
일반적인 불휘발성 메모리 소자의 경우 외부에서 파워가 인가되면 외부의 파워 레벨에 따라서 파워 온 신호가 생성되고, 생성된 파워 온 신호에 응답하여 캠셀의 독출 동작을 시작한다. 그러나 파워 온 신호가 파워 업(power-up) 구간에서의 파워가 상승 기술기 죽, 램핑(ramping) 기울기에 따라 인에이블되는 레벨이 서로 다르게 된다. 즉, 파워가 상승하는 속도가 느리게 되면 캠셀 리드 독장시 발생하는 커런트 소모 증가로 인하여 파워 드랍 현상이 발생할 수 있으며 이로 인하여 캠셀 독출 독작의 페일을 야기할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 콘트롤러 및 메모리 칩을 포함하는 불휘발성 메모리 소자에서 콘트롤러에 전압 검출부를 포함하도록 하여 외부 전원 전압이 일정 레벨까지 상승한 후에 메모리 칩의 캠셀부의 독출 동작을 실시함으로써, 안정적인 캠셀 독출 동작을 실시할 수 있는 불휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명에 따른 불휘발성 메모리 소자는 외부 전원 전압이 설정된 전압 레벨 이상으로 상승할 경우 이를 검출하여 검출 신호를 생성하는 전압 검출부와, 캠셀 데이터를 저장하는 캠셀부 및 캠셀 데이터를 임시 저장하는 레지스터를 포함하며, 상기 검출 신호에 응답하여 상기 캠셀 데이터를 독출하여 상기 레지스터에 저장하는 메모리 칩을 포함한다.
상기 메모리 칩은 상기 검출 신호에 응답하여 상기 캠셀 데이터를 독출하는 독출 명령어를 생성하는 제어부, 및 상기 캠셀부와 연결되어 상기 독출 명령어에 응답하여 상기 캠셀 데이터를 독출하는 주변 회로부를 더 포함한다.
본 발명에 따른 불휘발성 메모리 소자는 외부 명령 신호에 의해 내부 명령 신호를 생성하는 컨트롤러 및 상기 내부 명령 신호에 따라 동작하는 메모리 칩을 포함하고, 상기 컨트롤러는 외부 전원 전압이 설정된 전압 레벨 이상일 때 상기 메모리 칩의 동작 제어를 위한 명령어를 출력한다.
상기 메모리 칩의 동작 제어를 위한 명령어는 상기 메모리 칩의 캠셀 데이터 독출 명령어이다.
상기 컨트롤러는 상기 외부 전원 전압이 상기 설정된 전압 레벨 이상으로 상승할 경우 이를 검출하여 검출 신호를 생성하는 전압 검출부를 포함한다.
상기 메모리 칩은 캠셀 데이터를 저장하는 캠셀부와, 상기 캠셀부와 연결되어 독출 명령에 응답하여 캠셀 데이터를 독출하는 주변 회로부와, 상기 검출 신호에 응답하여 상기 독출 명령을 생성하는 제어부, 및 독출된 상기 캠셀 데이터를 임시 저장하는 레지스터를 포함한다.
본 발명에 따른 불휘발성 메모리 소자는 메모리 셀부 및 캠셀부를 포함하며, 내부 명령 신호에 응답하여 내부 동작을 수행하는 메모리 칩과, 외부 명령 신호에 응답하여 상기 내부 명령 신호를 생성하는 컨트롤러와, 외부 전원 전압과 설정 전압을 비교하여 검출 신호를 출력하는 전압 검출부, 및 상기 검출 신호에 응답하여 상기 내부 명령 신호를 상기 메모리 칩으로 전송하는 패스부를 포함한다.
상기 내부 명령 신호는 상기 캠셀부에 저장된 캠셀 데이터 독출 명령이다.
상기 전압 검출부는 상기 메모리 칩에 인가되는 상기 외부 전원 전압이 상기 설정된 전압 레벨 이상으로 상승할 경우 이를 검출하여 상기 검출 신호를 생성한다.
상기 메모리 칩은 캠셀 데이터를 저장하는 상기 캠셀부와, 상기 캠셀부와 연결되어 독출 명령에 응답하여 상기 캠셀 데이터를 독출하는 주변 회로부와, 상기 내부 명령 신호에 응답하여 상기 독출 명령을 생성하는 제어부, 및 독출된 상기 캠셀 데이터를 임시 저장하는 레지스터를 포함한다.
본 발명에 따른 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법은 외부 전원 전압이 점차 상승하면서 입력되는 단계와, 상기 외부 전원 전압을 검출하여 설정된 전압 레벨 이상으로 상승할 경우 독출 명령어를 생성하는 단계와, 상기 독출 명령어에 응답하여 캠셀 데이터를 독출하여 저장하는 단계, 및 저장된 상기 캠셀 데이터를 이용하여 프로그램, 독출, 및 소거 동작을 실시하는 단계를 포함한다.
상기 독출 명령어를 생성하기 전에 외부 명령어에 응답하여 내부 명령어를 생성하는 컨트롤러를 초기화하는 단계를 더 포함한다.
본 발명에 따른 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법은 외부 전원 전압이 점차 상승하면서 입력되는 단계와, 외부 명령어가 컨트롤러에 입력되어 내부 명령어가 생성되는 단계와, 상기 외부 전원 전압이 설정 전압 이상으로 상승할 경우 상기 내부 명령어를 메모리 칩으로 전송하는 단계와, 상기 내부 명령어에 응답하여 메모리 칩의 캠셀 데이터를 독출하는 단계, 및 상기 캠셀 데이터를 이용하여 프로그램, 독출, 및 소거 동작을 실시하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일실시 예에 따르면, 전압 검출부를 포함하는 콘트롤러에서 외부에서 인가되는 전원 전압이 일정 레벨 이상으로 상승하는 것을 검출하여 검출 신호를 생성하면, 캠셀부를 포함하는 메모리 칩이 검출 신호에 응답하여 캠셀 독출 동작을 실시함으로써, 안정적인 캠셀 독출 동작을 실시할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 불휘발성 메모리 소자의 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 소자(100)는 하나 이상의 메모리 칩(110)과 컨트롤러(120)를 포함한다.
메모리 칩(110)은 캠 셀(CAM; Content Addressable Memory)부(111)와 일반 메모리 부(112), 주변 회로부(113), 레지스터부(114) 및 제어부(115)를 포함한다. 캠 셀 부(111)는 메모리 칩(110)이 동작하기 위한 옵션 정보가 저장되어 있으며, 주변 회로부(113)는 캠 셀부(111)의 데이터를 로딩하거나 저장하기 위한 회로와, 메모리 칩(110)에 일반적으로 포함되는 메모리 셀 어레이나 페이지 버퍼 등의 회로 등을 포함한다.
레지스터부(114)는 메모리 칩(110)이 동작하는 동안 캠셀부(111)에 저장되어 있던 옵션 정보가 임시 저장되고, 제어부(115)는 컨트롤러(120)에서 입력되는 명령어에 따라서 캠셀부(111)에 저장된 정보를 로딩하여 레지스터(114)에 저장되게 한다.
컨트롤러(120)는 전압 검출부(121)를 포함한다.
컨트롤러(120)는 하나 이상의 메모리 칩(110)을 인에이블 시키고 외부에서 입력되는 동작 명령을 전달한다. 또한 컨트롤러(120)는 제어부(114)가 캠셀부(111)를 로딩하여 옵션정보를 레지스터(113)에 저장하도록 하는 명령어를 입력한다.
전압 검출부(121)는 외부에서 입력되는 전원 전압을 검출하여 전원 전압이 일정 레벨 이상으로 상승하게 되면, 검출 신호(V_det)를 출력한다. 메모리 칩(110)의 제어부(114)눈 검출 신호(V_det)에 응답하여 캠셀부(111)를 로딩하여 옵션정보를 레지스터(113)에 저장한다.
도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 전압 검출부(121)의 동작을 설명하기 위한 전압 그래프이다.
도 2를 참조하면, 전압 검출부(121)는 파워 온 구간에서 외부 전원 전압(Vext)가 상승할 때 설정 전압보다 외부 전원 전압(Vext)이 높은 영역(A)에서 부터 검출 신호(V-det)를 출력한다. 이때 설정 전압은 캠셀부(111)에 저장된 데이터가 안정적으로 독출될 수 있는 파워 이상으로 설정하는 것이 바람직하다.
도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 불휘발성 메모리 소자의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하여 불휘발성 메모리 소자의 동작을 설명하면 다음과 같다,.
먼저 외부 전원 전압(Vext)이 점차 상승하면서 불휘발성 메모리 소자(100)에 인가되어 파워 온된다.(S110)
외부 전원 전압(Vext)이 인가되면 컨트롤러(120)는 초기화되어 동작 대기한다.(S120)
컨트롤러(120) 내부의 전압 검출부(121)는 외부 전원 전압(Vext)과 설정 전압을 비교하여 검출 신호(V_det)를 생성한다.(S130) 이때 외부 전원 전압(Vext)이 설정 전압보다 낮으며 검출 신호(V_det)는 비활성화되고, 외부 전원 전압(Vext)이 설정 전압보다 높으며 검출 신호(V_det)는 활성화된다.
외부 전원 전압(Vext)은 점차 상승하므로, 외부 전원 전압(Vext)이 설정 전압보다 높은 구간에서부터 활성화된 검출 신호(V_det)가 생성된다.(S140)
메모리 칩(110)의 제어부(115)는 활성화된 검출 신호(V_det)에 응답하여 캠셀부(111)의 캠셀 데이터를 독출하기 위한 독출 명령을 주변 회로부(113)에 입력한다.(S150)
주변 회로부(113)는 캠셀부(111)에 저장된 캠셀 데이터를 독출하여 제어부(115)를 통해 레지스터(114)에 저장한다.(S160)
이 후, 레지스터(114)에 저장된 데이터를 이용하여 불휘발성 메모리 소자의 동작 예를 들어 프로그램, 소거, 독출 동작을 실시한다.
상술한 것과 같이 본원 발명의 일 실시 예에 따르면, 외부 전원 전압(Vext)이 설정 전압 이상으로 상승했을 때 부터 캠셀부(111)에 저장된 캠셀 데이터를 독출하여 레지스터(114)에 저장함으로써, 캠셀 데이터를 안정적으로 독출할 수 있다. 이로 인하여 불휘발성 메모리 소자의 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 소자의 구성도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 소자는 하나 이상의 메모리 칩(210), 컨트롤러(220), 패스부(230), 및 전압 검출부(240)를 포함한다.
메모리 칩(210)은 캠 셀(CAM; Content Addressable Memory)부(211)와 일반 메모리 부(212), 주변 회로부(213), 레지스터부(214) 및 제어부(215)를 포함한다. 캠 셀 부(211)는 메모리 칩(210)이 동작하기 위한 옵션 정보가 저장되어 있으며, 주변 회로부(213)는 캠 셀부(211)의 데이터를 로딩하거나 저장하기 위한 회로와, 메모리 칩(210)에 일반적으로 포함되는 메모리 셀 어레이나 페이지 버퍼 등의 회로 등을 포함한다.
레지스터부(214)는 메모리 칩(210)이 동작하는 동안 캠셀부(211)에 저장되어 있던 옵션 정보가 임시 저장되고, 제어부(215)는 컨트롤러(220)에서 생성되고 패스부(230)를 통해 입력되는 내부 명령 신호에 따라서 캠셀부(211)에 저장된 정보를 로딩하여 레지스터(214)에 저장되게 한다.
컨트롤러(220)는 외부에서 인가되는 외부 명령 신호에 응답하여 하나 이상의 메모리 칩(110)을 동작시키기 위한 내부 명령 신호를 생성하여 출력한다.
패스부(230)는 컨트롤러(220)에서 출력되는 내부 명령 신호를 전압 검출부(240)의 검출 신호에 응답하여 메모리 칩(210)으로 전달한다.
전압 검출부(240)는 외부에서 입력되는 전원 전압을 검출하여 전원 전압이 일정 레벨 이상으로 상승하게 되면, 검출 신호를 출력한다.
도 4에 도시된 본 발명의 다른 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 소자의 동작을 설명하면 다음과 같다.
먼저 외부 전원 전압이 점차 상승하면서 불휘발성 메모리 소자에 인가되어 파워 온된다. 외부 전원 전압이 인가되면 컨트롤러(220)는 초기화되어 동작 대기한다. 이 후, 컨트롤러(220)는 외부 명령 신호가 인가되면 이에 응답하여 메모리 칩(210)을 동작 시키기 위한 내부 명령 신호를 생성한다.
전압 검출부(240)는 외부 전원 전압이 일정 레벨 이상으로 상승하였는지를 판단하여 검출 신호를 생성한다. 예를 들어 외부 전원 전압이 설정 전압보다 낮으면 검출 신호는 비활성화되고, 외부 전원 전압이 설정 전압보다 높으면 검출 신호는 활성화된다.
패스부(230)는 전압 검출부(240)에서 출력된 검출 신호가 비활성화되면 컨트롤러(220)에서 출력된 내부 명령 신호를 메모리 칩(210)에 전송하지 못한다. 외부 전원 전압이 설정 전압보다 높게 되면 전압 검출부(240)는 활성화된 검출 신호를 생성하고, 패스부(230)는 활성화된 검출 신호에 응답하여 내부 명령 신호를 메모리 칩(210)에 전송한다.
메모리 칩(210)의 제어부(215)는 패스부(230)를 통해 전송받은 내부 명령 신호에 응답하여 캠셀부(211)의 캠셀 데이터를 독출하기 위한 독출 명령을 주변 회로부(213)에 입력한다.
주변 회로부(213)는 캠셀부(211)에 저장된 캠셀 데이터를 독출하여 제어부(215)를 통해 레지스터(214)에 저장한다. 이 후, 레지스터(214)에 저장된 데이터를 이용하여 불휘발성 메모리 소자의 동작 예를 들어 프로그램, 소거, 독출 동작을 실시한다.
상술한 것과 같이 본원 발명의 다른 실시 예에 따르면, 외부 전원 전압이 설정 전압 이상으로 상승했을 때 부터 내부 명령 신호를 메모리 칩(210)의 제어부(215)에 전송한다. 이로 인하여 캠셀부(211)에 저장된 캠셀 데이터를 독출하여 레지스터(214)에 저장함으로써, 캠셀 데이터를 안정적으로 독출할 수 있다. 이로 인하여 불휘발성 메모리 소자의 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 불휘발성 메모리 소자의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 전압 검출부(121)의 동작을 설명하기 위한 전압 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 불휘발성 메모리 소자의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 볼 발명의 다른 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 소자의 구성도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
110 : 메모리 칩 111 : 캠셀부
112 : 일반 메모리 부 113 :주변 회로부
114 : 레지스터부 115 : 제어부

Claims (13)

  1. 외부 전원 전압이 설정된 전압 레벨 이상으로 상승할 경우 이를 검출하여 검출 신호를 생성하는 전압 검출부;
    캠셀 데이터를 저장하는 캠셀부;
    상기 검출 신호에 응답하여 독출 명령을 생성하기 위한 제어부;
    상기 캠셀부와 연결되어 상기 독출 명령에 응답하여 상기 캠셀부에 저장된 상기 캠셀 데이터를 독출하기 위한 주변 회로부; 및
    독출된 상기 캠셀 데이터를 임시 저장하는 레지스터를 포함하는 불휘발성 메모리 소자.
  2. 삭제
  3. 외부 명령 신호에 의해 내부 명령 신호를 생성하는 컨트롤러; 및
    상기 내부 명령 신호에 따라 동작하는 메모리 칩을 포함하고,
    상기 컨트롤러는 외부 전원 전압이 설정된 전압 레벨 이상일 때 상기 외부 명령 신호에 응답하여 상기 메모리 칩의 캠셀 데이터 독출 명령어를 출력하는 불휘발성 메모리 소자.
  4. 삭제
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 상기 외부 전원 전압이 상기 설정된 전압 레벨 이상으로 상승할 경우 이를 검출하여 검출 신호를 생성하는 전압 검출부를 포함하는 불휘발성 메모리 소자.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 메모리 칩은 캠셀 데이터를 저장하는 캠셀부;
    상기 캠셀부와 연결되어 독출 명령에 응답하여 캠셀 데이터를 독출하는 주변 회로부;
    상기 검출 신호에 응답하여 상기 독출 명령을 생성하는 제어부; 및
    독출된 상기 캠셀 데이터를 임시 저장하는 레지스터를 포함하는 불휘발성 메 모리 소자.
  7. 메모리 셀부 및 캠셀부를 포함하며, 내부 명령 신호에 응답하여 내부 동작을 수행하는 메모리 칩;
    외부 명령 신호에 응답하여 상기 내부 명령 신호를 생성하는 컨트롤러;
    외부 전원 전압과 설정 전압을 비교하여 검출 신호를 출력하는 전압 검출부; 및
    상기 검출 신호에 응답하여 상기 내부 명령 신호를 상기 메모리 칩으로 전송하는 패스부를 포함하는 불휘발성 메모리 소자.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 내부 명령 신호는 상기 캠셀부에 저장된 캠셀 데이터 독출 명령인 불휘발성 메모리 소자.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 전압 검출부는 상기 메모리 칩에 인가되는 상기 외부 전원 전압이 상기 설정된 전압 레벨 이상으로 상승할 경우 이를 검출하여 상기 검출 신호를 생성하는 불휘발성 메모리 소자.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 메모리 칩은 캠셀 데이터를 저장하는 상기 캠셀부;
    상기 캠셀부와 연결되어 독출 명령에 응답하여 상기 캠셀 데이터를 독출하는 주변 회로부;
    상기 내부 명령 신호에 응답하여 상기 독출 명령을 생성하는 제어부; 및
    독출된 상기 캠셀 데이터를 임시 저장하는 레지스터를 포함하는 불휘발성 메모리 소자.
  11. 외부 전원 전압이 점차 상승하면서 입력되는 단계;
    상기 외부 전원 전압을 검출하여 설정된 전압 레벨 이상으로 상승할 경우 독출 명령어를 생성하는 단계;
    상기 독출 명령어에 응답하여 캠셀 데이터를 독출하여 저장하는 단계; 및
    저장된 상기 캠셀 데이터를 이용하여 프로그램, 독출, 및 소거 동작을 실시하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 독출 명령어를 생성하기 전에 외부 명령어에 응답하여 내부 명령어를 생성하는 컨트롤러를 초기화하는 단계를 더 포함하는 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법.
  13. 외부 전원 전압이 점차 상승하면서 입력되는 단계;
    외부 명령어가 컨트롤러에 입력되어 내부 명령어가 생성되는 단계;
    상기 외부 전원 전압이 설정 전압 이상으로 상승할 경우 상기 내부 명령어를 메모리 칩으로 전송하는 단계;
    상기 내부 명령어에 응답하여 메모리 칩의 캠셀 데이터를 독출하는 단계; 및
    상기 캠셀 데이터를 이용하여 프로그램, 독출, 및 소거 동작을 실시하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9905284B2 (en) * 2016-03-09 2018-02-27 Toshiba Memory Corporation Data reading procedure based on voltage values of power supplied to memory cells

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0721797A (ja) * 1993-06-25 1995-01-24 Advanced Micro Devicds Inc 連想記憶装置システムおよびプログラム可能なリードオンリメモリ
KR20010060579A (ko) * 1999-12-27 2001-07-07 박종섭 연상 메모리 셀 독출 회로
KR20010061467A (ko) * 1999-12-28 2001-07-07 박종섭 플래시 메모리의 캠셀 검출회로
KR20020042757A (ko) * 2000-11-20 2002-06-07 포만 제프리 엘 저전력 내용 참조 가능 메모리 매치 라인 회로

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5428565A (en) * 1994-03-11 1995-06-27 Intel Corporation Single stage sensing apparatus for a content addressable memory
JPH0844628A (ja) * 1994-08-03 1996-02-16 Hitachi Ltd 不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法
KR100265390B1 (ko) * 1997-12-23 2000-10-02 김영환 자동 센싱시간 트래킹 회로를 구비한 플래쉬 메모리 셀의래치 회로
US6317349B1 (en) * 1999-04-16 2001-11-13 Sandisk Corporation Non-volatile content addressable memory
US6310880B1 (en) * 2000-03-17 2001-10-30 Silicon Aquarius, Inc. Content addressable memory cells and systems and devices using the same
KR100463201B1 (ko) * 2002-05-28 2004-12-23 삼성전자주식회사 파워 검출 회로, 이를 이용한 플래시 메모리 장치, 그 플래시 메모리 장치의 파워-온 독출 신호 발생 방법 및 플래시 메모리 장치의 안정적인 파워-온 독출 방법
JP4080843B2 (ja) * 2002-10-30 2008-04-23 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US7433247B2 (en) * 2005-09-26 2008-10-07 Macronix International Co., Ltd. Method and circuit for reading fuse cells in a nonvolatile memory during power-up
KR101005125B1 (ko) * 2009-05-11 2011-01-04 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법
KR101015712B1 (ko) * 2009-05-29 2011-02-22 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치 및 이를 이용한 구동 방법
KR101095785B1 (ko) * 2009-05-29 2011-12-21 주식회사 하이닉스반도체 패키지 장치 및 동작 방법
KR101115653B1 (ko) * 2010-07-09 2012-02-15 주식회사 하이닉스반도체 멀티 칩 패키지 장치 및 그 동작 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0721797A (ja) * 1993-06-25 1995-01-24 Advanced Micro Devicds Inc 連想記憶装置システムおよびプログラム可能なリードオンリメモリ
KR20010060579A (ko) * 1999-12-27 2001-07-07 박종섭 연상 메모리 셀 독출 회로
KR20010061467A (ko) * 1999-12-28 2001-07-07 박종섭 플래시 메모리의 캠셀 검출회로
KR20020042757A (ko) * 2000-11-20 2002-06-07 포만 제프리 엘 저전력 내용 참조 가능 메모리 매치 라인 회로

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