KR101005125B1 - 불휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법 - Google Patents

불휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 옵션정보 저장을 위한 제 1 메모리 셀 그룹을 포함한 메모리 셀 어레이를 포함하는 불휘발성 메모리 소자가 제공되는 단계; 상기 불휘발성 메모리 소자에 전원이 입력되기 시작하고, 상기 제 1 메모리 셀 그룹이 옵션정보 저장을 위한 제 1 명령어가 입력되는 단계; 및 제 1 시간동안 상기 제 1 명령어 수행을 딜레이 시키고, 상기 제 1 시간 후 상기 제 1 명령어에 따른 상기 제 1 메모리 셀 그룹의 옵션정보를 로딩하는 단계를 수행하는 불휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법을 제공한다.
파워 업, 옵션정보 로딩, 딜레이

Description

불휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법{Non volatile memory device and method of operating the same}
본 발명은 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법에 관한 것으로, 특히 초기 시동시의 옵션정보를 안정적으로 로딩할 수 있는 불휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법에 관한 것이다.
최근, 캠코더, 디지털 카메라, 휴대폰, MP3(MPEG-1 Layer3) 플레이어 등과 같은 모바일(mobile) 제품들에 대한 수요가 증가함에 따라 모바일 제품들의 동작 성능을 더욱 향상시키기 위한 노력들이 이루어지고 있다.
모바일 제품에 적용되는 불휘발성 메모리 소자는 적용되는 제품의 동작특성에 맞도록 내부 옵션이 결정되어 각각의 어플리케이션(응용) 프로그램에 따라 동작하도록 한다.
새로운 기술이 개발되면서 모바일 제품에서 요구하는 어플리케이션이 늘어나고, 이에 따라 불휘발성 메모리 소자에 다양한 옵션을 부여하는 기술이 필요하다.
불휘발성 메모리 소자는 퓨즈 등을 이용해서 옵션 정보를 저장해 왔으나, 퓨즈가 차지하는 면적이 크기 때문에 집적화될수록 퓨즈 대신 캠(Content Addressable Memory; CAM)셀을 이용하여 옵션 정보를 저장하고 있다.
상기의 캠셀에 옵션정보를 저장하는 불휘발성 메모리 소자는 전원이 공급되면 초기화 동작 중에 캠셀의 데이터를 로딩하여 내부 레지스터에 저장하는 동작이 필요하다. 캠셀을 로딩하는 동작은 보통 전원이 인가된 후, 어느 정도 전압 레벨이 안정화된 이후에 수행된다.
캠셀을 로딩하는 동작에는 많은 전류가 소모된다. 따라서 불휘발성 메모리 소자의 내부에서 전원이 안정화되었는지 여부를 판단하고, 전원이 안정화된 이후에 캠 셀 로딩을 수행하게 한다.
도 1은 일반적인 캠셀 로딩 방법의 동작 순서도이다.
도 1을 참조하면, 불휘발성 메모리 소자는 전원(Vcc)이 입력되면 동작을 시작한다. 전원이 입력되기 시작하여 불휘발성 메모리 소자의 내부에 전원 공급을 제어하는 제어신호(PSL; Power Sleep signal)가 하이 레벨이 되면(S101), 외부에서 별도로 명령어가 입력되지 않아도 내부적으로 리셋 명령어가 입력된다(S103). 상기 리셋 명령어 없이 직접 캠셀 읽기가 시도될 수 있다.
불휘발성 메모리 소자에 내부적으로 포함되는 제어부에서는 내부적으로 입력된 리셋 명령어는 디코딩되어 어떤 명령어인지를 확인하고(S105), 전원이 입력된 후 최초로 입력된 리셋 명령(Reset Command)인지 여부를 판단한다(S107).
그리고 첫 번째로 입력된 리셋 명령이라면 CAM 읽기 동작을 수행하고(S109), 첫 번째로 입력된 리셋 명령이 아니라면 해당 동작을 수행한다(S111).
상기와 같이 캠셀의 데이터를 로딩하는 방법은 정상적으로 파워가 입력되고, 파워가 안정을 찾은 후에 PSL 신호가 하이 레벨로 변경되므로 캠셀을 읽을 때 문제가 없다.
그러나 불휘발성 메모리 소자에서는 슬로우 파워 업(Slow Power Up) 이라 하여 서서히 전원이 입력되기 시작해서 전원전압이 어느 정도 레벨까지 상승되면 동작을 시작하도록 하는 파워 업 방식도 사용할 수 있다.
이때 PSL 신호는 전원이 설정된 전압 레벨까지 상승되면 하이 레벨로 변경되는데, 실제적으로 전원은 안정적인 상태가 아니다. 따라서 전원이 안정적으로 공급되지 못하는 동안 캠셀을 읽기 시작하여 잘못된 데이터가 읽힐 수 있다.
캠셀의 데이터는 불휘발성 메모리 소자의 동작을 위한 파라미터를 포함한 다양한 옵션정보이기 때문에 잘못된 정보가 읽혀지면 불휘발성 메모리 소자의 동작에 오류가 발생한다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 불휘발성 메모리 소자에 전원이 안정적으로 공급된 이후에 옵션정보를 로딩할 수 있도록 하는 불휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 특징에 따른 불휘발성 메모리 소자는,
옵션정보를 저장하기 위한 제 1 메모리 셀 그룹을 포함한 메모리 셀 어레이; 및 상기 제 1 메모리 셀 그룹에 저장된 옵션정보 로딩을 위한 명령어가 입력되면, 전원전압이 안정화되기 위한 시간이 경과한 후, 상기 제1 메모리 셀 그룹으로부터 상기 옵션정보를 로딩하기 위한 동작을 제어하는 제어부를 포함한다.
상기 전원전압이 안정화되기 위한 시간이 경과한 후 상기 옵션정보를 로딩하기 위해, 인에이블 신호에 의해서 인에이블 되어 클럭신호를 출력하는 클럭 발생기; 및 상기 클럭신호를 이용하여 카운팅 동작을 수행하고, 상기 카운팅 동작에 의한 카운팅 값이 최고값이 되면 제어신호를 출력하는 카운터를 포함하고, 상기 제어부는 상기 제어신호가 입력되면 상기 옵션정보 로딩을 수행하는 것을 특징으로 한다.
상기 제어부는, 전원이 입력되기 시작한 후, 첫 번째로 입력되는 리셋 명령어를 상기 옵션 정보 로딩을 위한 명령어로 인식하는 것을 특징으로 한다.
상기 제어부는, 상기 전원이 입력되기 시작한 후, 입력되는 리셋 명령어가 첫 번째 리셋 명령어가 아닌 경우 해당 리셋 명령어에 대한 동작 제어를 수행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징에 따른 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법은,
옵션정보 저장을 위한 제 1 메모리 셀 그룹을 포함한 메모리 셀 어레이를 포함하는 불휘발성 메모리 소자가 제공되는 단계; 상기 불휘발성 메모리 소자에 전원이 입력되기 시작하고, 상기 제 1 메모리 셀 그룹이 옵션정보 저장을 위한 제 1 명령어가 입력되는 단계; 및 제 1 시간동안 상기 제 1 명령어 수행을 딜레이 시키고, 상기 제 1 시간 후 상기 제 1 명령어에 따른 상기 제 1 메모리 셀 그룹의 옵션정보를 로딩하는 단계를 포함한다.
상기 제 1 명령어는 상기 전원이 입력되기 시작하고 입력되는 첫 번째 리셋 명령어인 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 명령어를 제외한 제 2 명령어가 입력되면 해당 명령어를 바로 실행하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 시간동안 상기 제 1 명령어 수행을 딜레이 하는 것은, 상기 불휘발성 메모리 소자에 포함된 클럭발생기와 카운터를 인에이블 시키는 단계; 및 상기 클럭발생기가 출력하는 클럭신호에 맞추어 상기 카운터가 최고 카운팅 값까지 카운팅 동작을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 최고 카운팅 값까지 카운팅이 수행된 이후에는 상기 클럭 생성기와 상기 카운터는 디스에이블 되는 것을 특징으로 한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 소자 및 그 동 작 방법은 전원이 입력된 후 옵션정보를 로딩할 때, 옵션정보 로딩을 위한 명령어가 입력된 이후에도 일정시간 명령어 실행을 딜레이한 후 옵션정보를 로딩하도록 하여 불휘발성 메모리 소자에 전원이 안정화된 후 옵션정보를 읽도록 함으로써 옵션정보를 정확하게 읽을 수 있게 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 2a 및 도 2b는 불휘발성 메모리 소자에 전원 입력 방식에 따른 제어신호의 변화를 나타내는 도면이다.
특히, 도 2a는 패스트 파워 온(Fast Power On) 방법에 의해 동작할 때의 제어신호를 나타내고, 도 2b는 슬로우 파워 온(Slow Power On) 방법에 의해 동작할 때의 제어신호를 나타낸다.
상기 패스트 파워 온 방법은 전원이 안정화된 이후에 동작을 시작하는 방법이고, 슬로우 파워 온 방법은 전원이 입력되기 시작하여 안정화가 되지 않은 상태에서도 설정된 전압 레벨까지 전원이 상승되면 동작을 시작하는 방법이다.
도 2a를 참조하면, 전원(Vcc)이 입력되어 서서히 상승되고 안정화된 이후에 칩 인에이블 신호(CE#)가 하이 레벨로 변경되고 동작을 시작하도록 하는 레디비 지(Read Busy; RB#) 신호도 전원(Vcc)이 안정화 된 이후에 하이 레벨로 변경된다.
그리고 도 2b에 나타난 바와 같이 슬로우 파워 업을 수행하는 경우에는 전원(Vcc)이 완전히 안정화되기 전에 레디비지(RB#) 신호가 하이 레벨로 변경된다.
따라서 도 2a와 도 2b를 비교하면, 패스트 파워 업 동작을 할 때는 전원(Vcc)이 안정화된 이후에 명령어(CMD; Command)가 입력된다. 그리고 슬로우 파워 업 동작을 할 때는 전원(Vcc)이 안정화되기 전에 명령어가 입력된다.
상기와 같이 패스트 파워 업 방식과 슬로우 파워 업 방식에서 명령어가 입력되는 시기가 다른 것은 옵션 정보를 저장하는 캠셀의 데이터를 읽을 때 문제가 발생될 수 있다. 즉 슬로우 파워 업 방식에서 전원(Vcc)이 안정화되지 않은 상태에서 옵션정보 로딩을 위한 명령어가 입력되면 안정적인 전원이 공급되지 않은 상태로 옵션정보 로딩이 이루어진다. 전원이 안정적으로 공급되지 않은 상태에서 옵션정보를 로딩하는 경우에는 옵션정보가 정상적으로 로딩되지 않는 문제가 발생할 수 있다.
따라서 본 발명의 실시 예에서는 다음과 같이 옵션정보 로딩을 시작하기 전에 일정시간을 대기하도록 하는 방법을 사용한다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 소자를 나타낸다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 소자(300)는 메모리 셀 어레이(310), 페이지 버퍼부(320), 제어부(330), OSC(Oscillator)(340) 및 카운터(350)를 포함한다. 이때 도 3에 나타난 불휘발성 메모리 소자(300)는 본 발명의 실시 예를 설명하기 위한 부분만을 간략히 나타내었다.
메모리 셀 어레이(310)는 데이터 저장을 위한 메모리 셀들을 포함한다. 메모리 셀들은 비트라인과 워드라인으로 연결된다. 그리고 일부 메모리 셀들은 옵션정보를 저장하기 위한 CAM(Content Addressable Memory)셀들을 포함하는 캠셀부(311)를 포함한다.
캠셀부(311)는 불휘발성 메모리 소자(300)의 동작에 필요한 파라미터 정보를 포함한 옵션정보가 저장된다.
페이지 버퍼부(320)는 하나 이상의 비트라인에 연결되는 페이지 버퍼들을 포함한다. 페이지 버퍼는 선택되는 메모리 셀에 프로그램할 데이터를 임시 저장하거나, 선택되는 메모리 셀에 저장된 데이터를 독출 하여 임시 저장한다.
OSC(340)는 클럭신호를 생성하여 출력하고, 카운터(350)는 OSC(340)가 출력하는 클럭신호에 따라서 카운팅 동작을 수행한다. OSC(340)와 카운터(350)는 명령어 실행을 위한 시간 딜레이를 하게 한다. 즉, 미리 카운터(350)가 카운팅할 최고 카운팅 값을 설정한다. 그리고 클럭신호에 의해서 카운터(350)가 카운팅 동작을 시작하여 최고 카운팅 값에 도달하면 카운팅이 완료되었음을 나타내는 제어신호를 출력한다.
제어부(330)는 상기 카운터(340)의 제어신호에 의해서 설정된 시간이 지났는지 여부를 알 수 있다.
제어부(330)는 불휘발성 메모리 소자(300)에 전원이 입력되기 시작하여 최초로 입력되는 리셋 명령어를 구분하여 캠셀부(311)에 저장된 옵션정보 로딩을 수행하도록 동작을 제어한다. 이때 제어부(330)는 상기 옵션정보 로딩을 위한 명령어가 입력되면 OSC(340)와 카운터(350)를 인에이블 시키고 카운터(350)로부터 제어신호가 입력되면 옵션정보 로딩을 시작하도록 동작을 제어한다.
상기의 불휘발성 메모리 소자(300)가 옵션정보를 로딩하는 과정을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4a는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 소자의 동작 순서도이다.
도 4a를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 소자(300)에 전원이 입력되기 시작하여 파워 선택 신호(Power Select signal; PSL)가 하이 레벨로 변경되면(S410), 레디 비지 신호(Read Busy; RB)가 하이 레벨로 변경되면서 명령어가 입력될 수 있는 상태가 된다.
상기 파워 선택 신호는 불휘발성 메모리 소자에 따라 있는 신호이다. 초기 불휘발성 메모리 소자(300)의 제작시에 설정되는 신호 레벨로서 파워 선택 신호가 하이 레벨로 설정되어 있으면 캠셀의 옵션정보 로딩에 대한 명령어를 외부에서 입력받는다는 뜻이고, 파워 선택 신호가 로우 레벨로 설정되어 있으면 불휘발성 메모리 소자 내부적으로 옵션정보 로딩 명령이 생성된다는 것을 의미한다.
또한, 불휘발성 메모리 소자(300)에 파워 선택 신호가 적용되지 않은 경우에도, 외부에서 옵션정보 로딩을 위한 명령어가 입력되어야 한다.
그리고 파워 옵션 신호가 하이 레벨로 되어 있으면 외부로부터 캠셀부(311)의 옵션정보 로딩을 위한 명령어가 입력된다(S420). 그러나 파워 옵션 신호가 로우 레벨로 되어 있다면 내부적으로 옵션정보 로딩을 위한 명령어가 생성된다(S490).
상기 제어부(330)는 입력되는 명령어를 디코딩하여(S430), 어떤 동작을 위한 명령어인지를 확인한다. 이때 입력된 명령어가 첫 번째 리셋 명령어인지를 판단한다(S440).
불휘발성 메모리 소자(300)는 첫 번째 리셋 명령어에 의해서 캠셀부(311)의 옵션정보를 로딩하는 동작을 한다.
따라서 첫 번째 리셋 명령어가 입력되었다고 판단되면, 제어부(330)는 미리 설정되어 있는 제 1 시간 기다린다(S450). 그리고 제 1 시간이 지나면 캠셀부(311)의 옵션정보 읽기 동작을 수행한다(S460).
그러나 단계 S440의 판단결과 첫 번째 리셋 명령어가 아니라면, 제어부(330)는 해당 명령어에 대한 동작을 수행하도록 동작 제어를 한다(S470).
상기 제 1 시간동안 대기하는 딜레이 동작(S450)은 상세하게 다음과 같이 동작된다.
도 4b는 도 4a의 딜레이 동작의 순서도이다.
도 4b를 참조하면, 제 1 시간의 딜레이를 위해서 제어부(330)는 먼저 OSC(340)를 인에이블 시키고(S451), 카운터(340)가 OSC(340)가 출력하는 클럭신호를 이용한 카운팅을 시작하게 한다(S452).
카운터(350)는 클럭신호에 따라 카운팅 값(N)을'1'씩 증가하고(S453), 제 1 시간에 해당하는 최고 카운팅 값(MAX)과 카운팅 값(N)이 같거나 커지는지를 확인한다(S454).
카운팅 값(N)이 최고 카운팅 값(MAX)이 되면 제 1 시간이 지난 것으로 판단 할 수 있으므로 카운터(350)를 제어신호를 제어부(330)로 출력하여 제 1 시간이 지났음을 알린다.
상기 시간을 딜레이 시키는 동작은 내부적으로 OSC(340)가 생성하는 내부클럭을 이용하기 때문에 외부에서 따로 클럭 입력이 필요없다.
제어부(330)는 카운터(350)가 입력하는 제어신호에 의해서 제 1 시간이 지났음을 확인하고, 내부적으로 리셋 명령어를 생성한다(S455). 또한 제어부(330)는 제 1시간의 딜레이가 완료된 후에는 불필요한 전류 낭비를 위하여 OSC(340)와 카운터(350)를 디스에이블 시킨다(S456).
제어부(330)가 내부적으로 생성한 리셋 명령어에 의해서 옵션정보 읽기가 시작된다(S460).
한편, 파워 선택 신호가 적용되지 않은 불휘발성 메모리 소자에서는 파워 선택 신호를 확인하는 과정이 필요없다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 소자의 동작 순서도이다.
도 5를 참조하면, 전원이 입력된 후 파워 선택 신호가 사용되지 않기 때문에 바로 옵션정보 로딩을 위한 명령어가 입력된다(S501). 그리고 해당 명령어를 디코딩하고(S503), 첫 번째 리셋 명령어인지를 확인한다(S505).
그리고 입력된 명령어가 첫 번째 리셋 명령어라면 제 1 시간을 딜레이 시키고(S507), 캠셀부(311)의 옵션정보 읽기를 시작한다(S506). 상기 제 1 시간 딜레이는 도 4b에서 설명한 바와 같다.
상기 제 1 및 제 2 실시 예는 모두 불휘발성 메모리 소자(300)에 전원이 공급되기 시작하고 최초로 입력되는 리셋 명령어를 옵션정보 로딩을 위한 명령어로 인식하고, 실제로 옵션정보를 로딩하기 전에 설정된 제 1 시간을 딜레이 시킨 후 옵션정보 로딩을 수행하도록 함으로써 어떤 상황에도 전원이 안정화된 이후에 옵션정보 로딩을 수행하도록 한다.
이는 패스트 파워 업이나, 슬로우 파워 업 방식 모두에서 적용할 수 있으며, 두 가지 방식중 어느 방식으로 전원이 입력되어 동작을 하는지에 관계없이 옵션정보 로딩은 전원이 안정된 이후에 수행되므로 보다 정확한 옵션정보 로딩이 가능하다.
상기에서 설명한 본 발명의 기술적 사상은 바람직한 실시 예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시 예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명은 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 캠셀 로딩 방법의 동작 순서도이다.
도 2a 및 도 2b는 불휘발성 메모리 소자에 전원 입력 방식에 따른 제어신호의 변화를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 소자를 나타낸다.
도 4a는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 소자의 동작 순서도이다.
도 4b는 도 4a의 딜레이 동작의 순서도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 소자의 동작 순서도이다.
*도면의 주요 부분의 간단한 설명*
300 : 불휘발성 메모리 소자 310 : 메모리 셀 어레이
320 : 페이지 버퍼부 330 : 제어부
340 : OSC 350 : 카운터

Claims (9)

  1. 옵션정보를 저장하기 위한 제 1 메모리 셀 그룹을 포함한 메모리 셀 어레이; 및
    상기 제 1 메모리 셀 그룹에 저장된 옵션정보 로딩을 위한 명령어가 입력되면, 전원전압이 안정화되기 위한 시간이 경과한 후, 상기 제1 메모리 셀 그룹으로부터 상기 옵션정보를 로딩하기 위한 동작을 제어하는 제어부
    를 포함하는 불휘발성 메모리 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 전원전압이 안정화되기 위한 시간이 경과한 후 상기 옵션정보를 로딩하기 위해,
    인에이블 신호에 의해서 인에이블 되어 클럭신호를 출력하는 클럭 발생기; 및
    상기 클럭신호를 이용하여 카운팅 동작을 수행하고, 상기 카운팅 동작에 의한 카운팅 값이 최고값이 되면 제어신호를 출력하는 카운터를 포함하고,
    상기 제어부는 상기 제어신호가 입력되면 상기 옵션정보 로딩을 수행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제어부는,
    전원이 입력되기 시작한 후, 첫 번째로 입력되는 리셋 명령어를 상기 옵션 정보 로딩을 위한 명령어로 인식하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 전원이 입력되기 시작한 후, 입력되는 리셋 명령어가 첫 번째 리셋 명령어가 아닌 경우 해당 리셋 명령어에 대한 동작 제어를 수행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자.
  5. 옵션정보 저장을 위한 제 1 메모리 셀 그룹을 포함한 메모리 셀 어레이를 포함하는 불휘발성 메모리 소자가 제공되는 단계;
    상기 불휘발성 메모리 소자에 전원이 입력되기 시작하고, 상기 제 1 메모리 셀 그룹이 옵션정보 저장을 위한 제 1 명령어가 입력되는 단계; 및
    제 1 시간동안 상기 제 1 명령어 수행을 딜레이 시키고, 상기 제 1 시간 후 상기 제 1 명령어에 따른 상기 제 1 메모리 셀 그룹의 옵션정보를 로딩하는 단계;
    를 포함하는 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제 1 명령어는 상기 전원이 입력되기 시작하고 입력되는 첫 번째 리셋 명령어인 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 제 1 명령어를 제외한 제 2 명령어가 입력되면 해당 명령어를 바로 실행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 제 1 시간동안 상기 제 1 명령어 수행을 딜레이 하는 것은,
    상기 불휘발성 메모리 소자에 포함된 클럭발생기와 카운터를 인에이블 시키는 단계;
    상기 클럭발생기가 출력하는 클럭신호에 맞추어 상기 카운터가 최고 카운팅 값까지 카운팅 동작을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 최고 카운팅 값까지 카운팅이 수행된 이후에는 상기 클럭 생성기와 상기 카운터는 디스에이블 되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법.
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