JP3980011B2 - 不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法 - Google Patents
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Description
前記した不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法によれば、たとえば一括電気的消去および書き込み可能なFlashメモリの最終アドレスをライトプロテクト保存レジスタとしてアトリビュート領域で設定し、このライトプロテクト保存レジスタにライトプロテクトを行いたいエリアのアドレスをライトする。
図1は本発明の一実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図、図2は本実施の形態におけるソフトウェアライトプロテクト設定のフローチャート、図3はライトプロテクト情報転送のタイムチャート、図4はライトプロテクト情報転送を説明するブロック図、図5はメモリカードのアドレスマップを示す説明図、図6はライトプロテクト制御のフローチャート、図7はライトプロテクト判定回路を示す構成図、図8はライトプロテクト制御のタイムチャート、図9はライトプロテクト制御を説明するブロック図、図10は本実施の形態のメモリカードを用いたシステム構成図である。
図11は本発明の他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
図12は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
図13は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
図14は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図である。
図15は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いたメモリカードにおけるライトプロテクト制御のフローチャート、図16はライトプロテクト制御のタイムチャートである。
図17は本発明のさらに他の実施の形態である不揮発性メモリを用いた半導体メモリを示す構成図である。
2,2a〜2d Flashメモリ(不揮発性メモリ)
3 リセットIC
4,4a〜4d カードコントローラ
5,5a〜5d ライトプロテクト保存レジスタ
6,6a〜6d ライトプロテクトレジスタ
7 リセット部
8 アドレス制御部
9 Flashメモリコントロール信号発生部
10 ソフトウェアリセットレジスタ
11 レジスタコントロール部
12 ライトプロテクト領域判定部
13 データ制御部
14 大小判別回路
15 カードインタフェース
16 CPU
17 RAM
18 ROM
19 プリンタ
20 ハードディスク
21 フロッピー(R)ディスク
22 不揮発性メモリ
23 ライトプロテクトレジスタ
24 ライトプロテクト領域判定部
25 ライト制御部
26 半導体メモリ
Claims (3)
- 不揮発性メモリと、制御回路とを有する不揮発性半導体記憶装置であって、
前記不揮発性メモリは情報格納領域を有し、不揮発性メモリの外部に接続される前記制御回路からの要求に応じて前記情報格納領域へのアクセス動作を行い、前記制御回路から発行される読み出し動作要求に応じて内部に格納した情報を前記制御回路へ出力し、または前記制御回路から発行される書き込み動作要求に応じて前記制御回路から供給された情報を内部へ格納し、前記情報格納領域には不揮発性半導体記憶装置に関する情報を格納する第1領域と、前記制御回路から発行される書き込み動作要求により不揮発性半導体記憶装置の外部から供給された情報を格納する第2領域とを有し、前記第2領域内のアクセス制限の対象とされる部分領域を指定するアクセス制限情報が前記第1領域に格納され、
前記制御回路は、不揮発性半導体記憶装置のリセット動作中に前記不揮発性メモリに対して前記第1領域に格納されているアクセス制限情報を読み出すための読み出し動作要求を発行し、不揮発性半導体記憶装置のリセット動作後に不揮発性半導体記憶装置の外部から供給される情報の格納要求に対し、前記情報の格納要求と共に供給される前記不揮発性メモリ内の前記第2領域を指定したアドレス情報が前記第2領域内のアクセス制限の対象とされる部分領域に該当するか否かを前記リセット動作中に読み出したアクセス制限情報と比較し判定し、
該当する場合は、前記制御回路から前記不揮発性メモリに対して、書き込みのセットアップ状態をリセットするコマンドを送り、
該当しない場合は、前記制御回路から前記不揮発性メモリに対して、不揮発性半導体記憶装置の外部から供給された情報を書き込む、不揮発性半導体記憶装置。 - 不揮発性メモリと、制御回路とを有する不揮発性半導体記憶装置であって、
前記不揮発性メモリは情報格納領域を有し、不揮発性メモリの外部に接続される前記制御回路からの要求に応じて前記情報格納領域へのアクセス動作を行い、前記制御回路から発行される読み出し動作要求に応じて内部に格納した情報を前記制御回路へ出力し、または前記制御回路から発行される書き込み動作要求に応じて前記制御回路から供給された情報を内部へ格納し、前記情報格納領域には不揮発性半導体記憶装置に関する情報を格納する第1領域と、前記制御回路から発行される書き込み動作要求により不揮発性半導体記憶装置の外部から供給された情報を格納する第2領域とを有し、前記第2領域内のアクセス制限の対象とされる部分領域を指定するアクセス制限情報が前記第1領域に格納され、
前記制御回路は、不揮発性半導体記憶装置のリセット動作中に前記不揮発性メモリに対して前記第1領域に格納されているアクセス制限情報を読み出すための読み出し動作要求を発行し、不揮発性半導体記憶装置のリセット動作後に不揮発性半導体記憶装置の外部から供給される情報の格納要求に対し、前記情報の格納要求と共に供給される前記不揮発性メモリ内の前記第2領域を指定したアドレス情報が前記第2領域内のアクセス制限の対象とされる部分領域に該当するか否かを前記リセット動作中に読み出したアクセス制限情報と比較し判定し、
該当する場合は、前記制御回路から前記不揮発性メモリに対して、前記不揮発性メモリに対しライトプロテクトを示すコマンドを送り、
該当しない場合は、前記制御回路から前記不揮発性メモリに対して、不揮発性半導体記憶装置の外部から供給された情報を書き込む、不揮発性半導体記憶装置。 - 前記制御回路から前記不揮発性メモリに対して送られるコマンドは、不揮発性半導体記憶装置の外部から供給された情報を前記制御回路から前記不揮発性メモリに対して送る信号線を用いて行われる、請求項1もしくは2に記載の不揮発性半導体記憶装置。
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