JP4463378B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、誤書き込み等によるデータの破壊を防止する、保護機能を有する不揮発性半導体記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
フラッシュメモリは、従来より、誤書き込み等によるデータの破壊を防止する、保護機能を有している。通常は、フラッシュメモリ内のメモリセルアレイは、ブロックと呼ばれる消去単位に分割され、この最小単位毎に保護が行われている。ブロックの大きさは、64kバイトの場合が多い。更に小さい単位で保護を行うために、ブロックの大きさを小さくする要求がある。しかし、ブロックは、メモリチップ内で物理的に分離されて形成されるので、ブロックの大きさをあまり小さくすると、チップサイズが増大する。ブロックの大きさが64kバイトの場合には、4Mビットのメモリは、8ブロックを有し、8Mビットのメモリは、16ブロックを有する。フラッシュメモリは、ブロック数と等しい数の保護情報を記憶する不揮発性素子を有し、この不揮発性素子を使用してブロック毎に保護を行う。
【0003】
一方、最近では、フラッシュメモリの大容量化が進み、32Mビットや64Mビットのメモリが開発されている。このような大容量メモリを、64kバイトのブロックで分割すると、64Mビットのメモリでは、ブロック数は、128個となる。従って、メモリ内のブロック数の増加に従って、保護情報を記憶する不揮発性素子も同時に必要となり、チップサイズが増大する。そこで、大きなメモリでは、複数のブロックを一括して保護をかけることにより、保護情報を記憶する不揮発性素子の数を減らし、これによってチップサイズを低減する方法が採用されている。
【0004】
また、フラッシュメモリには、主記憶領域のほかに、製品情報等の情報を記憶する記憶領域が設けられているものがある。これをヒドンブロックと呼ぶ。ヒドンブロックは、通常は、一旦保護をかけた状態とすると、解除できない様になっている。ヒドンブロックのサイズは、フラッシュメモリの形式によりことなり、例えば、512バイトから、64kバイトである。
【0005】
フラッシュメモリにプログラムを行う場合には、フラッシュメモリにプログラムが行われる前に、先ずプログラムを行うブロックの保護状態を記憶素子から読み取る。そして、保護すべきブロックである場合には、プログラム電圧を発生しないようにして保護を行う。
【0006】
図1は、従来のフラッシュメモリの概略の構成を示す図である。フラッシュメモリ100は、主に、主記憶領域101、ヒドンブロック104、y−デコーダ106−1から106−4、アドレスバッファ110、ブロック選択デコーダ111、x−プリデコーダ112、ヒドンブロック用x−デコーダ113、保護状態記憶素子群114、プログラム電圧発生回路115及び、センスアンプと入出バッファ部116を有する。主記憶領域101は、64kバイトの消去単位(ブロック)101−1から101−nと、x−デコーダ102及び103を有する。ヒドンブロックには、ヒドンブロック用x−デコーダ105が設けられている。
【0007】
フラッシュメモリからデータをリードする場合には、先ずアドレスバッファ110にアドレスが入力される。アドレスバッファ110は、入力されたアドレスに従ってブロック選択デコーダ111にブロックアドレスを送る。更にブロック選択デコーダ111の出力するブロック選択信号と、アドレスバッファから送られるロウアドレスをx−プリデコーダ112がデコードし、出力をx−デコーダ102及び103に送る。そして、x−デコーダ102及び103により、メモリセルの1本のワード線が選択される。次に、ブロック選択信号とコラムアドレスにより、y−デコーダ106−1から106−4がビット線を選択する。これにより、選択されたメモリセルに記憶されているデータがデータバス線へ送られ、センスアンプと入出力バッファ116を介して、出力データとして出力される。
【0008】
フラッシュメモリにデータを記憶する場合には、即ちプログラムを行う場合には、プログラム実行コマンドが入力される。プログラム実行コマンドが入力されると、先ず最初に、プログラムすべきセルのあるブロックについて、保護状態記憶素子に記憶された情報が検査される。保護状態記憶素子に記憶された情報がアンプロテクト(保護を要しない状態)を示す場合には、上述のリード時と同様な方法でアドレス入力に従って選択されたセルに対して、プログラム電圧発生回路を介して、入力データに従ったプログラム電圧を供給しプログラムを行い入力データを記憶する。一方、保護状態記憶素子に記憶された情報がプロテクト(保護を要する状態)を示す場合には、プログラム電圧発生回路を活性化しないことにより、プログラム電圧を発生させない。この場合でも、上述のリード時と同様な方法でアドレス入力に従ってセルが選択されているが、プログラム電圧が発生しないので、選択されたセルに対してプログラムが行われない。
【0009】
一方、ヒドンブロックに対してリード又は、プログラムを行う場合には、ヒドンブロックアクセスコマンド123が、ヒドンブロック用x−プリデコーダ113及び、保護状態記憶素子群114の中のヒドンブロック用の記憶素子に対して入力される。その後は、ヒドンブロック用x−デコーダ105を介してヒドンブロック内のワード線が選択され、上述の主記憶領域101の中のメモリセルに行われたのと同様に、ヒドンブロック内のメモリセルに対して、リード又は、プログラムが行われる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
近年、フラッシュメモリの記憶容量が増加したことによって、複数のブロックに対して一括して保護を行う方法が多く行われるようになってきた。これにより、保護を行うデータの単位は、例えば、256kバイトのような大きなサイズとなってきた。しかし、保護をかけるべきデータの量は、256kバイトのような大きな値となることが少ないために、保護をかけた領域の多くが、使用されないままで残ることになる。例えば、保護を行うべきデータの量が100kバイトの場合には、残りの156kバイトのデータ領域に対しては、データが記憶されずに残る。
【0011】
ヒドンブロックのアクセスを行うヒドンモードの場合には、ヒドンブロックは例えば、1領域しかないので、数バイトのデータを書きこんだ後に保護を行うと、ヒドンブロックの残りの領域は、使用することができない。そこで、最近では、前に書き込まれた領域のデータを破壊することなく、この残りの領域に、更にデータを書き込みたいという要求が高まってきた。
【0012】
これを可能とする最も簡単な方法は、保護を行う単位であるブロックの大きさを小さくすることであるが、これは、上述の様にメモリチップサイズの増大を招く。
【0013】
更に、ヒドンブロックに対してのアクセスは、主記憶領域と比較すると、限定された小領域のアクセスであるので、アドレスの入力無しにアクセスを行いたいという要求もある。しかし、現在においては、アドレスを入力してヒドンブロックのメモリセルを選択する必要がある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述の問題点を解決した、メモリチップ面積を増大させることなく、小さなブロック毎に保護をかけ、且つ、ヒドンブロックをアクセスするヒドンモードの時にはアドレスを入力せずにヒドンブロックのメモリセルのアクセスを行うことができる不揮発性半導体記憶装置を提供することである。
【0015】
請求項1は、電気的に書き換え可能な不揮発性半導体記憶装置において、保護情報を記憶するK個の不揮発性記憶素子と、
保護状態を記憶する不揮発性記憶素子と、
2のK乗個以下のブロックに論理的に分割された記憶領域とを有し、
前記K個の不揮発性記憶素子及び前記保護状態を記憶する不揮発性記憶素子に記憶されている情報に基づき、前記論理的に分割された記憶領域内の連続する前記ブロックへの情報の書き込みを防止することを特徴とする。
【0016】
また、前記保護情報を記憶するK個の不揮発性記憶素子に記憶されている情報は、書き込みを防止する前記論理的に分割された記憶領域内の連続する前記ブロックの最後のブロックを示す情報であることを特徴とする。
【0017】
更に、前記記憶領域の先頭の前記ブロックから、前記K個の不揮発性記憶素子に記憶されている情報により示される前記最後のブロックへの書き込みが防止され、前記K個の不揮発性記憶素子に記憶されている情報により示される前記最後のブロックの次のブロックから順に情報の書き込みを行うことを特徴とする。
【0018】
請求項1によれば、論理的に最初のブロックから書き込みが行われ、その後保護が行われると、保護情報を記憶するK個の不揮発性記憶素子には、情報の書き込みが行われた最後のブロックを示す情報が記憶され、また、保護状態を記憶する不揮発性記憶素子には、保護が行われていることを示す情報が書き込まれる。これにより、その後に書き込みを行う際には、常に、保護情報を記憶するK個の不揮発性記憶素子に書き込まれた情報が示す最後のブロックの次のブロックより書き込みが行われるので、前に書き込まれた情報を破壊することがない。
【0019】
他の例において、電気的に書き換え可能な不揮発性半導体記憶装置において、保護情報を記憶するK個の不揮発性記憶素子と、
2のK乗個以下のブロックに論理的に分割された記憶領域とを有し、
前記K個の不揮発性記憶素子に記憶されている情報に基づき、前記論理的に分割された記憶領域内の連続する前記ブロックへの情報の書き込みの防止を解除することを特徴とする。
【0020】
この例において、前記保護情報を記憶するK個の不揮発性記憶素子に記憶されている情報は、書き込みの防止を解除する前記論理的に分割された記憶領域内の連続する前記ブロックの先頭のブロックを示す情報であることを特徴とする。
【0021】
更にこの例において、前記記憶領域の先頭の前記ブロックから、前記K個の不揮発性記憶素子に記憶されている情報により示される前記先頭のブロックの直前の前記ブロックへの書き込みが防止され、前記K個の不揮発性記憶素子に記憶されている情報により示される前記先頭のブロックから順に情報の書き込みを行うことを特徴とする。
【0022】
この例によれば、常に保護が行われ、情報を書き込む際には、保護情報を記憶するK個の不揮発性記憶素子に記憶された保護を解除できる最初のブロックを示す情報に示されたブロックより、書き込み保護が解除されて、書き込みが行われる。情報の書き込み後、情報が書き込まれた最後のブロックの次のブロックを示す情報が、保護情報を記憶するK個の不揮発性記憶素子に記憶される。これにより、情報を書き込む際に、前に書き込まれた情報を破壊することがない。
【0023】
前記記憶領域は、主記憶領域とし得る。
【0024】
それによれば、本発明に従った保護を、メモリの主記憶領域に対して行うことができる。
【0025】
前記記憶領域は、主記憶領域以外の記憶領域としてもよい。
【0026】
それによれば、本発明に従った保護を、メモリの主記憶領域以外の記憶領域に対して行うことができる。
【0027】
前記記憶領域が主記憶領域以外の記憶領域である例において、特定の命令に従って、前記主記憶領域以外の記憶領域に対してアクセスを行う状態となると、前記K個の不揮発性記憶素子に記憶されている情報に基づいた特定のブロックがアクセスされる。
【0028】
それによれば、外部からアドレスを入力することなく前記主記憶領域以外の記憶領域に対してアクセスが可能となる。
【0029】
前記記憶領域が主記憶領域以外の記憶領域である例において、読み出しモードの場合には、書き込みが防止されているブロックの先頭ブロックから最後のブロックまでに記憶されている情報を順に読み出し、書き込みモードの場合には、書き込みが防止されていないブロックの先頭ブロックから順に情報を書き込む。
【0030】
それによれば、外部からアドレスを入力することなく前記主記憶領域以外の記憶領域に対して、順次連続してアクセスが可能となる。
【0031】
【発明の実施の形態】
本発明による保護の理解を容易とするために、従来の保護の動作について先ず最初に説明する。図2は、従来の保護の方法の一例を示す図である。図2において図1と同一番号の構成要素は、同一の構成要素を示す。図2は、図1に示すフラッシュメモリに対する保護の方法を示す。図1の保護状態記憶素子群114は、図2に示すように、保護を行うブロック毎に保護の状態を記憶する不揮発性記憶素子201−1から201−4有し、且つ、判定回路202を有する。また、不揮発性記憶素子201−1から201−4及び、ブロック101−1から101−4の上部に付された番号(1)から(4)はブロックアドレスを表すものとする。
【0032】
図2(A)は、ブロック101−1から101−4に何のデータも記憶されておらずかつ、保護も行われていない状態を示し、この状態において、ブロックアドレス(2)のブロックに64kバイトのデータを書き込む場合を示す。
【0033】
プログラムを行うときには、先ず最初に、保護状態記憶素子群114の中のブロックアドレス(2)の不揮発性記憶素子201−2に記憶された情報が読まれる。ここで、不揮発性記憶素子201−2に記憶された情報が”0”なら、ブロックアドレス(2)のブロックは、アンプロテクト状態であり、また、”1”ならば、プロテクト状態である。図2(A)の場合には、不揮発性記憶素子201−2から”0”が読み出されるので、ブロック(2)はアンプロテクト状態である。従って、プログラム電圧発生回路115によりプログラム電圧が発生される。図1で説明したのと同様な方法で入力されるアドレスによりブロック(2)が選択されて、64kバイトの入力データは、ブロック(2)に書き込まれる。そして、保護状態記憶素子群114の中の不揮発性記憶素子201−2には、プロテクト状態を示す”1”が書き込まれる。
【0034】
次に、図2(B)は、図2(A)において既にデータが書き込まれ且つ保護されているブロック(2)に対して、更にデータを書き込む場合を示す。(A)と同様に先ず最初に、保護状態記憶素子群114の中のブロックアドレス(2)の不揮発性記憶素子201−2に記憶された情報が読まれる。この場合には、不揮発性記憶素子201−2から”1”が読み出されるので、ブロック(2)はプロテクト状態である。従って、プログラム電圧発生回路115によりプログラム電圧が発生されず、且つ、データ入力回路116が活性化されない。従って、図1で説明した様に外部よりアドレスが入力されても、データは書き込まれない。
【0035】
図2(C)は、ブロック(2)は保護されている状態で、ブロック(4)に対して、64kバイトのデータを書き込む場合を示す。この場合には、図2(A)に示したのと同様に、ブロック(4)に対してデータが書き込まれ、その後に、保護状態記憶素子群114の不揮発性記憶素子201−4に”1”が書き込まれる。
【0036】
図3は、本発明によるフラッシュメモリの一実施例の概略構成を示す。図3において図1と同一番号の構成要素は、同一の構成要素を示す。図3と図1の違いは、図1においては、保護状態記憶素子群114からプログラム電圧発生回路115に対して、制御信号が接続されていたが、図3においては保護状態記憶素子群114の出力が、y−デコーダ106−1から106−4に接続されていることである。これによって、保護を行うブロックに対しては、デコーダが選択されないようにして、データの書き込みを防止することにより、保護を行う。
【0037】
以下に、図3に示す概略構成のフラッシュメモリに対する本発明の実施例を説明する。
【0038】
図4は本発明の第1実施例を示す。本実施例は、本発明による、保護の動作を示す。本実施例においては、64kバイトのブロック(1)から(4)は、論理的に連続しているとする。即ち、ブロックアドレス(1)、(2)、(3)及び、(4)は論理的に連続している。また、図2に示したのと同様に、64kバイトのブロック毎に保護を行う。図4(A)に示す保護状態記憶素子群114は、どのブロックまでプログラムされたかを示す2ビットの不揮発性記憶素子401と、1回でもプログラムが行われたか否かを示す1ビットの不揮発性記憶素子402を有する。不揮発性記憶素子402には、1回もプログラムが行われていない場合には”0”が記憶され、1回でもプログラムが行われた場合には、”1”が記憶される。
【0039】
図4(A)は、ブロック101−1から101−4に何のデータも記憶されておらずかつ、保護も行われていない状態を示し、この状態において、ブロックに64kバイトのデータを書き込む場合を示す。プログラムを行う場合には、先ず最初に、保護状態記憶素子群114の中の不揮発性記憶素子402に記憶された情報が読まれる。この場合には、不揮発性記憶素子402から”0”が読み出されるので、1回もプログラムが行われていないことを示す。また、保護状態記憶素子群114の不揮発性記憶素子402には、ブロック(1)を示す値(0,0)が記憶されている。従って、デコーダ106−1は、自動的にブロック(1)を選択する。この場合、外部より入力されるアドレスでブロックを選択することも可能である。そして、64kバイトのデータがブロック(1)に書き込まれる、且つ、不揮発性記憶素子402には、プログラムが行われたことを示す”1”が記憶される。この場合、書き込まれた最後ブロックは(1)であるので、不揮発性記憶素子401はブロック(1)を示す(0,0)のままである。ここで、不揮発性記憶素子401に記憶された情報が、(0,0)の時はブロック(1)、(0,1)の時はブロック(2)、(1,1)の時はブロック(3)及び、(1,0)の時はブロック(4)を示すものとする。
【0040】
次に、図4(B)は、ブロック(1)にデータが書き込まれ、且つブロック(1)が保護された状態で、2つのブロックに亘る80kバイトのデータを記憶する場合を示す。不揮発性記憶素子401はブロック(1)まで保護されていることを示す(0,0)が記憶されており、また、不揮発性記憶素子402には、プログラムが行われたことを示す”1”が記憶されている。従って、プログラムが行われると、ブロック(1)は選択されずブロック(2)からブロック(3)に亘って、80kバイトのデータが書き込まれる。データの書き込みのときには、図3に示すプログラム電圧発生回路115はプログラム電圧を発生し、選択されたブロック(2)及び(3)にデータが書き込まれる。しかし、デコーダ106−1は、選択されないのでブロック(1)へ誤ってデータが書き込まれることはない。ブロック(3)まで書きこんだ後に、不揮発性記憶素子401はブロック(3)まで保護されていることを示す(1,1)が記憶される。
【0041】
次に図4(C)は、ブロック(3)までデータが書き込まれ且つ保護されている時に、更に64kバイトのデータを記憶する場合を示す。不揮発性記憶素子401はブロック(3)まで保護されていることを示す(1,1)が記憶されているので、上述の図4(B)と同様に、ブロック(1)から(3)は選択されず、ブロック(4)に対して、64kバイトのデータが書き込まれる。
【0042】
以上の様に、不揮発性記憶素子401により、前に書き込まれたデータの最後のブロックを順次記憶しながら、その最後のブロックの次のブロックよりデータを記憶するので既に書き込まれたデータが破壊されることがない。
【0043】
次に本発明の第2実施例を説明する。図5は、本発明の第2実施例を示す図である。本実施例では、初期状態では、例えば製造時より、全ブロックは、保護された状態であるとする。また、図5(A)に示す保護状態記憶素子群114は、どのブロックからプログラム可能かを示す2ビットの不揮発性記憶素子501と、不揮発性記憶素子501及びフラッシュメモリ外部より入力される保護解除コマンドを入力とする制御回路502を有する。
【0044】
本実施例では、プログラムを行うには、プロテクト状態の一時解除コマンドを入力する。このプロテクト状態の一時解除コマンドが入力されるまでは、たとえプログラムを行う状態となっていても、全てのデコーダ106−1から106−4は活性化されず、プロテクト状態は解除されない。
【0045】
プロテクト状態の一時解除コマンドが入力されると、不揮発性記憶素子501に記憶した情報で示されるブロックから、メモリの最後のブロックまでのプロテクト状態が解除される。
【0046】
図5(A)は、ブロック101−1から101−4に何のデータも記憶されておらず、この状態において、ブロックに64kバイトのデータを書き込む場合を示す。この場合には、不揮発性記憶素子501に記憶した情報は(0,0)であるので、プロテクト状態の一時解除コマンドが入力されると、ブロック(1)から最後までのブロックのプロテクトが解除される。そして、ブロック(1)に、64kバイトのデータが記憶される。その後、不揮発性記憶素子501には、データの書き込まれたブロック(1)の次のブロック(2)を示す情報(0,1)が記憶される。そして、プロテクト状態の一時解除コマンドを停止すると、再び、メモリの全ブロックが保護される。
【0047】
次に、図5(B)は、ブロック(1)にデータが記憶された状態で、更に80kバイトのデータを記憶する場合を示す。上述の、図5(A)と同様に、プログラムを行うときには、プロテクト状態の一時解除コマンドが入力されると、不揮発性記憶素子501にはブロック(2)を示す情報(0,1)が記憶されているので、ブロック(2)から最後までのブロックのプロテクトが解除される。これにより、ブロック(2)からブロック(3)に亘って、80kバイトのデータが記憶される。従って、ブロック(1)のデコーダ106−1は活性化されることがないので、誤ってブロック(1)にデータが書き込まれることはない。そして、データはブロック(3)まで書き込まれたので、不揮発性記憶素子501には、データの書き込まれたブロック(3)の次のブロック(4)を示す情報(1,0)が記憶される。そして、プロテクト状態の一時解除コマンドを停止すると、再び、メモリの全ブロックが保護される。
【0048】
図5(C)は更に、64kバイトのデータを記憶する場合を示す。この場合は、上述の図5(B)と同様に、ブロック(4)のプロテクト状態のみが解除され、64kバイトのデータがブロック(4)に記憶され、ブロック(1)から(3)は誤って書き込まれることはない。
【0049】
次に本発明の第3実施例を説明する。図6は、本発明の第3実施例を示す図である。本実施例は、ヒドンブロックに対しての保護を行うものである。ヒドンブロックは、ビット601から608、デコーダ611から618により構成される。ヒドンブロックは、サイズが小さいので、上述の実施例の保護の単位であるブロックに相当するものは、1ビット(バイト単位のメモリの場合は、1バイト、また、ワード単位のメモリの場合は、1ワード)である。本実施例では、保護の単位は1ビットとする。
【0050】
図6(A)はヒドンブロックにプログラムを行う場合を示す。図6(A)に示す、図3のヒドンブロック用の保護状態記憶素子群114は、どのビットまでプログラムされたかを示す3ビットの不揮発性記憶素子621と、不揮発性記憶素子621及び外部より入力されるプログラムモードコマンドをデコードするデコーダ620を有する。
【0051】
ヒドンブロックは、図3に示すヒドンブロックアクセスコマンド123を入力することによりアクセスが可能となる。この状態をヒドンモードと呼ぶ。
【0052】
ヒドンモードでプログラムを行うには、先ず最初に、ヒドンブロック用の保護状態記憶素子群114内の不揮発性記憶素子621の内容が読まれ、プログラムモードと不揮発性記憶素子621の出力をデコーダ620によりデコードして、不揮発性記憶素子621の内容の示す次のビットよりプログラムを行う。
【0053】
図6(A)の場合には、ビット603まで既にプログラムされ、不揮発性記憶素子621にはビット603を示す値(0,1,1)が記憶されており、この状態で更にデータをプログラムする場合を示す。この場合には、不揮発性記憶素子621の示すビット603の次のビット604からプログラムが行われ、図4に示した実施例で説明したのと同様に、ビット601から603に対するデコーダ611から613が活性化されることはないので、誤ってデータが書き込まれることがない。
【0054】
図6(B)は、ヒドンブロックからのデータのリード動作を示す。上述の様に、ヒドンブロックは、図3に示すヒドンブロックアクセスコマンド123を入力することによりアクセスが可能となり、外部よりアドレスを入力しなくても、自動的に、不揮発性記憶素子621に示すビットのデータが読み出される。この場合は、常に最後に書き込まれたビットのデータが読み出される。
【0055】
次に本発明の第4実施例を説明する。図7は、本発明の第4実施例を示す図である。本実施例は、ヒドンブロックに対しての別の保護を行うものである。
【0056】
図7(A)はヒドンブロックにプログラムを行う場合を示す。図7(A)に示す、図3で示したヒドンブロック用の保護状態記憶素子群114は、どのビットからプログラムが可能かを示す3ビットの不揮発性記憶素子621と、不揮発性記憶素子621及び外部より入力されるプログラムモードコマンド及びプロテクト一時解除コマンドをデコードするデコーダ620を有する。
【0057】
ヒドンモードでプログラムを行うには、先ず最初に、ヒドンブロック用の保護状態記憶素子群114内の不揮発性記憶素子621の内容が読まれ、プロテクト一時解除コマンドとプログラムモードと不揮発性記憶素子621の出力をデコーダ620によりデコードして、不揮発性記憶素子621の内容が示すビットよりプログラムを行う。
【0058】
図7(A)の場合には、ビット603まで既にプログラムされ、不揮発性記憶素子621にはビット603の次のビットを示す値(1,1,1)が記憶されており、この状態で更にデータをプログラムする場合を示す。この場合には、不揮発性記憶素子621の示すビット604からプログラムが行われ、図5に示した実施例で説明したのと同様に、ビット604から608に対するデコーダ614から618が活性化され、ビット601から603に対するデコーダ611から613が活性化されることはないので、誤ってデータが書き込まれることがない。
【0059】
図7(B)は、ヒドンブロックからのデータのリード動作を示す。上述の様に、ヒドンブロックは、図3に示すヒドンブロックアクセスコマンド123を入力することによりアクセスが可能となり、外部よりアドレスを入力しなくても、自動的に、不揮発性記憶素子621に示すビットの1つ前のビットのデータが読み出される。この場合は、常に最後に書き込まれたビットのデータが読み出される。
【0060】
次に本発明の第5実施例を説明する。図8は、フラッシュメモリが、シリアルアクセスポートを有する場合の保護の動作を示す。図8は、図6で示した第3実施例と同様に、図3のヒドンブロック用の保護状態記憶素子群114は、どのビットまでプログラムされたかを示す3ビットの不揮発性記憶素子621と、不揮発性記憶素子621及び外部より入力されるプログラムモードコマンドをデコードするデコーダ620を有する。図6で示した第3実施例においては、プログラム及び、リードがビット単位でしか行われない。しかし、本実施例は、連続してプログラム及び、リードが可能なので、複数のビットに対してプログラム及び、リードが可能である。
【0061】
図8(A)の場合には、ビット603まで既にプログラムされ、不揮発性記憶素子621にはビット603を示す値(0,1,1)が記憶されており、この状態で更にデータを数ビット(バイト単位のメモリの場合は、数バイト、また、ワード単位のメモリの場合は、数ワード)プログラムする場合を示す。この場合には、不揮発性記憶素子621の示すビット603の次のビット604から連続してプログラムが行われ、図6に示した実施例で説明したのと同様に、ビット601から602に対するデコーダ611から613が活性化されることはないので、誤ってデータが書き込まれることがない。そして、4つ目の領域のビット601から順にメモリセルが選択されるように、デコーダ614から618を制御して、順次データが書き込まれる。
【0062】
図8(B)は、ヒドンブロックからのデータのリード動作を示す。上述の様に、ヒドンブロックは、図3に示すヒドンブロックアクセスコマンド123を入力することによりアクセスが可能となり、外部よりアドレスを入力しなくても、自動的に、先頭アドレスから不揮発性記憶素子621に示す最終領域ビットのデータまでが、順次に読み出される。以上説明した様に、ヒドンモードでは、外部よりアドレスを入力する必要がない。
【0063】
次に本発明の第6実施例を説明する。図9は、フラッシュメモリが、シリアルアクセスポートを有する場合の保護の動作を示す。図9は、本発明の第6実施例を示す図である。本実施例は、ヒドンブロックに対しての別の保護を行うものである。図9は、図7で示した第4実施例と同様に、図3のヒドンブロック用の保護状態記憶素子群114は、どのビットからプログラムが可能かを示す3ビットの不揮発性記憶素子621と、不揮発性記憶素子621及び外部より入力されるプログラムモードコマンドとプロテクト一時解除コマンドをデコードするデコーダ620を有する。
【0064】
図7で示した第4実施例においては、プログラム及び、リードがビット単位でしか行われない。しかし、本実施例は、連続してプログラム及び、リードが可能なので、複数のビットに対してプログラム及び、リードが可能である。
【0065】
図9(A)の場合には、ビット603まで既にプログラムされ、不揮発性記憶素子621にはビット603の次のビットを示す値(1,1,1)が記憶されており、この状態で更にデータを数ビット(バイト単位のメモリの場合は、数バイト、また、ワード単位のメモリの場合は、数ワード)プログラムする場合を示す。この場合には、不揮発性記憶素子621の示すビット604からプログラムが行われ、図7に示した実施例で説明したのと同様に、ビット604から608に対するデコーダ614から618が活性化され、ビット601から603に対するデコーダ611から613が活性化されることはないので、誤ってデータが書き込まれることがない。
【0066】
図9(B)は、ヒドンブロックからのデータのリード動作を示す。上述の様に、ヒドンブロックは、図3に示すヒドンブロックアクセスコマンド123を入力することによりアクセスが可能となり、外部よりアドレスを入力しなくても、自動的に、先頭アドレスから不揮発性記憶素子621に示す先頭領域ビットの直前のデータまでが、順次に読み出される。以上説明した様に、ヒドンモードでは、外部よりアドレスを入力する必要がない。
【0067】
【発明の効果】
以上、本発明により、メモリの主記憶領域を論理的に分割し、順次に保護を行うことにより小さなブロック毎に保護を行い且つ保護用の不揮発性素子を減らすことができるので、メモリチップ面積を増大させることなく、且つ、ヒドンブロックをアクセスするヒドンモードの時にはアドレスを入力せずにヒドンブロックのメモリセルのアクセスを行うことができる不揮発性半導体記憶装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のフラッシュメモリの概略構成を示す図である。
【図2】従来の保護の方法の一例を示す図である。
【図3】本発明のフラッシュメモリの一実施例の概略構成を示す図である。
【図4】本発明の第1実施例を示す図である。
【図5】本発明の第2実施例を示す図である。
【図6】本発明の第3実施例を示す図である。
【図7】本発明の第4実施例を示す図である。。
【図8】本発明の第5実施例を示す図である。
【図9】本発明の第6実施例を示す図である。
【符号の説明】
100 フラッシュメモリ
101 主記憶領域
101−1から101−n 64kバイトの消去単位(ブロック)
102、103 x−デコーダ
104 ヒドンブロック
105 ヒドンブロック用x−デコーダ
106−1から106−4 y−デコーダ
110 アドレスバッファ
111 ブロック選択デコーダ
112 x−プリデコーダ
113 ヒドンブロック用x−デコーダ113
114 保護状態記憶素子群
115 プログラム電圧発生回路
116 センスアンプと入出バッファ部
201−1から201−4 不揮発性記憶素子
202 判定回路
401 2ビットの不揮発性記憶素子
402 1ビットの不揮発性記憶素子
501 2ビットの不揮発性記憶素子
502 制御回路
601から608 ビット
611から618 デコーダ
620 デコーダ
621 3ビットの不揮発性記憶素子
Claims (5)
- 保護情報を記憶するK個の不揮発性記憶素子と、
保護状態を記憶する不揮発性記憶素子と、
2K−1個より多く2K個以下のブロックに論理的に分割された記憶領域とを有し、
前記K個の不揮発性記憶素子及び前記保護状態を記憶する不揮発性記憶素子に記憶されている情報に基づき、前記論理的に分割された記憶領域内の連続するブロックへの情報の書き込みを防止し、
前記K個の不揮発性記憶素子に記憶されている情報は、書き込みを防止する前記連続するブロックの最後のブロックを示す情報であり、
前記記憶領域の先頭のブロックから前記最後のブロックまでの書き込みが防止され、前記最後のブロックの次のブロックから順に情報の書き込みを行った際に、前記K個の不揮発性記憶素子に記憶されている書き込みを防止する前記連続するブロックの最後のブロックを示す情報を順次記憶する
電気的に書き換え可能な不揮発性半導体記憶装置。 - 前記記憶領域は、主記憶領域である請求項1記載の電気的に書き換え可能な不揮発性半導体記憶装置。
- 前記記憶領域は、主記憶領域以外の記憶領域である請求項1記載の電気的に書き換え可能な不揮発性半導体記憶装置。
- 特定の命令に従って、前記主記憶領域以外の記憶領域に対してアクセスを行う状態となると、前記K個の不揮発性記憶素子に記憶されている情報に基づいた特定のブロックがアクセスされる請求項3記載の電気的に書き換え可能な不揮発性半導体記憶装置。
- 読み出しモードの場合には、書き込みが防止されているブロックの先頭ブロックから最後のブロックまでに記憶されている情報を順に読み出し、書き込みモードの場合には、書き込みが防止されていないブロックの先頭ブロックから順に情報を書き込む請求項3記載の電気的に書き換え可能な不揮発性半導体記憶装置。
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