KR100309463B1

KR100309463B1 - 특정 어드레스의 메모리 블록 프로텍션 회로

Info

Publication number: KR100309463B1
Application number: KR1019990009543A
Authority: KR
Inventors: 장영배
Original assignee: 김영환; 현대반도체 주식회사
Priority date: 1999-03-20
Filing date: 1999-03-20
Publication date: 2001-09-26
Also published as: KR20000060880A

Abstract

본 발명은 특정 어드레스의 메모리 블록 프로텍션 회로에 관한 것으로, 종래의 기술에 있어서는 메모리칩 내의 전체 메모리 셀 영역에 대한 프로텍션만 가능하고, 부분적인 메모리 영역의 프로텍션은 불가능하게 되는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 메모리 셀의 열 어드레스를 선택하기 위한 X-디코더부와; 상기 메모리 셀의 행 어드레스를 선택하기 위한 Y-디코더부와; 상기 Y-디코더부를 통해 선택된 각 메모리 셀들을 리드 또는 라이트하는 센스앰프 및 출력 디코더부와; 실제 데이터가 저장되는 메모리 어레이부로 구성된 반도체 메모리에 있어서, 상기 메모리 어레이부의 각 워드라인의 프로텍션 여부를 저장하기 위한 제어셀부와; 칩외부로의 메모리 덤프시 메모리 어레이부의 특정 워드라인과 상기 제어셀부의 각 제어셀을 리드하여 센스앰프로의 출력 여부를 제어하거나 또는 상기 각 제어셀의 라이트를 제어하는 포트 프로텍션 제어부로 구성하여 사용자가 타인에게 알리고 싶지 않은 특정 어드레스 범위상의 프로그램 데이터를 선택적으로 프로텍션할 수 있는 효과가 있다.

Description

특정 어드레스의 메모리 블록 프로텍션 회로{SPECIFIC ADDRESS MEMORY BLOCK PROTECTION CIRCUIT}

본 발명은 특정 어드레스의 메모리 블록 프로텍션 방법에 관한 것으로, 특히 마이크로 컨트롤러에 내장된 플래시 이이피롬 또는 이피롬 등에 저장된 사용자의 프로그램 데이터 중에서 덤프(Dump)시 중요한 프로그램의 일부분만을 칩의 외부로 읽어낼 수 없도록 하는 특정 어드레스의 메모리 블록 프로텍션 방법에 관한 것이다.

종래의 일반적인 메모리 프로텍션 방법을 다음의 표1을 참조하여 설명한다.

B1 B2	보호(PROTECTION)
0 0	(a) 더 이상의 프로그램 불가.(b) 외부의 페치로 부터 프로그램 보호.(c) 메모리 덤프를 이용한 검증 불가.
0 1	(a) 더 이상의 프로그램 불가.(b) 외부의 페치로 부터 프로그램 보호.
1 0	(확장용)
1 1	프로텍션 않됨.

여기서, B1과 B2는 제어셀(Lock Bit Cell)이고, '0'의 상태가 프로그램된 상태이고 '1'이 프로그램되지 않은 상태를 나타낸다.

이와 같이 두 개의 제어셀(B1,B2)을 두어 각각의 프로그램 여부에 따라서 프로텍션의 종류와 레벨을 결정하게 되는데, 제어셀(B1,B2) 두 비트가 모두 프로그램 되어 있지 않을 경우(1,1)는 프로텍션이 안된 상태이고, 두 비트 중 'B1'은 프로그램되고 'B2'는 프로그램이 않된 상태(0,1)에서는 더 이상의 메모리 셀의 프로그램을 불가능하게 하고, 외부에서 패치(fetch)된 명령어로는 칩 내부의 프로그램을 읽어볼 수 없게 리드 프로텍션을 한다.

또한, 두 비트(B1,B2)가 모두 프로그램 상태(0,0)로 되면 상기 설명된 내용의 프로텍션에 더하여 메모리 덤프를 이용한 칩 내부의 롬 데이터를 밖으로 읽어내는 검증(Verify)조차 불가능하게 하여 아무도 롬 데이터를 읽지 못하게 하는 강력한 리드 프로텍션을 걸게 된다.

물론, 칩 내부에서 동작중에 메모리를 액세스하는 것은 가능하여 칩 동작에는 문제가 없게 된다.상기와 같이, 최근 출시되는 메모리 칩(package화 된 칩)은 프로그램 제작자의 권리 보호를 위해 리드 프로텍션을 설정하면 롬 라이터를 이용한 덤프시에 그 내용을 전혀 읽을 수 없도록 하고 있다.

그러나, 상기 종래의 기술에 있어서는 메모리칩 내의 전체 메모리 셀 영역에 대한 프로텍션만 가능하고, 부분적인 메모리 영역의 프로텍션은 불가능하게 되는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 창출한 것으로, 사용자가 타인에게 알리고 싶지 않은 특정 어드레스 범위상의 프로그램 데이터를 선택적으로 프로텍션할 수 있는 특정 어드레스의 메모리 블록 프로텍션 회로를 제공 하는데 그 목적이 있다.

도1은 본 발명 특정 어드레스의 메모리 블록 프로텍션 회로의 블록도.

***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명***

10 : X-디코더부 20 : Y-디코더부

30 : 센스앰프/출력 디코더부 40 : 메모리 어레이부

50 : 제어셀부 60 : 포트 프로텍션 제어부

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 메모리 셀의 열 어드레스를 선택하기 위한 X-디코더부와; 상기 메모리 셀의 행 어드레스를 선택하기 위한 Y-디코더부와; 상기 Y-디코더부를 통해 선택된 각 메모리 셀들을 리드 또는 라이트하는 센스앰프 및 출력 디코더부와; 실제 데이터가 저장되는 메모리 어레이부로 구성된 반도체 메모리에 있어서, 상기 메모리 어레이부의 각 워드라인의 프로텍션 여부를 저장하기 위한 제어셀부와; 칩외부로의 메모리 덤프시 메모리 어레이부의 특정 워드라인과 상기 제어셀부의 각 제어셀을 리드하여 센스앰프로의 출력 여부를 제어하거나 또는 상기 각 제어셀의 라이트를 제어하는 포트 프로텍션 제어부로 구성함으로써 달성되는 것으로, 본 발명에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도1은 본 발명 특정 어드레스의 메모리 블록 프로텍션 회로의 블록도로서, 이에 도시한 바와 같이 복수개의 로우(ROW) 어드레스(ADDX) 를 입력받아 라이트를 위한 고전압(VPP)및 활성화 신호(WLEN) 등에 의해 워드라인 디코딩하는 X-디코더부(10)와; 복수개의 칼럼(Column) 어드레스(ADDY)를 입력받아 상기 고전압(VPP) 및 활성화 신호(BLEN)에 의해 비트라인 디코딩하는 Y-디코더부(20)와; 상기 Y-디코더부(20)를 통해 선택된 각 메모리 셀들을 리드, 라이트 제어신호에 따라 리드 또는 라이트하는 센스앰프/출력 디코더부(30)와; 실제 데이터가 저장되는 메모리 어레이부(40)와; 상기 메모리 어레이부(40)의 각 워드라인의 프로텍션 여부를 저장하기 위한 제어셀부(50)와; 칩외부로의 메모리 덤프시 메모리 어레이부(40)의 특정 워드라인과 제어셀부(50)의 제어셀을 리드하여 센스앰프로의 출력 여부를 제어하거나 제어셀의 라이트를 제어하는 포트 프로텍션 제어부(60)로 구성한 것으로, 이와 같이 구성한 본 발명의 동작 및 작용을 설명한다.

먼저, 사용자는 반도체 메모리에 기록하고자 하는 프로그램이 있을 경우, 롬 라이터(미도시) 등을 이용하여 그 프로그램을 메모리에 기록하게 된다.여기서, 상기 반도체 메모리는 제작단계에서의 반도체 메모리가 아니고 패키지(Package)화 반도체 칩을 의미하는 것이다.

그런 다음 타인에게 그 프로그램 소스가 노출되면 않되는 핵심 알고리즘(또는 데이터)에 대해서가 있을 경우에는, 그 소스가 기록되는 메모리의 해당 어드레스 영역을 알아낸 후, 롬 라이터에 의해 데이터 라이트시 어드레스에 대한 정보를 주고 제어셀을 프로그램하게 되면 Y-디코더부(20)는 디세이블되고, X-디코더부(10)만 활성화 되어 공개하고 싶지 않은 핵심 프로그램 코드가 기록되는 해당 워드라인이 차례로 선택되면서 동일 워드 라인에 연결된 제어셀부(50)의 제어셀들이 각각 라이트되도록 한다.

물론, 이때는 메모리 어레이(40)의 리드, 라이트 동작이 이루어지지 않도록 Y-디코더부(20)와 센스앰프/출력 디코더부(30)가 디세이블되며 상기의 포트 프로텍션 제어부(60)의 라이트 패스(Path)를 활성화(active) 시키도록 한다.

이에 따라 칩 외부에서 볼 때 칼럼 어드레스(ADDY)는 돈캐어(Don't care)이고, 로우 어드레스(ADDX)만을 변화시키면서 라이트에 맞는 제어 입력과 시간을 주면 제어셀을 라이트할 수 있게 된다.

상기와 같이 프로섹션을 설정하게 되면 덤프모드 즉, 메모리 어레이내의 프로그램 코딩 데이터를 읽어내어 포트 밖으로 출력시키는 모드일 때에는 현재, 읽고 있는 워드라인의 제어셀을 동시에 읽어내게 된다.이때 만일, 제어셀이 프로그램 되어 졌다면 출력제어신호(DISOUT)를 센스앰프/출력 디코더부(30)에 보내어 센싱된 데이터가 버스에 실리지 않도록 제어하고, 제어셀이 프로그램되어 있지 않다면 출력제어신호(DISOUT)가 비활성화(Unactive)되어 센스앰프의 데이터가 버스에 실리는데 아무런 영향을 주지 않도록 한다.

이와 같이 사용자가 원하는 범위의 어드레스상의 출력 데이터가 포트로 출력되지 않게 제어가 가능하게 된다.

물론, 덤프 신호(DUMP)가 비활성화(Unactive)될 경우 즉, 마이크로 프로세서 모드로 동작하여 실제 셋트에 실장되어 동작할 때는 포트 프로텍션 제어부가 비활성화되어 칩의 동작에는 영향을 주지 않도록 한다.즉, 상기 구성은 반도체 칩에 기록되어 있는 프로그램 코드를 읽어내고자 할 때, 다시말해 덤프시키고자 할 경우에만 리드 프로텍션이 걸려 설정된 어드레스 영역의 프로그램 코드가 읽히지 않도록 하고, 실제 시스템에 장착되어 그 프로그램 코드를 실행할 경우에는(덤프모드가 아닐 경우에는) 그 프로그램 코드가 리드되어 동작에는 영향을 주지 않도록 하는 것이다.따라서, 본 발명과 종래 발명과의 동작상의 큰 차이점은 종래의 경우 특정 어드레스 영역의 프로그램 코드에 대해 리드 프로텍션의 수행이 불가능하고 전체 메모리 영역에 대해서 프로텍션이 가능하였으나, 본 발명에서는 어드레스 영역을 선택적으로 프로텍션 가능하게 함으로써, 메모리에 기록되는 프로그램 중 공개해도 되는 프로그램에 대해서는 덤프시에도 읽을 수 있도록 하고, 공개되면 않되는 핵심 코드가 기록되는 영역에 대해서만 프로텍션을 설정하여 프로그램 제작자의 권리도 보호할 수 있도록 하는 것이다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명 특정 어드레스의 메모리 블록 프로텍션 방법은 사용자가 타인에게 알리고 싶지 않은 특정 어드레스 범위상의 프로그램 데이터를 선택적으로 프로텍션할 수 있는 효과가 있다.

Claims

메모리 셀의 열 어드레스를 선택하기 위한 X-디코더부와; 상기 메모리 셀의 행 어드레스를 선택하기 위한 Y-디코더부와; 상기 Y-디코더부를 통해 선택된 각 메모리 셀들을 리드 또는 라이트하는 센스앰프 및 출력 디코더부와; 실제 데이터가 저장되는 메모리 어레이부로 구성된 반도체 메모리에 있어서, 상기 메모리 어레이부의 각 워드라인의 프로텍션 여부를 저장하기 위한 제어셀부와; 칩외부로의 메모리 덤프시 메모리 어레이부의 특정 워드라인과 상기 제어셀부의 각 제어셀을 리드하여 센스앰프로의 출력 여부를 제어하거나 또는 상기 각 제어셀의 라이트를 제어하는 포트 프로텍션 제어부로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 특정 어드레스의 메모리 블록 프로텍션 회로.