KR100286092B1 - 플라즈마어드레스 전기광학장치 - Google Patents

Abstract

플라즈마셀구조상의 제약이 없고 안정된 플라즈마방전이 가능한 전극구조를 실현한다.

플라즈마어드레스 전기광학장치는, 소정의 주면(主面)에 따라 서로 평행으로 배치된 복수의 신호전극(5)을 갖는 액정셀기판(4)과, 신호전극(5)과 직교하고 또한 서로 평행으로 배열된 복수의 플라즈마전극을 갖는 동시에 이 플라즈마전극이 신호전극과 대향하도록 배치된 플라즈마셀기판(7)과, 양 기판사이에 삽입된 액정층(6)과, 이 액정층(6)을 격리하는 중간판(3)과 유리기판(7)과의 사이에 형성된 이온화 가능한 가스를 봉입(封入)하기 위한 플라즈마실(8)을 구비하고 있다. 인접하는 플라즈마전극 즉 애노드 A와 캐소드 K의 대향벽변 사이의 방전에 의해 가스를 선택적으로 이온화하고, 이 이온화가스의 국재(局在)한 방전영역을 주사단위로 하여 신호전극(5)과 방전영역의 교차부에 위치하는 액정층(6)을 구동한다. 바람직하기로는 플라즈마전극 벽면높이 H 는 100㎛ 이상으로 설정되어 있다.

Description

플라즈마어드레스 전기광학장치

제1도는 본 발명에 관한 플라즈마어드레스 전기광학장치와 벽면전극구조를 도시한 모식적인 부분단면도.

제2도는 선행 개발된 평면전극구조에 있어서의 방전경로를 도시한 모식도.

제3도는 종래의 플라즈마어드레스 전기광학장치에 있어서의 사면전극구조를 도시한 모식도.

제4도는 선행개발된 플라즈마어드레스 전기광학장치의 평면전극구조를 도시한 모식적인 단면도.

제5도는 평면전극구조에 있어서의 전자궤적을 도시한 모식도.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

(1) : 액정셀 (2) : 플라즈마셀

(3) : 중간판 (4) : 유리기판

(5) : 신호전극 (6) : 액정층

(7) : 유리기판 (8) : 플라즈마실

A : 애노드 K : 캐소드

H : 전극벽면높이

본 발명은 액정셀 등의 전기광학셀과 플라즈마셀의 2층구조로 이루어지는 플라즈마어드레스 전기광학장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 플라즈마셀내에 배설되는 방전용(放電用) 전극의 구조에 관한 것이다.

종래, 전기광학셀로서 액정셀을 사용한 매트릭스타입의 전기광학장치 예를 들면 액정표시장치를 고해상도화, 고콘트라스트화하기 위한 수단으로서는 각 화소(畵素)마다 박막트랜지스터 등의 스위칭소자를 배설하고, 이것을 선순차(線順次)로 구동하는 액티브매트릭스어드레스방식이 일반적으로 알려져 있다. 그러나, 이 경우 박막트랜지스터와 같은 반도체소자를 기판(基板)상에 다수 배설할 필요가 있으며, 특히 대면적화되었을 때에 제조수율이 악화되는 문제점이 있다.

그래서, 이 문제점을 해결하는 수단으로서, 부자크 등은 일본국 특개평 1(1989)-217396호 공보에 있어서, 박막트랜지스터 등으로 이루어지는 스위칭소자 대신에 플라즈마스위치를 이용하는 방식을 제안하고 있다. 다음에, 플라즈마방전에 의거한 스위치를 이용하여 액정셀을 구동하는 플라즈마어드레스표시장치의 구성을 간단히 설명한다. 제3도에 도시한 바와 같이, 이 장치는 액정셀(101)과 플라즈마셀(102)과 양자의 사이에 개재되는 공통의 중간판(103)으로 이루어지는 적층플랫패널구조를 가지고 있다. 플라즈마셀(102)은 유리기판(104)을 사용하여 형성되어 있으며, 그 표면에 복수의 평행한 홈(105)이 형성되어 있다. 이 홈(105)은 예를 들면 행렬매트릭스의 행방향(行方向)으로 연장되어 있다. 각 홈(105)은 중간판(103)에 의해 밀봉되어 있고, 개개로 분리된 플라즈마실(106)을 구성하고 있다. 이 밀폐된 플라즈마실(106)에는 이온화가능한 가스가 봉입(封入)되어 있다. 인접한 홈(105)을 격리하는 철형부(形部)(107)는 개개의 플라즈마실(106)을 구분하는 격벽의 역할을 하는 동시에 각 플라즈마실(106)의 갭스페이서로서의 역할도 하고 있다. 각 홈(105)의 만곡된 저부(底諦)에는 서로 평행한 한쌍의 플라즈마전극이 배설되어 있으며, 애노드 A 및 캐소드 K 로서 기능하고, 플라즈마실(106)내의 가스를 이온화하여 방전플라즈마를 발생한다. 이러한 방전영역은 행주사단위(行走査單位)가 된다.

한편, 액정셀(101)은 투명기판(108)을 사용하여 구성되어 있다. 이 기판(108)은 중간판(103)에 소정의 간극을 통해 대향배치되어 있으며, 간극내에는 액정층(109)이 충전(充塡)되어 있다. 기판(108)의 내표면에는 투명도전재료로 이루어지는 신호전극(110)이 형성되어 있다. 이 신호전극(110)은 플라즈마실(106)과 직교하고 있으며, 열구동 단위(列驅動單位)로 된다. 열구동단위와 행주사단위의 교차부분에 매트릭스형의 화소가 규정된다.

이러한 구성을 가진 표시장치에 있어서는, 플라즈마방전이 행해지는 플라즈마실(106)을 선순차로 전환하여 주사하는 동시에, 이 주사에 동기하여 액정셀측의 신호전극(110)에 아날로그구동전압을 인가함으로써 표시구동이 행해진다. 플라즈마실(106)내에 플라즈마방전이 발생하면 내부는 대략 한결같이 애노드전위로 되어 1행 마다의 화소선택이 행해진다. 즉, 프라즈마실(106)은 샘플링스위치로서 기능한다. 플라즈마샘플링스위치가 도통한 상태에서 각 화소에 구동전압이 인가되면, 샘플링홀드가 행해져 화소의 점등 또는 소등을 제어할 수 있다. 플라즈마샘플링스위치가 비도통상태로 된 후에도 아날로그 구동전압은 그대로 화소내에 유지된다.

종래의 구조에 있어서는, 플라즈마전극이 홈(105)의 요형(形)으로 만곡된 저부에 형성되어 있으며, 한쌍의 에노드 A와 캐소드 K는 경사진 상태로 대면(對面)배치되어 있다. 이하, 이러한 배치를 사면(斜面)전극구조라고 한다. 이러한 구조에 있어서는, 플라즈마방전경로가 애노드 A 의 전극표면과 대향하는 캐소드 K 의 전극표면과와 사이에 형성되므로, 안정적이고 또한 효율적인 플라즈마방전을 얻을 수 있다.

그러나, 전술한 사면전극구조를 실현하기 위해 기판(104)표면에 스트라이프형의 홈(105)을 형성할 필요가 있으나, 제조상 상당한 곤란을 수반하여 특히 고밀도의 스트라이프패턴을 배설하는 것은 현저히 곤란하다. 또, 개개의 홈(105)내에 에칭프로세스를 사용하여 플라즈마전극을 형성하는 것도 실재상 번잡하고 또한 곤란하다.

이러한 종래기술의 문제점 또는 과제를 감안하여, 출원인은 앞서 출원한 일본국 특원평 3(1991)-47784호에 제조가 간단하고 더욱이 대화면화 및 고정세화(高精細化)에 적합한 플라즈마어드레스 전기광학장치를 제안하였다. 제4도를 참조하여 본 발명의 이해를 돕기 위해, 앞서 제안한 장치의 구조를 간결하게 설명한다. 이 장치도 액정셀(201)과 플라즈마셀(202)을 중간판(203)을 통해 적층한 플랫패널구조를 가진다. 액정셀(201)은 제3도에 도시한 액정셀(101)과 기본적으로 동일한 구조를 가진다. 중간판(203)과 하측의 기판(204)과의 사이에는 이온화가능한 가스가 봉입되어 있으며, 플라즈마실(205)을 구성한다. 기판(204)의 내표면에는 소정의 간격을 통해 스트라이프형의 플라즈마전극(206)이 형성되어 있다. 플라즈마전극은 스크린 인쇄법 등에 의해 평탄한 기판상에 형성할 수 있으므로, 생산성이나 작업성이 우수한 동시에 미세화가 가능하다. 각 플라즈마전극(206)상에는 격벽(207)이 형성되어 있으며, 플라즈마실(205)을 방전영역마다 분할하여 행주사단위를 구성한다. 이 격벽(207)도 스크린인쇄 등에 의해 형성할 수 있다.

플라즈마전극(206)은 기판평면에 따라 형성되어 있으며, 방전면은 동일레벨에 있으므로 전술한 사면전극구조와는 달리 대향해 있지 않다. 이하, 제4도에 도시한 전극배치를 평면전극구조라고 하기로 한다. 명백히, 이 평면전극구조는 사면전극구조에 비해 제조상 다대한 이점이 있다. 또, 격벽(207)은 모든 플라즈마전극(206)상에 형성되어 있으며, 애노드 A와 캐소드 K는 완전히 동일한 구성을 가진다. 따라서, 제4도에 도시한 장치를 구동할 때에는 애노드 A와 캐소드 K 의 역할을 교대로 전환함으로써 플라즈마전극(206)을 애노드/캐소드 겸용으로 하여 실효적인 주사라인수를 제3도에 도시한 구조에 비해 2배로 할 수 있는 이점도 있다.

그러나, 전술한 평면전극구조에는 몇가지 해결해야 할 과제 또는 문제점이 남아 있다. 제1의 문제점으로서, 안정된 플라즈마방전을 발생시키기 위해서는 플라즈마셀(202)의 스페이스간격 즉 플라즈마실(205)의 높이를 애노드/캐소드전극 사이의 거리의 약 75% 이상으로 설정할 필요가 있으며, 셀구조상의 제약이 존재한다. 즉, 평면전극구조에서는 애노드/캐소드의 전극면이 대향하고 있지 않으며, 플라즈마방전경로가 대략 포물선을 그린다. 플라즈마실(205)의 높이가 낮으면 천정부를 구성하는 중간판(203)에 의해 방전경로가 차단되어 안정된 플라즈마방전을 유지할 수 없다. 애노드/캐소드 사이의 거리를 확대함에 따라 플라즈마실의 높이를 크게 하지 않을 수 없어 제조상의 곤란이 발생한다.

제2의 문제점으로서, 플라즈마전극(206)과 격벽(207)의 피치차이가 있다. 양 부재 모두 스크린인쇄법 등에 의해 형성되지만, 스트라이프패턴이 미세화됨에 따라 얼라인멘트오차가 현저하게 되어 플라즈마전극(206)상에 격벽(207)이 정합(整合)하지 않게 된다. 이로써, 격벽의 양측에 있어서 플라즈마전극(206)의 노출표면적에 불균형이 발생한다. 노출면적이 감소한 측에 있어서는 전극단(電極端) 근방밖에 플라즈마방전에 기여할 수 없게 되어 전계집중 때문에 브레이크다운이 많이 발생하여 방전불량의 원인으로 된다.

제3의 문제점으로서, 애노드상에 위치하는 격벽에 의해 플라즈마방전이 불안정하게 된다. 이 원인은 유전체(誘電體)로 이루어지는 격벽이 캐소드로부터 애노드에의 전자(電子)의 유입을 방해하는 작용을 하기 때문이라고 생각된다. 제5도는 플라즈마셀내의 전자궤도(電予軌道)를 시뮬레이션한 것이며, 실선이 완전한 진공중의 궤도를 나타내고, 파선이 예상되는 전기력선을 나타낸다. 여기서, 전자(前者)는 전자(電子)의 속도성분이 최대의 경우에 상당하며, 후자는 플라즈마와의 충돌에 의해 속도성분이 완전히 상실되어 제로의 경우에 상당한다. 실제로는, 이들의 중간의 궤도를 그리게 된다. 여하간, 속도성분이 제로로까지는 내려가지 않으므로, 캐소드를 튀어 나온 전자는 애노드상에서 상당히 오버런한다. 단, 안정된 플라즈마방전이 유지되고 있을 때에는 전자궤도는 전극내측의 방전경로를 취한다. 따라서, 애노드상에서는 전자는 전극단으로부터 상당히 내측으로 날라온다고 생각된다. 이로써, 애노드전극 중앙부에 존재하는 유전체의 격벽(207)이 전극노출면적을 극단으로 작게 하고 있으면, 전자의 유입이 방해된다.

전술한 종래의 사면전극구조나 앞서 개발된 평면전극구조의 문제점을 감안하여, 본 발명은 제조가 용이하고 또한 안정된 플라즈마방전을 얻을 수 있는 개량된 전극구조를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이러한 목적을 달성하기 위해 다음의 수단을 강구하였다. 즉, 본 발명의 플라즈마어드레스 전기광학장치는 소정의 주면(主面)에 따라 서로 평행으로 배치된 복수의 제1 전극 또는 신호전극을 갖는 제1의 기판 또는 전기광학셀기판과, 상기 신호전극과 직교하고 또한 서로 평행으로 배열된 복수의 제2 전극 또는 플라즈마전극을 갖는 동시에 이 플라즈마전극이 상기 신호전극과 대향하도록 배치된 제2의 기판 또는 플라즈마셀기판과, 양 기판의 사이에 삽입된 전기광학재료층과, 이 전기광학재료층과 플라즈마셀기판의 사이에 형성된 이온화가능한 가스를 봉입하기 위한 플라즈마실을 구비하고, 인접하는 플라즈마전극 즉 에노드 및 캐소드의 대향벽면 사이의 방전에 의해 상기 가스를 선택적으로 이온화하고, 이 이온화가스의 국재(局在)한 방전영역을 주사단위로 하여, 신호전극과 방전영역의 교차부에 위치하는 전기광학재료층을 구동하도록 하였다. 바람직하기로는 플라즈마전극의 벽면높이는 100㎛ 이상으로 설정되어 있다.

본 발명에 의하면, 플라즈마방전경로가 서로 대향하는 에노드벽면과 캐소드벽면과의 사이에 형성된다. 이하, 이러한 전극구성을 벽면전극구조로라고 하기로 한다. 이 벽면전극구조는 대략 완전한 평행평판전극구조와 등가이다. 따라서, 방전경로는 평등전계(平等電界)중에 있어서 대략 직선적으로 형성되어 매우 안정된 플라즈마방전을 얻을 수 있다. 대향벽면 사이에는 격벽과 같은 장해물이 전혀 존재하지 않는다. 벽면전극구조에 있어서는 플라즈마전극 자체가 격벽으로서 기능한다. 플라즈마전극을 애노드/캐소드 겸용으로서 구동함으로써, 실효적인 주사라인수를 사면전극구조에 비해 2배로 할 수 있다. 벽면전극구조를 형성하기 위해서는 플라즈마전극의 두께를 크게 할 필요가 있다. 이 점에 관해, 예를 들면 적층스크린인쇄기술을 적용할 수 있고, 기본적으로 평면전극구조와 동일한 제조프로세스로 된다.

다음에, 도면을 참조하여 본 발명의 적합한 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 제1도는 본 발명에 관한 플라즈마어드레스 전기광학장치와 기본적인 구조를 도시한 모식적인 부분단면도이며, 열방향(列方向) 즉 신호전극방향에 따라 절단한 형상을 나타내고 있다. 본 장치는 액정셀(1)과 플라즈마셀(2)과 이 양자의 사이에 개재되는 유전체(誘電體)시트로 이루어지는 공통의 중간판(3)을 적층한 플랫패널구조를 갖는다. 액정셀(1)은 유리기판(4)을 사용하여 구성되어 있으며, 그 내측주면(內側主面)에는 투명도전막으로 이루어지는 복수개의 신호전극(5)이 서로 평행으로 형성되어 있다. 기판(4)은 소정의 간극을 통해 중간판(3)에 대향배치되어 있으며, 간극내에는 전기광학재료층인 액정층(6)이 충전되어 있다. 본 실시예에 있어서는 유체(流體)의 전기광학재료가 사용되고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 전기광학결정판을 사용할 수도 있다. 이 경우에는 중간판(3)을 제거하는 것도 가능하다. 또, 본 실시예는 플라즈마어드레스표시장치에 관한 것이나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 광학변조장치 등 널리 플라즈마어드레스 전기광학장치에 적용가능하다.

한편, 플라즈마셀(2)은 하측의 유리기판(7)을 사용하여 구성되어 있다. 기판(7)의 내측주면상에는 신호전극(5)에 직교하는 복수의 플라즈마전극이 소정의 간극을 통해 스트라이프패턴형으로 형성되어 있다. 플라즈마전극은 교대로 캐소드 K 와 애노드 A 의 기능을 수행한다. 이 실시예에서는 플라즈마전극의 폭은 0.39mm로 설정되고, 전극간 거리도 0.39mm로 설정되어 있다. 도시한 바와 같이, 플라즈마전극은 소정의 두께를 가지며, 중간판(3)과 유리기판(7)과의 사이에 개재되어 격벽으로서의 기능도 수행한다. 플라즈마전극의 격벽높이 H 는 100㎛ (0.1mm)이상으로 설정되어 있다. 플라즈마전극은 예를 들면 후막(厚膜)스크린인쇄를 반복함으로써 형성할 수 있다. 일발적으로, 1회의 후막인쇄소성(燒成)에 의해 형성되는 전극의 막두께는 15 ㎛ 정도이다. 제4도에 도시한 구조와 같이, 전극과 격벽의 얼라인멘트를 취할 필요는 없다. 즉, 동일의 스크린마스크를 사용하여 인쇄를 반복함으로써 매우 정밀도 높게 격벽전극을 형성할 수 있다. 그리고, 이 실시예에서는 플라즈마전극을 적층인쇄에 의해 작성하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 기본적으로, 플라즈마셀내에 격벽전극을 형성할 수 있는 수단이면 된다. 예를 들면, 전면(全面)인쇄와 파우더빔에칭을 조합한 수단을 채용하는 것도 가능하다. 또, 이 실시예에서는 플라즈마전극의 정상부가 직접 중간판(3)에 접촉하고 있다. 그러나, 경우에 따라서는 전극정상부와 중간판(3)의 사이에 유전체격벽층을 배설해도 된다. 이 경우에는, 액정셀(1)측의 신호전극(5)과의 크로스토크를 피하는데 있어 유리하게 된다.

유리기판(7)은 중간판(3)에 대해 소정의 간극을 통해 봉착(封着)되어 있으며, 양자의 사이에는 기밀봉지(氣密封止)된 플라즈마실(8)이 형성된다. 이 플라즈마실(8)은 격벽의 기능을 가진 플라즈마전극에 의해 분할되어 있으며, 개개로 행주사단위로 되는 방전영역을 형성한다. 이 기밀의 플라즈마실(8)의 내부에는 이온화가능한 가스가 봉입되어 있다. 가스종류는 예를 들면 헬륨, 네온, 아르곤 또는 이들의 혼합기체로부터 선정할 수 있다. 도시한 바와 같이, 캐소드 K 의 벽면과 애노드 A의 벽면은 플라즈마실(8)을 통해 대향배치되어 있으며, 전술한 벽면전극구조를 갖는다. 평행평판전극구조와 등가이며, 화살표로 나타낸 방전경로는 한쪽의 전극벽면에서 다른 쪽의 전극벽면에 대하여 직진한다. 양 벽면전극 사이에 아무런 장해물도 개재되지 않으므로 매우 안정된 플라즈마방전 또는 글로방전을 얻을 수 있다.

플라즈마전극 두께의 최적범위를 구하기 위해, 두께치수를 20㎛ 내지 130㎛의 범위에서 변화시킨 플라즈마셀샘플을 작성하여 플라즈마방전상태를 관찰하였다. 샘플은 대각(對角)치수가 5.5인치의 플랫셀이며, 플라즈마전극피치를 0.78mm 로 설정하고, 플라즈마전극폭을 0.39mm 로 설정하였다. 관찰결과를 표 1에 나타낸다.

전극두께가 비교적 작으면, 전극단에의 전계의 집중에 의한 브레이크다운이 발생하여 정상적으로 방전하지 않는다. 그러나, 전극두께가 어느 정도 커지면, 안정적으로 방전하게 된다. 안정방전을 위해서는 전극두께는 약 100㎛ 이상 필요하다. 이것은 전극간 거리 0.39mm의 26%에 상당하며, 평면전극구조에 있어서의 플라즈마실의 최소한 높이를 규제하는 75%의 값에 대해 유의(有意)의 차가 인정된다. 그리고, 안정방전에 필요한 가스압력은 45Torr이며, 방전개시전압은 390V 였다. 평면전극구조와 비교하여 가스압력이 2배정도 필요하며, 방전개시전압도 수십 V 정도 높게 되어 있다. 평면전극구조의 방전경로가 포물선인데 대해, 벽면전극구조의 방전경로는 직선이며, 단축되어 있다. 따라서, 파쉔(Paschen)의 법칙에 의거하여 약간 높은 가스압력이 필요하게 된다. 방전개시전압에 대해서는 벽면전극의 표면상태 등의 여러인자의 영향을 받아 약간 높게 된 것이라고 생각할 수 있다.

제2도에 비교를 위해 평면전극구조에 있어서의 방전경로를 도시한다. 플라즈마전극의 폭 및 전극 사이의 거리는 제1도에 도시한 실시예와 마찬가지로 설정되어 있다. 평면플라즈마전극의 두께는 15㎛(0.015mm)이다. 도시한 바와 같이, 방전경로는 캐소드 K로부터 애노드 A에 향해 포물선을 그린다. 이 포물선 경로를 차단하지 않기 위해서는 플라즈마실의 높이를 전극간 거리 0.39mm의 약 75% 이상 즉 0.29 mm이상으로 설정할 필요가 있다. 이 보다 플라즈마실의 천정이 낮을 경우 예를 들면 파선으로 나타낸 레벨에 있을 경우에는 안정된 플라즈마방전의 지속이 곤란하게 된다. 이에 대하여, 본 발명에 관한 벽면전극구조에 있어서는 브레이크다운을 방지 하는 의미에서 최소한 0.10mm 이상으로 전극벽면높이를 설정하면 안정된 플라즈마방전을 얻을 수 있다.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 플라즈마어드레스 전기광학장치에 있어서, 플라즈마전극을 두껍게 하여 대향하는 전극벽면 사이에 방전경로를 형성하는 벽면전극구조로 함으로써, 플라즈마셀 설계에 있어서의 구조상의 계약을 없이 하여 자유도를 증대시키는 동시에, 안정되고 균일한 방전을 얻을 수 있는 효과가 있다. 본 발명에 관한 벽면전극구조는 종래의 사면전극구조와 마찬가지로 애노드/캐소드가 서로 대면하고 있으므로 안정된 플라즈마방전을 얻을 수 있는 한편, 사면전극구조와는 달리 기판에 홈을 형성할 필요가 없으므로 제조상 유리하다. 또, 선행개발에 관한 평면전극구조에 있어서는 방전경로가 포물선궤적을 그리는데 대하여, 본 발명에 관한 벽면전극구조는 방전경로가 직선적이고 전혀 셀구조상의 제약이 없다. 또, 벽면전극 사이에 유전체격벽과 같은 장해물이 존재하지 않으므로 플라즈마방전을 효과적으로 행할 수 있다. 또한, 플라즈마전극 자체가 격벽의 기능을 가지고 있므므로, 평면전극구조에서는 문제로 되어 있던 유전체격벽과 전극과의 얼라인멘트오차를 회피할 수 있다.

Claims (2)

1. 소정의 주면(主面)에 따라 서로 평행으로 배치된 복수의 제1 전극을 갖는 제1의 기판과, 상기 제1 전극과 직교하고 또한 서로 평행으로 배열된 복수의 제2 전극을 갖는 동시에 이 제2 전극이 소정의 벽면 높이를 가지는 상기 제1 전극과 대향하도록 배치된 제2의 기판과, 상기 제1 및 제2의 기판사이에 삽입된 전기광학 재료층과, 이 전기광학 재료층과 상기 제2의 기판사이에 형성된 이온화가능한 가스를 봉입(封入)하기 위한 플라즈마실을 구비하고, 인접하는 제2 전극의 대향 벽면 사이의 방전에 의해 상기 가스를 선택적으로 이온화하고, 이 이온화가스가 국부적으로 존재하는(局在) 방전영역을 주사단위로 하여, 상기 제1 전극과 상기 방전영역의 교차부에 위치하는 전기광학 재료층을 구동하도록 한 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레스 전기광학장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 제2 전극의 벽면높이가 100㎛ 이상, 130㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레스 전기광학장치.