JPH0862588A - プラズマ表示装置 - Google Patents
プラズマ表示装置Info
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- JPH0862588A JPH0862588A JP6199635A JP19963594A JPH0862588A JP H0862588 A JPH0862588 A JP H0862588A JP 6199635 A JP6199635 A JP 6199635A JP 19963594 A JP19963594 A JP 19963594A JP H0862588 A JPH0862588 A JP H0862588A
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- display device
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/13334—Plasma addressed liquid crystal cells [PALC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J17/00—Gas-filled discharge tubes with solid cathode
- H01J17/02—Details
- H01J17/20—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressures or temperatures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J17/00—Gas-filled discharge tubes with solid cathode
- H01J17/38—Cold-cathode tubes
- H01J17/48—Cold-cathode tubes with more than one cathode or anode, e.g. sequence-discharge tube, counting tube, dekatron
- H01J17/485—Plasma addressed liquid crystal displays [PALC]
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- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 長期間安定して良好な特性を発揮し得るプラ
ズマ表示装置を提供する。 【構成】 放電が行なわれるプラズマ室が形成されたプ
ラズマ表示装置であって、前記プラズマ室に封入される
放電ガスとして、Ｎｅ100-X ＡX （但し、式中、ＡはＡ
ｒ、ＫｒおよびＸｅからなる群から選ばれたいずれかの
元素であり、またｘは１０〜３０容積％である）で表わ
される希土類混合ガスを用いることを特徴とするプラズ
マ表示装置。
ズマ表示装置を提供する。 【構成】 放電が行なわれるプラズマ室が形成されたプ
ラズマ表示装置であって、前記プラズマ室に封入される
放電ガスとして、Ｎｅ100-X ＡX （但し、式中、ＡはＡ
ｒ、ＫｒおよびＸｅからなる群から選ばれたいずれかの
元素であり、またｘは１０〜３０容積％である）で表わ
される希土類混合ガスを用いることを特徴とするプラズ
マ表示装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばプラズマアドレ
ス電気光学装置などのプラズマ表示装置に係り、特に、
プラズマ室内に封入されるガス体の改良に関する。
ス電気光学装置などのプラズマ表示装置に係り、特に、
プラズマ室内に封入されるガス体の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電気光学セルとして液晶セルを用
いたマトリックスタイプの電気光学装置、例えば液晶表
示装置を高解像度化、高コントラスト化するための手段
としては、各画素毎に薄膜トランジスタ等のスイッチン
グ素子を設け、これを線順次で駆動するアクティブマト
リックスアドレス方式が一般に知られている。
いたマトリックスタイプの電気光学装置、例えば液晶表
示装置を高解像度化、高コントラスト化するための手段
としては、各画素毎に薄膜トランジスタ等のスイッチン
グ素子を設け、これを線順次で駆動するアクティブマト
リックスアドレス方式が一般に知られている。
【０００３】しかしながら、この場合、薄膜トランジス
タの様な半導体素子を基板上に多数設ける必要があり、
特に大面積化した時に製造歩留りが悪くなるという短所
がある。このため、最近、薄膜トランジスタ等からなる
スイッチング素子に代えてプラズマ放電に基づくスイッ
チを利用して電気光学セルを駆動するプラズマスイッチ
を利用する方式が提唱されている（例えば、特開平１−
２１７３９６号、特開平５−２９７３５９号等）。
タの様な半導体素子を基板上に多数設ける必要があり、
特に大面積化した時に製造歩留りが悪くなるという短所
がある。このため、最近、薄膜トランジスタ等からなる
スイッチング素子に代えてプラズマ放電に基づくスイッ
チを利用して電気光学セルを駆動するプラズマスイッチ
を利用する方式が提唱されている（例えば、特開平１−
２１７３９６号、特開平５−２９７３５９号等）。
【０００４】このようなプラズマスイッチを利用したプ
ラズマ表示装置は、例えば液晶セルに代表される電気光
学セル部と、これに近接して配置され、それぞれ陽極お
よび陰極を備えて区画され個々に行走査単位となる放電
領域のプラズマ室が形成されたプラズマセル部とを有す
る。このプラズマセル部で放電される領域に基づく電界
により電気光学セル部を駆動する。
ラズマ表示装置は、例えば液晶セルに代表される電気光
学セル部と、これに近接して配置され、それぞれ陽極お
よび陰極を備えて区画され個々に行走査単位となる放電
領域のプラズマ室が形成されたプラズマセル部とを有す
る。このプラズマセル部で放電される領域に基づく電界
により電気光学セル部を駆動する。
【０００５】従来、このようなプラズマ室に封入される
放電ガスとしては、放電電圧（Ｖf）を低くするという
観点から、ヘリウム（Ｈｅ）あるいはネオン（Ｎｅ）を
ベースとして微量のキセノン（Ｘｅ）、アルゴン（Ａ
ｒ）を混入してなるペニングガス（例えば、容積比で、
Ｈｅ99Ｘｅ1 、Ｎｅ99.5Ａｒ0.5 ）が用いられている。
放電ガスとしては、放電電圧（Ｖf）を低くするという
観点から、ヘリウム（Ｈｅ）あるいはネオン（Ｎｅ）を
ベースとして微量のキセノン（Ｘｅ）、アルゴン（Ａ
ｒ）を混入してなるペニングガス（例えば、容積比で、
Ｈｅ99Ｘｅ1 、Ｎｅ99.5Ａｒ0.5 ）が用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｈｅ系
ペニングガスおよびＮｅ系ペニングガスのいずれも、以
下に述べるような問題点を有している。すなわち、Ｈｅ
系ペニングガスは、本発明者らの行なった実験によれ
ば、陰極スパッタを起こしやすく、表示装置の寿命を短
くしてしまうことが明らかとなった。プラズマアドレス
表示装置においては、陰極材料として、ニッケル、アル
ミニウムなどの金属が用いられているが、Ｎｅ系ペニン
グガスと比較して陰極のスパッタによる劣化が著しく、
陰極がスパッタされていくと、スパッタされた物質が開
口部へと付着し、透過率の低下をもたらす。
ペニングガスおよびＮｅ系ペニングガスのいずれも、以
下に述べるような問題点を有している。すなわち、Ｈｅ
系ペニングガスは、本発明者らの行なった実験によれ
ば、陰極スパッタを起こしやすく、表示装置の寿命を短
くしてしまうことが明らかとなった。プラズマアドレス
表示装置においては、陰極材料として、ニッケル、アル
ミニウムなどの金属が用いられているが、Ｎｅ系ペニン
グガスと比較して陰極のスパッタによる劣化が著しく、
陰極がスパッタされていくと、スパッタされた物質が開
口部へと付着し、透過率の低下をもたらす。
【０００７】さらに、Ｈｅ系ペニンングガスでは、Ｈｅ
分子が小さいために、プラズマ室の一部を構成する薄板
ガラス（例えば、厚さ５０μｍ）から外部へと散逸しや
すい。例えば、実際の表示装置では、放電を安定化する
ために、水銀をプラズマ室内に拡散するが、その拡散の
熱処理工程（例えば２５０℃で４８時間）において、Ｈ
ｅが外部へ散逸してしまう。内容積約１０ｃｃの１４イ
ンチパネルの場合、Ｈｅガス圧を１２０Ｔｏｒｒに設定
すると、上記熱処理工程でガス圧は４０Ｔｏｒｒ程度に
まで低下してしまい、有効なプラズマを形成できなくな
ってしまう虞れがあった。
分子が小さいために、プラズマ室の一部を構成する薄板
ガラス（例えば、厚さ５０μｍ）から外部へと散逸しや
すい。例えば、実際の表示装置では、放電を安定化する
ために、水銀をプラズマ室内に拡散するが、その拡散の
熱処理工程（例えば２５０℃で４８時間）において、Ｈ
ｅが外部へ散逸してしまう。内容積約１０ｃｃの１４イ
ンチパネルの場合、Ｈｅガス圧を１２０Ｔｏｒｒに設定
すると、上記熱処理工程でガス圧は４０Ｔｏｒｒ程度に
まで低下してしまい、有効なプラズマを形成できなくな
ってしまう虞れがあった。
【０００８】一方、Ｎｅ系ペニングガスを用いた場合、
上記したような陰極スパッタ、およびガスの散逸の問題
は少ないものの、Ｎｅのオレンジ色の放電色が、ディス
プレイとしてのコントラスト、色純度を低下させてしま
うという問題があった。本発明は、このような実状に鑑
みてなされ、長期間安定して良好な特性を発揮し得るプ
ラズマ表示装置を提供することを目的とする。
上記したような陰極スパッタ、およびガスの散逸の問題
は少ないものの、Ｎｅのオレンジ色の放電色が、ディス
プレイとしてのコントラスト、色純度を低下させてしま
うという問題があった。本発明は、このような実状に鑑
みてなされ、長期間安定して良好な特性を発揮し得るプ
ラズマ表示装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、プラズマ
表示装置における上記したような放電ガスに起因する製
品寿命あるいは特性の低下の問題を解消するために鋭意
検討した結果、放電ガスとして、ＮｅをベースとしてＡ
ｒ、ＫｒまたはＸｅを特定の割合で配合してなる希土類
混合ガスを用いると、従来用いられているＨｅ系または
Ｎｅ系ペニングの場合と比較して、大きく放電電圧を高
めることなく、長寿命でかつ良好な特性を有するプラズ
マ表示装置を形成できることを見い出し、本発明を完成
するに至った。すなわち、上記課題を解決する本発明の
プラズマ表示装置は、放電が行なわれるプラズマ室が形
成されたプラズマ表示装置であって、前記プラズマ室に
封入される放電ガスとして、Ｎｅ100-X ＡX （但し、式
中、ＡはＡｒ、ＫｒおよびＸｅからなる群から選ばれた
いずれかの元素であり、またｘは１０〜３０容積％であ
る）で表わされる希土類混合ガスを用いることを特徴と
する。
表示装置における上記したような放電ガスに起因する製
品寿命あるいは特性の低下の問題を解消するために鋭意
検討した結果、放電ガスとして、ＮｅをベースとしてＡ
ｒ、ＫｒまたはＸｅを特定の割合で配合してなる希土類
混合ガスを用いると、従来用いられているＨｅ系または
Ｎｅ系ペニングの場合と比較して、大きく放電電圧を高
めることなく、長寿命でかつ良好な特性を有するプラズ
マ表示装置を形成できることを見い出し、本発明を完成
するに至った。すなわち、上記課題を解決する本発明の
プラズマ表示装置は、放電が行なわれるプラズマ室が形
成されたプラズマ表示装置であって、前記プラズマ室に
封入される放電ガスとして、Ｎｅ100-X ＡX （但し、式
中、ＡはＡｒ、ＫｒおよびＸｅからなる群から選ばれた
いずれかの元素であり、またｘは１０〜３０容積％であ
る）で表わされる希土類混合ガスを用いることを特徴と
する。
【００１０】本発明はまた、放電が行なわれるプラズマ
室を有するプラズマセル部と、このプラズマ室に近接し
て配置され、このプラズマセル部で放電される領域に基
づく電界により駆動される電気光学セル部とを有し、前
記プラズマ室に封入される放電ガスとして、Ｎｅ100-X
ＡX （但し、式中、ＡはＡｒ、ＫｒおよびＸｅからなる
群から選ばれたいずれかの元素であり、またｘは１０〜
３０容積％である）で表わされる希土類混合ガスを用い
ることを特徴とするプラズマ表示装置である。
室を有するプラズマセル部と、このプラズマ室に近接し
て配置され、このプラズマセル部で放電される領域に基
づく電界により駆動される電気光学セル部とを有し、前
記プラズマ室に封入される放電ガスとして、Ｎｅ100-X
ＡX （但し、式中、ＡはＡｒ、ＫｒおよびＸｅからなる
群から選ばれたいずれかの元素であり、またｘは１０〜
３０容積％である）で表わされる希土類混合ガスを用い
ることを特徴とするプラズマ表示装置である。
【００１１】さらに、前記プラズマ表示装置において、
電気光学セル部は液晶セル部であるものが望ましい。
電気光学セル部は液晶セル部であるものが望ましい。
【００１２】
【作用】このように本発明のプラズマ表示装置において
は、プラズマ室に封入される放電ガスとして、Ｎｅ
100-X ＡX （但し、式中、ＡはＡｒ、ＫｒおよびＸｅか
らなる群から選ばれたいずれかの元素であり、またｘは
１０〜３０容積％である）で表わされる希土類混合ガス
が用いられる。
は、プラズマ室に封入される放電ガスとして、Ｎｅ
100-X ＡX （但し、式中、ＡはＡｒ、ＫｒおよびＸｅか
らなる群から選ばれたいずれかの元素であり、またｘは
１０〜３０容積％である）で表わされる希土類混合ガス
が用いられる。
【００１３】本発明において用いられる上記希土類混合
ガスに含まれる分子は、Ｈｅと比較していずれもかなり
大きな分子となるために、水銀拡散のための熱処理を行
なったとしても、上述したようなプラズマセルからのガ
ス分子の散逸の問題は生じず、所定のガス圧例えば１２
０Ｔｏｒｒを維持でき、従来用いられるＨｅ系ペニング
ガスに比較して安定したプラズマ形成が可能である。
ガスに含まれる分子は、Ｈｅと比較していずれもかなり
大きな分子となるために、水銀拡散のための熱処理を行
なったとしても、上述したようなプラズマセルからのガ
ス分子の散逸の問題は生じず、所定のガス圧例えば１２
０Ｔｏｒｒを維持でき、従来用いられるＨｅ系ペニング
ガスに比較して安定したプラズマ形成が可能である。
【００１４】また、Ｈｅ系ペニングガスと比較して、Ｎ
ｅをベースとする本発明に係る希土類混合ガスは、従来
のＮｅ系ペニングガスと同様に陰極スパッタの進行速度
が極めて遅く、図３に示すように、このような陰極スパ
ッタに起因する透過率の劣化速度がＨｅ系ペニングガス
を用いた場合よりも約一桁遅い。
ｅをベースとする本発明に係る希土類混合ガスは、従来
のＮｅ系ペニングガスと同様に陰極スパッタの進行速度
が極めて遅く、図３に示すように、このような陰極スパ
ッタに起因する透過率の劣化速度がＨｅ系ペニングガス
を用いた場合よりも約一桁遅い。
【００１５】さらに、本発明に係る希土類混合ガスを用
いた場合、Ｈｅ系ペニングガスを用いた場合には及ばな
いものの、Ｎｅ系ペニングガスの場合と比較して輝度は
十分低く、発色も白に近いものとなり、ディスプレイと
してのコントラスト、色純度を実質的に損なうものでは
なく、良好な特性が得られる。
いた場合、Ｈｅ系ペニングガスを用いた場合には及ばな
いものの、Ｎｅ系ペニングガスの場合と比較して輝度は
十分低く、発色も白に近いものとなり、ディスプレイと
してのコントラスト、色純度を実質的に損なうものでは
なく、良好な特性が得られる。
【００１６】なお、ＮｅにＡｒ等を添加することによっ
て、必要とされる放電電圧Ｖfは、図２に示すようにＮ
ｅ系ペニングガスの場合と比較して上昇するが、本発明
においてはその添加量を１０〜３０容量％に限定してい
るために、その上昇分が２０Ｖ程度に抑えられ、消費電
力の上昇、ドライバトランジスタの耐圧等の問題の発生
も実質的に起らないものとすることができる。
て、必要とされる放電電圧Ｖfは、図２に示すようにＮ
ｅ系ペニングガスの場合と比較して上昇するが、本発明
においてはその添加量を１０〜３０容量％に限定してい
るために、その上昇分が２０Ｖ程度に抑えられ、消費電
力の上昇、ドライバトランジスタの耐圧等の問題の発生
も実質的に起らないものとすることができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに具体的に
説明する。図１はこのようなプラズマスイッチを利用し
て液晶セルを駆動するプラズマアドレス表示装置の一例
の構造を示す模式的な部分断面図であり、列方向即ち信
号電極方向に沿って切断した形状を表すものである。こ
の装置は、液晶セル１とプラズマセル２と両者の間に介
在する誘電体シートからなる共通の中間板３とを積層し
たフラットパネル構造を有する。液晶セル１はガラス基
板４を用いて構成されており、その内側の主面には透明
導電膜からなる複数本の信号電極５が互いに平行に形成
されている。基板４は所定の間隙を介して中間板３に対
向配置されており、間隙内には電気光学材料層である液
晶層６が充填されている。本実施例においては流体の電
気光学材料が用いられているが、本発明のプラズマ表示
装置において、この電気光学材料は、必ずしも液晶であ
る必要はなく、例えば電気光学結晶板を用いることもで
きる。また、本実施例はプラズマアドレス表示装置に関
するものであるが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、光学変調装置等広くプラズマ表示装置に適用可能
である。
説明する。図１はこのようなプラズマスイッチを利用し
て液晶セルを駆動するプラズマアドレス表示装置の一例
の構造を示す模式的な部分断面図であり、列方向即ち信
号電極方向に沿って切断した形状を表すものである。こ
の装置は、液晶セル１とプラズマセル２と両者の間に介
在する誘電体シートからなる共通の中間板３とを積層し
たフラットパネル構造を有する。液晶セル１はガラス基
板４を用いて構成されており、その内側の主面には透明
導電膜からなる複数本の信号電極５が互いに平行に形成
されている。基板４は所定の間隙を介して中間板３に対
向配置されており、間隙内には電気光学材料層である液
晶層６が充填されている。本実施例においては流体の電
気光学材料が用いられているが、本発明のプラズマ表示
装置において、この電気光学材料は、必ずしも液晶であ
る必要はなく、例えば電気光学結晶板を用いることもで
きる。また、本実施例はプラズマアドレス表示装置に関
するものであるが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、光学変調装置等広くプラズマ表示装置に適用可能
である。
【００１８】一方、前記プラズマセル２は下側のガラス
基板７を用いて構成されている。基板７の内側の主面上
には信号電極５に直交する複数のプラズマ電極が所定の
間隙を介してストライプパタン状に形成されている。プ
ラズマ電極は交互にカソードＫとアノードＡの機能を奏
する。この実施例ではプラズマ電極幅は、０．３９ｍｍ
に設定され、電極間距離も０．３９ｍｍに設定されてい
る。図示するようにプラズマ電極は所定の厚みを有し、
中間板３とガラス基板７との間に介在して隔壁としての
機能も奏する。プラズマ電極の障壁高さは、１００μｍ
以上に設定されている。すなわち、電極厚みが比較的小
さいと電極端への電界集中によるブレークダウンが生じ
正常に放電せず、一方、電極厚みがある程度大きくなる
と安定に放電するようになる。このため、安定放電の為
には電極厚みは約１００μｍ以上必要である。これは電
極間距離０．３９ｍｍの２６％に相当し、平面電極構造
におけるプラズマ室の最小限高さを規制する７５％の値
に対し有為な差が認められる。
基板７を用いて構成されている。基板７の内側の主面上
には信号電極５に直交する複数のプラズマ電極が所定の
間隙を介してストライプパタン状に形成されている。プ
ラズマ電極は交互にカソードＫとアノードＡの機能を奏
する。この実施例ではプラズマ電極幅は、０．３９ｍｍ
に設定され、電極間距離も０．３９ｍｍに設定されてい
る。図示するようにプラズマ電極は所定の厚みを有し、
中間板３とガラス基板７との間に介在して隔壁としての
機能も奏する。プラズマ電極の障壁高さは、１００μｍ
以上に設定されている。すなわち、電極厚みが比較的小
さいと電極端への電界集中によるブレークダウンが生じ
正常に放電せず、一方、電極厚みがある程度大きくなる
と安定に放電するようになる。このため、安定放電の為
には電極厚みは約１００μｍ以上必要である。これは電
極間距離０．３９ｍｍの２６％に相当し、平面電極構造
におけるプラズマ室の最小限高さを規制する７５％の値
に対し有為な差が認められる。
【００１９】プラズマ電極は例えば厚膜スクリーン印刷
を繰り返すことにより形成できる。一般に一回の厚膜印
刷焼成により形成される電極の膜厚は１５μｍ程度であ
る。同一のスクリーンマスクを用いて印刷を繰り返すこ
とにより極めて精度良く隔壁電極を形成できる。なお、
この実施例ではプラズマ電極を積層印刷により作製した
が、本発明はこれに限定されるものではない。基本的に
プラズマセル内に隔壁電極を形成可能な手段であれば良
い。例えば全面印刷とパウダービームエッチングを組合
せた手段を採用することも可能である。またこの実施例
では、プラズマ電極の頂部が直接中間板３に接触してい
るが、場合によっては、電極頂部と中間板３の間に誘電
体隔壁層を設けても良い。この場合には液晶セル１側の
信号電極５とのクロストークを避ける上で有利となる。
を繰り返すことにより形成できる。一般に一回の厚膜印
刷焼成により形成される電極の膜厚は１５μｍ程度であ
る。同一のスクリーンマスクを用いて印刷を繰り返すこ
とにより極めて精度良く隔壁電極を形成できる。なお、
この実施例ではプラズマ電極を積層印刷により作製した
が、本発明はこれに限定されるものではない。基本的に
プラズマセル内に隔壁電極を形成可能な手段であれば良
い。例えば全面印刷とパウダービームエッチングを組合
せた手段を採用することも可能である。またこの実施例
では、プラズマ電極の頂部が直接中間板３に接触してい
るが、場合によっては、電極頂部と中間板３の間に誘電
体隔壁層を設けても良い。この場合には液晶セル１側の
信号電極５とのクロストークを避ける上で有利となる。
【００２０】ガラス基板７は中間板３に対して所定の間
隙を有して封着されており、両者の間には気密封止され
たプラズマ室８が形成される。このプラズマ室８は隔壁
の機能を有するプラズマ電極によって分割されており、
個々に行走査単位となる放電領域を形成する。
隙を有して封着されており、両者の間には気密封止され
たプラズマ室８が形成される。このプラズマ室８は隔壁
の機能を有するプラズマ電極によって分割されており、
個々に行走査単位となる放電領域を形成する。
【００２１】図示するようにカソードのＫの壁面とアノ
ードＡの壁面はプラズマ室８を介して対向配置されてお
り、前述した壁面電極構造を有する。平行平板電極構造
と等価であり、矢印で示す放電経路は一方の電極壁面か
ら他方の電極壁面に対して直進する。両壁面電極間に何
ら障害物が介在しないので極めて安定したプラズマ放電
あるいはグロー放電を得ることができる。
ードＡの壁面はプラズマ室８を介して対向配置されてお
り、前述した壁面電極構造を有する。平行平板電極構造
と等価であり、矢印で示す放電経路は一方の電極壁面か
ら他方の電極壁面に対して直進する。両壁面電極間に何
ら障害物が介在しないので極めて安定したプラズマ放電
あるいはグロー放電を得ることができる。
【００２２】本実施例では、この気密なプラズマ室８の
内部には、Ｎｅ100-X ＡX （但し、式中、ＡはＡｒ、Ｋ
ｒおよびＸｅからなる群から選ばれたいずれかの元素で
あり、またｘは１０〜３０容積％、より好ましくは１５
〜２５容積％である）で表わされる希土類混合ガスが封
入されている。なお、この希土類混合ガスにおいて、Ａ
成分の含有量が１０容積％未満では、Ｎｅ特有のオレン
ジ色の発光の問題が生じてしまい、一方、３０容積％を
越えると放電電圧Ｖfが極端に上昇してしまうためにい
ずれも好ましくない。またＮｅに混入されるＡｒ、Ｋｒ
およびＸｅのうち、主として経済的な観点からＡｒおよ
びＫｒが好ましい。
内部には、Ｎｅ100-X ＡX （但し、式中、ＡはＡｒ、Ｋ
ｒおよびＸｅからなる群から選ばれたいずれかの元素で
あり、またｘは１０〜３０容積％、より好ましくは１５
〜２５容積％である）で表わされる希土類混合ガスが封
入されている。なお、この希土類混合ガスにおいて、Ａ
成分の含有量が１０容積％未満では、Ｎｅ特有のオレン
ジ色の発光の問題が生じてしまい、一方、３０容積％を
越えると放電電圧Ｖfが極端に上昇してしまうためにい
ずれも好ましくない。またＮｅに混入されるＡｒ、Ｋｒ
およびＸｅのうち、主として経済的な観点からＡｒおよ
びＫｒが好ましい。
【００２３】なお、このように壁面電極構造（平行平板
電極構造）とした場合、特願平３−４７７８４号に開示
されるような平面電極構造と比較してガス圧力が２倍程
度必要であり、放電開始電圧も数１０Ｖ程度高くなって
しまう。これは、平面電極構造の放電経路が放物線であ
るのに対して壁面電極構造の放電経路は直線であり短縮
されており、従ってパッシェンの法則に基づき高めのガ
ス圧力が必要となるためであり、また、放電開始電圧に
ついては壁面電極の表面状態等の諸因子の影響を受け若
干高くなるものと考えられる。しかしながら、この実施
例におけるような壁面電極構造は、平面電極構造に比較
して安定したプラズマ放電が得られること、またプラズ
マ放電が効率的に行なえることなどの点で有利であり、
また特開平１−２１７３９６号に開示されるような斜面
電極構造と比較してセル構造製造時の制約などが少ない
という面で有利である。しかしながら、もちろん本発明
のプラズマ表示装置においては、プラズマセルの構造に
ついても何ら限定されるものではなく、上記のごとき各
種の態様を取り得るものである。たとえば、図１（Ａ）
に示す例では、壁面型電極構造のプラズマセルを例とし
て説明したが、本発明では電極構造は特に限定されず、
たとえば、図１（Ｂ）に示す平面型電極構造のプラズマ
セルに対しても適用可能である。図１（Ｂ）に示す電極
構造では、カソードＫおよびアノードＡの電極が平面状
に形成され、それらの上に隔壁９が形成され、隔壁９と
隔壁９との間にプラズマ室８ａが形成されている。
電極構造）とした場合、特願平３−４７７８４号に開示
されるような平面電極構造と比較してガス圧力が２倍程
度必要であり、放電開始電圧も数１０Ｖ程度高くなって
しまう。これは、平面電極構造の放電経路が放物線であ
るのに対して壁面電極構造の放電経路は直線であり短縮
されており、従ってパッシェンの法則に基づき高めのガ
ス圧力が必要となるためであり、また、放電開始電圧に
ついては壁面電極の表面状態等の諸因子の影響を受け若
干高くなるものと考えられる。しかしながら、この実施
例におけるような壁面電極構造は、平面電極構造に比較
して安定したプラズマ放電が得られること、またプラズ
マ放電が効率的に行なえることなどの点で有利であり、
また特開平１−２１７３９６号に開示されるような斜面
電極構造と比較してセル構造製造時の制約などが少ない
という面で有利である。しかしながら、もちろん本発明
のプラズマ表示装置においては、プラズマセルの構造に
ついても何ら限定されるものではなく、上記のごとき各
種の態様を取り得るものである。たとえば、図１（Ａ）
に示す例では、壁面型電極構造のプラズマセルを例とし
て説明したが、本発明では電極構造は特に限定されず、
たとえば、図１（Ｂ）に示す平面型電極構造のプラズマ
セルに対しても適用可能である。図１（Ｂ）に示す電極
構造では、カソードＫおよびアノードＡの電極が平面状
に形成され、それらの上に隔壁９が形成され、隔壁９と
隔壁９との間にプラズマ室８ａが形成されている。
【００２４】次に、図１（Ａ）に示すような構成のプラ
ズマアドレス表示装置を実際に作製し、以下に述べるよ
うな実験により、本発明の効果を調べた。まず、Ｎｅに
各種の割合でＡｒを添加した混合ガスを調製し、これら
をそれぞれプラズマ室に封入して必要とされる放電電圧
を測定した。その結果は図２に示される通りであり、Ｎ
ｅ系ペニングガス（Ｎｅ99.5Ａｒ0.5）に比較すると、
本発明に係る組成域においても放電電圧は上昇するもの
の、その上昇分は２０Ｖ程度に抑えることが可能である
ことが明らかとなった。
ズマアドレス表示装置を実際に作製し、以下に述べるよ
うな実験により、本発明の効果を調べた。まず、Ｎｅに
各種の割合でＡｒを添加した混合ガスを調製し、これら
をそれぞれプラズマ室に封入して必要とされる放電電圧
を測定した。その結果は図２に示される通りであり、Ｎ
ｅ系ペニングガス（Ｎｅ99.5Ａｒ0.5）に比較すると、
本発明に係る組成域においても放電電圧は上昇するもの
の、その上昇分は２０Ｖ程度に抑えることが可能である
ことが明らかとなった。
【００２５】次に、Ｈｅ系ペニングガス（Ｈｅ99Ｘ
ｅ1 ）、Ｎｅ系ペニングガス（Ｎｅ99.5Ａｒ0.5 ）およ
び本発明に係る組成の希土類混合ガス（Ｈｅ
100-X ＡX 、x ＝１０〜３０）を用意し、それぞれプラ
スマ室に封入して陰極スパッタによる透過率変化を調べ
た。なお、測定条件はガス圧を２００Ｔｏｒｒとし、１
ライン当りの電流を１００ｍＡとして、１６ｍｓｅｃに
１回、１０μｓｅｃ放電するというサイクルで行ない、
水銀の添加は行なわなかった。得られた結果は図３に示
す通りであり、Ｈｅ系ペニングガスに比較してＮｅ系ペ
ニングガスおよび本発明に係る組成の希土類混合ガス
は、透過率の低下速度が非常に低いものであった。
ｅ1 ）、Ｎｅ系ペニングガス（Ｎｅ99.5Ａｒ0.5 ）およ
び本発明に係る組成の希土類混合ガス（Ｈｅ
100-X ＡX 、x ＝１０〜３０）を用意し、それぞれプラ
スマ室に封入して陰極スパッタによる透過率変化を調べ
た。なお、測定条件はガス圧を２００Ｔｏｒｒとし、１
ライン当りの電流を１００ｍＡとして、１６ｍｓｅｃに
１回、１０μｓｅｃ放電するというサイクルで行ない、
水銀の添加は行なわなかった。得られた結果は図３に示
す通りであり、Ｈｅ系ペニングガスに比較してＮｅ系ペ
ニングガスおよび本発明に係る組成の希土類混合ガス
は、透過率の低下速度が非常に低いものであった。
【００２６】さらに、Ｈｅ系ペニングガス（Ｈｅ99Ｘｅ
1 ）、Ｎｅ系ペニングガス（Ｎｅ99 .5Ａｒ0.5 ）および
本発明に係る組成の希土類混合ガス（Ｎｅ80Ａｒ20）を
用意し、それぞれプラスマ室に封入して放電色の比較を
行なった。なお、放電色は１ライン当りの電流を１００
ｍＡとして行なった。その結果、発光輝度は、Ｈｅ99Ｘ
ｅ1 、Ｎｅ99.5Ａｒ0.5 、Ｎｅ80Ａｒ20が、１：１８：
３の割合であり、色座標（ｘ，ｙ）はそれぞれ（0.33,
0.27 ）、（0.63,0.37 ）、（0.58,0.39 ）となった。
Ｎｅ80Ａｒ20は、Ｈｅ系ペニングガスには及ばないもの
の、Ｎｅ系ペニングガスに比べて輝度は十分低く、色も
白に近い。
1 ）、Ｎｅ系ペニングガス（Ｎｅ99 .5Ａｒ0.5 ）および
本発明に係る組成の希土類混合ガス（Ｎｅ80Ａｒ20）を
用意し、それぞれプラスマ室に封入して放電色の比較を
行なった。なお、放電色は１ライン当りの電流を１００
ｍＡとして行なった。その結果、発光輝度は、Ｈｅ99Ｘ
ｅ1 、Ｎｅ99.5Ａｒ0.5 、Ｎｅ80Ａｒ20が、１：１８：
３の割合であり、色座標（ｘ，ｙ）はそれぞれ（0.33,
0.27 ）、（0.63,0.37 ）、（0.58,0.39 ）となった。
Ｎｅ80Ａｒ20は、Ｈｅ系ペニングガスには及ばないもの
の、Ｎｅ系ペニングガスに比べて輝度は十分低く、色も
白に近い。
【００２７】実際のパネルで言うと、１４インチパネル
で放電電流が１ライン当りの電流を１００ｍＡの場合、
Ｎｅ系ペニングガスの放電光輝度は０．３ｎｉｔに達す
る。Ｈｅ系ペニングガスの場合、黒レベル２ｎｉｔ（偏
光板液晶で決まる）に対して無視できない量であるが、
Ｎｅ80Ａｒ20の場合は０．１ｎｉｔ以下となり、十分な
黒レベルが得られ、コントラストの良い表示パネルとな
ることが期待される。
で放電電流が１ライン当りの電流を１００ｍＡの場合、
Ｎｅ系ペニングガスの放電光輝度は０．３ｎｉｔに達す
る。Ｈｅ系ペニングガスの場合、黒レベル２ｎｉｔ（偏
光板液晶で決まる）に対して無視できない量であるが、
Ｎｅ80Ａｒ20の場合は０．１ｎｉｔ以下となり、十分な
黒レベルが得られ、コントラストの良い表示パネルとな
ることが期待される。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、長期
間安定して良好な特性を発揮し得るプラズマ表示装置を
提供することができる。
間安定して良好な特性を発揮し得るプラズマ表示装置を
提供することができる。
【図１】図１（Ａ）は本発明の一実施例に係るプラズマ
表示装置を示す模式的断面図、図１（Ｂ）は本発明の他
の実施例に係るプラズマ表示装置を示す模式的断面図で
ある。
表示装置を示す模式的断面図、図１（Ｂ）は本発明の他
の実施例に係るプラズマ表示装置を示す模式的断面図で
ある。
【図２】図２はＮｅ−Ａｒ系混合ガスの組成比と放電電
圧との関係を示すグラフである。
圧との関係を示すグラフである。
【図３】図３は各種希土類ガスと透過率の変化との関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
１…液晶セル ２…プラズマセル ３…中間板 ４…ガラス基板 ５…信号電極 ６…液晶層 ７…ガラス基板 ８…プラズマ室 Ｋ…カソード Ａ…アノード
Claims (3)
- 【請求項１】 放電が行なわれるプラズマ室が形成され
たプラズマ表示装置であって、前記プラズマ室に封入さ
れる放電ガスとして、Ｎｅ100-X ＡX （但し、式中、Ａ
はＡｒ、ＫｒおよびＸｅからなる群から選ばれたいずれ
かの元素であり、またｘは１０〜３０容積％である）で
表わされる希土類混合ガスを用いることを特徴とするプ
ラズマ表示装置。 - 【請求項２】 放電が行なわれるプラズマ室を有するプ
ラズマセル部と、このプラズマ室に近接して配置され、
このプラズマセル部で放電される領域に基づく電界によ
り駆動される電気光学セル部とを有し、 前記プラズマ室に封入される放電ガスとして、Ｎｅ
100-X ＡX （但し、式中、ＡはＡｒ、ＫｒおよびＸｅか
らなる群から選ばれたいずれかの元素であり、またｘは
１０〜３０容積％である）で表わされる希土類混合ガス
を用いることを特徴とするプラズマ表示装置。 - 【請求項３】 前記電気光学セル部が、液晶セル部であ
る請求項２に記載のプラズマ表示装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6199635A JPH0862588A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | プラズマ表示装置 |
| SG1995001196A SG30431A1 (en) | 1994-08-24 | 1995-08-23 | Plasma discharge apparatus |
| CA002156812A CA2156812C (en) | 1994-08-24 | 1995-08-23 | Plasma discharge apparatus |
| KR1019950026058A KR960008918A (ko) | 1994-08-24 | 1995-08-23 | 플라즈마방전장치 |
| FI953965A FI953965A (fi) | 1994-08-24 | 1995-08-23 | Plasmapurkauslaite |
| US08/518,310 US5672208A (en) | 1994-08-24 | 1995-08-23 | Plasma discharge apparatus |
| DE69519409T DE69519409T2 (de) | 1994-08-24 | 1995-08-24 | Plasmaentladungsgerät |
| EP95113320A EP0698903B1 (en) | 1994-08-24 | 1995-08-24 | Plasma discharge apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6199635A JPH0862588A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | プラズマ表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0862588A true JPH0862588A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16411132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6199635A Pending JPH0862588A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | プラズマ表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0698903B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0862588A (ja) |
| DE (1) | DE69519409T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040025453A (ko) * | 2002-09-19 | 2004-03-24 | 오리온전기 주식회사 | 크립톤-네온-제논 계 또는 크립톤-네온-제논-헬륨 계의방전 가스를 적용한 플라즈마 디스플레이 패널 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6118213A (en) * | 1996-06-28 | 2000-09-12 | Tektronix, Inc. | Plasma addressed liquid crystal display device with integrated source of reactive gas |
| CN100356500C (zh) * | 2002-12-05 | 2007-12-19 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 等离子显示面板 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52143987A (en) * | 1976-05-26 | 1977-11-30 | Dainippon Toryo Co Ltd | Gas discharge luminous eleme nt |
| JPS63205031A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-24 | Fujitsu Ltd | ガス放電パネル |
| JP2601713B2 (ja) | 1988-01-19 | 1997-04-16 | テクトロニックス・インコーポレイテッド | 表示装置 |
| US5272472A (en) * | 1988-01-19 | 1993-12-21 | Tektronix, Inc. | Apparatus for addressing data storage elements with an ionizable gas excited by an AC energy source |
| US5077553A (en) * | 1988-01-19 | 1991-12-31 | Tektronix, Inc. | Apparatus for and methods of addressing data storage elements |
| JPH0347784A (ja) | 1989-07-14 | 1991-02-28 | Nec Corp | 熱転写プリンタ |
| JP3185353B2 (ja) | 1992-04-21 | 2001-07-09 | ソニー株式会社 | プラズマアドレス電気光学装置 |
-
1994
- 1994-08-24 JP JP6199635A patent/JPH0862588A/ja active Pending
-
1995
- 1995-08-24 EP EP95113320A patent/EP0698903B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-24 DE DE69519409T patent/DE69519409T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040025453A (ko) * | 2002-09-19 | 2004-03-24 | 오리온전기 주식회사 | 크립톤-네온-제논 계 또는 크립톤-네온-제논-헬륨 계의방전 가스를 적용한 플라즈마 디스플레이 패널 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0698903A3 (en) | 1998-01-28 |
| DE69519409T2 (de) | 2001-05-03 |
| DE69519409D1 (de) | 2000-12-21 |
| EP0698903A2 (en) | 1996-02-28 |
| EP0698903B1 (en) | 2000-11-15 |
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