JPH08106080A - 画像表示装置 - Google Patents

画像表示装置

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JPH08106080A
JPH08106080A JP6241072A JP24107294A JPH08106080A JP H08106080 A JPH08106080 A JP H08106080A JP 6241072 A JP6241072 A JP 6241072A JP 24107294 A JP24107294 A JP 24107294A JP H08106080 A JPH08106080 A JP H08106080A
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JP
Japan
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electrode
display device
image display
electrodes
plasma
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JP6241072A
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English (en)
Inventor
Shoichi Tanamachi
正一 棚町
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Publication of JPH08106080A publication Critical patent/JPH08106080A/ja
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    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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    • H01J17/485Plasma addressed liquid crystal displays [PALC]

Abstract

(57)【要約】 【目的】 動作寿命が長く、しかも作製が容易な画像表
示装置を提供する。 【構成】 前記遮蔽膜25を、隣接する透明電極22の
間隙24と交差するプラズマ電極15上に形成する。し
たがって上記各画素23の存在する領域には遮蔽膜25
は設けられていない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマを利用して電
気光学材料層を駆動し画像選択を行う画像表示装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、例えばディスプレイを高解像度
化及び高コントラスト化するための手段としては、各表
示画素毎にトランジスタ等の能動素子を設け、これを駆
動する方法、いわゆるアクティブマトリクスアドレス方
式がある。しかしながら、この場合、薄膜トランジスタ
の如き半導体素子を多数設ける必要があることから、特
にディスプレイを大面積化したときに歩溜りの問題が懸
念され、どうしてもコスト高になるという問題が生じ
る。
【0003】そこで、この問題を解決する手段として、
能動素子としてMOSトランジスタや薄膜トランジスタ
等の半導体素子ではなく放電プラズマを利用する方法が
提案されている。
【0004】以下、放電プラズマを利用して液晶を駆動
する画像表示装置の一例を簡潔に説明する。
【0005】この画像表示装置の一例としては、図7に
示すように、電気光学材料層である液晶層101と、プ
ラズマの放電がなされる放電領域であるプラズマ室10
2とが、ガラス等からなる薄い誘電体膜であるマイクロ
シート103を介して隣接配置されてなるものがある。
【0006】上記プラズマ室102は、ガラス基板10
4上に互いに平行な複数の溝105を形成することによ
り構成されるものであり、この中にはイオン化可能なガ
スが封入されている。また、各溝105には、互いに平
行な一対のプラズマ電極106,107が設けられてお
り、これら電極106,107がプラズマ室102内の
ガスをイオン化して放電プラズマを発生させるためのア
ノード及びカソードとして機能する。
【0007】上記液晶層101は、マイクロシート10
3と透明基板108によって挟持されており、透明基板
108の液晶層101側の表面上には、透明電極109
が形成されている。この透明電極109は、上記溝10
5によって構成されるプラズマ室102と直交してお
り、これら透明電極109とプラズマ室102との交差
領域が各画素に対応している。
【0008】上記画像表示装置においては、プラズマ放
電が行われるプラズマ室102を順次切り替え走査する
とともに、液晶層101側の透明電極109にこれと同
期して信号電圧を印加することによって該信号電圧が各
画素に保持され、液晶層101が駆動される。
【0009】したがって、各プラズマ室102がそれぞ
れ1走査ラインに相当し、走査単位毎に放電領域が分割
されている。
【0010】ところが、上記画像表示装置においては、
薄膜トランジスタ等を用いたものより大面積化が容易で
あると考えられるが、実用化に当たっては様々な問題が
ある。例えば、上記プラズマ室102を形成するための
溝105をガラス基板104上に形成するに際して製造
上かなりの困難を伴う。特に、高密度に上記溝105を
形成することは著しく難しい。また、作製時において、
各溝105毎にそれぞれ一対のプラズマ電極106,1
07を形成する必要があるが、このためのエッチングプ
ロセスは非常に複雑であり、各電極106,107の間
隔を精度よく保つことは極めて困難である。
【0011】そこで、画像表示装置の他の例として、図
8に示すようなものが考えられる。この画像表示装置に
おいては、上記のそれと略々同様の構成を有している
が、ガラス基板104上に溝105が形成されておら
ず、その代わりにガラス基板104上に互いに平行な複
数の帯状のプラズマ電極111が形成されている。そし
て、各プラズマ電極111上に当該プラズマ電極111
より幅狭の隔壁112が形成され、これら隔壁112を
介してマイクロシート103が設けられて各プラズマ室
113が形成されている。
【0012】そして、各プラズマ電極111がそれぞれ
交互にカソード,アノードとして機能し、上記透明電極
109とプラズマ室113との交差領域が各画素に対応
している。
【0013】上記プラズマ電極111はスクリーン印刷
法等により平坦なガラス基板104上に容易に形成でき
るために生産性や作業性に優れている。また、この画像
表示装置を駆動させる際には、カソードとアノードの役
割を交互に切り換えることによりプラズマ電極111を
カソード/アノード兼用として実効的な走査ライン数を
図Xに示す画像表示装置に比して2倍にすることが可能
であるという利点もある。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
の画像表示装置には、以下に示すような問題がある。一
般に、プラズマ放電が起こるとカソード電極がイオン衝
撃を受けて電極材料が飛散する。カソード電極は導電性
を有するために、電極材料が飛散した結果、上記画像表
示装置においては、それぞれの走査ラインにおける隣接
画素間にて短絡が発生し、画素間が電気抵抗体で接続さ
れた状態となる虞れがある。このため、各画素の注入さ
れた電荷が前記隣接画素間で平均化されてしまう。上記
カソード電極がイオン衝撃を受けるほど前記隣接画素間
の短絡が進行し、隣接画素に独立した情報を保持するこ
とができなくなって上記画像表示装置の著しい短寿命化
を招くことになる。
【0015】本発明は、上述の課題に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、動作寿命が長く、
しかも作製が容易な画像表示装置を提供することにあ
る。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は、放電プラズマ
を利用した画像表示装置を対象とするものである。すな
わち、本発明に係る画像表示装置は、一主面上に互いに
略々平行な複数の第1電極を有する第1の基板と、一主
面上に前記第1電極と略々直交し且つ互いに略々平行な
複数の第2電極を有する第2の基板とを備え、これら第
1の基板と第2の基板が第1電極と第2電極が対向する
如く互いに略々平行に配置してなり、上記第1の基板の
第1電極と接するように電気光学材料層を間挿するとと
もに、この電気光学材料層と上記第2の基板間にイオン
化可能なガスを封入して放電領域とし、上記第2電極の
うち少なくとも各第1電極の間隙と交差する領域上に絶
縁材料よりなる遮蔽膜を形成して構成されることを特徴
とするものである。
【0017】なお、第1電極及び当該第1電極の反対側
において電気光学材料層と接するように高分子材料等よ
りなる誘電体膜を配することが望ましい。
【0018】かかる構造において、隣接する第2電極間
の放電により封入ガスを選択的にイオン化し、このイオ
ン化ガスの局在した放電領域を走査単位として、上記第
1電極と前記放電領域との交差部に位置する電気光学材
料層を駆動させる。
【0019】ここで、各第1電極の間隙と交差する部分
の第2電極上のみでなく、更に各第1電極の間隙と交差
する部分の第2の基板上に上記遮蔽膜を形成してもよ
い。
【0020】この場合、各第2電極上に絶縁材料よりな
る隔壁を形成し、各第2電極がそれぞれ交互にカソー
ド,アノードとして機能するように構成することが好ま
しい。このとき、上記隔壁により電気光学材料層と上記
第2の基板間が仕切られて各プラズマ室が形成されるこ
とになる。
【0021】このとき、各第2電極上に、上記隔壁と上
記遮蔽膜とを一体形成してもよい。この場合、隔壁と遮
蔽膜とは略々同じ高さに形成されることになる。
【0022】ここで、上記遮蔽膜の絶縁材料としてはガ
ラス或はSiO2 を含有する絶縁ペーストを用いること
が好ましく、上記隔壁の絶縁材料として上記遮蔽膜のそ
れと同一のものを用いてもよい。
【0023】また、第1電極をインジウム錫オキサイド
或はインジウム錫オキサイド及び低抵抗金属を材料とし
て形成し、第2電極をニッケル層或はニッケル層及びこ
のニッケル層を遮蔽するLaB6 層から構成することが
望ましい。また、ニッケル層の代わりにアルミニウム層
を使用することも可能である。
【0024】ここで、具体的には、第1電極について後
者の場合、インジウム錫オキサイドを材料として第1の
基板上に帯状電極を形成し、これら帯状電極の両側縁部
にCr,Al,Ag,Au等の低抵抗金属によりエッジ
を形成して上記第1電極とするものとする。また、第2
電極について後者の場合、ニッケルペーストによりニッ
ケル層を形成し、更にこのニッケル層を遮蔽するよう
に、粉末状のLaB6 を用いて電着メッキ法によりLa
6 層を形成して上記第2電極とするものとする。な
お、ニッケルペーストの代わりにアルミニウムペースト
を使用することも可能である。
【0025】さらに、上記電気光学材料層としてはネマ
チック液晶或はスメクチック液晶を含有した材料を用
い、イオン化可能なガスとしては少なくともNe,A
r,He,Xe,Krのうち何れか1つを含有したもの
を主に用いる。このとき、電気光学材料層として更に水
銀蒸気を含有させたものを用いてもよい。
【0026】
【作用】本発明に係る画像表示装置においては、各第1
電極の間隙と交差する領域の少なくとも第2電極上に絶
縁材料よりなる遮蔽膜が形成されているので、プラズマ
放電が発生して上記第2電極がイオン衝撃を受けた際
に、各第1電極の間隙と交差する領域の第2電極に電極
材料が飛着することが防止される。したがって、隣接す
る画素間の絶縁状態が保持され、隣接画素間における注
入電荷の平均化が抑止されることになる。
【0027】
【実施例】以下、本発明に係る画像表示装置のいくつか
の実施例を図面を参照しながら説明する。
【0028】先ず、第1実施例について述べる。この第
1実施例に係る画像表示装置は、放電プラズマを利用し
て電気光学材料である液晶を駆動し画像選択を行うもの
である。この画像表示装置は、図1に示すように、電気
光学材料層である液晶層11と、プラズマの放電がなさ
れる放電領域となるプラズマ室12とが、ガラス等から
なる薄い誘電体のマイクロシート13を介して隣接配置
されてなるものである。
【0029】上記プラズマ室12においては、ガラス基
板14上に互いに平行な帯状の導電材料よりなるプラズ
マ電極15が複数本等間隔をもって配され、各プラズマ
電極15の一端部にはこのプラズマ電極15に電圧を印
加するための端子(図示は省略する。)が交互に設けら
れている。
【0030】さらに、各プラズマ電極15上に当該プラ
ズマ電極15より幅狭の絶縁材料よりなる障壁16が形
成され、ガラス基板14とマイクロシート13との間が
上記各隔壁によって仕切られてプラズマ室12が形成さ
れ、これらプラズマ室12内にはイオン化可能なガスが
封入されている。そして、隣接する各プラズマ電極15
が各々カソード及びアノードとして機能し、したがって
各プラズマ室12内にそれぞれカソード及びアノードよ
りなる一対の電極が存在することになる。
【0031】上記マイクロシート13上には、液晶の配
向を整えるための配向層に挟持されたネマティック液晶
等からなる上記液晶層11がその周囲を液晶シールによ
り支持されて設けられている。そして、液晶シール及び
配向層を介したカラーフィルタの上部には透明基板21
が配されている。この透明基板21の下部、即ち液晶層
11側の表面とカラーフィルタ層との間またはカラーフ
ィルタ層と透明基板21の下部との間には複数の帯状の
透明電極22が互いに所定の間隙24をもって平行に形
成されている。これら透明電極22は、上記各プラズマ
電極15と直交しており、各プラズマ電極15との各交
差領域が各画素23に対応している。
【0032】そして特に、各プラズマ室12内におい
て、プラズマ電極15上、すなわち一対の電極であるア
ノード及びカソード上に絶縁材料よりなる遮蔽膜25が
形成されている。ここで、前記遮蔽膜25は、隣接する
透明電極22の間隙24と交差するプラズマ電極15上
に形成されており、したがって上記各画素23の存在す
る領域には遮蔽膜25は設けられていない。
【0033】上記画像表示装置においては、上記各端子
により、プラズマ放電が行われるプラズマ室12を順次
切り替え走査するとともに、液晶層11側の透明電極2
2にこれと同期して信号電圧を印加することによって該
信号電圧が各画素に保持され、液晶層11が駆動され
る。
【0034】したがって、各プラズマ室12がそれぞれ
1走査ラインに相当し、走査単位毎に放電領域が分割さ
れている。
【0035】画像表示装置の駆動回路は、図2に示すよ
うに、信号回路31、走査回路32、及び制御回路33
から構成されている。前記信号回路31には複数本の信
号電極D1乃至Dmがバッファを介して接続されてお
り、この信号回路31は透明電極22に対応している。
【0036】一方、上記走査回路32にはカソード電極
K1乃至Knが同様にバッファを介して接続されてお
り、さらにアノード電極A1乃至Anが接続されてい
る。ここで、カソード電極K1乃至Kn及びアノード電
極A1乃至Anは、プラズマ電極15のカソード及びア
ノードに対応している。
【0037】そして、上記制御回路33により、信号回
路31及び走査回路32が互いに同期を取るように制御
される。
【0038】カソード電極K1乃至Knは、走査回路3
2によって線順次で選択される。例えば、カソード電極
K1が選択された場合には、隣接するアノード電極A1
との間でプラズマ放電が発生して局在的な放電領域が形
成される。この放電領域が行走査単位を構成する。この
行走査単位がプラズマ室12に対応している。一方、前
記行走査単位に同期して各信号電極D1乃至Dmには所
定の駆動電圧が印加される。したがって、これら信号電
極D1乃至Dmが各々列走査単位を構成しており、列走
査単位と行走査単位との交差部に個々の画素23が規定
される。
【0039】図3に、隣接する2つの画素23を切り取
って示す。ここでは、理解を容易にするために2本の信
号電極D1,D2とそれぞれ1本のカソード電極K1,
アノード電極A1のみが示されている。個々の画素23
は、信号電極D1,D2と、液晶層34、マイクロシー
ト35、及びプラズマ放電領域とからなる積層構造を有
している。また、液晶層34及びマイクロシート35
は、各々上記液晶層11及び上記マイクロシート13に
対応している。
【0040】上記プラズマ放電領域は、プラズマ放電中
にはほぼ実質的にアノード電位に接続される。この状態
にて画素23に駆動電圧を印加すると、液晶層34及び
マイクロシート35に電荷が注入される。一方、プラズ
マ放電が終了するとプラズマ放電領域が絶縁状態に戻る
ため浮遊電位となり、注入された電荷は各画素23に保
持され、いわゆるサンプリングホールド動作が行われ
る。ここで、個々の画素23の間には信号電極D1,D
2が設けられていないためにプラズマ放電中においても
ほぼ絶縁状態となっており、画素23の独立性は維持さ
れている。したがって、プラズマ放電領域は個々の画素
23に設けられたサンプリングスイッチング素子として
機能するので、模式的にスイッチングシンボルS1を用
いて表されている。
【0041】一方、信号電極D1,D2と上記プラズマ
放電領域との間に狭持された液晶層34及びマイクロシ
ート35は、サンプリングキャパシタとして機能する。
線順次走査によりスイッチングシンボルS1が導通状態
となると駆動電圧がサンプリングキャパシタに保持さ
れ、駆動電圧レベルに応じて各画素23の点灯或は消灯
動作が行われる。スイッチングシンボルS1が非導通状
態となった後も駆動電圧はサンプリングキャパシタに保
持され上記画像表示装置のアクティブマトリクス動作が
行われる。
【0042】ところで、上記プラズマ電極15は、例え
ばスクリーン印刷法により形成することができる。すな
わち、印刷スクリーンを用いて、ニッケルペーストを材
料としてニッケル層をガラス基板14上に印刷すればよ
い。或はこのとき、印刷スクリーンを用いてニッケルペ
ーストを材料としてニッケル層をガラス基板14上に印
刷した後、更にこのニッケル層を遮蔽するように、粉末
状のLaB6 を用いて電着メッキ法によりLaB6 層を
形成してプラズマ電極15を形成してもよい。なお、上
記において、ニッケルペーストの代わりにアルミニウム
ペーストを用いても同様の作用が得られる。
【0043】そして、上記遮蔽膜25も同様にガラス或
はSiO2 を含有する絶縁ペーストを材料として所定の
印刷スクリーンを用いて印刷形成されたプラズマ電極1
5上に印刷することにより形成され、その後に上記隔壁
16も同様に例えば遮蔽膜25と同一の絶縁ペーストを
材料として所定の印刷スクリーンを用いて印刷形成され
たプラズマ電極15上に印刷することにより形成され
る。
【0044】本第1実施例の画像表示装置においては、
各透明電極22の間隙と交差する領域のプラズマ電極1
5上に絶縁材料よりなる遮蔽膜25が形成されているの
で、プラズマ放電が発生して上記プラズマ電極15がイ
オン衝撃を受けた際に、各透明電極22の間隙24と交
差する領域のプラズマ電極15に電極材料が飛着するこ
とが防止される。したがって、隣接する画素23間の絶
縁状態が保持されるために、例えば図4に示すように隣
接する画素23間において短絡が生じて抵抗体36で接
続された状態となる虞れがなく、隣接画素23間におけ
る注入電荷の平均化が抑止されることになる。
【0045】ここで、本第1実施例の変形例について説
明する。この変形例の画像表示装置は、上記実施例のそ
れとほぼ同様の構成を有するが、遮蔽膜25の形状が異
なる点で相違する。なお、上記第1実施例と対応する部
材等については同符号を記して説明を省略する。
【0046】この第1の変形例において、画像表示装置
は、図5に示すように、遮蔽膜25が、隣接する透明電
極22の間隙24と交差するプラズマ電極15上のみな
らず、上記間隙24と交差するガラス基板14上にもプ
ラズマ電極15上とともに一体形成されて構成されてい
る。
【0047】この場合においても、上記第1実施例と同
様に、各透明電極22の間隙と交差する領域のプラズマ
電極15上に絶縁材料よりなる遮蔽膜25が形成されて
いるので、プラズマ放電が発生して上記プラズマ電極1
5がイオン衝撃を受けた際に、各透明電極22の間隙2
4と交差する領域のプラズマ電極15に電極材料が飛着
することが防止される。したがって、隣接する画素23
間の絶縁状態が保持されるために、隣接画素23間にお
ける注入電荷の平均化が抑止されることになる。
【0048】さらに、上記変形例の画像表示装置は、上
記の如く各間隙24と交差するプラズマ電極15上及び
ガラス基板14上に遮蔽膜25が一体形成された構造を
有している。したがって、当該遮蔽膜25を形成する際
の位置合わせが極めて容易となる。すなわち、例えばス
クリーン印刷法によりプラズマ電極15及び遮蔽膜25
を印刷形成する際に、プラズマ電極15が印刷形成され
たガラス基板14と遮蔽膜25を印刷形成するための印
刷スクリーンとの位置合わせ精度にかなりの余裕を持た
せることが可能となる。
【0049】次に、本発明の第2実施例について説明す
る。この第2実施例の画像表示装置は、上記実施例のそ
れとほぼ同様の構成を有するが、上記遮蔽膜及び隔壁の
形状が異なる点で相違する。なお、上記第1実施例と対
応する部材等については同符号を記して説明を省略す
る。
【0050】すなわち、上記第2実施例に係る画像表示
装置は、図6に示すように、プラズマ電極15に、上記
隔壁16と同じ高さに遮蔽膜25が当該隔壁16と一体
形成されて遮蔽部41とされている。ここで、前記遮蔽
層41のうち遮蔽膜25に相当する箇所は、上記第1実
施例と同様に、隣接する透明電極22の間隙24と交差
するプラズマ電極15上に形成されている。
【0051】この場合においても、上記第1実施例と同
様に、各透明電極22の間隙と交差する領域のプラズマ
電極15上に絶縁材料よりなる遮蔽部41が形成されて
いるので、プラズマ放電が発生して上記プラズマ電極1
5がイオン衝撃を受けた際に、各透明電極22の間隙2
4と交差する領域のプラズマ電極15に電極材料が飛着
することが防止される。したがって、隣接する画素23
間の絶縁状態が保持されるために、隣接画素23間にお
ける注入電荷の平均化が抑止されることになる。
【0052】さらに、上記第2実施例の画像表示装置
は、上記の如く当該遮蔽部41が隔壁16と一体形成さ
れた構造を有している。したがって、例えばスクリーン
印刷法により印刷形成する際に、ガラス基板14上にプ
ラズマ電極15を印刷形成した後に、当該プラズマ電極
15上に、1枚の印刷スクリーンにより遮蔽部41と隔
壁16とを同時に印刷形成することになる。すなわち、
上記第1実施例の場合と比較して使用する印刷スクリー
ン数が1枚少なくて済むことになり、製造工程数の削減
が可能となる。
【0053】以上、本発明を適用した具体的な実施例に
ついて説明したが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内にお
いて、材質、形状、寸法等を任意に設定することが可能
である。
【0054】また、その作製方法について、上記実施例
においてはスクリーン印刷法を用いたが、この方法に限
定されるわけではない。例えば、ガラス基板14上に形
成されたプラズマ電極15上に、Si02 等の絶縁材料
をスパッタ法或は真空蒸着法により、当該プラズマ電極
を遮蔽するように形成した後、エッチングによってプラ
ズマ電極15の必要部分を露出させて遮蔽膜及び隔壁を
形成する、いわゆるフォトリソ技術による方法を用いる
ことも可能である。
【0055】
【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明に
よれば、動作寿命が長く、しかも作製が容易な画像表示
装置を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例の画像表示装置を一部破断して模式
的に示す斜視図である。
【図2】画像表示装置の駆動回路の一例を模式的に示す
ブロック図である。
【図3】画像表示装置の隣接する2つの画素を模式的に
示す線図である。
【図4】イオン衝撃によって飛散した電極材料によっ
て、画像表示装置の隣接する2つの画素間に短絡が生じ
た様子を模式的に示す線図である。
【図5】第1実施例の変形例の画像表示装置を一部破断
して模式的に示す斜視図である。
【図6】第2実施例の画像表示装置を一部破断して模式
的に示す斜視図である。
【図7】従来の画像表示装置の一例を一部破断して模式
的に示す斜視図である。
【図8】従来の画像表示装置の他の例を一部破断して模
式的に示す斜視図である。
【符号の説明】
11 液晶層 12 プラズマ室 13 マイクロシート 14 ガラス基板 15 プラズマ電極 16 障壁 21 透明基板 22 透明電極 23 画素 24 間隙 25 遮蔽膜 41 遮蔽部

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一主面上に互いに略々平行な複数の第1
    電極を有する第1の基板と、一主面上に前記第1電極と
    略々直交し且つ互いに略々平行な複数の第2電極を有す
    る第2の基板とを備え、これら第1の基板と第2の基板
    が第1電極と第2電極が対向する如く互いに略々平行に
    配置されるとともに、 上記第1の基板の第1電極と接するように電気光学材料
    層が間挿されるとともに、この電気光学材料層と上記第
    2の基板間にイオン化可能なガスが封入されて放電領域
    とされてなり、 上記第2電極のうち少なくとも各第1電極の間隙と交差
    する領域上に絶縁材料よりなる遮蔽膜が形成されてなる
    ことを特徴とする画像表示装置。
  2. 【請求項2】 各第2電極上に絶縁材料よりなる隔壁が
    形成され、各第2電極がそれぞれ交互にカソード,アノ
    ードとして機能することを特徴とする請求項1記載の画
    像表示装置。
  3. 【請求項3】 各第1電極の間隙と交差する部分の第2
    の基板上に絶縁材料よりなる遮蔽膜が形成されてなるこ
    とを特徴とする請求項1記載の画像表示装置。
  4. 【請求項4】 各第2電極上に、隔壁と遮蔽膜とが一体
    形成されていることを特徴とする請求項2記載の画像表
    示装置。
  5. 【請求項5】 第1電極及び当該第1電極の反対側にお
    いて電気光学材料層と接するように高分子材料よりなる
    誘電体膜が配されていることを特徴とする請求項1記載
    の画像表示装置。
  6. 【請求項6】 遮蔽膜の絶縁材料がガラス或はSiO2
    であることを特徴とする請求項1記載の画像表示装置。
  7. 【請求項7】 隔壁の絶縁材料が遮蔽膜のそれと同一で
    あることを特徴とする請求項2記載の画像表示装置。
  8. 【請求項8】 第1電極がインジウム錫オキサイド或は
    インジウム錫オキサイド及び低抵抗金属よりなることを
    特徴とする請求項1記載の画像表示装置。
  9. 【請求項9】 第2電極がニッケル層或はニッケル層及
    びこのニッケル層を遮蔽するLaB6 層よりなることを
    特徴とする請求項1記載の画像表示装置。
  10. 【請求項10】 第2電極がアルミニウム層或はアルミ
    ニウム層及びこのアルミニウム層を遮蔽するLaB6
    よりなることを特徴とする請求項1記載の画像表示装
    置。
  11. 【請求項11】 電気光学材料層がネマチック液晶を含
    有することを特徴とする請求項1記載の画像表示装置。
  12. 【請求項12】 電気光学材料層がスメクチック液晶を
    含有することを特徴とする請求項1記載の画像表示装
    置。
  13. 【請求項13】 イオン化可能なガスが少なくともN
    e,Ar,He,Xe,Krのうちの1種を含有してな
    ることを特徴とする請求項1記載の画像表示装置。
  14. 【請求項14】 イオン化可能なガスとともに水銀蒸気
    が封入されることを特徴とする請求項13記載の画像表
    示装置。
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