KR100259929B1 - 플라즈마어드레싱전광장치 및 어드레싱구조 - Google Patents

Abstract

본 발명의 플라즈마어드레싱전광장치는 주표면상에 상호 대체로 나란하게 배열된 다수의 제 1 전극을 갖춘 제1 기판, 상기 제1 기판과 대면하고 그 주표면상에 상호 대체로 나란하게 배치된 다수의 제2 전극을 갖춘 제2 기판, 상기 제1 및 제2 기판 사이에 위치된 전광재료층, 상기 전광재료층과 제2 기판 사이에 형성되고 이온화 가능한 가스를 수용하는 방전챔버로 구성되고, 상기 제2 전극은 상부에 주기적으로 형성된 다수의 장벽리브를 갖추고, 상기 제1 및 제2 전극은 각각 수직 및 수평방향에서 이격되도록 배열된 것을 특징으로 한다. 각 장벽리브는 제2 전극과 동일한 폭을 가지고, 각 전극의 폭은 상기 장벽리브와 동일하게 감소될 수 있으므로, 장치의 선명도 및 인쇄도가 향상될 수 있다.

Description

플라즈마어드레싱전광장치 및 어드레싱구조

제1도는 본 발명의 플라즈마어드레싱전광장치를 행방향을 따라 나타낸 일실시예의 대표적인 단면도.

제2도는 제1도의 실시예를 열방향을 따라 나타낸 단면도.

제3도는 제1도의 실시예에 채용된 하부기판의 부분절단평면도.

제4도는 제3도에 도시된 패턴의 변형예의 부분절단평면도.

제5도는 본 발명의 플라즈마어드레싱전광장치에 채용된 구동회로의 블록도.

제6도는 본 발명의 플라즈마어드레싱전광장치의 동작을 설명하기 위한 대표적인 도면.

제7도는 종래 플라즈마어드레싱전광장치의 사시도.

제8도는 본 출원인에 의한 선출원에 개시된 플라즈마어드레싱전광장치의 단면도.

제9도는 제8도에 도시된 장치의 하부기판 패턴의 평면도.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

1 : 액정셀 2 : 플라즈마셀

3 : 중간시트 4 : 제1 기판

5 : 스페이서 7 : 제2 기판

본 발명은 플라즈마셀과 액정셀과 같은 전광셀로 이루어진 2층구조의 플라즈마어드레싱전광장치 및 어드레싱구조에 관한 것으로, 특히 방전챔버로서 작용하는 플라즈마셀내에 배치된 장벽리브(barrier rib)의 구조에 관한 것이다.

광전셀로서 액정셀을 사용하는 액정표시장치와 같은 매트릭스형 전광장치에 있어서, 현재까지는 통상 해상도와 콘트라스트를 향상시키기 위한 수단은 각 화소에 대응적으로 배치된 박막트랜지스터와 같은 스위칭소자를 라인순차구동하는 액티브매트릭스 어드레싱시스템에 의해 실현되는 것이 알려져 있다. 그러나, 이러한 시스템에서는 기판상에 박막트랜지스터와 같은 다수의 반도체소자를 제공하는 것이 필요하고, 그에 따라 장치를 큰 면적을 갖도록 설계하면 제조생산율이 저감된다는 불리함이 있다. 상기한 종래 기술의 결점을 해결하기 위한 수단에 관해 버자크(Buzak)등은 일본국 특개평 1 (1989)-217396호에 대응하는 미합중국특허 제4,896,149호와 제5,077,553호에 소개된 바와 같이 박막트랜지스터등으로 구성된 스위칭소자 대신에 플라즈마스위치를 사용하는 시스템이 제안되었다. 이하, 플라즈마방전에 따라 스위치를 사용하여 액정셀을 구동하는 플라즈마어드레싱 표시장치의 구성에 대해 간단하게 설명한다. 제7도에 도시된 바와 같이, 이 장치는 액정셀(101), 플라즈마셀(102), 이들 셀(101, 102)사이에 개재된 공통중간시트(103)로 구성된 적층평판구조를 갖는다. 상기 플라즈마셀(102)은 글래스기판(104)을 사용하여 형성되고, 그 플라즈마셀(102)의 표면내에는 다수의 평행채널(105)이 형성된다. 상기 채널(105)은 예를 들어 행방향에서 매트릭스어레이로 연장되고, 상기 중간시트(103)에 의해 각기 분리되어 플라즈마챔버(106)를 형성하는 형태로 밀폐(seal)되고, 이와 같이 밀폐된 플라즈마챔버(106)에는 이온성 가스가 충전된다. 상호 인접한 채널(105)사이에 배치된 리지(ridge)(107)는 각 플라즈마챔버(106)를 구획하는 장벽리브로 작용하면서 상기 플라즈마챔버(106)용 간극스페이서로서도 작용하게 된다. 1쌍의 상호 나란한 플라즈마전극(108, 109)이 각 채널(105)의 하부에 설치된다. 각 쌍의 전극은 애노드와 캐소드로 기능하여 상기 플라즈마챔버(106)의 간극을 이온화함으로써 방전플라즈마를 발생하게 된다.

그러한 방전영역은 행주사장치를 구성하게 된다.

한편, 액정셀(101)은 투명기판(110)의 사용에 의해 구성된다. 상기 투명기판(110)은 상기 중간시트(103)와의 사이에 형성된 소정간극을 통해 상기 중간시트(103)와 대면하여 배치되고, 상기 간극에는 액정층(111)이 형성된다. 상기 투명기판(110)의 내면상에는 투명한 도전성 재료로 구성된 신호전극(112)이 형성된다. 상기 신호전극(112)은 상기 플라즈마챔버(106)와 직교하여 열구동장치를 구성하게 된다. 상기 열구동장치와 행주사장치의 교점에는 화소가 매트릭스형태로 형성된다.

상기한 구성의 표시장치에서, 플라즈마방전의 발생을 위한 플라즈마챔버(106)는 라인 순차적으로 전환 및 주사되는 반면, 상기 액정셀의 표면상에서의 신호전극(112)에는 상기한 주사와 동기적으로 아날로그구동전압이 인가되어 표시구동이 수행된다. 상기 플라즈마 챔버(106)에서 플라즈마방전의 발생에 의해 그 내측은 대체로 균일한 애노드전위로 전환되고 화소전극이 행별로 선택된다. 즉, 플라즈마챔버(106)는 샘플링스위치로서 가능하게 된다. 플라즈마샘플링스위치의 온 상태에서 구동전압이 화소전극에 인가되면, 샘플-홀드동작이 수행되어 각 화소전극이 턴온 또는 턴오프제어될 수 있다. 플라즈마샘플링스위치가 턴오프된 후에도 계속 화소전극에는 아날로그구동전압이 유지된다.

상기와 같이 방전플라즈마를 사용하는 전광장치에 있어서는, 반도체소자를 채용하는 어떠한 장치에 비해 보다 큰 유효면적이 용이하게 실현될 수 있지만, 아직은 실용을 위해 미해결된 여러가지 문제가 남아 있다. 예를 들어, 글래스재료기판(104)상에 플라즈마챔버(106)를 형성하기 위한 채널(105)의 제공에 의해 제조시 고려해야 할 어려움이 초래되고, 특히 채널(105)을 고밀도로 형성하는 것은 극히 어렵다. 또, 채널(105)에 방전 플라즈마전극(108, 109)을 형성하기 위한 에칭처리가 복잡하고, 각 전극(108, 109)쌍 사이의 공간에 대해 고정밀을 확보하는 것도 어려운 점이다.

본 발명의 목적은 각 플라즈마전극상에 이격된 불연속적인 장벽리브를 주기적으로 형성함으로써 각 플라즈마전극의 폭이 단축될 수 있도록 한 개량된 구조를 가지는 플라즈마어드레싱전광장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 양태에 따르면, 주표면상에 상호 대체로 나란하게 배열된 다수의 제1 전극을 갖춘 제1 기판, 상기 제1 기판과 대면하고 그 주표면상에 상호 대체로 나란하게 배치된 다수의 제2 전극을 갖춘 제2 기판, 상기 제1 및 제2 기판 사이에 위치된 전광재료층, 상기 전광재료층과 제2 기판 사이에 형성되고 이온화 가능한 가스를 수용하는 방전챔버로 구성되고, 상기 제2 전극은 상부에 주기적으로 형성된 다수의 장벽리브를 갖추고, 상기 제1 및 제2 전극은 각각 수직 및 수평방향에서 이격되도록 배열된 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레싱 전광장치를 제공한다. 방전챔버는 플라즈마셀 또는 플라즈마챔버로 칭해진다. 본 장치에서 각 장벽리브는 폭이 대체로 제2 전극과 동일하고, 인접한 제2 전극상에 배치된 장벽리브는 열방향으로 연장된 스트라이프(stripe)패턴을 갖는다.

본 발명의 다른 양태에 따르면, 각각 상부에 주기적으로 다수의 장벽리브가 배치된 다수의 전극을 주표면상에 갖춘 기판, 상기 기판과 대면하는 유전재료층, 상기 기판과 유전재료층 사이에 충전되는 이온화 가능한 가스질 매체로 구성된 것을 특징으로 하는 어드레싱구조를 제공한다. 이 구조에서, 상기 장벽리브는 상깅전재료층과 접촉되는 상단부를 갖추고, 상기 제2 전극과 장벽리브는 인쇄공정에 의해 형성된다.

본 발명의 플라즈마어드레싱전광장치에 있어서, 상기 장벽리브는 상기 플라즈마전극을 따라 불연속적으로 형성되는 한편 상호 주기적으로 이격되어 상기 플라즈마전극이 공간부내에 배치되도록 한다. 플라즈마방전은 상호 인접한 플라즈마전극사이, 즉 애노드와 캐소드사이에서 노출된 부분으로부터 발생된다. 상기 노출부의 간격이 국부적으로 형성되는 플라즈마전극영역의 간격보다 작게 설정되면, 플라즈마방전영역은 배열되는 전극을 따라 균등하게 연속되어 행별의 플라즈마어드레싱이 행해진다. 그러므로 종래와는 달리 전극폭을 장벽리브폭보다 크게 설정해야할 필요성이 제거될 수 있다. 즉, 각 전극의 폭은 장벽리브의 폭과 동일한 정도로 단축시킬 수 있으므로 선명도와 미세도가 향상될 수 있다.

본 발명의 상기 및 다른 특성과 이점은 예시적인 첨부도면을 참조하여 이루어지는 이하의 설명으로부터 명백해지게 될 것이다.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.

제8도와 제9도를 참조하는 이하의 설명은 발명의 배경을 위해 1992년 2월 20일자로 출원된 미합중국 특허출원 제837,961호(이하, 미국특허출원 961호라 함)로 부터 유도된다.

제8도는 인쇄공정에 의해 제조된 플라즈마어드레싱 전광장치의 단면도로서, 이 전광장치는 본 출원의 양수인에게 양수되고 일본국 특원평 3(1991)-47784호에 대응하는 미국특허출원 961호에 개시되어 있다. 이 장치는 주표면상에 다수의 상호 나란한 신호전극(201)을 갖춘 제1 기판(202)과, 상기 신호전극(201)에 직교하면서 대체로 상호 나란한 다수의 플라즈마전극(203)이 주표면상에 갖추어진 제2 기판(204)으로 구성된다. 상기 기판쌍은 상기 신호전극(201)과 플라즈마전극(203)이 상호 대면하도록 상호 나란하게 배치된다. 상기 상부기판(202)과 하부기판(204)의 각 내면사이에는 전광재료층(205)이 개재되고, 상기 전광재료층(205)은 유전재료로 이루어진 중간시트(206)에 의해 하부기판(204)과 분리된다. 상기 중간시트(206)와 하부기판(204)사이의 공간에는 이온성 가스가 밀폐적으로 충전되어, 인쇄공정에 의해 형성되는 장벽리브(207)에 의해 분할되는 방전영역을 형성함에 따라, 상기 장벽리브(207)는 상기 중간시트(206)를 지지하면서 상기 전광재료층(205)을 이온성가스로부터 분리하게 된다. 그러므로, 이 장치에서 상기 전광재료층(205)과, 중간시트(206)는 상기 하부기판(204)과 상부기판(202)의 각 내면사이에 위치된다. 상기 인쇄공정은 극히 간단한 기술이므로, 채널형성기술에 비해 생산성과 동작의 용이함이 현저히 향상된다. 또, 플라즈마전극이 평탄한 기판상에 형성되는 구조이므로 에칭공정이 단순화되고, 그에 따라 전극간 간격의 제어가 용이하게 되므로, 대형스크린과 보다 높은 선명도를 위해 채용되는 개량된 플라즈마어드레싱전광장치의 간단한 제조가 실현가능하게 된다. 제9도는 상기 플라즈마전극(203)과 장벽리브(207)를 포함한 하부기판(204)의 평면도이다. 상기 장벽리브(207)가 플라즈마전극(203)상에 형성된 구조에서는 각 장벽리브의 폭을 플라즈마전극의 폭보다 작은 값으로 설정하고 상기 장벽리브와 전극의 각 중심선사이의 정확한 위치일치를 확보하는 것이 필요하게 된다. 만일 그러한 조건이 만족되지 않으면, 플라즈마방전의 발생이 불안정하게 되어 필요한 동작특성의 확보가 불가능하게 된다. 그러므로, 스크린인쇄공정에 의해 플라즈마전극과 장벽리브를 형성하는 경우, 미세도는 각 장벽리브의 폭에 의해 결정된다. 전극이 형성된 부분에서는 플라즈마셀을 통과하는 입사광을 차단하게 된다. 따라서, 전광장치의 선명도와 미세도를 더욱 증대시키기 위해 전극폭을 감소시키는 것이 더욱 유리하다. 전극폭이 충분하게 감소될 수 있다면, 전체표시면적에 대한 전극면적의 비가 비교적 커지게 되어 결국 수치상의 구경이 증대된다.

본 발명은 이격된 불연속적인 장벽리브를 각 플라즈마전극상에 일정한 간격으로 주기적으로 형성함으로써 플라즈마전극의 폭을 저감시키도록 설계된 개량된 장벽리브를 갖는다.

제1도는 행방향, 즉 플라즈마전극어레이를 따라 취한 본 발명의 플라즈마어드레싱표시장치를 나타낸 제1 실시예의 대표적인 단면도이다. 이 표시장치는 액정셀(1), 플라즈마셀(방전챔버)(2) 및, 이들 셀(1, 2)사이에 개재되어 플라즈마셀(2)용 분리장벽으로 작용하는 유전재료의 공통중간시트(3)의 적층구조를 갖는다. 상기 액정셀(1)은 제1 글래스기판(4)으로 구성되고, 각각 투명도전막으로 이루어져 신호전극(D)으로 작용하는 다수의 제1 전극(D)이 상기 제1 기판(4)의 내부주변상에 상호 나란하게 형성된다. 상기 기판(4)은 스페이서(5)에 의해 소정간극을 통해 중간시트(3)에 결합된다. 상기 간극은 전광재료로 이루어진 액정층(6)으로 충전된다. 본 실시예에서는 액상전광재료가 사용되지만, 그 재료는 액상으로 한정되지 않고 전광결정시트등도 사용될 수 있고, 이 경우 상기 중간시트(3)는 제거될 수 있다. 또, 본 발명은 본 실시예에 따른 플라즈마어드레싱표시장치로 한정되지 않고, 광학변조기등을 포함한 각종 플라즈마어드레싱전광장치에 폭넓게 적용될 수 있다.

한편, 상기 플라즈마셀(2)은 제2 글래스기판(7)으로 구성되고, 상기 기판(7)의 내부주면상에는 제2 전극 또는 플라즈마전극(8)이 신호전극(D)과 직교하는 형태로 형성된다. 상기 플라즈마전극(8)상에는 장벽리브(9)가 행방향으로 형성된다. 상기 장벽리브(9)는 소정공간(10)을 가지고 주기적으로 배열되어 불연속적인 구조를 이루게 되고, 상기 공간(10)내에는 플라즈마전극(8)이 부분적으로 누출된다. 상기 각 장벽리브(9)의 상부단은 중간시트(3)와 접촉되어 스페이서로서도 작용하게 된다.

제2도는 제1 실시예에서 상기 신호전극을 열방향으로 취한 단면도로서, 상기한 바와 같이, 상기 제2 기판의 내부주면상에는 소정간격으로 다수의 플라즈마전극(8)이 형성되는 바, 각 플라즈마전극(8)은 애노드(A)와 캐소드(K)로서 교대로 가능하게 된다. 상기 플라즈마전극(8)은 신호전극(8)과 교차되도록 배치된다. 상기 장벽리브(9)는 각 플라즈마전극(8)과 위치적으로 일치되게 설치된다. 각 장벽리브(9)의 폭은 플라즈마전극(8)의 폭과 대체로 동일하다. 즉, 플라즈마전극(8)의 폭은 상기 장벽리브(9)의 폭과 동일하도록 감소될 수 있고, 그에 따라 플라즈마전극(8)의 표면은 장벽리브(9)의 불연속적인 구조에 의해 부분적으로 노출된다. 상기 제2 기판(7)은 시일부재(11)의 사용에 의해 중간시트(3)에 결합되고, 그 사이에는 플라즈마챔버(12)가 밀봉적으로 형성된다. 상기 플라즈마챔버(12)는 불연속장벽리브(9)에 의해 각각 행주사장치로 작용하는 방전영역으로 구획된다. 상기 방전영역들은 장벽리브(9)사이의 공간을 통해 상호 연통되어 개방셀구조를 구성하게 된다. 밀봉플라즈마챔버는 예를 들어 헬륨, 네온, 아르곤 및 그 혼합물에서 선택된 이온성가스로 충전된다.

제3도는 하부글래스기판(7)의 평면도로서, 본 실시예의 보다 양호한 이해를 도모할 목적으로, 상부글래스기판(4)의 윤곽이 점선으로 표시되어 있다. 상기한 바와 같이 상기 기판(7)의 표면상에는 다수의 플라즈마전극(8)이 행 방향을 따라 연장된다. 각 전극(8)은 니켈 또는 은을 함유하는 인쇄글래스페이스트를 소성하기 위한 스크린인쇄공정에 의해 얻어지는 후막전극구조를 갖는다. 불연속구조를 갖는 장벽리브(9)는 플라즈마전극(8)상에 주기적으로 중첩된다. 상기 장벽리브(9)도 인쇄블랙글래스페이스트등을 소성하기 위한 스크린인쇄공정에 의해 형성된다. 상기 불연속장벽리브(9)사이의 공간(10)에는 플라즈마전극(8)이 노출된다. 상기 장벽리브(9)의 폭이 예를 들어 스크린인쇄공정에 의해 최대패턴정밀도를 얻을 수 있는 80미크론으로 감소되면, 플라즈마전극(8)의 폭도 최대패턴정밀도로 감소될 수 있다.

애노드전극과 캐소드전극으로 작용하는 상호 인접한 플라즈마전극(8)에 전압이 가해지면, 전극의 노출부사이에서 플라즈마방전이 발생된다. 그러므로, 상기 노출부사이의 간격이 플라즈마확장보다 작게 설정되면, 플라즈마는 행방향에서 대체로 연속적으로 되어, 균일한 플라즈마방전영역이 얻어질 수 있다.

제4도는 제3도에 도시된 실시예의 변형예로서, 이해의 용이함을 위해 동일한 구성소자는 동일한 참조부호로 표시된다. 본 실시예는 각 장벽리브(9)사이의 공간(10)이 열방향으로 정확하게 정합된 제3도의 실시예에 대해, 제4도의 변형예의 공간(10)이 열방향에서 행별로 천이된 점이 다르다.

그러한 구성에서도, 1쌍의 플라즈마전극에서의 최단 간격노출부분사이에서 플라즈마방전이 발생된다. 2개의 상호 최근접노출부가 존재하는 본 실시예에서, 플라즈마방전영역은 넓어지게 되지만, 노출부의 2지점간의 간격은 제3도의 예에 비해 길어지므로 구동전압의 증가, 적절한 종류의 충전가스의 선정 또는 그 압력의 조절에 의해 적절한 조정을 가할 필요가 있다.

이하에는 본 발명을 보다 분명하게 하기 위해 이론적인 설명을 하기로 한다. 제8도와 제9도에 도시된 미국특허출원 961호의 구조에서, 상기 전극상의 장벽리브는 최소한 유효표시면적내에서 상호 연속적으로 형성되지만, 플라즈마상태는 캐소드와 애노드사이의 직선상에 발생되지 않고 플라즈마가스의 압력에 관해 한정적으로 확장된다. 가스압력이 낮을 수록, 충돌가능성이 저하되어 플라즈마영역이 넓어지게 되는 것이 이론적으로 확인된다. 그러므로, 행방향을 따르는 스트라이프형상 플라즈마영역의 형성시, 특허출원 961호에 개시된 바와 같이 스트라이프형상패턴에 전극표면을 노출시키는 것이 불필요하게 된다. 그러나, 이는 직류플라즈마의 경우로만 한정된다. 전극의 노출부가 플라즈마확장을 고려하여 간헐적으로 형성된 제3도 또는 제4도의 본 발명의 구조에서, 스트라이프형상 플라즈마영역을 형성하는 것이 가능하게 된다. 제3도와 제4도의 예에서는 캐소드와 애노드의 노출부 사이의 간격이 다르므로, 플라즈마가스압력을 조절하여 안정한 플라즈마를 발생하는 것이 필요하게 된다.

따라서, 전극의 노출부가 상호 연속적으로 될 필요가 없으므로, 각 전극의 폭은 필요조건을 충족시키도록 장벽리브와 동등하게 설정할 수 있어 초미세전극패턴의 형성이 가능하여 향상된 표시해상도를 실현할 수 있다.

플라즈마어드레싱표시장치에 있어서, 통상의 액정표시장치에서처럼 그 패널을 통해 전달되는 광의 강도는 전광수단에 의해 변화되어 충분한 가시적 표현이 실행된다. 따라서, 입사광의 이용효율을 더욱 향상시키기 위해 차광효과를 갖는 비투명전극의 면적비를 최소화 할 필요가 있다. 또, 전극은 가능한한 얇게 하는 것이 필요하다. 그러나, 각 전극이 그 전체길이에 걸쳐 노출되는 상기 미국특허출원 961호의 구조에서는 장벽리브의 폭은 세선패턴형성시 하나의 제한요인으로 되고, 입사광을 차단하는 전극에 대해서는 스크린인쇄공정에 의한 세선패턴형성기술을 최대한으로 이용하는 것이 고려되지 않는다. 기술적으로, 실현가능한 최대정밀도는 예를 들어 80미크론이다. 상기한 결점에 비추어, 본 발명은 전극의 노출부가 일정하게 조절된 간격으로 형성된 신규한 구조를 갖는다. 이 구조에서, 세선패턴의 제한적인 폭은 전극과 장벽리브에 대해 공통적이므로 결국 세선패턴형성기술의 한계에 대한 광차단면적비가 최소로 되어 종래의 값에 비해 광이용효율이 증대된다. 따라서, 보다 높은 표시선명도의 달성이 가능하게 된다.

마지막으로, 제5도를 참조하여 플라즈마어드레싱표시장치의 동작에 대해 간단하게 설명한다. 제5도는 표시장치에 채용된 예시적인 구동회로를 나타낸다. 상기 구동회로는 신호회로(21), 주사회로(22) 및 제어회로(23)로 구성된다. 상기 신호회로(21)에는 버퍼를 통해 신호전극(D1∼Dm)이 접속된다. 한편, 상기 주사회로(22)에는 상기와 마찬가지로 버퍼를 통해 캐소드전극(K1∼Kn)이 접속되고, 애노드전극(A1∼An)은 공통접지된다.

상기 캐소드전극은 주사회로(22)에 의해 라인순차적으로 주사되고, 신호전극(21)은 상기 라인순차주사와 동기적으로 신호전극에 아날로그구동전압을 공급하게 된다. 상기 제어회로(23)는 상기 신호회로(21)와 주사회로(22)의 동기화를 제어하게 된다. 플라즈마전극영역이 각각 캐소드전극을 따라 형성되어 행주사장치로서 작용하게 되는 한편, 상기 신호전극은 열구동장치로 작용하게 된다. 상기 행 및 열주사장치사이에는 화소(24)가 형성된다.

상기 애노드는 공통접지이므로, 화소(24)는 각 캐소드의 양측상에 위치된 애노드사이에 형성된다. 구동장치는 상기한 예로만 한정되지 않고, 애노드는 개별적 또는 별개로 구동될 수 있다.

제6도는 제5도에서 발췌한 2개의 화소(24)를 나타내는 대표적인 도면으로, 각 화소(24)는 신호전극(D1)(D2)과 중간시트(3)에 의해 유지되는 액정층(6)으로 이루어지는 샘플링캐패시터와 그에 직렬접속된 플라즈마샘플링스위치(S1)로 구성된다. 도면에서 플라즈마샘플링스위치(S1)는 방전영역의 기능을 등가적으로 나타낸다. 즉, 방전영역이 활성화되는 경우 그 내측은 전체적으로 애노드전위에 접속된다. 플라즈마방전의 종료시 방전영역은 부동전위로 전환된다. 각 화소의 샘플링캐패시터에는 샘플링스위치(S1)를 통해 아날로그구동전압이 기입되어 샘플-홀드동작이 수행된다. 따라서, 화소(24)의 순서적인 턴온 또는 턴오프가 아날로그구동전압의 레벨에 따라 제어될 수 있다.

상기한 바와 같이, 본 발명은 전극표면이 일정한 간격으로 공간을 가지고 부분노출되므로 장벽리브가 각 플라즈마전극상에 상호 불연속으로 형성되는 신규한 구조를 가지게 되고, 그러한 구조에 의해 각 전극의 폭이 장벽리브와 동일한 정도로 감소될 수 있어 스크린인쇄공정에 의해 실현가능한 최대 패터닝정밀도와 더불어 향상된 미세도가 실현된다. 따라서, 입사광을 차단하는 부분의 치수가 감소되어 전광장치의 고해상도에 대한 현저한 기여효과가 달성된다.

Claims (15)

1. 주표면상에 상호 대체로 나란하게 배열된 다수의 제1 전극을 갖춘 제1 기판, 상기 제1 기판과 대면하고 그 주표면상에 상호 대체로 나란하게 배치된 다수의 제2 전극을 갖춘 제2 기판, 상기 제1 및 제2 기판 사이에 위치된 전광재료층, 상기 전광재료층과 제2 기판 사이에 형성되고 이온화 가능한 가스를 수용하는 방전챔버로 구성되고, 상기 제2 전극은 상부에 주기적으로 형성된 다수의 장벽리브를 갖추고, 상기 제1 및 제2 전극은 각각 수직 및 수평방향에서 이격되도록 배열된 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레싱전광장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 각 장벽리브는 상기 제2 전극과 동일한 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레싱전광장치.
3. 제1항에 있어서, 인접한 제2 전극상에 배치된 상기 장벽리브는 열방향으로 연장되는 스트라이프패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레싱전광장치.
4. 제1항에 있어서, 인접한 제2 전극상에 배치된 상기 장벽리브는 행방향에서 각 열마다 천이된 스트라이프패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레싱전광장치.
5. 제1항에 있어서, 상기 전광재료층은 액정층인 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레싱전광장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 인쇄공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레싱전광장치.
7. 제6항에 있어서, 상기 인쇄공정은 스크린인쇄인 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레싱전광장치.
8. 제6항에 있어서, 상기 장벽리브는 인쇄공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레싱전광장치.
9. 제8항에 있어서, 상기 인쇄공정은 스크린인쇄인 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레싱 전광장치.
10. 제1항에 있어서, 상기 전광재료층과 이온화 가능한 가스 사이의 분리장벽을 형성하도록 상기 전광재료층과 방전챔버 사이에 유전재료의 중간시트가 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레싱전광장치.
11. 제10항에 있어서, 상기 장벽리브는 상기 중간시트와 접촉하는 상부단을 갖춘 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레싱전광장치.
12. 각각 상부에 주기적으로 다수의 장벽리브가 배치된 다수의 전극을 주표면상에 갖춘 기판, 상기 기판과 대면하는 유전재료층, 상기 기판과 유전재료층 사이에 충전되는 이온화 가능한 가스질 매체로 구성된 것을 특징으로 하는 어드레싱구조.
13. 제12항에 있어서, 상기 장벽리브는 상기 유전층재료층과 접촉되는 상부단을 갖춘 것을 특징으로 하는 어드레싱구조.
14. 제12항에 있어서, 상기 제2 전극은 인쇄공정에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 어드레싱구조.
15. 제14항에 있어서, 상기 장벽리브는 인쇄공정에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 어드레싱구조.