KR100318022B1 - 방전셀및그제조방법 - Google Patents

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Abstract

방전 셀의 방전 전극 표면 상태에 기인하는 방전 불량을 억제한다.
방전 셀(2)은 한쪽의 기판(8), 그 표면에 인쇄·소성된 방전 전극(9), 이 한 쪽의 기판(8)에 대해 소정의 공간(11)을 통해 접합된 다른 쪽의 기판(3), 이 공간(11)에 채워진 이온화 가능한 기체로 이루어져 있다. 방전 전극(9)은 절연물이 제거된 청정한 표면을 가지는 동시에, 면 방향 및 깊이 방향에 걸쳐서 균일한 조성을 가진다. 양 기판(3, 8)의 사이에 배리어 리브(10)가 개재되어 있으며, 방전 전극(9)의 일부와 겹치도록 인쇄· 소성되어 있다. 그리고 배리어 리브(10)에 의해 피복되어 있지 않은 방전 전극(9)의 노출된 부분에서 플라스마 방전을 방해하는 절연물이 제거되어 있다.

Description

방전 셀 및 그 제조 방법
본 발명은 플라스마 어드레스 액정 표시 장치 등에 내장되는 방전 셀에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 방전 전극의 표면 처리 방법에 관한 것이다.
방전 셀을 액정 셀의 어드레싱에 이용하는 플라스마 어드레스 액정표시 장치가 알려져 있으며, 예를 들면 일본국 특개평 1(1989)-217396호 공보에 공개되어 있다. 제4도에 나타낸 바와 같이, 이 플라스마 어드레스 액정 표시 장치는 액정 셀(101)과 방전 셀(102) 및 양자의 사이에 끼어 있는 공통의 중간 기판(103)으로 이루어지는 적층 평판 구조를 가지고 있다. 방전 셀(102)은 유리 기판(104)으로 이루어져 있으며, 그 표면에 스트라이프형의 홈(105)이 형성되어 있다. 이 홈(105)은 예를 들면 행렬의 행 방향으로 뻗어 있다. 각 홈(105)은 중간 기판(103)으로 밀봉되어 있으며 각각 분리된 공간(106)을 이루고 있다. 이 밀봉된 공간(106)에는 이온화 가능한 기체가 채워져 있다. 서로 인접하는 홈(105)의 사이에 위치한 리브(107)는 각 공간(106)을 구분하는 격벽의 역할을 한다. 각 홈(105)의 만곡한 바닥에는 서로 평행한 1쌍의 방전 전극이 설치되어 애노드(A) 및 캐소드(K)로서 기능하며 공간(106) 내의 기체를 이온화하여 방전 플라스마를 생성한다. 이러한 방전 영역은 행 주사 단위가 된다. 한편, 액정 셀(101)은 투명 기판(108)을 포함한다. 이 기판(108)은 중간 기판(103)과 소정의 간극을 두고 대향하여 배치되어 있으며, 간극에는 액정층(109)이 충전되어 있다. 기판(108)의 안쪽 표면에는 신호 전극(110)이 형성되어 있다. 이 신호 전극(110)은 스트라이프형의 공간(106)과 직교하고 있으며, 열 신호 단위가 된다. 열 신호 단위와 행 주사 단위의 교차 부분에 매트릭스형의 화소가 규정된다. 이러한 구조를 가진 플라스마 어드레스 액정 표시 장치에서는, 플라스마 방전이 일어나는 스트라이프형의 공간(106)을 선순차로 전환주사하는 동시에, 이 주사에 동기하여 액정 셀 쪽의 신호 전극(110)에 화상 신호를 인가함으로써 표시 구동을 행한다. 스트라이프형 공간(106) 내에 플라스마 방전이 발생하면 내부는 거의 균일하게 애노드 전위가 되어 한 행씩 화소가 선택된다. 즉, 스트라이프형 공간(106)은 샘플링 스위치로서 기능한다. 플라스마 샘플링 스위치가 도통한 상태에서 각 화소에 화상 신호가 인가되면, 샘플링 홀드가 행해져서 화소의 온(on) 또는 오프(off)를 제어할 수 있다. 플라스마 샘플링 스위치가 비도통 상태가 된 후에도 화상 신호는 그대로 화소 내에 유지된다.
방전 셀의 구조를 개량하여, 제조가 간단하고 대화면 및 고정세(高精細)에 적합한 플라스마 어드레스 액정 표시 장치가, 예를 들면 일본국 특개평 4(1992)-265931호 공보에 공개되어 있다. 제5도에 나타낸 바와 같이, 개량된 표시 장치도 액정 셀(201)과 방전 셀(202)을 중간 기판(203)을 사이에 두고 적층된 평판 구조를 가진다. 액정 셀(201)은 제4도에 나타낸 액정셀(101)과 기본적으로 동일한 구조를 가진다. 한편, 방전 셀(202)에 대해서는 중간 기판(203)과 하부 기판(204) 사이에 이온화 가능한 기체가 채워져 있으며, 밀봉된 공간(205)을 이룬다. 기판(204)의 안쪽 표면에는 스트라이프형의 방전 전극(206)이 형성되어 있다. 방전 전극은 스크린 인쇄법등으로 평탄한 기판 상에 인쇄 소성할 수 있으므로 생산성이나 작업성이 우수한 동시에 미세화가 가능하다. 방전 전극(206)의 위에는 배리어 리브(207)가 형성되어 있으며, 밀봉 공간(205)을 방전 영역마다 분할하여 행 주사 단위를 이룬다. 이 배리어 리브(207)도 스크린 인쇄법 등으로 인쇄 소성할 수 있고, 그 정상부가 중간 기판(203)의 아래 면에 맞닿아 있다. 스트라이프형의 방전 전극(206)은 교대로 애노드(A) 및 캐소드(K)로서 기능하여, 양자의 사이에 플라스마 방전을 발생시킨다.
계속해서 제5도를 참조하여 발명이 해결하고자 하는 과제를 간결하게 설명한다. 방전 셀(202)을 제조하는 경우, 방전 전극(206)의 재료로서는 예를 들면 Ni2B를 주성분으로 하는 도전 페이스트를 사용하고, 배리어 리브(207)의 재료로서는 유리 페이스트 등의 절연 페이스트를 사용하여, 유리기판(204) 상에 인쇄하여 소성하는 공정이 채용되고 있다. 종래에는, 방전전극(206)을 인쇄·소성한 후에 배리어 리브(207)를 인쇄· 소성한다. 전후 2회의 인쇄의 동안에 고온(약 600℃) 소성 처리가 들어가므로, 기판(204)의 열변형이 발생하여, 방전 전극과 배리어 리브를 고정밀도 정렬하기 곤란한 문제가 있다.
이 문제에 대처하기 위해, 방전 전극을 인쇄한 후에 비교적 저온에서 가소성(假燒成)하여 즉시 배리어 리브를 인쇄하고, 그 후 방전 전극과 배리어 리브를 동시에 고온 소성하는 것도 행해지고 있다. 그러나, 이 동시 소성 방법에서는 방전 불량이 많이 생기는 문제가 발생한다. 그리고, 전술한 고온 소성을 2회로 나누어 행하는 방법에서는 현저한 방전 불량은 발생하지 않으나, 플라스마 방전의 균일성이나 안전성이 결여된다는 결점이 남아 있다. 이 방전 불량의 원인을 해명하기 위해, 오제전자분광법(AES)이나 X 선광전자분광법(XPS) 등을 이용하여 방전 전극의 표면 분석을 행하였다. 이 결과, 방전 전극(206) 표면에 B2O3 등의 산화절연물(208)이 석출되고 있으며 이것이 방전 불량의 원인인 것이 판명되었다.
예를 들면, 제6도의 그래프에 AES에 의한 방전 전극의 깊이 프로파일측정 결과를 나타낸다. 이 깊이 프로파일은 방전 전극 표면을 연속적으로 스퍼터링하면서 발광 강도를 측정한 것이다. 가로축의 스퍼터링 시간은 방전 전극층의 깊이에 비례하며, 세로축의 발광 강도는 방전 전극 조성에 함유되는 각 성분의 농도에 비례한다. 전술한 바와 같이, 방전 전극은 Ni2B를 주성분으로 하는 도전성 재료이다. 그러나, 전극 표면에서 편석(偏析)이 발생하고 있으며, 도전성에 기여하는 금속 성분 Ni의 농도가 내부에 비하여 낮아져 있는 한편, 표면에는 B2O3등의 절연물이 대량으로 존재하고 있다. 특히, 표면으로부터 수백 nm의 범위에서 방전 전극은 실질적으로 절연물로 피복되어 있다. 그러므로, 방전 전극의 애노드(A)와 캐소드(K) 사이에 소정의 전압을 인가해도 유효한 플라스마 방전이 발생하지 않는다.
전술한 종래 기술의 문제점을 감안하여, 본 발명은 안정된 플라스마 방전이 가능한 방전 셀 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이러한 목적을 달성하기 위해 다음의 수단을 강구하였다. 즉, 본 발명에 따른 방전 셀은 한 기판과, 그 표면에 인쇄·소성된 방전 전극, 이 한 기판에 대해 소정의 공간을 두고 접합된 다른 기판, 이 공간에 채워진 이온화 가능한 기체를 기본적인 구성 요소로 한다. 특징 사항으로서, 방전 전극은 절연물이 제거된 청정한 표면을 가지는 동시에,면 방향 및 깊이 방향에 걸쳐서 균일한 조성을 가진다. 구체적인 양태로서는, 양 기판의 사이에 개재하고 방전 전극의 일부와 겹치도록 인쇄· 소성된 배리어 리브를 구비하는 동시에, 이 방전 전극의 노출된 부분에는 절연물이 제거되어 있다.
본 발명에 관한 방전 셀의 제조 방법은 한 기판의 표면에 방전 전극을 인쇄·소성하는 소성 단계, 이 방전 전극의 표면을 청정화하여 절연물을 제거하여 표면과 내부에서 조성을 균일하게 하는 청정화 단계, 그리고 이한 기판에 대해 소정의 공간을 두고 다른 기판을 접합하여 이 공간에 이온화 가능한 기체를 채우는 조립 단계를 포함하고 있다. 청정화 단계는, 예를 들면 스퍼터링 식각으로 방전 전극 표면의 절연물을 제거하는 단계이다. 이 대신에, 활성 기체 플라스마를 방전 전극 표면에 작용시켜서 절연물을 분해· 제거하는 방법, 샌드 블라스트 또는 연마에 의해 방전 전극 표면의 절연물을 기계적으로 제거하는 방법, 습식 식각에 의해 방전 전극 표면의 절연물을 화학적으로 제거하는 방법, 소정의 포메이션 기체 분위기 하에서 방전 전극 자체에 전압을 인가하여 에이징을 행함으로써 절연물을 제거하는 방법 등을 채용해도 된다. 또, 소성 단계는 도전 페이스트 및 절연 페이스트를 인쇄한 후, 동시에 소성하여 방전 전극 및 배리어 리브를 형성하는 단계라도 된다.
전술한 구조를 가진 전술한 방법에 의해 제조된 방전 셀은, 예를 들면 플라스마 어드레스 액정 표시 장치에 내장된다. 단, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 널리 일반의 플라스마 표시 장치에 응용가능한 것이다.
본 발명에 따르면, 플라스마 어드레스 액정 표시 장치 등에 내장되는 방전 셀에서, 예를 들면 아르곤(Ar)의 스퍼터링 등으로 방전 전극 표면을 식각 처리하여청정화하고, 표면의 절연물을 제거한다. 이렇게 함으로써, 방전 전극의 방전 균일성이 현저히 향상된다. 따라서, 방전 전극과 배리어 리브의 일괄 고온 소성이 가능하게 되어 제조 공정 상 유리할 뿐만 아니고, 표시 품질이나 구동 효율의 개선에도 기여할 수 있다.
다음, 도면을 참조하여 본 발명의 적합한 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 제1도는 본 발명에 따른 방전 셀을 내장한 플라스마 어드레스 액정 표시 장치를 나타낸다. 도시한 바와 같이, 본 장치는 액정 셀(1)과 방전 셀(2)과 양자의 사이에 개재하며 박판 유리로 이루어질 중간 기판(3)의 적층된 평판 구조를 가진다. 액정 셀(1)은 상측의 유리 기판(4)을 포함하며, 그 안쪽 주면에는 투명 도전막으로 이루어진 복수 개의 신호 전극(5)이 열 방향을 따라 서로 평행하게 형성되어 있다. 유리 기판(4)은 스페이서(6)를 통하여 소정의 간극을 두고 중간 기판(3)에 접착되어 있다. 간극 내에는 액정층(7)이 봉입 충전되어 있다.
한편, 방전 셀(2)은 하측의 유리 기판(8)을 포함한다. 유리 기판(8)의 안쪽 주면 위에는 신호 전극(5)과 직교하여 행 방향으로 뻗어있는 방전전극(9)이 형성되어 있다. 이 방전 전극(9)은 교대로 애노드(A) 및 캐소드(K)가 되어 플라스마 방전을 일으킨다. 방전 전극(9)을 따라 그 일부와 겹치도록 배리어 리브(10)가 형성되어 격벽으로서 기능한다. 배리어 리브(10)의 상단부는 중간 기판(3)에 맞닿아 있어서 스페이서로서의 역할도 한다. 유리 기판(8)은 봉합재(10)를 사용하여 중간 기판(3)에 접합되어 있다. 양자의 사이에는 기밀하게 봉합된 공간(11)이 형성되어 있다. 이 공간(11)은 배리어 리브(10)로 이루어지는 격벽으로 분할 또는 구획되어있어서 각각이 행 주사 단위가 되는 방전 영역을 이룬다. 기밀한 공간(11)의 내부에는 이온화 가능한 기체가 채워져 있다. 기체의 종류는 예를 들면 헬륨, 네온, 아르곤 또는 이들의 혼합 기체에서 선택할 수 있다.
본 발명의 특징 사항으로서, 방전 전극(9)은 절연물이 제거된 청정한 표면을 가지는 동시에, 면 방향 및 깊이 방향에 걸쳐서 균일한 조성을 가진다. 더욱 구체적으로는, 방전 전극(9)의 표면 영역 중 배리어 리브(10)로 피복되어 있지 않은 부분, 즉 노출된 부분에는 절연물이 제거되어 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 가령 배리어 리브를 형성하지 않은 경우라도 어떤 이유로 방전 전극 표면을 피복하는 절연물을 청정화하여 제거하는 것은 방전의 안정화에 기여할 수 있다. 이와 같이, 표면에서 절연물을 제거하여 금속이 풍부한 전극 표면을 노출시킴으로써, 전극 표면과 내부의 조성이 차가 없는 방전 전극을 형성할 수 있고, 방전 상태를 매우 개선할 수 있다. 예를 들면, Ni2B를 주성분으로 하는 도전 페이스트를 인쇄· 소성하여 방전 전류를 형성한 경우, 청정화 처리를 한 후, AES에 의한 깊이 프로파일을 보면, Ni, O, B 등의 주성분 조성비가 전극의 어느 부분에서도 깊이 방향으로 차가 없는 전극 구조를 얻을 수 있음을 알 수 있다. 그리고 이러한 방전 전극을 가진 방전 셀은 전술한 플라스마 어드레스 액정표시 장치뿐만 아니고, 일반의 플라스마 표시 장치 등에도 적용할 수 있음은 물론이다.
제2도는 제1도에 나타낸 유리 기판(8)의 표면 패턴 형상을 나타낸 모식적인 사시도이다. 유리 기판(8)의 표면에 스트라이프형으로 패터닝된 방전 전극(9)이 형성되어 있다. 이 방전 전극(9)은 소정의 피치로 배열되어 있는 동시에, 개개의 스트라이프는 소정의 폭을 가진다. 이 방전 전극(9)은, 예를 들면 Ni2B를 주성분으로 하여 바인더와 용매를 혼합한 도전 페이스트를 스크린 인쇄하고 고온 소성함으로써 형성할 수 있다. 방전 전극(9)의 위에는 배리어 리브(10)가 형성되어 있다. 이 배리어 리브(10)도 동일한 피치를 가진 스트라이프형으로 패터닝되어 있다. 배리어 리브(10)의 스트라이프는 방전 전극(9)의 스트라이프의 폭보다 작은 폭을 가지는 동시에, 방전 전극(9)에 대해 정합하고 있다. 배리어 리브(10)는 예를 들면 유리페이스트 등의 절연 페이스트를 스크린 인쇄하고 고온 소성함으로써 형성할 수 있다. 본 실시예에서는 도전 페이스트를 인쇄하여 비교적 저온에서 가소성(假燒成)한 후, 절연 페이스트를 중첩 인쇄한다. 양 인쇄 공정 사이에 전혀 고온 처리가 개재하지 않으므로 유리 기판(8)의 열수축이 일어나지 않고, 인쇄시 정렬을 정밀하게 행할 수 있다. 중첩 인쇄한 후 고온 소성 처리(약 600℃)를 행하여 방전 전극(9)과 배리어 리브(10)를 동시에 경화시킨다. 이 때, 고온 가열로 인해 방전 전극(9)의 노출된 부분이 오염되어 B2O3등의 산화절연물이 표면에 생긴다. 따라서, 이 상태에서는 안정된 플라스마 방전을 얻을 수 없다. 이 점을 감안하여, 본 발명에서는 제2도에 나타낸 유리 기판(8)을 청정화 처리하여 표면의 절연물을 제거한다. 그리고 도전 페이스트를 고온 소성한 후 절연 페이스트를 인쇄하여 다시 고온 소성처리를 행하면, 방전 전극(9) 표면의 절연물 형성을 어느 정도 억제할 수 있다. 그러나, 고온 소성을 2회로 나눈 경우에는 유리 기판(8)의 열신축이 생겨서, 스크린 인쇄 마스크의 정렬을 정밀하게 행할 수 없다. 이 외에, 2회로 나누어 고온 소성 처리를 행한 경우라도, 어느 정도 절연물이 생기는 경우도 있지만, 본 발명에 따른 청정화 처리는 유효하다.
방전 전극 표면의 절연물을 제거하기 위해, 여러 가지 방법을 채용할 수 있다. 예를 들면, 스퍼터링 식각으로 방전 전극 표면의 절연물을 제거할 수 있으며, 제3도는 이 스퍼터링 식각에 사용되는 장치를 나타낸다. 도시한 플라스마 식각 장치는 대략 원통형의 진공 체임버(21)를 구비하고 있다. 이 진공 체임버(21)는 밸브(22)를 통해 진공 펌프(도시하지 않음)로 진공 배기 가능하다. 또, 기체 도입구(23)를 통해 원하는 기체(예를 들면 아르곤)를 진공 체임버(21) 내에 도입할 수 있다. 진공 체임버(21) 내에는 서로 대향하여 배치된 1쌍의 전극판(24, 25)이 설치되어 있다. 하측의 전극판(24)에는 RF 전원(26)이 접속되어 있으며, 상측의 전극판(25)은 소정의 바이어스 전위에 접속되어 있다. 기체 도입구(23)를 통하여 아르곤을 도입하고 RF 전원(26)으로 1쌍의 전극판(24, 25)의 사이에 플라스마를 발생시켜서, 지지대(27) 위에 놓인 유리 기판(8)을 스퍼터링으로 식각 처리한다. 한편, 전술한 바와 같이, 이 유리 기판(8)에는 방전 전극(9) 및 배리어 리브(10)가 인쇄·소성되어 있다.
계속해서 제3도를 참조하여 구체적인 스퍼터링 식각 방법을 설명한다. 먼저, 진공 체임버(21)의 상부에 설치된 덮개(28)를 열고, 내부에 유리 기판(8)을 투입하여 지지대(27) 위에 올려 놓는다. 이 유리 기판(8)의 표면에는 이미 방전 전극(9) 및 배리어 리브(10)가 인쇄· 소성되어 있다. 그 다음에, 진공 체임버(21)를 소정의 저압에 이르기까지 진공 배기한 후, 기체 도입구(23)를 통해 아르곤을 체임버(21) 내에 도입하여 내부 압력을 3㎜ Torr 정도로 만든다. 이 상태에서 1쌍의 전극판(24, 25)의 사이에 RF전원(26)으로 1kW 정도의 전력으로 고주파를 인가하여, 체임버(21) 내에 아르곤 이온을 포함하는 방전 플라스마를 생성한다. 플라스마에 포함된 아르곤 이온은 노출된 방전 전극(9) 표면을 스퍼터링 식각한다. 예를 들어 45분 정도 스퍼터링을 행하면, 방전 전극(9) 표면이 수백 nm 정도 식각되어 표면의 절연물이 제거된다. 이렇게 함으로써, 종래에는 거의 방전이 되지않았던 것도 매우 균일하게 방전할 수 있게 된다. 또, 방전 전극 표면의 Ni 조성이 포화되는 깊이까지 식각함으로써 방전 셀 전체에서의 불균일이 없어지므로, 방전 전극과 배리어 리브를 별개로 고온 소성한 방전 셀이라도 종래에 비해 한층 방전의 균일화를 도모할 수 있다. 그리고 아르곤 스퍼터링 식각을 행함으로써, 유리 기판 자체에 손상을 주지 않고 균일한 표면 세정이 가능하다.
전술한 스퍼터링 식각에 의한 청정화 처리는 한 예이며, 그 외에도 여러 가지 수단을 채용할 수 있다. 예를 들면, 수소나 SF6등의 활성 기체플라스마를 방전 전극의 표면에 작용시켜서 절연물을 분해· 제거해도 된다. 이 방법은 전술한 스퍼터링 식각과 대략 동일하게 행할 수 있다. 또, 샌드블라스트 또는 연마 기술로 방전 전극 표면의 절연물을 기계적으로 제거할 수도 있고, 습식 식각으로 방전 전극 표면의 절연물을 화학적으로 제거하는 것도 가능하다. 단, 기계적 연마나 습식 식각의 경우 조건에 따라서 방전전극이나 배리어 리브 및 유리 기판이 손상될 염려가있다. 또한, 소정의 형성 기체(예를 들면 Ar, H) 분위기 하에서 방전 전극 자체에 전압을 인가하여 에이징을 행함으로써 절연물을 제거할 수도 있다. 단, 원래 표면에 절연물이 부착되어 완성품에 불균일이 있는 방전 전극의 경우에는, 방전하기 어려운 개소는 그다지 식각되지 않으므로 균일성이 떨어지는 경우도 있다.
전술한 여러 가지 방법으로 청정화 처리를 행한 방전 셀에서는 매우 균일한 플라스마 방전을 얻을 수 있다. 또, 방전 전극 표면의 절연물이 제거되어 있으므로, 방전 개시 전압이 내려가서 동작이 유리하게 된다. 또, 절연물로 인한 전압 강하가 없으므로, 방전 전극의 애노드 전위와 플라스마 전위의 오프셋이 작아져서 구동에 적합하다. 가령 오프셋이 포함되어 있으면 플라스마 어드레스 액정 표시 장치에 내장된 액정 셀 측의 교류 구동에 결함이 생긴다. 방전 셀 내의 플라스마 전위는 애노드 전위에 가깝지만 오프셋 때문에 반드시 완전히 일치하지는 않으며, 이 오프셋량은 일정하지 않고 불균일하다. 따라서 미리 소정의 오프셋량을 감안하여 기준 전위를 설정하여 액정의 교류 구동을 행하더라도, 실제로는 오프셋에 포함된 직류 성분이 액정을 열화시킨다. 그러므로 오프셋을 극력 제거하는 것이 교류 구동을 유지하는 데 바람직하다. 또한, 본 발명에 따르면 방전 전극과 배리어 리브의 동시 고온 소성이 가능함과 동시에, 종래 행하고 있던 방전 셀 조립 후의 안정화를 위한 에이징이 불필요한 등 제조 공정 상의 이점도 있다.
본 발명의 요지는 표면과 내부에서 조성의 차가 없는 방전 전극을 형성하는 것이다. 즉, 표면에 실질적으로 절연물이 없고 Ni 등의 금속 성분이 풍부한 방전 전극을 형성하는 것이다. 예를 들면, AES 깊이 프로파일을 볼 때, Ni, B, O 등의성분 조성비가 깊이 방향으로 차가 없는 방전 전극(깊이 프로파일이 균일한 전극 구조)을 형성하는 것이다. 그 효과적인 수단의 하나가 아르곤을 이용한 스퍼터링 식각이다. 제7도에 아르곤 스퍼터링 식각 후의 방전 전극의 AES 깊이 프로파일을 나타낸다. 제6도에 나타낸 아르곤 스퍼터링 식각 전의 AES 깊이 프로파일과 비교하면 명백한 바와 같이, 방전 전극의 표면에는 흔적 정도의 절연 산화물만 있을 뿐이고 실질적으로 청정한 전극 표면을 얻을 수 있다. 또, 제8도에 아르곤 스퍼터링 식각 전후의 각 성분의 강도 피크 변화를 나타낸다. Ni 성분의 피크가 증대하고 있으며, 금속이 풍부한 방전 전극 표면 조성이 얻어졌다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 방전 전극 표면을 청정화 처리하여 절연물을 제거함으로써, 매우 균일하고 안정된 플라스마 방전을 얻을 수 있고, 예를 들면 플라스마 어드레스 액정 표시 장치 등에 적용한 경우 표시 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 또, 절연 피복을 제거함으로써 방전 개시 전압을 낮출 수 있어서 구동을 용이하게 할 수 있는 효과가 있다. 또한, 방전 전극과 배리어 리브의 동시 소성이 가능하다. 종래와 같이 고온 소성을 별개로 행한 경우에는 기판 단체(單體)에서의 전처리가열을 포함하여 3회의 고온 열처리가 필요한 데 비하여, 본 발명에 따르면 고온 열처리는 1회로 충분하므로 제조 효율이 향상되는 효과가 있다. 또, 별개로 고온 소성을 행하는 경우에 비해, 방전 전극과 배리어 리브의 정렬 오차가 감소하여 수율이 높아지는 동시에 표시 품질이 향상되는 효과를 얻을 수 있다. 이 외에, 방전 셀 조립 후의 안정화를 위한 초기 에이징이 불필요하게 되어 제조 효율이 개선되는 효과가 있다. 또한, 절연물을 제거한 결과 애노드 전위와 플라스마 전위의 오프셋이 작아져서 표시 품질이 향상되는 효과가 있다.
제1도는 본 발명에 관한 방전 셀이 내장된 플라스마 어드레스 액정표시 장치를 나타낸 모식적인 단면도.
제2도는 본 발명에 관한 방전 셀의 방전 전극 패턴을 나타낸 모식적인 사시도.
제3도는 방전 전극의 스퍼터링 식각에 사용되는 처리 장치를 나타낸 모식도.
제4도는 종래의 플라스마 어드레스 액정 표시 장치의 일예를 나타낸 단면도.
제5도는 종래의 플라스마 어드레스 액정 표시 장치의 다른 예를 나타낸 단면도.
제6도는 종래의 방전 셀에 형성되는 방전 전극의 AES 깊이 프로파일을 나타낸 그래프.
제7도는 본 발명에 관한 방전 전극의 AES 깊이 프로파일을 나타낸 그래프.
제8도는 본 발명에 관한 방전 전극의 조성을 나타낸 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 액정 셀, 2 : 방전 셀, 3 : 중간 기판, 4 : 유리 기판, 5 : 신호 전극,
7 : 액정층, 8 : 유리 기판, 9 : 방전 전극, 10 : 배리어 리브.

Claims (6)

  1. 한 기판의 표면에 방전 전극을 형성하고 제1 온도로 소성하는 단계,
    상기 방전 전극 위에 절연 페이스트를 공급하여 배리어 리브를 형성하는 단계,
    상기 방전 전극 및 배리어 리브를 제1 온도보다 높은 온도로 소성하는 소성 단계,
    상기 배리어 리브로 덮이지 않은 상기 방전 전극의 표면을 청정화하여 절연물을 제거함으로써 표면과 내부에서 조성을 균일하게 하는 청정화 단계, 그리고
    상기 한 기판에 대해 소정의 공간을 두고 다른 기판을 접합하고 상기 공간에 이온화 가능한 기체를 채우는 조립 단계를 포함하는 방전 셀의 제조 방법.
  2. 이온화 가능한 기체로 채워진 간극을 사이에 둔 제1 및 제2 기판을 포함하는 방전 셀의 제조 방법으로서,
    기판의 표면 위에 도전 페이스트를 인쇄하는 단계,
    상기 도전 페이스트 위에 절연 페이스트를 인쇄하는 단계,
    상기 도전 및 절연 페이스트를 동시에 소성함으로써 방전 전극과 그위의 배리어 리브를 형성하는 단계,
    상기 동시 소성으로 인하여 상기 방전 전극 표면에 생성된 절연물을 제거함으로써 상기 방전 전극을 청정화하는 청정화 단계, 그리고
    상기 제1 및 제2 기판 사이의 간극을 이온화 가능한 기체로 채우는 단계를 포함하는 방전 셀의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 청정화 단계는 기계적 제거를 포함하는 방전 셀의 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 청정화 단계는 건식 식각과 습식 식각 중 어느 하나를 포함하는 방전 셀의 제조 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 청정화 단계는 소정의 형성 기체 분위기에서 상기 방전 전극 자체에 전압을 인가하여 에이징을 행하는 방전 셀의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 소성 단계는 도전 페이스트 및 절연 페이스트를 중첩 인쇄한 후, 동시에 소성하여 상기 방전 전극 및 상기 배리어 리브를 형성하는 방전 셀의 제조 방법.
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