KR100221161B1 - 전자원, 그것을 포함하는 화상 형성 장치 및 화상 형성 장치의 구동 방법 - Google Patents

전자원, 그것을 포함하는 화상 형성 장치 및 화상 형성 장치의 구동 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100221161B1
KR100221161B1 KR1019960018722A KR19960018722A KR100221161B1 KR 100221161 B1 KR100221161 B1 KR 100221161B1 KR 1019960018722 A KR1019960018722 A KR 1019960018722A KR 19960018722 A KR19960018722 A KR 19960018722A KR 100221161 B1 KR100221161 B1 KR 100221161B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electron
voltage
image forming
emitting device
forming apparatus
Prior art date
Application number
KR1019960018722A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960042893A (ko
Inventor
히데토시 스즈끼
이찌로 노무라
도시히꼬 다께다
나오또 나까무라
야스히로 하마모또
Original Assignee
미따라이 하지메
캐논 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미따라이 하지메, 캐논 가부시키가이샤 filed Critical 미따라이 하지메
Publication of KR960042893A publication Critical patent/KR960042893A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100221161B1 publication Critical patent/KR100221161B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/316—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode having an electric field parallel to the surface, e.g. thin film cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/316—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
    • H01J2201/3165—Surface conduction emission type cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels

Landscapes

  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

전자원은 다수의 전자 방출 소자 및 소자를 구동하는 구동 수단을 포함한다.
구동수단은 선택된 소자에 전자를 방출하기 위해 화상 신호에 따라 다수의 전자 방출 소자들 중 선택된 한 소자들에 문턱 레벨 이상의 전압을 인가한다. 또, 구동 수단은 다수의 전자 방출 소자를 고저항 상태로 행하기 위해 전압 펄스를 인가한다. 고저항 상태로 행하는 전압 펄스는 전자 방출을 발생하는 전압과 반대인 극성을 갖고, 10 V/sec. 보다 더 높은 전압 상승비를 갖는다.

Description

전자원, 그것을 포함하는 화상 형성 장치 및 화상 형성 장치의 구동 방법
제1(a)도 및 제2(b)도는 본 발명을 위해 사용될 수 있는 평면형 표면 전도형 전자방출 소자의 개략도.
제2도는 본 발명을 위해 사용될 수 있는 스텝형 표면 전도형 전자 방출 소자의 개략도.
제3(a)도 내지 제3(c)도는 본 발명을 위해 사용될 수 있는 표면 전도형 전자 방출 소자의 개략적인 단면도로, 다른 제조 단계의 도시도.
제4(a)도는 제4(b)도는 여기화 포밍으로 사용될 수 있는 전압 파형을 도시하는 그래프.
제5도는 표면 전도형 전자 방출 소자용으로 사용되는 안내 시스템의 개략도.
제6도는 매트릭스 배선 배치를 갖는 전자원의 개략적인 평면도.
제7도는 매트릭스 배선 배치를 갖는 전자원을 포함하는 화상 형성 장치의 개략적인 사시도.
제8(b)도 및 제8(b)도는 본 발명을 위해 사용될 수 있는 형광 부재의 2개의 가능한 배치도.
제9도는 단면도로 도시된 전자원, 전자원용으로 사용되는 구동 회로를 갖는 본 발명의 제1 실시예의 블럭도.
제10도는 제1 실시예의 표면 전도형 전자 방출 소자의 성능을 도시하는 그래프.
제11(a)도는 내지 제11(d)도는 Vf, If 및 Ie의 시간 경과 상황을 도시하는 그래프.
제12도는 단면도로 도시된 전자원 및 전자원용으로 사용되는 구동 회로를 갖는 본 발명의 제2 실시예의 블럭도.
제13도는 제2 실시예의 표면 전도형 전자 방출 소자의 성능을 도시하는 그래프.
제14도는 본 발명에 따른 제3 실시예의 전자원의 표면 전도형 전자 방출 소자를 도시하는 개략도.
제15도는 본 발명의 제4 실시예의 화상 형성 장치를 도시하는 회로도.
제16도는 제4 실시예의 화상 형성 장치를 도시하는 개략적인 사시도.
제17(a)도 내지 제17(h)도는 제4 실시예의 화상 형성 장치의 다른 부의 동작에 대한 타임챠트.
제18도는 본 발명의 제5 실시예에서의 화상 형성 장치의 블럭도.
제19도는 공지된 표면 전도형 전자 방출 소자의 성능을 도시하는 그래프.
제20도는 M x N 매트릭스 배치로 배열된 전자 방출 소자를 포함하는 공지된 전자원의 개략도.
제21도는 6 x 6 매트릭스 배치로 배열된 전자 방출 소자를 포함하는 공지된 전자원의 개략도.
제22도는 공지된 화상 형성 장치에 의해 표시되는 화상의 개략도.
제23도는 6 x 6 매트릭스 배치를 갖는 전자 방출 소자를 포함하고, 전압이 인가되는 것을 도시하는 공지된 전자원의 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 기판 3 : 도전성 박막
4, 5 : 소자 전극 21 : 단차 형성부
102 : X 방향 배선 103 : Y 방향 배선
104 : 표면 전도형 전자 방출 소자 111 : 리어 플레이트
112 : 지지 프레임 113 : 글라스 기판
114 : 형광막 115 : 금속 백
116 : 페이스 플레이트 118 : 외위기
본 발명은 매트릭스 어레이로 배치된 다수의 전자 방출 소자를 포함하는 전자원, 이 전자원을 포함하는 화상 형성 장치 및 이 화상 형성 장치를 구동하는 방법에 관한 것이다.
최근에는 화상 형성 장치용으로 사용하기 위한 냉음극형 전자 방출 소자에 대한 연구가 많은 진행되고 있다. 표면 전도형 전자 방출 소자는 냉음극형 전자 방출 소자이다. 표면 전도형 전자 방출 소자는 전류가 막면과 평행하게 흐르게 될 때, 전자가 기판 상에 형성된 작은 박막으로부터 방출되는 현상을 이용함으로써 실현된다.
표면 전도형 전자 방출 소자는 전형적으로 전기적 절연성 기판, 기판 상에 배치된 한쌍의 소자 전극, 및 전자 방출 영역을 포함하고 전기적으로 접속하기 위해 소자 전극 사이에 배치된 도전성 박막을 포함한다. 전자 방출 영역은 전형적으로 금속 산화물로 제조된 도전성 박막에 의해 형성되는데, 전류 도전 처리를 여기화포밍이라 칭한다. 여기화 포밍 공정에서, 일정한 DC 전압 또는 전형적으로 1 V/min의 비율로 증가하는 느리게 증가하는 DC 전압은 막을 부분적으로 파괴, 변형 또는 변질시키고, 전기적으로 저항이 높은 전자 방출 영역을 형성하기 위해 전도 도전 박막의 양단에 공급되도록 인가된다. 이러한 전자 방출 영역이 전류 흐름을 형성하기 위해 형성되는 도전성 박막에 전압이 인가될 때, 전자 방출 영역은 전극 방출 개시한다.
상술한 바와 같은 구조를 갖는 표면 전도형 전자 방출 소자는 구조적으로 단순하고, 쉽게 제조될 수 있기 때문에, 이러한 다수의 소자가 낮은 비용으로 간단한 방법으로 대영역 상에 배치될 수 있다. 이 장점을 개발하기 위해 연구되고 있고, 이러한 소자의 공지된 응용은 표시 장치를 포함하는 화상 형성 장치를 포함한다.
표면 전도형 전자 방출 소자의 성능은 첨부하는 도면의 제19도에 따라 후술하겠다.
전압(Vf)가 인가될 때 표면 전도형 전자 방출 소자를 통해 흐르는 전류(If)는 균일하게 한정될 수 없다. 표면 전도형 전자 방출 소자는 전형적으로 2개의 다른 방식 중 어느 한 방식으로 동작할 수 있다. 먼저, 소자를 통해 흐르는 전류(If)는 약간 위쪽으로 경사질 수 있는 안정기로 진행하기 전에, 인가된 전압(Vf)가 0[V]로부터 상승하지만, 그후 떨어지는 초기 단계에서 상승될 수 있다. 선택적으로, 소자를 통해 흐른 전류(If)는 인가된 전압(Vf)가 O[V]로부터 상승됨으로써 단조롭게 증가될 수 있다.
이하에 편의를 도모하기 위해, 성능의 제1 특징은 스태틱 특징이라고 칭해지고, 성능의 제2 특성은 다이나믹 특징이라고 칭해진다.
제19도에서, 점선은 약 1 V/min 이하의 전압 소사 속도가 사용될 때 나타나는 스태틱 특징을 표시한다. 특히, Vf = 0 내지 V1인 제1 전압 영역(I 영역)에서, 소자를 통해 흐르는 전류(If)는 전압(Vf)이 증가함에 따라 단조롭게 증가한다. Vf = V1 내지 V2인 계속되는 전압 영역(II 영역)에서, 소자를 흐르는 전류(If)는 전압(Vf)이 증가함에 따라 감소된다. 이 특징은 전압 제어 네가티브 저항 특정(이후, "VCNR 특징"이라 칭해짐)이라 칭해진다. Vf = V2 내지 Vd인 제3 전압 영역(III 영역)에서, 소자를 통해 흐르는 전류(If)는 실제로 전압(Vf)의 증가와 관련하여 변화하지 않는다. V1은 소자를 통해 흐르는 전류(If)가 초대화될 때의 전압을 표시하고, V2는 If 감소 영역(II 영역)에서 최대 기울기점에서의 If 곡선에 대한 접선의 Vf 축 인터셉트에 응답하는 전압을 표시한다. 한편, 전압(Vf)가 문턱 전압 Ve에 관련하여 상승할 때 소자의 방출 전류(Ie)는 증가한다.
제19도에서, 직선은 전압 소사 속도가 약 10 V/sec보다 빠를 때의 소자의 다이나믹 특징을 표시한다. 특히, 최대 전압이 Vd로 소사된 경우[제19도에서, If(Vd) 라인], 소자를 통해 흐르는 전류(If)는 점차적으로 증가하고, 이 라인은 Vd로 스태틱 특징용 If 라인과 일치한다. 한편, 최대 전압이 V2로 소사될 경우[제19도에서 If(V2) 라인), 소자를 통해 흐르는 전류(If)의 라인은 점차적으로 증가하고, 이들 라인은 V2로 스택틱 특징용 If 라인과 일치한다. 최대 전압이 I 영역의 전압으로 소사될 경우, 소자를 통해 흐르는 전류(If)는 기본적으로 If 라인을 따라 변한다.
상술한 I-V 관계용 스태틱 및 다이나믹 특징을 물질, 프로파일 및 또는 소자의 다른 펙터를 변경하거나, 진공 분위기에 따라 변경될 수 있고, 전형적으로 윈하는 방식으로 동작하는 표면 전도형 전자 방출 소자는 상기 성능의 3 영역, 또는 I 내지 III 영역을 도시한다.
X-Y 매트릭스의 형태로 배열된 다수의 표면 전도형 전자 방출 소자를 포함하는 다른 전자원은 플랫 패널 CRT 및 다른 표시의 상술한 특징을 활용하도록 제안되고 있다.
매트릭스형 전자원은 첨부하는 도면 중 제20도에 도시된 바와 같이 M x N 표면 전도형 전자 방출 소자를 배치하고, 배선(XE1 내지 XEN 및 YE1 내지 YEN)에 의해 전기적으로 접속됨으로써 실현된다. 이러한 전자원이 화상 형성 장치, 예를 들면 플랫 패널 CRT용으로 사용될 때, 스크린 상의 화소 및 표면 전도형 전자 방출 소자는 1 대 1 대응 방식으로 배치되고, 표면 전도형 전자 방출 소자는 제공된 패턴에 따라 동작하도록 구동된다.
2개의 구동 모드는 화소 대 화소를 기초로 스크린을 여기시키기 위한 점 대 점 순차 주사 및 화소 라인 대 화소 라인을 기초로 스크린을 여기시키기 위한 라인 대 라인 순차 주사인 데이타로 공지되어 있다(각 라인은 제20도의 배치에서 M 화소를 갖는다). 라인 순차 주사 시스템은 일반적으로 더 긴 동작 시간이 각 화소에 할당되기 때문에, 각 표면 전도형 전자 방출 소자를 구동하는 속도 및 방출된 전자 빔에 의해 발생된 단조 전류 관점에서 특히 유리할 때 사용된다.
한편, 이들 공지된 주사 시스템은 큰 전류는 전자 빔을 방출할 수 없도록 표면 전도형 전자 방출 소자로 흐르고, 다수의 표면 전도형 전자 방출 소자가 라인 대 라인 순차 주사 또는 점 대 점 순차 주사 중 어느 한 주사로 구동될 때 쓸모없이 머무르기 때문에, 높은 전력 소비율을 동반한다.
이 문제점은 첨부하는 도면 중 제21도 내지 제23도를 참조하여 상세히 후술하겠다.
제21도는 단순화를 위해 단순 매트릭스 배치로 배치된 단지 6 x 6 표면 전도형 전자 방출 소자를 포함하는 전자원의 개략적인 평면도이다. 표면 전도형 전자 방출 소자는 일반적인 (x, y) 좌표 시스템을 사용하여 D(1, 1), D(1, 2), ···, D(6, 6)으로 표시된다. 이러한 전자원의 플랫 패널 CRT용으로 사용되고, 각 표면 전도형 전자 방출 소자가 화상 표시 동작을 위해 필요한 휘도를 얻기 위해 전류 광도가 1 x 10-6A인 전자 빔을 방출하는데 필요한 경우, 14 V는 발광하는 화소에 대응하는 각 표면 전도형 전자 방출 소자에 인가되고, Vth = 10 V 이하는 제19도에 도시된 표면 전도형 전자 방출 소자의 성능으로 인해 발광하지 않는 화소에 대응하는 각 표면 전도형 전자 방출 소자에 인가된다.
라인 순차 주사 방식에서 화상을 형성하기 위해, x축과 평행한 6개의 소자열은 0 V를 6개의 열(XE1 내지 XE6) 중 선택된 열에 인가되고, 7 V를 선택하지 않은 나머지 열에 인가함으로써 순차적으로 주사된다.
선택된 소자 열의 표면 전도형 전자 방출 소자에 전류 광도가 1 ㎂인 전자 빔을 방출하기 위해, 14 V는 배선(YE1 내지 YE6) 중 표면 전도형 전자 방출 소자를 공급하는 배선에 인가되고, 7 V는 나머지 배선에 인가된다.
예를 들면, 제22도에 도시된 화상을 표시하기 위해, 0 V는 XE1에 인가되고, 7 V는 YE1, YE5 및 YE6에 인가되는 동안 XE2 내지 XE6에 인가되며, 14 V는 제1 열을 구동하기 위해 YE2 내지 YE4에 인가된다. 유사하게, O V는 XE2에 인가되고, 7 V는 XE1 및 XE3 내지 XE6에 인가되며, 7 V는 YE1 및 YE3 내지 YE6에 인가되고, 14 V는 제2 열을 구동하기 위해 YE2에 인가된다. 그 다음, 제3 내지 제6 열은 화상을 형성하기 위해 순차적으로 주사된다. 이 동작은 이하 표 1에 정리되어 있다.
동작 (1) 내지 (6)은 순차 행해진다.
상술한 구동 방법에서, 비선택 열(비선택 소자)의 표면 전도형 전자 방출 소자는 7 V의 전압 차가 인가되어, 결과적으로 전력 소비율을 증대시킨다. 제22도의 화상이 일반적으로 표시되고, 제3 소자 열이 구동된다고 가정하면, 14 V는 D(2, 3), D(3, 3)및 D(4, 3)에서 각 소자의 양 단자에 인가되고, 14 V - 7 V = 7 V는 제23도에 도시된 바와 같이 제3 열외에 배선(YE2, YE3 또는 YE4)에 접속된 각 소자의 양 단자에 인가된다. 결과적으로, 2.5 ㎃의 전류는 큰 전력 소비로 비선택 열의 15개의 소자 중 각각을 통해 흐른다. 따라서, 이 실시예는 14 V가 표면 전도형 전자 방출 소자에 인가될 때, 7 V는 일반적으로 소자와 배선된 각 표면 전도형 전자 방출 소자에 필연적으로 인가됨이 명백해진다. 상기 전자원은 단순화를 위해 매트릭스 형태로 배치된 단지 6 x 6 표면 전도형 전자 방출 소자를 포함하고, 무익한 전력 소비율은 1,000 x 1,000 표면 전도형 전자 방출 소자 정도를 포함하는 화상 형성 장치에서 대폭 증가할 수 있다. 이러한 화상 형성 장치의 전원, 구동 회로 및 배선이 큰 무익한 전력 소비율을 고려함으로써 선택되기 때문에, 이러한 장치의 모든 비용은 증대될 수 있다.
상기 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 목적은 비선택된 표면 전도형 전자 방출 소자의 필요없는 전력 소비를 감소할 수 있는 전자원을 제공함과 동시에, 전자원의 화상 형성 동작에 역으로 영향을 미칠 수 있는 불필요한 전자 방출을 효과적으로 피할 수 있는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 전자원을 포함하는 화상 형성 장치 및 화상 형성 장치를 구동하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 상술한 목적은 한쌍의 전극을 갖는 다수의 전자 방출 소자, 및 전자들 사이에 배치되고 전자 방출 영역 및 상기 다수의 전자 방출 소자를 구동하는 구동 수단을 포함하는 도전성 박막을 포함하는 전자원에 있어서,
상기 구동 수단은 선택된 전자 방출 소자에 전자를 방출하기 위해 화상 신호에 따라 상기 다수의 전자 방출 소자 중 선택된 소자의 전극에 문턱 레벨 이상의 전압을 인가하고, 상기 다수의 전자 방출 소자를 고저항 상태로 하고, 전자 방출 및 10 V/sec, 보다 더 큰 (0 V에 대해) 전압 상승비(또는, 전압의 임의의 값이 고려될 경우, 감소하는 비율)를 발생하는 전압과 극성이 역인 전압 펄스를 인가하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 한쌍의 전극, 및 상기 전극들 사이에 배치되고 전자 방출 영역, 상기 다수의 전자 방출 소자를 구동하는 구동 수단 및 화상 형성 부재를 포함하는 도전성 박막을 갖는 다수의 전자 방출 소자를 포함하는 화상 형성 장치에 있어서,
상기 구동 수단은 상기 선택된 전자 방출 소자에 전자를 방출하도록 화상 신호에 따라 상기 다수의 전자 방출 소자 중 선택된 소자의 전극에 문턱 레벨 이상의 전압을 인가하고, 상기 다수의 전자 방출 소자를 고저항 상태로 하고, 전자 방출 및 10 V/sec. 보다 더 높은 전압 상승비를 발생하는 상기 전압과 극성이 역인 전압 펄스를 인가하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 표면 전도형 전자 방출 소자를 포함하는 전자원에서, 전자 방출 소자는 표면 전도형 전자 방출 소자들 중 비선택 소자를 통해 동작하는 쓸모 없는 전류를 감소시키기 위해, 선정된 전압 펄스를 인가함으로써 이들 전류-전압 관계에서 고 저항 상태로 행해진다.
특히, 전압 상승(0 V에 대해) 비율이 10 V/sec. 보다 큰 전압 펄스가 표면 전도형 전자 방출 소자에 인가될 때, 소자는 고 저항 상태로 행해지고, 제19도에 도시된 스태틱 특징의 I-V 관계를 I 내지 III의 3 영역을 허용한다. 본 발명의 목적을 위해, 고 저항 상태는 소자가 다이나믹 특징의 전류-전압 관계를 도시하도록 작용하는 상태로 칭한다. 예를 들면, Vd의 파고를 갖는 전압 펄스 및 10 V/sec. 보다 더 큰 전압 상승(0 V에 대해)비율이 제19도의 I-V 관계를 도시하는 표면 전도형 전자 방출 소자에 인가될 때, 소자는 제19도에서 If(Vd)로 표시된 고저항 상태로 행해진다. 소자가 고저항 상태로 이동된 후, 전압 Vd가 인가될 때 방출 전류를 제공할 수 있고, 또 If(Vd)의 직선 및 소자의 스태틱 특징을 표시하는 점선을 비교함으로써 명확하게 보여질 때, Ve 이하의 전압이 소자에 인가될 경우 소자를 통해 흐르는 전류(If)는 더 감소된다.
소자가 전압 펄스에 인가함으로써 고저항 상태에서 이용된 후, 제한된 시간 주기 동안의 상태가 제19도에서 점선으로 표시된 스태틱 특징의 I-V 관계를 복원할 때만 유지된다. 따라서, 소자는 이러한 전압 펄스를 반복적으로 인가함으로써 어떤 원하는 시간 주기 동안 고저항 상태로 유지될 수 있다.
본 발명은 표면 전도형 전자 방출 소자가 스태틱 특정의 I-V 관계를 도시하는 결과에 기초하고, 인가된 전압 펄스가 구동 소자용으로 인가된 전압의 극성과 반대인 극성일지라도 높은 저항 상태로 행해진다.
본 발명에 따르면, 스태틱 특성의 상술한 I-V 관계를 도시하는 다수의 표면 전도형 전자 방출 소자를 포함하는 전자원 또는 이러한 전자원을 포함하는 화상 형성 장치에서, 각 소자는 구동 전압과 반대인 극성 및 10 V/sec. 보다 더 큰 전압 상승(0 전압에 대해) 비율을 갖는 전압 펄스(이하, 고저항화 펄스라 칭함)를 인가함으로써 다른 I-V 관계를 도시하는 상태에서 이용된다. 따라서, 각 비선택 소자를 통해 흐르는 쓸모없는 전류는 고저항 상태에서 이용됨으로써 감소되어, 동작에서 전체 장치의 전력 소비를 크게 감소시킨다. 고저항화 펄스의 하락 전압율의 실제 상한값은 10 [V/sec]이다.
본 발명을 특징화한 고저항화 펄스는 삼각형, 직사각형 또는 사인 곡선일 수 있다. 양호하게, 고저항화 펄스는 제10도의 II 영역(VCNR 영역)에서 Vc보다 더 큰 파고를 갖는다. 특히, 전압 펄스는 단순 매트릭스로 배치된 다수의 전자 방출 소자를 포함하는 전자원의 비선택 소자에 인가된 전압보다 파고가 더 높고, 소자를 구동하는 전압과 극성이 반대다.
추가로, 본 발명에 따른 화상 형성 장치는 이러한 고저항화 펄스가 전자 방출 소자에 인가될 때 형성된 화상의 콘트라스트가 저하되지 않도록 고려된다.
먼저, 고저항화 펄스로 인해 방출된 전자 빔에 의해 발생될 수 있는 화상의 콘트라스트에 어떤 열화는 설계된 각각의 위치에서 정확하게 화상 형성 부재(타겟)의 화상 소자를 배치함으로써 방지될 수 있고, 고저항화 펄스로 인해 드물게 방출된 전자 빔에 의해 충돌되지 않는다.
둘째로, 각 표면 전도형 전자 방출 소자의 전극은 고저항화 펄스로 인해 방출 된 임의의 전자 빔이 소자 전극에 의해 포획되고, 화상 형성 부재(타겟)의 화상 소자에 도달하지 않은 데에 기인하여 전계를 만들도록 제안된다. 특히, 각 표면 전도형 전자 방출 소자에서, 화상을 형성하는 포지티브 전극(또는, 고저항화 펄스를 인가하는 네가티브 전극으로서)으로서 동작하는 소자 전극의 상면은 네가티브 전극(또는, 고저항화 펄스를 인가하는 포지티브 전극으로서)으로서 동작하는 소자 전극의 상면보다 낮다.
본 발명에 따른 전자원 및 화상 형성 장치용으로 사용될 수 있는 표면 전도형 전자 방출 소자는 후술하겠다.
본 발명에 따른 표면 전도형 전자 방출 소자는 평면형 또는 스텝형 중 한 형태일 수 있다. 먼저, 평면형의 표면 전도형 전자 방출 소자에 대해 설명한다.
제1(a)도 및 제1(b)도는 평면형 표면 전도형 전자 방출 소자의 개략도로 기본 구성을 도시한다.
제1(a)도 및 제1(b)도를 참조하면, 기판(1), 전자 방출 영역(2), 도전성 박막(3) 및 한쌍의 소자 전극(4 및 5)를 포함한다.
기판(1)용으로 사용될 수 있는 재료는 석영 글라스, 농도 레벨이 감소된 Na와 같은 불순물을 포함하는 글라스, 소다 석회 글라스, 스퍼터링으로 소다 석회 글라스 상에서 SIO를 형성함으로써 실현된 적충체, Si 뿐만 아니라, 알루미나와 같은 세라믹 기판을 포함한다.
대향 배치된 소자 전극(4 및 5)는 임의의 높은 도전 재료로 제조될 수 있고, 양호한 후보 재료는 Ni, Cr, Au, Mo, W, Pt, Ti, Al, Cu 및 Pb와 같은 금속 및 이들의 합금, Pd, Ag, RuO, Pd-Ag 및 글사스 중에서 선택된 금속 또는 금속 산화물로 제조된 프린트가능한 도전성 재료, InO-SnO와 같은 투명 도전 재료 및 폴리실리콘과 같은 반도체 재료를 포함한다.
표면 전도형 전자 방출 소자 중 소자 전극을 분리하는 거리 L, 소자 전극의 길이 W, 도전성 박막(3)의 형상 및 다른 요인은 소자의 응용에 따라 결정될 수 있다. 소자 전극을 분리하는 거리 L은 백과 백 마이크로미터 사이, 특히 소자 전극에 인가되는 전압 및 다른 고려 여하에 따라 수 마이크로미터와 수십 마이크로미터 사이가 좋다.
소자 전극의 길이 W는 전극의 저항 및 소자의 전자 방출 특성에 따라 수 마이크로미터와 수백 마이크로미터 사이가 좋다. 소자 전극의 막 두께 d는 백과 수 마이크로미터 사이다.
제1(a)도 및 제1(b)도에 도시된 표면 전도형 전자 방출 소자는 기판(1)상에 소자 전극(4 및 5) 및 도전성 박막(3)의 순으로 적충됨으로써 준비되고, 기판(1)상에 도전성 박막(3) 및 대향 배치된 소자 전극(4 및 5)가 차례로 적충함으로써 선택적으로 준비된다.
도전성 박막(3)은 우수한 전자 방출 특성을 얻기 위해 미립자 막이 양호하다. 도전성 박막(3)의 두께는 소자 전극(4 및 5)상의 도전성 박막 스텝 커버리지, 소자 전극(4 및 5)간의 전기 저항 및 다른 펙터 뿐만 아니라 포밍 인가 동작용 파라메터의 기능으로서 결정되고, 수과 수천사이, 양호하게는, 10 과 500사이가 좋다. 도전성 박막(3)은 일반적으로 103과 107Ω/? 사이의 시트 저항 Rs를 표시한다.
도전성 박막(3)은 Pd, Ru, Ag, Au, Ti, In, Cu, Cr, Fe, Zn, Sn, Ta, W 및 Pb 와 같은 금속, PdO, SnO2, In2O3, PbO 및 Sb2O3와 같은 산화물 HfB2, ZrB2, LaB6, CeB6, YB4및 GdB4와 같은 붕화물, TiC, ZrC, HfC, TaC, SiC 및 WC와 같은 탄화물, TiN, ZrN 및 HfN과 같은 질화물, Si 및 Ge와 같은 반도체 및 카본 중에서 선택된 재료의 미립자로 제조된다.
여기에 사용된 "미립자 막"은 느슨하게 분산되고, 단단하게 배치되거나 수동적이고 랜덤하게 오버랩핑(어떤 조건하에서 섬 형태 구조를 형성하기 위해)될 수 있는 다수의 미립자로 구성된 박막을 칭한다. 본 바명을 위해 사용되는 미립자의 직경은 수과 수천사이가 좋고, 특히 10과 200사이가 좋다.
전자 방출 영역(2)는 도전성 박막(3)의 일부에 형성되고, 균열 및 그것의 주변 영역을 포함한다. 전자는 균열 및 그 주변 영역으로부터 방출된다. 전자 방출 영역(2)의 성능은 도전성 박막(3)의 두께, 질 및 재료, 및 포밍 인가 처리가 행해지는 조건에 따라 변한다. 그러므로, 전자 방출 영역(2)는 위치 및 형태에서 제1(a)도 및 제1(b)도에 도시한 것에 한정되지 않는다.
직경이 수과 수백사이인 도전성 미립자로 균열이 제공될 수 있다. 도전성 미립자는 도전성 박막(3)의 재료와 부분적이거나 전체적으로 공통인 원소를 포함한다. 전자 방출 영역(2), 및 전자 방출 영역(2)에 근접하게 위치된 도전성 박막(3)의 일부는 카본 및 / 또는 카본 화합물을 포함할 수 있다.
스텝형 표면 전도형 전자 방출 소자의 기본 구성에 대해 설명한다.
제2도는 스텝형 표면 전자형 방출 소자의 개략적인 단면도로, 기본 구성을 도시한다. 제2도에서, 참조 부호(21)은 단차 형성부를 표시한다. 또, 제1(a)도 및 제1(b)도와 각 부와 동일하거나 유사한 부호는 동일 참조 부호를 붙인다.
소자는 기판(1), 전자 방출 영역(2), 도전성 박막(3) 및 소자 전극(4 및 5)를 포함하는데, 상술한 바와 같이 평면형 표면 전도형 전자 방출 소자와 동일 재료로 제조된다.
단차 형성부(21)은 진공 증착법, 프린팅 또는 스퍼터링에 의해 형성된 SiO2와 같은 절연 재료로 제조된다. 단차 형성부(21)이 높이는 상술한 바와 같이 평면형 표면 전도형 전자 방출 소자의 소자 전극을 분리하는 거리 L에 대응하거나(제1(a)도), 수백과 수십 마이크로미터 사이이다. 양호하게, 단차 형성부(21)의 높이는 수백과 마이크로 사이이고, 여기에서 사용된 단차 형성부(21)의 제조 방법 및 소자 전극(4 및 5)에 인가되는 전압의 기능으로서 선택된다.
소자 전극(4 및 5) 및 단차 형성부(21)을 형성한 후, 도전성 박막(3)은 소자 전극(4 및 5)상에 적충되고, 반대로 소자 전극(4 및 5)는 처음 형성된 도전성 박막(3)상에 적층된다. 상기 설명으로서, 평면형 표면 전도형 전자 방출 소자를 참조함으로써 전자 방출 영역(2)는 도전성 박막(3)의 막 두께, 질 및 재료, 및 포밍 인가 처리가 행해지는 조건에 따라 준비된다. 그러므로, 전자 방출 영역(2)는 위치 및 형태에 대해 제2도에 도시된 것에 특별히 제한되지 않는다.
본 발명은 평면형 표면 전도형 전자 방출 소자에 대해 설명하지만, 이것은 스펩형 표면 전도형 전자 방출 소자로서 판독될 수 있다.
표면 전도형 전자 방출 소자의 제조 방법은 제3(a)도 내지 제3(c)도를 참조하여 설명하는데, 본 발명을 위해 쉽게 사용될 수 있는 다른 방법일 수 있다. 제1(a)도 및 제1(b)도의 각 부와 동일한 제3(a)도 내지 제3(c)도의 각 부는 동일 부호로 각각 표기 된다.
1) 세제, 순수 및 유기 용제로 기판(1)을 충분히 세척한 후, 재료는 한쌍의 소자 전극(4 및 5)용 진공 증착법, 스퍼터링 또는 소정의 다른 적합한 방법에 의해 기판(1)상에 증착된 다음, 포토리소그래픽에 의해 형성된다.(제3(a)도).
2) 유기 금속 박막은 유기 금속 용제를 인가하고, 주어진 시간 주기 동안 인가된 용제를 남김으로써 소자 전극(4 및 5)를 연결하도록 한쌍의 소자 전극(4 및 5)를 설치한 기판(1)상에 형성된다. 유기 금속 용제는 도전성 박막(3)용으로 상기 표기된 금속의 주성분으로 포함할 수 있다. 그 후, 유기 금속 박막은 가열, 베이크 및 이어서 리프트 오프 또는 에칭과 같은 적합한 기술을 사용하여 패터닝 동작을 행하여 도전성 박막(3)을 형성한다.(제3(b)도).
도전성 박막(3)의 재료는 산화물 및 금속 또는 양호하게 비화학량론 조성을 갖는 산화물의 2상 혼합이기 때문에, 도전성 박막(3)의 저항은 재산화 또는 감소에 의해 넓은 범위 상에 조정될 수 있다.
유기 금속 용제는 상술한 설명에서의 박막을 형성하기 위해 기판에 적용되고, 유기 금속막은 진공 증착법, 스퍼터링, 화학 증기 증착, 분산 도포법, 딥핑, 스피너 코팅 또는 소정의 다른 적합한 기술에 의해 선택적으로 형성될 수 있다.
3) 그 후, 소자는 "여기화 포밍(energlzation forming))"이라는 처리를 실시한다. "여기화 포밍"은 도전성 박막(3)의 구조를 국부적으로 변경시켜 전자 방출 영역(2)을 형성시키기 위해 전원(도시하지 않음)으로부터 소자 전극(4와 5) 사이에 통전하는 통전처리이다.(제3(c)도). 이 통전 처리의 결과로서, 도전성 박막(3)은 국부적으로 파괴되거나, 변형되거나 변질되어, 도전성 박막(3)의 것과 다른 구조를 갖는 전자 방출 영역(2)를 형성한다.
여기화 포밍용으로 사용된 전압 파형의 예는 제4(a)도 및 제4(b)도에 도시되어 있다.
여기화 포밍용으로 사용디는 전압은 양호하게 펄스 파형을 갖는다. 여기화 포밍 동안, 높이가 일정한 전압 펄스는 연속적으로 인가되거나(제4(a)도), 파고가 증가된 전압 펄스는 인가된다(제4(b)도).
파고가 일정한 전압 펄스의 사용은 제4(b)도에 참조함으로써 먼저 설명하겠다.
제4(a)도에서, 전압 펄스는 펄스 폭 T1 및 펄스 간격 T2를 갖는데, 전형적으로 각각 1μsec. 와 10 msec 사이 및 10μsec. 와 100 msec 사이이다. 삼각파의 높이(여기화 포밍 동작용 피크 전압)는 표면 전도형 전자 방출 소자의 프로파일이 따라 적절하게 선택될 수 있다. 전압은 수 내지 수십 분 동안 적합한 정도의 진공으로 인가된다. 전압 파형은 삼각형으로 제한되지 않고, 사각 파형이 선택적으로 사용되는 소정의 다른 적합한 파형임을 주지한다.
이제, 파고가 증가하는 전압 펄스의 사용은 제4(b)도를 참조하여 설명하겠다.
제4(b)도에서, 펄스 전압은 제4(b)도의 펄스 전압과 거의 유사한 폭 T1 및 펄스 간격 T2를 갖는다. 그러나, 삼각파의 높이(포밍 동작용 피크 전압)은, 예를 들면 0.1 V의 계단을 갖는 계단형으로 증가되고, 전압은 제4(a)도을 참조하여 상술한 바와 같은 적합한 정도의 진공으로 인가된다.
포밍 동작은 충분히 낮고 도전성 박막(3)을 국부적으로 파괴 또는 변형시킬 수 없거나 약 0.1 V인 전압이 펄스 전압의 간격 T2 동안 소자에 인가될 때, 소자 전극을 통해 흐르는 전류를 측정함으로써 종결된다. 전형적으로, 여기화 포밍 동작은 소자 전극에 약 0.1 V의 전압을 인가하는 동안, 1 M 오옴보다 더 큰 저항이 도전성 박막(3)을 통해 흐르는 소자 전류용으로 확인될 때 관찰된다.
제5도는 상기 포밍 인가 처리 및 연속하는 처리가 표면 전도형 전자 방출 소자용으로 행해지는 안내 / 계산 시스템의 개략적인 블럭도이다. 안내 / 계산 시스템은 이후에 설명하겠다.
제5도에서, 제1(a)도 및 제1(b)도와 동일한 부재는 동알한 참조 부호에 의해 각각 표시된다. 또, 안내 / 계산 시스템은 소자 전압 Vf를 소자에 인가하는 전원(51), 소자 전극(4와 5) 사이에 박막(3)을 통해 흐르는 소자 전류 If를 측정하는 전류계(50), 소자의 전자 방출 영역(2)로부터 방출된 전자에 의해 형성된 방출 전류 Ie를 포착하는 애노드(54), 전압을 안내 / 계산 시스템의 애노드에 인가하는 고전압원(53)및 소자, 진공 챔버(55) 배치 펌프(56) 및 가스 주입 포트(57)의 전자 방출 영역(2)로부터 방출된 전자로 형성된 방출 전류 Ie를 측정하기 위한 다른 전류계(52)를 갖는다.
표면 전도형 전자 방출 소자 및 다른 소자 뿐만 아니라 애노드(54)는 진공 챔버(55)에 배치된다. 안내 / 계산 시스템용으로 필요한 진공 게이지 또는 다른 장치 일부(도시하지 않음)을 포함하는 기구가 진공 챔버(55)에 배치되기 때문에, 챔버내의 표면 전도형 전자 방출 소자의 성능은 적절하게 테스트될 수 있다.
진공 펌프(56)은 터보 펌프 또는 로터리 펌프를 포함하는 일반적인 고진공 시스템 및 이온 펌프를 포함하는 초고진공 시스템에 제공된다. 전체 진공 챔버(55) 및 표면 전도형 전자 방출 소자의 기판(1)은 히터에 의해 약 200 ℃로 가열될 수 있다. 본 발명에 따른 전자원을 포함하는 표시 패널을 어셈블리하는 처리에서, 후술한 바와 같이, 안내 / 계산 시스템은 표시 패널 및 그 내부에 위치된 조각이 진공 챔버(55) 및 대응하는 내부로서 동작할 수 있도록 설계될 때, 여기화 포밍 처리 또는 이후의 처리용으로 사용될 수 있다.
4) 다음에, 소자는 활성화 처리를 양호하게 행한다.
활성화 처리에서, 파고가 일정한 전압 펄스는 10-4내지 10-5torr의 진공으로 소자에 반복적으로 인가되기 때문에, 카본 또는 카본 화합물은 진공내에 남아 있는 유기 기판으로부터 전자 방출 영역(2)상에 증착되어, 소자 전류 및 방출 전류에 대해 소자의 성능을 현저하게 향상시킨다. 바람직하게, 활성화 처리는 방출 전류가 포화 상태로 될 때 종결되고, 소자 전류 If 및 방출 전류 Ie를 얻는다. 활성화 처리용으로 사용되는 전압 펄스의 펄스 폭, 펄스 간격 및 펄스 파고는 적절하게 선택될 수 있다. 본 발명을 위해, 카본 및 카본 화합물은 그라파이트(단결정 및 다결정) 및 무결정질 카본(비정질 카본, 및 비정질 카본의 화합물 및 다결정 그라파이트의 미세 결정 그레인)을 포함하고, 증착된 막의 두께는 500이하, 특히 300이하가 양호하다.
본 발명에 따른 전자원은 후술한 바와 같은 방법으로 표면 전도형 전자 방출 소자를 배치함으로서 실현될 수 있다.
총 Y 방향 배선은 이들 사이에 배치된 층간 절연층을 통해 총 m 개의 X 방향 배선 상에 배치되고, 표면 전도형 전자 방출 소자는 각각 관련된 X 및 Y 방향 배선에 접속된 소자 전극과의 교차부에 배치된다. 이 배치는 단순 매트릭스 배치라 한다.
표면 전도형 전자 방출 소자의 기본 특징에서, 단순 매트릭스 배치로 배열된 각 표면 전도형 전자 방출 소자는 전압이 문턱 전압 레벨 이상일 때 소자의 양 전극에 인가된 펄스 전압의 파고 및 파형 폭을 제어함으로써 전자 방출용으로 제어될 수 있다. 한편, 소자는 실제로 문턱 전압 레벨 이하에서 전자를 방출하지 않는다. 그러므로, 장치에 배열된 전자 방출 소자의 수와 관계없이, 원하는 표면 전도형 전자 방출 소자는 펄스 전압을 각각의 선택된 소자에 인가함으로써 입력 신호에 응답하여 전자 방출용으로 선택되고 제어될 수 있다. 즉, 단순 매트릭스 배치의 각각의 표면 전도형 전자 방출 소자는 관련된 배선을 선택함으로써 독립적으로 선택되고 구동될 수 있다.
따라서, 전자원은 단순 매트릭스 배치를 기초로 실현될 수 있다. 이것에 대해서는 제6도에 참조하여 더 설명하겠다.
제6도는 전자원의 응용에 따라 적절하게 결정될 수 있는 다수의 표면 전도형 전자 방출 소자(104), 수 및 형상을 행해지는 이미 설명한 바와 같은 글라스 기판(1)의 개략 평면도이다.
총 X 방향 배선(102)는 Dx1, Dx2, ···, Dxm으로 표시되고, 기판(1)상에 진공 증착법, 프린팅 또는 스퍼터링에 의해 형성된 도전성 금속으로 제조된다. 이들 배선은 실질적으로 동일 전압이 표면 전도형 전자 방출 소자(104)에 인가되도록 재료, 두께 및 폭을 설계한다. 총 n개의 Y 방향 배선(103)은 Dy1, Dy2, ···, Dyn으로 배열되고 표시되며, 재료, 두께 및 폭에 대해 X 방향 배선(102)와 유사하다.
층간 절연층(도시하지 않음)은 m개의 X 방향 배선(102)와 n 개의 Y 방향 배선(103) 사이에 배치되어, 서로 전기적으로 분리된다(m 및 n은 정수).
층간 절연층(도시하지 않음)은 전형적으로 SiO2로 형성된다. 층간 절연층의 막 두께, 재료 및 제조 방법을 선택하는데 주의해야 하기 때문에, X 방향 배선(102) 및 Y 방향 배선(103)의 교차부에 발생하는 어떤 전위차를 견딜 수 있다.
각 표면 전도형 전자 방출 소자(104)의 대향하여 배치된 전극쌍은 도전성(도시하지 않음) 금속으로 제조되고, 진공 증착법, 프린팅 또는 스퍼터링으로 형성된 배선(105)를 각각 접속함으로써, m 개의 X 방향 배선(102) 중 한 배선 및 n 개의 Y 방향 배선(103) 중 한 배선에 관련된다.
m 개의 X 방향 배선(102), Y 방향 배선(103) 및 접속 배선(105)의 도전성 금속 재료 및 소자의 도전성 금속 재료는 동일하거나 성분으로서 공통 소자를 포함할 수 있다. 선택적으로, 이들은 서로 다를 수 있다. 이들 재료는 소자 전극용으로 상기 표시된 후보 재료 중에서 적절하게 선택될 수 있다. 소자 전극 및 접속 배선이 동일 재료로 제조될 경우는 접속 배선을 식별하지 않고 소자 전극이라 칭할 수 있다. 표면 전도형 전자 방출 소자(104)는 기판(1) 또는 층간 절연층(도시하지 않음) 중 하나 위에 배열될 수 있다.
X 방향 배선(102)는 주사 신호를 표면 전도형 전자 방출 소자(104)의 선택된 열에 인가하기 위해 주사 신호 응용 수단(도시하지 않음)에 전기적으로 접속된다.
한편, Y 방향 배선(103)은 변조 신호를 표면 전도형 전자 방출 소자(104)의 선택된 행에 인가하고, 입력 신호에 따라 선택된 컬럼을 변조하는 변조 신호 발생수단에(도시하지 않음) 전기적으로 접속된다. 각 표면 전도형 전자 방출 소자에 인가되는 구동 전압은 소자에 인가된 주사 신호 및 변조 신호의 전압 차로서 표현됨에 주의해야 한다.
상술한 바와 같은 단순 매트릭스 배치를 갖는 전자원을 포함하는 화상 형성 장치는 제7도, 제8(a)도 및 제8(b)도를 참조하여 설명한다. 제7도는 화상 형성 장치의 부분적으로 절단한 개략적인 사시도이고, 제8(a)도 및 제8(b)도는 화상 형성 장치용으로 사용될 수 있는 형광막(114)의 2개의 기능 구성을 도시하는 개략도이다.
먼저, 화상 형성 장치의 표시 패널의 기본 구성을 도시한 제7도를 참조하면, 다수의 전자 방출 소자에 배치된 상술한 전자원 기판(1), 전자원 기판(1)을 강하게 고정한 리어 플레이트(111), 글라스 기판(113)의 내면 상의 형광막(114) 및 금속 백(115)를 적충함으로써 형성된 페이스 플레이트(116) 및 지지 프레임(112)를 포함한다. 리어 플레이트(111), 지지 프레임(112) 및 페이스 플레이트(116)은 서로 결합되어, 플릿 글라스에 적용하고, 대기압 또는 질소로 10분 이상 400℃ 내지 500 ℃로 베이킹함으로써 외위기(118)을 형성한다.
제7도에서, 참조 번호(2)는 제1(a)도 및 제1(b)도에 도시된 바와 같은 각 전자 방출 소자의 전자 방출 영역을 표시하고, 참조 번호 (102 및 103)은 각 전자 방출 소자의 각각의 소자 전극에 접속된 X 방향 배선 및 Y 방향 배선을 표시한다. X 방향 배선 및 Y 방향 배선은 각각 외부 단자(Dx1 내지 DXm 및 Dy1 내지 Syn)로 제공된다.
외위기(118)은 상술한 실시에에서의 페이스 플레이트(116), 지지 프레임(112) 및 리어 플레이트(111)로 형성되고, 리어 플레이트(111)은 리어 플레이트(111)이 기판(1)을 보강하는데 주로 사용되기 때문에 기판(1)이 자체적으로 충분히 강한 경우 생략될 수 있다. 이러한 경우이면, 독립된 리어 플레이트(111)은 필요없을 수 있고, 기판(1)은 지지 프레임(112)에 직접적으로 결합될 수 있기 때문에, 외위기(118)은 페이스 플레이트(116), 지지 프레임(112) 및 기판(1)로 구성된다.
외위기(hermetically sealed envelope : 118)의 전체 강도는 페이스 플레이트(116)과 리어 플레이트(111) 사이의 스페이서(도시하지 않음)이라 칭하는 다수의 지지 부재를 배열함으로써 증가될 수 있다.
제8(a)도 및 제8(b)도는 2개의 형광막 배치를 개략적으로 도시한다. 형광막(111)은 표시 패널이 흑색 및 백색 화질을 도시하는데 사용될 경우 단일 형광체만 포함하는데, 이것은 흑색 도전 부재(121) 및 형광체(122)를 표시하기 위해 포함하고, 흑색 도전 부재는 형광체의 배치에 따라 흑색 스트라이프(제8(a)도) 또는 흑색 매트릭스의 부재(제8(b)도)로서 칭해진다. 흑색 스트라이프 또는 매트릭스의 부재는 칼라 표시 패널용으로 배열되기 때문에, 다른 삼원색의 형광체(122)는 식별 가능하지 않게 제조되고, 외부광의 표시된 화상의 콘트라스트를 감소하는 역 효과는 주위 영역을 어둡게 함으로써 약해진다. 그라파이트(graphite)는 일반적으로 흑색 도전 부재(121)의 주성분으로 하는 재료로서 사용되고, 광 투과성 및 반사가 낮은 다른 도전성 재료는 선택적으로 사용될 수 있다.
침전법(precipitation) 또는 프린팅법은 흑색 및 백색 또는 칼라 표시와 관계없이 글라스 기판(111)상의 형광체(122)에 적용함으로써 적절하게 사용된다.
금속 백(115)는 전형적으로 형광막(114)의 내면 상에 배치되어 있다. 금속 백(115)는 형광체(122)로부터 방출되고, 페이트 플레이트(116)쪽으로 경면 반사함으로써 외위기 내부를 향하는 광선을 발생함으로써 표시 패널의 휘도를 증가시키고, 휘도를 증가시키기 위해 제공되어, 가속 전압을 전자 빔에 인가하는 전극으로서 사용하고, 외위기(118) 내측에 발생된 네가티브 이온이 충돌할 때 발생될 수 있는 손상에 대해 형광체(122)를 보호한다. 이것은 형광막(114)의 내면을 평활하게 하고(일반적으로 "포밍"이라 칭해진 동작으로), 형광막(114)를 형성한 후 진공 증착법에 의해 이들 상에 A1 막을 형성함으로써 준비된다.
투명 전극(도시하지 않음)은 형광막(114)의 도전성을 증가시키기 위해 페이스 플레이트(116)상에 형성될 수 있다.
칼라 표시가 포함된 경우, 외우기의 상기 표기된 성분이 서로 결합되기 전에, 칼라 형광체(122) 및 해당 전자 방출 소자(104)의 각 세트를 정확하게 배열할 수 있다.
그 다음, 외위기(118)의 내측에는 내측에 약 10-7torr의 진공도를 달성하기 위해 배기 파이프(도시하지 않음)를 통해 배출된 다음, 밀봉된다. 게터 처리는 밀봉된 후 외위기(118)의 내측에 달성된 진공 정도를 유지하기 위해 행해질 수 있다. 게터 처리에서, 외위기(118)의 선정된 위치에 배치된 게터(도시하지 않음)은 가열되어 증착에 의해 막을 형성한다. 전형적으로, 게터는 주요 성분으로서 Ba를 포함하고 증착법으로 증착된 막의 흡착 효과에 의해 외위기(118) 내에서 전형적으로 1 x 10-5와 1 x 10-7torr 사이의 진공도를 유지할 수 있다.
여기화 포밍 및 표면 전도형 전자 방출 소자를 제조하는 계속된 처리는 외위기(118)이 상술한 방식으로 밀봉되기 전 또는 후에 전형적으로 처리된다.
따라서, 본 발명에 따른 상술한 바와 같이 단순 매트릭스 배치의 전자원을 포함하는 표시 장치는 산업 및 상업적인 응용은 넓은 다양화를 발견할 수 있기 때문에, 이것은 텔레비젼 방송용 표시 장치, 비디오 원격지간 회의용 단말 장치, 스틸 사진 및 영화의 편집 장치, 컴퓨터 시스템용 단말 장치, 감광 드럼을 포함하는 광학 프린터 및 많은 다른 방법으로 동작할 수 있다.
이제, 본 발명은 양호한 실시예로 설명하겠다.
[제1실시예]
제9도는 본 발명에 따른 전자원, 및 전자원을 구동하는 구동 회로의 실시예를 포함하는 화상 형성 장치 구동하는 일부의 블럭도이다. 제9도는 단순한 도시로, 전자원 및 화상 형성 장치는 제6도, 제7도, 제8(a)도 및 제8(b)도를 참조하여 상기한 바와 같은 각각을 구성을 갖는다. 제9도를 참조하면, 기판(1)은 소다 석회 글라스로 제조되고, 소자 전극(4 및 5)는 전형적으로 Ni로 제조되며, 2 마이크로미터의 간격을 두고 대향하여 설치되어 있다. 참조 번호(3)은 전자를 방출할 수 있는 Pb와 같은 기판의 초미립자막을 표시한다. 이 막은 이들의 일부로서 전자 방출 영역을 포함한다. 기판(1)상에 설치된 소자 전극(4 및 5) 및 초미립자막(3)은 표면전도형 전자 방출 소자를 구성한다. 소자 전극(4 및 5)는 본 실시예에서 대칭적으로 형성되고, 편의상 각각 제1 및 제2 전극이라 칭해진다.
참조 번호(116)은 형광체(122) 및 금속백(115)의 내면에 설치되는 글라스 패널의 페이스 플레이트를 표시한다. 화상 형성 장치는 형광체(112)가 약 1 ㎂의 광도로 전자 빔에 조사되고, 예를 들면 10 ㎸의 가속 전압이 금속 백(115)에 인가될 경우, 충분한 휘도를 갖는 가시광을 방출할 수 있다.
참조 번호(6)은 표면 전도형 전자 방출 소자의 제1과 제2 전극 사이에 적합한 전압을 인가하는 전압원을 표시한다. 전압원의 동작은 제11(a)도 내지 제11(d)도를 참조하여 후술하겠다.
한편, 제9도에 도시된 실시예의 필수 구성 요소가 아닌 전압계(7) 및 전류계(8 및 9)를 도시하고 있다.
전자원의 실시예의 동작을 설명하기 전에, 본 실시예의 각 표면 전도형 전자 방출 소자의 소정의 특징은 제10도를 참조하여 설명하겠다. 제10도에서, 횡축은 제1극과 제2 전극 사이에 인가되는 전압을 표시하고, 제9도에서의 전압계(7)의 판독에 대응한다.
제10도의 2개의 종축 중, 중심에서의 한 축은 표면 전도형 전자 방출 소자를 통해 흐르는 전류 광도를 표시하고, 제9도에서 전류계(8)의 판독에 대응한다(제9도에서 화살표 If로 표시된 방향은 포지티브 방향으로서 한정된다).
제10도의 우측 종축은 표면 전도형 전자 방출 소자의 출력 전자 빔으로 형성된 전류의 밀도를 표시하고, 제9도에서 전류계(9)의 판독에 대응한다.
먼저 상술한 바와 같이, 제10도에서 직선으로 표시된 If는 인가 전압 Vf의 기능으로서 3개 영역으로 분류될 수 있다. 일반적으로, 인가된 전압이 상승함에 따라 소자 전류 If가 증가하는 I 영역(단조롭게 증가하는 영역), 인가된 전압이 증가함에 따라 소자 전류 If가 감소하는 II 영역(VCNR 영역) 및 인가 전압이 더 증가할 경우 방출 전류 Ie가 나타나고, 소자 전류가 감소되지 않은 III 영역이다.
제10도는 역 극성을 갖는 전압 Vf가 인가될 때 표면 전도형 전자 방출 소자의 성능을 도시하고, 도시한 바와 같이 소자 전류 If가 유사한 성능을 위해 역 방향으로 흐른다. 인가된 전압 Vf가 역 극성을 가질 때 If가 I 영역에서 II 영역으로 이동하는 문턱 전압은 -Vc로서 칭해진다. 즉, If는 -Vc로 국부 최대값이 된다. 소자의 전자 빔에 의해 생성된 방출 전류 Ie의 라인으로부터 알 수 있는 바와 같이, 표면 전도형 전자 방출 소자는 인가된 전압 Vf의 극성에 관계없이 동일 방법으로 변경되는 광도를 갖는 전자 빔을 방출한다.
추가로, 고저항화 펄스가 인가될 때, 표면 전도형 전자 방출 소자는 직선으로 표시된 If 특징에 관련하여 더 높은 저항을 도시하는 고저항 상태로 이동하고, 주어진 시간 주기 동안 이들 상태에서 유지된다.
이제, 표면 전도형 전자 방출 소자를 고저항 상태로 행하기 위한 고저항화 펄스에 대해 설명한다. 전압 펄스는 적어도 Vc보다 더 큰 진폭, 구동 전압의 극성과 역인 극성(또는 -Vc보다 낮은 네가티브 전압 펄스) 및 적어도 10 V/sec. 보다 더 큰 상승 비율(0 V용 시간 항목에 대한 변화율)을 갖는다.
따라서, 표면 전도형 전자 방출 소자는 상술한 방법으로 실행한다. 이제, 전자원의 실시예와 이 실시예를 포함하는 화상 형성 장치는 제9도를 참조하여 설명하겠다.
간단히, 전압원(6)은 고정항화 펄스를 인가하고, 표면 전달을 제1위치의 고저항 상태로 천이한 후, 형광체쪽으로 소자에 전자빔을 방출하여, 방출 화상 신호에 따라 의도된 화상을 형성한다.
고정항화 펄스를 인가하는 동작을 위해, 표면 전도형 전자 방출 소자의 제2전극(5)는 포지티브 전극으로서 동작하고, 제1전극(4)는 네가티브 전극의 룰을 취한다. 예를 들면, -14 V의 펄스가 인가될 때, 소자는 약 1 x 10-6A의 전자 빔을 방출한다. 그 다음, 전자 빔은 금속 백(115)에 의해 형성된 전계가 여기에 인가될 때 거의 포물선으로 점선(10)에 의해 표시된 궤도를 따라 비행하도록 제조된다.
그러나, 흑색 스트라이프 또는 흑색 매트릭스로 칭해지는 흑색 도전 부재(121)이 전자 빔에 의해 충돌되는 위치에 배치되고, 형광체(122)가 궤도의 점선(10)상에 발견되지 않기 때문에, 전자 빔은 발광을 생성되지 않는다. 따라서, 화상 형성 장치의 화상 형성 동작에 반대로 영향을 끼칠 수 있는 고저항화 펄스로 인한 바람직하지 않는 발광은 효과적으로 발생되지 않는다.
한편, 형광체(122)에 화상 신호에 따른 발광 동작을 위해, 제1 및 제2전극(4 및 5)는 각가 포지티브 및 네가티브 전극으로서 동작한다. 이 동작을 위해, 소자 전극(4 및 5) 및 금속 백(115)에 의해 발생된 전계는 고저항화 펄스로 인가된 힘의 방향과 반대인 방향을 따라 힘을 방출된 전자 빔에 인가하기 때문에, 전자 빔은 직선(11)로 표시된 포물선의 궤도를 허용한다. 따라서, 전자 빔은 금속백(115)를 투과하고, 형광체(122)를 여기시키며, 차례로 충분한 광도를 갖는 가시광을 방출한다.
고정항화 펄스를 인가하고 화상을 표시하는 실시예의 동작은 상기 설명으로부터 이해될 수 있다. 이제, 인가된 전압 Vf, 소자 전류 If 및 방출된 전자 빔 Ie 간의 관계는 제11(a)도 내지 제11(c)도를 참조하여 보충 설명될 수 있다.
제11(b)도는 전압원(6)에 의해 표면 전도형 전자 방출 소자에 인가된 전압 Vf가 시간 대해 변하는지를 도시하는 그래프이다. 먼저, Vc를 초과하는 진폭 및 10 V/sec. 보다 더 높은 상승 비율을 갖는 고저항화 펄스가 인가된다. 그 다음, 구동 전압은 형광체(122)에 화상 신호에 따라 발광하여 인가된다. 그러나, 순차적으로 주사되는 단순 매트릭스의 형태로 설치된 다수의 표면 전도형 전자 방출 소자를 포함하는 전자원의 경우에서, 7 V 또는 0 V는 표면 전도형 전자 방출 소자에 인가되고, 다른 열의 소자는 상술한 바와 같이 주사된다. 표면 전도형 전자 방출 소자의 열이 주사되고, 대응하는 형광체(122)에 발광하도록 구성될 때, Vth를 초과하는 전압(본 실시예에서, 14V)이 인가되기 때문에 소자는 전자 빔을 방출한다.
제11(b)도는 이 조건하의 표면 전도형 전자 방출 소자를 통해 흐르는 전류 If를 도시한다. 고저항화 펄스가 인가되고 약 1 x 10-3A의 전류가 역 방향으로 흐른다음, 표면 전도형 전자 방출 소자는 고저항 상태로 이동하기 때문에, 7 V가 인가된 경우, 그 결과 흐르는 전류 0.1 x 10-3A 만큼 적어진다. 14 V가 Vf로서 인가될 때, 약 1 x 10-3A의 전류는 흐르지만, 그 다음 표면 전도형 전자 방출 소자가 고저항 상태로 유지되기 때문에 전압이 7 V로 강하할 때 0.1 x 10-3A 만큼 떨어진다.
제11(c)도는 표면 전도형 전자 방출 소자로부터 방출된 전자 빔 Ie는 도시한다.
여기에 도시한 바와 같이, 고저항화 펄스 또는 발광용 펄스가 인가될 때, 약 1 x 10-6A의 광도를 갖는 전자 빔을 방출한다. 그러나, 상술한 바와 같이, 고저항화 펄스가 소자에 인가될 때의 방출된 전자 빔은 형광체(122)에 충돌하지 않는 궤도를 허용하므로, 화상 형성 동작에 악 영향을 끼치지 않는다.
[제2실시예]
제12도는 본 발명에 따른 전자원, 및 전자원을 구동하는 구동 회로의 제2실시예를 포함하는 화상 형성 장치 일부의 블럭도이다. 제12도는 단순한 도시로, 전자원 및 화상 형성 장치는 제6도, 제7도, 제8(a)도 및 제8(b)도를 참조하여 상기한 바와 같이 각각의 구성을 갖는다. 제1실시예와 동일하거나 유사한 각 부는 각각 동일 참조 부호로 표시된다.
이 실시예는 다음 특징에서 제1실시예와 다르다. 각 표면 전도형 전자 방출 소자의 제1및 제2전극(4 및 5)는 동일 형상을 갖고, 상부 레벨이 다르며, 고저항화 펄스가 인가될 때 방출된 전자 빔이 제2전극(5)에 의해 흡수되고 상방으로 진행하지 않게 설계된다.
표면 전도형 전자 방출 소자는 제12도에서 쉽게 이해하도록 불균일하게 확대하고, 제1전근(4)는 폭이 W1 = 10이고, 높이가 t1 = 1,000이며, 제2전극(5)는 폭 W2 = 100이고, 높이가 t2 = 1이다. 전극(4 및 5)는 길이가 g = 2만큼 서로 분리되어 있고, 기판(1) 및 금속 백(115)는 거리가 h = 10㎜ 정도만큼 서로 분리되어 있다.
표면 전도형 전자 방출 소자의 성능을 제13도를 참조하여 설명하겠다. 제10도의 경우에서와 같이, 제13도의 횡축은 Vf 및 If를 표시하고, If(고저항 상태) 및 Ie는 여기에 되시되어 있다. 본실시예의 표면 전도형 전자 방출 소자의 If및 If(고저항 상태)는 제1 실시예와 거의 동일하게 작용하고, 본 실시예의 Ie는 제1실시예와 다르게 행해진다. 특히, Vf가 네가티브 전압일 때, 초미립자막(3)으로부터 방출된 전자 빔은 제2전극(5)에 의해 흡수되어, 금속 백으로 제공된 형광체(122)에 도달하기 어렵다. 따라서, Ie의 문턱 전압 Vth(+)는 Vf가 포지티브일 때 약 10V이고, Ie의 유효 문턱 전압 Vth(-)는 Vf가 네가티브일 때 -16정도로 크다.
즉, 본 실시예의 표면 전도형 전자 방출 소자는 진폭이 14V인 네가티브 전압 펄스가 고저항화 펄스로서 인가될 경우, 임의의 전자 빔을 방출하지 않기 때문에, 화질의 동작에 역으로 영향을 끼치는 임의의 발광을 발생시키지 않는다.
즉, 본 실시예의 형광체(122)는 표면 전도형 전자 방출 소자를 엄격히 조정하지 않고, 제12도에 도시된 바와 같은 전체 스크린 상에 연장시킬 수 있다.
본 실시예의 Vf 및 If는 전자원이 구동되어 동작할 때 제11(a)도 및 제11(b) 도에 도시된 제1실시예와 거의 동일하고, Ie는 상술한 배치로 인해 제11(d)도에 도시된 것과 동일 방법으로 나타난다.
제1 및 제2전극(4 및 5)의 치수는 이것에 제한될 필요는 없다. 일반적으로, 제2전극(5)는 높이 t2가 제1전극의 높이 t1보다 더 크게 형성된 경우 Vf가 네가티브일 때 전자 빔의 방출을 효과적으로 억제한다.
고저항화 펄스로 인한 전자 빔의 방출을 억제하기 위해, t2는 금속 백(115)로 제조된 형광체(122 : 타겟)이 약 h = 10 ㎜만큼 표면 전도형 전자 방출 소자로부터 분리되고, 가속 전압이 약 10 kV 일 때 t1 보다 5배 이상 더 큰 것이 좋다.
더 높은 가속 전압이 사용되거나 타겟과 소자의 사이의 거리 h가 감소될 경우, t2는 t1보다 더 크게 제조되는 것이 좋다.
[제3실시예]
전극의 실질적인 높이는 제14도에 도시된 바와 같은 방법을 사용하여 변경될 수 있다.
제14도를 참조하면, 제1및 제2전극 (4 및 5)는 금속으로 제조되고, 동일 두께 t1을 가지고, 제2 전극(5)의 실제 높이 t2는 제2 전극(5)하에서 절연층으로 배치함으로써 증가될 수 있다.
[제4실시예]
이것은 패널형 화상 형성 장치이다. 제15도는 본 발명의 회로도이다. 제15도는 표시 패널(201), 스위칭 소자 어레이(202), 제어 회로(203), 시프트 레지스터(204), 라인 메모리(205), 구동 소자 어레이(206), 네가티브 펄스 발생기(207) 및 다른 스위칭 소자 어레이(208)을 포함한다.
표시 패널은 제16도의 부분 절취도에 도시된 바와 같은 플랫 패널형 CRT이다. 제16도를 참조하면 외위기(118)은 일부로서 페이스 플레이트(111)을 포함하는 글라스 진공용기로서 제공된다. 페이스 플라이트(111)은 내면 상에 전형적으로 ITO로 제조된 투명 전극을 제공하고, CRT 분야에 공지된 금속 백(115)의 내측에 차례로 제공되며, 적색, 녹색 및 청색의 형광체(122)을 모자이크식으로 배열함으로써 준비된다. 투명 전극(도시하지 않음)은 가속 전압의 적용을 위해 인가 단자 Ev를 이용하여 외위기(118)의 외부에 전기적으로 접속된다.
제16도에서, 참조번호는 외위기(118)의 저부에 고정된 글라스 기판을 표시한다. 이것은 단순 매트릭스 형태로 M 열 및 N행으로 배열된 상부 표면 전도형 전자 방출 소자 상에 형성되는데, 각가 단자(XE1 내지 XEN 및 YE1 내지 YEM)에 의해 외위기(118)의 외부에 전기적으로 접속된다.
제15도로 되돌아가서, 표시 패널(201)의 단자 Ev는 가속 전압을 인가하는 고전압 전원 포에 접속되는데, 전형적으로 10 kV 만큼 높다.
단자(XE1 내지 XEN)은 스위치 어레이(202)의 스위칭 소자(S1 내지 SN)에 각각 접속되기 때문에, 0 V(접지 레벨) 또는 전형적으로 약 7 V인 전원 전압 Vx 중 어느 것은 관련된 스위칭 소자에 의해 각 열의 소자에 인가된다. 스위칭 어레이(202)의 스위칭 소자(S1 내지 SN)은 제15도에 개략적으로 도시되어 있고, FET 쌍이 제어신호 Tx에 따라 0 V 또는 7 V 중 하나를 인가하는데 우수한 토템 폴(totem pole) 또는 소정의 다른 소자 형태로 접속될 수 있다.
시프트 레지스터(204)는 시간 제어 회로(203)으로부터 공급된 제어 신호 Tsft에 따라 외부로 전송된 직렬 화상 데이타의 직렬 / 병렬 변환을 각 라인마다 행해진다. 본 실시예의 표시 패널이 총 라인당 M 화소를 갖기 때문에, 라인용 직렬 / 병렬 변환 화상데이타는 M 신호(ID1 내지 IDM)으로서 시프트 레지스터(204)로부터 전송된다.
라인 메모리(205)는 타이밍 제어 회로(203)으로부터 공급된 제어 신호 Tmry에 따라 시프르 레지스터(204)로부터 라인용 화상 데이타 세트를 공급한다. 제15도에서, ID1' 내지 IDN'는 라인 메모리(205)의 출력 신호를 표시한다.
구동 소자 어레이(206)은 라인 메모리(205)의 출력 신호(ID1' 내지 IDN')에 따라 14V 또는 7 V(각각 발광과 비발광에 대응하는 변형 전압)중 하나로 출력된다.
한편, 네가티브 전압 펄스 발생기(207)은 선택된 표면 전도형 전자 방출 소자(104)를 제어 회로(203)으로부터 공급된 제어 신호 Trp에 따라 고저항 상태로 하기 위한 네가티브 전압 펄스를 발생한다. 이것은 네가티브 전압 펄스가 선정된 진폭 및 선정딘 상승비를 갖는다는 것은 말할 필요도 없다.
스위칭 소자 어레이(208)은 제어 회로(203)으로부터 공급된 제어 신호 Ty에 따라 구동 소자 어레이(206)의 출력 또는 네가티브 전압 펄스 발생기(207)의 출력 중 하나를 선택하여, 단자(YE1 내지 YEM)으로 전송한다. 스위칭 소자 어레이(208)의 출력 신호는 Vy1 내지 VyM으로 칭해질 수 있다.
회로의 상기 각부는 제17(a)도 내지 제17(h)도의 타이밍 챠트를 참조하여 후술하는 방법으로 동작한다. 제17(a)도는 직렬 화상 데이타가 외부 화상데이타 소스로부터 제1라인, 제2라인, 제3라인 등으로 라인 방식에 의해 라인(각 라인용 화소 순차에 의한 화소)으로 제15도의 시프트 레지스터(204)로 순차적으로 공급된다.
화상 데이타와 동기하여, 타이밍 제어 회로(203)은 제17(b)도에 도시된 바와 같은 시프트 클럭 Tsft를 시프트 레지스터(204)로 전송한다. 따라서, 한 세트의 직렬 화상 데이타가 라인용 시프트 레지스터에 공급될 때, 이것은 라인용 직렬 / 병렬 변환을 실행하고, 타이밍 제어 회로(203)은 동시에 제17(c)도에 도시된 바와 같이 메모리 로드 타이밍 신호 Tmry를 대응하는 라인 메모리(205)에 발생시킨다.
따라서, 라인 메모리(205)의 출력 신호(ID1' 내지 IDM')은 메모리 로드 타이밍 신호 Tmry와 동기하여 제1라인의 화상 데이타, 제2라인의 화상 데이타 등용으로 순차적으로 처리된다.
한편, 타이밍 제어 회로(203)은 라인의 소자를 적절하게 구동하기 위해 제어 신호 Tscan을 스위칭 소자 어레이(202)에 발생시킨다. 이 신호는 제17(e)도에 도시되어 있다. S1 = 0 및 S2 내지 SN = Vx인 경우, 0V (접지 레벨)은 스위칭 소자 S1로 공급되고, VE(V)는 스위칭 소자 (S2 내지 SN) 각각으로 공급된다. 제17(e)도로부터 명백해진 바와 같이, S1 내지 SN은 모든 표면 전도형 전자 방출 소자(104)를 고저항 상태로 하기 위해 제1위치에서 0V 로 하고, 그 후 소자는 라인 방식에 의해 라인에 주사된다.
제17(f)도는 타이밍 제어 회로(203)으로부터의 제어 신호에 따라 동작하는 네가티브 전압 펄스 발생기9207)의 출력 신호를 도시한다. 도시한 바와 같이, 네가티브 전압 펄스는 제17(e)도에서 S1 내지 SN = 0에 대응하여 발생된다.
제17(g)도는 스위칭 소자 어레이(208)의 동작을 도시한다. 도시한 바와 같이, 이것은 네가티브 전압 펄스 발생기(207)의 출력을 S1 내지 SN = 0 의 페이스에서 YE1 내지 YEM 으로 진행하고, 구동소자 어레이(206)의 출력을 모든 나머지 페이스에서 YE1 내지 YEM 으로 진행한다. 따라서, 스위칭 소자 어레이(208)은 제17(h)도에서 설명한 바와 같은 출력 신호 Vy1 내지 VyM을 발생한다.
상술한 바와 같이, 제1화상을 표시하는 동작은 고저항화 펄스를 모든 표면 전도형 전자 방출 소자에 인가한 후 개시한다. 사람의 눈으로 동의할 수 있는 화상을 표시하기 위해, 화상 형성 장치는 60 화상/sec. 보다 더 큰 비율로 화상을 발생시키도록 동작한다. 이러한 동작은 타이밍 제어 회로(203)을 설계함으로써 NTSC 텔레비젼 시스템용으로 쉽게 실현할 수 있으므로, 텔레비젼의 수직 주사 페이스에서 고저항화 펄스를 인가하도록 동작한다.
[제5실시예]
제18도는 다수의 표면 전도형 전자 방출 소자를 포함하는 전자원을 사용함으로써 실현되고, 텔레비젼 방송을 포함하는 다양한 정보원 및 다른 화상원으로 제공되는 화상 정보를 표시한 형성 장치의 블럭도이다.
제18도는 표시 패널(16100), 표시 패널 구동 회로(16101), 표시 패널 콘트롤러(16102), 멀티플렉서(16103), 디코더(16104), 입출력 인터페이스 회로(16105), CPU(16106), 화상 발생기(16107), 화상 입력 메모리 인터베이스 회로(16108, 16109 및 16110), 화상 입력 인테페이스 회로(16111), TV 신호 수신 회로(16112 및 16113) 및 입력부(16114)가 도시되어 있다.
표시 장치가 비디오 및 오디오 신호로 구성된 텔레비젼 신호를 수신하는데 사용될 경우, 회로, 스피커 및 다른 소자는 도면에 도시된 회로를 따라 오디오 신호를 수신 분리, 재생, 처리 및 저장하는데 필요하다. 그러나, 이러한 회로 및 소자는 본 발명의 정신의 관점에서 생략된다.
이제 장치의 기능은 화상 신호의 흐름에 따라 설명한다.
먼저, TV 신호 수신 회로(16113)은 전자기파 및 / 또는 공간 광 통신 네트워크를 사용하여 무선 전송계를 통해 전송된 TV 화상 신호를 수신하는 회로이다.
수신되는 TV 신호 시스템은 특정한 것에 제한되지 않고, NTSC, PAL 또는 SECAM과 같은 임의의 시스템은 쉽게 사용될 수 있다. 특히, 이것이 다수의 화소를 포함하는 큰 표시 패널용으로 사용될 수 있기 때문에, MUSE 시스템과 같은 고화질 TV 시스템의 전형적인 다수의 주사 라인을 포함하는 TV 신호용으로 적합하다.
TV 신호 수신 회로(16113)에 의해 수신된 TV 신호 디코더(16104)로 출력된다.
둘째로, TV 신호 수신 회로(16112)는 동축 케이블 및 / 또는 광섬유를 사용하는 배선 전송을 통해 전송된 TV 화상 신호를 수신하는 회로이다. TV 신호 수신 회로(16113)과 유사하게 사용되는 TV 신호 시스템은 특정한 것에 제한되지 않고, 회로에 의해 수신된 TV 신호는 디코더(16104)로 출력된다.
화상 입력 인터페이스 회로(16111)은 TV 카메라 또는 화상 픽업 스캐너와 같은 화상 입력 소자로부터 출력된 화상 신호를 수신하기 위한 회로이다. 또, 이것은 수신된 화상 신호를 디코더(16104)로 출력한다.
화상 입력 메모리 인터페이스 회로(16110)은 비디오 테이프 레코더(이후, VTR이라 칭함)에 기억된 화상 신호를 검색하는 회로이고, 검색된 화상 신호는 디코더(16104)로 출력된다.
화상 입력 메모리 인터페이스 회로(16109)는 비디오 디스크에 기억된 화상 신호를 검색하는 회로이고, 또 검색된 화상 신호는 디코더(16104)로 출력된다.
화상 입력 메모리 인터페이스 회로(16108)은 소위 정지 디스크와 같은 정지 화상 데이타를 기억하는 소자에 기억된 화상 신호를 검색하는 회로이고, 검색된 데이타도 디코더(16104)로 출력된다.
입력 / 출력 인터페이스 회로(16105)는 표시 장치, 및 컴퓨터, 컴퓨터 네트워크 또는 프린터와 같은 외부 출력 신호원을 접속하는 회로이다. 이것은 화상 데이타 및 문자 및 도형의 데이타의 입력 / 출력 동작을 행하고, 경웨 따라서는 제어 신호 및 표시 장치의 CPU(16106)과 외부 출력 신호원 사이의 수치 데이타의 입력 / 출력 동작을 행한다.
화상 발생 회로(16107)은 입력 / 출력 인터페이스 회로(16105)를 통해 외부 신호원으로부터 입력되거나 CPU(16106)으로부터 출력되는 화상 데이타 및 문자 및 도형 데이타에 기초하여 표시 스크린 상에 표시되도록 화상 데이타를 발생하는 회로이다. 회로는 화상 데이타 및 문자 및 도형 데이타를 기억하는 재배치가능한 메모리, 주어진 문자 코드에 대응하는 화상 패턴을 기억하는 판독 전용 메모리, 화상 데이타를 처리하는 프로세서 및 스크린 화상의 발생을 위해 필요한 다른 회로 부분을 포함한다.
표시용 화상 발생 회로(16107)에 의해 발생된 화상 데이타는 디코더(16104)로 전송되고, 경우에 따라 입력 / 출력 인터페이스 회로(16105)를 통해 컴퓨터 네트워크 또는 프린터와 같은 외부 회로로 전송될 수 있다.
CPU(16106)은 표시 장치를 제어하고, 발생, 선택 및 편집 화상의 동작을 표시 스크린 상에 표시되도록 행한다.
예를 들면, CPU(16106)은 제어 신호를 멀티플렉서(16103)으로 전송하고, 적절하게 화상용 신호를 표시 스크린 상에 표시되도록 선택 또는 결합된다. 동시에, 이것은 표시 패널 콘트롤러(16102)용 제어 신호를 발생하고, 화상 표시 주파수, 주사 방법(예를 들면, 인터레이스 주사 또는 논인터레이스 주사), 프레임당 주사 라인 수 등의 부분에서 표시 장치의 동작을 제어한다. 또, CPU(16106)은 화상 데이타 및 문자 및 도형 데이타를 화상 발생 회로(16107)에 전송하고, 입력 / 출력 인터페이스 회로(16105)를 통해 외부 컴퓨터 및 메모리에 억세스하여, 외부 화상 데이타 및 문자 및 도형 데이타를 얻는다.
CPU(16106)은 퍼스널 컴퓨터 또는 워드 프로세서의 CPU와 같이 데이타를 발생 및 처리하는 동작을 포함하는 표시 장치의 다른 동작에 관계하도록 추가적으로 설계될 수 있다. CPU(16106)은 입력 / 출력 인터페이스 회로(16105)를 통해 외부 컴퓨터 네트워크에 접속되어, 서로 협력하여 컴퓨터화 및 다른 동작을 행한다.
입력부(16114)는 오퍼레이터에 의해 CPU(16106)에 주어진 명령, 프로그램 및 데이타를 출력하는데 사용된다. 사실상, 이것은 키보드, 마우스, 죠이스틱, 바코드 판독기 및 음성 인식 장치 뿐만 아니라 이들의 임의의 결합과 같은 다양한 입력 기기로부터 선택된다.
디코더(16104)는 상기 회로(16107 내지 16113)을 통해 입력되는 다양한 화상 신호를 삼원색, 휘도 신호 및 I 및 Q 신호용 신호로 변환하기 위한 회로이다. 양호하게, 디코더(16104)는 신호 변환용 화상 메모리를 필요로 하는 MUSE 시스템과 같은 텔레비젼 신호를 처리하기 위한 제18도에서 점선으로 표시된 화상 메모리를 포함한다.
추가적으로, 화상 메모리의 준비는 화상 발생 회로(16107) 및 CPU(16106)과 협동하여 디코더(16104)에 의해 임의적으로 행해지는 프레임을 추출, 보간, 확대, 축소, 합성 및 편집 뿐만 아니라 정지 화상의 표시를 촉진한다.
멀티플렉서(16103)은 CPU(16106)에 의해 주어진 제어 신호에 따라 표시 스크린 상에 표시되도록 화상을 적절하게 선택하는데 사용된다. 즉, 멀티플렉서(16103)은 디코더(16104)로 출력되는 임의의 변환된 화상 신호를 선택하고, 구동호로(16101)로 전송한다. 또, 이것은 단일 프레임을 표시한 시간 주기 내에서 한 세트의 화상 신호에서 다른 세트의 화상 신호까지 스위칭함으로써 동시에 다른 화상을 표시하기 위해 다수의 프레임에 표스 스크린을 분배할 수 있다.
표시 패널 콘트롤러(16102)는 CPU(16106)으로부터 전송된 제어 신호에 따라 구동 회로(16101)의 동작을 제어하는 회로이다.
특히, 이것은 표시 패널의 기본 동작을 한정하기 위해, 표시 패널(16100)을 구동하는 전원(도시하지 않음)의 동작 순차를 제어하는 구동회로(16101)에 신호를 전송하도록 동작한다. 또, 이것은 표시 패널(16100)를 구동하는 모드를 한정하기 위해, 화상 표시 주파수 및 주사 방법 (예를 들면, 인터레이스 주사 또는 논 인터레이스 주사)을 제어하기 위해 신호를 구동 회로(16101)로 전송한다. 적절한 경우, 또 이것은 휘도, 콘트라스트, 칼라 톤 및 선명도로 표시 스크린 상에 표시되는 화상의 질을 제어하기 위해 구동 회로(16101)에 신호를 전송한다.
구동회로(16101)은 표시 패널(16100)에 인가되도록 구동 신호를 발생하는 회로이다. 이것은 상기 멀티플렉서(16103)으로부터 출력되는 화상 신호 및 표시 패널 콘트롤러(16102)로부터 출력되는 제어 신호에 따라 동작한다.
본 발명에 따르고, 상술한 구성을 가지며 제18도에 도시된 표시 장치는 표시 패널(16100)에 다양한 화상 데이타원으로부터 주어진 다양한 화상을 표시할 수 있다. 특히, 텔레비젼 화상 신호와 같은 화상 신호는 디코더(16104)에 의해 역변환 되고, 그 다음 구동 회로(16101)로 전송되기 전에 멀티플렉서(16103)에 의해 선택된다. 한편, 표시 콘트롤러(16102)는 표시 패널(16100)상에 표시되도록 화상용 화상 신호에 따라 구동 회로(16101)의 동작을 제어하는 제어 신호를 발생한다.
그 다음, 구동회로(16101)은 화상 신호 및 제어 신호에 따라 구동 신호를 표시 패널(16100)에 인가한다. 따라서 화상은 표시 패널(16100)상에 표시된다. 모든 상술한 동작은 좌표 방법으로 CPU(16106)에 의해 제어된다.
상술한 표시 장치는 여기에 공급된 다수의 화상 중 특정한 화상을 선택 및 표시하고, 디코더(16104), 화상 발생 회로(16107) 및 CPU(16106)에 협동된 화상 메모리가 이러한 동작에 관계할 때, 화상의 애스팩트 비를 확대, 축소, 회전, 엣지 강조, 추출, 보간, 칼라 변화 및 변경하는 것을 포함하는 다양한 화상 처리 동작 및 화상을 강조, 삭제, 접속, 교체 및 삽입하는 것을 포함하는 편집 동작을 행한다.
상기 실시예에 대해 설명했지만, 이것은 동작을 처리하고 편집하는 오디오 신호 전용의 추가 회로에 제공될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따르고, 상술한 구성을 갖는 표시 장치는 텔레비젼 방송용 표시 장치, 비디오 원격지간 회의용 단말 장치, 스틸 사진 및 영화의 편집 장치, 컴퓨터 시스템용 단말 장치, 워드 프로세서와 같은 OA 기기, 게임기 및 많은 다른 방법으로 동작할 수 있기 때문에, 널리 다양화된 산업적 및 상업적 응용을 가질 수 있다. 제18도는 다수의 표면 전도형 전자 방출 소자를 배치함으로써 준비된 전자원에 제공된 표시 패널을 포함하는 표시 장치의 가능한 구성의 예만을 도시하고, 본 발병은 이것에 한정되지 않는다.
예를 들면, 제18도의 소정의 회로 부는 생략될 수 있거나, 추가 부분은 응용에 따라 배치될 수 있다. 반대로, 본 발명에 따른 표시 장치가 시각 전화기용으로 사용될 경우는 텔레비젼 카메라, 마이크로폰, 광 기기 및 모뎀을 포함하는 전송 / 수신 회로와 같은 추가 성분을 포함할 수 있다.
본 실시예의 화상 형성 장치의 표시 패널은 깊이가 현저하게 감소될 수 있기 때문에, 전체 장치는 매우 평평하게 제조될 수 있다. 추가로 표시 패널은 매우 밝은 화상 및 넓은 광시야각을 제공할 수 있기 때문에, 이것은 사람이 무대에서 실제로 볼 경우, 관찰자의 매우 자극적인 감각을 형성하여, 사람의 감정을 형성한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 화상을 표시하기 위해 선택되지 않은 화상 형성 장치에 협조한 전자원의 표면 전도형 전자 방출 소자 각각을 통해 흐르는 쓸모없는 전류는 감소되어 전자원에 소비된 전력을 구할 수 있다.
추가로, 장치의 화상 표시 동작에 역으로 영향을 끼치는 쓸모없는 전자 빔 및 광 방출은 효과적으로 방지될 수 있다. 이러한 전자원 및 전자원과 같이 협동하는 화상 형성 장치는 정확하고 신뢰가능하게 동작한다.

Claims (24)

  1. 한쌍의 전극을 갖는 다수의 전자 방출 소자, 및 상기 전극들 사이에 배치되고 전자 방출 영역 및 상기 다수의 전자 방출 소자를 구동하는 구동 수단을 포함하는 도전성 박막을 포함하는 전자원에 있어서, 상기 구동 수단은 선택된 전자 방출 소자로 하여금 전자를 방출하도록 하기 위해 화상 신호에 따라 상기 다수의 전자 방출 소자 중 선택된 소자의 전극에 문턱 레벨 이상의 전압을 인가하고, 상기 다수의 전자 방출 소자를 고저항 상태로 하고, 전자 방출을 야기하는 전압 극성에 역극성을 가지며 10 V/sec. 보다 더 큰 전압 상승비를 가지는 전압 펄스를 인가하는 것을 특징으로 하는 전자원.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소자 전극 중 한 전극의 상면은 다른 전극의 것보다 높은 것을 특징으로 하는 전자원.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도형 전자 방출 소자인 것을 특징으호 하는 전자원.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전자 방출 소자를 고저항 상태로 하기 위한 전압 펄스는 상기 소자 전류가 로컬 최대(local maximum)인 전압보다 더 큰 파고를 갖는 것을 특징으로 하는 전자원.
  5. 제4항에 있어서, 상기 소자 전극 중 한 전극의 상면은 다른 전극의 것보다 더 높은 것을 특징으로 하는 전자원.
  6. 제4항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도형 전자 방출 소자인 것을 특징으로 하는 전자원.
  7. 제1항에 있어서, 상기 전자 방출 소자를 고저항 상태로 하는 위한 상기 전압 펄스는 비선택된 전자 방출 소자에 인가된 전압보다 파고가 더 높은 것을 특징으로 하는 전자원.
  8. 제6항에 있어서, 상기 소자 전극들 중 한 전극의 상면이 다른 전극의 것보다 더 높은 것을 특징으로 하는 전자원.
  9. 제6항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도형 전자 방출 소자인 것을 특징으로 하는 전자원.
  10. 한쌍의 전극, 및 상기 전극들 사이에 배치되고 전자 방출 영역을 포함하는 도전성 박막, 상기 다수의 전자 방출 소자를 구동하는 구동 수단 및 화상 형성 부재를 포함하는 다수의 전자 방출 소자를 포함하는 화상 형성 장치에 있어서, 상기 구동 수단은 상기 선택된 전자 방출 소자로 하여금 전자를 방출하도록 하는 화상 신호에 따라 상기 다수의 전자 방출 소자 중 선택된 소자의 전극에 문턱 레벨 이상의 전압을 인가하고, 상기 다수의 전자 방출 소자를 고저항 상태로 하고 전자 방출을 야기하는 전압극성에 역극성을 가지며 10 V/sec. 보다 더 높은 접압 상승비를 가지는 전압 펄스를 인가하는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 소자 전극들 중 한 전극의 상면이 다른 전극의 것보다 더 높은 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 화상 형성 부재는 고저항 상태로 하기 위한 상기 전압 펄스가 인가될 때 방출된 전자 빔에 의해 조사된 영역 밖으로 배치된 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 화상 형성 부재는 형광체를 포함하고, 고저항 상태로 하는 상기 전압 펄스가 인가될 때 방출된 전자 빔에 의해 조사된 영역이 어둡게 되는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  14. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도형 전자 방출 소자인 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  15. 제10항에 있어서, 상기 전자 방출 소자를 고저항 상태로 행하는 상기 전압 펄스는 구동 전류가 로컬 최대가 되는 전압보다 파고가 더 높은 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 소자 전극들 중 한 전극의 상면이 다른 전극의 것보다 더 높은 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 화상 형성 부재는 고저항 상태로 행해지는 상기 전압 펄스가 인가될 때 방출된 전자 빔으로 조사된 영역 밖으로 배치되는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 화상 형성 부재는 형광체를 포함하고, 고저항 상태로 행하는 상기 전압 펄스가 인가될 때 방출된 전자 빔에 의해 조사된 영역이 어둡게 되는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  19. 제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도형 전자 방출 소자인 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  20. 제10항에 있어서, 상기 전자 방출 소자를 고저항 상태로 행하는 상기 전압 펄스는 비선택적 전자 방출 소자에 인가된 전압보다 파고가 더 높은 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 소자 전극들 중 한 전극의 상면이 다른 전극의 것보다 더 높은 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  22. 제20항에 있어서, 상기 화상 형성 부재는 고저항 상태로 행해지는 상기 전압 펄스가 인가될 때 방출된 전자 빔으로 조사된 영역 밖으로 배치되는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  23. 제22항에 있어서, 상기 화상 형성 부재는 형광체를 포함하고, 고저항 상태로 행하는 상기 전압 펄스가 인가될 때 방출된 전자 빔에 의해 조사된 영역이 어둡게 되는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  24. 제20항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도형 전자 방출 소자인 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
KR1019960018722A 1995-05-30 1996-05-30 전자원, 그것을 포함하는 화상 형성 장치 및 화상 형성 장치의 구동 방법 KR100221161B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15406395 1995-05-30
JP95-154063 1995-05-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960042893A KR960042893A (ko) 1996-12-21
KR100221161B1 true KR100221161B1 (ko) 1999-09-15

Family

ID=15576094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960018722A KR100221161B1 (ko) 1995-05-30 1996-05-30 전자원, 그것을 포함하는 화상 형성 장치 및 화상 형성 장치의 구동 방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6473063B1 (ko)
EP (1) EP0746008B1 (ko)
KR (1) KR100221161B1 (ko)
CN (1) CN1108621C (ko)
DE (1) DE69605715T2 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1153253C (zh) * 1997-03-21 2004-06-09 佳能株式会社 图象形成装置
JP2000155555A (ja) 1998-09-16 2000-06-06 Canon Inc 電子放出素子の駆動方法及び、該電子放出素子を用いた電子源の駆動方法、並びに該電子源を用いた画像形成装置の駆動方法
JP2000311587A (ja) 1999-02-26 2000-11-07 Canon Inc 電子放出装置及び画像形成装置
US6848961B2 (en) * 2000-03-16 2005-02-01 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for manufacturing image displaying apparatus
JP4196531B2 (ja) * 2000-09-08 2008-12-17 富士ゼロックス株式会社 表示媒体の駆動方法
US6712660B2 (en) * 2001-08-06 2004-03-30 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for adjusting characteristics of electron source, and method for manufacturing electron source
JP3634852B2 (ja) * 2002-02-28 2005-03-30 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源及び画像表示装置の製造方法
JP4366235B2 (ja) 2004-04-21 2009-11-18 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源及び画像表示装置の製造方法
JP3935478B2 (ja) * 2004-06-17 2007-06-20 キヤノン株式会社 電子放出素子の製造方法およびそれを用いた電子源並びに画像表示装置の製造方法および該画像表示装置を用いた情報表示再生装置
JP4769569B2 (ja) * 2005-01-06 2011-09-07 キヤノン株式会社 画像形成装置の製造方法
JP2009277457A (ja) 2008-05-14 2009-11-26 Canon Inc 電子放出素子及び画像表示装置
JP2010092843A (ja) * 2008-09-09 2010-04-22 Canon Inc 電子線装置およびそれを用いた画像表示装置
CN101546518B (zh) * 2009-04-28 2011-02-09 西安交通大学 表面传导电子发射显示器件及驱动方法
CN103531421B (zh) * 2013-10-12 2016-02-24 深圳先进技术研究院 场致发射电子源的驱动控制电路

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62186649A (ja) 1986-02-12 1987-08-15 Silver Seiko Ltd 複写機
DE3853744T2 (de) * 1987-07-15 1996-01-25 Canon Kk Elektronenemittierende Vorrichtung.
JP2617317B2 (ja) * 1987-07-28 1997-06-04 キヤノン株式会社 電子線発生装置
US5023110A (en) 1988-05-02 1991-06-11 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing electron emission device
JP2946840B2 (ja) 1991-06-04 1999-09-06 株式会社デンソー 熱交換器
JPH04361355A (ja) 1991-06-07 1992-12-14 Dainippon Printing Co Ltd 文字編集システム
JP2757588B2 (ja) 1991-06-26 1998-05-25 日立化成工業株式会社 熱硬化性樹脂組成物及びフィルム状接着剤
AU665006B2 (en) * 1991-07-17 1995-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Image-forming device
JP3115356B2 (ja) 1991-07-19 2000-12-04 トキコ株式会社 給油装置
JP2964725B2 (ja) 1991-09-19 1999-10-18 松下電器産業株式会社 セラミック基板用組成物
DE69231624T2 (de) 1991-10-08 2001-05-31 Canon Kk Elektronemittierende Vorrichtung, Elektronenstrahlerzeugungsgerät und diese Vorrichtung verwendendes Bilderzeugungsgerät
JPH05282421A (ja) 1992-03-31 1993-10-29 Minolta Camera Co Ltd 画像読取り装置
JPH05279364A (ja) 1992-02-07 1993-10-26 Wakunaga Pharmaceut Co Ltd 新規三環性化合物又はその塩及びこれを含有する抗菌剤
CA2112431C (en) * 1992-12-29 2000-05-09 Masato Yamanobe Electron source, and image-forming apparatus and method of driving the same
JP3167072B2 (ja) 1992-12-29 2001-05-14 キヤノン株式会社 画像形成装置
JPH06273606A (ja) 1993-03-19 1994-09-30 Koji Kanamaru 照準付き反射板
JPH075836A (ja) * 1993-04-05 1995-01-10 Canon Inc 画像形成装置及び画像形成方法
JP3205167B2 (ja) 1993-04-05 2001-09-04 キヤノン株式会社 電子源の製造方法及び画像形成装置の製造方法
JP3119417B2 (ja) 1994-11-08 2000-12-18 キヤノン株式会社 画像表示装置
EP0658916B1 (en) * 1993-11-09 1998-04-15 Canon Kabushiki Kaisha Image display apparatus
JPH07134559A (ja) 1993-11-09 1995-05-23 Canon Inc 平面型画像形成装置
JP3234692B2 (ja) 1993-11-11 2001-12-04 キヤノン株式会社 大画面画像表示装置用基板、その製造方法及び大画面画像表示装置
JP2932250B2 (ja) * 1995-01-31 1999-08-09 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、画像形成装置及びそれらの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE69605715D1 (de) 2000-01-27
CN1108621C (zh) 2003-05-14
US20030063051A1 (en) 2003-04-03
KR960042893A (ko) 1996-12-21
US6760002B2 (en) 2004-07-06
US6473063B1 (en) 2002-10-29
CN1147664A (zh) 1997-04-16
DE69605715T2 (de) 2000-06-08
EP0746008A1 (en) 1996-12-04
EP0746008B1 (en) 1999-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5760538A (en) Electron beam apparatus and image forming apparatus
US6348761B1 (en) Electron beam apparatus and image-forming apparatus
JPH07235255A (ja) 電子放出素子とその製造方法、及び該電子放出素子を用いた電子源及び画像形成装置
KR100221161B1 (ko) 전자원, 그것을 포함하는 화상 형성 장치 및 화상 형성 장치의 구동 방법
JPH08315723A (ja) 電子線発生装置、及び、それを用いた画像形成装置
KR100209046B1 (ko) 전자 소스 및 화상 형성 장치
JP3416261B2 (ja) 電子源のフォーミング方法
JP3302263B2 (ja) 画像形成装置
JP3517474B2 (ja) 電子線発生装置及び画像形成装置
JPH0896699A (ja) 電子放出素子及び電子源及び画像形成装置
JPH08212944A (ja) 画像形成装置および電子ビーム発生源
AU757299B2 (en) Electron beam apparatus and image-forming apparatus
JP3372689B2 (ja) 電子ビーム発生装置および画像表示装置
JPH0845416A (ja) 電子源及びそれを用いた画像形成装置と、それらの製造方法
JPH08329829A (ja) 表面伝導型電子放出素子、それを用いた電子源、画像形成装置及びこれらの製造方法
JPH0864113A (ja) 電子放出素子、電子源、及びそれを用いた画像形成装置
JPH08329827A (ja) 電子放出素子、それを用いた電子源、画像形成装置
JPH08190878A (ja) 電子源の駆動装置及び該電子源を用いた画像形成装置
JPH08250017A (ja) 電子放出素子、それを用いた電子源、画像形成装置及びこれらの製造方法
JPH0864119A (ja) 電子源及びそれを用いた画像形成装置と、それらの製造方法
JPH08250049A (ja) 電子放出素子、それを用いた電子源、画像形成装置及びこれらの製造方法
JPH07320632A (ja) 電子源及びそれを用いた画像形成装置
JPH08331491A (ja) 画像形成装置
JPH08329831A (ja) 電子放出素子、及びそれを用いた電子源並びに画像形成装置
JPH08162004A (ja) 電子放出素子、電子源、及びそれを用いた画像形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120524

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130528

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee