JPWO2021193530A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2021193530A5
JPWO2021193530A5 JP2021516713A JP2021516713A JPWO2021193530A5 JP WO2021193530 A5 JPWO2021193530 A5 JP WO2021193530A5 JP 2021516713 A JP2021516713 A JP 2021516713A JP 2021516713 A JP2021516713 A JP 2021516713A JP WO2021193530 A5 JPWO2021193530 A5 JP WO2021193530A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chemical formula
carbon atoms
resin film
resin
residue
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021516713A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2021193530A1 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/JP2021/011710 external-priority patent/WO2021193530A1/ja
Publication of JPWO2021193530A1 publication Critical patent/JPWO2021193530A1/ja
Publication of JPWO2021193530A5 publication Critical patent/JPWO2021193530A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (16)

  1. 化学式()で表される繰り返し単位を有する樹脂を含む樹脂膜であって、前記樹脂に含まれるアミノシラン残基のモル数をテトラカルボン酸残基のモル数で除した値が0.2~1.2であり、波長400nmにおける光透過率が68%以上であり、ガラス転移温度が370℃以上であり、重量減少開始温度が440℃以上である、樹脂膜。
    Figure 2021193530000001
    (化学式(2)中、Aは炭素数2以上の4価のテトラカルボン酸残基を示し、Bは炭素数2以上の2価のジアミン残基を示す。Zは炭素数1~10のアミノシラン残基を示す。R は炭素数1~20の炭化水素基を示す。nは2または3を示す。Xは化学式(3)で表される構造を示し、化学式(3)中の酸素原子と化学式(2)中のSi原子とが結合する。)
    Figure 2021193530000002
  2. 化学式(1)で表される繰り返し単位を有する樹脂を含む樹脂膜であって、前記樹脂膜に含まれるジアミン残基のモル数をテトラカルボン酸残基のモル数で除した値が0.4~0.9であり、波長400nmにおける光透過率が68%以上であり、ガラス転移温度が370℃以上であり、重量減少開始温度が440℃以上である、樹脂膜。
    Figure 2021193530000003
    (化学式(1)中、Aは炭素数2以上の4価のテトラカルボン酸残基を示し、Bは炭素数2以上の2価のジアミン残基を示す。)
  3. 前記樹脂が、化学式(2)で表される構造を有する、請求項に記載の樹脂膜。
    Figure 2021193530000004
    (化学式(2)中、Aは炭素数2以上の4価のテトラカルボン酸残基を示し、Bは炭素数2以上の2価のジアミン残基を示す。Zは炭素数1~10のアミノシラン残基を示す。Rは炭素数1~20の炭化水素基を示す。nは2または3を示す。Xは化学式(3)で表される構造を示し、化学式(3)中の酸素原子と化学式(2)中のSi原子とが結合する。)
    Figure 2021193530000005
  4. 前記樹脂に含まれるアミノシラン残基のモル数をテトラカルボン酸残基のモル数で除した値が0.2~1.2である、請求項に記載の樹脂膜。
  5. 前記化学式(2)中、Zが炭素数6~10の芳香族炭化水素基である、請求項1、3及び4のいずれかに記載の樹脂膜。
  6. 記Aおよび前記Bがフッ素原子を含まないことを特徴とする、請求項1~5のいずれかに記載の樹脂膜。
  7. 記Aおよび前記Bが化学式(31)で表される構造を有し、Aが化学式(32)で表される構造、化学式(33)で表される構造、または化学式(34)で表される構造を有する、請求項1~6のいずれかに記載の樹脂膜。
    Figure 2021193530000006
    (化学式(31)中、Cはエーテル基、エステル基、アミド基、またはスルホニル基を示す。化学式(33)中、pは0~3の整数を表す。化学式(34)中、qは1~4の整数を表す。)
  8. 記Aが3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸残基を有し、前記Bが3,3’-ジアミノジフェニルスルホン残基または4,4’-ジアミノジフェニルスルホン残基を有する、請求項1~7のいずれかに記載の樹脂膜。
  9. ディスプレイ基板として用いられる、請求項1~8のいずれかに記載の樹脂膜。
  10. 請求項1~9のいずれかに記載の樹脂膜を含む、ディスプレイ。
  11. 化学式(4)で表される繰り返し単位を有する樹脂、シラン化合物、および溶媒を含む樹脂組成物であって、当該樹脂組成物を塗布し、410℃で焼成して得られる厚さ10μmの樹脂膜について、波長400nmにおける光透過率が68%以上であり、ガラス転移温度が370℃以上であり、重量減少開始温度が440℃以上である、樹脂組成物。
    Figure 2021193530000007
    (化学式(4)中、Aは炭素数2以上の4価のテトラカルボン酸残基を示し、Bは炭素数2以上の2価のジアミン残基を示す。RおよびRは、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10の炭化水素基、炭素数1~10のアルキルシリル基、アルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、イミダゾリウムイオンまたはピリジニウムイオンを示す。)
  12. 前記シラン化合物が、化学式(7)で表される構造のシラン化合物である、請求項11に記載の樹脂組成物。
    Figure 2021193530000008
    (化学式(7)中、R およびR は、それぞれ独立して、炭素数1~20の炭化水素基を示す。mは3または4を示す。)
  13. 前記樹脂が、化学式(5)で表される構造を有する、請求項11または12に記載の樹脂組成物。
    Figure 2021193530000009
    (化学式(5)中、Aは炭素数2以上の4価のテトラカルボン酸残基を示し、Bは炭素数2以上の2価のジアミン残基を示す。RおよびRは、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10の炭化水素基、炭素数1~10のアルキルシリル基、アルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、イミダゾリウムイオンまたはピリジニウムイオンを示す。RおよびRは、それぞれ独立して、炭素数1~20の炭化水素基を示す。nは2または3を示す。)
  14. 前記樹脂のイミド化率が5~30%である、請求項11~13のいずれかに記載の樹脂組成物。
  15. 請求項11~14のいずれかに記載の樹脂組成物を支持体に塗布し、400℃~490℃で焼成する工程を含む、樹脂膜の製造方法。
  16. 請求項15に記載の樹脂膜の製造方法によって支持体上に樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上にディスプレイ素子を形成する工程と、前記支持体から前記樹脂膜を剥離する工程と、を含む、ディスプレイの製造方法。
JP2021516713A 2020-03-24 2021-03-22 Pending JPWO2021193530A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020052296 2020-03-24
PCT/JP2021/011710 WO2021193530A1 (ja) 2020-03-24 2021-03-22 樹脂膜、その製造方法、樹脂組成物、ディスプレイおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2021193530A1 JPWO2021193530A1 (ja) 2021-09-30
JPWO2021193530A5 true JPWO2021193530A5 (ja) 2024-02-20

Family

ID=77892131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021516713A Pending JPWO2021193530A1 (ja) 2020-03-24 2021-03-22

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230167252A1 (ja)
JP (1) JPWO2021193530A1 (ja)
KR (1) KR20220157949A (ja)
CN (1) CN115315462A (ja)
WO (1) WO2021193530A1 (ja)

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2619515B2 (ja) * 1989-02-02 1997-06-11 チッソ株式会社 シリコンポリイミド前駆体組成物
JPH05310934A (ja) * 1992-05-11 1993-11-22 Chisso Corp 接着性ポリイミドフィルムの製造方法
JPH06235922A (ja) * 1993-02-09 1994-08-23 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 液晶配向剤
CN1135418C (zh) * 1999-11-30 2004-01-21 株式会社日立制作所 液晶显示器和塑料组合物
JP2012149196A (ja) * 2011-01-21 2012-08-09 Jnc Corp 熱硬化性組成物、硬化膜、及び表示素子
TWI612099B (zh) * 2013-02-07 2018-01-21 鐘化股份有限公司 烷氧基矽烷改質聚醯胺酸溶液、使用其之積層體及可撓性裝置、與積層體之製造方法
KR102164313B1 (ko) * 2013-12-02 2020-10-13 삼성전자주식회사 폴리(이미드-아미드) 코폴리머, 상기 폴리(이미드-아미드) 코폴리머를 포함하는 성형품, 및 상기 성형품을 포함하는 디스플레이 장치
JP6413434B2 (ja) * 2014-07-25 2018-10-31 富士ゼロックス株式会社 ポリイミド前駆体組成物、ポリイミド前駆体の製造方法、ポリイミド成形体、及びポリイミド成形体の製造方法
KR102502596B1 (ko) 2015-03-27 2023-02-22 삼성전자주식회사 조성물, 이로부터 제조된 복합체, 및 이를 포함하는 필름 및 전자 소자
KR102103157B1 (ko) * 2015-04-17 2020-04-22 아사히 가세이 가부시키가이샤 수지 조성물, 폴리이미드 수지막, 및 그 제조 방법
WO2017099183A1 (ja) 2015-12-11 2017-06-15 東レ株式会社 樹脂組成物、樹脂の製造方法、樹脂膜の製造方法および電子デバイスの製造方法
CN105601964A (zh) * 2015-12-30 2016-05-25 西北工业大学 超低介电常数、低介电损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法
JP6754607B2 (ja) * 2016-04-27 2020-09-16 株式会社カネカ アルコキシシラン変性ポリイミド前駆体溶液、積層体およびフレキシブルデバイスの製造方法
WO2017221776A1 (ja) 2016-06-24 2017-12-28 東レ株式会社 ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂組成物、それを用いたタッチパネルおよびその製造方法、カラーフィルタおよびその製造方法、液晶素子およびその製造方法、有機el素子およびその製造方法
KR20200107953A (ko) * 2018-01-18 2020-09-16 도레이 카부시키가이샤 디스플레이 기판용 수지 조성물, 디스플레이 기판용 수지막 및 그것을 포함하는 적층체, 화상 표시 장치, 유기 el 디스플레이, 그리고 그들의 제조 방법
JP2020033540A (ja) * 2018-08-28 2020-03-05 日立化成株式会社 シルセスキオキサン含有ポリイミド
CN110229332A (zh) * 2019-06-15 2019-09-13 深圳市创智成功科技有限公司 耐等离子蚀刻的笼型倍半硅氧烷聚酰胺酸聚合物及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62129317A (ja) 両性ポリイミド前駆体およびその製法
WO2014098169A1 (ja) ケイ素酸化物ナノ粒子とシルセスキオキサンポリマーとの複合体およびその製造方法、ならびにその複合体を用いて製造した複合材料
JPH01217037A (ja) 低吸湿性かつ高接着性のシリコン含有ポリイミド及びその前駆体の製造方法
JPS6270423A (ja) 有機ケイ素末端ポリイミド前駆体とポリイミドの製造方法
JP2007530682A (ja) 光学材料用化合物及び製造方法
JP2007111645A5 (ja)
WO2011043264A1 (ja) 絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜およびそれに用いる化合物の製造方法
JP2005146257A (ja) トリフルオロビニルエーテル官能基を含有するシロキサン単量体と、このシロキサン単量体を用いて製造されたゾル−ゲルハイブリッド重合体
CN101578390A (zh) 形成含钴膜的材料以及使用该材料的硅化钴膜的制造方法
KR101810836B1 (ko) 실리콘 함유 폴리아믹산 전구체 화합물, 이로부터 제조된 폴리아믹산 및 유무기 하이브리드 폴리이미드 필름
JPWO2021193530A5 (ja)
JP2007196211A5 (ja)
JP2013007003A (ja) ポリイミド樹脂粒子の製造方法
JP6263605B2 (ja) 有機薄膜形成用溶液及びそれを用いた有機薄膜形成方法
JP6927535B2 (ja) ディスプレイ基板用ポリイミドフィルム
JP2019172970A5 (ja)
JP2007023163A (ja) 膜形成用組成物、絶縁膜、およびその製造方法
JP2007026889A (ja) 膜形成用組成物、絶縁膜、およびその製造方法
JPH09291150A (ja) 熱硬化性樹脂組成物
JP4610379B2 (ja) ケイ素含有化合物、該化合物を含有する組成物及び絶縁材料
JP4396139B2 (ja) シルセスキオキサン骨格を有するポリマーおよびその薄膜の形成方法
JPS60108841A (ja) 感光性耐熱材料
JP4321177B2 (ja) 架橋高分子薄膜およびその形成方法
JP2018080344A5 (ja)
JP2007211138A (ja) 脂環式ポリエーテル、その製造方法及びその用途