JPWO2019003060A1 - 半導体装置、半導体ウェハ、記憶装置、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の一態様は、第1乃至第4絶縁体と、第1導電体と、第2導電体と、第1半導体と、を有する半導体装置であり、第1半導体は、第1面と、第2面と、を有し、第1絶縁体の第1側面及び第2側面は、第1導電体を介して、第1半導体の第1面と重畳する領域に位置し、第1導電体の第1側面は、第1半導体の第1面に位置し、第1絶縁体の第1側面は、第1導電体の第2側面に位置し、第2絶縁体は、第1絶縁体の第2側面と、第1絶縁体の上面と、第1導電体の上面と、第1半導体の第2面と、を含む領域に位置し、第3絶縁体は、第2絶縁体が形成されている領域のうち、第1半導体の第2面と重畳する領域に位置し、第4絶縁体は、第3絶縁体の形成面と、第2絶縁体を介して第1半導体の第1面と重畳する領域と、に位置し、第2導電体は、第4絶縁体が形成されている領域のうち、第1半導体の第2面と重畳する領域に位置し、第3絶縁体は、電荷を蓄積する機能を有し、第2導電体に電位を与えることによって、第1半導体の第2面と第3絶縁体との間に、第2絶縁体を介して、トンネル電流を誘起させることを特徴とする半導体装置である。
又は、本発明の一態様は、第1乃至第4絶縁体と、第1導電体と、第2導電体と、第1半導体と、第2半導体と、を有する半導体装置であり、第1半導体は、第1面と、第2面と、を有し、第1絶縁体の第1側面及び第2側面は、第1導電体を介して、第1半導体の第1面と重畳する領域に位置し、第1導電体の第1側面は、第1半導体の第1面に位置し、第1絶縁体の第1側面は、第1導電体の第2側面に位置し、第2絶縁体は、第1絶縁体の第2側面と、第1絶縁体の上面と、第1導電体の上面と、第1半導体の第2面と、を含む領域に位置し、第3絶縁体は、第2絶縁体が形成されている領域のうち、第1半導体の第2面と重畳する領域に位置し、第4絶縁体は、第3絶縁体の形成面と、第2絶縁体を介して第1半導体の第1面と重畳する領域と、に位置し、第2半導体は、第4絶縁体を介して、第1半導体の第2面と重畳する領域に位置し、第2導電体は、第2半導体の形成面と、第4絶縁体が形成されている領域のうち、第1半導体の第2面と重畳する領域に位置し、第3絶縁体は、電荷を蓄積する機能を有し、第2導電体に電位を与えることによって、第1半導体の第2面と第3絶縁体との間に、第2絶縁体を介して、トンネル電流を誘起させることを特徴とする半導体装置である。
又は、本発明の一態様は、上記(1)、又は(2)の構成において、第3絶縁体は、第2絶縁体が形成されている領域のうち、第1半導体の第1面と重畳する領域にも位置し、且つ、第2絶縁体と第4絶縁体との間に重畳する領域に位置することを特徴とする半導体装置である。
又は、本発明の一態様は、第1絶縁体と、第2絶縁体と、第4絶縁体と、第1乃至第3導電体と、第1半導体と、を有する半導体装置であり、第1半導体は、第1面と、第2面と、を有し、第1絶縁体の第1側面及び第2側面は、第1導電体を介して、第1半導体の第1面と重畳する領域に位置し、第1導電体の第1側面は、第1半導体の第1面に位置し、第1絶縁体の第1側面は、第1導電体の第2側面に位置し、第2絶縁体は、第1絶縁体の第2側面と、第1絶縁体の上面と、第1導電体の上面と、第1半導体の第2面と、を含む領域に位置し、第3導電体は、第2絶縁体を介して、第1半導体の第2面と重畳する領域に位置し、第4絶縁体は、第3導電体の形成面と、第2絶縁体が形成された領域のうち、第3導電体を介して第1半導体の第2面と重畳する領域と、第2絶縁体が形成された領域のうち、第2絶縁体を介して第1半導体の第1面と重畳する領域と、に位置し、第2導電体は、第4絶縁体が形成されている領域のうち、第1半導体の第2面と重畳する領域に位置し、第3導電体は、電荷を蓄積する機能を有し、第2導電体に電位を与えることによって、第1半導体の第2面と第3導電体との間に、第2絶縁体を介して、トンネル電流を誘起させることを特徴とする半導体装置である。
又は、本発明の一態様は、上記(1)乃至(4)のいずれか一の構成において、第1半導体の第2面における第1半導体の膜厚は、第1半導体の第1面における第1半導体の膜厚よりも、薄いことを特徴とする半導体装置である。
又は、本発明の一態様は、上記(1)乃至(5)のいずれか一の構成において、第5絶縁体と、第4導電体と、を有し、第5絶縁体は、第1半導体の第1面、及び第2面と反対側の面に位置し、第4導電体は、第5絶縁体を介して、第1半導体の第1面及び第2面と重畳する領域に位置することを特徴とする半導体装置である。
又は、本発明の一態様は、上記(1)乃至(6)のいずれか一の構成において、第1半導体は、金属酸化物を有し、第1半導体の第2面、及び第2面の近傍は、第1半導体の第1面、及び第1面の近傍よりも、酸素濃度が高いことを特徴とする半導体装置である。
又は、本発明の一態様は、上記(7)の構成において、第1半導体の第1面、及び第1面の近傍は、第1導電体に含まれる元素と、第1半導体に含まれる元素と、によって構成される化合物を有することを特徴とする半導体装置である。
又は、本発明の一態様は、上記(1)乃至(6)のいずれか一の構成において、半導体は、シリコンを有し、第1半導体の第1面、及び第1面の近傍において、第1導電体に含まれる元素と、第1半導体に含まれる元素と、によって低抵抗領域が形成されていることを特徴とする半導体装置である。
又は、本発明の一態様は、上記(1)乃至(9)のいずれか一の構成において、第1導電体の代わりとして、第6絶縁体が用いられ、第6絶縁体は、窒化シリコンを有することを特徴とする半導体装置である。
又は、本発明の一態様は、上記(1)乃至(10)のいずれか一に記載の半導体装置を複数個有し、ダイシング用の領域を有する半導体ウェハである。
又は、本発明の一態様は、上記(1)乃至(10)のいずれか一に記載の半導体装置と、周辺回路と、を有する記憶装置である。
又は、本発明の一態様は、上記(12)に記載の記憶装置と、筐体と、を有する電子機器である。
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る半導体装置の回路構成、動作方法、及び作製方法について、説明する。なお、以下の記載において、例えば、“[x,y]”は第x行第y列の要素を意味し、“[z]”は、第z行あるいは第z列の要素を意味する。特に行や列を指定する必要がないときは、これらの表記は省略される。
はじめに、半導体装置の一例であるNANDメモリ素子の回路構成について、図1(A)を参照して、説明する。図1(A)には、1ページのNANDメモリ素子の回路図を示している。1ページのNANDメモリ素子は、メモリセルMC[1]乃至メモリセルMC[n]のメモリセルと、それらを制御するための配線WL[1]乃至配線WL[n]と、配線BL及び配線SLと、そのページを選択するためのトランジスタSTr及びトランジスタBTrと、トランジスタSTrを制御するための配線SSLと、トランジスタBTrを制御するための配線BSLと、を有する。なお、配線WLは後述するメモリセルMCのセルトランジスタの制御ゲート(本明細書等では、単にゲートと言い換える場合がある。)に電位を与える配線として機能し、配線SL及び配線BLは後述するメモリセルMCのセルトランジスタの第1端子及び/又は第2端子に電位を与える配線として機能する場合がある。
次に、図1(A)、(B)に示した半導体装置の動作方法の一例について、図4(A)(B)、図5(A)(B)を用いて、説明する。なお、本発明の一態様の半導体装置は、2値だけでなく、多値又はアナログ値のデータも扱うことができる場合がある。そのため、本動作方法の説明において、書き込み及び読み出しに扱うデータは、2値に限定されないものとする。
図4(A)は、半導体装置にデータを書き込む動作例を示したタイミングチャートである。図4(A)のタイミングチャートは、配線WL[p](pは1以上n以下の整数である。)、配線WL[j](ここでのjは、1以上n以下であり、かつpでない整数である。)、配線BSL、配線SSL、及び配線BLの電位の大きさの変化を示している。なお、図4(A)のタイミングチャートは、メモリセルMC[p]にデータを書き込む動作例を示している。
図4(B)は、半導体装置からデータを読み出す動作例を示したタイミングチャートである。図4(A)のタイミングチャートは、配線WL[p]、配線WL[q](qは、1以上n以下であり、かつpでない整数である。)、配線WL[j](ここでのjは、1以上n以下であり、かつp及びqでない整数である。)、配線BSL、配線SSL、配線SLの電位の大きさの変化を示し、配線SL‐配線BL間に流れる電流としてIREADの大きさの変化を示している。なお、図4(B)のタイミングチャートは、メモリセルMC[p]及びメモリセルMC[q]からデータを読み出す動作例を示している。そして、メモリセルMC[p]のセルトランジスタCTrの電荷蓄積層には電子が注入されており、メモリセルMC[q]のセルトランジスタCTrの電荷蓄積層には電子が注入されていないものとする。
図5(A)は、半導体装置に保持されたデータを消去する動作例を示したタイミングチャートである。図5(A)のタイミングチャートは、配線WL[j](ここでのjは、1以上n以下の整数である。)、配線BSL、配線SSL、配線BL、及び配線SLの電位の大きさの変化を示している。なお、一般的なNANDメモリ素子に対する消去動作は1ページ単位で行われており、本動作例もそれに従うものとする。但し、本発明の一態様はこれに限定せず、例えば、1ブロック単位などで消去動作を行ってもよい。
以下、本実施の形態の半導体装置の構造の理解を助けるため、その作製方法について説明する。
図8乃至図19は、図1(A)に示す半導体装置の作製例を説明するための断面図、上面図、斜視図であり、特に、断面図は、セルトランジスタCTrのチャネル長方向について示している。また、図8乃至図19の断面図、上面図、及び斜視図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
ここでは、本実施の形態の半導体装置として、作製方法例1とは異なる構造の例について、図35乃至図45を用いて説明する。
作製方法例1、又は作製方法例2に示した半導体装置は、その下層に読み出し回路、プリチャージ回路などのメモリセルアレイの周辺回路を形成してもよい。この場合、シリコン基板などの上にSiトランジスタを形成して当該周辺回路を構成し、その後、作製方法例1、又は作製方法例2で、当該周辺回路上に本発明の一態様の半導体装置を形成すれば。よい。図61(A)は、周辺回路をプレーナ型のSiトランジスタで構成して、その上層に本発明の一態様の半導体装置を形成した断面図である。また、図62(A)は、周辺回路をFIN型のSiトランジスタで構成して、その上層に本発明の一態様の半導体装置を形成した断面図である。なお、図61(A)、図62(A)に示す半導体装置は、一例として、図17(B)の構成を適用している。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した半導体装置を有する記憶装置について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で用いたOSトランジスタのチャネル形成領域に含まれる金属酸化物について説明を行う。
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した半導体装置を記憶装置として電子部品に適用する例について、図65を用いて説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態の半導体装置を備えることができるCPUについて説明する。
上記実施の形態の記憶装置を備えることができるメモリカード(例えば、SDカード)、USB(Universal Serial Bus)メモリ、SSD(Solid State Drive)等の各種のリムーバブル記憶装置に適用することができる。本実施の形態では、リムーバブル記憶装置の幾つかの構成例について、図67を用いて、説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態の半導体装置、又は記憶装置を適用することができる電子機器の一例について説明する。
本発明の一態様の半導体装置、又は記憶装置は、ノート型パーソナルコンピュータに備えることができる。図68(A)はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体5401、表示部5402、キーボード5403、ポインティングデバイス5404等を有する。
本発明の一態様の半導体装置、又は記憶装置は、ウェアラブル端末に備えることができる。図68(B)はウェアラブル端末の一種であるスマートウォッチであり、筐体5901、表示部5902、操作ボタン5903、操作子5904、バンド5905などを有する。また、表示部5902に、位置入力装置としての機能が付加された表示装置を用いるようにしてもよい。また、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッチパネルを設けることで付加することができる。あるいは、位置入力装置としての機能は、フォトセンサとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加することができる。また、操作ボタン5903にスマートウォッチを起動する電源スイッチ、スマートウォッチのアプリケーションを操作するボタン、音量調整ボタン、または表示部5902を点灯、あるいは消灯するスイッチなどのいずれかを備えることができる。また、図68(B)に示したスマートウォッチでは、操作ボタン5903の数を2個示しているが、スマートウォッチの有する操作ボタンの数は、これに限定されない。また、操作子5904は、スマートウォッチの時刻合わせを行うリューズとして機能する。また、操作子5904は、時刻合わせ以外に、スマートウォッチのアプリケーションを操作する入力インターフェースとして、用いるようにしてもよい。なお、図68(B)に示したスマートウォッチでは、操作子5904を有する構成となっているが、これに限定せず、操作子5904を有さない構成であってもよい。
本発明の一態様の半導体装置、又は記憶装置は、ビデオカメラに備えることができる。図68(C)はビデオカメラであり、第1筐体5801、第2筐体5802、表示部5803、操作キー5804、レンズ5805、接続部5806等を有する。操作キー5804及びレンズ5805は第1筐体5801に設けられており、表示部5803は第2筐体5802に設けられている。そして、第1筐体5801と第2筐体5802とは、接続部5806により接続されており、第1筐体5801と第2筐体5802の間の角度は、接続部5806により変更が可能である。表示部5803における映像を、接続部5806における第1筐体5801と第2筐体5802との間の角度に従って切り替える構成としてもよい。
本発明の一態様の半導体装置、又は記憶装置は、携帯電話に備えることができる。図68(D)は、情報端末の機能を有する携帯電話であり、筐体5501、表示部5502、マイク5503、スピーカ5504、操作ボタン5505を有する。また、表示部5502に、位置入力装置としての機能が付加された表示装置を用いるようにしてもよい。また、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッチパネルを設けることで付加することができる。あるいは、位置入力装置としての機能は、フォトセンサとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加することができる。また、操作ボタン5505に携帯電話を起動する電源スイッチ、携帯電話のアプリケーションを操作するボタン、音量調整ボタン、または表示部5502を点灯、あるいは消灯するスイッチなどのいずれかを備えることができる。
本発明の一態様の半導体装置、又は記憶装置は、テレビジョン装置に適用することができる。図68(E)は、テレビジョン装置を示す斜視図である。テレビジョン装置は、筐体9000、表示部9001、スピーカ9003、操作キー9005(電源スイッチ、または操作スイッチを含む)、接続端子9006、センサ9007(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの)などを有する。本発明の一態様の記憶装置は、テレビジョン装置に備えることができる。テレビジョン装置は、例えば、50インチ以上、または100インチ以上の表示部9001を組み込むことが可能である。
本発明の一態様の半導体装置、又は記憶装置は、移動体である自動車の運転席周辺に適用することもできる。
以上の実施の形態における各構成の説明について、以下に付記する。
各実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて、本発明の一態様とすることができる。また、1つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、互いに構成例を適宜組み合わせることが可能である。
本明細書等において、「第1」、「第2」、「第3」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものである。従って、構成要素の数を限定するものではない。また、構成要素の順序を限定するものではない。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第1」に言及された構成要素が、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において「第2」に言及された構成要素とすることもありうる。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第1」に言及された構成要素を、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において省略することもありうる。
実施の形態について図面を参照しながら説明している。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態の発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、ソースとドレインとの一方を、「ソース又はドレインの一方」(又は第1電極、又は第1端子)と表記し、ソースとドレインとの他方を「ソース又はドレインの他方」(又は第2電極、又は第2端子)と表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称については、ソース(ドレイン)端子や、ソース(ドレイン)電極等、状況に応じて適切に言い換えることができる。また、本明細書等では、ゲート以外の2つの端子を第1端子、第2端子と呼ぶ場合や、第3端子、第4端子と呼ぶ場合がある。なお、本明細書等において、チャネル形成領域はチャネルが形成される領域を指し、ゲートに電位を印加することでこの領域が形成されて、ソース‐ドレイン間に電流を流すことができる。
以下では、上記実施の形態中で言及した語句の定義について説明する。
半導体の不純物とは、例えば、半導体層を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度が0.1原子%未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより、例えば、半導体にDOS(Density of States)が形成されることや、キャリア移動度が低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第1族元素、第2族元素、第13族元素、第14族元素、第15族元素、主成分以外の遷移金属などがあり、特に、例えば、水素(水にも含まれる)、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などがある。酸化物半導体の場合、例えば水素などの不純物の混入によって酸素欠損を形成する場合がある。また、半導体がシリコン層である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第1族元素、第2族元素、第13族元素、第15族元素などがある。
本明細書等において、スイッチとは、導通状態(オン状態)、又は、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。又は、スイッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。
本明細書等において、XとYとが接続されている、と記載する場合は、XとYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場合と、XとYとが直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図又は文章に示された接続関係に限定されず、図又は文章に示された接続関係以外のものも含むものとする。
本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−10°以上10°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「略平行」とは、二つの直線が−30°以上30°以下の角度で配置されている状態をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、85°以上95°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、二つの直線が60°以上120°以下の角度で配置されている状態をいう。
Claims (13)
- 第1乃至第4絶縁体と、第1導電体と、第2導電体と、第1半導体と、を有する半導体装置であり、
前記第1半導体は、第1面と、第2面と、を有し、
前記第1絶縁体の第1側面及び第2側面は、前記第1導電体を介して、前記第1半導体の前記第1面と重畳する領域に位置し、
前記第1導電体の第1側面は、前記第1半導体の前記第1面に位置し、
前記第1絶縁体の第1側面は、前記第1導電体の第2側面に位置し、
前記第2絶縁体は、前記第1絶縁体の第2側面と、前記第1絶縁体の上面と、前記第1導電体の上面と、前記第1半導体の前記第2面と、を含む領域に位置し、
前記第3絶縁体は、前記第2絶縁体が形成されている領域のうち、前記第1半導体の前記第2面と重畳する領域に位置し、
前記第4絶縁体は、
前記第3絶縁体の形成面と、
前記第2絶縁体を介して前記第1半導体の前記第1面と重畳する領域と、に位置し、
前記第2導電体は、前記第4絶縁体が形成されている領域のうち、前記第1半導体の前記第2面と重畳する領域に位置し、
前記第3絶縁体は、電荷を蓄積する機能を有し、
前記第2導電体に電位を与えることによって、前記第1半導体の前記第2面と前記第3絶縁体との間に、第2絶縁体を介して、トンネル電流を誘起させる半導体装置。 - 第1乃至第4絶縁体と、第1導電体と、第2導電体と、第1半導体と、第2半導体と、を有する半導体装置であり、
前記第1半導体は、第1面と、第2面と、を有し、
前記第1絶縁体の第1側面及び第2側面は、前記第1導電体を介して、前記第1半導体の前記第1面と重畳する領域に位置し、
前記第1導電体の第1側面は、前記第1半導体の前記第1面に位置し、
前記第1絶縁体の第1側面は、前記第1導電体の第2側面に位置し、
前記第2絶縁体は、前記第1絶縁体の第2側面と、前記第1絶縁体の上面と、前記第1導電体の上面と、前記第1半導体の前記第2面と、を含む領域に位置し、
前記第3絶縁体は、前記第2絶縁体が形成されている領域のうち、前記第1半導体の前記第2面と重畳する領域に位置し、
前記第4絶縁体は、
前記第3絶縁体の形成面と、
前記第2絶縁体を介して前記第1半導体の前記第1面と重畳する領域と、に位置し、
前記第2半導体は、前記第4絶縁体を介して、前記第1半導体の前記第2面と重畳する領域に位置し、
前記第2導電体は、
前記第2半導体の形成面と、
前記第4絶縁体が形成されている領域のうち、前記第1半導体の前記第2面と重畳する領域に位置し、
前記第3絶縁体は、電荷を蓄積する機能を有し、
前記第2導電体に電位を与えることによって、前記第1半導体の前記第2面と前記第3絶縁体との間に、第2絶縁体を介して、トンネル電流を誘起させる半導体装置。 - 請求項1、又は請求項2において、
前記第3絶縁体は、
前記第2絶縁体が形成されている領域のうち、前記第1半導体の前記第1面と重畳する領域にも位置し、
且つ、前記第2絶縁体と前記第4絶縁体との間に重畳する領域に位置する半導体装置。 - 第1絶縁体と、第2絶縁体と、第4絶縁体と、第1乃至第3導電体と、第1半導体と、を有する半導体装置であり、
前記第1半導体は、第1面と、第2面と、を有し、
前記第1絶縁体の第1側面及び第2側面は、前記第1導電体を介して、前記第1半導体の前記第1面と重畳する領域に位置し、
前記第1導電体の第1側面は、前記第1半導体の前記第1面に位置し、
前記第1絶縁体の第1側面は、前記第1導電体の第2側面に位置し、
前記第2絶縁体は、前記第1絶縁体の第2側面と、前記第1絶縁体の上面と、前記第1導電体の上面と、前記第1半導体の前記第2面と、を含む領域に位置し、
前記第3導電体は、前記第2絶縁体を介して、前記第1半導体の前記第2面と重畳する領域に位置し、
前記第4絶縁体は、
前記第3導電体の形成面と、
前記第2絶縁体が形成された領域のうち、前記第3導電体を介して前記第1半導体の前記第2面と重畳する領域と、
前記第2絶縁体が形成された領域のうち、前記第2絶縁体を介して前記第1半導体の前記第1面と重畳する領域と、に位置し、
前記第2導電体は、前記第4絶縁体が形成されている領域のうち、前記第1半導体の前記第2面と重畳する領域に位置し、
前記第3導電体は、電荷を蓄積する機能を有し、
前記第2導電体に電位を与えることによって、前記第1半導体の前記第2面と前記第3導電体との間に、第2絶縁体を介して、トンネル電流を誘起させる半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1半導体の前記第2面における前記第1半導体の膜厚は、前記第1半導体の前記第1面における前記第1半導体の膜厚よりも、薄い半導体装置。 - 請求項4において、
第5絶縁体と、第4導電体と、を有し、
前記第5絶縁体は、前記第1半導体の前記第1面、及び前記第2面と反対側の面に位置し、
前記第4導電体は、前記第5絶縁体を介して、前記半導体の前記第1面及び前記第2面と重畳する領域に位置する半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1半導体は、金属酸化物を有し、
前記第1半導体の前記第2面、及び前記第2面の近傍は、
前記第1半導体の前記第1面、及び前記第1面の近傍よりも、酸素濃度が高い半導体装置。 - 請求項7において、
前記半導体の前記第1面、及び前記第1面の近傍は、前記第1導電体に含まれる元素と、前記半導体に含まれる元素と、によって構成される化合物を有する半導体装置。 - 請求項1において、
前記半導体は、シリコンを有し、
前記半導体の前記第1面、及び前記第1面の近傍において、前記第1導電体に含まれる元素と、前記半導体に含まれる元素と、によって低抵抗領域が形成されている半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1導電体の代わりとして、第6絶縁体が用いられ、
前記第6絶縁体は、窒化シリコンを有する半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置を複数個有し、
ダイシング用の領域を有する半導体ウェハ。 - 請求項1に記載の半導体装置と、周辺回路と、を有する記憶装置。
- 請求項12に記載の記憶装置と、筐体と、を有する電子機器。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2022033531A JP7470141B2 (ja) | 2017-06-27 | 2022-03-04 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
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