JPWO2015189980A1 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 - Google Patents
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Abstract
黒ポチやカブリが抑制され、また電荷発生層の塗工ムラに起因する濃度ムラが抑制された画像を出力可能な電子写真感光体を提供する。電子写真感光体の電荷発生層が、ガリウムフタロシアニン結晶、含窒素複素環化合物、および、式(1)で示されるアミド化合物を含有し、該含窒素複素環化合物の複素環中の窒素原子が置換基を有する。
Description
本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。
現在、電子写真分野における像露光手段としてよく用いられている半導体レーザーの発振波長は、650〜820nmと長波長であるため、これらの長波長の光に高い感度を有する電子写真感光体の開発が進められている。また、最近は、高解像度化に向けて、発振波長が短波長である半導体レーザーの光に高い感度を有する電子写真感光体の開発も進められている。
フタロシアニン顔料は、こうした長波長領域から短波長領域までの光に高い感度を有する電荷発生物質として知られている。特にオキシチタニウムフタロシアニンやガリウムフタロシアニンは、優れた感度特性を有しており、これまでに様々な結晶形が報告されている。
しかしながら、ガリウムフタロシアニン顔料を用いた電子写真感光体は、優れた感度特性を有しているものの、ガリウムフタロシアニン顔料粒子の分散性に劣るという課題を有している。このため、この顔料を用いて塗工性に優れる電荷発生層用塗布液を得るために改善の必要があった。
電荷発生層用塗布液の塗工性が十分でないと、塗工時に顔料粒子の凝集の発生に起因する電荷発生層中のポチ(青ポチ)の発生や、塗工ムラの発生が起こりやすい。電荷発生層中の青ポチは特に出力画像において黒ポチやカブリの原因となる場合がある。一方、電荷発生層の塗工ムラは、特にハーフトーン画像形成部において画像濃度の不均一になって画像品質が低下する原因となる。
特許文献1には、ガリウムフタロシアニンと特定の構造を有するポリビニルアルコール樹脂とを用いることにより塗工性、塗料の安定性を向上できることが記載されている。
また、特許文献2には、感光層にモルホリン、ピペラジン、ピペリジンなどの含窒素複素環化合物を含有することにより、耐オゾン性、耐NOx性を高めることが記載されている。しかしながら、分散性または塗工性に関しては記載されていない。
さらに、特許文献3には、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N−メチルプロピオンアミドを用いてミリング処理して得られるヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が記載されている。しかしながら、分散性または塗工性に関しては記載されていない。
以上、電子写真感光体に関して、様々な改善が試みられている。
しかしながら、近年のさらなる高画質化に対しては、黒ポチやカブリがなく、また、濃度ムラのない高品質な出力画像が望まれている。
本発明の目的は、黒ポチやカブリが抑制され、また電荷発生層の塗工ムラに起因する濃度ムラが抑制された画像を出力可能な電子写真感光体を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記電子写真感光体を有する電子写真装置、プロセスカートリッジを提供することにある。
本発明は、支持体、該支持体上に形成された電荷発生層、および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
該電荷発生層が、
ガリウムフタロシアニン結晶、
含窒素複素環化合物、および
下記式(1)で示されるアミド化合物を含有し、
該電荷発生層が、
ガリウムフタロシアニン結晶、
含窒素複素環化合物、および
下記式(1)で示されるアミド化合物を含有し、
該含窒素複素環化合物の複素環中の窒素原子が置換基を有し、
該置換基を有する窒素原子の置換基が、置換もしくは無置換のアシル基、−(C=O)−O−R1、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基であることを特徴とする電子写真感光体。
(ただし、置換アシル基の置換基は、以下(i)に示す基である。R1は、以下(ii)に示す基である。)
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基(ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。)
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基(ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。)
また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジである。
また、本発明は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置である。
本発明によれば、黒ポチやカブリが抑制され、また電荷発生層の塗工ムラに起因する濃度ムラが抑制された画像を出力可能な電子写真感光体を提供することができる。さらに、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。
本発明の電子写真感光体は、支持体、支持体上に形成されている電荷発生層、および電荷発生層上に形成されている電荷輸送層を有する。そして、電荷発生層が、ガリウムフタロシアニン結晶、含窒素複素環化合物、および下記式(1)で示されるアミド化合物を含有することを特徴とする。
さらに、含窒素複素環化合物の複素環中の窒素原子は置換基を有し、置換基を有する窒素原子の置換基は、置換もしくは無置換のアシル基、−(C=O)−O−R1、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。
ただし、置換アシル基の置換基は、以下(i)に示す基である。R1は、以下(ii)に示す基である。
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
上記特徴を有することにより、黒ポチやカブリが抑制され、また電荷発生層の塗工ムラに起因する濃度ムラが抑制される理由を、以下のように推測している。
上記式(1)に示す化合物は強い極性を有し、さらにカルボニル基の電子求引性によって、ガリウムフタロシアニン結晶の分子内から電子を引き抜きやすいと推測される。これにより、ガリウムフタロシアニン結晶からの電子の流れを良好にすると考えられる。これに加えて、含窒素複素環化合物の窒素原子が置換基を持つことで、水素結合性が抑えられた三級アミンとしての性質を有し、ガリウムフタロシアニン結晶と式(1)に示す化合物との関係において電子の流れをさらに良好にすると考えられる。さらに、ガリウムフタロシアニン結晶の分散性を向上させ、局所的な電荷注入や塗工ムラを抑制し、黒ポチやカブリ、濃度ムラを抑制していると考えている。
また、上記含窒素複素環化合物は、ピロール、ピロリジン、モルホリン、ピペラジン、ピペリジン、4―ピペリドン、インドール、イミダゾール、フェノチアジン、フェノキサジン、またはカルバゾールであることが好ましい。その中でも、モルホリン、ピペラジン、ピペリジン、4―ピペリドン、インドール、イミダゾールがより好ましい。
また、上記含窒素複素環化合物の環を構成する窒素原子以外の原子(例えば、炭素原子)が有する置換基としては、以下のものが好ましい。すなわち、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアルキルオキシカルボニル基である。
このとき、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、またはホルミル基であることがより好ましい。
さらに、黒ポチやカブリ、電荷発生層の塗工ムラを抑制する効果の点で特に好ましい含窒素複素環化合物は、下記式(2)〜(7)で示される化合物である。
置換のアシル基の置換基は、以下(i)に示す基である。R2は、以下(ii)に示す基である。
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
置換のアシル基の置換基は、以下(i)に示す基である。R3は、以下(ii)に示す基である。)
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
上記式(4)中、R41は、置換もしくは無置換のアシル基、−(C=O)−O−R4、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
置換のアシル基の置換基は、以下(i)に示す基である。R4は、以下(ii)に示す基である。)
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
置換のアシル基の置換基は、以下(i)に示す基である。R5は、以下(ii)に示す基である。
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
置換のアシル基の置換基は、以下(i)に示す基である。R6は、以下(ii)に示す基である。)
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
置換のアシル基の置換基は、以下(i)に示す基である。R7は、以下(ii)に示す基である。
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基である。ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基である。
また、前記式(2)〜(7)中、R21、R31、R32、R41、R51、R61、R71は、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、または、フェニル基であることが好ましい。
また、電荷発生層における含窒素複素環化合物の含有量は、ガリウムフタロシアニン結晶に対して0.01質量%以上20質量%以下であることが好ましい。より好ましくは、0.1質量%以上5質量%以下である。含窒素複素環化合物は、非晶質であっても結晶質であってもよい。また、含窒素複素環化合物を2種類以上組み合わせて用いることもできる。
さらに、ガリウムフタロシアニン結晶は、含窒素複素環化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶であることが好ましい。この場合、ガリウムフタロシアニン結晶内における含窒素複素環化合物の含有量は、前記ガリウムフタロシアニン結晶に対して0.01質量%以上2質量%以下であることが好ましい。
以下に、本発明の電子写真感光体に含有される含窒素複素環化合物の好ましい具体例(例示化合物)を示すが、本発明は、これらに限定されるものではない。
また、電荷発生層における式(1)で示されるアミド化合物の含有量は、ガリウムフタロシアニン結晶に対して0.01質量%以上5質量%以下であることが好ましい。
さらに、ガリウムフタロシアニン結晶が、結晶内に式(1)で示されるアミド化合物を含有するガリウムフタロシアニン結晶であることが好ましい。この場合、ガリウムフタロシアニン結晶内における式(1)で示されるアミド化合物の含有量が、ガリウムフタロシアニン結晶に対して0.01質量%以上3質量%以下であることが好ましい。より好ましくは、0.01質量%以上1.7質量%以下である。
さらに、電荷発生層における含窒素複素環化合物の質量をA、ガリウムフタロシアニン結晶内における式(1)で示されるアミド化合物の質量をBとしたとき、AとBの比率がA/B=1/1以上20/1以下の範囲内であることが好ましい。さらに、A/B=1.4/1以上20/1以下の範囲内であることが好ましく、特には、A:B=1.4/1以上4/1以下の範囲内であることが好ましい。
また、式(1)中のR11がメチル基であることが好ましい。
本発明の電子写真感光体に含有されるガリウムフタロシアニン結晶としては、例えば、ガリウムフタロシアニン分子のガリウム原子に軸配位子としてハロゲン原子、ヒドロキシ基、または、アルコキシ基を有するものが挙げられる。また、フタロシアニン環にハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。
ガリウムフタロシアニン結晶の中でも、優れた感度を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、ブロモガリウムフタロシアニン結晶、ヨードガリウムフタロシアニン結晶が、本発明が有効に作用し、好ましい。中でもヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶がより好ましい。ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子としてヒドロキシ基を有するものである。ブロモガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子として臭素原子を有するものである。ヨードガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子としてヨウ素原子を有するものである。
さらに、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の中でも、CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θの7.4°±0.3°および28.2°±0.3°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が高画質の点で特に好ましい。
含窒素複素環化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶は、結晶内に含窒素複素環化合物を取り込んでいることを意味する。
また、式(1)で示されるアミド化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶は、結晶内に式(1)で示されるアミド化合物を取り込んでいることを意味する。
含窒素複素環化合物、上記式(1)で示されるアミド化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶の製造方法について説明する。
本発明の含窒素複素環化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶は、アシッドペースティング法により得られたガリウムフタロシアニン、含窒素複素環化合物を溶剤と混合して、湿式ミリング処理により結晶変換する工程により得られる。
ここで行うミリング処理とは、例えば、ガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナボールなどの分散剤とともにサンドミル、ボールミルなどのミリング装置を用いて行う処理である。ミリング処理で用いる分散剤の量は、質量基準でガリウムフタロシアニンの10〜50倍が好ましい。また、用いられる溶剤としては、以下のものが挙げられる。すなわち、N,N―ジメチルホルムアミド、N,N―ジメチルアセトアミド、式(1)で示される化合物、N―メチルアセトアミド、N―メチルプロピオアミドなどのアミド系溶剤、クロロホルムなどのハロゲン系溶剤、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶剤、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶剤などが挙げられる。
式(1)で示されるアミド化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶は、アシッドペースティング法により得られたガリウムフタロシアニン、および式(1)で示されるアミド化合物を湿式ミリング処理により結晶変換する工程により得られる。式(1)で示されるアミド化合物は、N―メチルホルムアミド、または、N―プロピルホルムアミドである。
溶剤の使用量は、質量基準でガリウムフタロシアニンの5〜30倍が好ましい。含窒素複素環化合物の使用量は、質量基準でガリウムフタロシアニンの0.1〜10倍が好ましい。
本発明のガリウムフタロシアニン結晶が、含窒素複素環化合物、式(1)で示されるアミド化合物を結晶内に含有しているかどうかについて、得られたガリウムフタロシアニン結晶をNMR測定、熱重量(TG)測定のデータを解析することにより決定した。
例えば、含窒素複素環化合物を溶解できる溶剤によるミリング処理、またはミリング後の洗浄工程を行った場合、得られたガリウムフタロシアニン結晶をNMR測定する。含窒素複素環化合物が検出された場合は、含窒素複素環化合物が結晶内に含有されていると判断することができる。
一方、含窒素複素環化合物がミリング処理に使用した溶剤に不溶、かつミリング後の洗浄溶剤にも不溶な場合、得られたガリウムフタロシアニン結晶をNMR測定し、上記含窒素複素環化合物が検出された場合は下記の方法で判断した。
含窒素複素環化合物を加えて得られたガリウムフタロシアニン結晶、含窒素複素環化合物を加えずに得られたガリウムフタロシアニン結晶、および含窒素複素環化合物単体を個別にTG測定した。含有させたい含窒素複素環化合物を加えて得られたガリウムフタロシアニン結晶のTG測定結果が、含窒素複素環化合物を加えずに得られたガリウムフタロシアニン結晶と含窒素複素環化合物との個別の測定結果を単に所定の比率で混合したものと解釈する場合。この場合は、ガリウムフタロシアニン結晶と含窒素複素環化合物との混合物、または、ガリウムフタロシアニン結晶の表面に含窒素複素環化合物が単に付着しているものであると解釈できる。
一方、含窒素複素環化合物を加えて得られたガリウムフタロシアニン結晶のTG測定結果が、含有させたい含窒素複素環化合物単体のTG測定の結果より高温で重量減少を示すとする。この場合は、含窒素複素環化合物がガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていると判断することができる。
式(1)で示されるアミド化合物がガリウムフタロシアニン結晶内に含有しているかどうかについても、上述と同様の方法で解析することができる。
本発明の電子写真感光体に含有されるガリウムフタロシアニン結晶のTG測定、X線回折およびNMRの測定は、次の条件で行ったものである。
[TG測定]
使用測定機:セイコー電子工業(株)製、TG/DTA同時測定装置(商品名:TG/DTA220U)
雰囲気:窒素気流下(300ml/min)
測定範囲:35℃から600℃
昇温スピード:10℃/min
[粉末X線回折測定]
使用測定機:理学電気(株)製、X線回折装置RINT―TTRII
X線管球:Cu
管電圧:50KV
管電流:300mA
スキャン方法:2θ/θスキャン
スキャン速度:4.0°/min
サンプリング間隔:0.02°
スタート角度(2θ):5.0°
ストップ角度(2θ):40.0°
アタッチメント:標準試料ホルダー
フィルター:不使用
インシデントモノクロ:使用
カウンターモノクロメーター:不使用
発散スリット:開放
発散縦制限スリット:10.00mm
散乱スリット:開放
受光スリット:開放
平板モノクロメーター:使用
カウンター:シンチレーションカウンター
[NMR測定]
使用測定器:BRUKER製、AVANCEIII 500
溶媒:重硫酸(D2SO4)
電荷発生層は、含窒素複素環化合物、式(1)で示されるアミド化合物、ガリウムフタロシアニン結晶を含有する。または、電荷発生層に、式(1)で示されるアミド化合物および含窒素複素環化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有する。
[TG測定]
使用測定機:セイコー電子工業(株)製、TG/DTA同時測定装置(商品名:TG/DTA220U)
雰囲気:窒素気流下(300ml/min)
測定範囲:35℃から600℃
昇温スピード:10℃/min
[粉末X線回折測定]
使用測定機:理学電気(株)製、X線回折装置RINT―TTRII
X線管球:Cu
管電圧:50KV
管電流:300mA
スキャン方法:2θ/θスキャン
スキャン速度:4.0°/min
サンプリング間隔:0.02°
スタート角度(2θ):5.0°
ストップ角度(2θ):40.0°
アタッチメント:標準試料ホルダー
フィルター:不使用
インシデントモノクロ:使用
カウンターモノクロメーター:不使用
発散スリット:開放
発散縦制限スリット:10.00mm
散乱スリット:開放
受光スリット:開放
平板モノクロメーター:使用
カウンター:シンチレーションカウンター
[NMR測定]
使用測定器:BRUKER製、AVANCEIII 500
溶媒:重硫酸(D2SO4)
電荷発生層は、含窒素複素環化合物、式(1)で示されるアミド化合物、ガリウムフタロシアニン結晶を含有する。または、電荷発生層に、式(1)で示されるアミド化合物および含窒素複素環化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有する。
本発明に用いられる支持体は、導電性を有するもの(導電性支持体)が好ましい。その材料としては、アルミニウムやステンレスなどの金属や合金、あるいは導電層を設けた金属、合金、プラスチックおよび紙などが挙げられる。支持体の形状としては円筒状やフィルム状などが挙げられる。
本発明において、支持体と感光層の間には、バリア機能と接着機能を持つ下引き層(中間層とも呼ばれる。)を設けることもできる。
下引き層の材料としては、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、カゼイン、ポリアミドなどの樹脂が用いられる。下引き層は、樹脂を溶剤に溶解させて下引き層用塗布液を調製し、下引き層用塗布液の塗膜を支持体上に形成し、塗膜を乾燥させることによって得られる。下引き層の膜厚は0.3〜5μmであることが好ましい。
さらに、支持体と下引き層との間に、支持体のムラや欠陥の被覆、干渉縞防止を目的とした導電層を設けてもよい。
導電層は、カーボンブラック、金属および金属酸化物などの導電性粒子を、結着樹脂中に分散して形成することができる。
導電層の膜厚は5〜40μmであることが好ましく、特には10〜30μmであることが好ましい。
電荷発生層は、含窒素複素環化合物、式(1)で示されるアミド化合物、ガリウムフタロシアニン結晶を結着樹脂とともに溶剤に分散させた電荷発生層用塗布液の塗膜を形成し、塗膜を乾燥させることによって形成することができる。ガリウムフタロシアニンは、式(1)で示されるアミド化合物および含窒素複素環化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶であってもよい。
上記分散の際には、サンドミルやボールミルなどのメディア型分散機や、液衝突型分散機などの分散機を用いることができる。
電荷発生層の膜厚は、0.05〜1μmであることが好ましく、0.05〜0.2μmであることがより好ましい。
また、電荷発生層におけるガリウムフタロシアニン結晶の含有量は、電荷発生層の全質量に対して30質量%以上90質量%以下であることが好ましく、50質量%以上80質量%以下であることがより好ましい。
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、塩化ビニリデン樹脂、アクリロニトリル共重合体およびポリビニルベンザール樹脂などの樹脂が挙げられる。これらの中でも、含窒素複素環化合物を分散させる樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルベンザール樹脂が好ましい。
電荷輸送層は、電荷輸送物質と結着樹脂を含有する電荷輸送層用塗布液の塗膜を形成し、塗膜を乾燥させて形成することができる。
電荷輸送層の膜厚は、5〜40μmであることが好ましく、特には10〜25μmであることが好ましい。
電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して20〜80質量%であることが好ましく、特には30〜60質量%であることが好ましい。
電荷輸送物質としては、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物およびトリアリルメタン化合物などが挙げられる。これらの中でも電荷輸送物質としては、トリアリールアミン化合物が好ましい。
電荷輸送層に用いる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、塩化ビニリデン樹脂、およびアクリロニトリル共重合体などの樹脂が挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂が好ましい。
各層の塗布方法としては、浸漬塗布法(ディッピング法)、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、ブレードコーティング法およびビームコーティング法などの塗布方法を用いることができる。
電荷輸送層上には、電荷発生層および電荷輸送層を保護することを目的として、保護層を設けてもよい。
保護層は、樹脂を有機溶剤に溶解させて得られた保護層用塗布液の塗膜を電荷輸送層上に形成し、塗膜を乾燥させることによって形成できる。保護層に用いられる樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂(ポリカーボネートZ樹脂、変性ポリカーボネート樹脂など)、ナイロン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリウレタン樹脂、スチレン―ブタジエン共重合体、スチレン―アクリル酸共重合体およびスチレン―アクリロニトリル共重合体が挙げられる。また、保護層は、保護層用塗布液の塗膜を電荷輸送層上に形成し、塗膜を加熱、電子線、紫外線などによって硬化させることによっても形成できる。保護層の膜厚は、0.05〜20μmであることが好ましい。
また、保護層中に導電性粒子や紫外線吸収剤やフッ素原子含有樹脂微粒子などの潤滑性粒子などを含ませてもよい。導電性粒子としては、例えば酸化スズ粒子などの金属酸化物粒子が好ましい。
図1は、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
1は円筒状(ドラム状)の電子写真感光体であり、軸2を中心に矢印方向に所定の周速度(プロセススピード)をもって回転駆動される。
電子写真感光体1の表面は、回転過程において、帯電手段3により、正または負の所定電位に帯電される。次いで、帯電された電子写真感光体1の表面には、露光手段(不図示)から露光光4が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成される。像露光光4は、例えば、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段から出力される、目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号に対応して強度変調された光である。
電子写真感光体1の表面に形成された静電潜像は、現像手段5内に収容されたトナーで現像(正規現像または反転現像)され、電子写真感光体1の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体1の表面に形成されたトナー像は、転写手段6により、転写材7に転写されていく。このとき、転写手段6には、バイアス電源(不図示)からトナーの保有電荷とは逆極性のバイアス電圧が印加される。また、転写材7が紙である場合、転写材7は給紙部(不図示)から取り出されて、電子写真感光体1と転写手段6との間に電子写真感光体1の回転と同期して給送される。
電子写真感光体1からトナー像が転写された転写材7は、電子写真感光体1の表面から分離された後、定着手段8へ搬送されて、トナー像の定着処理を受けることにより、画像形成物(プリント、コピー)として電子写真装置の外へプリントアウトされる。
転写材7にトナー像を転写した後の電子写真感光体1の表面は、クリーニング手段9により、トナー(転写残りトナー)などの付着物の除去を受けて清浄される。近年開発されているクリーナレスシステムにより、転写残りトナーを直接、現像器などで除去することもできる。さらに、電子写真感光体1の表面は、前露光手段(不図示)からの前露光光10により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、帯電手段3が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光手段は必ずしも必要ではない。
本発明においては、上述の電子写真感光体1、帯電手段3、現像手段5およびクリーニング手段9などの構成要素のうち、複数の構成要素を容器に納めて一体に支持してプロセスカートリッジを形成する。このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成することができる。例えば、帯電手段3、現像手段5およびクリーニング手段9から選択される少なくとも1つを電子写真感光体1とともに一体に支持してカートリッジ化する。電子写真装置本体のレールなどの案内手段12を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ11とすることができる。
露光光4は、電子写真装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光であってもよい。または、センサーで原稿を読み取り、信号化し、この信号に従って行われるレーザービームの走査、LEDアレイの駆動もしくは液晶シャッターアレイの駆動などにより放射される光であってもよい。
本発明の電子写真感光体1は、レーザービームプリンター、CRTプリンター、LEDプリンター、FAX、液晶プリンターおよびレーザー製版などの電子写真応用分野にも幅広く適用することができる。
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。以下に記載の「部」は、「質量部」を意味する。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。なお、実施例および比較例の電子写真感光体の各層の膜厚は、渦電流式膜厚計(Fischerscope、フィッシャーインスツルメント社製)を用いる方法、または、単位面積当たりの質量から比重換算する方法で求めた。
〔合成例1〕
窒素フローの雰囲気下、フタロニトリル5.46部およびα―クロロナフタレン45部を反応釜に投入した後、加熱し、温度30℃まで昇温させ、この温度を維持した。次に、この温度(30℃)で三塩化ガリウム3.75部を投入した。投入時の混合液の水分濃度は150ppmであった。その後、温度200℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度200℃で4.5時間反応させた後、冷却し、温度150℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をN,N―ジメチルホルムアミドを用いて温度140℃で2時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を4.65部(収率71%)得た。
窒素フローの雰囲気下、フタロニトリル5.46部およびα―クロロナフタレン45部を反応釜に投入した後、加熱し、温度30℃まで昇温させ、この温度を維持した。次に、この温度(30℃)で三塩化ガリウム3.75部を投入した。投入時の混合液の水分濃度は150ppmであった。その後、温度200℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度200℃で4.5時間反応させた後、冷却し、温度150℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をN,N―ジメチルホルムアミドを用いて温度140℃で2時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を4.65部(収率71%)得た。
次に、得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料4.65部を、温度10℃で濃硫酸139.5部に溶解させ、攪拌下、氷水620部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて濾過した。得られたウエットケーキ(濾過物)を2%アンモニア水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られたウエットケーキ(濾過物)をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を3回繰り返し、その後、固形分23%のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料(含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料)を得た。
〔合成例2〕
窒素フローの雰囲気下、フタロニトリル5.46部およびα―クロロナフタレン45部を反応釜に投入した後、加熱し、温度30℃まで昇温させ、この温度を維持した。次に、この温度(30℃)で三塩化ガリウム3.75部を投入した。投入時の混合液の水分濃度は150ppmであった。その後、温度200℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度200℃で4.5時間反応させた後、冷却し、温度150℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をN,N―ジメチルホルムアミドを用いて温度140℃で2時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を4.65部(収率71%)得た。
窒素フローの雰囲気下、フタロニトリル5.46部およびα―クロロナフタレン45部を反応釜に投入した後、加熱し、温度30℃まで昇温させ、この温度を維持した。次に、この温度(30℃)で三塩化ガリウム3.75部を投入した。投入時の混合液の水分濃度は150ppmであった。その後、温度200℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度200℃で4.5時間反応させた後、冷却し、温度150℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をN,N―ジメチルホルムアミドを用いて温度140℃で2時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を4.65部(収率71%)得た。
〔実施例1―1〕
合成例1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料6.6kgをハイパー・ドライ乾燥機(商品名:HD―06R、周波数(発振周波数):2455MHz±15MHz、日本バイオコン(株)製)を用いて以下のように乾燥させた。
合成例1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料6.6kgをハイパー・ドライ乾燥機(商品名:HD―06R、周波数(発振周波数):2455MHz±15MHz、日本バイオコン(株)製)を用いて以下のように乾燥させた。
合成例1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、専用円形プラスチックトレイにフィルタープレスから取り出したままの固まりの状態(含水ケーキ厚4cm以下)で載せ、遠赤外線はオフ、乾燥機の内壁の温度は50℃になるように設定した。そして、マイクロ波照射時は真空ポンプとリークバルブを調整し、真空度を4.0〜10.0kPaに調整した。
まず、第1工程として、4.8kWのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に50分間照射し、次に、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて2kPa以下の高真空にした。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は88%であった。
第2工程として、リークバルブを調整し、真空度(乾燥機内の圧力)を上記設定値内(4.0〜10.0kPa)に調整した。その後、1.2kWのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に5分間照射し、また、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて2kPa以下の高真空にした。この第2工程をさらに1回繰り返した(計2回)。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は98%であった。
さらに第3工程として、第2工程でのマイクロ波の出力を1.2kWから0.8kWに変更した以外は第2工程と同様にしてマイクロ波照射を行った。この第3工程をさらに1回繰り返した(計2回)。
さらに第4工程として、リークバルブを調整し、真空度(乾燥機内の圧力)を上記設定値内(4.0〜10.0kPa)に復圧した。その後、0.4kWのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に3分間照射し、また、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて2kPa以下の高真空にした。この第4工程をさらに7回繰り返した(計8回)。
以上、合計3時間で、含水率1%以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料(結晶)を1.52kg得た。
次に、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶0.5部、
化合物(A7)(製品コード:P0196、東京化成工業(株)製)2.7部、および、
N―メチルホルムアミド(製品コード:F0059、東京化成工業(株)製)9.5部を、
直径0.8mmのガラスビーズ15部とともに、室温(23℃)下で400時間、ボールミルを用いてミリング処理した。この際、容器は規格びん(製品コード:PS−6、柏洋硝子(株)製)を用い、容器が1分間に60回転する条件で行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をN―メチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.45部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図2に示す。
化合物(A7)(製品コード:P0196、東京化成工業(株)製)2.7部、および、
N―メチルホルムアミド(製品コード:F0059、東京化成工業(株)製)9.5部を、
直径0.8mmのガラスビーズ15部とともに、室温(23℃)下で400時間、ボールミルを用いてミリング処理した。この際、容器は規格びん(製品コード:PS−6、柏洋硝子(株)製)を用い、容器が1分間に60回転する条件で行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をN―メチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.45部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図2に示す。
また、NMR測定により、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、化合物(A7)が0.47質量%、N―メチルホルムアミドが0.65質量%含有されていることが確認された。化合物(A7)はN―メチルホルムアミドに溶解することから、化合物(A7)とN―メチルホルムアミドは結晶内に含有されていることが分かる。
〔実施例1―2〕
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を使用せず、また、ボールミルで400時間のミリング処理を、ボールミルで2000時間のミリング処理に変更した。それ以外は実施例1―1と同様にして、実施例1―2のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図3に示す。
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を使用せず、また、ボールミルで400時間のミリング処理を、ボールミルで2000時間のミリング処理に変更した。それ以外は実施例1―1と同様にして、実施例1―2のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図3に示す。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中にN−メチルホルムアミドが0.55質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―3〕
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を0.7部に変更し、また、ボールミルで400時間のミリング処理を、ボールミルで350時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―3のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図2と同様であった。
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を0.7部に変更し、また、ボールミルで400時間のミリング処理を、ボールミルで350時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―3のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図2と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A7)が0.14質量%、N−メチルホルムアミドが0.71質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―4〕
実施例1―2において、ボールミルで2000時間のミリング処理を、ボールミルで100時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例1―2と同様にして、実施例1―4のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図3と同様であった。
実施例1―2において、ボールミルで2000時間のミリング処理を、ボールミルで100時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例1―2と同様にして、実施例1―4のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図3と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中にN−メチルホルムアミドが2.1質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―5〕
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を0.5部に変更し、また、ボールミルで400時間のミリング処理を、ボールミルで51時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―5のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図2と同様であった。
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を0.5部に変更し、また、ボールミルで400時間のミリング処理を、ボールミルで51時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―5のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図2と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A7)が0.39質量%、N−メチルホルムアミドが1.86質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―6〕
実施例1―1と同様にして、含水率1%以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料(結晶)を1.52kg得た。
実施例1―1と同様にして、含水率1%以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料(結晶)を1.52kg得た。
次に、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶0.5部、
化合物(A7)(製品コード:P0196、東京化成工業(株)製)0.5部、および、
N,N―ジメチルホルムアミド(製品コード:F0059、東京化成工業(株)製)9.5部を、
直径0.8mmのガラスビーズ15部とともに、室温(23℃)下で51時間、ボールミルを用いてミリング処理した。この際、容器は規格びん(製品コード:PS−6、柏洋硝子(株)製)を用い、容器が1分間に60回転する条件で行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をN,N―ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.45部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図4に示す。
化合物(A7)(製品コード:P0196、東京化成工業(株)製)0.5部、および、
N,N―ジメチルホルムアミド(製品コード:F0059、東京化成工業(株)製)9.5部を、
直径0.8mmのガラスビーズ15部とともに、室温(23℃)下で51時間、ボールミルを用いてミリング処理した。この際、容器は規格びん(製品コード:PS−6、柏洋硝子(株)製)を用い、容器が1分間に60回転する条件で行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をN,N―ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.45部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図4に示す。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A7)が0.25質量%、N,N−ジメチルホルムアミドが1.74質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―7〕
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を化合物(A16)2.7部に変更し、また、ボールミルで400時間のミリング処理を、ペイントシェーカー(東洋精機(株)製)で40時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―7のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図2と同様であった。
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を化合物(A16)2.7部に変更し、また、ボールミルで400時間のミリング処理を、ペイントシェーカー(東洋精機(株)製)で40時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―7のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図2と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A16)が0.64質量%、N−メチルホルムアミドが0.63質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―8〕
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を化合物(A9)3.0部に変更し、また、ボールミルで400時間のミリング処理をボールミルで100時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―8のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図5に示す。
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を化合物(A9)3.0部に変更し、また、ボールミルで400時間のミリング処理をボールミルで100時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―8のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図5に示す。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A9)が1.59質量%、N−メチルホルムアミドが1.35質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―9〕
実施例1―8において用いた化合物(A9)3.0部を0.5部に変更し、また、ボールミルで100時間のミリング処理をボールミルで51時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例1―8と同様にして、実施例1―9のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図5と同様であった。
実施例1―8において用いた化合物(A9)3.0部を0.5部に変更し、また、ボールミルで100時間のミリング処理をボールミルで51時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例1―8と同様にして、実施例1―9のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図5と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A9)が0.35質量%、N−メチルホルムアミドが1.89質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―10〕
実施例1―6において用いた化合物(A7)0.5部を化合物(A9)0.5部に変更した以外は、実施例1―6と同様にして、実施例1―10のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図6に示す。
実施例1―6において用いた化合物(A7)0.5部を化合物(A9)0.5部に変更した以外は、実施例1―6と同様にして、実施例1―10のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図6に示す。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A9)が1.35質量%、N,N−ジメチルホルムアミドが1.43質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―11〕
実施例1―1と同様にして、含水率1%以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料(結晶)を1.52kg得た。
実施例1―1と同様にして、含水率1%以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料(結晶)を1.52kg得た。
次に、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶0.5部、および、
N,N―ジメチルホルムアミド(製品コード:F0059、東京化成工業(株)製)9.5部を、
直径0.8mmのガラスビーズ15部とともに、室温(23℃)下で100時間、ボールミルを用いてミリング処理した。この際、容器は規格びん(製品コード:PS−6、柏洋硝子(株)製)を用い、容器が1分間に60回転する条件で行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をN,N―ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.45部得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図3と同様であった。
N,N―ジメチルホルムアミド(製品コード:F0059、東京化成工業(株)製)9.5部を、
直径0.8mmのガラスビーズ15部とともに、室温(23℃)下で100時間、ボールミルを用いてミリング処理した。この際、容器は規格びん(製品コード:PS−6、柏洋硝子(株)製)を用い、容器が1分間に60回転する条件で行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をN,N―ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.45部得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図3と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中にN,N−ジメチルホルムアミドが2.1質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―12〕
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を化合物(A38)4.0部に変更したこと以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―12のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図2と同様であった。
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を化合物(A38)4.0部に変更したこと以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―12のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図2と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A38)が1.28質量%、N−メチルホルムアミドが0.72質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―13〕
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を化合物(A66)0.1部に変更したこと以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―13のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図2と同様であった。
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を化合物(A66)0.1部に変更したこと以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―13のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図2と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A66)が0.06質量%、N−メチルホルムアミドが0.66質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―14〕
実施例1―6において用いた化合物(A7)0.5部を化合物(A75)1.0部に変更したこと以外は、実施例1―6と同様にして、実施例1―14のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図4と同様であった。
実施例1―6において用いた化合物(A7)0.5部を化合物(A75)1.0部に変更したこと以外は、実施例1―6と同様にして、実施例1―14のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図4と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A75)が0.83質量%、N,N−ジメチルホルムアミドが1.51質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―15〕
実施例1―6において用いた化合物(A7)0.5部を化合物(A4)3.0部に変更したこと以外は、実施例1―6と同様にして、実施例1―15のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図4と同様であった。
実施例1―6において用いた化合物(A7)0.5部を化合物(A4)3.0部に変更したこと以外は、実施例1―6と同様にして、実施例1―15のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図4と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A4)が2.22質量%、N,N−ジメチルホルムアミドが1.57質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―16〕
実施例1―6において用いた化合物(A7)0.5部を化合物(A24)0.4部に変更したこと以外は、実施例1―6と同様にして、実施例1―16のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図5と同様であった。
実施例1―6において用いた化合物(A7)0.5部を化合物(A24)0.4部に変更したこと以外は、実施例1―6と同様にして、実施例1―16のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図5と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A24)が0.32質量%、N,N−ジメチルホルムアミドが1.49質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―17〕
実施例1―2において、ボールミルで2000時間のミリング処理を、ボールミルで1000時間のミリング処理に変更したこと以外は、実施例1―2と同様にして、実施例1―17のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図3と同様であった。
実施例1―2において、ボールミルで2000時間のミリング処理を、ボールミルで1000時間のミリング処理に変更したこと以外は、実施例1―2と同様にして、実施例1―17のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図3と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中にN−メチルホルムアミドが0.7質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―18〕
実施例1―2において、ボールミルで2000時間のミリング処理を、ボールミルで30時間のミリング処理に変更したこと以外は、実施例1―2と同様にして、実施例1―18のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図3と同様であった。
実施例1―2において、ボールミルで2000時間のミリング処理を、ボールミルで30時間のミリング処理に変更したこと以外は、実施例1―2と同様にして、実施例1―18のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図3と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中にN−メチルホルムアミドが3.3質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―19〕
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を化合物(A10)2.5部に変更したこと以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―19のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図2と同様であった。
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を化合物(A10)2.5部に変更したこと以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―19のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図2と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A10)が0.24質量%、N−メチルホルムアミドが0.68質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―20〕
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を化合物(A1)0.5部に変更し、また、ボールミルで400時間のミリング処理をボールミルで51時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―20のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図7に示す。
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を化合物(A1)0.5部に変更し、また、ボールミルで400時間のミリング処理をボールミルで51時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―20のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図7に示す。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A1)が0.13質量%、N−メチルホルムアミドが1.72質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―21〕
実施例1―6において用いた化合物(A7)0.5部を化合物(A1)0.5部に変更した以外は、実施例1―6と同様にして、実施例1―21のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図8に示す。
実施例1―6において用いた化合物(A7)0.5部を化合物(A1)0.5部に変更した以外は、実施例1―6と同様にして、実施例1―21のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図8に示す。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A1)が0.36質量%、N,N−ジメチルホルムアミドが1.86質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―22〕
実施例1―21において用いた化合物(A1)0.5部を5.0部に変更した以外は、実施例1―21と同様にして、実施例1―22のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図8と同様であった。
実施例1―21において用いた化合物(A1)0.5部を5.0部に変更した以外は、実施例1―21と同様にして、実施例1―22のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図8と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A1)が1.29質量%、N,N−ジメチルホルムアミドが1.56質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―23〕
実施例1―6において用いた化合物(A7)0.5部を化合物(A2)2.0部に変更した以外は、実施例1―6と同様にして、実施例1―23のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図8と同様であった。
実施例1―6において用いた化合物(A7)0.5部を化合物(A2)2.0部に変更した以外は、実施例1―6と同様にして、実施例1―23のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図8と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A1)が0.63質量%、N,N−ジメチルホルムアミドが1.77質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―24〕
実施例1―1と同様にして、含水率1%以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料(結晶)を1.52kg得た。
実施例1―1と同様にして、含水率1%以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料(結晶)を1.52kg得た。
次に、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶0.5部、および、N―プロピルホルムアミド9.5部を、直径0.8mmのガラスビーズ15部とともに、室温(23℃)下で300時間、ボールミルを用いてミリング処理した。この際、容器は規格びん(製品コード:PS−6、柏洋硝子(株)製)を用い、容器が1分間に60回転する条件で行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をN―プロピルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.46部得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図3と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中にN−プロピルホルムアミドが1.4質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―25〕
実施例1―24においてボールミルで300時間のミリング処理をボールミルで1100時間のミリング処理に変更した以外は、実施例1―24と同様にして、実施例1―25のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図3と同様であった。
実施例1―24においてボールミルで300時間のミリング処理をボールミルで1100時間のミリング処理に変更した以外は、実施例1―24と同様にして、実施例1―25のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図3と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中にN−プロピルホルムアミドが0.69質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―26〕
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を化合物(A111)7.0部に変更し、また、ボールミルで400時間のミリング処理をボールミルで200時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―26のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図7と同様であった。
実施例1―1において用いた化合物(A7)2.7部を化合物(A111)7.0部に変更し、また、ボールミルで400時間のミリング処理をボールミルで200時間のミリング処理に変更した。それ以外は、実施例1―1と同様にして、実施例1―26のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図7と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に化合物(A111)が3.16質量%、N−メチルホルムアミドが0.85質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1―27〕
実施例1―2において、ボールミルで2000時間のミリング処理を、ボールミルで35時間のミリング処理に変更した以外は、実施例1―2と同様にして、実施例1―27のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図3と同様であった。
実施例1―2において、ボールミルで2000時間のミリング処理を、ボールミルで35時間のミリング処理に変更した以外は、実施例1―2と同様にして、実施例1―27のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図は図3と同様であった。
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中にN−メチルホルムアミドが3.1質量%含有されていることが確認された。
〔比較例1―1〕
実施例1―6において用いた化合物(A7)0.5部を下記式(8)で示される含窒素複素環化合物(製品コード:M0465、東京化成工業(株)製)1.0部
実施例1―6において用いた化合物(A7)0.5部を下記式(8)で示される含窒素複素環化合物(製品コード:M0465、東京化成工業(株)製)1.0部
また、実施例1―1と同様にして、NMR測定によりヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中に上記式(8)で示される化合物が0.61質量%、N,N−ジメチルホルムアミドが1.56質量%含有されていることが確認された。
〔実施例2―1〕
直径24mm、長さ257mmのアルミニウムシリンダーを支持体(円筒状支持体)とした。
直径24mm、長さ257mmのアルミニウムシリンダーを支持体(円筒状支持体)とした。
次に、酸化スズで被覆されている硫酸バリウム粒子(商品名:パストランPC1、三井金属鉱業(株)製)60部、
酸化チタン粒子(商品名:TITANIX JR、テイカ(株)製)15部、
レゾール型フェノール樹脂(商品名:フェノライト J―325、
大日本インキ化学工業(株)製、固形分70質量%)43部、
シリコーンオイル(商品名:SH28PA、東レシリコーン(株)製)0.015部、
シリコーン樹脂粒子(商品名:トスパール120、東芝シリコーン(株)製)3.6部、
2―メトキシ―1―プロパノール50部、および、メタノール50部をボールミルに入れ、20時間分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を140℃で1時間加熱し、塗膜を硬化させることによって、膜厚が20μmの導電層を形成した。
酸化チタン粒子(商品名:TITANIX JR、テイカ(株)製)15部、
レゾール型フェノール樹脂(商品名:フェノライト J―325、
大日本インキ化学工業(株)製、固形分70質量%)43部、
シリコーンオイル(商品名:SH28PA、東レシリコーン(株)製)0.015部、
シリコーン樹脂粒子(商品名:トスパール120、東芝シリコーン(株)製)3.6部、
2―メトキシ―1―プロパノール50部、および、メタノール50部をボールミルに入れ、20時間分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を140℃で1時間加熱し、塗膜を硬化させることによって、膜厚が20μmの導電層を形成した。
次に、N―メトキシメチル化ナイロン6(商品名:トレジンEF―30T、ナガセケムテックス(株)製)25部をメタノール/n―ブタノール=2/1混合溶液480部に溶解(65℃での加熱溶解)させてなる溶液を冷却した。その後、溶液をメンブランフィルター(商品名:FP―022、孔径:0.22μm、住友電気工業(株)製)で濾過して、下引き層用塗布液を調製した。このようにして調製した下引き層用塗布液を上述の導電層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を温度100℃のオーブンで10分間加熱乾燥することにより、膜厚が0.45μmの下引き層を形成した。
次に、実施例1―1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶(電荷発生物質)20部、
例示化合物(7)0.10部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1、積水化学工業(株)製)10部、および、シクロヘキサノン519部を、
直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
例示化合物(7)0.10部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1、積水化学工業(株)製)10部、および、シクロヘキサノン519部を、
直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
上記電荷発生層における化合物(A7)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は1.49/1である。
次に、下記式(9)で示されるトリアリールアミン化合物(正孔輸送物質)70部、
導電層、下引き層、電荷発生層および電荷輸送層の塗膜の加熱処理は、各温度に設定されたオーブンを用いて行った。以下同様である。
以上のようにして、円筒状(ドラム状)の実施例2―1の電子写真感光体を製造した。
〔実施例2―2〕
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―2で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、化合物(A7)0.10部を0.001部に変更したこと以外は、実施例2―1と同様にして、実施例2―2の電子写真感光体を製造した。
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―2で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、化合物(A7)0.10部を0.001部に変更したこと以外は、実施例2―1と同様にして、実施例2―2の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A7)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は0.01/1である。
〔実施例2―3〕
実施例2―2において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A7)0.001部を0.004部に変更したこと以外は、実施例2―2と同様にして、実施例2―3の電子写真感光体を製造した。
実施例2―2において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A7)0.001部を0.004部に変更したこと以外は、実施例2―2と同様にして、実施例2―3の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における例示化合物(A7)とヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は0.04/1である。
〔実施例2―4〕
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、化合物(A7)0.10部を使用しなかったこと以外は、実施例2―1と同様にして、実施例2―4の電子写真感光体を製造した。
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、化合物(A7)0.10部を使用しなかったこと以外は、実施例2―1と同様にして、実施例2―4の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A7)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は0.20/1である。
〔実施例2―5〕
実施例2―2において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A7)0.001部を0.042部に変更したこと以外は、実施例2―2と同様にして、実施例2―5の電子写真感光体を製造した。
実施例2―2において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A7)0.001部を0.042部に変更したこと以外は、実施例2―2と同様にして、実施例2―5の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A7)とヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は0.38/1である。
〔実施例2―6〕
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―4で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、化合物(A7)0.10部を1.0部に変更したこと以外は、実施例2―1と同様にして、実施例2―6の電子写真感光体を製造した。
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―4で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、化合物(A7)0.10部を1.0部に変更したこと以外は、実施例2―1と同様にして、実施例2―6の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A7)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は2.38/1である。
〔実施例2―7〕
実施例2―2において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A7)0.001部を2部に変更したこと以外は、実施例2―2と同様にして、実施例2―7の電子写真感光体を製造した。
実施例2―2において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A7)0.001部を2部に変更したこと以外は、実施例2―2と同様にして、実施例2―7の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A7)とヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は18.2/1である。
〔実施例2―8〕
実施例2―2において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A7)0.001部を6部に変更したこと以外は、実施例2―2と同様にして、実施例2―8の電子写真感光体を製造した。
実施例2―2において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A7)0.001部を6部に変更したこと以外は、実施例2―2と同様にして、実施例2―8の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A7)とヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は54.6/1である。
〔実施例2―9〕
実施例2―4において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―5で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―4と同様にして、実施例2―9の電子写真感光体を製造した。
実施例2―4において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―5で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―4と同様にして、実施例2―9の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A7)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は0.21/1である。
〔実施例2―10〕
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―1と同様にして、実施例2―10の電子写真感光体を製造した。
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―1と同様にして、実施例2―10の電子写真感光体を製造した。
実施例1―6で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部、
N―メチルホルムアミド0.1部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、
シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
N―メチルホルムアミド0.1部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、
シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―11〕
実施例2―4において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―7で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―4と同様にして、実施例2―11の電子写真感光体を製造した。
実施例2―4において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―7で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―4と同様にして、実施例2―11の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A16)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は1.02/1である。
〔実施例2―12〕
実施例2―10において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―6で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―8で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、N―メチルホルムアミド0.1部を0.13部に変更した。それ以外は、実施例2―10と同様にして、実施例2―12の電子写真感光体を製造した。
実施例2―10において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―6で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―8で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、N―メチルホルムアミド0.1部を0.13部に変更した。それ以外は、実施例2―10と同様にして、実施例2―12の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A9)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は1.18/1である。
〔実施例2―13〕
実施例2―4において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―9で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―4と同様にして、実施例2―13の電子写真感光体を製造した。
実施例2―4において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―9で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―4と同様にして、実施例2―13の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A9)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は0.19/1である。
〔実施例2―14〕
実施例2―10において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―6で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―10で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―10と同様にして、実施例2―14の電子写真感光体を製造した。
実施例2―10において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―6で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―10で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―10と同様にして、実施例2―14の電子写真感光体を製造した。
このときの上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―15〕
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―1と同様にして、実施例2―15の電子写真感光体を製造した。
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―1と同様にして、実施例2―15の電子写真感光体を製造した。
実施例1―11で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部、
化合物(A26)0.2部、
N―メチルホルムアミド0.0006部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、
シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
化合物(A26)0.2部、
N―メチルホルムアミド0.0006部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、
シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―16〕
実施例2―15において、電荷発生層用塗布液を調製する際のN―メチルホルムアミド0.0006部を0.006部に変更したこと以外は、実施例2―15と同様にして、実施例2―16の電子写真感光体を製造した。
実施例2―15において、電荷発生層用塗布液を調製する際のN―メチルホルムアミド0.0006部を0.006部に変更したこと以外は、実施例2―15と同様にして、実施例2―16の電子写真感光体を製造した。
このときのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―17〕
実施例2―15において、電荷発生層用塗布液を調製する際のN―メチルホルムアミド0.0006部を0.06部に変更したこと以外は、実施例2―15と同様にして、実施例2―17の電子写真感光体を製造した。
実施例2―15において、電荷発生層用塗布液を調製する際のN―メチルホルムアミド0.0006部を0.06部に変更したこと以外は、実施例2―15と同様にして、実施例2―17の電子写真感光体を製造した。
このときのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―18〕
実施例2―15において、電荷発生層用塗布液を調製する際のN―メチルホルムアミド0.0006部を0.6部に変更したこと以外は、実施例2―15と同様にして、実施例2―18の電子写真感光体を製造した。
実施例2―15において、電荷発生層用塗布液を調製する際のN―メチルホルムアミド0.0006部を0.6部に変更したこと以外は、実施例2―15と同様にして、実施例2―18の電子写真感光体を製造した。
このときのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―19〕
実施例2―15において、電荷発生層用塗布液を調製する際のN―メチルホルムアミド0.0006部を2.0部に変更したこと以外は、実施例2―15と同様にして、実施例2―19の電子写真感光体を製造した。
実施例2―15において、電荷発生層用塗布液を調製する際のN―メチルホルムアミド0.0006部を2.0部に変更したこと以外は、実施例2―15と同様にして、実施例2―19の電子写真感光体を製造した。
このときのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―20〕
実施例2―10において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―6で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―12で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、N―メチルホルムアミド0.1部を0.056部に変更した。それ以外は、実施例2―10と同様にして、実施例2―20の電子写真感光体を製造した。
実施例2―10において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―6で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―12で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、N―メチルホルムアミド0.1部を0.056部に変更した。それ以外は、実施例2―10と同様にして、実施例2―20の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A38)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は1.78/1である。
〔実施例2―21〕
実施例2―4において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―13で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―4と同様にして、実施例2―21の電子写真感光体を製造した。
実施例2―4において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―13で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―4と同様にして、実施例2―21の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A66)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は0.09/1である。
〔実施例2―22〕
実施例2―10において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―6で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―14で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、N―メチルホルムアミド0.1部を0.2部に変更した。それ以外は、実施例2―10と同様にして、実施例2―22の電子写真感光体を製造した。
実施例2―10において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―6で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―14で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、N―メチルホルムアミド0.1部を0.2部に変更した。それ以外は、実施例2―10と同様にして、実施例2―22の電子写真感光体を製造した。
このときの上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―23〕
実施例2―22において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―14で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―15で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―22と同様にして、実施例2―23の電子写真感光体を製造した。
実施例2―22において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―14で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―15で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―22と同様にして、実施例2―23の電子写真感光体を製造した。
このときの上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―24〕
実施例2―22において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―14で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶)20部を実施例1―16で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―22と同様にして、実施例2―24の電子写真感光体を製造した。
実施例2―22において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―14で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶)20部を実施例1―16で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―22と同様にして、実施例2―24の電子写真感光体を製造した。
このときの上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―25〕
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―17で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、化合物(A7)0.10部を化合物(A51)0.2部に変更した。それ以外は、実施例2―1と同様にして、実施例2―25の電子写真感光体を製造した。
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―17で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、化合物(A7)0.10部を化合物(A51)0.2部に変更した。それ以外は、実施例2―1と同様にして、実施例2―25の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A51)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は1.43/1である。
〔実施例2―26〕
実施例2―25において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―17で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―18で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―25と同様にして、実施例2―26の電子写真感光体を製造した。
実施例2―25において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―17で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―18で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―25と同様にして、実施例2―26の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A69)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は0.30/1である。
〔実施例2―27〕
実施例2―15において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A26)0.2部を化合物(A76)0.2部に変更し、また、N―メチルホルムアミド0.0006部を0.2部に変更した。それ以外は、実施例2―15と同様にして、実施例2―27の電子写真感光体を製造した。
実施例2―15において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A26)0.2部を化合物(A76)0.2部に変更し、また、N―メチルホルムアミド0.0006部を0.2部に変更した。それ以外は、実施例2―15と同様にして、実施例2―27の電子写真感光体を製造した。
このときのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―28〕
実施例2―4において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―19で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―4と同様にして、実施例2―28の電子写真感光体を製造した。
実施例2―4において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―19で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―4と同様にして、実施例2―28の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A10)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は0.35/1である。
〔実施例2―29〕
実施例2―4において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―20で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―4と同様にして、実施例2―29の電子写真感光体を製造した。
実施例2―4において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―20で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―4と同様にして、実施例2―29の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A1)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は0.08/1である。
〔実施例2―30〕
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―1と同様にして、実施例2―30の電子写真感光体を製造した。
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―1と同様にして、実施例2―30の電子写真感光体を製造した。
実施例1―21で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部、
N―プロピルホルムアミド0.2部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、
シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
N―プロピルホルムアミド0.2部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、
シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―プロピルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―31〕
実施例2―30において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―30と同様にして、実施例2―31の電子写真感光体を製造した。
実施例2―30において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―30と同様にして、実施例2―31の電子写真感光体を製造した。
実施例1―22で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部、
化合物(A1)0.14部、
N―プロピルホルムアミド0.2部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、
シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
化合物(A1)0.14部、
N―プロピルホルムアミド0.2部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、
シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―プロピルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―32〕
実施例2―30において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―21で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―23で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―30と同様にして、実施例2―32の電子写真感光体を製造した。
実施例2―30において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―21で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―23で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―30と同様にして、実施例2―32の電子写真感光体を製造した。
このときの上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―プロピルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―33〕
実施例2―31において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―22で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―24で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、化合物(A1)0.14部を化合物(A54)0.6部に変更した。それ以外は、実施例2―31と同様にして、実施例2―33の電子写真感光体を製造した。
実施例2―31において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―22で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―24で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、化合物(A1)0.14部を化合物(A54)0.6部に変更した。それ以外は、実施例2―31と同様にして、実施例2―33の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A54)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―プロピルホルムアミドの質量含有比率は2.14/1である。
〔実施例2―34〕
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―1と同様にして、実施例2―34の電子写真感光体を製造した。
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―1と同様にして、実施例2―34の電子写真感光体を製造した。
合成例2で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶20部、
化合物(A57)1部、
N―プロピルホルムアミド0.2部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、
シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
化合物(A57)1部、
N―プロピルホルムアミド0.2部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、
シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
上記クロロガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―プロピルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―35〕
実施例2―34において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A57)1部を化合物(A7)0.15部に変更し、また、N―プロピルホルムアミド0.2部をN―メチルホルムアミド0.074部に変更した。それ以外は、実施例2―34と同様にして、実施例2―35の電子写真感光体を製造した。
実施例2―34において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A57)1部を化合物(A7)0.15部に変更し、また、N―プロピルホルムアミド0.2部をN―メチルホルムアミド0.074部に変更した。それ以外は、実施例2―34と同様にして、実施例2―35の電子写真感光体を製造した。
このときのクロロガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―36〕
実施例2―2において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A7)0.001部を化合物(A85)0.2部に変更したこと以外は、実施例2―2と同様にして、実施例2―36の電子写真感光体を製造した。
実施例2―2において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A7)0.001部を化合物(A85)0.2部に変更したこと以外は、実施例2―2と同様にして、実施例2―36の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A85)とヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は1.82/1である。
〔実施例2―37〕
実施例2―33において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―33と同様にして、実施例2―37の電子写真感光体を製造した。
実施例2―33において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―33と同様にして、実施例2―37の電子写真感光体を製造した。
実施例1―24で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部、
化合物(A163)0.2部、
N―プロピルホルムアミド1.72部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、
シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
化合物(A163)0.2部、
N―プロピルホルムアミド1.72部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、
シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
上記電荷発生層における化合物(A163)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―プロピルホルムアミドの質量含有比率は0.71/1である。
〔実施例2―38〕
実施例2―37において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A163)0.2部を化合物(A100)0.2部に変更したこと以外は、実施例2―37と同様にして、実施例2―38の電子写真感光体を製造した。
実施例2―37において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A163)0.2部を化合物(A100)0.2部に変更したこと以外は、実施例2―37と同様にして、実施例2―38の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A100)とヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―プロピルホルムアミドの質量含有比率は0.71/1である。
〔実施例2―39〕
実施例2―33において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―24で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―25で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、化合物(A54)0.6部を化合物(A5)0.2部に変更した。それ以外は、実施例2―33と同様にして、実施例2―39の電子写真感光体を製造した。
実施例2―33において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―24で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―25で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。また、化合物(A54)0.6部を化合物(A5)0.2部に変更した。それ以外は、実施例2―33と同様にして、実施例2―39の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における例示化合物(5)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―プロピルホルムアミドの質量含有比率は1.45/1である。
〔実施例2―40〕
実施例2―30において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―30と同様にして、実施例2―40の電子写真感光体を製造した。
実施例2―30において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―30と同様にして、実施例2―40の電子写真感光体を製造した。
実施例1―11で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部、
化合物(A53)0.2部、
N―プロピルホルムアミド2.0部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、
シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
化合物(A53)0.2部、
N―プロピルホルムアミド2.0部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、
シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―プロピルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―41〕
実施例2―4において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―26で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―4と同様にして、実施例2―41の電子写真感光体を製造した。
実施例2―4において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―26で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―4と同様にして、実施例2―41の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A111)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は3.72/1である。
〔実施例2―42〕
実施例2―40において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A53)0.2部を化合物(A131)0.2部に変更し、また、N―プロピルホルムアミド2.0部を0.2部に変更した。それ以外は、実施例2―40と同様にして、実施例2―42の電子写真感光体を製造した。
実施例2―40において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A53)0.2部を化合物(A131)0.2部に変更し、また、N―プロピルホルムアミド2.0部を0.2部に変更した。それ以外は、実施例2―40と同様にして、実施例2―42の電子写真感光体を製造した。
このときのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―プロピルホルムアミドの含有量は0である。
〔実施例2―43〕
実施例2―25において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―17で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―27で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―25と同様にして、実施例2―43の電子写真感光体を製造した。
実施例2―25において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例1―17で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部を実施例1―27で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部に変更した。それ以外は、実施例2―25と同様にして、実施例2―43の電子写真感光体を製造した。
このときの電荷発生層における化合物(A141)と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの質量含有比率は0.32/1である。
〔実施例2―44〕
実施例2―40において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A53)0.2部を化合物(A138)0.2部に変更し、また、N―プロピルホルムアミド2.0部を0.2部に変更した。それ以外は、実施例2―40と同様にして、実施例2―44の電子写真感光体を製造した。
実施例2―40において、電荷発生層用塗布液を調製する際の化合物(A53)0.2部を化合物(A138)0.2部に変更し、また、N―プロピルホルムアミド2.0部を0.2部に変更した。それ以外は、実施例2―40と同様にして、実施例2―44の電子写真感光体を製造した。
このときのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―プロピルホルムアミドの含有量は0である。
〔比較例2―1〕
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―1と同様にして、比較例2―1の電子写真感光体を製造した。
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―1と同様にして、比較例2―1の電子写真感光体を製造した。
実施例1―11で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部、ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
上記電荷発生層における前記含窒素複素環化合物の含有量と上記電荷発生層における前記式(1)で示されるアミド化合物の含有量は共に0である。
〔比較例2―2〕
実施例2―15において、電荷発生層用塗布液の調整に用いたN―メチルホルムアミド0.0006部を使用しなかったこと以外は、実施例2―15と同様にして、比較例2―2の電子写真感光体を製造した。このときの電荷発生層における前記式(1)で示されるアミド化合物の含有量は0である。
実施例2―15において、電荷発生層用塗布液の調整に用いたN―メチルホルムアミド0.0006部を使用しなかったこと以外は、実施例2―15と同様にして、比較例2―2の電子写真感光体を製造した。このときの電荷発生層における前記式(1)で示されるアミド化合物の含有量は0である。
〔比較例2―3〕
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―1と同様にして、比較例2―3の電子写真感光体を製造した。
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―1と同様にして、比較例2―3の電子写真感光体を製造した。
比較例1―1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部、ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
上記電荷発生層における前記含窒素複素環化合物の含有量と上記電荷発生層における前記式(1)で示されるアミド化合物の含有量は共に0である。
〔比較例2―4〕
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―1と同様にして、比較例2―4の電子写真感光体を製造した。
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―1と同様にして、比較例2―4の電子写真感光体を製造した。
比較例1―1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶20部、
N―メチルホルムアミド0.5部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、
シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
N―メチルホルムアミド0.5部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)10部、および、
シクロヘキサノン519部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理した。その後、酢酸エチル764部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を100℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
上記電荷発生層における前記含窒素複素環化合物の含有量と上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるN―メチルホルムアミドの含有量は共に0である。
〔比較例2―5〕
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―1と同様にして、比較例2―5の電子写真感光体を製造した。
実施例2―1において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例2―1と同様にして、比較例2―5の電子写真感光体を製造した。
下記式(11)で示されるビスアゾ顔料20部、化合物(A7)0.2部、
N―メチルホルムアミド0.1部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)8部、および、
シクロヘキサノン380部を、直径0.8mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、20時間分散処理した。その後、酢酸エチル640部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を80℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.28μmの電荷発生層を形成した。
N―メチルホルムアミド0.1部、
ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX―1)8部、および、
シクロヘキサノン380部を、直径0.8mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、20時間分散処理した。その後、酢酸エチル640部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を80℃で10分間乾燥させることによって、膜厚が0.28μmの電荷発生層を形成した。
〔実施例2―1〜2―44および比較例2―1〜2―5の評価〕
実施例2―1〜2―44および比較例2―1〜2―5で作製した電子写真感光体について、画像評価を行った。
実施例2―1〜2―44および比較例2―1〜2―5で作製した電子写真感光体について、画像評価を行った。
評価用の電子写真装置として、黒ポチとカブリおよび濃度ムラの評価が可能なように改造したヒューレットパッカード社製レーザービームプリンターLaserJet4700を使用した。暗部電位は−700Vとなるように改造し、設定した。
作製した電子写真感光体を温度32.5℃湿度80%RHの高温高湿環境下で24時間放置した後、上記レーザープリンター用のシアン色用のプロセスカートリッジに装着した。このシアン色用のプロセスカートリッジを上記レーザープリンター内のシアン色用のプロセスカートリッジのステーションに取り付け、他の色用のプロセスカートリッジをレーザービームプリンター本体に装着しなくても作動するようにした。そして、同環境下で評価画像を出力した。
黒ポチ、カブリ評価は、光沢紙を用いてベタ白画像を出力し、出力画像の欠陥の有無を目視で観察してA〜Fのランク付けを行った。ランクAは、出力画像中に黒ポチが全く見られない画像である。ランクB、ランクC、ランクD、ランクEはそれぞれ、電子写真感光体1周分に換算した領域に、直径(φ)0.3mm以下の黒ポチが1〜2個、3〜4個、5〜10個、11〜20個存在する画像である。ランクFは、上述の直径(φ)0.3mm以下の黒ポチが21個以上見られる画像である。
この中で、EおよびFは、本発明の効果が十分に得られていないレベルと判断した。
また、濃度ムラ評価は、1ドット1スペースのドット密度に設定したハーフトーン画像を出力し、官能検査を行った。
評価結果を表1に示す。
本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために以下の請求項を添付する。
1 電子写真感光体
2 軸
3 帯電手段
4 像露光光
5 現像手段
6 転写手段
7 転写材
8 像定着手段
9 クリーニング手段
10 前露光光
11 プロセスカートリッジ
12 案内手段
2 軸
3 帯電手段
4 像露光光
5 現像手段
6 転写手段
7 転写材
8 像定着手段
9 クリーニング手段
10 前露光光
11 プロセスカートリッジ
12 案内手段
Claims (20)
- 支持体、該支持体上に形成された電荷発生層、および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
該電荷発生層が、
ガリウムフタロシアニン結晶、
含窒素複素環化合物、および
下記式(1)で示されるアミド化合物を含有し、
(上記式(1)中、R11は、メチル基またはプロピル基を示す。)
該含窒素複素環化合物の複素環中の窒素原子が置換基を有し、
該置換基を有する窒素原子の置換基が、置換もしくは無置換のアシル基、−(C=O)−O−R1、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基であることを特徴とする電子写真感光体。
(ただし、置換アシル基の置換基は、以下(i)に示す基である。R1は、以下(ii)に示す基である。)
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基(ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。)
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基(ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。) - 前記含窒素複素環化合物が、ピロール、ピロリジン、モルホリン、ピペラジン、ピペリジン、4−ピペリドン、インドール、イミダゾール、フェノチアジン、フェノキサジン、またはカルバゾールである請求項1に記載の電子写真感光体。
- 前記含窒素複素環化合物の環を構成する窒素原子以外の原子が有する置換基が、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアルキルオキシカルボニル基である請求項1または2に記載の電子写真感光体。
(ただし、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、またはホルミル基である。) - 前記含窒素複素環化合物が、下記式(2)で示される化合物である請求項1から3のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
(上記式(2)中、R21は、置換もしくは無置換のアシル基、−(C=O)−O−R2、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基を示す。該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。
置換のアシル基の置換基は、以下(i)に示す基である。R2は、以下(ii)に示す基である。)
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基(ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。)
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基(ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。) - 前記含窒素複素環化合物が、下記式(3)で示される化合物である請求項1から3のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
置換のアシル基の置換基は、以下(i)に示す基である。R3は、以下(ii)に示す基である。)
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基(ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。)
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基(ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。) - 前記含窒素複素環化合物が、下記式(4)で示される化合物である請求項1から3のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
置換のアシル基の置換基は、以下(i)に示す基である。R4は、以下(ii)に示す基である。)
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基(ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。)
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基(ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。) - 前記含窒素複素環化合物が、下記式(5)で示される化合物である請求項1から3のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
置換のアシル基の置換基は、以下(i)に示す基である。R5は、以下(ii)に示す基である。)
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基(ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。)
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基(ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。) - 前記含窒素複素環化合物が、下記式(6)で示される化合物である請求項1から3のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
置換のアシル基の置換基は、以下(i)に示す基である。R6は、以下(ii)に示す基である。)
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基(ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。)
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基(ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。) - 前記含窒素複素環化合物が、下記式(7)で示される化合物である請求項1から3のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
置換のアシル基の置換基は、以下(i)に示す基である。R7は、以下(ii)に示す基である。)
(i)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換の複素環基(ただし、該(i)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。)
(ii)置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環基(ただし、該(ii)において、該置換のアルキル基の置換基、該置換のアルケニル基の置換基、該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、またはアリール基である。) - 前記式(2)〜(7)中、R21、R31、R32、R41、R51、R61、R71が、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、または、フェニル基である請求項4から9のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 前記電荷発生層における前記含窒素複素環化合物の含有量が、前記ガリウムフタロシアニン結晶に対して0.01質量%以上20質量%以下である請求項1から10のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 前記ガリウムフタロシアニン結晶が、前記含窒素複素環化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶である請求項1から11のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 前記ガリウムフタロシアニン結晶内における前記含窒素複素環化合物の含有量が、前記ガリウムフタロシアニン結晶に対して0.01質量%以上2質量%以下である請求項12に記載の電子写真感光体。
- 前記ガリウムフタロシアニン結晶が、前記式(1)で示されるアミド化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶である請求項1から13のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 前記ガリウムフタロシアニン結晶内における前記式(1)で示されるアミド化合物の含有量が、前記ガリウムフタロシアニン結晶に対して0.01質量%以上3質量%以下である請求項14に記載の電子写真感光体。
- 前記電荷発生層における前記含窒素複素環化合物と前記ガリウムフタロシアニン結晶内における前記式(1)で示されるアミド化合物の質量含有比率が、1.4/1以上20/1以下である請求項14または15に記載の電子写真感光体。
- 前記式(1)中のR11がメチル基である請求項1から16のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 前記ガリウムフタロシアニン結晶が、CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θの7.4°±0.3°および28.2°±0.3°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項1から17のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 請求項1から18のいずれか1項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
- 請求項1から18のいずれか1項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
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